JPH0676275B2 - 気相エピタキシャル成長装置および基板の加熱方法 - Google Patents
気相エピタキシャル成長装置および基板の加熱方法Info
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- JPH0676275B2 JPH0676275B2 JP63182110A JP18211088A JPH0676275B2 JP H0676275 B2 JPH0676275 B2 JP H0676275B2 JP 63182110 A JP63182110 A JP 63182110A JP 18211088 A JP18211088 A JP 18211088A JP H0676275 B2 JPH0676275 B2 JP H0676275B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、薄膜形成用気体原料を、加熱された基板表
面上に導き、該基板表面上でエピタキシャル成長させる
ための気相エピタキシャル成長装置に関するものであ
り、特に、基板上に均一な膜厚の成長層を得ることので
きる気相エピタキシャル成長装置および基板の加熱方法
に関するものである。
面上に導き、該基板表面上でエピタキシャル成長させる
ための気相エピタキシャル成長装置に関するものであ
り、特に、基板上に均一な膜厚の成長層を得ることので
きる気相エピタキシャル成長装置および基板の加熱方法
に関するものである。
［従来の技術］ 第６図は、従来から用いられている気相エピタキシャル
成長装置を示す図解図である。気相エピタキシャル成長
装置は、石英から作られている反応管１と、反応管１内
に配置されたホルダ２と、ホルダ２によって支持された
サセプタ３と、高周波加熱用コイル５とを備えている。
サセプタ３は、たとえばその材質がカーボンであり、高
周波加熱用コイル５によって所定温度にまで加熱され
る。基板４はサセプタ３上に置かれ、サセプタ３からの
熱伝導によって所定温度にまで昇温される。
成長装置を示す図解図である。気相エピタキシャル成長
装置は、石英から作られている反応管１と、反応管１内
に配置されたホルダ２と、ホルダ２によって支持された
サセプタ３と、高周波加熱用コイル５とを備えている。
サセプタ３は、たとえばその材質がカーボンであり、高
周波加熱用コイル５によって所定温度にまで加熱され
る。基板４はサセプタ３上に置かれ、サセプタ３からの
熱伝導によって所定温度にまで昇温される。
説明の便宜上、基板４として、GaAs基板が用いられ、エ
ピタキシャル成長用の原料ガスとして、トリメチルガリ
ウム（TMG）ガスとトリメチルアルミニウム（TMA）ガス
とアルシン（AsH3）ガスとの混合ガスが用いられたとす
る。また、ドーパントとして、ジエチル亜鉛ガスが用い
られたとする。GaAs基板４は、サセプタ３からの熱伝導
によって、たとえば約800℃の温度にまで加熱される。
反応管１内に導入された原料ガスは、加熱されたGaAs基
板４上で熱分解し、その結果、基板４上でAlGaAs層のエ
ピタキシャル成長が行なわれる。続いて、TMAガスの供
給を停止し、原料ガスとしてTMGガスとAsH3ガスとの混
合ガスを反応管１内に導入すれば、基板４上のAlGaAs層
の上でGaAs層のエピタキシャル成長が行なわれる。これ
らの工程を繰返せば、基板４上で多層のエピタキシャル
成長を行なうことができる。
ピタキシャル成長用の原料ガスとして、トリメチルガリ
ウム（TMG）ガスとトリメチルアルミニウム（TMA）ガス
とアルシン（AsH3）ガスとの混合ガスが用いられたとす
る。また、ドーパントとして、ジエチル亜鉛ガスが用い
られたとする。GaAs基板４は、サセプタ３からの熱伝導
によって、たとえば約800℃の温度にまで加熱される。
反応管１内に導入された原料ガスは、加熱されたGaAs基
板４上で熱分解し、その結果、基板４上でAlGaAs層のエ
ピタキシャル成長が行なわれる。続いて、TMAガスの供
給を停止し、原料ガスとしてTMGガスとAsH3ガスとの混
合ガスを反応管１内に導入すれば、基板４上のAlGaAs層
の上でGaAs層のエピタキシャル成長が行なわれる。これ
らの工程を繰返せば、基板４上で多層のエピタキシャル
成長を行なうことができる。
［発明が解決しようとする課題］ GaAs基板４は、たとえば、その表面が鏡面仕上げされ、
その裏面がラップ仕上げされている。多くの場合、この
ように、基板４の表面と裏面とでは、その仕上げ面精度
が異なっている。また、或る場合には、基板４の表面あ
るいは裏面にパターニング加工が施されていたり、基板
４の表面上にこの基板とは異なった熱膨張係数を有する
エピタキシャル層が形成されていたりする。このような
場合、基板４が約800℃の温度まで加熱されると、その
表面の状態と裏面の状態とが異なっていることから、基
板４は、第７図に示すように、表面または裏面に向かっ
て湾曲した形状となる。その結果、基板４と、サセプタ
３との間に、隙間６が形成される。
その裏面がラップ仕上げされている。多くの場合、この
ように、基板４の表面と裏面とでは、その仕上げ面精度
が異なっている。また、或る場合には、基板４の表面あ
るいは裏面にパターニング加工が施されていたり、基板
４の表面上にこの基板とは異なった熱膨張係数を有する
