JP2018006770A - 半導体装置の製造方法、半導体装置 - Google Patents
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Abstract
値のばらつきを低減する半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に、下部光閉じ込め層、該下部光閉じ込め層の上の光吸収層、及び該光吸収層の上の上部光閉じ込め層を形成し、該下部光閉じ込め層、該光吸収層、及び該上部光閉じ込め層の一部を除去することで、光変調器部を形成する第1工程と、該基板の該光変調器部が形成されていない部分に、回折格子を有するレーザ部を形成する第2工程と、該上部光閉じ込め層の上にドーパントの拡散を抑制するi型の拡散抑制層を形成する工程と、該レーザ部と該拡散抑制層の上にコンタクト層を形成する第3工程と、を備え、該コンタクト層のドーパントの種類と、該上部光閉じ込め層のドーパントの種類を一致させたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置10の断面図である。半導体装置10は、例えばn型InPで形成された基板12を備えている。基板12の上にはレーザ部14が形成されている。レーザ部14について説明する。レーザ部14は、基板12の上に形成されたn型クラッド層16を備えている。n型クラッド層16の上には例えばInGaAsPを材料とするMQW(Multi Quantum Well)で活性層18が形成されている。活性層18の上にはp型クラッド層20が形成されている。p型クラッド層20には回折格子22が形成されている。p型クラッド層20の上にはp型埋め込み層24が形成されている。
実施の形態2については実施の形態1との相違点を中心に説明する。実施の形態2は、1枚のウエハに複数の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法と半導体装置の製造システムに関する。図4は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造システム100を示す図である。半導体装置の製造システム100(以後、単にシステム100という)はPL評価装置102を備えている。PL評価装置102には演算部120が接続されている。演算部120には電子線描画装置130が接続されている。電子線描画装置130は、複数の光変調器部のそれぞれと接して設けられるレーザ部の回折格子を形成する装置である。
Claims (4)
- 基板に、下部光閉じ込め層、前記下部光閉じ込め層の上の光吸収層、及び前記光吸収層の上の上部光閉じ込め層を形成し、前記下部光閉じ込め層、前記光吸収層、及び前記上部光閉じ込め層の一部を除去することで、光変調器部を形成する第1工程と、
前記基板の前記光変調器部が形成されていない部分に、回折格子を有するレーザ部を形成する第2工程と、
前記上部光閉じ込め層の上にドーパントの拡散を抑制するi型の拡散抑制層を形成する工程と、
前記レーザ部と前記拡散抑制層の上にコンタクト層を形成する第3工程と、を備え、
前記コンタクト層のドーパントの種類と、前記上部光閉じ込め層のドーパントの種類を一致させたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記拡散抑制層の厚さは100〜400nmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板の上に形成された下部光閉じ込め層、前記下部光閉じ込め層の上に形成された光吸収層、及び前記光吸収層の上に形成された上部光閉じ込め層を有する光変調器部と、
前記上部光閉じ込め層の上に形成された、ドーパントの拡散を抑制するi型の拡散抑制層と、
前記基板の上に前記光変調器部と接するように形成されたレーザ部と、
前記レーザ部と前記拡散抑制層の上に形成されたコンタクト層と、を備え、
前記光吸収層は全体が均一な組成であり、
前記コンタクト層のドーパントと前記上部光閉じ込め層のドーパントの種類を一致させたことを特徴とする半導体装置。 - 前記拡散抑制層の厚さは100〜400nmの範囲であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015133381A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体装置の製造システム |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259577A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体多層構造 |
JPH11330605A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-30 | Anritsu Corp | 半導体レーザ |
JP2000505603A (ja) * | 1996-06-03 | 2000-05-09 | テルコーディア テクノロジーズ インコーポレイテッド | ブルーシフトが少ないInPを主成分とするレーザ |
JP2001021851A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Nec Corp | 吸収型光変調器およびその製造方法 |
JP2002009401A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子 |
US20020090167A1 (en) * | 2001-01-08 | 2002-07-11 | Michael Geva | Electronic device having a barrier region including aluminum and a method of manufacture therefor |
JP2002533940A (ja) * | 1998-12-18 | 2002-10-08 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン(パブル) | 半導体製造における波長補正の方法 |
JP2003069145A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-03-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 分布帰還型半導体レーザ素子群の作製方法 |
JP2004109594A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Mitsubishi Electric Corp | 導波路型半導体素子 |
JP2004271744A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 吸収型半導体光変調器 |
JP2006253212A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ |
JP2006269568A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2007201072A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子 |
JP2007335804A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子およびその製造方法 |
JP2010072495A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Opnext Japan Inc | 同軸型半導体光モジュール |
JP6291849B2 (ja) * | 2014-01-10 | 2018-03-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
-
2017
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Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259577A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体多層構造 |
JP2000505603A (ja) * | 1996-06-03 | 2000-05-09 | テルコーディア テクノロジーズ インコーポレイテッド | ブルーシフトが少ないInPを主成分とするレーザ |
JPH11330605A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-30 | Anritsu Corp | 半導体レーザ |
JP2002533940A (ja) * | 1998-12-18 | 2002-10-08 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン(パブル) | 半導体製造における波長補正の方法 |
JP2001021851A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Nec Corp | 吸収型光変調器およびその製造方法 |
JP2002009401A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子 |
US20020090167A1 (en) * | 2001-01-08 | 2002-07-11 | Michael Geva | Electronic device having a barrier region including aluminum and a method of manufacture therefor |
JP2003069145A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-03-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 分布帰還型半導体レーザ素子群の作製方法 |
JP2004109594A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Mitsubishi Electric Corp | 導波路型半導体素子 |
JP2004271744A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 吸収型半導体光変調器 |
JP2006253212A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ |
JP2006269568A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2007201072A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子 |
JP2007335804A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子およびその製造方法 |
JP2010072495A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Opnext Japan Inc | 同軸型半導体光モジュール |
JP6291849B2 (ja) * | 2014-01-10 | 2018-03-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
YASUNORI MIYAZAKI, ET AL.: ""Extinction ratio improvement of an electroabsorption modulator by using Be as a p-type dopant with", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 93, no. 7, JPN7018000012, 1 April 2003 (2003-04-01), pages 3823 - 3826, XP012059313, ISSN: 0003766651, DOI: 10.1063/1.1559004 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015133381A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体装置の製造システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6414306B2 (ja) | 2018-10-31 |
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