JP2002531913A - 膜または層を形成するための方法 - Google Patents

膜または層を形成するための方法

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Abstract

(57)【要約】 有機金属錯体の膜を形成するための改良された方法であり、ここでは、有機錯体および不安定な金属塩が、一緒にまたは連続して気化され、そしてその蒸気は基板上へ凝縮され、その基板上に有機金属錯体の膜または層を形成する。この基板上に有機金属錯体の膜または層を形成する方法は、その基板上に有機金属錯体の膜または層を形成するために、金属化合物を気化する工程、有機錯体を気化する工程、および基板上へその蒸気を凝縮する工程を包含する。この方法は、改良された性能でエレクトロミネッセンスの膜を生成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、有機金属錯体の膜または層を形成する方法に関連し、さらに詳細に
は、本発明は、有機金属錯体を形成し、そしてそれらを基板上に堆積する方法に
関連する。
【０００２】 有機配位子および金属の錯体を形成する場合、金属および有機配位子の塩は、
適切な溶媒中において、溶液中の適切な条件下で共に反応される。非常に多くの
反応が周知であり、そして非常に多くの有機金属錯体が公知であり、そしてこの
プロセスにより形成される。
【０００３】 特定のクラスの有機金属錯体は、遷移金属、ランタン系列元素およびアクチニ
ド系列元素から形成され、そしてこれらの錯体は、触媒、電気デバイスおよび電
子デバイスなどにおける非常に広範囲の用途を有する。
【０００４】 いくつかの有機金属錯体はエレクトロルミネッセンスまたはフォトルミネッセ
ンスの性質を有し、そしてＣｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ ６５７−６６
０頁，１９９０ Ｋｉｄｏら中の論文、およびＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ ６５（１７）２４ Ｏｃｔｏｂｅｒ １９９４，Ｋｉｄｏら
中の論文において記載されているが、これらは大気条件では不安定であり、膜と
して生産することは難しかった。
【０００５】 紫外線照射で蛍光を発する希土類キレートであるフォトルミネッセンスの錯体
は公知であり、Ａ．Ｐ．Ｓｉｎｈａ（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｏｆ Ｉｎｏ
ｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ 第二巻 Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ
１９７１）は、種々の単座および二座配位子を有する希土類キレートのいくつか
のクラスを記載する。
【０００６】 芳香族錯化剤を有する、ＩＩＩＡ族の金属ならびにランタン系列元素およびア
クチニド系列元素は、Ｇ．Ｋａｌｌｉｓｔｒａｔｏｓ（Ｃｈｉｍｉｃａ Ｃｈｒ
ｏｎｉｋａ，Ｎｅｗ Ｓｅｒｉｅｓ，１１，２４９−２６６（１９８２））によ
り記載されている。この参考文献は、特にジフェニルホスホンアミドトリフェニ
ルホスホランのＥｕ（ＩＩＩ）、Ｔｂ（ＩＩＩ）およびＵ（ＩＩＩ）錯体を開示
する。
【０００７】 ＥＰ ０７４４４５１Ａ１もまた、遷移金属もしくはランタン系列金属または
アクチニド系列金属の蛍光発光キレートを開示する。
【０００８】 エレクトロルミネッセンスまたはフォトルミネッセンスの活性材料として有機
金属錯体を組み込むエレクトロルミネッセンスデバイスまたはフォトルミネッセ
ンスデバイスを形成する場合、エレクトロミネッセンス化合物またはフォトルミ
ネッセンス化合物の膜は、基板上に形成されなければならない。このことは、適
切な厚みの膜または層などを得るために、通常その基板上に、溶液からの化合物
の堆積により行われる。
【０００９】 有機金属錯体は溶液中で形成され得、そしてこの溶液から堆積され得、または
分離され得、そして別の溶媒に溶解され得、そしてこの溶液などから堆積され得
、または固体物質の減圧エバポレーションにより形成され得る。
【００１０】 本発明者らは、形成されるべき溶液を要求せずに、または複数の合成を要求せ
ずに、基板上に有機金属錯体の膜または層を形成する改良された方法を開発して
いる。
【００１１】 本発明に従って、有機金属錯体の膜または層を基板上に形成するための方法が
