KR100643062B1 - 기판상에서의 에피택셜 성장 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 제1 재료(100)를 제2 재료(200)로 된 기판(10) 상에서 성장시키는 단계 (a), 제1 재료(100)의 결정 선단을 그 제1 재료(100)와 용융 재료 사이의 접촉면으로부터 성장시키는 단계(d, d'), 결정을 상기 결정 선단으로부터 용융 재료의 자유 표면에 평행한 면에서 횡방향으로 성장시키는 단계(f, f')를 포함하는 것을 특징으로 하는, 제1 재료(100) 상의 재료를 상기 고형 제1 재료 상의 용융 재료로부터 에피택셜 성장시키는 방법에 관한 것이다.

Description

기판상에서의 에피택셜 성장 방법{METHOD FOR EPITAXIAL GROWTH ON A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 상에 재료의 박막 침착 방법 및 결정 성장 방법 분야에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 방법을 수행하는 반응기에 관한 것이다.

예컨대, 상기 방법은 이성분 화합물의 성장 방법일 수 있다. 특정의 이성분 화합물은 액상으로 존재하지 않으며, 동종 적층 성장(homoepitaxial growth)을 허용하는 이들 화합물의 대형 결정 또한 입수가 용이하지 않다. 특히, 탄화규소(SiC) 및 질화알루미늄(AlN)의 경우에 그러하다.

특히, SiC에 있어서, 결정은 아케손(Acheson) 방법에 따라 제조된 후, 그것은 렐리(Lely) 방법에 따라 성장용 종자로서 활용된다. 이렇게 하여 얻어진 결정은 매우 우수한 결정성을 지니나, 통상 그 크기는 1 ㎝ 정도이다. 그것은 산업적 용도로 사용하기에는 너무 작으므로 그것을 5 내지 10 ㎝로 성장시킬 수 있는 성장 방법이 요구된다. 소위 변형 렐리 방법은 6H 또는 4H 폴리타입과 같은 SiC를 생산하는 유일한 산업적 방법이다. 이것은 2300℃에서 미립 SiC 충전제를 승화시키고 그 위에 배치한 종자상에서 그것을 2100℃로 응축시키는 것으로 구성된다. 이 방법은 결함이 없는 것은 아닌데, 특히 성장이 이루어져야 하는 온도(즉, 2300℃)로 인한 것이다. 이 온도까지 상승시키는 장치는 매우 고가이며 결정 크기를 증가시키기 위해서는 매우 많은 난점이 존재한다. 더구나, 이 방법으로 얻어진 결정은 대형 동력 부품의 제조에 유해한 마이크로채널을 갖는다.

고온 화학 증착법(CVD) 및 액상 성장법으로 SiC 결정을 성장시키는 방법은 높은 성장 속도를 보이나 횡방향, 즉 주로 침착면 내에서 만족스러울 정도의 결정 치수로 결정을 성장시키는 것은 가능하지 않다.

또한, "저온" CVD 방법은 SiC를 성장시키기 위해 존재하는 것으로, 매우 큰 치수의 규소 기판에 SiC를 성장시킬 수 있으나, 얻어진 층의 품질은 층과 기판간 결정 격자들의 부정합으로 인한 고밀도 전위(轉位)가 존재하기 때문에 전자 부품 제작용으로는 매우 불충분하다.

AlN의 경우, 이 물질의 결정 공급업체가 존재하지 않으므로 상황은 훨씬 나쁘다.

본 발명의 한 목적은 기판상에서 액상으로부터 성장시키는 것에 의해, 제조된 결정의 결정 품질을 개선시킬 수 있는 방법 및 반응기를 제공하는 것이다.

상기 목적은 하기 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는, 고형 제1 재료 상의 재료를 상기 고형 제1 재료 상의 용융 재료로부터 결정 성장시키는 방법인 본 발명의 방법에 의해 달성된다:

- 상기 제1 재료(100)를 제2 재료(200)로 이루어진 기판(10) 상에서 성장시키는 단계 (a),

- 제1 재료(100)의 결정 선단(tip)을 그 제1 재료(100)와 용융 재료 사이의 계면으로부터 성장시키는 단계(d, d'),

- 상기 결정 선단으로부터 용융 재료의 자유 표면에 대체로 평행한 면에서 횡방향으로 결정을 성장시키는 단계(f, f').

이는 팁을 통한 성장은 제1 재료가 자체적으로 많은 전위를 갖는다는 사실 로 인해, 예를 들면 제1 재료와 이 제1 재료가 이종적층 성장하는 기판간의 격자 부정합으로 인해 일반적으로 높은 전위 밀도를 감소시키는 반면에, 액체 상태인 선단의 말단 쪽으로 제1 재료의 표면의 마주 보는 사이드에 응력 이완이 일어나는데, 이는 결과적으로 전위수에 있어서 약간의 감소를 초래하나, 일정한 전위 밀도에 대해서도 각 선단의 작은 표면적으로 인해 후자는 몇개의 전위를 갖기만한다.

유리하게, 본 발명의 방법은 온도 구배 방향을 역전시키는 단계를 포함한다.

따라서, 이들 선단이 약 10 ㎛ 높이에 도달하는 경우, 상기 온도 구배의 역전은 이들 선단의 상부로부터의 횡방향 성장을 야기한다. 제1 재료의 표면에 매우 많은 전위는 선단 상부에서는 그 수가 적으며 횡방향으로 성장한 결정에서는 매우 드물다. 이들 결정은 서로에 대해 완벽하게 배향되어 있으며 두께가 충분히 커질 때 합체하여 매우 높은 결정질의 단일한 단결정을 형성한다. 이 단결정의 최대 직경은 출발 기판의 최대 직경에 관련되는데, 예컨대 SiC/Si의 경우 300 ㎜이다.

또한, 본 발명은 본 발명의 방법을 수행하는 결정 성장 반응기에 관한 것으로서, 이 반응기는 용융 재료의 자유 표면에 수직하게 온도 구배를 만들 수 있는 가열 수단을 포함한다.