エピタキシャル層が形成されていたりする。このような
場合、基板４が約800℃の温度まで加熱されると、その
表面の状態と裏面の状態とが異なっていることから、基
板４は、第７図に示すように、表面または裏面に向かっ
て湾曲した形状となる。その結果、基板４と、サセプタ
３との間に、隙間６が形成される。
前述したように、基板４は、サセプタ３からの熱伝導に
よって所定温度にまで加熱される。第７図に示すように
基板４が湾曲し、基板４とサセプタ３との間に隙間６が
形成されると、基板４内には、その面方向において温度
勾配または温度のばらつきが生じる。すなわち、基板４
のうちサセプタ３に接触している部分は相対的にその温
度が高く、サセプタ３から離れている部分は相対的にそ
の温度が低い。基板４の表面上において温度のばらつき
が生じていれば、基板４の表面上で形成されるエピタキ
シャル成長層にも膜厚のばらつきが生ずる。
よって所定温度にまで加熱される。第７図に示すように
基板４が湾曲し、基板４とサセプタ３との間に隙間６が
形成されると、基板４内には、その面方向において温度
勾配または温度のばらつきが生じる。すなわち、基板４
のうちサセプタ３に接触している部分は相対的にその温
度が高く、サセプタ３から離れている部分は相対的にそ
の温度が低い。基板４の表面上において温度のばらつき
が生じていれば、基板４の表面上で形成されるエピタキ
シャル成長層にも膜厚のばらつきが生ずる。
第８図に示すように、基板４の裏面に凹凸があり、また
サセプタ３の表面に凹凸がある場合にも、基板４とサセ
プタ３との間には隙間６が形成される。この場合におい
ても、基板４は、その面方向において温度のばらつきが
生じ、基板４上に形成されるエピタキシャル成長層の膜
厚にばらつきが生じる。
サセプタ３の表面に凹凸がある場合にも、基板４とサセ
プタ３との間には隙間６が形成される。この場合におい
ても、基板４は、その面方向において温度のばらつきが
生じ、基板４上に形成されるエピタキシャル成長層の膜
厚にばらつきが生じる。
この発明は、上記課題を解決するためになされたもので
あり、その目的は、基板表面上に形成されるエピタキシ
ャル成長層の膜厚を均一にすることのできる気相エピタ
キシャル成長装置を提供することである。
あり、その目的は、基板表面上に形成されるエピタキシ
ャル成長層の膜厚を均一にすることのできる気相エピタ
キシャル成長装置を提供することである。
この発明は、また、基板の面方向における温度のばらつ
きを生じさせない基板の加熱方法を提供することも目的
としている。
きを生じさせない基板の加熱方法を提供することも目的
としている。
［課題を解決するための手段］ この発明に従った気相エピタキシャル成長装置は、反応
管と、反応管内に薄膜形成用気体原料を供給するための
原料ガス供給手段と、反応管内に配置された液槽と、液
槽内に蓄えられた融液と、融液を加熱するための加熱手
段と、を備えている。基板は、その裏面が液槽内に蓄え
られた融液の液面に接触するようにされている。融液
が、加熱手段によって所定温度まで加熱されると、基板
は、融液からの熱伝導によって所定温度まで昇温する。
管と、反応管内に薄膜形成用気体原料を供給するための
原料ガス供給手段と、反応管内に配置された液槽と、液
槽内に蓄えられた融液と、融液を加熱するための加熱手
段と、を備えている。基板は、その裏面が液槽内に蓄え
られた融液の液面に接触するようにされている。融液
が、加熱手段によって所定温度まで加熱されると、基板
は、融液からの熱伝導によって所定温度まで昇温する。
薄膜形成用気体原料を、反応管内の基板表面上に導き、
該基板表面上でエピタキシャル成長させるために、前記
基板を所定の温度にまで加熱する本発明の方法は、反応
管内に融液を蓄えた液槽を配置する工程と、基板の裏面
を融液に接触させる工程と、融液を加熱し、この融液か
らの熱伝導によって基板を所定の温度にまで加熱する工
程と、を備えている。
該基板表面上でエピタキシャル成長させるために、前記
基板を所定の温度にまで加熱する本発明の方法は、反応
管内に融液を蓄えた液槽を配置する工程と、基板の裏面
を融液に接触させる工程と、融液を加熱し、この融液か
らの熱伝導によって基板を所定の温度にまで加熱する工
程と、を備えている。
［作用］ この発明に従った気相エピタキシャル成長装置では、基
板の裏面が融液に接触している。融液は流動性があるの
で、たとえ基板が湾曲した形状になっても、また基板の
裏面に凹凸があっても、融液は基板の裏面全体にわたっ
て均一に接触する。言換えれば、基板と融液との間に
は、隙間が形成されない。基板は、その裏面全体にわた
って均一に接触している融液からの熱伝導によって加熱
される。従って、加熱された基板には、その面方向にお
ける温度勾配や温度のばらつきが生じていない。その結
果、基板表面上に形成されるエピタキシャル成長槽の膜
厚は均一になる。
板の裏面が融液に接触している。融液は流動性があるの
で、たとえ基板が湾曲した形状になっても、また基板の
裏面に凹凸があっても、融液は基板の裏面全体にわたっ
て均一に接触する。言換えれば、基板と融液との間に
は、隙間が形成されない。基板は、その裏面全体にわた
って均一に接触している融液からの熱伝導によって加熱
される。従って、加熱された基板には、その面方向にお
ける温度勾配や温度のばらつきが生じていない。その結
