JP2002530265A - 蒸着リアクタおよび蒸着方法 - Google Patents
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Abstract
Description
、特に単結晶の層をつくるために基板に材料を化学的に蒸着する方法に関する。
また本発明は、この方法を実施するリアクタに関する。
VD(化学蒸着)またはMOCVD(金属有機化学蒸着)によって基板に蒸着す
る多数の装置がすでに知られている。
を加熱する必要がある。通常、この基板は、基板と、サスセプタと称される基板
ホルダとの間の熱伝導によって加熱され、それ自身は誘導、抵抗加熱またはラン
プによて発生する放射によって加熱される。
ーバイドのエピタキシャル成長用のリアクタを開示している。このリアクタは、
外室と内側ダクトとを有する。キャリアガスおよび成長ガスは、内側ダクトに流
れるが、内側ダクトと外側室との間にある空隙にも流れる。このようなリアクタ
において、層が蒸着される基板は、内側ダクト内のガス流に配置される。この基
板は、サスセプタとコイルを有する手段を加熱することによって加熱される。通
常、サスセプタは、蒸着中基板が配置される内側ダクトの領域の下側に配置され
る。サスセプタは、内側ダクト近傍にあるか、それに接触している。このサスセ
プタは、この領域でダクトの壁の一部分を形成する。コイルは、サスセプタの領
域で無線周波数を発生し、サスセプタは、無線周波数電界によって励磁され熱を
発生する。
の材料層に蒸着用のリアクタがあり、このリアクタは、ダクトに配置される基板
のどちらかの側に石英ダクトの外側に配置され、ランプを有する第1と第2の加
熱手段を有する。
ルギーバランスは、発生器(コイルまたはランプ)およびサスセプタとの間の結
合が小さいという理由で特によくない。
き、また、管を冷却するために水の循環を可能にするために管が二重壁であると
き、エネルギーバランスを悪くする。 しかしながら、これは、誘導コイルとサ
スセプタとの間の結合を制限する。
するために、直径が50mmの基板の容積を有するリアクタの場合、10キロワ
ット以上の電力をリアクタに供給する必要がある。さらに、誘導加熱は、高周波
の発生器を使用するとき、この技術による高額な投資と、大きな機器が必要にな
る。
うなものであってもエネルギーバランスは低下する。この理由は、単に基板が基
板ホルダに配置されるとき、固体の伝導によって非常に小さい熱交換が生じ、特
にガス圧が非常に低い場合、ガスの伝導によってほとんどか、またはまったく
熱交換が生じず、もし基板がサスセプタの放射範囲で透明な場合には、放射によ
ってほとんど熱交換が生じない。基板を基板ホルダに接着剤で結合するか、基板
の背後で吸収層を蒸着することによってこのような問題をなくす解決法がある。
しかしながら、これらの解決法は、望ましくない追加の準備ステップを必要とし
、接着性の結合材料又は後面に蒸着される結合材料は、蒸着リアクタおよびこれ
らのリアクタで生じた層を汚し、これらの解決法は、高温の加熱の場合には非効
率的である。
エネルギーバランスによってさらに経済的である基板に薄いフィルム材料を蒸着
する方法を提供する。
に材料層を蒸着する方法において、耐火材料からつくられ、蒸着に必要なガス状
成分によって一掃されたダクトに基板を配置するステップであって、前記ダクト
は、前記基板と前記基板の平面の各側に配置された第1の加熱手段および第2の
加熱手段との間に配置されるステップと、 前記第1の加熱手段および第2の加熱手段によってそれ自身加熱される、前記
ダクトの熱の放射によって前記基板を加熱するステップと、を有することを特徴
とする蒸着方法によって達成される。
。第2の手段による蒸着面の加熱によって、この面からの放射熱損失を補償する
ことができる。その結果、この面に所望な温度は、第1の加熱手段によって対向
面を小さく加熱することによって達成される。この方法において、第1の加熱手
段において少量の電力を消費することができる。全体として、この低下した電力
は、第2の加熱手段の消費とは片寄らない。したがって、本発明による蒸着処理
