JP2002513845A - 流動接触分解法におけるc3オレフィンの選択的製造方法 - Google Patents
流動接触分解法におけるc3オレフィンの選択的製造方法Info
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
- C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
- C10G11/00—Catalytic cracking, in the absence of hydrogen, of hydrocarbon oils
- C10G11/02—Catalytic cracking, in the absence of hydrogen, of hydrocarbon oils characterised by the catalyst used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
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- C10G57/02—Treatment of hydrocarbon oils, in the absence of hydrogen, by at least one cracking process or refining process and at least one other conversion process with polymerisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C10G2400/20—C2-C4 olefins
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Abstract
(57)【要約】
接触分解または熱分解ナフサ流からC3オレフィンを選択的に製造する製造方法。製造方法は、平均細孔径が約0.7ナノメーター未満である結晶性ゼオライトを約10〜50wt%含む触媒存在下に、分解ナフサを反応させる工程、該触媒をストリッピングする工程、該触媒を再生する工程および反応生成物を分留する工程を含む。運転条件は、約500〜650℃の温度、約10〜40psiaの炭化水素分圧を含む。
Description
【0001】 本発明の分野 本発明は、接触分解または熱分解ナフサ流から、C3オレフィンを選択的に製
造する方法に関する。ナフサ流は、反応域、ストリッピング域、触媒再生域、お
よび分留域を含むプロセスユニットに導入される。ナフサ原料流は、反応域にお
いて、約500〜650℃の温度および約10〜40psiaの炭化水素分圧を
含む反応条件で、平均細孔径が約0.7ナノメーター未満である結晶性ゼオライ
トを約10〜50wt%含む触媒と接触する。ベーパープロダクトは塔頂に集め
られ、触媒粒子は触媒再生域への途中でストリッピング域を通される。揮発性物
質はストリッピング域においてスチームによってストリッピングされ、触媒粒子
は触媒再生域に送られ、コークが触媒から焼き除かれ、次いで、触媒は反応域に
再循環される。反応域からの塔頂生成物は分留域に送られ、C3流が回収され、
C4および/またはC5オレフィンリッチ流がストリッピング域に再循環される
。
造する方法に関する。ナフサ流は、反応域、ストリッピング域、触媒再生域、お
よび分留域を含むプロセスユニットに導入される。ナフサ原料流は、反応域にお
いて、約500〜650℃の温度および約10〜40psiaの炭化水素分圧を
含む反応条件で、平均細孔径が約0.7ナノメーター未満である結晶性ゼオライ
トを約10〜50wt%含む触媒と接触する。ベーパープロダクトは塔頂に集め
られ、触媒粒子は触媒再生域への途中でストリッピング域を通される。揮発性物
質はストリッピング域においてスチームによってストリッピングされ、触媒粒子
は触媒再生域に送られ、コークが触媒から焼き除かれ、次いで、触媒は反応域に
再循環される。反応域からの塔頂生成物は分留域に送られ、C3流が回収され、
C4および/またはC5オレフィンリッチ流がストリッピング域に再循環される
。
【0002】 本発明の背景 低エミッション燃料の必要性から、アルキレーション法、オリゴメリゼーショ
ン法、MTBEおよびETBE合成法で使用する軽質オレフィンに対する需要が
高まってきた。加えて、軽質オレフィン、特にプロピレンを低価格で供給するこ
とは、ポリオレフィン、特にポリプロピレン製造の原料として使用するために、
引き続き求められている。
ン法、MTBEおよびETBE合成法で使用する軽質オレフィンに対する需要が
高まってきた。加えて、軽質オレフィン、特にプロピレンを低価格で供給するこ
とは、ポリオレフィン、特にポリプロピレン製造の原料として使用するために、
引き続き求められている。
【0003】 軽質パラフィンを脱水素する固定床法は、オレフィン製造を増大する点で最近
再び注目を集めている。しかし、このタイプの方法は、典型的には、高い運転コ
ストに加えて比較的大きな資本投資が必要とされる。したがって、比較的小さな
資本投資ですむ方法を用いて、オレフィン収率を増大することは有利なことであ
る。特に、接触分解装置においてオレフィン収率を増大することは有利なことで
ある。
再び注目を集めている。しかし、このタイプの方法は、典型的には、高い運転コ
