JP2002373959A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度変化や湿度の影響を受けにくく、耐久性
及び外部基板との接続信頼性に優れた半導体装置を提供
すること、並びに、このような半導体装置を低コストに
製造する方法を提供すること。 【解決手段】 主面に半導体素子領域１が形成され、当
該半導体素子領域１の外周部に第１のボンディングパッ
ド２が形成された半導体素子３と、前記第１のボンディ
ングパッド２の一部を除く前記主面の全面に被覆された
第１の絶縁膜４と、一端が前記第１のボンディングパッ
ド２に接続され、他端が前記第１の絶縁膜４上に配置さ
れた配線５と、当該配線５と一体に形成され、前記第１
の絶縁膜３上に配置された第２のボンディングパッド６
と、当該第２のボンディングパッド６の一部を除く前記
主面の全面に被覆された第２の絶縁膜７と、前記第２の
ボンディングパッド６に形成されたバンプ電極８とをも
って半導体装置を構成する。第２の絶縁膜７を第２のボ
ンディングパッド６の一部にも被着し、バンプ電極８の
周面に第２の絶縁膜７に開設された開口７ａの周縁を密
着する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子領域上
に絶縁膜を介して外部接続用のバンプ電極が設けられた
半導体装置とその製造方法とに係り、特に、前記バンプ
電極とボンディングパッドとの接続界面の保護手段に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電気機器の小型軽量化、高速化、
高機能化という要求に対応するため、小型かつ薄形にし
て高集積化された新しい形態の半導体装置が次々と開発
されている。

【０００３】図１３は従来より提案されているこの種の
半導体装置と外部基板との接続状態を示す要部断面図、
図１４はバンプ電極を除去した従来例に係る半導体装置
の要部平面図であって、符号１００は従来例に係る半導
体装置、符号２００は外部基板を示している。

【０００４】これらの図から明らかなように、従来例に
係る半導体装置１００は、主面に半導体素子領域１０１
が形成され、当該半導体素子領域１０１の外周部に第１
のボンディングパッド１０２が形成された半導体素子１
０３と、前記第１のボンディングパッド１０２の一部を
除く前記主面の全面に被覆された無機絶縁膜１１３及び
第１の絶縁膜１０４と、一端が前記第１のボンディング
パッド１０２に接続され、他端が前記第１の絶縁膜１０
４上に配置された配線１０５と、当該配線１０５と一体
に形成され、前記第１の絶縁膜１０４上に配置された第
２のボンディングパッド１０６と、当該第２のボンディ
ングパッド１０６を除く前記主面の全面に被覆された第
２の絶縁膜１０７と、前記第２のボンディングパッド１
０６に形成されたバンプ電極１０８とから構成されてい
る。

【０００５】前記第２の絶縁膜１０７には、前記第２の
ボンディングパッド１０６を露出して当該第２のボンデ
ィングパッド１０６上への前記バンプ電極１０８の形成
を可能にするための開口１０７ａが開設される。従来例
に係る半導体装置１００においては、第２のボンディン
グパッド１０６に対する開口１０７ａの開設位置がずれ
た場合にも、バンプ電極１０８を所定の位置に確実に設
定できるようにするため、図１４に示すように、開口１
０７ａの直径Ｄが第２のボンディングパッド１０６の直
径ｄよりも大きく設定されている。例えば、直径が４０
０μｍの第２のボンディングパッド１０６上に直径が５
００μｍのはんだボ−ルからなるバンプ電極１０８を形
成する場合、前記開口１０７ａの直径Ｄは、８００μｍ
程度に設定される場合が多い。

【０００６】本例の半導体装置１００は、図１３に示す
ように、バンプ電極１０８を外部基板２００の片面に形
成されためっき配線２０１にワイヤレスボンディング方
式の一種であるフリップチップ方式にて接続することが
できるので、半導体装置に形成されたボンディングパッ
ドと外部基板に形成された配線とをワイヤボンディング
方式で接続する場合に比べて、半導体装置と外部基板と
の接続の容易化、薄形化及び小型化を図れると共に、半
導体装置の多ピン化、即ち、高集積化を図ることができ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来例に係
る半導体装置１００は、前記したように、第２の絶縁膜
１０７に開設された開口１０７ａの直径Ｄが第２のボン
ディングパッド１０６の直径ｄよりも大きく設定されて
おり、第２のボンディングパッド１０６とバンプ電極１
０８との接続界面が第２の絶縁膜１０７にて被覆されて
いないので、水分などの付着によって当該界面に腐食を
生じやすいという問題がある。また、バンプ電極１０８
が第２の絶縁膜１０７にて支持されていないので、図１
３に示すように、外部基板２００に実装した後におい
て、半導体装置１００と外部基板２００との間に温度変
化等による応力Ｆが作用した場合に、当該応力が第２の
ボンディングパッド１０６とバンプ電極１０８との接続
界面に集中し、剥離が生じやすいという問題もある。

