|
US6315926B1
(en)
*
|
1997-01-15 |
2001-11-13 |
Dsm N.V. |
Radiation curable conductive coating dispersion, process for its preparation and coatings made of it
|
|
JP3853967B2
(ja)
*
|
1998-04-13 |
2006-12-06 |
富士写真フイルム株式会社 |
熱硬化性組成物およびこれを用いた平版印刷版用原版ならびにスルホン酸エステル化合物
|
|
DE69904073T2
(de)
*
|
1998-10-29 |
2003-07-17 |
Ciba Speciality Chemicals Holding Inc., Basel |
Oximderivate und ihre verwendung als latente saüre
|
|
JP2000275864A
(ja)
*
|
1999-01-22 |
2000-10-06 |
Kodak Polychrome Graphics Japan Ltd |
印刷刷版作製方法
|
|
AU4102100A
(en)
*
|
1999-03-03 |
2000-09-21 |
Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. |
Oxime derivatives and the use thereof as photoinitiators
|
|
SG78412A1
(en)
*
|
1999-03-31 |
2001-02-20 |
Ciba Sc Holding Ag |
Oxime derivatives and the use thereof as latent acids
|
|
NL1014545C2
(nl)
*
|
1999-03-31 |
2002-02-26 |
Ciba Sc Holding Ag |
Oxim-derivaten en de toepassing daarvan als latente zuren.
|
|
US6797451B2
(en)
*
|
1999-07-30 |
2004-09-28 |
Hynix Semiconductor Inc. |
Reflection-inhibiting resin used in process for forming photoresist pattern
|
|
JP2002202603A
(ja)
*
|
2000-10-23 |
2002-07-19 |
Jsr Corp |
感放射線性樹脂組成物
|
|
DK1392675T3
(da)
*
|
2001-06-01 |
2005-04-04 |
Ciba Sc Holding Ag |
Substituerede oximderivater og anvendelsen deraf som latente syrer
|
|
US6824954B2
(en)
*
|
2001-08-23 |
2004-11-30 |
Jsr Corporation |
Sulfonyloxime compound, and radiation sensitive acid generator, positive type radiation sensitive resin composition and negative type radiation sensitive resin composition using same
|
|
JP3849486B2
(ja)
*
|
2001-10-19 |
2006-11-22 |
住友化学株式会社 |
化学増幅型ポジ型レジスト組成物
|
|
AU2003206787A1
(en)
*
|
2002-02-06 |
2003-09-02 |
Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. |
Sulfonate derivatives and the use therof as latent acids
|
|
KR100698444B1
(ko)
*
|
2002-03-22 |
2007-03-23 |
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 |
화학 증폭 레지스트 재료용 광산 발생제, 및 이것을사용한 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
|
|
TW200405128A
(en)
|
2002-05-01 |
2004-04-01 |
Shinetsu Chemical Co |
Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
|
|
US20030232129A1
(en)
*
|
2002-06-12 |
2003-12-18 |
Farzad Parsapour |
Method of manufacturing a color filter cathode ray tube (CRT)
|
|
JP3991213B2
(ja)
*
|
2002-08-09 |
2007-10-17 |
信越化学工業株式会社 |
新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4371206B2
(ja)
*
|
2002-09-30 |
2009-11-25 |
信越化学工業株式会社 |
エステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
|
|
JP3991222B2
(ja)
*
|
2003-02-13 |
2007-10-17 |
信越化学工業株式会社 |
新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP3991223B2
(ja)
|
2003-02-13 |
2007-10-17 |
信越化学工業株式会社 |
新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP2004334060A
(ja)
*
|
2003-05-12 |
2004-11-25 |
Shin Etsu Chem Co Ltd |
化学増幅型レジスト用光酸発生剤及びそれを含有するレジスト材料並びにパターン形成方法
|
|
CN1698016A
(zh)
*
|
2003-05-20 |
2005-11-16 |
东京应化工业株式会社 |
化学放大型正性光致抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法
|
|
JP4081677B2
(ja)
*
|
2003-05-21 |
2008-04-30 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4009852B2
(ja)
*
|
2003-05-21 |
2007-11-21 |
信越化学工業株式会社 |
塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4029288B2
(ja)
*
|
2003-05-21 |
2008-01-09 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
WO2004104703A1
(ja)
*
|
2003-05-22 |
2004-12-02 |
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. |
化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
|
|
US7285368B2
(en)
*
|
2003-06-12 |
2007-10-23 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Polymerizable ester having sulfonamide structure, polymer, resist composition and patterning process
|
|
JP4085034B2
(ja)
*
|
2003-07-17 |
2008-04-30 |
信越化学工業株式会社 |
化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4359467B2
(ja)
*
|
2003-08-28 |
2009-11-04 |
信越化学工業株式会社 |
