JPS58139424A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS58139424A JPS58139424A JP2112782A JP2112782A JPS58139424A JP S58139424 A JPS58139424 A JP S58139424A JP 2112782 A JP2112782 A JP 2112782A JP 2112782 A JP2112782 A JP 2112782A JP S58139424 A JPS58139424 A JP S58139424A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- quartz tube
- lamp
- vapor phase
- phase growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製造装置の一つである気相成長装置に―
シ、ｑ＃にランプを主加熱−とする気相成長Ｗ＆筺に関
するものである。
シ、ｑ＃にランプを主加熱−とする気相成長Ｗ＆筺に関
するものである。
半導体ｆ７ｒｔｗ１の製造工種としてのエピタキシャル
成長やＯＶＤ會行なう気相ｇ＊ｉｉ直に、処境対象とし
ての牛尋体つェーハｋＰ３部に載置した石莢カラス製反
応管の内１１にキャリヤガスｌ［し導体体つェーハ會加
熱した後所畳の反応ガス會尋入することＫより半導体ウ
ェー／Ｓ上に所定の成長管生起ζせる装置であり、その
構成分類として横形中バレル形などが掲けられる。とこ
ろで、このようなｉｉ置テｒｘつｚ−ノーｏｈｍ熱−と
り、テＨ１ｉｌｌＩＩｉｌｌＩｌｒｌＬ加熱やランプ加
熱のいずれかが用いらｊている。高崗波加熱はウェーハ
會支持するサセプタｖｉｊＩｈ胸＆籾導によって加熱す
る方法で＃１す、ランプ加＊框石英管の周囲に配置した
ランプの輻射熱愛利用して加熱する方法であるが、ウェ
ー／１′に４＆向から加熱するランプ加熱が結晶欠陥の
出にくいことから比較的に多く使用されている。臀に、
バレル形の装置では殆んど全てのものがランプ加熱を採
用している。
成長やＯＶＤ會行なう気相ｇ＊ｉｉ直に、処境対象とし
ての牛尋体つェーハｋＰ３部に載置した石莢カラス製反
応管の内１１にキャリヤガスｌ［し導体体つェーハ會加
熱した後所畳の反応ガス會尋入することＫより半導体ウ
ェー／Ｓ上に所定の成長管生起ζせる装置であり、その
構成分類として横形中バレル形などが掲けられる。とこ
ろで、このようなｉｉ置テｒｘつｚ−ノーｏｈｍ熱−と
り、テＨ１ｉｌｌＩＩｉｌｌＩｌｒｌＬ加熱やランプ加
熱のいずれかが用いらｊている。高崗波加熱はウェーハ
會支持するサセプタｖｉｊＩｈ胸＆籾導によって加熱す
る方法で＃１す、ランプ加＊框石英管の周囲に配置した
ランプの輻射熱愛利用して加熱する方法であるが、ウェ
ー／１′に４＆向から加熱するランプ加熱が結晶欠陥の
出にくいことから比較的に多く使用されている。臀に、
バレル形の装置では殆んど全てのものがランプ加熱を採
用している。
しかしながら、Ｒ近のように気相成長装置か大形化して
くると、ランプの大きさｆ数もこれに曾わせて増や丁必
賢かＴｏり、このためランプ加熱に必費とされる電力も
大電力化し、省電力の点から好筐しくないという間亀が
生じている。１几、率にランプ１Ｊｒｉ２用しての加熱
では、特に横形の石英管において反応ガニｘｔＩｔに直
角方向のａｍ分布の均一化が―かしく、直角方向の勇生
成厚の分布が患〈なｐａＩいという間融もめる。
くると、ランプの大きさｆ数もこれに曾わせて増や丁必
賢かＴｏり、このためランプ加熱に必費とされる電力も
大電力化し、省電力の点から好筐しくないという間亀が
生じている。１几、率にランプ１Ｊｒｉ２用しての加熱
では、特に横形の石英管において反応ガニｘｔＩｔに直
角方向のａｍ分布の均一化が―かしく、直角方向の勇生
成厚の分布が患〈なｐａＩいという間融もめる。
したがって本発明の目的は、ランプ會加熱−とする気相
域Ｉｋ価重に抵抗加熱ヒータｔｍ助加熱−として付設す
ることによｐｌ ランプ加熱の長所音生かして結晶欠陥
の少ない気相成長【行なわせる一方で、欠点である消費
電力の低献を連成することかできる気相成長装置を提供
することにある。
域Ｉｋ価重に抵抗加熱ヒータｔｍ助加熱−として付設す
ることによｐｌ ランプ加熱の長所音生かして結晶欠陥
の少ない気相成長【行なわせる一方で、欠点である消費
電力の低献を連成することかできる気相成長装置を提供
することにある。
以下、重置ｆ１４ｒ図示Ｏ実施例により説明する。
第１ＷＪ（Ａ）、（Ｂ）は本斃―會横形に通用した実施
例であり、１は反応ガス（反応ソース）の導入口２と排
気口３倉夫々対向するｇＩＩ悌に形成し九石英管である
。この石英管ｌの同底部には石英＠４ ｋ基台として温
屓制御用ブａツク５およびサセプタ６を長さ方向に設置
し、サセプタ６上にσウェーハ７會配列執璽するように
している。また、前記石英管１の上下の夫々には長さ方
向にわ几りて熱反１１ｆｌ＊８、Ｉ’ｌｌ：８け、その