は、すでに知られた蒸着処理よりもさらに経済的である。
おり、ダクトは、基板と第1の加熱手段および第2の加熱手段との間に配置され
ており、基板は、ダクトの熱からの放射によって加熱され、これは、ダクトの近
傍に配置された加熱手段によるが、ダクトによって加熱されるガスによって加熱
される。さらに、これは、加熱手段と基板との間の結合を改良する。さらにダク
トは、ガス流を流し、基板上での材料層の成長を乱す傾向がある乱流を制限する
。
なくとも1つの熱シールドを配置する際のステップを有する。
度勾配を発生する際のステップを有する。また本発明の方法は、第1の方向に関
して温度勾配の方向を反転するステップを有する。傾斜の方向を選択し変更する
ことができる事実は、本発明による処理において非常に有利な選択である。
れは、主に平面に伸びる基板の各側に配置された第1の加熱手段および第2の加
熱手段を有するリアクタにおいて、耐熱性材料からつくられ、蒸着に必要なガス
成分によって一掃され、このダクトは、基板と第1の加熱手段および第2の加熱
手段との間に配置されている。有利には、本発明のリアクタは、第1の加熱手段
および第2の加熱手段の周りに少なくとも1つの加熱シールドを有する。
読むことによって明らかになる。
、この管3の端部の一方に配置された第1の閉鎖体プレート4と、第1の閉鎖体
プレート4に関して管3の対向端部に配置された出口クロス5とを有する。全体
のリアクタ1は、密封され、数MPaの圧力に耐えることができる。リアクタ1
は、シール32,33によって密封される。
れている。管3の外側には、管3を冷却することができる冷却手段11が配置さ
れている。管3は、ステンレススチールからつくられるシリンダが有利である。
と好ましい。
直方向に半径方向に対向している。この出口クロス5の下方オリフィスは、ポン
プおよび低圧の圧力調整器または一定の圧力でガスを放出するように大気圧以上
の圧力で圧力開放弁に接続される。これらの装置は、図1には示されていない。
出口クロス5の上方オリフィスは、第2の閉鎖プレート26によって密封するよ
うに閉鎖される。また、出口クロス5は、管3と長手方向に対向したオリフィス
を所有する。このオリフィスは回転通路を選択的に備えている。ここに存在する
実施の形態において、このオリフィスは、管3の軸に直角な第3の閉鎖プレート
27によって閉鎖される。この第3のプレート27はダクト6の内側の光測定用
のウインドウかまたは可動ミラーを備えている。この第3の閉鎖プレート27は
、基板10をリアクタ1に導入するか、または引き出す、密封するようにシール
されたポート28を含む。また、第3の閉鎖プレート27は、ガイド30,31
を含む。これらのガイド30,31は、閉鎖プレート27の平面に直角であり、
それに固定される。これらのガイド30,31は、図面には示さないマミュプレ
ータを水平方向に案内するように作動する。また第3の閉鎖プレート27は、第
1の電流線22,23の通路を含む。室2の内側に向かって配置される第1の電
流線のこれらの部分は、コネクタ24,25を備えている。
管3の所定の位置に配置され保持される。したがって、ダクト6は、管3に接触
しないように所定の位置に保持される。これは、熱伝導を制限し熱応力を避ける
ことができる。
の管の形態を有する。このダクト6は、下方壁37および上方壁38を形成する
2つのプレートを有する。ダクト6の下方壁37および上方壁38は、蒸着中占
める位置において基板10の平面に水平であり、平行である。側壁39,40は
、ダクト6を長手方向に閉鎖するために下方壁37および上方壁38の長手方向
縁部を接合する。小径部分36と同じ側に配置されたダクト6の端部は、矩形の
断面を有する。それは、ダクト6の長手方向軸線に直角な支持プレート41を備
えている。この支持プレート41は、小径部分36と同じ側に配置されたダクト
6の口に面する開口を有する。支持プレート41は、固定手段35を使用して第
1のダクト6を第1の閉鎖プレート4に固定することができるようにするために
穴を有する。ダクト6は、第1の閉鎖プレート4に固定されるとき、小径部分3