果、基板表面上に形成されるエピタキシャル成長槽の膜
厚は均一になる。
この発明に従った基板の加熱方法では、基板は、その裏
面に接触する融液からの熱伝導によって加熱される。融
液は、たとえ基板の形状が湾曲していたとしても、また
基板の裏面に凹凸が生じていたとしても、基板の裏面の
全体にわたって均一に接触するので、基板内の面方向に
おける温度のばらつきや温度勾配を生じさせない。
面に接触する融液からの熱伝導によって加熱される。融
液は、たとえ基板の形状が湾曲していたとしても、また
基板の裏面に凹凸が生じていたとしても、基板の裏面の
全体にわたって均一に接触するので、基板内の面方向に
おける温度のばらつきや温度勾配を生じさせない。
好ましい実施例では、融液となるべき材料は、基板材料
よりも大きな比重を有している材料から選ばれる。この
ようにすれば、基板は、融液の液面上に浮いた状態で支
持される。
よりも大きな比重を有している材料から選ばれる。この
ようにすれば、基板は、融液の液面上に浮いた状態で支
持される。
基板材料は、たとえばGaAsまたはInPであり、融液とな
るべき材料は、たとえば、GaまたはInである。この場
合、基板と融液との反応を防止するために、好ましく
は、基板材料の裏面には、SiNまたはSiO2などの保護膜
がコーティングされる。
るべき材料は、たとえば、GaまたはInである。この場
合、基板と融液との反応を防止するために、好ましく
は、基板材料の裏面には、SiNまたはSiO2などの保護膜
がコーティングされる。
他の好ましい実施例では、融液となるべき材料は、薄膜
形成用気体原料を構成する成分と同種の材料から選ばれ
る。たとえば、薄膜形成用気体原料はトリメチルガリウ
ムを含み、融液となるべき材料GaまたはInである。「同
種の材料」とは、同一の材料であることを含むばかりで
はなく、GaやInのように、元素の周期表で同じ族に属す
る関係にある材料をも含むものである。実際、GaとInと
は、互いにその性質が似通っている。この好ましい実施
例によれば、融液からの蒸発物質がエピタキシャル成長
に対して悪影響を及ぼさない。
形成用気体原料を構成する成分と同種の材料から選ばれ
る。たとえば、薄膜形成用気体原料はトリメチルガリウ
ムを含み、融液となるべき材料GaまたはInである。「同
種の材料」とは、同一の材料であることを含むばかりで
はなく、GaやInのように、元素の周期表で同じ族に属す
る関係にある材料をも含むものである。実際、GaとInと
は、互いにその性質が似通っている。この好ましい実施
例によれば、融液からの蒸発物質がエピタキシャル成長
に対して悪影響を及ぼさない。
他の好ましい実施例では、融液となるべき材料は、基板
に対して不活性な材料から選ばれる。そのような材料と
して、たとえばB2O3が挙げられる。B2O3はその比重が小
さいので、融液としてB2O3を選んだ場合には、基板を支
持するための基板支持部材を別に設ける必要がある。こ
の場合であっても、基板の裏面は融液の液面に接触して
いる。
に対して不活性な材料から選ばれる。そのような材料と
して、たとえばB2O3が挙げられる。B2O3はその比重が小
さいので、融液としてB2O3を選んだ場合には、基板を支
持するための基板支持部材を別に設ける必要がある。こ
の場合であっても、基板の裏面は融液の液面に接触して
いる。
他の好ましい実施例では、液槽内に蓄えられる融液が、
相対的に大きな比重を有し下方に位置する下部液槽と、
相対的に小さな比重を有し上方に位置する上部液層とを
備えている。この場合、好ましくは、上部液層を構成す
る材料は、基板に対して不活性な材料である。
相対的に大きな比重を有し下方に位置する下部液槽と、
相対的に小さな比重を有し上方に位置する上部液層とを
備えている。この場合、好ましくは、上部液層を構成す
る材料は、基板に対して不活性な材料である。
［実施例］ 第１図は、薄膜形成用気体原料を、加熱された基板表面
上に導き、該基板表面上でエピタキシャル成長させるた
めの装置を図解的に示している。図示する装置は、反応
管１と、反応管１内に薄膜形成用気体原料を供給するた
めの原料ガス供給手段と、反応管１内に配置されたホル
ダ２と、ホルダ２上に支持されたサセプタ７と、サセプ
タ７内に形成された液槽８と、液槽８内に蓄えられた融
液９と、融液９を加熱するための高周波加熱用コイル５
と、を備えている。
上に導き、該基板表面上でエピタキシャル成長させるた
めの装置を図解的に示している。図示する装置は、反応
管１と、反応管１内に薄膜形成用気体原料を供給するた
めの原料ガス供給手段と、反応管１内に配置されたホル
ダ２と、ホルダ２上に支持されたサセプタ７と、サセプ
タ７内に形成された液槽８と、液槽８内に蓄えられた融
液９と、融液９を加熱するための高周波加熱用コイル５
と、を備えている。
説明の便宜上、基板４としてGaAs基板が用いられ、融液
９となるべき材料としてGaが用いられ、薄膜形成用気体
原料ガスとしてトリメチルガリウムガス（TMGガス）と
トリメチルアルミニウムガス（TMAガス）とアルシンガ
ス（AsH3ガス）との混合ガスが用いられ、キャリアガス
として水素ガス（H2ガス）が用いられ、ドーパント用の
ガスとしてジエチル亜鉛ガス（DEZガス）が用いられ、
反応管１内雰囲気を置換するためのガスとして窒素ガス