【０００８】本発明は、かかる従来技術の不備を解決す
るためになされたものであって、その目的は、温度変化
や湿度の影響を受けにくく、耐久性及び外部基板との接
続信頼性に優れた半導体装置を提供すること、並びに、
このような半導体装置を低コストに製造する方法を提供
することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記の課題を
解決するため、半導体装置については、第１に、主面に
半導体素子領域が形成され、当該半導体素子領域の外周
部に第１のボンディングパッドが形成された半導体素子
と、前記第１のボンディングパッドの一部を除く前記主
面の全面に被覆された第１の絶縁膜と、一端が前記第１
のボンディングパッドに接続され、他端が前記第１の絶
縁膜上に配置された配線と、当該配線と一体に形成さ
れ、前記第１の絶縁膜上に配置された第２のボンディン
グパッドと、当該第２のボンディングパッドの一部を除
く前記主面の全面に被覆された第２の絶縁膜と、前記第
２のボンディングパッドに形成されたバンプ電極とを有
し、前記第２のボンディングパッドと前記バンプ電極と
の接続界面が前記第２の絶縁膜にて被覆されているとい
う構成にした。

【００１０】かように、第２のボンディングパッドとバ
ンプ電極との接続界面を第２の絶縁膜にて被覆すると、
当該接続界面への水分等の進入を防止することができる
ので、当該接続界面の腐食を防止することができ、第１
の絶縁膜上に配置された配線にバンプ電極を形成してな
る半導体装置の耐久性を改善することができる。また、
第２のボンディングパッドとバンプ電極との接続界面を
第２の絶縁膜にて被覆すると、必然的にバンプ電極の外
周面に第２の絶縁膜が密着され、バンプ電極が第２の絶
縁膜によって補強されるので、温度変化等による応力が
第２のボンディングパッドとバンプ電極との接続界面に
集中しにくくなり、当該接続界面の剥離が防止される。

【００１１】本発明は、半導体装置について、第２に、
前記第１の課題解決手段におけるバンプ電極を、前記第
１のボンディングパッドの設定部外に配置するという構
成にした。

【００１２】本発明の半導体装置は、主面に半導体素子
領域が形成され、当該半導体素子領域の外周部にボンデ
ィングパッド（第１のボンディングパッド）が形成さ
れ、当該ボンディングパッドの形成部を除く主面に絶縁
膜（第１の絶縁膜）が被覆された半導体装置を基として
作製される。かように、半導体素子領域の外周部にボン
ディングパッドが形成された半導体装置は、半導体装置
の高集約化に伴って半導体装置に形成すべきボンディン
グパッドの数量が多くなると、必然的に各ボンディング
パッドの設定間隔が小さくなるので、当該ボンディング
パッドの設定位置にバンプ電極を設定すると、バンプ電
極が小型化すると共にバンプ電極の配列ピッチが小さく
なって、外部基板との電気的な接続が困難になる。これ
に対して、バンプ電極をボンディングパッドの設定部外
に配置すると、半導体装置の面内でバンプ電極を自由に
配列することができるので、バンプ電極を大型化できる
と共にバンプ電極の配列ピッチを大きくすることができ
るので、外部基板との電気的接続を容易化することがで
きる。

【００１３】本発明は、半導体装置について、第３に、
前記第１の課題解決手段におけるバンプ電極の配列ピッ
チを、前記第１のボンディングパッドの配列ピッチより
も大きくするという構成にした。

【００１４】バンプ電極の配列ピッチを第１のボンディ
ングパッドの配列ピッチよりも大きくすると、第１のボ
ンディングパッドの設定位置にバンプ電極を形成する場
合に比べてバンプ電極を大型化できるので、外部基板と
の電気的接続を容易化することができる。特に、半導体
装置に形成すべき第１のボンディングパッドの数量が多
く、第１のボンディングパッドの配列ピッチが小さい場
合に有効である。

