JP2006520845A - プロピレン生成のためのナフサ原料からのc6留分の分留およびさらなる分解 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)ナフサ沸点範囲の原料ストリームを分留して、少なくともC6リッチ留分およびC6リーン留分を製造する工程、
(b)該C6リーン留分の少なくとも一部分を反応域中に注入し、その際、該反応域は、平均細孔直径0.7nm未満を有する少なくとも一種のモレキュラーシーブを含む分解触媒を含み、しかも該C6リーン留分は、該分解触媒と効果的な条件下で接触し、それにより少なくとも炭素がそこに沈積された廃触媒粒子、および生成物ストリームを得る工程、
(c)該C6リッチ留分の少なくとも一部分を、プロセス装置の場所で注入し、その際、該場所は、i)C6リーン留分の下流、ii)ストリッピング域およびiii)ストリッピング域の上にある希薄相からなる群から選択される工程、
(d)該廃触媒粒子の少なくとも一部分を、ストリッピング域において、いかなる揮発性物質もその少なくとも一部分をそこから除去するのに効果的な条件下でストリッピングガスと接触させ、それにより少なくともストリッピングされた廃触媒粒子を得る工程、
(e)該ストリッピングされた廃触媒の少なくとも一部分を、再生域において、酸素含有ガスの存在下に、そこに沈積された該炭素の少なくとも一部分を燃焼して除くのに効果的な条件下で再生し、それにより少なくとも再生された触媒粒子を製造する工程、
(f)該再生された触媒粒子の少なくとも一部分を該反応域にリサイクルする工程、
(g)工程(b)の該生成物ストリームの少なくとも一部分を分留して、少なくともプロピレンリッチ留分を製造する工程、および
(h)プロピレンリッチ留分の少なくとも一部分を収集する工程
を含む。
(a)ナフサ沸点範囲の原料ストリームを反応域中に注入し、その際、該反応域は、平均細孔直径0.7nm未満を有する少なくとも一種のモレキュラーシーブを含む分解触媒を含み、しかも該ナフサ沸点範囲の原料ストリームは、該分解触媒と効果的な条件下で接触し、それにより少なくとも炭素がそこに沈積された廃触媒粒子、および生成物ストリームを得る工程、
(b)該廃触媒粒子の少なくとも一部分を、ストリッピング域において、いかなる揮発性物質もその少なくとも一部分をそこから除去するのに効果的な条件下でストリッピングガスと接触させ、それにより少なくともストリッピングされた廃触媒粒子を得る工程、
(c)該ストリッピングされた廃触媒の少なくとも一部分を、再生域において、酸素含有ガスの存在下に、そこに沈積された該炭素の少なくとも一部分を燃焼して除くのに効果的な条件下で再生し、それにより少なくとも再生された触媒粒子を製造する工程、
(d)該再生された触媒粒子の少なくとも一部分を該反応域にリサイクルする工程、
(e)工程(a)の該生成物ストリームの少なくとも一部分を分留して、少なくともプロピレンリッチ留分、C6リッチ留分およびC6リーン留分を製造する工程、および
(f)プロピレンリッチ留分およびC6リーン留分の少なくとも一部分を収集し、C6リッチ留分の少なくとも一部分をプロセス装置の場所にリサイクルし、その際、該場所は、i)C6リーン留分の下流、ii)ストリッピング域、iii)C6リーン留分およびiv)ストリッピング域の上にある希薄相からなる群から選択される工程
を含む。
(a)ナフサ沸点範囲の原料ストリームを分留して、少なくともC6リッチ原料留分およびC6リーン原料留分を製造する工程、
(b)該C6リーン原料留分の少なくとも一部分を反応域中に注入し、その際、該反応域は、平均細孔直径0.7nm未満を有する少なくとも一種のモレキュラーシーブを含む分解触媒を含み、しかも該C6リーン原料留分は、該分解触媒と効果的な条件下で接触し、それにより少なくとも炭素がそこに沈積された廃触媒粒子、および生成物ストリームを得る工程、
(c)該C6リッチ原料留分の少なくとも一部分を、プロセス装置の場所で、プロセス装置中に注入し、その際、該場所は、i)C6リーン留分の下流、ii)ストリッピング域およびiii)希薄相反応域からなる群から選択される工程、
(d)該廃触媒粒子の少なくとも一部分を、ストリッピング域において、いかなる揮発性物質もその少なくとも一部分をそこから除去するのに効果的な条件下でストリッピングガスと接触させ、それにより少なくともストリッピングされた廃触媒粒子を得る工程、
(e)該ストリッピングされた廃触媒の少なくとも一部分を、再生域において、酸素含有ガスの存在下に、そこに沈積された該炭素の少なくとも一部分を燃焼して除くのに効果的な条件下で再生する工程、
(f)該再生された触媒粒子の少なくとも一部分を該反応域にリサイクルする工程、
(g)工程(b)の該生成物ストリームの少なくとも一部分を分留して、少なくともプロピレンリッチ留分、C6リッチ生成物留分およびC6リーン生成物留分を製造する工程、および
(h)プロピレンおよびC6リーン生成物留分の少なくとも一部分を収集し、C6リッチ生成物留分の少なくとも一部分をプロセス装置の場所にリサイクルし、その際、該場所は、i)C6リーン原料留分の下流、ii)ストリッピング域およびiii)ストリッピング域の上にある希薄相からなる群から選択される工程