（N2ガス）が用いられたとする。また、反応管１は石英
から作られ、サセプタ７はカーボンから作られていると
する。
９となるべき材料としてGaが用いられ、薄膜形成用気体
原料ガスとしてトリメチルガリウムガス（TMGガス）と
トリメチルアルミニウムガス（TMAガス）とアルシンガ
ス（AsH3ガス）との混合ガスが用いられ、キャリアガス
として水素ガス（H2ガス）が用いられ、ドーパント用の
ガスとしてジエチル亜鉛ガス（DEZガス）が用いられ、
反応管１内雰囲気を置換するためのガスとして窒素ガス
（N2ガス）が用いられたとする。また、反応管１は石英
から作られ、サセプタ７はカーボンから作られていると
する。
サセプタ７は高周波加熱用コイル５によって所定温度に
まで加熱され、融液９はサセプタ７からの熱伝導によっ
て所定温度にまで加熱される。GaAs基板４は、液槽８内
の融液９の液面上に置かれる。融液材料であるGaの比重
は、基板材料であるGaAsの比重よりも大きいので、GaAs
基板４は、比重差によって、融液９の液面上に浮いた状
態で保持される。
まで加熱され、融液９はサセプタ７からの熱伝導によっ
て所定温度にまで加熱される。GaAs基板４は、液槽８内
の融液９の液面上に置かれる。融液材料であるGaの比重
は、基板材料であるGaAsの比重よりも大きいので、GaAs
基板４は、比重差によって、融液９の液面上に浮いた状
態で保持される。
GaAs基板４は、融液９からの熱伝導によって所定温度に
まで加熱される。融液９は流動性を有しているので、エ
ピタキシャル成長処理中に基板４が湾曲したりしても、
基板４と融液９との間には隙間が生じず、融液９は基板
４の裏面全体にわたって均一に接触する。第２図は、そ
のような状態を示す図である。また、基板４の裏面に凹
凸があったとしても、融液９は、基板４の裏面の全体に
わたって均一に接触する。従って、融液９の熱伝導によ
って加熱される基板４は、その面方向において均一な温
度分布を有する。その結果、基板４上に形成されるエピ
タキシャル成長層は、その膜厚が均一になる。
まで加熱される。融液９は流動性を有しているので、エ
ピタキシャル成長処理中に基板４が湾曲したりしても、
基板４と融液９との間には隙間が生じず、融液９は基板
４の裏面全体にわたって均一に接触する。第２図は、そ
のような状態を示す図である。また、基板４の裏面に凹
凸があったとしても、融液９は、基板４の裏面の全体に
わたって均一に接触する。従って、融液９の熱伝導によ
って加熱される基板４は、その面方向において均一な温
度分布を有する。その結果、基板４上に形成されるエピ
タキシャル成長層は、その膜厚が均一になる。
第５図は、GaAs基板４上にエピタキシャル成長を行なわ
せるための一連のステップを示している。第１図および
第５図を参照して、基板４上にエピタキシャル成長層を
完成させるまでの一連の工程を説明する。予め、GaAs基
板４の裏面に、基板４と融液９との反応を防止するため
の保護膜をコーティングスル（ステップS1）。基板４と
してGaAsを用い、融液９としてGaを用いた場合、基板４
と融液９とが高温下において直接接触すると、GaAs基板
４と融液９とが反応しGaAs基板の一部が溶解してしまう
おそれがある。それを防止するために、予め、GaAs基板
４の裏面には、SiNまたはSiO2などの保護膜をコーティ
ングしておく。
せるための一連のステップを示している。第１図および
第５図を参照して、基板４上にエピタキシャル成長層を
完成させるまでの一連の工程を説明する。予め、GaAs基
板４の裏面に、基板４と融液９との反応を防止するため
の保護膜をコーティングスル（ステップS1）。基板４と
してGaAsを用い、融液９としてGaを用いた場合、基板４
と融液９とが高温下において直接接触すると、GaAs基板
４と融液９とが反応しGaAs基板の一部が溶解してしまう
おそれがある。それを防止するために、予め、GaAs基板
４の裏面には、SiNまたはSiO2などの保護膜をコーティ
ングしておく。
ホルダ２は上下動可能に設けられており、処理開始前に
おいてはホルダは第１図に示す位置よりも下方の位置に
もたらされている。このホルダ２の上にサセプタ７を置
き、サセプタ７の液層８内に融液９となるべき原料（G
a）を入れる（ステップS2）。Gaの融点は29.78℃であ
る。従って、Gaの原料をこの融点温度以上に暖めて液体
の状態にし、この液体状態にある原料を液槽８内に入れ
る。しかし、この段階においては、Ga原料を必ずしも液
体状態にする必要はなく、固体状態となっているGa原料
を液槽８内に入れるようにしてもよい。
おいてはホルダは第１図に示す位置よりも下方の位置に
もたらされている。このホルダ２の上にサセプタ７を置
き、サセプタ７の液層８内に融液９となるべき原料（G
a）を入れる（ステップS2）。Gaの融点は29.78℃であ
る。従って、Gaの原料をこの融点温度以上に暖めて液体
の状態にし、この液体状態にある原料を液槽８内に入れ
る。しかし、この段階においては、Ga原料を必ずしも液
体状態にする必要はなく、固体状態となっているGa原料
を液槽８内に入れるようにしてもよい。
次に、GaAs基板４を、液槽８内に入れられたGa融液原料
の上に載せる（ステップS3）。融液原料のGaの比重は基
板材料のGaAsの比重よりも大きいので、融液原料が液体