提供され、その方法は、その基板上に有機金属錯体の膜または層を形成するため
に、金属化合物を気化する工程、有機錯体を気化する工程、および基板上へその
蒸気を凝縮する工程を包含する。
【００１２】 １つの実施形態において、本発明は、基板上に有機金属錯体の膜または層を形
成するために、金属化合物を含む粉末と有機錯体を含む粉末を混合する工程、減
圧下で形成された混合物を加熱し、その結果この混合物が気化される工程、およ
びその蒸気を基板上へ凝縮する工程を包含する。
【００１３】 本発明の別の実施形態において、金属化合物および有機錯体は、連続して気化
される。
【００１４】 用語「気化された（ｖａｐｏｒｉｓｅｄ）」は、昇華などのような、固体状態
から蒸気または気体状態への移行の全ての形態を含む。
【００１５】 本発明は、この方法により有機配位子との安定かつ有用な錯体を形成し得る遷
移金属、ランタン系列元素およびアクチニド系列元素に特に有用である。
【００１６】 好ましくは、この金属は、ハロゲン化合物（例えば、不安定であり、その結果
気化または昇華され得る塩素または臭素）、あるいは有機金属化合物（この条件
下で気化される任意の金属化合物が用いられ得るが、例えば、ジケト錯体、アセ
チルアセトネート）のような塩の形態である。
【００１７】 本発明は、適切な価電子状態のサマリウム、ジスプロシウム、ルテチウム、ト
リウム、イットリウム、ガドリニウム、ユーロピウム、テルビウム、ウラニウム
、およびセリウムのようなランタン系列元素またはアクチニド系列元素を組み込
んでいる、それらを含むフォトルミネッセンス化合物およびエレクトロルミネッ
センス化合物の膜または層の調製に対して特に有用である。充填されていない内
殻を有する任意の金属イオンは、その金属として用いられ得、そして好ましい金
属は、Ｓｍ（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩＩ）、Ｔｂ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｙ
ｂ（ＩＩＩ）、Ｌｕ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩ）、ＣＥ（ＩＩＩ
）、Ｇｄ（ＩＩＩ）、Ｕ（ＩＩＩ）、ＵＯ2（ＶＩ）、Ｔｈ（ＩＩＩ）、ならび
に不完全な内殻を有する金属（例えば、Ｔｈ（ＩＶ）、Ｙ（ＩＩＩ）、Ｌａ（Ｉ
ＩＩ）、Ｃｅ（ＩＶ））である。
【００１８】 １を超える金属化合物および１を超える有機錯体の混合物が、用いられ得、混
合された有機金属錯体の範囲を得る。これは、気化の前に化合物を混合すること
により、または有機金属錯体を含む多層または混合層を得るために化合物を連続
して気化することにより、達成され得る。
【００１９】 本発明の別の実施形態において、金属化合物は基板上に堆積され得、次いで、
それらの混合物の気化により、種々のタイプの層状構造を得るために金属化合物
および有機化合物の混合物が堆積される。
【００２０】 形成された有機金属錯体中の有機配位子は、有機金属錯体を形成するために金
属化合物と反応し得る、または有機錯体と共堆積（ｃｏ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ）
される場合、有機金属錯体を形成する任意の有機錯体であり得る。特に一連の堆
積において、形成されるその有機金属錯体は、その層を介して可変性の組成物を
有し得る。
【００２１】 使用され得るこの有機配位子としては以下が挙げられる：
【００２２】
【化３】
【００２３】 ここでＲ’はこの分子の異なる部分にて同じかまたは異なり、各々のＲ’’およ
びＲ’はヒドロカルビル基（例えば、アルキル、置換もしくは無置換の芳香族も
しくは複素環式の環構造）、フッ化炭素であり、もしくはＲ’’は−ＣＦ3もし
くは水素であり、あるいはＲ’’は例えばモノマーと共重合され、もしくはＲ’
はｔ−ブチルであり、かつＲ’’は水素である。
【００２４】 好ましくは、Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’の各々は、アルキル基、好ましくは−Ｃ
（ＣＨ3）基または以下である:
【００２５】
【化４】
【００２６】 ここで、Ｘは、各々の場合で同じまたは異なり得、そして、Ｈ、Ｆ、Ｍｅ、Ｅｔ
、ＯＭｅまたはＯＥｔであり得る。
【００２７】 好ましい有機錯体は、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオ
ナト（ＴＭＨＤ）；ａ’，ａ’’，ａ’’’トリピリジル、ジベンゾイルメタン
（ＤＢＭ）、ジフェニルホスホンイミドトリフェニルホスホラン（ＯＰＮＰ）、
バソフェン（４，７−ジフェニル−１，１−フェナントロリン）、１，１０ フ
ェナントロリン（Ｐｈｅｎ）および、クラウンエーテル、クリプタンド、置換さ
れたカリックス（４）アレーンをベースとする配位子、ならびに他の有機錯体で
ある。
【００２８】 特に好ましい有機金属錯体は、トリピリジルおよびＴＭＨＤのＴｈ、Ｙ、Ｅｕ
、ＤｙおよびＳＭ錯体、ならびに（トリウムバソフェン、イットリウムトリピリ
ジルおよびイットリウムＴＭＨＤ、およびユロピウム（ＩＩＩ）（ＴＭＨＤ）3
錯体、テルビウム（ＴＭＨＤ）3ＯＰＮＰ、ユウロピウム（ＩＩ）（ＴＭＨＤ）2 およびユウロピウム（ＩＩ）（ＴＭＨＤ）2ＯＰＮＰのような錯体である。
【００２９】 有機金属錯体を形成するために用いられたこの有機錯体は、気化の条件下で粉
末で安定な形態でなければならず、酸素中で不安定な有機錯体のためには、不活
性雰囲気が用いられ得る。
【００３０】 金属化合物および有機錯体の混合された粉末が気化された場合、それらは完全
な混合が起こり得るようなサイズのものでなければならず、化合物は、粉末形態
で市販で購入され得、そしてそれらはしばしば、さらなる処理無しで適しており
、より小さなサイズの粒子が要求される場合、その出発物質は、粉砕され得る。
有機錯体が溶液からの沈澱によって形成される場合、これは、粉末として形成さ
れ得、乾燥後、金属化合物と混合され得る。
【００３１】 本発明の１つの実施形態においては、遷移金属、ランタン系列元素またはアク
チニド系列元素と上記特定の有機配位子の錯体のような有機金属錯体は、例えば
、上記に言及されるような有機錯体と混合され、そして生じた混合物は、減圧下
で加熱され、その混合物を気化し、そして形成された有機金属錯体を基板上へ堆
積する。
【００３２】 本発明の別の実施形態においては、遷移金属、ランタン系列元素またはアクチ
ニド系列元素と上記特定の有機配位子のいずれかとの錯体のような有機金属錯体
は減圧下で加熱され、その混合物を気化し、そして基板上に有機金属錯体を堆積
し、次いで、例えば上で言及されるような有機錯体は、減圧下で加熱され、錯体
を気化し、それを有機金属錯体の上層に堆積し、基板上に有機金属錯体の層を形
成する。
【００３３】 出発材料は、乾燥状態にあるべきであり、そして必要な場合、それらは、加熱
の前に、水または他の液状化合物のいずれかを除去するために乾燥され得る。
【００３４】 この気化は、好ましくは１０-5ｔｏｒｒ未満、そしてより好ましくは１０-6ｔ
ｏｒｒ未満である減圧下で起こる。
【００３５】 金属化合物および有機錯体、またはそれらの混合物は、安定なコーター（ｃａ
ｒｔｅｒ）に置かれ得、温度は、重要ではないが、その混合物を気化または昇華
するために十分でなければならない。１００℃を超え２５０℃まで、ならびにそ
れより高い温度が用いられ得る。
【００３６】 次いで、蒸気は、従来の蒸着プロセス（例えば、化学的蒸着、減圧コーティン
グ、電子ビームコーティングなど）におけるような、より低い温度で保持される
基板上に凝縮または蒸着される。
【００３７】 用いられ得る基板は、デバイスが用いられる目的に依存し、基板が加熱にかけ
られる必要のない場合、従来の基板が用いられ得る。
【００３８】 この方法は、特にエレクトロルミネッセンスのデバイスの形成において有用で
あり、そこでは、エレクトロルミネッセンス化合物の層は、エレクトロルミネッ
センスのデバイスを形成するためにアノードおよびカソードが装着された多層構
造に達するために、必要に応じて正孔輸送化合物および電子輸送化合物の層のよ
うな他の層を有する、導電性基板上に堆積される。
【００３９】 典型的なエレクトロルミネッセンスのデバイスにおいて、アノードとして作用
するガラスまたはプラスチック材料である透明な基板が存在し、好ましい基板は
、インジウムスズ酸化物でコートされたガラスのような導電性ガラスであるが、
導電性または導電性の層を有する任意ガラスが用いられ得る。エレクトロルミネ
ッセンス物質は、本発明の方法により基板上に堆積され得、または好ましくは、
透明な基板上に堆積された正孔輸送層が存在し得、そしてエレクトロルミネッセ
ンス物質は、正孔輸送層上に堆積される。この正孔輸送層は、正孔を輸送するこ
とおよび電子をブロックすることに寄与し、従って、電子が正孔と再結合するこ