【００１５】一方、本発明は、前記の課題を解決するた
め、半導体装置の製造方法については、主面に複数の半
導体素子領域が形成され、各半導体素子領域の外周部に
第１のボンディングパッドが形成された半導体基板を用
い、前記第１のボンディングパッドの一部を除く前記主
面の全面に第１の絶縁膜を被覆する工程と、一端が前記
第１のボンディングパッドに接続され、第２のボンディ
ングパッドを有する他端が前記第１の絶縁膜上に配置さ
れた配線を形成する工程と、前記第２のボンディングパ
ッドの一部を除く前記主面の全面に第２の絶縁膜にて被
覆する工程と、前記第２のボンディングパッド上にバン
プ電極を形成し、当該バンプ電極を前記第２の絶縁膜の
開口縁に密着させる工程とを含んで半導体装置を製造す
るという構成にした。

【００１６】かように、第２の絶縁膜の被覆工程におい
て、第２のボンディングパッドの一部を残して配線の他
の部分を当該第２の絶縁膜にて被覆すると、適切な直径
のバンプ電極用金属ボールを用いることによって、第２
のボンディングパッドに対するバンプ電極の形成工程に
おいて、第２のボンディングパッド上にバンプ電極を形
成したときに、当該バンプ電極を第２の絶縁膜の開口縁
に密着させることができるので、従来例に係る半導体装
置の製造方法と同一の工程数で所望の半導体装置を製造
することができる。また、主面に多数の半導体素子領域
が形成された半導体基板、即ち、完成ウエハを用いて所
要の配線の形成と、第２の絶縁膜の被覆、及び第２のボ
ンディングパッド上へのバンプ電極の形成を行うので、
半導体基板より切り出された個々の半導体素子を基にし
て半導体装置を製造する場合に比べて、半導体装置の製
造効率を良好なものにすることができ、低価格の半導体
装置を量産性良く製造することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体装置の
一実施形態例を図１乃至図３に基づいて説明する。図１
は実施形態例に係る半導体装置の一部切断して内部の構
造を示す斜視図、図２は実施形態例に係る半導体装置の
要部断面図、図３はバンプ電極を破線で示した実施形態
例に係る半導体装置の要部平面図である。

【００１８】これらの図に示すように、実施形態例に係
る半導体装置１Ａも、基本的な構成については図８に示
した従来例に係る半導体装置と同じであり、主面に半導
体素子領域１が形成され、当該半導体素子領域１の外周
部に第１のボンディングパッド２が形成された半導体素
子３と、前記第１のボンディングパッド２の一部を除く
前記主面の全面に被覆された無機絶縁膜１３及び第１の
絶縁膜４と、一端が前記第１のボンディングパッド２に
接続され、他端が前記第１の絶縁膜４上に配置された配
線５と、当該配線５と一体に形成され、前記第１の絶縁
膜３上に配置された第２のボンディングパッド６と、当
該第２のボンディングパッド６の一部を除く前記主面の
全面に被覆された第２の絶縁膜７と、前記第２のボンデ
ィングパッド６に形成されたバンプ電極８とから構成さ
れている。

【００１９】第２の絶縁膜７は、図３に示すように、配
線５のみならず第２のボンディングパッド６の一部にも
被着されていて、開口７ａの直径Ｄが第２のボンディン
グパッド６の直径ｄよりも小さくなっており、バンプ電
極８の周面には、図２に拡大して示すように、第２の絶
縁膜７に開設された開口７ａの周縁が密着されている。
したがって、実施形態例に係る半導体装置においては、
第２のボンディングパッド６とバンプ電極８との接続界
面９が、第２の絶縁膜７をもって被覆されている。

【００２０】また、バンプ電極８は、図３に示すよう
に、第１のボンディングパッド２の設定部外に配置され
ており、その配列ピッチＰ２は、第１のボンディングパ
ッド２の配列ピッチＰ１よりも大きく設定されている。

【００２１】本例の半導体装置１Ａは、第２のボンディ
ングパッド６とバンプ電極８との接続界面９を第２の絶
縁膜７をもって被覆し、バンプ電極８の外周面に第２の
絶縁膜７を密着したので、接続界面９への水分等の進入
を防止することができ、当該接続界面９の腐食を防止で
きると共に、接続界面９への温度変化等による応力の集
中を防止することができ、接続界面９の剥離を防止する
ことができる。

【００２２】また、本例の半導体装置１Ａは、第１のボ
ンディングパッド２の設定部外にバンプ電極８を配置し
たので、半導体装置の面内でバンプ電極８を自由に配列
することができ、バンプ電極８の大型化とその配列ピッ
チの大型化とを図ることができるので、外部基板との電
気的接続を容易化することができる。