이는 온도 구배의 존재가 제1 재료의 면에 평행한 2차원 성장이 아닌, 구배 방향으로 전개되는 선단을 통한 성장을 가능하게 하기 때문이다.

본 발명의 추가의 잇점, 목적 및 유익은 후술한 발명의 상세한 설명을 통해 밝혀질 것이다.

또한, 본 발명은 도면을 참고로 더욱 명확하게 이해된다.

도 1은 본 발명의 방법을 수행하는 방법에 대한 일례의 다양한 단계들을 개략적으로 예시한 것이다.

도 2는 본 발명의 방법을 수행하는 방법에 대한 또 다른 일례의 다양한 단계들을 개략적으로 예시한 것이다.

도 3은 본 발명의 반응기의 한 예를 종방향 반 구간에서 개략적으로 예시한 것이다.

도 4는 제1 가열 수단과 도관(duct)의 배열을 예시한 것으로, 이들은 도 3의 반응기 구성에 사용된다.

도 5는 도관을 도 3에 예시한 반응기 챔버 내에서 그대로 유지시키는 부품의 상면도이다.

도 6은 본 발명의 반응기의 또 다른 예를 종방향 반 구간에서 개략적으로 예시한 것이다.

도 7은 본 발명의 반응기의 또 다른 예를 종방향 반 구간에서 개략적으로 예시한 것이다.

본 발명의 방법을 수행하는 방식의 제1 예에 따르면, 본 발명은

- 제2 재료(200)로 구성된 기판 상에서 제1 재료(100)를 성장시키는 단계 (a)(도 1a),

- 제1 재료(100)가 제2 재료(200) 아래에 존재하며 도가니(300) 내에서 수평하도록 기판을 배치시키는 단계 (b)(도 1b),

- 제2 재료(200)를 고압 비활성 가스의 스트림내에서 용융점까지 상승시키는 한편, 제1 재료(100)는 고체 상태로 유지시키고, 그 후 제2 재료는 도면 부호(600)에 해당하는 용융 상태로 유지시키는 단계 (c),

- 용융 재료의 자유 표면에 수직하게 온도 구배를 설정하여 제1 재료(100)와 용융 제2 재료(600) 사이의 계면을 용융 제2 재료(600)의 자유 표면 온도보다 더 높은 온도로 하고, 용융 제2 재료(600)의 표면을 쓸어내는 비활성 가스의 스트림에 전구체 가스를 첨가하는 단계로서, 상기 전구체 가스의 1 종 이상의 원자 종은 용융 제2 재료(600)로부터 나오는 1종 이상의 제2 원자 종과 함께 제4 재료(500)의 성장에 참여하는데, 이 성장은 제1 재료(100)와 용융 제2 재료(600) 사이의 계면으로부터 제1 재료(100)와 연속 결정 상태(도 1c)로 제4 재료(500)의 선단을 거쳐 이루어지는 것인 단계 (d),

- 온도 구배 방향을 역전시키는 단계 (e), 및

- 선단을 구성하는 성장 종자로부터 결정을 용융 제2 재료(600)의 자유 표면에 대체로 평행한 면에서 횡방향으로 성장시키는 단계 (f)(도 1d).

단계 (a)동안, 제1 재료(100)의 단일결정질 박층은 당업자에게 공지된 종래 의 방법, 예컨대 화학증착법으로 제2 재료(200)의 기판에 침착된다.

본 명세서에 기술된 실시예의 경우, 제2 재료(200)로 이루어진 기판은 단일결정질 규소이며, 제1 재료(100)는 탄화규소이다. 얻어진 탄화규소의 단일결정질 층은 규소와 탄화규소간 결정 파라미터의 부정합으로 인해 높은 전위 밀도를 갖는다.

단계 (b)에서, 상단에 침착된 기판 및 층은 기판 아래의 층이 수직 온도 구배는 제어되면 수평 온도 구배는 제어 되지 않게 만든 특수 반응기내에 수평하게 배치된다. 도가니(300)의 높이는 규소 기판을 용융하는 동안 상기 액체가 도가니(300)의 연부를 넘지 않도록 하는 높이이다. 이 조건은 액체 누출을 제한할수 있도록 하며, 제1 재료(100) 층의 수직 연부가 파괴된다면, 이 재료는 도가니와 성장 종자 모두이다.

용융 제2 재료(600)를 구성하는 액체의 물리적 또는 반응성 증발을 제한하기 위해서, 반응기를 가동시키는 통상의 조작 후, 전체 기판 상에서 거의 균일한 전구체 가스 농도를 보장하기에 충분히 높은 유속으로 비활성 담체 가스(예, 아르곤)를, 바람직하게는 대기압 또는 그 이상의 압력에서 반응기로 도입한다.

단계 (c)동안, 온도는 제2 재료(200), 이 경우 규소의 용융점 이상으로 상승하여, 용융 제2 재료(600)의 자유 표면에서의 온도가 제1 재료(100)와 용융 제2 재료(600)사이의 계면의 온도보다 낮아지게 된다.

제1 재료(100) 위 용융 제2 재료(600)의 두께는 백 혹은 몇백 ㎛ 또는 심지어는 수 ㎜ 정도인 것이 유리하다.

단계 (d)동안, 전구체 가스(예, SiC의 경우 프로판)를 담체 가스와 혼합한다. 전구체 가스는 용융 제2 재료(600)의 표면에서 분해되며, 이 경우 탄소를 제공하는 제1 원자 종은 결정 선단 및 용융 제2 재료(600)(Si) 사이의 계면으로 확산한다. 이로써 제4 재료(500), 이 경우 제1 재료(100)와 동일한 것, 즉 탄화규소의 성장에 참여한다. 전구체 가스의 기타 성분은 담체 가스에 의해 반응기의 배출구로 제거된다.

단계 (d)동안, 제1 재료(100) 층 위의 제4 재료(500)의 결정 선단은 용융 제2 재료(600) 내에서 성장한다. 전구체 가스의 부분압은 그 상한선에 도달하지 않아야 하는데, 이는 용융 제2 재료(600)의 표면에 제4 재료(500)의 연속층을 형성시키므로 어떠한 성장도 즉각적으로 정지시키는 효과를 갖는다. 이 제한적인 부분압은 용융 제2 재료(600)의 온도에 좌우된다. 전형적으로는 1000 파스칼이다.