状態であるならば、GaAs基板４はこの液体の液面上に浮
いた状態で保持される。
の上に載せる（ステップS3）。融液原料のGaの比重は基
板材料のGaAsの比重よりも大きいので、融液原料が液体
状態であるならば、GaAs基板４はこの液体の液面上に浮
いた状態で保持される。
次に、ホルダ２を所定位置まで上昇させる（ステップS
4）。
4）。
次に、窒素ガス供給手段15から送り出されたN2ガスを反
応管１内に導入し、反応管１内をN2ガス雰囲気下にする
（ステップS5）。
応管１内に導入し、反応管１内をN2ガス雰囲気下にする
（ステップS5）。
次に、高周波加熱用コイル５に通電し、GaAs基板４を所
定温度となるまで昇温させる（ステップS6）。所定温度
は、たとえば約800℃である。サセプタ７が高周波加熱
用コイル５によって加熱され、融液９はサセプタ７から
の熱伝導によって加熱され、融液９はサセプタ７からの
熱伝導によって加熱される。また、基板４は、融液９か
らの熱伝導によって加熱される。前述したように、融液
９は、基板４の裏面の全体にわたって均一に接触するの
で、基板４は、その面方向において均一な温度分布を有
する。
定温度となるまで昇温させる（ステップS6）。所定温度
は、たとえば約800℃である。サセプタ７が高周波加熱
用コイル５によって加熱され、融液９はサセプタ７から
の熱伝導によって加熱され、融液９はサセプタ７からの
熱伝導によって加熱される。また、基板４は、融液９か
らの熱伝導によって加熱される。前述したように、融液
９は、基板４の裏面の全体にわたって均一に接触するの
で、基板４は、その面方向において均一な温度分布を有
する。
次に、エピタキシャル成長用原料ガスを反応管１内に導
入する（ステップS7）。具体的には、TMGガス供給手段1
0、TMAガス供給手段11、アルシンガス供給手段12、DEZ
ガス供給手段13および水素ガス供給手段14からそれぞれ
送り出されたトリメチルガリウムガス（TMGガス）、ト
リメチルアルミニウムガス（TMAガス）、アルシンガス
（AsH3ガス）、ジエチル亜鉛ガス（DEZガス）およびH2
ガスを反応管１内に導入する。TMGガスとTMAガスとAsH3
ガスの混合ガスが原料ガスであり、H2ガスがキャリアガ
スであり、DEZガスがドーパントガスである。
入する（ステップS7）。具体的には、TMGガス供給手段1
0、TMAガス供給手段11、アルシンガス供給手段12、DEZ
ガス供給手段13および水素ガス供給手段14からそれぞれ
送り出されたトリメチルガリウムガス（TMGガス）、ト
リメチルアルミニウムガス（TMAガス）、アルシンガス
（AsH3ガス）、ジエチル亜鉛ガス（DEZガス）およびH2
ガスを反応管１内に導入する。TMGガスとTMAガスとAsH3
ガスの混合ガスが原料ガスであり、H2ガスがキャリアガ
スであり、DEZガスがドーパントガスである。
TMGガス、TMAガスおよびAsH3ガスは、約800℃の温度ま
で加熱されたGaAs基板４の表面上で熱分解し、この基板
４の表面上でAlGaAs層のエピタキシャル成長が行なわれ
る。続いて、TMAガスの供給を停止し、原料ガスとしてT
MGガスおよびAsH3ガスを反応管１内に導入する。する
と、GaAs基板４上で成長したAlGaAs層の上でGaAs層のエ
ピタキシャル成長が行なわれる。この処理を繰返せば、
多層エピタキシャル成長を行なわせることができる。
で加熱されたGaAs基板４の表面上で熱分解し、この基板
４の表面上でAlGaAs層のエピタキシャル成長が行なわれ
る。続いて、TMAガスの供給を停止し、原料ガスとしてT
MGガスおよびAsH3ガスを反応管１内に導入する。する
と、GaAs基板４上で成長したAlGaAs層の上でGaAs層のエ
ピタキシャル成長が行なわれる。この処理を繰返せば、
多層エピタキシャル成長を行なわせることができる。
所望のエピタキシャル成長が完了すれば、高周波加熱用
コイル５に対する通電を止め、反応管１内の雰囲気の温
度を下げる（ステップS8）。この際、反応管１内にN2ガ
スを導入し、反応管１内をN2ガス雰囲気下にする（ステ
ップS9）。
コイル５に対する通電を止め、反応管１内の雰囲気の温
度を下げる（ステップS8）。この際、反応管１内にN2ガ
スを導入し、反応管１内をN2ガス雰囲気下にする（ステ
ップS9）。
基板４の温度が常温近くまでなったら、ホルダ２を下降
させる（ステップS10）。
させる（ステップS10）。
融液９の材料であるGaの融点は29.78℃であるので、ホ
ルダ２を下降させた直後においては融液９用のGaは依然
として液体状態のままである。この液体の液面に浮いて
いるGaAs基板４を、たとえばピンチセットなどを用いて
取出す（ステップS11）。
ルダ２を下降させた直後においては融液９用のGaは依然
として液体状態のままである。この液体の液面に浮いて
いるGaAs基板４を、たとえばピンチセットなどを用いて
取出す（ステップS11）。
次に、取出したGaAs基板４の裏面に付着したGa融液を、
布などのよって拭き取る（ステップS12）。この際、基
板４の裏面に付着しているGa融液を完全に除去するため
に、GaAs基板４の裏面をHCl溶液に浸けてもよい。
布などのよって拭き取る（ステップS12）。この際、基
板４の裏面に付着しているGa融液を完全に除去するため
に、GaAs基板４の裏面をHCl溶液に浸けてもよい。
