JP2002533940A - 半導体製造における波長補正の方法 - Google Patents
半導体製造における波長補正の方法Info
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- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2077—Methods of obtaining the confinement using lateral bandgap control during growth, e.g. selective growth, mask induced
Abstract
(57)【要約】
本発明は互いに光学的に接続されたレーザと変調器を少なくとも含む複数の半導体集積回路を製造する方法に関する。各レーザと変調器は単一の基板の上に構成された導波管層をもち、前記変調器は選択的領域成長技術を用いて形成される。前記レーザと変調器の間の導波管層におけるバンドギャップエネルギの差を補償するため選択可能な幅をもった変調器マスク部分を設けることにより、前記光学的に接続されたレーザと変調器の間にほぼ均一なバンドギャップエネルギの差が得られる。
Description
【０００１】 （技術分野） 本発明は選択的領域成長（selective area growth）を用いて半導体基板上に
製造される光子装置（photonic device）における波長補正の方法に関する。本
発明は更に本方法により製造された光子装置を含む集積回路に関する。
製造される光子装置（photonic device）における波長補正の方法に関する。本
発明は更に本方法により製造された光子装置を含む集積回路に関する。
【０００２】 （発明の背景） 同じ半導体基板上に半導体レーザ、光学変調器、光学スイッチ、光検出器、光
学増幅器のような異なる機能の半導体光子装置を集積的に製造するのに絶縁フィ
ルムパターン形成マスクを用いる選択的領域成長（selective area growth）（
ＳＡＧ）技術として知られる技術がある。選択的領域成長技術は基本的に半導体
基板上に絶縁フィルムパターン形成マスクを形成して基板のマスクされない領域
、すなわち露出した領域に半導体結晶が気相成長できるようにすることを含む。
目標とする半導体光子装置の製造の間、半導体基板上の絶縁フィルムマスクの幅
と、露出された領域の幅はこれら装置の光伝送方向において変化して、合金半導
体の気相成長が行われる。これにより、異なる成長層組成と異なる層厚みの合金
半導体層（複数）が、同じ処理において絶縁フィルムマスクの幅及び露出された
領域の幅に従って自動的に形成される。これは、合金半導体結晶を構成する原子
を含む各種材料の気相の密度傾斜、及び関連する有効拡散長が材料により異なる
からである。
学増幅器のような異なる機能の半導体光子装置を集積的に製造するのに絶縁フィ
ルムパターン形成マスクを用いる選択的領域成長（selective area growth）（
ＳＡＧ）技術として知られる技術がある。選択的領域成長技術は基本的に半導体
基板上に絶縁フィルムパターン形成マスクを形成して基板のマスクされない領域
、すなわち露出した領域に半導体結晶が気相成長できるようにすることを含む。
目標とする半導体光子装置の製造の間、半導体基板上の絶縁フィルムマスクの幅
と、露出された領域の幅はこれら装置の光伝送方向において変化して、合金半導
体の気相成長が行われる。これにより、異なる成長層組成と異なる層厚みの合金
半導体層（複数）が、同じ処理において絶縁フィルムマスクの幅及び露出された
領域の幅に従って自動的に形成される。これは、合金半導体結晶を構成する原子
を含む各種材料の気相の密度傾斜、及び関連する有効拡散長が材料により異なる
からである。
【０００３】 有効拡散長は主として２つの機構、すなわち表面拡散と再拡散からなる。マス
クの表面と接触する原子、例えばインジウム（In）は表面拡散機構、すなわち表
面に沿って原子が移動して適当な物質を見つけて結合し、例えばリン化インジウ