전술한 이와 같은 조건하에서, 결정 선단은 분리되며 상당히 균일하게 분포된다.

단계 (e)는 결정 선단의 높이가 약 10 ㎛에 도달했을 때 시작한다. 이 단계는 온도 구배 방향을 역전시키는 것인데, 즉 용융 제2 재료(600)의 자유 표면 온도를 용융 제2 재료(600)와 제1 재료(100) 사이의 계면 온도보다 높은 온도로 상승시키되, 나머지 모든 파라미터는 동일하게 유지한다. 이것은 제4 재료(500), 이 경우 SiC를 결정 선단의 상부로부터 횡방향으로 성장시키는데, 이는 단계 (f)에서도 계속된다.

단계 (f)는 결정이 두꺼운 단일결정 층으로 합체될 때까지 계속된다.

결정 선단 상부로부터 횡방향으로 성장시킨 모든 미소결정을 합체시킴으로써 제4 재료(SiC)의 완전층(700)이 마지막으로 얻어진다.

더 두꺼운 층을 얻기 위해서는, 용융 제2 재료(600)을 소비한 후, 반응기를 냉각시키고, 두께 성장을 계속하기 위해 제4 재료(500) 상에 제2 재료를 더 놓는 단계 (g)를 수행할 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 기술된 예에서는, 규소 장애물이 층(700) 상에 침착한다. 그 후, 용융 제2 재료(600)를 가열하고 단계 (f)에서와 같이 그 표면을 쓸어냄으로써, 즉 결정 선단을 형성하는 새로운 단계를 거치지 않고 성장을 반복한다.

이렇게 하여 얻어진 제4 재료(500)의 전형적인 성장 속도는 몇십 ㎛/시이다.

도 2에 도시한, 본 발명의 방법을 수행하는 방식의 두번째 예에 따르면, 상기 방법은

- 이미 전술한 단계 (a)와 동일한 단계 (a')(도 2a),

- 도가니(300)에 수평하게 기판을 배치하되, 제1 재료(100)는 제2 재료(200) 위에, 제3 재료(400)는 제1 재료(100) 상에 두는 단계 (b')(도 2b),

- 제1 재료(100) 및 제2 재료(200)를 고체 상태로 유지시키면서 제3 재료(400)를 용융시키는 단계 (c'), 및

- 각각 앞에서 기술한 단계(d), (e), (f) 및 (g)와 동일한 단계(d'), (e'), (f') 및 임의로 (g').

본 발명 방법에 따라 질화 알루미늄 AlN을 성장시키는 경우, 제1 재료(100) 및 제4 재료(500)는 질화알루미늄이고 제2 재료(200)는 사파이어 또는 기타 탄화규 소이며, 제3 재료(400)는 알루미늄(Al)이다.

따라서, 질화알루미늄은 단계 (a')동안 사파이어에 침착한다. 단계 (b')에서, 사파이어 기판은 질화알루미늄이 상부에 놓이도록 도가니(300) 내에 배치된다. 단계 (c') 동안 질화알루미늄 상에서 알루미늄을 액체 상태로 가열한다.

단계 (d')동안 제1 원자 종으로서 질소를 전달하기 위해, 전구체 가스로서 암모니아 또는 질소를 담체 가스와의 혼합물로서 사용한다. 이 방법의 나머지는 전술한 방법과 동일하다.

본 발명은 2300℃ 대신 1500℃의 온도에서 투하 자본 및 작동 단가가 많이 들지 않는 반응기에서, 예컨대 3C 또는 6H 폴리타입과 같은 대형 직경(최대 200 ㎜ 이상)의 SiC 웨이퍼를 마이크로채널 없이 제조할 수 있게 한다.

SiC 및 AlN을 사용하여 예시된 본 발명의 방법은 기타 이성분 화합물뿐 아니라 삼성분 화합물 등의 성장에 사용할 수 있다.

본 발명 반응기의 비제한적인 예가 도 3에 예시되어 있다. 이 반응기(1)는 관(3)으로 이루어진 챔버(2), 이 관(3)의 한 단부에 위치한 제1 막힘판(4) 및 이 제1 막힘판(4)에 대해 관(3)의 맞은편 단부에 위치한 배출구 크로스(5)를 포함한다. 전체 반응기(1)를 밀봉하여 가능한한 몇 MPa의 압력을 유지하도록 할 수 있다. 반응기(1)의 밀봉은 밀봉체(32, 33)에 의해 제공된다.

배출구 크로스(5)는 "T"모양 부품으로 대체될 수 있다.

관(3)의 축은 수평하다. 관(3)의 내부에 이것과 동축으로 도관(6)을 배치한다. 관(3)의 외부에 관(3)을 냉각시킬 수 있는 냉각 수단(11)을 배치한다. 관(3)은 스텐레스 강으로 된 원통형이 유리하다.

배출구 크로스(5)는 그것의 한 배출구가 펌프 시스템에 접속되므로 고정하는 것이 바람직하다.

배출구 크로스(5)는 저부 개구 및 하부 개구를 구비하는데, 이들은 수직 방향으로 방사상으로 마주한다. 이 배출구 크로스(5)의 저부 개구는 일정한 압력으로 가스를 배출시키기 위해, 저압용 펌프 및 압력 조절기 상에 또는 대기압보다 높은 압력용 압력 방출 밸브 상에 존재한다. 이들 장치는 도 3에 예시되어 있지 않다. 배출구 크로스(5)의 상부 개구는 제2 막힘판(26)에 의해 용접 밀봉된다. 또한, 배출구 크로스(5)는 관(3)에 종방향으로 마주한 개구를 지닌다. 이 개구는 임의로 회전 통로를 구비할 수 있다. 본 명세서에 제시한 실시양태에서, 개구는 관(3)의 축에 수직한 제3 막힘판(27)에 의해 폐쇄된다. 제3 막힘판(27)에는 임의로 상기 도관(6) 내부에 광학적 계측을 위한 윈도우 또는 이동식 거울이 장착될 수 있다. 이 제3 막힘판(27)은 기판(10)을 반응기(1)에 도입하거나 반응기(1)로부터 추출하는 용접 밀봉 포트(28)을 포함한다. 또한, 이 제3 막힘판(27)은 가이드(30, 31)를 구비한다. 이 가이드(30, 31)는 막힘판(27) 면에 수직하며 막힘판에 단단히 고정된다. 이들 가이드(30, 31)는 매니퓰레이터(도시되지 않음)를 수평적으로 가이드하기 위해 사용된다. 또한, 제3 막힘판(27)은 제1 흐름 리이드(22, 23)용 통로를 포함한다. 챔버(2)의 안쪽으로 위치한 제1 흐름 리이드(22, 23)의 부분은 연결자(24, 25)를 구비한다.