6と同じ側に配置されたダクト6の口および支持プレート41の開口はガス入口
7に面して配置される。ダクト6は、ガス入口7で第1の閉鎖プレート4密封さ
れるように接続される。ダクト6と第1の閉鎖プレート4との間の接続は、例え
ば固定手段を使用して黒鉛シールを締め付けることによって密封される。
る。この第1の閉鎖体プレート4は、ガス通路44が備えられており、このガス
通路44は、第1の閉鎖プレート4によって形成されたディスクの平面に直角な
対称軸に関して片寄っており、ダクト6と管3の壁との間から出る。またガス通
路44は、リアクタ1へのガスの導入を可能にする。ガス通路44は、ガスの流
れを可能にし、このガスはリアクタ1に含まれる材料全体に関して、および蒸着
されるか、ダクト6に流れるガスに関して不活性である。この不活性ガスによっ
てダクト6の外部へ加熱部品に向かうこの工程から生じるガスが戻ることを防止
する。
熱伝導体であり、良好な電気絶縁性を有し、大きな耐熱性を有し、化学的に非常
に安定しており、動作温度で低い蒸気圧を有するが、選択的に、このリアクタ1
の基板10に蒸着された材料の前のコーティングは、リアクタ1の正常な動作中
に気体がなくなる物質の拡散を最小限にするためにダクト6の壁37,38,3
9,40の内面に蒸着することができる。
に良好な機械的な強度を有する。これらの壁37,38,39,40の薄い厚さ
は、熱伝導の熱伝導の損失を最小限にすることを可能にする。
置された端部によってのみこのダクトを支持することができる。
れた品質を付与しないならば、1200℃以下の温度でまたは高温で使用するボ
ロンニトライドが有利である。
6は、二次ダクトと最も高温の部分で内部的に整列され、これは、例えば、ダク
トに流れるガスに関して不活性であり、蒸着される材料を汚さない耐火性金属か
らつくられる。黒鉛またはボロンニトライドからつくられるダクト6は、ピロリ
(pyrolitic)蒸着か、または壁37,38,39,40の種々の構成プレートと
支持プレート41を組み立てるか、または接着剤で結合することによって製造さ
れる。この二次ダクトは、連続的な方法でダクト6の内側にあり、すなわち、も
しプレートで構成される場合には、接触し、これらのプレートに穴はない。例え
ば、二次ダクトは、タングステン、タンタル、モリブデン黒鉛またはボロンニト
ライドから製造される。
の高さは、30mm以下であることが好ましい。ダクト6の幅は基板10の幅に
等しいか、または同じ蒸着中に処理される基板10の幅の合計に等しいか、基板
10と壁39および40の間でほぼ1cm加えられる。
る。ダクト6の一定の断面積を有する部分の長さは、最も大きな基板10の寸法
または長さのほぼ5倍であり、蒸着は同じ動作の間に実行される。基板の直径に
対応する長さまたは基板の長さに対応する長さにわたって伸びるダクト6の部分
は、以降蒸着領域と称される。
に配置された第1の加熱手段8と第2の加熱手段9を備えている。
、第1の加熱手段8および第2の加熱手段9の構成材料はダクト6と管3との間
に流れるガスと直接接触する。
すなわち、ストリップまたは合成プレート部材からなり、これは、ダクト6の下
方壁37および上方壁38に平坦に配置されるか、平行に配置される。このスト
リップまたはバンドは、蒸着領域において蒸着用に意図された基板10の表面の
中間温度からの変位が最小限になるように適当な形状を有する。さらに好ましく
は、これらの変位は3℃以下である。好ましくは、各抵抗素子は、この幅にほぼ
等しいダクト6の幅に平行な方向に所定の寸法を有する。ダクト6の長さに平行
な方向の各抵抗素子の寸法は、蒸着領域の長さのほぼ2倍に等しい。これは、蒸
着領域の温度領域の均一性を最適化するためのものである。好ましくは、抵抗素
子の各バンドまたはストリップは、管3の長手方向に互いに平行であり、これら
のバンドは、ジグザグ形状を形成するようにそれらの端部の一方または他方で交
互に対となって互いに接続する。螺旋形状のような他の形状も考慮される。
フィールを有し、このプロフィールは、蒸着領域の制御された温度プロフィール
を形成する。
蒸着領域で大きな充填効率を有する。