新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法。
|
|
JP4398783B2
(ja)
*
|
2003-09-03 |
2010-01-13 |
信越化学工業株式会社 |
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
US7601479B2
(en)
*
|
2003-09-12 |
2009-10-13 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Polymer, resist composition and patterning process
|
|
JP4355917B2
(ja)
*
|
2003-10-29 |
2009-11-04 |
信越化学工業株式会社 |
含窒素有機化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
US7276324B2
(en)
*
|
2003-11-14 |
2007-10-02 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Nitrogen-containing organic compound, resist composition and patterning process
|
|
JP4131864B2
(ja)
*
|
2003-11-25 |
2008-08-13 |
東京応化工業株式会社 |
化学増幅型ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、硬化物の形成方法、及び機能素子の製造方法
|
|
DE102004009422A1
(de)
*
|
2004-02-24 |
2005-09-08 |
Metronic Ag |
Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von diffraktiven Elementen auf Oberflächen
|
|
JP4240223B2
(ja)
*
|
2004-03-22 |
2009-03-18 |
信越化学工業株式会社 |
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4502115B2
(ja)
*
|
2004-04-23 |
2010-07-14 |
信越化学工業株式会社 |
含窒素有機化合物、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP2005344009A
(ja)
*
|
2004-06-03 |
2005-12-15 |
Shin Etsu Chem Co Ltd |
レジスト材料用高分子化合物及びその製造方法並びに化学増幅ポジ型レジスト材料
|
|
JP4300420B2
(ja)
*
|
2004-06-21 |
2009-07-22 |
信越化学工業株式会社 |
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4274057B2
(ja)
*
|
2004-06-21 |
2009-06-03 |
信越化学工業株式会社 |
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
KR20070064596A
(ko)
*
|
2004-08-11 |
2007-06-21 |
시바 스페셜티 케미칼스 홀딩 인크. |
아조 커플링 반응에 기초하는 시간-온도 인디케이터를기재에 인쇄하는 방법
|
|
JP4488215B2
(ja)
*
|
2004-08-19 |
2010-06-23 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP2006106311A
(ja)
*
|
2004-10-05 |
2006-04-20 |
Shin Etsu Chem Co Ltd |
ケイ素含有レジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法
|
|
US7531289B2
(en)
|
2004-10-28 |
2009-05-12 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Fluorinated monomer having cyclic structure, manufacturing method, polymer, photoresist composition and patterning process
|
|
JP4420226B2
(ja)
*
|
2005-02-18 |
2010-02-24 |
信越化学工業株式会社 |
化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
TWI332122B
(en)
*
|
2005-04-06 |
2010-10-21 |
Shinetsu Chemical Co |
Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions and patterning process
|
|
US7816072B2
(en)
*
|
2005-05-02 |
2010-10-19 |
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. |
Positive resist composition and method for forming resist pattern
|
|
KR20080008354A
(ko)
*
|
2005-05-11 |
2008-01-23 |
도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 |
네거티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
|
|
JP4823562B2
(ja)
*
|
2005-05-11 |
2011-11-24 |
東京応化工業株式会社 |
レジストパターン形成方法
|
|
JP4626758B2
(ja)
*
|
2005-07-07 |
2011-02-09 |
信越化学工業株式会社 |
含フッ素環状構造を有するケイ素化合物及びシリコーン樹脂、それを用いたレジスト組成物、及びパターン形成方法
|
|
JP4671035B2
(ja)
*
|
2005-10-14 |
2011-04-13 |
信越化学工業株式会社 |
化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
EP1780198B1
(en)
*
|
2005-10-31 |
2011-10-05 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Novel fluorosulfonyloxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
|
|
EP1780199B1
(en)
*
|
2005-10-31 |
2012-02-01 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Novel fluorohydroxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
|
|
JP4716016B2
(ja)
*
|
2005-12-27 |
2011-07-06 |
信越化学工業株式会社 |
高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
|
|
US20070202435A1
(en)
*
|
2005-12-29 |
2007-08-30 |
Rohm And Haas Electronic Materials Llc |
Methods of forming optical waveguides
|
|
JP4539865B2
(ja)
*
|
2006-01-06 |
2010-09-08 |
信越化学工業株式会社 |
ラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4614092B2
(ja)
|
2006-01-31 |
2011-01-19 |
信越化学工業株式会社 |
フッ素アルコール化合物の製造方法
|
|
JP4600679B2
(ja)
*
|
2006-02-13 |