ム（InP）となるまで移動するという表面拡散機構を受ける。あるいは、原子は
再拡散機構、すなわち原子が表面から再拡散して原子が他の原子と衝突するまで
浮遊するという再拡散機構を受ける。この衝突により原子は再度表面に達し、そ
こでもし適当な物質があれば前述のようにそれに結合するか、または再度表面拡
散または再拡散を受けるであろう。再拡散機構はＳＡＧにおける重要な部分であ
る。
クの表面と接触する原子、例えばインジウム（In）は表面拡散機構、すなわち表
面に沿って原子が移動して適当な物質を見つけて結合し、例えばリン化インジウ
ム（InP）となるまで移動するという表面拡散機構を受ける。あるいは、原子は
再拡散機構、すなわち原子が表面から再拡散して原子が他の原子と衝突するまで
浮遊するという再拡散機構を受ける。この衝突により原子は再度表面に達し、そ
こでもし適当な物質があれば前述のようにそれに結合するか、または再度表面拡
散または再拡散を受けるであろう。再拡散機構はＳＡＧにおける重要な部分であ
る。
【０００４】 原子が結合するまでに移動する平均距離は拡散長と呼ばれる。InPの基板にお
ける拡散長はＳＡＧの間の圧力に依存し、表面拡散に対しては約１μｍ、再拡散
に対しては約１０〜１００μｍである。
ける拡散長はＳＡＧの間の圧力に依存し、表面拡散に対しては約１μｍ、再拡散
に対しては約１０〜１００μｍである。
【０００５】 元素の同じ族、例えばIII族の元素に属する異なる原子は異なる拡散長をもち
、例えばインジウム（In）の約１５μｍに比べてガリウム（Ga）は相当に長い拡
散長、約１１０μｍをもつ。これらの値は温度、圧力に依存するが、それらの値
の比はほぼ一定である。拡散長の差は、マスクに近接して元素の同じ族に属し異
なる拡散長をもつ原子からなるエピタキシャル成長材料の組成の変化を起こすで
あろう。さらにマスクの表面からの拡散により材料の増加が各マスクに近接して
表れる。
、例えばインジウム（In）の約１５μｍに比べてガリウム（Ga）は相当に長い拡
散長、約１１０μｍをもつ。これらの値は温度、圧力に依存するが、それらの値
の比はほぼ一定である。拡散長の差は、マスクに近接して元素の同じ族に属し異
なる拡散長をもつ原子からなるエピタキシャル成長材料の組成の変化を起こすで
あろう。さらにマスクの表面からの拡散により材料の増加が各マスクに近接して
表れる。
【０００６】 マコト他による米国特許第５，５４３，３５３号はレーザと変調器のような装
置を、これらの装置の光伝送方向に異なる幅をもった単一マスクを使用して単一
工程で製造する方法を開示している。
置を、これらの装置の光伝送方向に異なる幅をもった単一マスクを使用して単一
工程で製造する方法を開示している。
【０００７】 リアクタにおける選択的領域成長の間、成長層の組成の変化が使用するリアク
タの形式、例えばAIXTRONリアクタ装置により表れる。大きな変化は基板がリア
クタの部屋の中に固定され、導波管層のエピタキシャル成長に使用されるガス、
例えばInGaAsPまたはInGaAsが１つの方向から部屋の中に導入されるときに起こ
る。その変化は光ルミネセンス測定技術により検出して測定することができる。
光ルミネセンス測定技術は、導波管層のバンドギャップエネルギにおける変化を
検出して基板を横切る波長の変化として表す。この波長変化の１例が図１に示さ
れ、以下に更に詳細に説明する。
タの形式、例えばAIXTRONリアクタ装置により表れる。大きな変化は基板がリア
クタの部屋の中に固定され、導波管層のエピタキシャル成長に使用されるガス、
例えばInGaAsPまたはInGaAsが１つの方向から部屋の中に導入されるときに起こ
る。その変化は光ルミネセンス測定技術により検出して測定することができる。
光ルミネセンス測定技術は、導波管層のバンドギャップエネルギにおける変化を
検出して基板を横切る波長の変化として表す。この波長変化の１例が図１に示さ
れ、以下に更に詳細に説明する。
【０００８】 レーザと変調器のような光子装置（複数）を異なる工程によって同一または異