を含む。
軽質キャットナフサを、五つの異なる留分に蒸留して、ナフサ分解における原料材の効果を検討した。蒸留は、ナフサ蒸留のASTM規格(ASTM D−86)にしたがって行われた。蒸留された軽質キャットナフサについて、原料材成分の特性の結果を表1に示す。
小さなベンチ反応器における一連の試験を、軽質キャットナフサの種々の沸点留分について行った。全ての試験は、ZSM−5中細孔ゼオライト触媒0.3gの固定床により、575℃、72hr−1WHSVで行われた。分解試験の前に、ZSM−5触媒は、100%スチームを用いて816℃および1気圧で16時間スチーミングすることによって、それをエージングした。
ZSM−5に加えて、軽質キャットナフサの種々の沸点留分をまた、SAPO−11触媒を用いて試験した。SAP−11の場合には、ゼオライトは、新規のまま試験された。他の点では、SAPO−11による実験で用いられた手順は、名目的には、ZSM−5による実験と同一であった。結果を表3に示す。
Claims (15)
- 少なくとも反応域、ストリッピング域、再生域、および少なくとも一つの分留域を含むプロセス装置において、ナフサ沸点範囲の原料ストリームからプロピレンを増量して製造するための方法であって、該方法は、
(a)該ナフサ沸点範囲の原料ストリームを分留して、C6リッチ留分およびC6リーン留分を製造する工程、
(b)該C6リーン留分の少なくとも一部分を反応域中に注入し、その際、該反応域は、平均細孔直径0.7nm未満を有する少なくとも一種のモレキュラーシーブを含む分解触媒を含み、しかも該C6リーン留分は、該分解触媒と効果的な条件下で接触し、それにより少なくとも炭素がそこに沈積された廃触媒粒子、および生成物ストリームを得る工程、
(c)該C6リッチ留分の少なくとも一部分をプロセス装置の場所で注入し、その際、該場所は、i)C6リーン留分の下流、ii)ストリッピング域およびiii)ストリッピング域の上にある希薄相からなる群から選択される工程、
(d)該廃触媒粒子の少なくとも一部分を、ストリッピング域において、いかなる揮発性物質もその少なくとも一部分をそこから除去するのに効果的な条件下でストリッピングガスと接触させ、それにより少なくともストリッピングされた廃触媒粒子を得る工程、
(e)該ストリッピングされた廃触媒の少なくとも一部分を、再生域において、酸素含有ガスの存在下に、そこに沈積された該炭素の少なくとも一部分を燃焼して除くのに効果的な条件下で再生し、それにより少なくとも再生された触媒粒子を製造する工程、
(f)該再生された触媒粒子の少なくとも一部分を該反応域にリサイクルする工程、
(g)工程(b)の該生成物ストリームの少なくとも一部分を分留して、少なくともプロピレンリッチ留分を製造する工程、および
(h)プロピレンリッチ留分の少なくとも一部分を収集する工程
を含むことを特徴とするプロピレンの増量製造方法。 - 少なくとも反応域、ストリッピング域、再生域、および少なくとも一つの分留域を含むプロセス装置において、ナフサ沸点範囲の原料ストリームからプロピレンを増量して製造するための方法であって、該方法は、
(a)ナフサ沸点範囲の原料ストリームを反応域中に注入し、その際、該反応域は、平均細孔直径0.7nm未満を有する少なくとも一種のモレキュラーシーブを含む分解触媒を含み、しかも該ナフサ沸点範囲の原料ストリームは、該分解触媒と効果的な条件下で接触し、それにより少なくとも炭素がそこに沈積された廃触媒粒子、および生成物ストリームを得る工程、
(b)該廃触媒粒子の少なくとも一部分を、ストリッピング域において、いかなる揮発性物質もその少なくとも一部分をそこから除去するのに効果的な条件下でストリッピングガスと接触させ、それにより少なくともストリッピングされた廃触媒粒子を得る工程、
(c)該ストリッピングされた廃触媒の少なくとも一部分を、再生域において、酸素含有ガスの存在下に、そこに沈積された該炭素の少なくとも一部分を燃焼して除くのに効果的な条件下で再生し、それにより少なくとも再生された触媒粒子を製造する工程、
(d)該再生された触媒粒子の少なくとも一部分を該反応域にリサイクルする工程、
(e)工程(a)の該生成物ストリームの少なくとも一部分を分留して、少なくともプロピレンリッチ留分、C6リッチ留分およびC6リーン留分を製造する工程、および
(f)プロピレンリッチ留分およびC6リーン留分の少なくとも一部分を収集し、C6リッチ留分の少なくとも一部分をプロセス装置の場所にリサイクルし、その際、該場所は、i)C6リーン留分の下流、ii)ストリッピング域、iii)C6リーン留分およびiv)ストリッピング域の上にある希薄相からなる群から選択される工程
を含むことを特徴とするプロピレンの増量製造方法。 - 少なくとも反応域、ストリッピング域、再生域、および少なくとも一つの分留域を含むプロセス装置において、ナフサ沸点範囲の原料ストリームからプロピレンを増量して製造するための方法であって、該方法は、
(a)該ナフサ沸点範囲の原料ストリームを分留して、C6リッチ原料留分およびC6リーン原料留分を製造する工程、