最後に、GaAs基板４の裏面をフッ酸溶液に浸けることに
よって、基板４の裏面に形成されている保護膜を除去す
る（ステップS13）。
よって、基板４の裏面に形成されている保護膜を除去す
る（ステップS13）。
上記実施例では、GaAsの基板４に対して、Gaの融液９を
用いた。そして、薄膜形成用気体原料ガスは、TMGガス
を含んでいた。この場合、融液９の材料であるGaは、TM
Gガスの１成分であるので、融液９からの蒸発成分がエ
ピタキシャル成長に対して悪影響を及ぼさない。
用いた。そして、薄膜形成用気体原料ガスは、TMGガス
を含んでいた。この場合、融液９の材料であるGaは、TM
Gガスの１成分であるので、融液９からの蒸発成分がエ
ピタキシャル成長に対して悪影響を及ぼさない。
基板４としてGaAsを用い、薄膜形成用気体原料ガスとし
てTMGガスとTMAガスとAsH3ガスとの混合ガスを用い、融
液９としてGaの代わりにInを用いてもよい。InとGaと
は、元素の周期表で同じIII族に属するので、互いにそ
の性質が似通っている。従って、In融液からの蒸発成分
がエピタキシャル成長に対して悪影響を及ぼすことはな
い。ただ、Inは、その融点がGaよりもかなり高くて156.
6℃である。従って、前述のステップS2では、固体の状
態となっているInをサセプタ７の液槽８内に入れること
になる。また、エピタキシャル成長の完了後に基板４を
反応管１から取出す際には、融液９の材料であるInは固
体状態になっている。基板の裏面に付着した固体状のIn
は、基板の裏面HCl溶液に浸けることによって除去でき
る。
てTMGガスとTMAガスとAsH3ガスとの混合ガスを用い、融
液９としてGaの代わりにInを用いてもよい。InとGaと
は、元素の周期表で同じIII族に属するので、互いにそ
の性質が似通っている。従って、In融液からの蒸発成分
がエピタキシャル成長に対して悪影響を及ぼすことはな
い。ただ、Inは、その融点がGaよりもかなり高くて156.
6℃である。従って、前述のステップS2では、固体の状
態となっているInをサセプタ７の液槽８内に入れること
になる。また、エピタキシャル成長の完了後に基板４を
反応管１から取出す際には、融液９の材料であるInは固
体状態になっている。基板の裏面に付着した固体状のIn
は、基板の裏面HCl溶液に浸けることによって除去でき
る。
前述の説明では、ドーパントガスとしてジエチル亜鉛ガ
スを用いていたが、ジエチル亜鉛ガスの代わりにH2Seガ
スを用いてもよい。
スを用いていたが、ジエチル亜鉛ガスの代わりにH2Seガ
スを用いてもよい。
サセプタ７の材料としては、カーボンの代わりに、ボロ
ンナイトライド、窒化シリコン、窒化カーボンなどを用
いてもよい。カーボン製のサセプタは多孔質であるの
で、エピタキシャル成長処理開始前に反応管１内をN2ガ
スで置換したとしても、カーボン製のサセプタ内には空
気が残存するおそれがある。この残存空気は、エピタキ
シャル成長処理に対して悪影響を及ぼす。このことを回
避するために、好ましくは、カーボン製のサセプタ７の
外面上には、SiCコーティングが施される。
ンナイトライド、窒化シリコン、窒化カーボンなどを用
いてもよい。カーボン製のサセプタは多孔質であるの
で、エピタキシャル成長処理開始前に反応管１内をN2ガ
スで置換したとしても、カーボン製のサセプタ内には空
気が残存するおそれがある。この残存空気は、エピタキ
シャル成長処理に対して悪影響を及ぼす。このことを回
避するために、好ましくは、カーボン製のサセプタ７の
外面上には、SiCコーティングが施される。
融液９としてGaまたはInを用いた場合には、GaまたはIn
が高周波加熱によって加熱され得るので、サセプタ７を
構成する材料として絶縁体である石英を用いることがで
きる。石英製のサセプタは多孔質ではないので、カーボ
ン製サセプタを用いる場合のような不具合は生じない。
が高周波加熱によって加熱され得るので、サセプタ７を
構成する材料として絶縁体である石英を用いることがで
きる。石英製のサセプタは多孔質ではないので、カーボ
ン製サセプタを用いる場合のような不具合は生じない。
液槽８を有するサセプタ７が高周波加熱によって加熱さ
れ得る材料から作られていれば、融液９としてB2O3のよ
うなガラス融液を用いることができる。B2O3は不活性で
あるので、エピタキシャル成長処理に対して悪影響を及
ぼさない。ただ、B2O3の比重はGaAsの比重よりも小さ
い。従って、GaAs製の基板４は、B2O3の融液９の液面上
には浮かばない。そのために、基板４の裏面を融液９の
液面に接触させた状態で、基板４を支持するための基板
支持部材を別に設ける必要がある。その例を、第３図に
示している。液槽８を有するサセプタ７の上部には、基
板４の裏面を下から支える基板支持部材16が取付けられ
ている。基板４が第３図に示すように基板支持部材16に
よって支持されている状態において、B2O3の融液９は、
基板４の裏面の全面にわたって均一に接触している。従
って、融液９の熱伝導によって加熱される基板４は、そ
の面方向における温度分布が均一になる。
れ得る材料から作られていれば、融液９としてB2O3のよ
うなガラス融液を用いることができる。B2O3は不活性で
あるので、エピタキシャル成長処理に対して悪影響を及
ぼさない。ただ、B2O3の比重はGaAsの比重よりも小さ