と無しに電極へ移動するのを妨げる。従って、このキャリアーの再結合は、主に
エミッタ層において起こる。
【００４０】 正孔輸送層は、高分子エレクトロルミネッセンスのデバイスにおいて使用され
、任意の公知の膜形態の正孔輸送物質が使用され得る。
【００４１】 正孔輸送層は、ポリ（ビニルカルバゾール）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ
’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）またはポリアニリンのような芳香族アミン複合体の膜から作製され得
る。
【００４２】 好ましくは、カソードとエレクトロルミネッセンス層との間に電子輸送層が存
在する。この電子輸送層は、金属キノレート（例えば、アルミニウムキノレート
）（これは、電流が流れると電子を輸送する）のような金属錯体、またはＰＢＤ
もしくは高分子（例えばシアノ記を含むもの）のような有機化合物、であり得る
。
【００４３】 好ましい構造では、アノードである透明な導電性材料（この上には正孔輸送層
が連続的に堆積される）、エレクトロルミネッセンス層、およびカソードに接続
された電子輸送層、から形成される基板が存在する。
【００４４】 必要に応じて、蛍光レーザー色素、発光レーザー色素のような色素は、発光さ
れる光の色スペクトルを改良し、そしてまたエレクトロルミネッセンスおよびフ
ォトルミネッセンスの効率を向上するために含まれ得る。
【００４５】 本発明の方法により基板上に堆積された層の厚みは、気化および堆積の条件に
従って変化し得、一般的に、１分子厚の厚さから所望される任意の厚さまでの層
が形成され得る。
【００４６】 驚くべきことに、エレクトロルミネッセンスおよびフォトルミネッセンスに関
して本発明の方法により形成された有機金属錯体は、その形成された有機錯体が
、例えば、エバポレーションまたはスピン堆積により溶液から基板上に堆積され
るそれらの錯体により、優れた特性を有することが見いだされている。この理由
は公知ではなく、そして予想外であった。
【００４７】 エレクトロルミネッセンスのデバイスタイプは、図面の図１ａ、１ｂ、１ｃお
よび１ｄに示され、ここで（１）は本発明に従って堆積された層であり、（２）
はＩＴＯであり、（３）は電子輸送層であり、（４）は正孔輸送層であり、そし
て（５）は電子輸送層である。本発明は、発光層がＩＴＯ層上に、またはそのＩ
ＴＯに予め適用された層上に堆積されることを可能にする。
【００４８】 （実施例） 薄膜は、本発明に従って作製し、そして化学合成により作製された膜と比較し
た。フォトルミネッセンス（ＰＬ）効率および色を測定し、その結果を表１に示
した。色チャートＣＩＥ Ｉ９３１を使用して、この色を測定した。
【００４９】 （実施例１） （Ｔｂ（ＴＭＨＤ）3ＯＰＮＰ薄膜） （ｉ）５０ｍｇのＴｂ（ＴＭＨＤ）3（７×１０-5モル）および３３．６８ｍ
ｇのＯＰＮＰ（７．０５×１０-5モル）を乳鉢および乳棒中で一緒にすり、そし
て３ｍｇ部分をＥｄｗａｒｄｓ（Ｅ３０６）減圧めっき装置中のモリブデン板上
に置いた。スペクトロシル（ｓｐｅｃｔｒｏｓｉｌ）スライド（ＵＶグレード）
をサンプルホルダー上に固定した。減圧めっき装置を１０-7ｔｏｒｒまで減圧に
し、そしてサンプルを電気ヒーターを用いて、１０〜９０Ａおよび１０Ｖで２０
秒まで加熱し、Ｔｂ（ＴＭＨＤ）3ＯＰＮＰの膜を生じた。
【００５０】 （ｉｉ）溶液から前合成されたＴｂ（ＴＭＨＤ）3ＯＰＮＰの膜（３ｍｇ）、
および（ｉｉｉ）Ｓｔｒｅｍ ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅから購
入したＴｂ（ＴＭＨＤ）3の膜（３ｍｇ）について比較実験を行った。このスペ
クトルを図３に示す。
【００５１】 （実施例２） （Ｅｕ（ＤＢＭ）3ＯＰＮＰ薄膜） （ｉ）５０ｍｇのＥｕ（ＤＢＭ）3（６×１０-5モル）を５７．４３ｍｇのＯ
ＰＮＰ（１．２×１０-4モル）と混合し、乳鉢および乳棒中ですった。その混合
物を実施例１におけるようにエバポレートし、Ｅｕ（ＤＢＭ）3（ＯＰＮＰ）nの
膜を形成した。
【００５２】 （ｉｉ）化学的に合成されたＥｕ（ＤＢＭ）3（ＯＰＮＰ）nの膜について比較
実験を行った。そのスペクトルを図４に示す。
【００５３】
【表１】
【００５４】 （実施例３） （Ｔｂ（ＴＭＨＤ）3ＯＰＮＰに基づくエレクトロルミネッセンスのデバイス
の作製） （ｉ）実施例１におけるように調製した３ｍｇのＴｂ（ＴＭＨＤ）3ＯＰＮＰ