なるリアクタで製造するとき、光子装置の間の波長の差が基板上の光子装置の位
置に依存することがある。その結果、離調と呼ばれるレーザと変調器の間の波長
の差が重要であるので、基板上の機能装置の歩留りを低下する。
なるリアクタで製造するとき、光子装置の間の波長の差が基板上の光子装置の位
置に依存することがある。その結果、離調と呼ばれるレーザと変調器の間の波長
の差が重要であるので、基板上の機能装置の歩留りを低下する。
【０００９】 （発明の概要） 本発明の目的は従来技術の問題を克服した複数の半導体光子集積回路を製造す
る方法を提供することである。
る方法を提供することである。
【００１０】 本発明の前述及び他の目的を達成するため、複数の半導体光子集積回路−各集
積回路は光学的に互いに接続された少なくとも第１、第２の光子装置を含む−を
単一の半導体基板の上に製造する方法が下記により提供される。すなわち、前記
方法は次の工程を含む。（ｉ）前記基板上に前記第１の光子装置を形成するよう
に、少なくとも第１の導波管層を含む第１の組の層を成長させること、（ii）前
記第１の光子装置の各々をカバーするマスク部分を含む絶縁フイルムマスクを前
記基板上にカバーされた領域と露出した領域を画定するように設けること、（ii
i）前記露出した領域から前記第１の組の層を除去すること、（iv）前記第１の
光子装置の各々に近接して、該各第１の光子装置の光伝達方向に各第２の光子装
置の領域を選択すること、（ｖ）少なくとも第２の導波管層を含む第２の組の層
を選択的領域成長処理を用いて前記第２の光子装置を形成するように成長させる
こと、の各工程を含む。本発明の方法はさらに次の工程を含む。すなわち、（ａ
）前記工程（ii）の前に、基準基板上の前記第２の導波管層に対応する導波管層
において前記基板を横切るバンドギャップエネルギの変化を測定すること、但し
上記変化は前記選択的領域成長の結果によるもので、前記第２の導波管層におけ
るバンドギャップエネルギにおける変化により前記第１、第２の光子装置の間の
離調の変化を発生する、（ｂ）工程（ii）において前記絶縁フィルムマスクに少
なくとも１つの追加のマスク部分を前記領域の各々に近接して設け、該追加のマ
スク部分の各々が選択された長さと幅をもち、前記各第１の光子装置の光伝達方
向に実質的に平行となるようにすること、及び（ｃ）前記追加のマスク部分の各
々の幅を前記基板を横切る前記第２の導波管層のバンドギャップエネルギの前記
測定された変化に対応し、少なくともその変化を部分的に補正するように選択し
、それにより前記基板を横切る前記第１、第２の光子装置の間の離調の変化を減
少させること、の工程を含む。
積回路は光学的に互いに接続された少なくとも第１、第２の光子装置を含む−を
単一の半導体基板の上に製造する方法が下記により提供される。すなわち、前記
方法は次の工程を含む。（ｉ）前記基板上に前記第１の光子装置を形成するよう
に、少なくとも第１の導波管層を含む第１の組の層を成長させること、（ii）前
記第１の光子装置の各々をカバーするマスク部分を含む絶縁フイルムマスクを前
記基板上にカバーされた領域と露出した領域を画定するように設けること、（ii
i）前記露出した領域から前記第１の組の層を除去すること、（iv）前記第１の
光子装置の各々に近接して、該各第１の光子装置の光伝達方向に各第２の光子装
置の領域を選択すること、（ｖ）少なくとも第２の導波管層を含む第２の組の層
を選択的領域成長処理を用いて前記第２の光子装置を形成するように成長させる
こと、の各工程を含む。本発明の方法はさらに次の工程を含む。すなわち、（ａ
）前記工程（ii）の前に、基準基板上の前記第２の導波管層に対応する導波管層
において前記基板を横切るバンドギャップエネルギの変化を測定すること、但し
上記変化は前記選択的領域成長の結果によるもので、前記第２の導波管層におけ
るバンドギャップエネルギにおける変化により前記第１、第２の光子装置の間の
離調の変化を発生する、（ｂ）工程（ii）において前記絶縁フィルムマスクに少