い。従って、GaAs製の基板４は、B2O3の融液９の液面上
には浮かばない。そのために、基板４の裏面を融液９の
液面に接触させた状態で、基板４を支持するための基板
支持部材を別に設ける必要がある。その例を、第３図に
示している。液槽８を有するサセプタ７の上部には、基
板４の裏面を下から支える基板支持部材16が取付けられ
ている。基板４が第３図に示すように基板支持部材16に
よって支持されている状態において、B2O3の融液９は、
基板４の裏面の全面にわたって均一に接触している。従
って、融液９の熱伝導によって加熱される基板４は、そ
の面方向における温度分布が均一になる。
第４図は、液槽８内に蓄えられる融液として、比重の異
なる２つの液層を用いた例を図示している。融液は、相
対的に大きな比重を有し下方に位置する下部液層9aと、
相対的に小さな比重を有し上方に位置する上部液層9bと
を備えている。下部液層9aを構成する材料は、たとえば
高周波加熱によって加熱され得る材料である。一方、上
部液層9bを構成する材料は、好ましくは、基板４に対し
て不活性な材料である。そのような不活性な材料の例と
して、B2O3が挙げられる。融液をこの第４図に示す例の
ように２つの液層に分けることの利点は、以下のとおり
である。まず、下部液層9aは上部液層9bによって覆われ
るので、下部液層9aからの蒸発成分は生じない。また、
下部液層9aは基板４と接触しないので、基板４に対する
反応性について考慮する必要はない。従って、下部液層
9aとして使用できる材料は、広範囲になる。一方、上部
液層9bとして使用されるB2O3は、不活性であり、基板４
とも反応しない。
なる２つの液層を用いた例を図示している。融液は、相
対的に大きな比重を有し下方に位置する下部液層9aと、
相対的に小さな比重を有し上方に位置する上部液層9bと
を備えている。下部液層9aを構成する材料は、たとえば
高周波加熱によって加熱され得る材料である。一方、上
部液層9bを構成する材料は、好ましくは、基板４に対し
て不活性な材料である。そのような不活性な材料の例と
して、B2O3が挙げられる。融液をこの第４図に示す例の
ように２つの液層に分けることの利点は、以下のとおり
である。まず、下部液層9aは上部液層9bによって覆われ
るので、下部液層9aからの蒸発成分は生じない。また、
下部液層9aは基板４と接触しないので、基板４に対する
反応性について考慮する必要はない。従って、下部液層
9aとして使用できる材料は、広範囲になる。一方、上部
液層9bとして使用されるB2O3は、不活性であり、基板４
とも反応しない。
さらに、下部液層9aを構成する材料として高周波加熱に
よって加熱され得る材料を選べば、サセプタ７として絶
縁体である石英を用いることができる。たとえば、下部
液層9aとしてGaまたはInが用いられる。そして、上部液
層9bとしてB2O3が用いられたとする。この組合わせの場
合、まず、下部液層9aが高周波加熱によって直接加熱さ
れる。上部液層9bは、下部液層9aからの熱伝導によって
加熱される。基板４は、上部液層9bからの熱伝導によっ
て加熱される。
よって加熱され得る材料を選べば、サセプタ７として絶
縁体である石英を用いることができる。たとえば、下部
液層9aとしてGaまたはInが用いられる。そして、上部液
層9bとしてB2O3が用いられたとする。この組合わせの場
合、まず、下部液層9aが高周波加熱によって直接加熱さ
れる。上部液層9bは、下部液層9aからの熱伝導によって
加熱される。基板４は、上部液層9bからの熱伝導によっ
て加熱される。
なお、基板４を加熱するための融液９としてB2O3を用い
た場合には、第５図に示したステップS1およびステップ
S13は不要となる。すなわち、B2O3はGaAs製基板４に対
して不活性であるので、基板４の裏面に保護膜のコーテ
ィングを施す必要がない。
た場合には、第５図に示したステップS1およびステップ
S13は不要となる。すなわち、B2O3はGaAs製基板４に対
して不活性であるので、基板４の裏面に保護膜のコーテ
ィングを施す必要がない。
融液９としてB2O3を用いた場合には、前述のステップS1
1において基板４を取出したとき、基板４の裏面には固
体状のB2O3が付着する。この付着したB2O3を取除くため
に、基板４の裏面はフッ酸溶液に浸けられる。
1において基板４を取出したとき、基板４の裏面には固
体状のB2O3が付着する。この付着したB2O3を取除くため
に、基板４の裏面はフッ酸溶液に浸けられる。
基板４として、GaAs製基板の代わりに、InP製基板を用
いてもよい。この場合、融液９としてIn、GaまたはB2O3
等が使用可能である。
いてもよい。この場合、融液９としてIn、GaまたはB2O3
等が使用可能である。
以上、有機金属化学堆積法（MOCVD法）によって半導体
基板上に金属化合物をエピタキシャル成長させる例を説
明したが、この発明は、それ以外の用途にも利用され得
る。たとえば、この発明は、SiO2やSiNのような絶縁膜
のエピタキシャル成長を行なう場合にも、またクロライ
ド法に依る気相成長法や、ハイドライド法に依る気相成
長法にも同様に適用され得る。
基板上に金属化合物をエピタキシャル成長させる例を説
明したが、この発明は、それ以外の用途にも利用され得