【００２３】さらに、本例の半導体装置１Ａは、バンプ
電極８の配列ピッチＰ２を第１のボンディングパッド２
の配列ピッチＰ１よりも大きくしたので、第１のボンデ
ィングパッド２の設定位置にバンプ電極８を形成する場
合に比べてバンプ電極８を大型化することができ、外部
基板との電気的接続を容易化することができる。

【００２４】次いで、本発明に係る半導体装置１Ａの製
造方法の一例を、図４乃至図１１に基づいて説明する。
図４は本発明に係る半導体装置の基になる半導体基板の
平面図、図５は本発明に係る半導体装置の基になる半導
体基板の要部断面図、図６は第１の絶縁膜が形成された
半導体基板の要部断面図、図７は所望の配線が形成され
た半導体基板の要部断面図、図８は第２の絶縁膜が形成
された半導体基板の要部断面図、図９はバンプ電極が形
成された半導体基板の要部断面図、図１０はバンプ電極
が形成された半導体基板の平面図、図１１は半導体基板
より切り出された本発明に係る半導体装置の斜視図であ
る。

【００２５】まず、図４に示すように、主面に複数の半
導体素子領域１が形成され、各半導体素子領域１の周囲
に各半導体装置に付属する第１のボンディングパッド２
が形成され、かつ、相隣接する各半導体素子領域１に付
随する各第１のボンディングパッド２の間にスクライブ
エリア１１が設定された半導体基板１２を、周知の半導
体基板製造方法にしたがって作製する。この半導体基板
１２の主面には、図５に示すように、前記第１のボンデ
ィングパッド２の一部を除く全面に無機絶縁膜１３が被
覆されている。

【００２６】次に、図６に示すように、前記半導体基板
１２の主面に、ポリイミドなどの絶縁性樹脂よりなる第
１の絶縁膜４を形成する。当該第１の絶縁膜４の形成
は、前記半導体基板１２の主面全面にポリイミドなどの
絶縁性樹脂をスピンコートした後、周知の露光、エッチ
ング技術により前記第１のボンディングパッド２及びス
クライブエリア１１を開口することにより行われる。な
お、本例においては、半導体素子領域１の保護を完全な
ものにするため、ポリイミドからなる第１の絶縁膜４の
厚さを５μｍとした。

【００２７】次に、図７に示すように、一端が第１のボ
ンディングパッド２に接続され、他端が第１の絶縁膜４
を介して半導体素子領域１上に配置された配線５を形成
する。この配線５の他端には、第２のボンディングパッ
ド６が一体に形成される（図３参照）。この配線５は、
スパッタなどの薄膜形成技術でめっき導電層を形成し、
その上に周知のレジスト形成技術で配線５となる部分の
めっき導電層が露出するようにレジストを形成し、露出
した導電層に銅めっきなどを電解めっきで形成し、当該
銅めっき上ははんだのバリアメタルになりうる金属、例
えばニッケルを形成し、めっき形成後、不要なレジスト
及びめっき導電層をエッチングすることによって形成さ
れる。また、この配線５は、マスクを利用し、スパッタ
などの薄膜形成技術のみにより行うこともできる。

【００２８】次に、図８に示すように、前記半導体基板
９の主面に、ソルダレジストとしてポリイミドなどの絶
縁性樹脂よりなる第２の絶縁膜７を形成する。当該第２
の絶縁膜７の形成は、前記半導体基板９の主面全面にポ
リイミドなどの絶縁性樹脂をスピンコートした後、周知
の露光、エッチング技術により前記第２のボンディング
パッド６と対応する部分及びスクライブエリア１１と対
応する部分を開口することにより行われる。当該第２の
絶縁膜７は、配線５を完全に覆うため、その厚さを１５
μｍとした。第２のボンディングパッド６と対応する部
分に開設される開口７ａは、底側に至るにしたがって直
径が小さくなる円錐形に形成され、底部の直径は、第２
のボンディングパッド６の直径よりも小さく形成される
（図３参照）。例えば、第２のボンディングパッド６の
直径が２８０μｍである場合、開口７ａにおける底部の
直径は、２５０μｍ程度に形成される。しかる後に、開
口７ａより露出される第２のボンディングパッド６の表
面（ニッケル層の表面）に、例えば無電解めっき等によ
り金めっき処理を施す。なお、第２のボンディングパッ
ド６と対応する部分に開設される開口７ａ及びスクライ
ブエリア１１と対応する部分に開設される開口は、露
光、エッチング技術のほか、レーザ加工によっても形成
できる。