なくとも１つの追加のマスク部分を前記領域の各々に近接して設け、該追加のマ
スク部分の各々が選択された長さと幅をもち、前記各第１の光子装置の光伝達方
向に実質的に平行となるようにすること、及び（ｃ）前記追加のマスク部分の各
々の幅を前記基板を横切る前記第２の導波管層のバンドギャップエネルギの前記
測定された変化に対応し、少なくともその変化を部分的に補正するように選択し
、それにより前記基板を横切る前記第１、第２の光子装置の間の離調の変化を減
少させること、の工程を含む。
【００１１】 本発明の利点は、基板を横切る成長に変動を生じる選択的領域成長処理に使用
される装置が歩留りを向上して使用されることである。
される装置が歩留りを向上して使用されることである。
【００１２】 本発明の他の利点は、バンドギャップエネルギの差の補正が容易に非常に低い
費用で得られることである。
費用で得られることである。
【００１３】 本発明をさらに、添付の図面を参照して以下に説明する。
【００１４】 （好ましい実施例の詳細な説明） 図１はウエーファ１を横切ってバンドギャップエネルギに変化をもつ変調器の
光学導波管層を図示するウエーファ１の上面図である。この変化は前記層の製造
に使用されるリアクタの形式による。これは前述のように、エピタキシャル成長
処理の間にウエーファの固定されるリアクタにおいて起こり、使用されるガスは
１つの方向２から導入される。前記変化は光ルミネセンス測定装置により測定さ
れ、その結果はウエーファの頂部中間付近の基準点３で得られる最高波長と比較
した波長の減少として表される。増加する波長差は５ｎｍの間隔で分割され、各
線は基準点３から数えて前の線から５ｎｍ降下を示す。ウエーファ１を横切る変
化はこの例では４５ｎｍ以上であり、それは固定された送出波長、すなわち固定
したバンドギャップエネルギをもった半導体レーザと作動する変調器を製造する
ときには許容できない。
光学導波管層を図示するウエーファ１の上面図である。この変化は前記層の製造
に使用されるリアクタの形式による。これは前述のように、エピタキシャル成長
処理の間にウエーファの固定されるリアクタにおいて起こり、使用されるガスは
１つの方向２から導入される。前記変化は光ルミネセンス測定装置により測定さ
れ、その結果はウエーファの頂部中間付近の基準点３で得られる最高波長と比較
した波長の減少として表される。増加する波長差は５ｎｍの間隔で分割され、各
線は基準点３から数えて前の線から５ｎｍ降下を示す。ウエーファ１を横切る変
化はこの例では４５ｎｍ以上であり、それは固定された送出波長、すなわち固定
したバンドギャップエネルギをもった半導体レーザと作動する変調器を製造する
ときには許容できない。
【００１５】 図２は本発明によりレーザと変調器を製造するための複数の回路マスク１０を
含む絶縁マスク配置の一部を示す。回路マスク１０は２つのマスク部分、レーザ
部分１１と変調器部分１２を含み、レーザ部分１１は後続の製造工程の間レーザ
を形成する第１の組の層をカバーし保護し、変調器部分１２は変調器を形成する
第２の組の層が製造されるべき領域１３を画定する。領域１３は線１４で示され
るレーザの光伝達方向にある。
含む絶縁マスク配置の一部を示す。回路マスク１０は２つのマスク部分、レーザ
部分１１と変調器部分１２を含み、レーザ部分１１は後続の製造工程の間レーザ
を形成する第１の組の層をカバーし保護し、変調器部分１２は変調器を形成する
第２の組の層が製造されるべき領域１３を画定する。領域１３は線１４で示され
るレーザの光伝達方向にある。
【００１６】 レーザマスク部分１１の寸法、長さＬ1と幅Ｗ1は変調器が製造されるときレー
ザを保護するように、構成されるレーザの形式に依存し実質的にそれと同一であ
る（equal across）。ほぼ１５５０ｎｍの波長に相当するバンドギャップエネル
ギをもった分布帰還レーザ（distributed feedback laser）のマスクの寸法は、
それに限定されないが例えば である。