도관(6)은 제1 막힘판(4)에 도관(6)을 고정시키는 수단(35)에 의해 관(3)에 배치되어 그대로 유지된다. 따라서, 도관(6)은 관(3)과 접촉하지 않도록 그대로 유지된다. 이로써 열전도 손실을 제한하여 열 변형을 막을 수 있다.

도 4에 예시된 바와 같이, 도관(6)은 한 단부에 좁아지는 부위(36)를 갖는 장방형 단면을 갖는 관 형태이다. 이 도관(6)은 저부벽(37)과 상부벽(38)을 형성하는 두개의 판을 포함한다. 도관(6)의 저부벽(37)과 상부벽(38)은 수평하며 침착 단계 동안 그것이 점유하는 위치에 있는 기판(10)의 면에 평행하다. 측벽(39, 40)은 도관(6)을 종방향으로 폐쇄하기 위해 저부벽(37) 및 상부벽(38)의 종축 연부와 연결된다. 상기 좁아지는 부위(36)와 동일한 사이드에 위치한 도관(6)의 단부는 정사각형 단면을 갖는다. 그것은 도관(6)의 종축에 수직한 지지체판(41)을 구비한다. 이 지지체판(41)은 상기 좁아지는 부위(36)와 동일한 사이드에 위치한 도관(6)의 마우쓰에 마주한 개구를 구비한다. 또한, 이 지지체 판(41)도 고정 수단(35)을 사용하여 도관(6)을 제1 막힘판(4)에 고정시키기 위한 구멍들을 갖는다. 도관(6)이 제1 막힘판(4)에 고정되었을 때, 상기 좁아지는 부위(36)와 동일한 사이드에 위치하는 도관(6)의 마우쓰 및 지지체판(41)의 개구는 가스 유입구(7)에 마주 놓인다. 도관(6)은 가스 유입구(7)에서 제1 막힘판(41)에 대해 밀봉식으로 접속된다. 도관(6)과 제1 막힘판(4) 간의 접속부는, 예를 들면 고정 수단(35)을 사용하여 흑연 밀봉체를 조임으로써 밀봉된다.

가스 유입구(7)는 반응기(1)에 담체 및 전구체 가스를 공급하는 데 사용된다. 또한, 제1 막힘판(41)은 제1 막힘판(41)에 의해 형성되며 도관(6)과 관(3)의 벽 사이에 나타나는 디스크의 면에 수직한 대칭축에 대해 오프셋(offset)되는 가스 통로(44)를 구비한다. 또한, 가스 통로(44)는 반응기(1) 내에 가스를 도입시킨다. 가스 통로(44)는 반응기(1) 내에 장입된 모든 재료에 대해, 침착시키고자 하는 재료에 대해, 그리고 도관(6) 내에 유입되는 가스에 대해 비활성인 가스를 유입시키는데, 이 비활성 가스는 본 방법으로 얻어진 가스가 도관(6) 외부의 가열 부분쪽으로 복귀하는 것을 막는다.

도관(6)은, 양호한 열 전도체이며, 양호한 절연체이고, 내화성이 크고, 화학적으로 매우 안정하며 작동 온도에서 매우 낮은 증기압을 가지며, 임의로 이 반응기(1) 내 기판(10)에 침착시키고자 하는 재료를 피복하기 전에 반응기(1)의 정상적인 작동 중 임의의 탈기용 물질의 확산을 최소화하기 위해 도관(6)의 벽(37, 38, 39, 40)의 내면에 침착시킬 수 있는 재료 중에 존재하는 것이 바람직하다.

이 재료는 상기 도관(6)의 벽(37, 38, 39, 40) 두께를 작게 하기 위해서 우수한 기계적 강도를 갖는 것이 더 유리하다. 이 벽(37, 38, 39, 40)의 두께가 작으면 열전도 손실을 최소화할 수 있다.

또한, 좁아지는 부위(36)와 동일한 면에 위치한 그 단부 및 지지체판(41)에 의해서만 도관(6)을 지지할 수 있다는 점에서 도관 재료의 기계적 강도는 중요하다.

도관(6)의 구조재는 높은 질소 농도로 인해 생성된 재료의 예상 품질을 손상시키지 않는다면 1200℃ 이상의 온도에서 사용할 수 있는 질화붕소인 것이 유리하다.

더 높은 온도에서는, 도관(6)을 흑연으로 만들 수 있다. 경우에 따라, 다른 경우와 마찬가지로, 도관(6)의 최고온 부분을 내화성 재료로 된 제2 도관, 예를 들면 도관(6)에 유입되는 가스에 대해, 그리고 침착된 물질에 대해 비활성인 내화성 금속으로 내부 라이닝할 수 있다. 도관(6)은 그것이 흑연으로 되었던 질화붕소로 되었던 간에 열분해 증착법 또는 벽(37, 38, 39, 40)의 다양한 성분들의 판 및 지지체판(41)을 조립하고/하거나 접착 결합시키는 방법에 의해 제조될 수 있다. 이 제2 도관이 하나인 경우, 연속식으로 도관(6)의 내부를 라이닝하는 것이 유리한데, 다시 말하면 제2 도관이 판들로 이루어지는 경우, 이들은 이음매가 없는 것으로서 이들 판에 구멍을 갖지 않는다. 제2 도관은, 예를 들면 텅스텐, 탄탈륨, 몰리브덴, 흑연 또는 질화붕소로 제조된다.