十分であるが、一時的な領域で承認できる同一性を維持するために十分小さく、
このために蒸着が生じるそれ自身のダクトの温度よりかなり高い温度である必要
がある。好ましくは、第1の加熱手段8および第2の加熱手段9は240ボルト
以下の電圧および100または110ボルト以上の電圧であることが好ましい。
イプのいくつかの抵抗素子からなる。
火性材料からつくられる。例えば、この材料は、黒鉛、タンタルまたはタングス
テンのような金属または耐火性合金等である。好ましくは高純度の黒鉛である。
できるように互いに独立した電流が供給される。基板10の平面に直角な温度勾
配を発生することが可能である。この勾配は、第1の加熱手段8および第2の加
熱手段9の一方に供給される電力を独立して制御することによって正、負または
ゼロ値を有する。
壁38と接触するように蒸着領域でダクト6の外側に供給される。しかしながら
、変形例によれば、これらの手段は、下方壁37または上方壁38の一方から1
ないし3mmの距離になるようにダクト6の外側に配置される。第1の加熱手段
8および第2の加熱手段9は電気的に絶縁性で熱的に導電性の保持プレート12
,13によって上方壁37および下方壁38に対して押される。もしダクト6が
電気的な絶縁材料ではないならば、ダクト6と第1の加熱手段8および第2の加
熱手段9との間で、もし非常に高温が達成される場合には特に高温領域で電気接
触を避けるように電気的に絶縁する中間材料を置く必要がある。
mmまたはそれ以下の厚さである。また、ボロンニトライドの分解および窒素の
形成を防止するようにダクト6の部材の最も低温の端部に保持プレート12,1
3を包囲することが特に有利である。熱電対51に構成されるボロンニトライド
シースは、12,13に接続されるが、またそれらは、第1の加熱手段8および
第2の加熱手段9の上で自由である。
調整し、蒸着領域でダクトの一様性を制御するために使用される。それらは、1
700℃以上の温度で1700℃以下の温度で使用することができ、温度は、光
高温計または接点のない熱電対によって測定しなければならない。これらの熱電
対51の高温接合は、第1の加熱手段8および第2の加熱手段9にできるだけ接
近してダクト6の外側に配置される。
ート12,13は、クレイドル16,17によってダクト6に対して一緒に保持
される。各クレイドル16,17は、互いに平行であり、それらに直角なロッド
によって一緒に接続される2つのハーフディスクからなる。2つのハーフディス
クからなるディスクの直径は、管3の内径よりわずかに小さい。2つのハーフデ
ィスクの直線的な縁部は、水平面にある。各ハーフディスクの直線縁部は、保持
プレート12または13、第1の加熱手段8および第2の加熱手段9を受け、ダ
クト6の高さの半分の高さである。第1の加熱手段8および第2の加熱手段9の
抵抗性部材は、クレイドル16,17によってダクト6から分離されたままであ
る。
の加熱手段8および第2の加熱手段9は剛性の黒鉛でつくられる。それらは、例
えば、ボロンニトライドからつくられ、数ミリメートルだけダクト6から離れた
ボロンニトライドでつくられたスペーサによってダクト6から電気的に絶縁され
ている。これらのスペーサは、第1の加熱手段8および第2の加熱手段9の端部
に固定され、したがって、過剰に加熱されることがない。黒鉛またはボロンニト
ライドからつくられた1つまたは複数のシースは、耐熱的で断熱性であり、電気
的に絶縁されている熱電対を包囲するためにダクト6の面に固定されている。
は、この方向の第1の加熱手段8および第2の加熱手段9の長さにほぼ対応する
。
のほぼ中間に配置される。
品でダクト6と接触している。
第1の加熱手段8および第2の加熱手段9のいずれかに配置される。さらに詳細
には、熱シールド15は、管3の内壁とクレイドル16,17をつくるハーフデ
ィスクの曲線部分との間に配置されている。それらは、管3の内面の下に伸びて
いるが、管3の内面には接触せず、加熱領域の周りに同心円的に伸びている。他
の加熱シールド14は、保持プレート12,13と前の熱シールド15との間に
配置されている。これらの熱シールド14,15は、磨かれた2つまたは3つの