ザを保護するように、構成されるレーザの形式に依存し実質的にそれと同一であ
る（equal across）。ほぼ１５５０ｎｍの波長に相当するバンドギャップエネル
ギをもった分布帰還レーザ（distributed feedback laser）のマスクの寸法は、
それに限定されないが例えば である。
【００１７】 変調器マスク部分１２はこの例では隔離した２つの部分１２ａ，１２ｂからな
り、この２つの部分は基本的に同じ寸法をもち線１４に対して同じ距離にあり、
固定した中間距離Ｗ0をもつ。各マスクは選択された長さＬmをもって線１４に平
行に配置され、好ましくは間隔０−２０μｍの選択可能な幅Ｗmをもつ。破線１
５は幅の上限を示す。
り、この２つの部分は基本的に同じ寸法をもち線１４に対して同じ距離にあり、
固定した中間距離Ｗ0をもつ。各マスクは選択された長さＬmをもって線１４に平
行に配置され、好ましくは間隔０−２０μｍの選択可能な幅Ｗmをもつ。破線１
５は幅の上限を示す。
【００１８】 選択的領域成長処理の間にマスクに近接して、特に領域１３に成長される層の
組成と厚みを変化するために前記選択可能な幅が用いられる。前に述べたように
本発明の背景技術においては、短い拡散長をもった物質の増加が材料の全般的増
加と共にマスクに近接して起こる。変調器マスク部分１２ａ，１２ｂの間の好ま
しい中間距離Ｗ0は前記短い拡散長の１〜３倍の範囲にあり、光学導波管層の良
好な組成と、エピタキシャル成長の良好な速度が得られる。
組成と厚みを変化するために前記選択可能な幅が用いられる。前に述べたように
本発明の背景技術においては、短い拡散長をもった物質の増加が材料の全般的増
加と共にマスクに近接して起こる。変調器マスク部分１２ａ，１２ｂの間の好ま
しい中間距離Ｗ0は前記短い拡散長の１〜３倍の範囲にあり、光学導波管層の良
好な組成と、エピタキシャル成長の良好な速度が得られる。
【００１９】 半導体基板は好ましくはリン化インジウム（InP）から作られ、変調器の光学
導波管層は好ましくはリン化インジウム・ガリウム・砒素（indium gallium ars
enide phosphide）InxGa1-xAsyP1-y、省略してInGaAsPから作られる。ここでｘ
，ｙは０〜１の範囲の値である。
導波管層は好ましくはリン化インジウム・ガリウム・砒素（indium gallium ars
enide phosphide）InxGa1-xAsyP1-y、省略してInGaAsPから作られる。ここでｘ
，ｙは０〜１の範囲の値である。
【００２０】 変調器マスク部分の幅のある程度の増加は、導波管層の成長のとき該変調器マ
スク部分１２に近接した波長の増加に対応する。
スク部分１２に近接した波長の増加に対応する。
【００２１】 レーザと変調器を含む複数の光子装置を同一基板に製造すべきであり、テーザ
の第１の組の層が第１の工程で製造され、変調器の光学導波管層が図１に示され
る変化をもつことが分かっているとき、変調器として使用することを意図する全
ての領域の導波管層の組成を補正することが必要かもしれない。この補正は、基
板上の位置に応じて必要な波長補正に対応するように変調器マスクの幅を選択し
てなされる。
の第１の組の層が第１の工程で製造され、変調器の光学導波管層が図１に示され
る変化をもつことが分かっているとき、変調器として使用することを意図する全
ての領域の導波管層の組成を補正することが必要かもしれない。この補正は、基
板上の位置に応じて必要な波長補正に対応するように変調器マスクの幅を選択し
てなされる。
【００２２】 図３ａ，３ｂは図２のマスクを用いた本発明の異なる実施例における図２の線
Ａ−Ａに沿った断面であり、それに限定されるものでないが１例において下記寸
法である。 中間距離 Ｗ0＝２０μｍ 変調器マスク幅 Ｗm＝１０μｍ
Ａ−Ａに沿った断面であり、それに限定されるものでないが１例において下記寸
法である。 中間距離 Ｗ0＝２０μｍ 変調器マスク幅 Ｗm＝１０μｍ
【００２３】 図３ａにおいて本発明のマスクＭは直接半導体基板３０の上に配置されている