2010-12-15 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP4600678B2
(ja)
*
|
2006-02-13 |
2010-12-15 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP4687898B2
(ja)
*
|
2006-03-14 |
2011-05-25 |
信越化学工業株式会社 |
含フッ素ケイ素化合物、シリコーン樹脂、それを用いたレジスト組成物、及びパターン形成方法
|
|
US7771913B2
(en)
*
|
2006-04-04 |
2010-08-10 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Resist composition and patterning process using the same
|
|
JP4743426B2
(ja)
*
|
2006-05-12 |
2011-08-10 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料用重合体及びその製造方法、レジスト材料、パターン形成方法
|
|
JP4548617B2
(ja)
*
|
2006-06-09 |
2010-09-22 |
信越化学工業株式会社 |
化学増幅レジスト材料用光酸発生剤、及び該光酸発生剤を含有するレジスト材料、並びにこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP4623311B2
(ja)
*
|
2006-06-14 |
2011-02-02 |
信越化学工業株式会社 |
化学増幅レジスト材料用光酸発生剤、及び該光酸発生剤を含有するレジスト材料、並びにこれを用いたパターン形成方法
|
|
WO2007147782A2
(en)
*
|
2006-06-20 |
2007-12-27 |
Ciba Holding Inc. |
Oxime sulfonates and the use therof as latent acids
|
|
KR101265352B1
(ko)
*
|
2006-07-06 |
2013-05-20 |
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 |
에스테르 화합물과 그의 제조 방법, 고분자 화합물,레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법
|
|
JP4784753B2
(ja)
*
|
2006-07-06 |
2011-10-05 |
信越化学工業株式会社 |
重合性エステル化合物、重合体、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
KR101145545B1
(ko)
*
|
2006-07-06 |
2012-05-15 |
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 |
포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
|
|
KR101054158B1
(ko)
*
|
2006-07-06 |
2011-08-03 |
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 |
포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
|
|
KR101204122B1
(ko)
*
|
2006-07-06 |
2012-11-22 |
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 |
포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
|
|
BRPI0715723A2
(pt)
|
2006-08-24 |
2013-09-17 |
Ciba Holding Inc |
indicadores de doses de uv
|
|
JP2009282052A
(ja)
*
|
2006-09-13 |
2009-12-03 |
Nissan Chem Ind Ltd |
光酸発生剤を含む染料含有レジスト組成物及びシクロヘキサジエン系オキシムスルホネート化合物
|
|
JP4509080B2
(ja)
*
|
2006-09-28 |
2010-07-21 |
信越化学工業株式会社 |
シルセスキオキサン系化合物混合物及び加水分解性シラン化合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法及び基板の加工方法
|
|
JP2008088343A
(ja)
*
|
2006-10-04 |
2008-04-17 |
Shin Etsu Chem Co Ltd |
高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
|
|
KR101116963B1
(ko)
*
|
2006-10-04 |
2012-03-14 |
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 |
고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법
|
|
US7771914B2
(en)
*
|
2006-10-17 |
2010-08-10 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Resist composition and patterning process
|
|
JP4784760B2
(ja)
*
|
2006-10-20 |
2011-10-05 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4288520B2
(ja)
*
|
2006-10-24 |
2009-07-01 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP2008129389A
(ja)
*
|
2006-11-22 |
2008-06-05 |
Shin Etsu Chem Co Ltd |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4910662B2
(ja)
*
|
2006-11-29 |
2012-04-04 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4314494B2
(ja)
*
|
2006-11-29 |
2009-08-19 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4435196B2
(ja)
*
|
2007-03-29 |
2010-03-17 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
|
|
KR101385946B1
(ko)
*
|
2007-04-02 |
2014-04-16 |
주식회사 동진쎄미켐 |
포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의형성 방법
|
|
JP4637209B2
(ja)
|
2007-06-05 |
2011-02-23 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
|
|
JP5035560B2
(ja)
*
|
2007-07-04 |
2012-09-26 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
|
|
GB2450975B
(en)
|
2007-07-12 |
2010-02-24 |
Ciba Holding Inc |
Yellow radiation curing inks
|
|
JP4475435B2
(ja)
*
|
2007-07-30 |
2010-06-09 |
信越化学工業株式会社 |
含フッ素単量体、含フッ素高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP5035562B2
(ja)
*
|
2007-08-22 |
2012-09-26 |
信越化学工業株式会社 |
パターン形成方法
|
|
JP5013119B2
(ja)
*
|
2007-09-20 |
2012-08-29 |