실시예에 의하면, 도관(6)의 벽 두께는 약 1 ㎜ 이하이며, 도관(6)의 내부 높이는 30 ㎜ 미만인 것이 바람직하고, 도관(6)의 폭은 기판(10)의 폭과 같거나 또는 동일 침착과정 중 처리되는 기판(10)의 폭에 기판(들)(10)과 벽(39 및 40)사이의 약 1 ㎝를 더한 것과 동일하다.

좁아지는 부분(36)에 해당하는 도관(6)의 부분은 도관(6) 전체 길이의 약 1/5에 해당한다. 일정한 횡단면을 갖는 도관(6) 부분의 길이는 사용하고자 하는 최대 기판(10)의 직경 또는 길이의 약 5배 또는 동일한 조작 중 침착을 수행할 수 있는 기판(10)의 직경 또는 길이들의 합의 5배이다. 기판의 직경 또는 길이 또는 기판들의 길이들 또는 직경들의 합에 해당하는 길이에 걸쳐 연장되어 있는 도관(6)의 상기 부분은 이하에서 침착 구간으로 칭한다.

유리하게, 반응기(1)는 침착 구간 부근에 배치되어, 기판(10)면의 어느 한 사이드에 위치한 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)을 구비한다.

유리하게, 이들 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)은 맨저항 부품으로 이루어지는데, 즉 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)의 구조재는 도관(6)과 관(3) 사이를 흐르는 가스와 직접 접촉한다.

제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)에 각각 대응하는 각 저항 부품은 하나의 밴드, 즉 경질의 판 부품 또는 하나의 스트립, 즉 평탄하며 도관(6)의 저부벽(37) 및 상부벽(38)에 평행하게 배치된 스트립으로 이루어진다(도 4). 이 스트립 또는 밴드는 침착 구간에서, 침착시키고자 하는 기판(10) 표면상의 온도와 평균 온도와의 편차가 최소화되도록 적당한 기하 구조를 갖는다. 이들 편차는 3℃ 미만인 것이 더욱 바람직하다. 각 저항 부품은 이것의 폭과 거의 동일한 도관(6)의 폭에 평행한 방향으로 일정한 치수를 갖는 것이 바람직하다. 도관(6)의 길이에 평행한 방향의 각 저항 부품의 크기는 침착 구간의 길이의 약 두배이다. 이는 침착 구간에서 온도의 균일성을 최적화하기 위한 것이다. 바람직하게, 저항 부품의 각 구간 또는 스트립은 관(3)의 종방향으로 서로 평행한 밴드로 이루어지는데, 이 밴드는 그 단부의 하나 또는 다른 하나에서 서로 쌍으로 교대로 결합하여 지그재그 기하 구조를 형성한다. 나선형 기하구조와 같은 기타 기하구조도 예상할 수 있다.

각각의 저항 부품은, 예컨대 두께를 다양화시킴으로써 종축 저항 프로파일을 가질 수 있는데, 이 프로파일은 침착 구간에서 제어되는 온도 프로파일을 형성하는 것이 바람직한 경우에 적합하다.

각각의 저항 부품은 그 온도가 목적하는 국부적인 온도보다 가능한한 조금 높은 온도로 유지되도록 침착 구간 내에서 높은 충전 계수를 갖는다.

저항 부품의 밴드들 사이의 공간은 아아크 또는 단회로를 피하기에 충분하여야 하며 또한 온도 분야에서 허용할 수 있을 정도의 균일성을 유지하기에 충분히 작아야 하는데, 그 온도는 침착이 일어날 때의 온도보다 크게 높을 필요는 없다. 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)은 240 볼트 이하의 전압을 공급하는 것이 바람직하며 100, 110 또는 120 볼트의 전압을 공급하는 것이 더 바람직하다.

임의로, 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9) 각각은 전술한 타입의 몇가지 저항 부품으로 구성된다.

유리하게, 저항 부품은 조작 온도에서 매우 낮은 증기압을 갖는 전도성 및 내화성 재료 중에 제조된다. 이 재료는, 예컨대 흑연, 금속(예, 탄탈륨 또는 텅스텐) 또는 기타 내화성 합금 등을 들 수 있다. 고순도 흑연이 바람직하다.

제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)은 상이한 온도로 상승될 수 있도록 전류가 서로 독립적으로 공급된다. 또한, 기판(10)의 면에 수직한 온도 구배를 만들 수 있다. 이 구배는 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9) 중 하나에 적용되는 전력을 독립적으로 제어함으로써 양수, 음수 또는 0의 값을 가질 수 있다.

제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)은 저부 벽(37) 및 상부 벽(38)과 각각 접촉하도록 침착 구간의 영역 내 도관(6)의 밖에 적용될 수 있다. 그러나, 변형예에 따르면, 이들 수단 각각은 저부 벽(37) 또는 상부 벽(38) 중 하나로부터 각각 1 내지 3 ㎜ 거리에 있도록 도관(6) 외부에 위치된다. 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)은 각각 절연성 및 열전도성 판들(12, 13)을 보유함으로써 저부 벽(37) 및 상부 벽(38)에 대해 가압된다. 도관(6)이 절연재가 아닌 경우, 매우 높은 온도가 달성되어야 한다면, 전기 접촉, 특히 고온 구간에서의 전기 접촉을 피하기 위해 도관(6)과 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9) 사이에 절연 중간 물질을 배치하여야 한다.