。これは、第１の光子装置を形成し、この装置の上に保護絶縁フィルムマスクを
形成し、前記基板をエッチングして前記絶縁マスクにより保護されていない材料
を除去すること、によりなされる。
。これは、第１の光子装置を形成し、この装置の上に保護絶縁フィルムマスクを
形成し、前記基板をエッチングして前記絶縁マスクにより保護されていない材料
を除去すること、によりなされる。
【００２４】 図３ｂにおいては、本発明のマスクＭは材料Ｌの層、レーザ製造の残留の上に
、保護絶縁フィルムがレーザを形成する第１の組の層の上部に形成されるのと同
時に設けられる。本発明のマスクＭすなわち保護マスクによりカバーされない領
域は基板３０までエッチングされる。
、保護絶縁フィルムがレーザを形成する第１の組の層の上部に形成されるのと同
時に設けられる。本発明のマスクＭすなわち保護マスクによりカバーされない領
域は基板３０までエッチングされる。
【００２５】 このようにして、これら実施例の何れにおいても以下説明する選択的領域成長
処理の間に同様な変調器が形成される。
処理の間に同様な変調器が形成される。
【００２６】 上述のマスク技術（particulars）を用いた変調器の選択的領域成長の間、多
数の層が例えばn-InPの半導体基板３０の上にn-InP/InGaAsP/p-InPを含むように
得られる。ここで、n-InPは過剰電子でドープされたリン化インジウム層で、p-I
nPは過剰ホールをもったリン化インジウム層である。
数の層が例えばn-InPの半導体基板３０の上にn-InP/InGaAsP/p-InPを含むように
得られる。ここで、n-InPは過剰電子でドープされたリン化インジウム層で、p-I
nPは過剰ホールをもったリン化インジウム層である。
【００２７】 n-InPの第１の層３１はスペーサと呼ばれ、次の層３２、導波管層の下の表面
をできるだけ欠陥がないように形成するのに使用される。もし基板が非常に高品
質のものであれば、この層は省略できる。
をできるだけ欠陥がないように形成するのに使用される。もし基板が非常に高品
質のものであれば、この層は省略できる。
【００２８】 堆積される材料３４の厚みの増加が表面拡散によりマスクの縁部に見られる。
マスクの間の材料の狭い部分のみが変調器の製造に使用されるので上記の厚みの
変化は無視できる。さらに全体の高さＨPに比較して変調器の高さＨmの増加も見
られる。それはインジウムの短い拡散長によるものであり、これはマスクに近接
したインジウムの濃縮（enrichment）を与える。
マスクの間の材料の狭い部分のみが変調器の製造に使用されるので上記の厚みの
変化は無視できる。さらに全体の高さＨPに比較して変調器の高さＨmの増加も見
られる。それはインジウムの短い拡散長によるものであり、これはマスクに近接
したインジウムの濃縮（enrichment）を与える。
【００２９】 図４ａ，４ｂは本発明による変調器における通常の導波管層と補正された導波
管層の比較を示し、全体的に増加した波長に加えて変調器マスクの幅の変化の補
正効果が見られる。
管層の比較を示し、全体的に増加した波長に加えて変調器マスクの幅の変化の補
正効果が見られる。
【００３０】 図４ａは変調器導波管層のｙ−軸の関数として波長λの測定値を示す。測定値
は基板の中心（ｘ＝０）に交差するｙ−軸に沿って示される。下方の線４０は選
択的領域成長処理の間に補正マスクを使用しない通常の基板を示す。波長の値は
図１に示すように右から左に行くに従い、また上から下に行くに従い減少してい
る。他方、上方の線４１は補正された導波管層を表し、下方の線が約４０ｎｍ変
化するとき、同じ距離で１０−１１ｎｍ変化するのみである。
は基板の中心（ｘ＝０）に交差するｙ−軸に沿って示される。下方の線４０は選
択的領域成長処理の間に補正マスクを使用しない通常の基板を示す。波長の値は
図１に示すように右から左に行くに従い、また上から下に行くに従い減少してい
る。他方、上方の線４１は補正された導波管層を表し、下方の線が約４０ｎｍ変