信越化学工業株式会社 |
パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
|
|
US8715918B2
(en)
*
|
2007-09-25 |
2014-05-06 |
Az Electronic Materials Usa Corp. |
Thick film resists
|
|
JP4993138B2
(ja)
*
|
2007-09-26 |
2012-08-08 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP4637221B2
(ja)
*
|
2007-09-28 |
2011-02-23 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
|
|
JP4513990B2
(ja)
|
2008-01-18 |
2010-07-28 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4513989B2
(ja)
|
2008-01-18 |
2010-07-28 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4844761B2
(ja)
*
|
2008-01-18 |
2011-12-28 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP5071658B2
(ja)
*
|
2008-02-14 |
2012-11-14 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法
|
|
JP5131461B2
(ja)
|
2008-02-14 |
2013-01-30 |
信越化学工業株式会社 |
高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
|
|
EP2247983A1
(en)
*
|
2008-02-21 |
2010-11-10 |
Basf Se |
Uv-dose indicator films
|
|
JP5177432B2
(ja)
*
|
2008-02-21 |
2013-04-03 |
信越化学工業株式会社 |
パターン形成方法
|
|
JP4623324B2
(ja)
*
|
2008-03-18 |
2011-02-02 |
信越化学工業株式会社 |
水酸基を有する単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP5381298B2
(ja)
*
|
2008-05-12 |
2014-01-08 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
|
|
JP4650644B2
(ja)
*
|
2008-05-12 |
2011-03-16 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4771101B2
(ja)
*
|
2008-09-05 |
2011-09-14 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4743450B2
(ja)
*
|
2008-09-05 |
2011-08-10 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4655128B2
(ja)
*
|
2008-09-05 |
2011-03-23 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4743451B2
(ja)
*
|
2008-09-05 |
2011-08-10 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
KR101646907B1
(ko)
*
|
2009-02-11 |
2016-08-10 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 및 이에 사용되는 네가티브 포토레지스트 조성물
|
|
EP2414894B1
(en)
|
2009-03-30 |
2014-02-12 |
Basf Se |
Uv-dose indicator films
|
|
JP5177434B2
(ja)
*
|
2009-04-08 |
2013-04-03 |
信越化学工業株式会社 |
パターン形成方法
|
|
KR101813298B1
(ko)
|
2010-02-24 |
2017-12-28 |
바스프 에스이 |
잠재성 산 및 그의 용도
|
|
KR101400194B1
(ko)
|
2010-12-01 |
2014-05-27 |
제일모직 주식회사 |
컬러필터용 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 컬러필터
|
|
CN103443072B
(zh)
*
|
2011-01-28 |
2016-05-18 |
巴斯夫欧洲公司 |
包含肟磺酸酯作为热固化剂的可聚合组合物
|
|
US9145383B2
(en)
|
2012-08-10 |
2015-09-29 |
Hallstar Innovations Corp. |
Compositions, apparatus, systems, and methods for resolving electronic excited states
|
|
US9125829B2
(en)
|
2012-08-17 |
2015-09-08 |
Hallstar Innovations Corp. |
Method of photostabilizing UV absorbers, particularly dibenzyolmethane derivatives, e.g., Avobenzone, with cyano-containing fused tricyclic compounds
|
|
WO2014025370A1
(en)
|
2012-08-10 |
2014-02-13 |
Hallstar Innovations Corp. |
Tricyclic energy quencher compounds for reducing singlet oxygen generation
|
|
KR101482631B1
(ko)
*
|
2012-11-20 |
2015-01-14 |
삼성디스플레이 주식회사 |
고분자, 상기 고분자를 포함한 레지스트 조성물 및 상기 레지스트 조성물을 이용한 레지스트 패턴 형성 방법
|
|
KR20140083620A
(ko)
|
2012-12-26 |
2014-07-04 |
제일모직주식회사 |
차광층용 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 차광층
|
|
KR102537349B1
(ko)
|
2015-02-02 |
2023-05-26 |
바스프 에스이 |
잠재성 산 및 그의 용도
|
|
KR102261808B1
(ko)
|
2016-08-09 |
2021-06-07 |
리지필드 액퀴지션 |
환경적으로 안정한 후막성 화학증폭형 레지스트
|
|
US10662274B2
(en)
|
2016-12-02 |
2020-05-26 |
Georgia Tech Research Corporation |
Self-immolative polymers, articles thereof, and methods of making and using same
|
|
CN115368340B
(zh)
*
|
2021-05-20 |
2024-01-26 |
常州强力先端电子材料有限公司 |
肟磺酸酯光产酸剂、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用
|
|
CN115368341B
(zh)
*
|
2021-05-20 |
2024-01-26 |
常州强力先端电子材料有限公司 |
肟磺酸酯化合物、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用
|
|
CN115611874B
(zh)
*
|
2021-07-16 |
2024-12-13 |
常州强力先端电子材料有限公司 |
肟磺酸酯光酸、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用
|