の混合物をパターン化したＩＴＯ電極上にエバポレートし、５０ｎｍの厚みの膜
を得た。そのパターン化されたＩＴＯは、前もって、２０ｎｍのＴＤＰから形成
された正孔輸送層でコートされている。次いで、アルミニウムキノレート（Ａｌ
ｑ3）をその層の上層にエバポレートし、電子輸送層として作用するように２０
ｎｍの厚みの膜を得た。アルミニウムの上層コンタクト（９００ｎｍ）を作製し
、図面の図２の構造を形成した。
【００５５】 （ｉｉ）化学的に合成されたＴｂ（ＴＭＨＤ）3ＯＰＮＰを用いるが、同じ構
造および構成を用いて比較実験を行った。
【００５６】 発光効率を測定し、そしてその結果を表３に示した。
【００５７】
【表２】ｐ１１
【００５８】 見られるように、本発明の方法により形成された膜に基づくデバイスは、より
高い発光効率を有する。 （実施例４） （Ｅｕ（ＤＢＭ）3Ｐｈｅｎに基づくエレクトロルミネッセンスのデバイスの
作製） Ｅｕ（ＤＢＭ）3Ｐｈｅｎの膜を形成するために、Ｔｂ（ＴＭＨＤ）3ＯＰＮＰ
の代わりにＥｕ（ＤＢＭ）3および１，１０フェナントロリンの等モル混合物を
使用して、実施例４の構造を作製した。実験条件および構造的構成は、実施例４
の通りである。
【００５９】 その発光効率を測定し、その結果を表４に示した。
【００６０】
【表３】
【００６１】 見られるように、本発明の方法により形成された膜に基づくデバイスは、より
１０％高い発光効率を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１ａ、１ｂ、１ｃおよび１ｄは、エレクトロルミネッセンスのデバイスタイ
プを示す図であり、ここで（１）は本発明に従って堆積された層であり、（２）
はＩＴＯであり、（３）は電子輸送層であり、（４）は正孔輸送層であり、およ
び（５）は電子輸送層である。
【図２】 図２は、実施例３において形成された構造を示す図である。
【図３】 図３は、実施例１においてＴｂ（ＴＭＨＤ）3およびＯＰＮＰを混合して形成
したＴｂ（ＴＭＨＤ）3ＯＰＮＰの膜、ならびに溶液から前合成されたＴｂ（Ｔ
ＭＨＤ）3ＯＰＮＰの膜について比較実験を行い、その結果得られたスペクトル
を示す図である。
【図４】 図４は、実施例２においてＥｕ（ＤＢＭ）3をＯＰＮＰと混合して形成したＥ
ｕ（ＤＢＭ）3（ＯＰＮＰ）nの膜、および化学的に合成されたＥｕ（ＤＢＭ）3
（ＯＰＮＰ）nの膜について比較実験を行い、その結果得られたスペクトルを示
す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｕ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ， ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，Ｌ Ｋ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ， ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，Ｔ Ｍ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ ，ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 3K007 AB18 CA01 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に有機金属錯体の膜または層を形成するための方法で
    あって、該方法は、金属化合物を気化する工程、および有機錯体を気化する工程
    、およびその蒸気を基板上へ凝縮し、該基板上に該有機金属錯体の膜または層を
    形成する工程を包含する方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の方法であって、有機錯体を含む粉末と金属
    化合物を含む粉末を混合する工程、形成される該混合物を加熱し、その結果該混
    合物が気化される工程、および基板上に前記有機金属錯体の膜または層を形成す
    るために該基板上へ該蒸気を凝縮する工程を包含する方法。
  3. 【請求項３】 前記金属化合物および前記有機錯体が連続して気化される、
    請求項１に記載のエレクトロルミネッセンスのデバイス。
  4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載される方法であって、前