이들 보유 판(12, 13)은 질화붕소로 만들어질 수 있으며 두께는 약 1 ㎜ 이하이다. 또한, 질화붕소의 분해를 막고 질소의 형성을 막기 위해서는 보유판(12, 13)을 도관(6)의 최저온 단부에 구획하는 것이 특히 유리하다. 열전쌍(51)을 수용하도록 설계된 질화 붕소 외장은 보유판(12, 13)에 시멘트로 결합될 수 있으나, 또한 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9) 위에서 유리되어 있을 수도 있다. 이들 열전쌍(51)(도 3 내지 도 5에 도시하지 않음)은 도관(6)의 온도를 측정하는 데 사용되어 온도를 조절하고 침착 구간내 도관의 균일성을 제어한다. 열전쌍은 1700℃ 미만의 온도(1700℃보다 높은 온도인 경우, 그 온도는 광학적 고온 측정법 또는 임의의 접촉점도 갖지 않는 열전쌍을 사용하여 측정하여야 함)에 사용될 수 있다. 이들 열전쌍(51)의 고온 접합부는 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)에 가능한한 가까운 도관(6) 밖에 배치된다.

도관(6)이 흑연으로 제조된 경우, 다시말해서 전도성이 있는 경우, 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)은 경질의 흑연으로 제조될 수 있다. 이것을 스페이서, 예컨대 질화붕소로 제조한 스페이서에 의해 도관(6)으로부터 수 ㎜까지 전기적으로 분리시킨다. 이들 스페이서는 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)의 단부에 고정될 수 있으므로 과도하게 가열되지 않는다. 흑연 또는 질화붕소로 만든 하나 이상 의 외장은, 내화성 및 절연성 외장 내에서 자체 절연되는 열전쌍을 수용하기 위해, 도관(6)의 면에 고정될 수 있다.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)뿐 아니라 보유판(12, 13)은 크래들(16, 17)에 의해 도관(6)에 함께 고정된다. 각 크래들(16, 17)은 서로 평행하며 이들에 수직한 막대에 의해 함께 연결된 두개의 1/2 디스크로이루어진다. 두개의 1/2 디스크로 이루어지는 디스크 직경은 관(3)의 내부 직경보다 약간 작다. 두개의 1/2 디스크의 직선형 연부는 수평면에 존재한다. 각 1/2 디스크의 각 직선형 연부는 도관(6) 높이의 1/2 뿐 아니라 보유판(12, 13), 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)을 수용할 수 있는 노치들을 포함한다. 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)의 저항 부품은 크래들(16, 17)에 의해 도관(6)으로부터 분리 유지된다.

도관(6)의 종축에 평행한 방향인 이들 크래들(16, 17)의 크기는 상기 방향으로 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)의 길이와 거의 같다.

이들 크래들(16, 17)은 그것의 종축을 따르는 것으로 고려했을 때, 대략적으로 도관(6)의 중앙에 배치된다.

유리하게, 크래들(16, 17)의 1/2 디스크는 도관의 저온 부분에서 도관(6)에 접촉한다.

열막이(14, 15)는 도관 밖 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)의 한쪽에 배치된다. 더욱 구체적으로, 열막이(15)는 관(3)의 내부벽과 크래들(16, 17)을 형성하는 1/2 디스크의 곡선 부분사이에 위치된다. 이들은 관(3)의 내부면 아래에 전개 되나 이 관과 접촉하지는 않으며 가열 구간 둘레에 동심상으로 전개된다. 기타 열막이(14)는 보유판(12, 13) 및 전술한 열막이(15) 사이에 배치된다. 이들 열막이(14, 15)는 탄탈륨, 몰리브덴 등과 같은 연마된 반사용 내화성 금속으로 된 두개 또는 세개의 얇은 시이트로 이루어진다. 최외곽 열막이(14) 또는 (15)는 관(3)의 내벽으로부터 수 ㎜ 내에 있는 가장 가까운 점에 있다. 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)이 관(3)의 내부에 존재하며, 도관(6)과 접촉하고, 두개 또는 세개의 열막이(14, 15)를 갖는 이 종축 배열은 탄화규소의 침착에 필요한 것, 예를 들면 고온에서, 현저하게 되는 방사선 손실을 크게 제한한다.

크래들(16, 17)의 1/2 디스크는 전기적 및 열적으로 절연 물질로 제조된다. 따라서, 열막이(14, 15)는 전기적 및 열적으로 서로, 그리고 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)으로부터 절연되어 있다.

도관(6), 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9), 보유판(12, 13), 이들 모든 부품을 함께 고정시키는 크래들(16, 17)로 이루어지는 조립체를 열막이(14, 15)와 함께 관(3)의 내부에 배치한다. 이 조립체는 도관의 고온 부분 밖 가스의 흐름을 제한하므로 열 손실을 제한한다.

두개의 디스크(18, 19)를 관(3)의 축에 수직하게, 크래들(16, 17)과 배출구 크로스(5)의 사이에 배치하는 것이 유리하다.

도 5에 도시된 바와 같이, 이들 디스크(18, 19)는 장방형 중앙 개구를 구비하는데, 이것의 면적은 이들 디스크(18)가 활강할 수 있도록 도관(6)의 단면적과 거의 같다. 또한, 이들 디스크(18, 19)는 중앙 개구 둘레에, 제2 흐름 리이드(20, 21) 및 열전쌍 와이어(51)의 통로로 사용되는 구멍을 갖는다. 이들 디스크(18, 19) 중 하나(19)는 배출구 크로스(5)에 배치된다. 이들 디스크(18, 19) 중 하나(18)는 디스크(19)와 크래들(16, 17) 사이에 배치된다. 이들 디스크(18, 19)의 용도는 도관(6), 제2 전류 리이더(20, 21) 및 열전쌍(51)의 와이어를 함께 고정시킬뿐 아니라 도관(6)의 내부와 도관(6)과 관(3)의 사이에 놓인 공간 사이의 가스 교환을 제한한다. 그러나, 디스크(18, 19)는 도관(6)의 내부 공간과 도관(6)과 관(3)의 사이에 놓인 공간 사이에서, 도관(6)의 배출구로부터 나오는 가스를 통과시켜서 그 압력을 벽(37, 38, 39, 40)의 어느 한 쪽에서 조화시켜야 한다. 이와 같이 압력을 벽(37, 38, 39, 40)의 어느 한쪽에서 조화시킴으로써 작은 두께를 갖는 도관을 제조할 수 있다.