(b)該C6リーン原料留分の少なくとも一部分を反応域中に注入し、その際、該反応域は、平均細孔直径0.7nm未満を有する少なくとも一種のモレキュラーシーブを含む分解触媒を含み、しかも該C6リーン原料留分は、該分解触媒と効果的な条件下で接触し、それにより少なくとも炭素がそこに沈積された廃触媒粒子、および生成物ストリームを得る工程、
(c)該C6リッチ原料留分の少なくとも一部分を、プロセス装置の場所で注入し、その際、該場所は、i)C6リーン留分の下流、ii)ストリッピング域およびiii)ストリッピング域の上にある希薄相からなる群から選択される工程、
(d)該廃触媒粒子の少なくとも一部分を、ストリッピング域において、いかなる揮発性物質もその少なくとも一部分をそこから除去するのに効果的な条件下でストリッピングガスと接触させ、それにより少なくともストリッピングされた廃触媒粒子を得る工程、
(e)該ストリッピングされた廃触媒の少なくとも一部分を、再生域において、酸素含有ガスの存在下に、そこに沈積された該炭素の少なくとも一部分を燃焼して除くのに効果的な条件下で再生し、それにより少なくとも再生された触媒粒子を製造する工程、
(f)該再生された触媒粒子の少なくとも一部分を該反応域にリサイクルする工程、
(g)工程(b)の該生成物ストリームの少なくとも一部分を分留して、少なくともプロピレンリッチ留分、C6リッチ生成物留分およびC6リーン生成物留分を製造する工程、および
(h)プロピレンおよびC6リーン生成物留分の少なくとも一部分を収集し、C6リッチ生成物留分の少なくとも一部分をプロセス装置の場所にリサイクルし、その際、該場所は、i)C6リーン原料留分の下流、ii)ストリッピング域およびiii)ストリッピング域の上にある希薄相からなる群から選択される工程
を含むことを特徴とするプロピレンの増量製造方法。 - 前記少なくとも一種のモレキュラーシーブは、ゼオライトおよびシリコアルミノホスフェートからなる群から選択されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のプロピレンの増量製造方法。
- 前記少なくとも一種のモレキュラーシーブは、中細孔ゼオライトであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のプロピレンの増量製造方法。
- 前記中細孔ゼオライトは、ZSM−5、ZSM−11、ZSM−12、ZSM−22、ZSM−23、ZSM−48およびZSM−50からなる群から選択されることを特徴とする請求項5に記載のプロピレンの増量製造方法。
- 前記シリコアルミノホスフェートは、SAPO−11、SAPO−34、SAPO−41およびSAPO−42からなる群から選択されることを特徴とする請求項4に記載のプロピレンの増量製造方法。
- 前記プロピレンリッチ留分は、60wt%超のプロピレン濃度を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のプロピレンの増量製造方法。
- 反応域における前記効果的な条件は、500℃〜650℃の温度を含むことを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のプロピレンの増量製造方法。
- 前記C6リッチ留分は、少なくとも50wt%のC6化合物を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載のプロピレンの増量製造方法。
- 前記反応域は、動的触媒床から選択される少なくとも一種の触媒床を含み、しかも該動的触媒床は、流動触媒床、スラリー触媒床および沸騰触媒床からなる群から選択されることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載のプロピレンの増量製造方法。
- 前記モレキュラーシーブは、全流動触媒組成物の10wt%〜50wt%を構成することを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載のプロピレンの増量製造方法。
- 前記少なくとも一種のモレキュラ−シーブは、クロモシリケート、ガリウムシリケート、鉄シリケート、アルミニウムホスフェート(ALPO)、チタンアルミノシリケート(TASO)、ボロンシリケート、チタンアルミノホスフェート(TAPO)および鉄アルミノシリケートからなる群から選択されることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載のプロピレンの増量製造方法。
- 前記分解触媒は、さらに、無機酸化物母材成分を含むことを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載のプロピレンの増量製造方法。
- 前記無機酸化物母材成分は、触媒的に不活性であり、珪素およびアルミニウムの酸化物からなる群から選択されることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項に記載のプロピレンの増量製造方法。
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