JPS6225428A - 半導体ウエハの加熱装置 - Google Patents
半導体ウエハの加熱装置Info
- Publication number
- JPS6225428A JPS6225428A JP16460185A JP16460185A JPS6225428A JP S6225428 A JPS6225428 A JP S6225428A JP 16460185 A JP16460185 A JP 16460185A JP 16460185 A JP16460185 A JP 16460185A JP S6225428 A JPS6225428 A JP S6225428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- semiconductor wafer
- temperature
- heated
- power consumption
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕 ′
本発明は、半導体ウェハの加熱装置に関する。
従来、半導体ウェハに所定の加熱処理を施す加熱装置の
構造は、反応管の外周部を電気加熱式のヒータで囲み、
ヒータから発する熱によりて反応管内に設置したボート
上の半導体ウェハを加熱するようになっている。
構造は、反応管の外周部を電気加熱式のヒータで囲み、
ヒータから発する熱によりて反応管内に設置したボート
上の半導体ウェハを加熱するようになっている。
このような半導体ウェハの加熱装置の昇温速度は、最大
でも１５〜２０ ℃／ｍｉＨ程度である。
でも１５〜２０ ℃／ｍｉＨ程度である。
このように昇温速度が遅いため使用時ごとにヒータに通
電していると極めて効率が悪い。そこで、ヒータに常時
通電を施し常に反応管内を高温に保っていた。その結果
、累積使用電力量が極めて多くなり不経済でありた。ま
た、異なりた温度で熱処理を行う場合昇温、降温速度が
遅いため、所定の温度に設定するまでに長時間を要し、
生産性を低下する問題があった。
電していると極めて効率が悪い。そこで、ヒータに常時
通電を施し常に反応管内を高温に保っていた。その結果
、累積使用電力量が極めて多くなり不経済でありた。ま
た、異なりた温度で熱処理を行う場合昇温、降温速度が
遅いため、所定の温度に設定するまでに長時間を要し、
生産性を低下する問題があった。
本発明は、短時間での昇温を可能にして生産性を向上さ
せると共に、消費電力の低減全達成した半導体ウェハの
加熱装置を提供することをその目的とするものである。
せると共に、消費電力の低減全達成した半導体ウェハの
加熱装置を提供することをその目的とするものである。
本発明は、高周波誘導加熱によシ加熱されたライナー管
の放熱作用によって半導体ウェハを加熱するようにした
ので、短時間での昇温を可能にして生産性を向上させる
と共に、消費電力の低減を達成した半導体ウェハの加熱
装置である。
の放熱作用によって半導体ウェハを加熱するようにした
ので、短時間での昇温を可能にして生産性を向上させる
と共に、消費電力の低減を達成した半導体ウェハの加熱
装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中１は、一端部にゲート２の出入口３を形成
した反応管である。
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中１は、一端部にゲート２の出入口３を形成
した反応管である。
反応管１内には、複数枚の半導体ウェハ４を搭載したボ
ート２が設置されるようになっている。
ート２が設置されるようになっている。
反応管１の外周部には、外周面から所定間隔を設けて、
反応管１を囲むようにライナー管５が設けられている。
反応管１を囲むようにライナー管５が設けられている。
ライナー管５は、カーゲンのような電気良導体からなる
管体５ｍの表面を、ＳＩＣのような非金属層５ｂで被覆
したものである。ライナー管５の外側には、高周波加熱
コイル６が設けられている。同図中７は、高周波加熱コ
イル６の間に設けられた冷却管である。高周波加熱コイ
ル６の使用周波数は、通常の電源周波数（５０，６０Ｈ
ｚ）よりも高いものであれば良い。このような高周波加
熱コイル６は、反応管１内の昇温速度を数℃／ｍｉｎ〜
数百度℃／ｍｉｎの範囲に設定できるようになっている
。
管体５ｍの表面を、ＳＩＣのような非金属層５ｂで被覆
したものである。ライナー管５の外側には、高周波加熱
コイル６が設けられている。同図中７は、高周波加熱コ
イル６の間に設けられた冷却管である。高周波加熱コイ
ル６の使用周波数は、通常の電源周波数（５０，６０Ｈ
ｚ）よりも高いものであれば良い。このような高周波加
熱コイル６は、反応管１内の昇温速度を数℃／ｍｉｎ〜
数百度℃／ｍｉｎの範囲に設定できるようになっている
。
而して、このように構成された半導体ウェハの加熱装置
二では、反応管１内を所定の雰囲気に設定し、そこに複
数枚の半導体ウェハ４を搭載したゲート２を設置する。
二では、反応管１内を所定の雰囲気に設定し、そこに複
数枚の半導体ウェハ４を搭載したゲート２を設置する。
次いで、高周波加熱コイル６でライナー管５全加熱し、
その放射熱によシ反応管１内の半導体ウェハ４全加熱す
る。このとき、室温から高温領域近くまでの昇温速度は
、数百℃／ｍ ｉ ｎで行い、高温領域では数Ｃ／ｍ１
ｎ〜数十℃／ｍｉｎの昇温速度で行う。このように室温
から所定の加熱温度までの昇温を極めて短時間で行うこ
とができる。しかも、昇温に要する時間が短いので、加
熱処理ごとに高周波加熱コイル６による加熱を行えば曳
い。これらの結果、生産性を向上させると共に、累積使
用電力量を減少して経済性を良くすることができる。
その放射熱によシ反応管１内の半導体ウェハ４全加熱す
る。このとき、室温から高温領域近くまでの昇温速度は
、数百℃／ｍ ｉ ｎで行い、高温領域では数Ｃ／ｍ１
ｎ〜数十℃／ｍｉｎの昇温速度で行う。このように室温
から所定の加熱温度までの昇温を極めて短時間で行うこ