ストに加えて比較的大きな資本投資が必要とされる。したがって、比較的小さな
資本投資ですむ方法を用いて、オレフィン収率を増大することは有利なことであ
る。特に、接触分解装置においてオレフィン収率を増大することは有利なことで
ある。
【0004】 米国特許第4,830,728号には、オレフィン製造を最大化して運転する
流動接触分解(FCC)装置が開示されている。そのFCC装置は、二つの別個
のライザーを有し、そこに異なる原料流が導入される。このライザーの運転は、
一つのライザーにおいて、適切な触媒が重質ガスオイルを転化するように働き、
他のライザーにおいて、別の適切な触媒が軽質のオレフィン/ナフサ原料を分解
するように働くべく設計される。重質ガスオイルライザー内の条件は、ガソリン
またはオレフィン製造のいずれをも最大化するように、修正することができる。
所望の生成物の製造を最大化するための第1の手段は、特定の触媒を使用するこ
とである。
流動接触分解(FCC)装置が開示されている。そのFCC装置は、二つの別個
のライザーを有し、そこに異なる原料流が導入される。このライザーの運転は、
一つのライザーにおいて、適切な触媒が重質ガスオイルを転化するように働き、
他のライザーにおいて、別の適切な触媒が軽質のオレフィン/ナフサ原料を分解
するように働くべく設計される。重質ガスオイルライザー内の条件は、ガソリン
またはオレフィン製造のいずれをも最大化するように、修正することができる。
所望の生成物の製造を最大化するための第1の手段は、特定の触媒を使用するこ
とである。
【0005】 また、Arcoによる米国特許第5,026,936号には、分解とメタセシ
スとの組み合わせによって、C4以上の原料からプロピレンを製造する方法が教
示されるが、そこでは高分子量の炭化水素が分解されて、エチレンとプロピレン
とが製造され、エチレンの少なくとも一部分がプロピレンにメタセシスされる。
また、米国特許第5,026,935号、同第5,171,921号および同第
5,043,522号を参照されたい。
スとの組み合わせによって、C4以上の原料からプロピレンを製造する方法が教
示されるが、そこでは高分子量の炭化水素が分解されて、エチレンとプロピレン
とが製造され、エチレンの少なくとも一部分がプロピレンにメタセシスされる。
また、米国特許第5,026,935号、同第5,171,921号および同第
5,043,522号を参照されたい。
【0006】 米国特許第5,069,776号には、炭化水素質原料を転化する方法が教示
され、そこでは原料を、約500℃を超える温度および約10秒未満の滞留時間
で、細孔径0.3〜0.7nmのゼオライトを含むゼオライト触媒の移動床と接
触させることによって転化させる。オレフィンが、飽和したガス状炭化水素を殆
ど形成することなく製造される。また、Mobilによる米国特許第3,928
,172号には、炭化水素質原料を転化する方法が教示され、そこではオレフィ
ンが、該原料をZSM−5触媒の存在下で反応させることによって製造される。
され、そこでは原料を、約500℃を超える温度および約10秒未満の滞留時間
で、細孔径0.3〜0.7nmのゼオライトを含むゼオライト触媒の移動床と接
触させることによって転化させる。オレフィンが、飽和したガス状炭化水素を殆
ど形成することなく製造される。また、Mobilによる米国特許第3,928
,172号には、炭化水素質原料を転化する方法が教示され、そこではオレフィ
ンが、該原料をZSM−5触媒の存在下で反応させることによって製造される。
【0007】 FCC装置を用いてオレフィン生成物を製造する際の固有の問題は、この製造
方法が、343℃+原料成分の高い転化率を達成すると共に軽質オレフィンの生
産量を最大にするために特定の触媒バランスに依存しているということである。
加えて、たとえ特定触媒をバランスさせることにより、全オレフィン製造の最大
化が維持されるとしても、オレフィン選択性は、過分解、異性化、芳香族化およ
び水素移動反応などの望ましくない副反応のために一般的に低い。望ましくない
副反応で製造される軽質飽和ガスは、所望の軽質オレフィンを回収するコストを
上昇させる結果をもたらす。したがって、C3およびC4オレフィンの選択性を
高度に制御できる製造方法で、オレフィン製造を最大化することが望まれる。
方法が、343℃+原料成分の高い転化率を達成すると共に軽質オレフィンの生
産量を最大にするために特定の触媒バランスに依存しているということである。
加えて、たとえ特定触媒をバランスさせることにより、全オレフィン製造の最大
化が維持されるとしても、オレフィン選択性は、過分解、異性化、芳香族化およ
び水素移動反応などの望ましくない副反応のために一般的に低い。望ましくない
副反応で製造される軽質飽和ガスは、所望の軽質オレフィンを回収するコストを
上昇させる結果をもたらす。したがって、C3およびC4オレフィンの選択性を
高度に制御できる製造方法で、オレフィン製造を最大化することが望まれる。
【0008】 本発明の概要 本発明により、反応域、ストリッピング域、触媒再生域、および分留域を含む
プロセスユニットにおいて、ナフサ原料流からC3オレフィンを選択的に製造す
る製造方法が提供される。ナフサ流は、触媒床を含む反応域において、好ましく
は流動状態で接触する。触媒は平均細孔径が約0.7nm未満であるゼオライト