化するとき、同じ距離で１０−１１ｎｍ変化するのみである。
【００３１】 図４ｂは変調器導波管層のｘ−軸の関数として波長λの測定値を示す。測定値
は基板の中心（ｙ＝０）に交差するｘ−軸に沿って示される。下方の線４２は図
４ａで測定されたと同じ通常の基板を表し、ｘ＝０で最大であり、図１で見て、
右方及び左方に行くに従い減少する。他方、上方の線４３は補正された導波管層
を表し、下方の線が約２５ｎｍ変化するとき同じ距離で１０−１１ｎｍ変化する
のみである。
は基板の中心（ｙ＝０）に交差するｘ−軸に沿って示される。下方の線４２は図
４ａで測定されたと同じ通常の基板を表し、ｘ＝０で最大であり、図１で見て、
右方及び左方に行くに従い減少する。他方、上方の線４３は補正された導波管層
を表し、下方の線が約２５ｎｍ変化するとき同じ距離で１０−１１ｎｍ変化する
のみである。
【００３２】 これらの測定の結果は、何等の補正マスクも無いとき選択的領域成長処理が波
長において、すなわちバンドギャップエネルギの大きな変化を生じるのに対して
、補正された導波管層を使用するとウエーファを横切る波長変化において相当に
小さい変化が得られることを示している。
長において、すなわちバンドギャップエネルギの大きな変化を生じるのに対して
、補正された導波管層を使用するとウエーファを横切る波長変化において相当に
小さい変化が得られることを示している。
【００３３】 本発明の方法の基本部分は基板を横切るバンドギャップエネルギにおける変化
を特徴とし、補正マスクの望ましい幅を選択できることにある。この特徴は請求
項１の前文に記載されているように、複数の第１の光子装置を基準基板の上に形
成し、ついで第２の光子装置を形成する。次に、光ルミネセンス測定技術により
前記第２の光子装置のために選択された領域における波長を測定する。
を特徴とし、補正マスクの望ましい幅を選択できることにある。この特徴は請求
項１の前文に記載されているように、複数の第１の光子装置を基準基板の上に形
成し、ついで第２の光子装置を形成する。次に、光ルミネセンス測定技術により
前記第２の光子装置のために選択された領域における波長を測定する。
【００３４】 本発明の方法は変調器の導波管層における波長を当然にかつ充分に補正して、
レーザと変調器の間の波長の差、すなわち所謂離調を許容できるレベル、例えば
ほぼ６０ｎｍに減少する。
レーザと変調器の間の波長の差、すなわち所謂離調を許容できるレベル、例えば
ほぼ６０ｎｍに減少する。
【図１】 変化するバンドギャップエネルギをもった変調器における導波管層を示すウエ
ーファの上面図。
ーファの上面図。
【図２】 本発明による絶縁フィルムマスク配置の上面図。
【図３ａ】 本発明の１実施例による図２の線Ａ−Ａに沿った断面を示す図面。
【図３ｂ】 本発明の他の実施例による図２の線Ａ−Ａに沿った断面を示す図面。
【図４ａ】 本発明による変調器における通常及び補正された導波管層のｙ−軸の関数とし
ての波長変化の比較を示す図面。
ての波長変化の比較を示す図面。
【図４ｂ】 本発明による変調器における通常及び補正された導波管層のｘ−軸の関数とし
ての波長変化の比較を示す図面。
ての波長変化の比較を示す図面。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年１月１５日（２００１．１．１５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ， ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，Ｓ Ｌ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
Claims (10)
- 【請求項１】 単一の半導体基板の上に複数の半導体光子集積回路を製造す
る方法にして、前記集積回路の各々が互いに光学的に接続された少なくとも第１
、第２の光子装置を含み、前記方法が （ｉ）少なくとも第１の導波管層を含む第１の組の層を成長させて、前記半