薄いシートからなり、タンタル、モリブデン等のような反射および耐火金属のシ
トからなる。最も外側の加熱シールド14または15は、管3の内壁から数ミリ
メートルの最も近い点にある。管3の内側の第1の加熱手段8および第2の加熱
手段9を備え、ダクト6および2つまたは3つの加熱シールド14,15と接触
する長手方向の形状は、シリコンカーバイドの蒸着に必要な高温で非常に顕著で
ある放射損失を非常に制限する。
。したがって、加熱シールド14,15は、互いに熱的に絶縁され、加熱手段8
,9から絶縁されている。
3、加熱シールド14,15とともにこれら部材の全体を一緒に保持するクレイ
ドル16,17は管3に配置される。この組立体は、ダクトの高温部分の外側の
ガス流を制限し、熱損失を制限するように補助する。 有利には、2つのディスク18,19は、クレイドル16,17と出口クロス
5との間の管3の軸線に直角に配置される。
おり、この面積は、これらのディスク18,19をダクト6にスリップすること
ができるようにダクト6の断面にほぼ対応する。またこれらのディスク18,1
9は、中央の開口の周囲であり、第2の電線20,21と熱電対ワイヤ51が通
過する穴を有する。これらのディスク18,19の一方19は、出口クロス5に
配置されている。これらのディスクの他方18はディスク19とクレイドル16
,17との間に配置されている。これらのディスク18,19の目的は、ダクト
6、第2の電線20,21および熱電対51のワイヤを一緒に保持すること、並
びにダクト6の内側とダクト6と管3との間にある空隙との間のガス交換を制限
することである。しかしながら、ディスク18,19は、圧力が壁37,38、
3940の各側でバランスがとれるように、ダクト6の内側空隙とダクト6と管
3との間にある空隙との間をダクト6の出口から来るガスが通過することができ
るようにしなければならない。
23に接続されている。また、熱電対51は、室2に配置されたコネクタを介し
て室2の外側に接続される。
ずしも必要ではない。
する。この開口は、ダクト6の軸線に配置される。それは、基板10を挿入およ
び取り外すことができるようにする。基板10を挿入し取り除く動作の間リアク
タ1が大気に連通することを防止するために第3の閉鎖プレート27に入口のエ
アロックが接続される。
る。有利には、基板ホルダ29は、それが熱慣性をほとんど有さないように良好
な熱導体である材料からつくられる。好ましくは、この基板ホルダ29は、ボロ
ンニトライドからつくられるが、例えば黒鉛からつくることもできる。基板ホル
ダ29は、ガイド30,31に沿ってスライドするグリッパ・マミュピュレータ
によってリアクタ1に挿入される。このマニュプレータは、ダクト6の軸線と同
軸の細い剛性の管、リアクタ1の側でこの管の内側に2つの対称的なグリッパに
ねじ込まれ、固定された長いロッドからなり、この2つの対称的なグリッパ部材
は、垂直ヒンジの周りでヒンジ結合され、ネジつきロッドの外端は、自由に回転
するキャプティブナットによってねじ込まれる。このナットをねじることによっ
て、ねじのついたロッドの外端は、キャプティブナットを自由に回転することに
よってねじ込まれる。このナットをねじ込むことによって、ねじの付いたロッド
は後退し、グリッパは、基板ホルダ29の垂直部分に熱的にクランプされる。マ
ニュピレータは、基板ホルダ29を挿入するか、または取り外すためにガイド3
0,31に沿って移動することができる。ダクト6が壁37の内面をこすらない
ように、ダクト6の内側の位置において基板ホルダ29を捕捉するとき、グリッ
パを上昇させることができるようにマニュピュレータのカムが提供される。
グは、通常の蒸着温度より高い温度でガスを取り除く工程の後に基板ホルダ29
か、またはキャリヤガス内で排出を通じてダクト6内に蒸着される。このステッ
プは、基板10を有することなく、基板キャリヤ29の同様の蒸着が続く。この
リアクタは使用される準備がなされる。
の加熱手段は、材料の低い投資によって1750℃より高い温度に従来の方法お
よびリアクタの場合よりも低いエネルギー消費で達することができる。しかしな