からなり、反応域は約500〜650℃の温度、10〜40psiaの炭化水素
分圧、1〜10秒の炭化水素滞留時間、および約2〜10の触媒/原料比で運転
され、パラフィンの約20wt%未満がオレフィンに転化されるように反応生成
物が製造される。触媒は反応域からストリッピング域に通され、そこで揮発性物
質はスチームによってストリッピングされ、次いで触媒再生域に通され、すべて
のコーク堆積物が酸素含有ガスの存在下で燃焼される。再生触媒は反応域に再循
環され、新原料に接触する。反応生成物は分留域に送られ、C3留分とC4留分
とが製造される。C3留分は回収され、オレフィンリッチのC4留分および/ま
たはC5留分はストリッピング域または反応域のいずれかに再循環される。
プロセスユニットにおいて、ナフサ原料流からC3オレフィンを選択的に製造す
る製造方法が提供される。ナフサ流は、触媒床を含む反応域において、好ましく
は流動状態で接触する。触媒は平均細孔径が約0.7nm未満であるゼオライト
からなり、反応域は約500〜650℃の温度、10〜40psiaの炭化水素
分圧、1〜10秒の炭化水素滞留時間、および約2〜10の触媒/原料比で運転
され、パラフィンの約20wt%未満がオレフィンに転化されるように反応生成
物が製造される。触媒は反応域からストリッピング域に通され、そこで揮発性物
質はスチームによってストリッピングされ、次いで触媒再生域に通され、すべて
のコーク堆積物が酸素含有ガスの存在下で燃焼される。再生触媒は反応域に再循
環され、新原料に接触する。反応生成物は分留域に送られ、C3留分とC4留分
とが製造される。C3留分は回収され、オレフィンリッチのC4留分および/ま
たはC5留分はストリッピング域または反応域のいずれかに再循環される。
【0009】 本発明の他の好ましい実施態様においては、触媒は、ZSM−5タイプの触媒
である。
である。
【0010】 本発明の好ましい実施態様においては、オレフィンリッチC5留分も再循環さ
れる。
れる。
【0011】 本発明のさらに他の好ましい実施態様においては、原料材は、約10〜30w
t%のパラフィン、および約20〜70wt%のオレフィンを含有する。
t%のパラフィン、および約20〜70wt%のオレフィンを含有する。
【0012】 本発明のさらにまた他の好ましい実施態様においては、反応域は、約525〜
約600℃の温度で運転される。
約600℃の温度で運転される。
【0013】 本発明の詳細な説明 比較的高いC2、C3およびC4オレフィン収率を得るのに適した原料流は、
ナフサ範囲の沸点を有する流れであり、かつ約5〜約35wt%、好ましくは約
10〜約30wt%、より好ましくは約10〜25wt%のパラフィン、および
約15〜約70wt%、好ましくは約20〜約70wt%のオレフィンを含む流
れである。原料は、またナフテンおよび芳香族を含んでもよい。ナフサ沸点範囲
の流れは、典型的には約65〜約430゜F、好ましくは約65〜約300゜F
の沸点範囲を有するものである。このナフサは、熱分解または接触分解ナフサで
あることができる。このような流れは、いかなる適切な供給源からも得ることが
できる。例えば、ガスオイルおよび残さ油の流動接触分解(FCC)から得るこ
とができるし、あるいは残油のディレードまたはフルイドコーキングから得るこ
とができる。本発明を実施する際に用いられるナフサ流は、ガスオイルおよび残
さ油の流動接触分解から得ることが好ましい。このようなナフサは、典型的には
オレフィンおよび/またはジオレフィンリッチであり、また比較的パラフィンリ
ーンである。接触分解または熱分解ナフサでない他のオレフィン流れ、例えばM
TBEラフィネートを、主原料と共に該反応域に共に供給することは、本発明の
技術範囲である。このことにより、プロピレンの収率が増大するであろう。
ナフサ範囲の沸点を有する流れであり、かつ約5〜約35wt%、好ましくは約
10〜約30wt%、より好ましくは約10〜25wt%のパラフィン、および
約15〜約70wt%、好ましくは約20〜約70wt%のオレフィンを含む流
れである。原料は、またナフテンおよび芳香族を含んでもよい。ナフサ沸点範囲
の流れは、典型的には約65〜約430゜F、好ましくは約65〜約300゜F
の沸点範囲を有するものである。このナフサは、熱分解または接触分解ナフサで
あることができる。このような流れは、いかなる適切な供給源からも得ることが
できる。例えば、ガスオイルおよび残さ油の流動接触分解(FCC)から得るこ
とができるし、あるいは残油のディレードまたはフルイドコーキングから得るこ
とができる。本発明を実施する際に用いられるナフサ流は、ガスオイルおよび残
さ油の流動接触分解から得ることが好ましい。このようなナフサは、典型的には
オレフィンおよび/またはジオレフィンリッチであり、また比較的パラフィンリ
ーンである。接触分解または熱分解ナフサでない他のオレフィン流れ、例えばM
TBEラフィネートを、主原料と共に該反応域に共に供給することは、本発明の
技術範囲である。このことにより、プロピレンの収率が増大するであろう。
【0014】 本発明の製造方法は、反応域、ストリッピング域、触媒再生域、および分留域
を含むプロセスユニットにおいて実施される。ナフサ原料流は反応域に供給され
、そこで加熱再生触媒に接触する。加熱触媒は、約500〜650℃、好ましく
は約525〜600℃の温度で、原料を蒸発させ、分解する。分解反応により、