導体基板の上に前記第１の光子装置を形成すること、 （ii）前記基板の上にカバーされた領域と露出した領域を画定するように前
記第１の光子装置の各々をカバーするマスク部分を含む絶縁フィルムマスクを設
けること、 （iii）前記露出した領域から前記第１の組の層を除去すること、 （iv）前記第１の光子装置の各々に近接して、その光伝達方向に、第２の光
子装置の各々のための領域を選択すること、 （ｖ）少なくとも第２の導波管層を含む第２の組の層を成長させて、選択的
領域成長処理を用いて前記第２の光子装置を形成すること、 の各工程を含むものにおいて、前記方法がさらに、 （ａ）前記工程（ii）の前に、基準基板上の前記第２の導波管層に対応する
導波管層における前記基板を横切る方向のバンドギャップエネルギの変化を測定
すること、ここで前記変化は前記選択的領域成長処理に起因し、前記第２の導波
管層におけるバンドギャップエネルギの変化により前記第１と第２の光子装置の
間の前記基板を横切る離調に変化を生じ、 （ｂ）前記工程（ii）における絶縁フィルムマスクに、前記領域の各々に近
接して少なくとも１つの追加のマスク部分を設け、各追加のマスク部分が選択さ
れた長さと選択可能な幅をもち、前記第１の光子装置の各々の光伝達方向に平行
となるようにすること、 （ｃ）前記追加のマスク部分の各々の幅を、前記バンドギャップエネルギの
測定された変化に対応するように、かつ前記基板を横切る前記第２の導波管層の
バンドギャップエネルギの変化を少なくとも部分的に補正するように選択するこ
と、 の各工程を含み、それにより前記基板を横切る前記第１、第２の光子装置の間
の離調の変化を減少することを特徴とする、前記方法。 - 【請求項２】 前記絶縁フィルムマスクに前記領域の各々に近接して位置す
る２つの追加のマスク部分を設け、前記追加のマスク部分が平行で前記領域の反
対側に位置するようにすること、を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 全ての前記領域に近接する前記２つの追加のマスク部分の間
の中間距離が実質的に等しくなるように選択すること、を特徴とする請求項２に
記載の方法。 - 【請求項４】 前記中間距離が１０〜３５μｍの間隔であるように選択する
ことを特徴とする請求項３に記載の方法。 - 【請求項５】 前記中間距離が１５〜２５μｍの間隔にあるように選択する
ことを特徴とする請求項３に記載の方法。 - 【請求項６】 前記幅を０〜２０μｍの間隔にあるように選択することを特
徴とする先行請求項の任意の１つの項に記載の方法。 - 【請求項７】 前記第１の光子装置を半導体レーザであるように選択するこ
とを特徴とする先行請求項の任意の１つの項に記載の方法。 - 【請求項８】 前記第２の光子装置を前記半導体レーザに光学的に結合され
た変調器であるように選択することを特徴とする請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 前記測定する工程が光学ルミネセンス測定技術により実行さ
れることを特徴とする先行請求項の任意の１つの項に記載の方法。 - 【請求項１０】 光学的に相互接続された第１、第２装置を含む集積回路に
して、前記集積回路が請求項１乃至９の任意の１つの項に記載の方法により製造
されることを特徴とする前記集積回路。
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|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
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- 1999-12-17 US US09/466,225 patent/US6274398B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|
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