제2 흐름 리이드(20, 21)의 쌍은 연결자(24, 25)에 의해 제1 흐름 리이드(22, 23)에 접속된다. 또한, 열전쌍(51)은 챔버(2) 내 위치한 연결자들을 통해 챔버(2)의 외부에 접속된다.

디스크(18, 19)는 전기적 및 열적으로 절연된 재료로 만들어질 수 있으나, 반드시 고도의 내화성 재료일 필요는 없다.

용접 밀봉된 포트(28)는 도관의 폭과 거의 동일한 폭의 개구를 덮는다. 이 개구는 도관(6)의 축상에 위치된다. 이것에 기판(10)을 삽입하여 분리한다. 유입 에어록(air lock)은 기판(10)을 삽입하고 분리하는 조작 중 반응기(1)가 대기로 다시 배출되는 것을 막기 위해 제3 막힘판(27)에 접속될 수 있다.

기판(10)은 기판 홀더(29)에 의해 반응기(1)에 삽입되는 것이 유리하다. 기 판 홀더(29)는 열 관성이 거의 존재하지 않도록 양호한 열전도체 재료로 제조된다. 이 기판 홀더(29)는 질화붕소로 제조하는 것이 바람직하나, 예컨대 흑연으로 제조할 수도 있다. 기판 홀더(29)는 가이드(30, 31)를 따라 활강하는 그립퍼 매니퓰레이터(gripper manipulator)에 의해 반응기(1)에 삽입된다. 이 매니퓰레이터는 도관(6)의 축과 동축인 얇은 경질의 관, 이 관의 내부에 이어져(threaded) 반응기(1) 사이드에서, 수직 경첩 둘레에 달려 있는 두개의 대칭 그립퍼 부품에 고정되어 있는 긴 막대, 자유 회전하는 계류 너트(captive nut)에 의해 죄어 있는 상기 이어진 막대의 외부 단부로 이루어진다. 너트를 죔으로써, 이어진 막대는 후퇴하며 그립퍼는 기판 홀더(29)의 수직 부분에 열적으로 고정된다. 그 후, 기판 홀더(29)를 삽입하거나 또는 분리하기 위해 매니퓰레이터를 가이드(30, 31)를 따라 이동시킬 수 있다. 그립퍼가 기판 홀더(29)를 도관(6) 내부의 제 위치에서 고정시키기만 하는 경우, 그립퍼를 상승시키기 위해 매니퓰레이터 상에 하나의 캠을 제공할 수 있으며 이로써 그립퍼는 벽(37)의 내면에 대해 마찰되지 않는다.

반응기(1)를 작동시키기 전에, 반응기(1)에 제공된 우세한 생성물의 피복물을, 기판(10) 또는 기판 홀더(29)를 사용하지 않고 통상의 침착 온도보다 높은 온도에서 철저히 탈기시키고 담체 가스로 철저히 퍼지한 후 도관(6) 내에 침착시킨다. 이 단계 후, 기판상에 담체(29)를 유사하게 침착시킨다. 그 후, 반응기를 즉시 사용할 수 있다.

본 발명의 방법 및 반응기는 변형이 가능하다.

반응기의 또 다른 실시양태(도 6)에서는, 흐름 리이드(22, 23) 및 열전쌍 출 력이 가스 유입구(7)과 동일한 쪽에 위치될 수 있으므로 유리하다. 그 후, 이 기판(10)의 적재와 비적재를 반응기(3)의 몸체를 상기 크로스(5)로부터 분리시킴으로써 수행할 수 있다. 그 후, 밀봉 회전 통로를 거쳐 작동되며 막힘판(27)을 축방향으로 통과하도록 구동되는 회전식 기판 홀더(29)를 설치하는 것이 유리하다. 이 배치는 전술한 방법 중 단계 (a) 및 (a')에 특히 유용하다.

저항성 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)은 전술한 바와 같다. 이러한 타입의 가열 수단은 종래 기술의 방법 및 반응기를 사용하는 것보다 더 낮은 에너지 효율 및 낮은 재료비로 1750℃ 보다 더 높은 온도에 도달할 수 있게 해준다.

예를 들면, 직경이 50 ㎜인 규소 웨이퍼의 용융점(1410℃)에 도달하기 위해서, 분당 8 ℓ의 수소 스트림으로 5 x 10³ 파스칼의 압력에서는 3 kW의 동력이 충분하다. 마찬가지로, 이러한 환경에서, 초당 100℃의 속도로 500℃에서 1400℃로 온도를 상승시키기 위해서는, 또한 7 kW의 동력 라인이 충분하다.

그러나, 유도 가열 수단, 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)이 전체 도관(6) 둘레에 배치되는 단 하나의 기구를 형성하는 가열 수단 등과 같이 덜 유리한 것으로 여겨지는 기타 타입의 가열 수단(8, 9)도 고려할 수 있다.

도 6은 본 발명 반응기(1)의 또 다른 실시양태를 보여준다. 이 실시양태에서, 반응기(1)는 두개의 동심 스텐레스 강으로 관(3, 103)으로 이루어지는 챔버(2)를 포함하는데, 이들의 회전 공통축은 수평적이다. 냉각제는 이들 관(3, 103)의 두 벽 사이의 공간에 유입된다.

양호한 가스 속도 균일성을 달성하는 데 도움이 되도록 가스 유입구(7)의 축 에 우격방지(antisplash) 노즐(50)을 장착한다. 가스 통로(44) 또한 우격 방지 노즐을 임의로 구비할 수 있다.

기밀 투과물(62)을 통해 통과하는 샤프트(61) 및 활강 커플링(63)에 의해 구동되는 메카니즘(60)은 침착의 더 큰 균일성을 보장하기 위해 기판(10)을 회전시킨다.

제3 막힘판(27) 및 제1 막힘판(4)에 대한 모든 전기 접속부 및 유체 접속부는 충분히 길고 가요성이 있으므로 도관(6) 길이의 거의 두배까지 이동할 수 있다. 또한, 접속부는 제1 막힘판(4)에 대해서만 제조되는 것이 유리하다.

제1 막힘판(4)은 수직 지지체(64) 및 수평 지지체(65)를 포함하는 왕복대(carriage)에 고정된다.