炭素質炭化水素、またはコークが触媒上に堆積され、それにより触媒が不活性化
される。分解生成物はコーク堆積触媒から分離され、分留装置に送られる。コー
ク堆積触媒はストリッピング域に通され、揮発性物質がスチームによって触媒粒
子からストリッピングされる。熱バランス用に吸着した炭化水素を保持するため
に、ストリッピングは緩やかな条件下で行われる。ストリッピングされた触媒は
、次いで再生域に通され、そこで触媒上のコークを酸素含有ガス、好ましくは空
気の存在下で燃焼することによって再生される。脱コーキングによって、触媒活
性が回復され、同時に触媒が約650〜約750℃の温度に加熱される。加熱触
媒は、次いで反応域に再循環され、新ナフサ原料と反応する。再生装置内でコー
クが燃焼されて形成されたフルーガスは、パティキュレート除去処理および一酸
化炭素の転化処理を経てもよく、その後、フルーガスは、通常は大気中に放出さ
れる。反応域からの分解生成物は分留域に送られ、そこで種々の生成物が回収さ
れる。特にC3留分、C4留分、および所望によりC5留分である。C4留分お
よびC5留分は、典型的にはオレフィンリッチである。これらの留分の一つまた
は両方を、反応器に再循環することができる。それらを、反応器の主要域、また
はライザー域、またはストリッピング域のいずれかに再循環することができる。
それらを、ストリッピング域、またはストリッピング域の上部に再循環すること
が好ましい。これらの留分の一つまたは両方を循環することにより、これらのオ
レフィンの少なくとも一部分がプロピレンに転化されるであろう。
を含むプロセスユニットにおいて実施される。ナフサ原料流は反応域に供給され
、そこで加熱再生触媒に接触する。加熱触媒は、約500〜650℃、好ましく
は約525〜600℃の温度で、原料を蒸発させ、分解する。分解反応により、
炭素質炭化水素、またはコークが触媒上に堆積され、それにより触媒が不活性化
される。分解生成物はコーク堆積触媒から分離され、分留装置に送られる。コー
ク堆積触媒はストリッピング域に通され、揮発性物質がスチームによって触媒粒
子からストリッピングされる。熱バランス用に吸着した炭化水素を保持するため
に、ストリッピングは緩やかな条件下で行われる。ストリッピングされた触媒は
、次いで再生域に通され、そこで触媒上のコークを酸素含有ガス、好ましくは空
気の存在下で燃焼することによって再生される。脱コーキングによって、触媒活
性が回復され、同時に触媒が約650〜約750℃の温度に加熱される。加熱触
媒は、次いで反応域に再循環され、新ナフサ原料と反応する。再生装置内でコー
クが燃焼されて形成されたフルーガスは、パティキュレート除去処理および一酸
化炭素の転化処理を経てもよく、その後、フルーガスは、通常は大気中に放出さ
れる。反応域からの分解生成物は分留域に送られ、そこで種々の生成物が回収さ
れる。特にC3留分、C4留分、および所望によりC5留分である。C4留分お
よびC5留分は、典型的にはオレフィンリッチである。これらの留分の一つまた
は両方を、反応器に再循環することができる。それらを、反応器の主要域、また
はライザー域、またはストリッピング域のいずれかに再循環することができる。
それらを、ストリッピング域、またはストリッピング域の上部に再循環すること
が好ましい。これらの留分の一つまたは両方を循環することにより、これらのオ
レフィンの少なくとも一部分がプロピレンに転化されるであろう。
【0015】 FCCプロセスユニット自体で軽質オレフィンの収率を増大させる試みがなさ
れてきたが、本発明の実施においては、先に述べたように、それ独自のプロセス
ユニットを使用し、製油所の好適な供給源から得られるナフサを原料とする。反
応域は、C2〜C4オレフィン、特にプロピレンの選択性を最大化し、C5 +オ
レフィンを比較的高度に転化する運転条件で運転される。本発明を実施する際に
用いるのに適した触媒は、約0.7ナノメーター(nm)未満の平均細孔径を有
する結晶性ゼオライトを含有する触媒であり、この結晶性ゼオライトは、全流動
触媒組成の約10〜約50wt%を占める。結晶性ゼオライトは、中間細孔径(
<0.7nm)の結晶性アルミノシリケート系(ゼオライトとも呼ばれる)から
選択されることが好ましい。シリカ/アルミナのモル比が約75/1未満、好ま
しくは約50/1未満、より好ましくは約40/1未満の中間細孔ゼオライトは
、特に重要である。有効細孔径とも呼ばれる細孔径は、標準的な吸着法および既
知の最小動的直径の炭化水素質化合物を用いて測定することができる。いずれも
参照として本明細書に組み入れる、BreckによるZeolite Mole
cular Sieves(1974年)、およびAndersonらによるJ
.Catalysis(第58巻、第114頁、1979年)を参照されたい。
れてきたが、本発明の実施においては、先に述べたように、それ独自のプロセス
ユニットを使用し、製油所の好適な供給源から得られるナフサを原料とする。反
応域は、C2〜C4オレフィン、特にプロピレンの選択性を最大化し、C5 +オ
レフィンを比較的高度に転化する運転条件で運転される。本発明を実施する際に
用いるのに適した触媒は、約0.7ナノメーター(nm)未満の平均細孔径を有
する結晶性ゼオライトを含有する触媒であり、この結晶性ゼオライトは、全流動
触媒組成の約10〜約50wt%を占める。結晶性ゼオライトは、中間細孔径(