内面−にｒｊｍｅｍｏランプ９．９’ｔＩＩ列配置して
いる。
例であり、１は反応ガス（反応ソース）の導入口２と排
気口３倉夫々対向するｇＩＩ悌に形成し九石英管である
。この石英管ｌの同底部には石英＠４ ｋ基台として温
屓制御用ブａツク５およびサセプタ６を長さ方向に設置
し、サセプタ６上にσウェーハ７會配列執璽するように
している。また、前記石英管１の上下の夫々には長さ方
向にわ几りて熱反１１ｆｌ＊８、Ｉ’ｌｌ：８け、その
内面−にｒｊｍｅｍｏランプ９．９’ｔＩＩ列配置して
いる。
−Ｖこ本賽施ガ装置にあっては前記石英台４０内ａｔ中
空に形成した上でこの内部に補助加熱ヒータとしての抵
抗加熱ヒータ１０を日録している。
空に形成した上でこの内部に補助加熱ヒータとしての抵
抗加熱ヒータ１０を日録している。
この抵抗加熱ヒータ１０は飼えばメツシュヒータ勢にて
形成しており、石英台４０内１１においてＮ。
形成しており、石英台４０内１１においてＮ。
パージま７ｔは水冷して石英管内部の反応ガスとの意に
反する反応會防止している。前記補助ＤＯ熱ヒータｌＯ
ｔ設置した場合には石英管ｌの下−〇熱反射板８′およ
びランプ９′はなくても良い。また、前記石英管１の左
右には輪動加熱ヒータの一部としての抵抗加熱ヒータ１
ｌｋ−配設し、石英管ｌの外肯から加熱を行なうように
構成している。
反する反応會防止している。前記補助ＤＯ熱ヒータｌＯ
ｔ設置した場合には石英管ｌの下−〇熱反射板８′およ
びランプ９′はなくても良い。また、前記石英管１の左
右には輪動加熱ヒータの一部としての抵抗加熱ヒータ１
ｌｋ−配設し、石英管ｌの外肯から加熱を行なうように
構成している。
以上の構成の気相成長装置によれは、石英管ｌ内の主加
熱はランブリおよび熱反射板８による輸射熱によってこ
れ會行なう。そして、これと同時に石英台４円に付設し
た抵抗加熱ヒータ１０にて禰助的にフロック５、サセプ
タ６を加熱して９ニーハフを加熱し、史に必要に応じて
石英ｖｉの五右一方から抵抗加熱ヒータ１１による加熱
１行なうのである。
熱はランブリおよび熱反射板８による輸射熱によってこ
れ會行なう。そして、これと同時に石英台４円に付設し
た抵抗加熱ヒータ１０にて禰助的にフロック５、サセプ
タ６を加熱して９ニーハフを加熱し、史に必要に応じて
石英ｖｉの五右一方から抵抗加熱ヒータ１１による加熱
１行なうのである。
したがって、石英管ｔＶ始めとする気相成長装置全体が
大層化しても、ランプ９の加熱に加えて。
大層化しても、ランプ９の加熱に加えて。
加熱効率の良好な抵抗加熱ヒータ１０．１１による加熱
に打なうので、同機度の加熱會ランプのみにて行なうよ
りも消費電力の低１１Ｉｃ會実塊できる。
に打なうので、同機度の加熱會ランプのみにて行なうよ
りも消費電力の低１１Ｉｃ會実塊できる。
箇た。ランプ加熱に加えて抵抗加熱ヒータ１Ｏ１１１に
よる加熱１行なうことにより、抵抗加熱と−タではメン
シュヒータのように自由な杉状にしてその加熱分布ｔ−
ｍｌ［Ｋ＆定で叢るので、石英管１０内藝のｉｉｉ＊分
布、轡に直角方向の湯度分布の制御ｔＶ易なものにでき
る。勿論、ランプ加熱が生体であるためウェーハ７１１
−殆んど表ｔｈＩｍ＋から加熱することにな９、転位、
スリップのような結晶欠陥か生ずることもない。
よる加熱１行なうことにより、抵抗加熱と−タではメン
シュヒータのように自由な杉状にしてその加熱分布ｔ−
ｍｌ［Ｋ＆定で叢るので、石英管１０内藝のｉｉｉ＊分
布、轡に直角方向の湯度分布の制御ｔＶ易なものにでき
る。勿論、ランプ加熱が生体であるためウェーハ７１１
−殆んど表ｔｈＩｍ＋から加熱することにな９、転位、
スリップのような結晶欠陥か生ずることもない。
１１２図（４）、ψ）は本発明の他の実施例であり、バ
レル形の気相Ｈ，長藝筺に本発明會通用したガ會示す。
レル形の気相Ｈ，長藝筺に本発明會通用したガ會示す。
−において、１２は管＠を上下に向け７を石英管、１３
はこの石英管１２の略中央に配置し几角−筒形状のサセ
プタ、１４は反応ガスの導入口。
はこの石英管１２の略中央に配置し几角−筒形状のサセ
プタ、１４は反応ガスの導入口。
１５は排気口である。前記石英管１２のＪｌｌＩＩ曲に
は、多角形状Ｋｌｌ数個の熱反射板１６とランフ’１７
に配置して石英管１２内を加熱する。また、前記サセプ
タ１３０内部には抵抗加熱ヒータ１８からなる補助加熱
ａｔ内装し、サセプタ１３胸面に支持したウェー１１９
ｖｒ加熱するようにしている。また前記サセプタ１３お
よびウェーハ１９ｖ回転ばせるための回転機構２０が上
部に設置して１ある。
は、多角形状Ｋｌｌ数個の熱反射板１６とランフ’１７
に配置して石英管１２内を加熱する。また、前記サセプ
タ１３０内部には抵抗加熱ヒータ１８からなる補助加熱
ａｔ内装し、サセプタ１３胸面に支持したウェー１１９
ｖｒ加熱するようにしている。また前記サセプタ１３お
よびウェーハ１９ｖ回転ばせるための回転機構２０が上
部に設置して１ある。
し友がって、本実施ＩｐＨ装置においてもウェー／％１
９に主にランプ１７にて加熱する一方で、サセプタ１３
を介して補助加熱−としての抵抗加熱ヒータ１８にてウ