る。たとえば、この発明は、SiO2やSiNのような絶縁膜
のエピタキシャル成長を行なう場合にも、またクロライ
ド法に依る気相成長法や、ハイドライド法に依る気相成
長法にも同様に適用され得る。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、基板の表面上でエピ
タキシャル成長を行なう場合、基板の裏面の全体にわた
って均一に接触している融液からの熱伝導によって基板
を加熱するものであるので、基板の温度分布は、その面
方向において均一になる。従って、基板の表面上に形成
されるエピタキシャル成長層の膜厚は均一になる。
タキシャル成長を行なう場合、基板の裏面の全体にわた
って均一に接触している融液からの熱伝導によって基板
を加熱するものであるので、基板の温度分布は、その面
方向において均一になる。従って、基板の表面上に形成
されるエピタキシャル成長層の膜厚は均一になる。
第１図は、この発明に従った気相エピタキシャル成長装
置の一実施例を示す図解図である。 第２図は、基板が融液の上に置かれている状態を図解的
に示す図である。 第３図は、基板を基板支持部材によって支持している状
態を示す図解図である。 第４図は、融液として、２つの液層が用いられている例
を図解的に示す図である。 第５図は、第１図に示す装置を用いてエピタキシャル成
長を行なう場合の工程を順次的に示す図である。 第６図は、従来から用いられている気相エピタキシャル
成長装置の図解図である。 第７図は、基板とこの基板を下から支持するサセプタと
の接触部分を拡大して示す断面図である。 第８図は、基板とこの基板を下から支持するサセプタと
の接触部分の構造の他の例を示す断面図である。 図において、１は反応管、４は基板、５は高周波加熱用
コイル、７はサセプタ、８は液槽、９は融液を示す。 なお、各図において、同一の番号は同一または相当の要
素を示す。
置の一実施例を示す図解図である。 第２図は、基板が融液の上に置かれている状態を図解的
に示す図である。 第３図は、基板を基板支持部材によって支持している状
態を示す図解図である。 第４図は、融液として、２つの液層が用いられている例
を図解的に示す図である。 第５図は、第１図に示す装置を用いてエピタキシャル成
長を行なう場合の工程を順次的に示す図である。 第６図は、従来から用いられている気相エピタキシャル
成長装置の図解図である。 第７図は、基板とこの基板を下から支持するサセプタと
の接触部分を拡大して示す断面図である。 第８図は、基板とこの基板を下から支持するサセプタと
の接触部分の構造の他の例を示す断面図である。 図において、１は反応管、４は基板、５は高周波加熱用
コイル、７はサセプタ、８は液槽、９は融液を示す。 なお、各図において、同一の番号は同一または相当の要
素を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】薄膜形成用気体原料を、加熱された基板表
面上に導き、該基板表面上でエピタキシャル成長させる
ための装置であって、 反応管と、 前記反応管内に前記薄膜形成用気体原料を供給するため
の原料ガス供給手段と、 前記反応管内に配置された液槽と、 前記液槽内に蓄えられ、その液面が前記基板の裏面に接
触するようにされた融液と、 前記融液からの熱伝導によって前記基板が所定の温度ま
で昇温するように、前記融液を加熱するための加熱手段
と、 を備える、気相エピタキシャル成長装置。 - 【請求項２】薄膜形成用気体原料を、反応管内の基板表
面上に導き、該基板表面上でエピタキシャル成長させる
ために、前記基板を所定の温度にまで加熱する方法であ
って、 前記反応管内に融液を蓄えた液槽を配置する工程と、 前記基板の裏面を前記融液に接触させる工程と、 前記融液を加熱し、この融液からの熱伝導によって前記
基板を前記所定の温度にまで加熱する工程と、 を備えた、基板の加熱方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63182110A JPH0676275B2 (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | 気相エピタキシャル成長装置および基板の加熱方法 |
| US07/379,389 US5020474A (en) | 1988-07-21 | 1989-07-13 | Apparatus for vapor phase epitaxial growth |
| US07/525,009 US5091044A (en) | 1988-07-21 | 1990-05-18 | Methods of substrate heating for vapor phase epitaxial growth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63182110A JPH0676275B2 (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | 気相エピタキシャル成長装置および基板の加熱方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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