<0.7nm)の結晶性アルミノシリケート系(ゼオライトとも呼ばれる)から
選択されることが好ましい。シリカ/アルミナのモル比が約75/1未満、好ま
しくは約50/1未満、より好ましくは約40/1未満の中間細孔ゼオライトは
、特に重要である。有効細孔径とも呼ばれる細孔径は、標準的な吸着法および既
知の最小動的直径の炭化水素質化合物を用いて測定することができる。いずれも
参照として本明細書に組み入れる、BreckによるZeolite Mole
cular Sieves(1974年)、およびAndersonらによるJ
.Catalysis(第58巻、第114頁、1979年)を参照されたい。
【0016】 本発明を実施する際に使用することができる中間細孔径のゼオライトは、参照
として本明細書に組み入れる“Atlas of Zeolite Struc
ture Types”(編集者 W.H.MeierおよびD.H.Olso
n、Butterworth−Heineman、第3版、1992年)に記載
されている。中間細孔サイズのゼオライトは、一般に約5〜7Åの細孔径を有し
ており、これには例えばMFI、MFS、MEL、MTW、EUO、MTT、H
EU、FERおよびTON構造タイプのゼオライト(IUPACゼオライト命名
委員会)が含まれる。このような中間細孔径のゼオライトの限定しない例として
は、ZSM−5、ZSM−12、ZSM−22、ZSM−23、ZSM−34、
ZSM−35、ZSM−38、ZSM−48、ZSM−50、シリカライトおよ
びシリカライト2が含まれる。最も好ましくはZSM−5であり、これは米国特
許第3,702,886号および同第3,770,614号に記載されている。
ZSM−11は米国特許第3,709,979号に、ZSM−12は米国特第許
3,832,449号に、ZSM−21およびZSM−38は米国特許第3,9
48,758号に、ZSM−23は米国特許第4,076,842号に、および
ZSM−35は米国特許第4,016,245号に記載されている。上記の特許
はいずれも、参照として本明細書に組み入れる。他の適切な中間細孔径のゼオラ
イトには、米国特許第4,440,871号に記載されているSAPO−4およ
びSAPO−11などのシリコアルミノフォスフェート(SAPO)、クロモシ
リケート、ガリウムシリケート、鉄シリケート、米国特許第4,310,440
号に記載のALPO−11のようなリン酸アルミニウム(ALPO)、EP−A
第229,295号に記載のTASO−45などのチタンアルミノシリケート(
TASO)、米国特許第4,254,297号に記載のボロンシリケート、米国
特許第4,500,651号に記載のTAPO−11などのチタンアルミノフォ
スフェート(TAPO)、および鉄アルミノシリケートが含まれる。本発明の一
実施態様においては、該ゼオライトのSi/Al比は約40を超える。
として本明細書に組み入れる“Atlas of Zeolite Struc
ture Types”(編集者 W.H.MeierおよびD.H.Olso
n、Butterworth−Heineman、第3版、1992年)に記載
されている。中間細孔サイズのゼオライトは、一般に約5〜7Åの細孔径を有し
ており、これには例えばMFI、MFS、MEL、MTW、EUO、MTT、H
EU、FERおよびTON構造タイプのゼオライト(IUPACゼオライト命名
委員会)が含まれる。このような中間細孔径のゼオライトの限定しない例として
は、ZSM−5、ZSM−12、ZSM−22、ZSM−23、ZSM−34、
ZSM−35、ZSM−38、ZSM−48、ZSM−50、シリカライトおよ
びシリカライト2が含まれる。最も好ましくはZSM−5であり、これは米国特
許第3,702,886号および同第3,770,614号に記載されている。
ZSM−11は米国特許第3,709,979号に、ZSM−12は米国特第許
3,832,449号に、ZSM−21およびZSM−38は米国特許第3,9
48,758号に、ZSM−23は米国特許第4,076,842号に、および
ZSM−35は米国特許第4,016,245号に記載されている。上記の特許
はいずれも、参照として本明細書に組み入れる。他の適切な中間細孔径のゼオラ
イトには、米国特許第4,440,871号に記載されているSAPO−4およ
びSAPO−11などのシリコアルミノフォスフェート(SAPO)、クロモシ
リケート、ガリウムシリケート、鉄シリケート、米国特許第4,310,440
号に記載のALPO−11のようなリン酸アルミニウム(ALPO)、EP−A
第229,295号に記載のTASO−45などのチタンアルミノシリケート(
TASO)、米国特許第4,254,297号に記載のボロンシリケート、米国
特許第4,500,651号に記載のTAPO−11などのチタンアルミノフォ
スフェート(TAPO)、および鉄アルミノシリケートが含まれる。本発明の一
実施態様においては、該ゼオライトのSi/Al比は約40を超える。
【0017】 中間細孔径のゼオライトは、“結晶性混和物”を含むことができるが、これは
、ゼオライトを合成する際に結晶または結晶領域内に出現する欠陥に起因するも
のと考えられる。ZSM−5およびZSM−11の結晶性混和物の例は、米国特
許第4,229,424号に開示されているが、これは本明細書に参照として組