ェーハ１９會合わせて加熱することができるので、ラン
プ１７による消費電力を増大することなく所望の加熱を
行なうことができるのでるる。勿論、事実ＩＩｍガにお
いてもウェー／１近Ｓ部位のｍ度分布を向上して膜厚の
均一形成ｋｌ’１能にすると共に、結晶欠陥の発生を防
止し祷る点に前記実Ｊ１ガと同じである。
９に主にランプ１７にて加熱する一方で、サセプタ１３
を介して補助加熱−としての抵抗加熱ヒータ１８にてウ
ェーハ１９會合わせて加熱することができるので、ラン
プ１７による消費電力を増大することなく所望の加熱を
行なうことができるのでるる。勿論、事実ＩＩｍガにお
いてもウェー／１近Ｓ部位のｍ度分布を向上して膜厚の
均一形成ｋｌ’１能にすると共に、結晶欠陥の発生を防
止し祷る点に前記実Ｊ１ガと同じである。
因みに本発明によれば全ての加熱ｔランプに軸つ几気相
成長装置に比軟して、−榔縦の加熱効釆ｔ−侍るｔめの
電力ｔ−１４〜２４Ｎ低減することがで１７ｔ。
成長装置に比軟して、−榔縦の加熱効釆ｔ−侍るｔめの
電力ｔ−１４〜２４Ｎ低減することがで１７ｔ。
以上のように本発明の気相成長装置によれは、ランプを
主加熱−とする気相成長装置において補助加熱−として
抵抗加熱ヒータ會付設しているので、気相成長装置が大
酸化さｎてもランプ加熱にのみ額る場合に比較して少な
い消費電力で岡ｌｌ１ｌｌ＆の加熱効果を祷ることがで
きる。また、葡助加熱―會般けたことによｐ俟置内の迦
屓分布の均一化およびその制御ｔＳ易なものにできる。
主加熱−とする気相成長装置において補助加熱−として
抵抗加熱ヒータ會付設しているので、気相成長装置が大
酸化さｎてもランプ加熱にのみ額る場合に比較して少な
い消費電力で岡ｌｌ１ｌｌ＆の加熱効果を祷ることがで
きる。また、葡助加熱―會般けたことによｐ俟置内の迦
屓分布の均一化およびその制御ｔＳ易なものにできる。
更に、主脚＃―はあ〈箇でもランプ加熱であることから
、ウェーハ等の加熱は表面加熱で６９、結晶欠陥を発生
させることもない勢の効来會奏する。
、ウェーハ等の加熱は表面加熱で６９、結晶欠陥を発生
させることもない勢の効来會奏する。
図面の簡単な＠鞠
纂１図体）、申）は本発明會横形装置に通用したガのＷ
ｈ−図、＠２＃ｌｉ１体）、俤）はバレル形に過用した
内の蒙向−である。
ｈ−図、＠２＃ｌｉ１体）、俤）はバレル形に過用した
内の蒙向−である。
１・・・石英管、４・・・石英台、６・・・サセプタ、
７・・・９エーハ、す・・・ランプ、１０．１１・・・
補助加熱―（を抗加熱ヒータ）、１２・・・石英管、１
３・・・サセプタ、１７・・・ランプ、１８・・・補助
加熱−（抵抗加熱ヒータ）、１９・・・ウエーノ１゜ 代理人 弁理士 薄 １）利 串゛〜ζ。
７・・・９エーハ、す・・・ランプ、１０．１１・・・
補助加熱―（を抗加熱ヒータ）、１２・・・石英管、１
３・・・サセプタ、１７・・・ランプ、１８・・・補助
加熱−（抵抗加熱ヒータ）、１９・・・ウエーノ１゜ 代理人 弁理士 薄 １）利 串゛〜ζ。
ｊ７
第 １ 図
（，４）
（Ｂン
第 ２ 図
（Ａ）
（Ｂ）
／ｒ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ランプ會加ＩＩＡ―とする気相成長装置に、葡助加
−―としてｍ抗加熱ヒータ會付般したこと１％黴とする
気相成長ａｍ。 ２１１抗加−ヒータを横形気相成長装置の石英管の内−
および石英管内部のサセプタの下ａｌｌに配設してなる
轡Ｗ’ｆ＠求の範囲第１項記載の気相成長装置。 ３、 を抗加熱ヒータｔバレル形気相成長嫉筺の石英
管内部のナセプタ内に配設してなる脣許精求の軛ｌ１１
！ｌｌ１１積配嘱の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112782A JPS58139424A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112782A JPS58139424A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139424A true JPS58139424A (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=12046221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2112782A Pending JPS58139424A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139424A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284916A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| FR2786203A1 (fr) * | 1998-11-25 | 2000-05-26 | Centre Nat Rech Scient | Reacteur pour depot chimique en phase vapeur et procede pour sa mise en oeuvre |