がら、他のタイプの加熱手段8,9は、それらがあまり有利でない場合であって
も、第1の加熱手段8および第2の加熱手段9がダクト6の周りに配置された1
つの装置のみを形成する誘導加熱手段、加熱手段を考慮することができる。
ては、リアクタ1は、2つの同心円的なステンレススチール管3からなる室2を
有し、この回転の共通軸線は、水平方向である。冷却剤がこれらの管3,103
の2つの壁の間の空隙を流れる。
入口7の軸線にアンチスプラッシュノズル50が取り付けられている。ガス通路
44は、アンチスプラッシュ・ノズルを選択的に備えている。
ライド結合部分63は、蒸着の大きな均一性を保証するように基板10を回転す
ることができる。
は、ダクト6の長さのほぼ2倍にわたって、それらを移動することができるよう
に十分に長く可撓性を有する。別の例として、また接続部分は、第1の閉鎖プレ
ートにのみ行われる。
リッジに固定される。
クト6およびその装置を有する組立体を取り付けるために、第1の閉鎖プレート
4が開放され、管3はクロス5に固定されたままである。
第3の閉鎖プレート27を開放することとの間で選択される。
保持され、黒鉛基板ホルダ29は、ダクト6の水平面で大きく突出するようにガ
ス流に対して下流側に数度上昇される。基板ホルダは、例えば、リムを備えたデ
ィスクからなる。都合よくは、リムは、基板10の高さより高い。基板ホルダ1
0は、さらに良好な蒸着一要請を保証するために支持する基板10を回転するこ
とができる。都合のよいことに、これは、水平軸を有し軸61に固定されるベベ
ルギヤからなる機械的な伝達によって達成され、この軸は、可変速度でリアクタ
1の外側のモータによって回転され、毎秒10回転までの範囲で基板の回転速度
を提供する。
方向に互いに片寄っている第1の加熱手段8および第2の加熱手段9を有する。
またこれは、温度分布が基板の全面積上に一様になることを可能とし、長手方向
の温度プロフィールにおいて平坦面を形成する。
別途この領域から出ることなく第1の加熱手段8および第2の加熱手段9の領域
において、ガス流の下流方向に向かって移動する。
することによって容易に挿入および取り外される可動なプレート70からなる。
ために有効である。それらは、容易に保守することができ、この方法の温度およ
び大気媒体と互換性がある、黒鉛、ボロンニトライド、他の耐火性材料でつくる
ことができる。
すために熱電対よりも、ダクト6に固定されたシースに配置され、ダクト6と第
1の加熱手段8および第2の加熱手段9との間に配置された光高温計ファイバ7
1によって測定される。
点を達成することができ、この層は、従来技術の方法およびリアクタによって得
られる層に等しい。
ルミニウムニトライドの成長に特に適している。
したリアクタの構造で示される。
の平面図である。
Claims (21)
- 【請求項1】 耐火材料からつくられ、蒸着に必要なガス状成分によって一掃されたダクト(
6)に基板(10)を配置するステップであって、前記ダクト(6)は、前記基
板(10)と前記基板(10)の平面の各側に配置された第1の加熱手段(8)
および第2の加熱手段(9)との間に配置されるステップと、 前記第1の加熱手段(8)および第2の加熱手段(9)によってそれ自身加熱
される前記ダクト(6)の熱の放射によって前記基板(10)を加熱するステッ
プと、を有することを特徴とする平面内に伸びる基板(10)に材料層を蒸着す
る蒸着方法。 - 【請求項2】 前記第1の加熱手段(8)および第2の加熱手段(9)の周りに少なくとも1
つの加熱シールド(14,15)を配置するステップを有することを特徴とする
請求項1に記載の蒸着方法。 - 【請求項3】 前記基板(10)の平面に直角であり、第1の方向を向いている温度勾配を発
生するステップを有することを特徴とする請求項1または2に記載の蒸着方法。 - 【請求項4】 前記第1の方向に関して温度勾配を反転するステップを有することを特徴とす
る請求項3に記載の蒸着方法。 - 【請求項5】 前記リアクタに含まれる材料全体に関して、蒸着すべき材料に関しておよび前
記ダクト(6)に流れるガスに関して不活性であるガス流をつくることを特徴と