み込まれる。結晶性混和物は、それ自体中間細孔径のゼオライトであり、異なる
結晶性ゼオライトの別個の結晶が同じ触媒複合体中に物理的に存在するゼオライ
トの物理的混和物や水熱反応混合物と混同されることはない。
、ゼオライトを合成する際に結晶または結晶領域内に出現する欠陥に起因するも
のと考えられる。ZSM−5およびZSM−11の結晶性混和物の例は、米国特
許第4,229,424号に開示されているが、これは本明細書に参照として組
み込まれる。結晶性混和物は、それ自体中間細孔径のゼオライトであり、異なる
結晶性ゼオライトの別個の結晶が同じ触媒複合体中に物理的に存在するゼオライ
トの物理的混和物や水熱反応混合物と混同されることはない。
【0018】 本発明の触媒は、無機酸化物のマトリックス成分と共に保持される。無機酸化
物のマトリックス成分は触媒成分同士を結合するので、触媒生成物は粒子間およ
び反応器壁との衝突に耐えるのに十分強固なものとなる。無機酸化物のマトリッ
クスは、無機酸化物のゾルまたはゲルから製造することができ、これは乾燥され
て触媒成分同士が密着される。好ましくは、無機酸化物のマトリックスは、触媒
的に活性でなく、またケイ素およびアルミニウムの酸化物からなるであろう。ま
た、分散したアルミナ相が無機酸化物のマトリックスに組み込まれていることが
好ましい。アルミニウムオキシヒドロキシド―g―アルミナ、ベーマイト、ダイ
アスポアおよび遷移アルミナ(a−アルミナ、b−アルミナ、g−アルミナ、d
−アルミナ、e−アルミナ、k−アルミナ、r−アルミナなど)の種を用いるこ
とができる。好ましくは、アルミナ種としては、ギブサイト、バイアライト、ノ
ルトストランダイト、またはドイアライトなどのアルミニウムトリヒドロキシド
である。マトリックス物質は、またリンまたはアルミニウムフォスフェートを含
んでもよい。
物のマトリックス成分は触媒成分同士を結合するので、触媒生成物は粒子間およ
び反応器壁との衝突に耐えるのに十分強固なものとなる。無機酸化物のマトリッ
クスは、無機酸化物のゾルまたはゲルから製造することができ、これは乾燥され
て触媒成分同士が密着される。好ましくは、無機酸化物のマトリックスは、触媒
的に活性でなく、またケイ素およびアルミニウムの酸化物からなるであろう。ま
た、分散したアルミナ相が無機酸化物のマトリックスに組み込まれていることが
好ましい。アルミニウムオキシヒドロキシド―g―アルミナ、ベーマイト、ダイ
アスポアおよび遷移アルミナ(a−アルミナ、b−アルミナ、g−アルミナ、d
−アルミナ、e−アルミナ、k−アルミナ、r−アルミナなど)の種を用いるこ
とができる。好ましくは、アルミナ種としては、ギブサイト、バイアライト、ノ
ルトストランダイト、またはドイアライトなどのアルミニウムトリヒドロキシド
である。マトリックス物質は、またリンまたはアルミニウムフォスフェートを含
んでもよい。
【0019】 好ましい運転条件には、約500〜約650℃、好ましくは約500〜600
℃の温度、約10〜40psia、好ましくは約20〜35psiaの炭化水素
分圧、および約3〜12、好ましくは約4〜10の触媒/ナフサ(wt%/wt
%)比(触媒重量は触媒組成物の全重量である)が含まれる。また、スチームが
ナフサ流と同時に反応域に導入され、その際スチームは炭化水素原料の約50w
t%以下を構成することが好ましい。また、反応域におけるナフサの滞留時間は
約10秒未満、例えば約1〜10秒であることが好ましい。上記の条件により、
ナフサ流中のC5 +オレフィンの少なくとも約60wt%がC4 −生成物に転化
され、またパラフィンの約25wt%未満、好ましくは約20wt%未満がC4 − 生成物に転化されるであろう。また、プロピレンは、全C3反応生成物の少な
くとも約90モル%、好ましくは約95モル%を占め、その際プロピレン/全C 2 − 生成物の重量比は約3.5を超えるであろう。また、エチレンは、C2生成
物の少なくとも約90モル%を占め、その際プロピレン/エチレンの重量比は約
4を超え、さらにフルレンジC5 +プロダクトはナフサ原料と比較してモータ法
オクタン価およびリサーチ法オクタン価の両方が改良されていることが好ましい
。触媒を原料の導入前に予めコーキングして、プロピレン選択性をさらに高める
ことは、本発明の技術範囲である。また、有効量の単環芳香族を、反応域に供給
してエチレンに対するプロピレンの選択性を向上させることも、本発明の技術範
囲である。芳香族化合物は、リフォーミングプロセスユニットのような外部の供
給源に由来するものであってもよいし、本発明の製造方法で得られる重質ナフサ
リサイクルプロダクトからなるものであってもよい。
℃の温度、約10〜40psia、好ましくは約20〜35psiaの炭化水素
分圧、および約3〜12、好ましくは約4〜10の触媒/ナフサ(wt%/wt
%)比(触媒重量は触媒組成物の全重量である)が含まれる。また、スチームが
ナフサ流と同時に反応域に導入され、その際スチームは炭化水素原料の約50w
t%以下を構成することが好ましい。また、反応域におけるナフサの滞留時間は
約10秒未満、例えば約1〜10秒であることが好ましい。上記の条件により、
ナフサ流中のC5 +オレフィンの少なくとも約60wt%がC4 −生成物に転化
され、またパラフィンの約25wt%未満、好ましくは約20wt%未満がC4 − 生成物に転化されるであろう。また、プロピレンは、全C3反応生成物の少な