    記金属化合物が遷移金属、ランタン系列元素およびアクチニド系列元素から選択
    される、または遷移金属、ランタン系列元素およびアクチニド系列元素の不安定
    な有機金属化合物から選択される金属の不安定な塩である方法。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の方法であって、前記金属がＳｍ（ＩＩＩ）
    、Ｅｕ（ＩＩＩ）、Ｔｂ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｙｂ（ＩＩＩ）、Ｌｕ（
    ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩ）、ＣＥ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）、
    Ｕ（ＩＩＩ）、ＵＯ2（ＶＩ）、Ｔｈ（ＩＩＩ）、Ｔｈ（ＩＶ）、Ｙ（ＩＩＩ）
    、Ｌａ（ＩＩＩ）またはＣｅ（ＩＶ）である方法。
  6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法であって、混合さ
    れた有機金属錯体を得るために、１を超える金属化合物および１を超える有機錯
    体の混合物が気化される方法。
  7. 【請求項７】 気化の前に前記化合物が混合される、請求項６に記載の方法
    。
  8. 【請求項８】 有機金属錯体を含む多層または混合層を得るために、前記化
    合物が連続して気化される、請求項６に記載の方法。
  9. 【請求項９】 請求項６に記載の方法であって、前記金属化合物が前記基板
    上に堆積され、次いで、層状構造を得るために、該金属化合物および前記有機化
    合物の混合物が、それらの混合物の気化により堆積される方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法であって、前記
    有機錯体が以下の式の部分を組み込んでいる方法： 【化１】 ここで、Ｒ’は、分子の異なる部分にて同じかまたは異なり、そして各々のＲ’
    ’ およびＲ’は、ヒドロカルビル基（例えば、アルキル、置換または無置換の
    芳香族または複素環式の環構造）、フッ化炭素であり、もしくはＲ’’は−ＣＦ 3 もしくは水素であり、またはＲ’’は例えばモノマーと共重合され、もしくは
    Ｒ’はｔ−ブチルであり、かつＲ’’は水素であり、あるいは、 【化２】 ここでＸは、各々の場合で同じかまたは異なり得、そしてＨ、Ｆ、Ｍｅ、Ｅｔ、
    ＯＭｅ、またはＯＥｔであり得る。
  11. 【請求項１１】 Ｒ’、Ｒ’’、およびＲ’の各々がアルキル基である、請
    求項１０に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１０に記載の方法であって、前記有機錯体が２，２
    ，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト（ＴＭＨＤ）；ａ’，ａ’
    ’，ａ’’’トリピリジル、ジベンゾイルメタン（ＤＢＭ）、ジフェニルホスホ
    ンイミドトリフェニルホスホラン（ＯＰＮＰ）、バソフェン（４，７−ジフェニ
    ル−１，１−フェナントロリン）、１，１０フェナントロリン（Ｐｈｅｎ）、お
    よびクラウンエーテル、クリプタンド、置換されたカリックス（４）アレーンを
    ベースとする配位子、および他の有機錯体から選択される方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１０、１１または１２に記載の方法であって、前記
    有機金属錯体が、トリピリジルおよびＴＭＨＤのＴｈ、Ｙ、Ｅｕ、Ｄｙ、および
    ＳＭ錯体ならびにトリウムバソフェン、イットリウムトリピリジルおよびイット
    リウムＴＭＨＤ、ならびにユーロピウム（ＩＩＩ）（ＴＭＨＤ）3錯体、テルビ
    ウム（ＴＭＨＤ）3ＯＰＮＰ、ユーロピウム（ＩＩ）（ＴＭＨＤ）2ならびにユー
    ロピウム（ＩＩ）（ＴＭＨＤ）2ＯＰＮＰから選択される方法。
  14. 【請求項１４】 エレクトロルミネッセンスのデバイスを形成する方法であ
    って、エレクトロルミネッセンスの化合物の層が、請求項１〜１３のいずれか１
    項の方法により導電性基板上に堆積される方法。
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