する請求項1ないし4のいずれかに記載の蒸着方法。 - 【請求項6】 前記基板(10)の平面の各側に配置された第1の加熱手段(8)および第2
の加熱手段(9)を有し、所定の平面内に伸びる基板(10)に材料層を蒸着す
る装置において、耐火材料からつくられるとともに前記蒸着に必要なガス状成分
によって一掃されるダクトを有し、前記ダクトは、前記基板と前記第1の加熱手
段(8)および第2の加熱手段(9)との間に配置されることを特徴とする平面
内に伸びる基板10に材料層を蒸着するリアクタ。 - 【請求項7】 前記第1の加熱手段(8)および第2の加熱手段(9)は、裸の抵抗素子を有
することを特徴とする請求項6に記載のリアクタ。 - 【請求項8】 前記ダクト(6)は矩形の断面を有し、下方壁(37)と上方壁(38)を形
成する2つのプレートを有し、前記下方壁(37)および上方壁(38)は、蒸
着中の基板(10)の平面に水平であり平行であることを特徴とする請求項6ま
たは7に記載のリアクタ。 - 【請求項9】 前記第1の加熱手段(8)および第2の加熱手段(9)の周りに少なくとも1
つの熱シールド(14,15)を有することを特徴とする請求項6ないし8のい
ずれかに記載のリアクタ。 - 【請求項10】 ダクト(6)、第1の加熱手段(8)および第2の加熱手段(9)および各加
熱シールド(14,15)からなる組立体は管(3)の所定の位置に配置される
ことを特徴とする請求項9に記載のリアクタ。 - 【請求項11】 前記ダクト(6)は、前記管(3)に接触しないように前記管(3)の所定の
位置に保持されることを特徴とする請求項10に記載のリアクタ。 - 【請求項12】 ガスは、前記ダクト(6)の壁(37,38,39,40)の圧力のバランス
をとるために前記ダクトの内側空隙と前記ダクト(6)と前記管(3)との間に
ある空隙との間にダクト(6)の出口を介して流れることを特徴とする請求項1
0または11に記載のリアクタ。 - 【請求項13】 前記ダクト(6)の壁(37,38,39,40)は、1mm以下の厚さを有
することを特徴とする請求項12に記載のリアクタ。 - 【請求項14】 前記第1の加熱手段(8)および第2の加熱手段(9)は、蒸着領域において
、蒸着する基板(10)の表面の平均温度からの変位が3℃以下になるように適
当な形状において、前記ダクト(6)の下方壁(37)および上方壁(38)に
平坦な平行に配置された黒鉛ストリップまたはバンドからなることを特徴とする
請求項8ないし13のいずれかに記載のリアクタ。 - 【請求項15】 前記第1の加熱手段(8)および第2の加熱手段(9)は、下方壁(37)ま
たは上方壁(38)の一方から1ないし3mmの距離でダクト(6)の外側に配
置されていることを特徴とする請求項8ないし14に記載のリアクタ。 - 【請求項16】 前記第1の加熱手段(8)および第2の加熱手段(9)は、異なる温度まで上
昇されることを特徴とする請求項6ないし15のいずれかに記載のリアクタ。 - 【請求項17】 前記第1の加熱手段(8)および第2の加熱手段(9)の全部が、前記ダクト
(6)の周囲に配置された1つの加熱装置を形成することを特徴とする請求項6
ないし16のいずれかに記載のリアクタ。 - 【請求項18】 前記第1の加熱手段(8)および第2の加熱手段(9)は、前記蒸着領域に配
置されることを特徴とする請求項6ないし17のいずれかに記載のリアクタ。 - 【請求項19】 前記加熱手段(8,9)は、230ボルト以下の電圧が印可されることを特徴
とする請求項6ないし18のいずれかに記載のリアクタ。 - 【請求項20】 前記ダクト(6)は、最も高温の部品において、耐火材料からつくられた二次
ダクトと連続的に内側で整列することを特徴とする請求項6ないし19のいずれ
かに記載のリアクタ。 - 【請求項21】 前記第1の加熱手段(8)および第2の加熱手段(9)は、前記ダクト(6)
の長手方向に互いに片寄っていることを特徴とする請求項6ないし20のいずれ
かに記載のリアクタ。
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