くとも約90モル%、好ましくは約95モル%を占め、その際プロピレン/全C 2 − 生成物の重量比は約3.5を超えるであろう。また、エチレンは、C2生成
物の少なくとも約90モル%を占め、その際プロピレン/エチレンの重量比は約
4を超え、さらにフルレンジC5 +プロダクトはナフサ原料と比較してモータ法
オクタン価およびリサーチ法オクタン価の両方が改良されていることが好ましい
。触媒を原料の導入前に予めコーキングして、プロピレン選択性をさらに高める
ことは、本発明の技術範囲である。また、有効量の単環芳香族を、反応域に供給
してエチレンに対するプロピレンの選択性を向上させることも、本発明の技術範
囲である。芳香族化合物は、リフォーミングプロセスユニットのような外部の供
給源に由来するものであってもよいし、本発明の製造方法で得られる重質ナフサ
リサイクルプロダクトからなるものであってもよい。
【0020】 次の実施例は、例示目的でのみ示され、またいかなる意味においても本発明を
限定するものではない。
限定するものではない。
【0021】 実施例1―12 次の実施例により、化学品グレードのプロピレン純度が保持されるためのプロ
セス運転条件の臨界性が、1500゜Fで16時間スチーミングして市販の平衡
触媒をシミュレートしたZCAT−40(ZSM−5を含む触媒)で分解された
キャットナフサ試料について示される。実施例1と2とを比較すると、触媒/油
比を増加することにより、プロピレン収率が向上するものの、プロピレン純度が
犠牲となることが示される。実施例3、4、5、6を比較すると、オイル分圧を
減少することにより、プロピレン収率が低下することなく、プロピレン純度が大
幅に向上することが示される。実施例7、8、9、10を比較すると、温度を上
昇することにより、プロピレンの収率および純度の両方が向上することが示され
る。実施例11と12とを比較すると、触媒の滞留時間を低下することにより、
プロピレンの収率および純度が向上することが示される。実施例13は、従来型
FCCリアクタ/リジェネレータデザインを第2段階に用いて達成可能なリアク
タ温度および触媒/オイル比において、高いプロピレン収率と高いプロピレン純
度の両方が得られる例を示している。
セス運転条件の臨界性が、1500゜Fで16時間スチーミングして市販の平衡
触媒をシミュレートしたZCAT−40(ZSM−5を含む触媒)で分解された
キャットナフサ試料について示される。実施例1と2とを比較すると、触媒/油
比を増加することにより、プロピレン収率が向上するものの、プロピレン純度が
犠牲となることが示される。実施例3、4、5、6を比較すると、オイル分圧を
減少することにより、プロピレン収率が低下することなく、プロピレン純度が大
幅に向上することが示される。実施例7、8、9、10を比較すると、温度を上
昇することにより、プロピレンの収率および純度の両方が向上することが示され
る。実施例11と12とを比較すると、触媒の滞留時間を低下することにより、
プロピレンの収率および純度が向上することが示される。実施例13は、従来型
FCCリアクタ/リジェネレータデザインを第2段階に用いて達成可能なリアク
タ温度および触媒/オイル比において、高いプロピレン収率と高いプロピレン純
度の両方が得られる例を示している。
【0022】
【表1】
【0023】
【表2】
【0024】 上記の実施例(1、2、7および8)により、C3 =/C2 =>4およびC3 = /C2 −>3.5が、適切な反応条件を選択することによって達成できること
が示される。
が示される。
【0025】 実施例14−17 ナフサ流れ(例えばFCCナフサ、コーカーナフサ)に含まれるオレフィンや
パラフィンを、ZSM−5などの小細孔または中間細孔のゼオライト上で分解す
ることにより、相当量のエチレンおよびプロピレンを製造することができる。エ
チレンまたはプロピレンへの選択性およびプロパンに対するプロピレンの選択性
は、触媒や運転条件の関数として変化する。プロピレン収率が、スチームをキャ
ットナフサと共に反応器に供給することによって、増加できることが見出された
。触媒は、ZSM−5でも他の小細孔または中間細孔のゼオライトであってもよ
い。下記の表2には、5wt%のスチームを38.8wt%のオレフィンを含有
するFCCナフサと共に供給した際に、プロピレン収率が増加することが示され
る。プロピレン収率が増加するものの、プロピレン純度は減少する。したがって
、目標とするプロピレン選択性を保持するように調節すべく、他の運転条件を調
整することが必要となろう。
パラフィンを、ZSM−5などの小細孔または中間細孔のゼオライト上で分解す
ることにより、相当量のエチレンおよびプロピレンを製造することができる。エ
チレンまたはプロピレンへの選択性およびプロパンに対するプロピレンの選択性
は、触媒や運転条件の関数として変化する。プロピレン収率が、スチームをキャ
ットナフサと共に反応器に供給することによって、増加できることが見出された
。触媒は、ZSM−5でも他の小細孔または中間細孔のゼオライトであってもよ
い。下記の表2には、5wt%のスチームを38.8wt%のオレフィンを含有
するFCCナフサと共に供給した際に、プロピレン収率が増加することが示され
る。プロピレン収率が増加するものの、プロピレン純度は減少する。したがって
、目標とするプロピレン選択性を保持するように調節すべく、他の運転条件を調