| WO2000031317A1 (fr) * | 1998-11-25 | 2000-06-02 | Centre National De La Recherce Scientifique (Cnrs) | Reacteur et procede pour depot chimique en phase vapeur |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP2112782A patent/JPS58139424A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284916A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| FR2786203A1 (fr) * | 1998-11-25 | 2000-05-26 | Centre Nat Rech Scient | Reacteur pour depot chimique en phase vapeur et procede pour sa mise en oeuvre |
| WO2000031317A1 (fr) * | 1998-11-25 | 2000-06-02 | Centre National De La Recherce Scientifique (Cnrs) | Reacteur et procede pour depot chimique en phase vapeur |
| US6402836B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-06-11 | Cnrs (Centre National De La Recherche Scientifique) | Method for epitaxial growth on a substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW478046B (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method | |
| JPS5578524A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS58139424A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS5588323A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| CN102108545A (zh) | 一种适用于90炉的大投料的热场系统 | |
| CN108286074B (zh) | 一种大尺寸SiC单晶生长装置及其工作方法 | |
| JPS5936927A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JPS55140236A (en) | Device for heat treating semiconductor | |
| JPS63143813A (ja) | 半導体材料の高純度シリコンの製造方法およびその装置 | |
| JPS58125608A (ja) | グラフアイト板の表面に均一なＳｉＣ膜を形成する方法とその装置 | |
| JP2525348B2 (ja) | 気相成長方法および装置 | |
| CN211199229U (zh) | 一种高效的微生物发酵设备 | |
| JPS54106081A (en) | Growth method in vapor phase | |
| JPS59163820A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH0426528U (ja) | ||
| JP2001187327A (ja) | 二酸化炭素固定化反応槽 | |
| JPS56161832A (en) | Gaseous phase treatment device | |
| JPS5870831A (ja) | 気相成長装置 | |
| US3310426A (en) | Method and apparatus for producing semiconductor material | |
| JPS6225428A (ja) | 半導体ウエハの加熱装置 | |
| JPS6211961Y2 (ja) | ||
| JPH01130523A (ja) | 半導体用縦型熱処理炉 | |
| JPS6153197A (ja) | 結晶成長装置 | |
| JPS57183020A (en) | Formation of semiconductor layer | |
| JPS5468161A (en) | Gas phase growth unit |