수평 지지체(65)는 도시되어 있지는 않지만 주행하는 트랙 상에서 관(3)의 축에 평행하게 이동할 수 있다. 도관(6)을 포함하는 조립체 및 그 장치를 장착시키기 위해, 제1 막힘판(4)을 개방하고 관(3)을 크로스(5)에 고정상태로 유지시킨다.

제3 막힘판(27)을 개방하거나 관(3)을 크로스(5)로부터 분리하는 사이에 기판(10)을 적재할 것인가 적재하지 않을 것인가를 선택한다.

기판(10)은 가스 흐름에 대해 하류 사이드 위로 몇도 상승시킬 수 있는 흑연 기판 홀더(29)에 의해 침착 구간내에 삽입되어 그대로 유지된다. 이로써, 도관(6) 내 수직 면상에 더 큰 돌출 면적이 제공된다. 기판 홀더는, 예컨대 림(rim)을 구비한 디스크로 이루어진다. 림의 높이는 기판(10) 높이보다 큰 것이 유리하다. 기판 홀더(29)는 그것을 지지하는 기판(10)을 회전시키므로 우수한 침착 균일성을 확보 할 수 있다. 이는 수평축을 지니며 샤프트(61)에 고정되는 베벨 기어로 이루어지는 기계적 변속기에 의해 달성되는 것이 유리한데, 상기 샤프트는 반응기(1) 외부의 모터에 의해 가변 속도로 회전하여 가능하게는 초당 최대 10 회전 범위의 기판 회전 속도를 제공한다.

도시하지는 않았으나, 본 발명 반응기의 유리한 변형물에 따르면, 반응기는 도관(6)의 종방향으로 서로 상쇄되는 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)을 구비한다. 이는 또한 기판 전체에 걸친 온도 분포를 균일하게 해주므로, 종적인 온도 프로파일 내에 안정기를 형성하는 데 바람직하다.

또다른 유리한 변형물에 따르면, 기판 홀더(29) 상의 기판(10) 중앙은 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9)의 구간 내에서 가스 흐름의 하류 방향 쪽으로 이동한다. 그럼에도 불구하고 기판(10)은 이 구간에 남지 않는다.

도 7에 예시되어 있는 또 다른 변형물에 따르면, 제2 도관은 그 도관 내에 도시되어 있지는 않지만, 홈에 활강함으로써 용이하게 삽입되고 분리될 수 있는 제거 가능한 판(70)으로 이루어진다. 이들 판(70)은 도관(6)이 기판(들)(10)로부터 멀리 침착되는 것을 막는 데 유용하게 사용된다. 이들은 쉽게 유지되며, 흑연, 질화붕소 또는 공정의 온도 및 주위 매체에 적합한 기타 내화성 재료로 제조되는 것이 유리하다.

또한, 도 7에 도시되어 있는, 또 다른 유리한 변형물에 따르면, 온도 측정 수단의 수명을 증가시키기 위해 온도는 열전쌍(51)에 의해서가 아닌, 도관(6)에 고정된 외장내에, 그리고 도관(6)과 제1 가열수단(8) 및 제2 가열수단(9) 사이에 위 치한 광학적 고온계 섬유에 의해 측정할 수 있다.

본 발명의 방법은 종래 기술의 방법 및 반응기에 의해 제조되는 층내 불순물 농도와 동일한 층 내 불순물 농도를 유지하면서도 전술한 잇점을 달성하게 해준다.

본 발명의 방법 및 반응기는 기판(10) 상의 탄화규소 및 질화알루미늄 층의성장에 특히 적합하다.

Claims (14)

1. - 제1 재료(100)를 제2 재료(200)로 이루어진 기판(10) 상에서 성장시키는 단계 (a),

   - 제1 재료(100)의 결정 선단(crystalline tip)을 그 제1 재료(100)와 용융 재료 사이의 계면으로부터 성장시키는 단계(d, d'),

   - 결정 선단으로부터 용융 재료의 자유 표면에 평행한 면에서 횡방향으로 결정을 성장시키는 단계(f, f')

   를 포함하는 것을 특징으로 하는, 고형 제1 재료(100) 상의 재료를 고형 제1 재료 상의 용융 재료로부터 결정 성장시키는 방법.
2. 제1항에 있어서, 용융 재료의 자유 표면에 수직한 방향으로 온도를 구배시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 제2항에 있어서, 구배 신호를 역전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 제1 재료(100)가 제2 재료(200) 아래에 존재하며 도가니(300)에 수평하도록 기판(10)을 배치하는 단계 (b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
5. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 제1 재료(100)는 제2 재료(200) 위에, 제3 재료(400)는 제1 재료 상에 있도록 도가니(300) 내에 수평하게 기판(10)을 배치하는 단계 (b')를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
6. 제4항에 있어서, 제1 재료(100)를 고체 상태로 유지하면서 제2 재료(200)를 용융시키는 단계 (c)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 제5항에 있어서, 제1 재료(100) 및 제2 재료(200)를 고체 상태로 유지하면서 제3 재료(400)를 용융시키는 단계 (c')를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
8. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 용융 재료를 전구체 가스로 쓸어내는 단계로서, 전구체 가스의 1종 이상의 제1 원자 종은 용융 재료로부터 나오는 1종 이상의 제2 원자 종과 함께 제4 재료(500)의 성장에 참여하는 단계(d, d')를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 제4 재료(500)는 이성분(binary) 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
10. 제9항에 있어서, 상기 이성분 화합물은 탄화규소인 것을 특징으로 하는 방 법.
11. 제9항에 있어서, 상기 이성분 화합물은 질화알루미늄(aluminum nitride)인 것을 특징으로 하는 방법.
12. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 선단으로부터 횡방향으로 결정을 성장시키는 단계(f, f')는 온도 구배 신호를 역전시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
13. 제8항에 있어서, 상기 제4 재료(500) 상에 제2 재료(200) 또는 제3 재료(400)를 더 놓아 두께 성장을 계속시키는 단계(g, g')를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
14. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 단계(a, a')는 화학적 증착법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.

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