整することが必要となろう。
【0026】
【表3】
【0027】 実施例18−21 ZCAT−40を用いて、上記の実施例で述べた接触分解ナフサを分解した。
次いでコーク堆積触媒を用いて、C4流(n−ブタン6wt%、i−ブタン9w
t%、1−ブテン47wt%、およびi−ブテン38wt%を含む)を、下記の
表に示される温度および空間速度で反応器内で分解した。下記の表の結果からわ
かるように、原料流のかなりの部分がプロピレンに転化された。
次いでコーク堆積触媒を用いて、C4流(n−ブタン6wt%、i−ブタン9w
t%、1−ブテン47wt%、およびi−ブテン38wt%を含む)を、下記の
表に示される温度および空間速度で反応器内で分解した。下記の表の結果からわ
かるように、原料流のかなりの部分がプロピレンに転化された。
【0028】
【表4】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C10G 11/05 C10G 11/05 (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,UG,ZW),E A(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ ,TM),AL,AU,BA,BB,BG,BR,CA ,CN,CU,CZ,EE,GE,HR,HU,ID, IL,IN,IS,JP,KP,KR,LC,LK,L R,LT,LV,MG,MK,MN,MX,NO,NZ ,PL,RO,SG,SI,SK,SL,TR,TT, UA,UZ,VN,YU,ZA (72)発明者 アスプリン,ジョン,アーネスト アメリカ合衆国,テキサス州 77058,ヒ ューストン,ウインドワード レーン 18822 (72)発明者 スタンツ,ゴードン,フレデリック アメリカ合衆国,ルイジアナ州 70816, バトン ルージュ,レーク リングハム サークル 12217 (72)発明者 チェン,タン−ジェン アメリカ合衆国,テキサス州 77345,キ ングウッド,ロフティー マグノリア コ ート 5615 Fターム(参考) 4H006 AA02 AC26 BA56 BA71 BA84 BC10 BC11 BC19 BC34 BD36 BD52 4H029 CA00 DA00
Claims (9)
- 【請求項1】 反応域、ストリッピング域、触媒再生域および分留域を含む
プロセスユニットにおいて、以下の行程(a)〜(f)を含むことを特徴とする
、ナフサ原料流からC3オレフィンを選択的に製造する製造方法。 (a)上記ナフサ流を、約0.7nm未満の平均細孔径のゼオライトを含有する
触媒の流動床を含み、約500〜650℃の温度、10〜40psiaの炭化水
素分圧、1〜10秒の炭化水素滞留時間、および約2〜10の触媒/原料比で運
転される反応域で反応させ、パラフィンの約20wt%未満がオレフィンに転化
された反応生成物を製造する工程 (b)上記触媒をストリッピング域に通し、ストリッピング媒体を用いることに
より揮発性物質をストリッピングする工程 (c)上記ストリッピングされた触媒を上記ストリッピング域から触媒再生域に
通し、すべてのコーク堆積物を酸素含有ガスの存在下に燃焼させる工程 (d)上記再生触媒を上記反応域へ再循環させ、新原料に接触させる工程 (e)ベーパープロダクト流を分留し、C3留分、オレフィンリッチC4留分お
よび任意にオレフィンリッチC5留分を製造する工程 (f)C4留分を反応域またはストリッピング域、またはこの両域に通す工程 - 【請求項2】 上記結晶性ゼオライトは、ZSM系から選択される1種であ
ることを特徴とする請求項1に記載のナフサ原料流からC3オレフィンを選択的
に製造する製造方法。 - 【請求項3】 上記結晶性ゼオライトは、ZSM−5であることを特徴とす
る請求項2に記載のナフサ原料流からC3オレフィンを選択的に製造する製造方
法。 - 【請求項4】 上記ナフサ原料は、約10〜30wt%のパラフィンおよび
約15〜70wt%のオレフィンを含むことを特徴とする請求項2に記載のナフ
サ原料流からC3オレフィンを選択的に製造する製造方法。 - 【請求項5】 上記反応温度は、約500〜約600℃であることを特徴と
する請求項4に記載のナフサ原料流からC3オレフィンを選択的に製造する製造
方法。 - 【請求項6】 上記原料流中のC5 +オレフィンの少なくとも約60wt%
はC4-生成物に転化され、またパラフィンの約25wt%未満はC4 −生成物
に転化されることを特徴とする請求項4に記載のナフサ原料流からC3オレフィ
ンを選択的に製造する製造方法。 - 【請求項7】 プロピレンは、全C3生成物の少なくとも約90モル%を占
めることを特徴とする請求項6に記載のナフサ原料流からC3オレフィンを選択
的に製造する製造方法。 - 【請求項8】 プロピレン/全C2 −生成物の重量比は、約3.5を越える
ことを特徴とする請求項7に記載のナフサ原料流からC3オレフィンを選択的に
製造する製造方法。 - 【請求項9】 オレフィンリッチC5留分も製造され、反応域、ストリッピ
ング域、またはこれらの両域に再循環されることを特徴とする請求項1に記載の
ナフサ原料流からC3オレフィンを選択的に製造する製造方法。
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