とができる。しかも、昇温に要する時間が短いので、加
熱処理ごとに高周波加熱コイル６による加熱を行えば曳
い。これらの結果、生産性を向上させると共に、累積使
用電力量を減少して経済性を良くすることができる。
因みに、１０００℃の加熱温度で３時間の加熱処理を１
日２回実施例の半導体ウェハの加熱装置Ｒで行ったとこ
ろ、第２図に特性線（Ｉ）にて示す累積使用電力量と時
間の関係が得られた。同様の実験を従来の半導体ウェハ
の加熱装置で行ったところ同図に特性線（ｍにて併記す
る結果を得た。これらの結果から明らかなように実施例
の半導体ウェハの加熱装置旦では、従来のものに比べて
熱処理の際の消費電力量は約６５チで済むことが判った
。
日２回実施例の半導体ウェハの加熱装置Ｒで行ったとこ
ろ、第２図に特性線（Ｉ）にて示す累積使用電力量と時
間の関係が得られた。同様の実験を従来の半導体ウェハ
の加熱装置で行ったところ同図に特性線（ｍにて併記す
る結果を得た。これらの結果から明らかなように実施例
の半導体ウェハの加熱装置旦では、従来のものに比べて
熱処理の際の消費電力量は約６５チで済むことが判った
。
以上説明した如く、本発明に係る半導体ウェハの加熱装
置によれば、短時間での昇温を可能にして生産性全向上
さ老ると共に、消費電力の低減を達成することができる
ものである。
置によれば、短時間での昇温を可能にして生産性全向上
さ老ると共に、消費電力の低減を達成することができる
ものである。
第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図、
第２図は、累積使用電力量と時間の関係を示す特性図で
ある。 １・・・反応管、２・・・ゲート、３・・・出入口、４
・・・半導体ウェハ、５・・・ライナー管、５ａ・・・
管体、５ｂ・・・非金属層、６・・・高周波加熱コイル
、７・・・冷却管、Ｑ・・・半導体ウェハの加熱装置。
第２図は、累積使用電力量と時間の関係を示す特性図で
ある。 １・・・反応管、２・・・ゲート、３・・・出入口、４
・・・半導体ウェハ、５・・・ライナー管、５ａ・・・
管体、５ｂ・・・非金属層、６・・・高周波加熱コイル
、７・・・冷却管、Ｑ・・・半導体ウェハの加熱装置。
Claims (2)
- （１）複数枚の半導体ウェハを搭載したボートの出入口
を有する反応管と、所定間隔を設けて該反応管の外周部
を囲むように配置された電気良導体からなるライナー管
と、所定間隔を設けて該ライナー管の外側を囲むように
配置された高周波加熱コイルとを具備することを特徴と
する半導体ウェハの加熱装置。 - （２）ライナー管は、電気良導体からなる管体の表面に
非金属層を被覆したものであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体ウェハの加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16460185A JPS6225428A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体ウエハの加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16460185A JPS6225428A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体ウエハの加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6225428A true JPS6225428A (ja) | 1987-02-03 |
Family
ID=15796278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16460185A Pending JPS6225428A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体ウエハの加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6225428A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01192113A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | Tokyo Electron Ltd | 加熱炉 |
| JPH04127532A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Nec Yamagata Ltd | 半導体ウェーハ熱処理方法 |
| JP2004349479A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Koyo Thermo System Kk | 枚葉式熱処理装置 |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP16460185A patent/JPS6225428A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01192113A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | Tokyo Electron Ltd | 加熱炉 |
| JPH04127532A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Nec Yamagata Ltd | 半導体ウェーハ熱処理方法 |
| JP2004349479A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Koyo Thermo System Kk | 枚葉式熱処理装置 |
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