【００２９】次に、図９に示すように、各開口７ａより
露出された第２のボンディングパッド６の表面（金めっ
き層の表面）に、それぞれバンプ電極８としてはんだバ
ンプを形成する。このはんだバンプ８は、メタルマスク
を用いて開口部上にフラックスを塗布し、当該フラック
ス上にメタルマスクを用いてはんだボールを固着し、最
後に、熱処理およびフラックス洗浄するという方法で形
成できる。はんだボールとしては、直径が３００μｍ程
度のものが用いられる。前記したように、開口７ａは底
側に至るにしたがって直径が小さくなる円錐形に形成さ
れ、かつ、開口７ａにおける底部の直径が２５０μｍ程
度に形成されているので、前記はんだボールを第２のボ
ンディングパッド６の表面に固着することによって、は
んだボールの外周面に開口７ａの周縁が密着され、第２
のボンディングパッド６とはんだボールとの接続界面が
第２の絶縁膜７によって被覆される。

【００３０】図１０に、バンプ電極８が形成された半導
体基板１２を示す。この図から明らかなように、バンプ
電極８は、スクライブエリア１１を除く半導体基板１２
の全面に格子状に形成される。また、このバンプ電極８
は、第１のボンディングパッド２を避けて形成される。

【００３１】最後に、図１０に示した半導体基板１２を
所定のスクライブライン１１ａに沿ってダイシングし、
図１１に示す個片の半導体装置１Ａを得る。

【００３２】本実施形態例に係る半導体装置１Ａの製造
方法によると、第２の絶縁膜７の被覆工程において第２
のボンディングパッド６の一部を残して配線５の他の部
分を当該第２の絶縁膜７にて被覆し、かつ、第２のボン
ディングパッド６に対するはんだボールの形成工程にお
いて適切な直径のはんだボール（バンプ電極）８を用い
ることによって、第２のボンディングパッド６上にはん
だボールを形成したときに、当該はんだボールを第２の
絶縁膜の開口縁に密着させることができるので、従来例
に係る半導体装置の製造方法と同一の工程数で所望の半
導体装置を製造することができる。また、主面に多数の
半導体素子領域１が形成された半導体基板１２を用いて
所要の配線５の形成と、第２の絶縁膜７の被覆、及び第
２のボンディングパッド６へのはんだボールの形成を行
うので、半導体基板より切り出された個々の半導体素子
を基にして半導体装置を製造する場合に比べて、半導体
装置１Ａの製造効率を良好なものにすることができ、低
価格の半導体装置を量産性良く製造することができる。

【００３３】本発明の半導体装置１Ａは、図１２に示す
ように、はんだボール８を介して外部基板２００の片面
に形成されためっき配線２０１にフリップチップ方式に
て接続することができる。

【００３４】以上、本発明を実施形態例によって説明し
たが、本発明の要旨は前記実施形態例のみに限定される
ものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内での種
々の変形・変更が可能である。例えば、バンプ電極８と
してはんだボールの代わりに金めっきバンプを使用して
も良い。この場合は、配線５上にニッケルめっきを施す
工程や金めっき処理を省くことができる。また、本発明
では配線５を一層で形成したが、必要に応じて第２の絶
縁膜７との積層構造を用い、配線５を多層構造にするこ
とも可能である。

【００３５】

【発明の効果】請求項１に記載の発明は、第２のボンデ
ィングパッドとバンプ電極との接続界面を第２の絶縁膜
にて被覆したので、当該接続界面への水分等の進入を防
止することができ、当該接続界面の腐食を防止すること
ができて、バンプ電極を有する半導体装置の耐久性を改
善することができる。また、第２のボンディングパッド
とバンプ電極との接続界面を第２の絶縁膜にて被覆した
ので、バンプ電極が第２の絶縁膜によって補強され、温
度変化等による応力が第２のボンディングパッドとバン
プ電極との接続界面に集中しにくくなって、当該接続界
面の剥離が防止される。

【００３６】請求項２に記載の発明は、バンプ電極をボ
ンディングパッドの設定部外に配置したので、半導体装
置の面内でバンプ電極を自由に配列することができ、バ
ンプ電極の大型化及びバンプ電極の配列ピッチの大型化
を図ることができて、外部基板との電気的接続を容易化
することができる。

【００３７】請求項３に記載の発明は、バンプ電極の配
列ピッチを第１のボンディングパッドの配列ピッチより
も大きくしたので、第１のボンディングパッドの設定位
置にバンプ電極を形成する場合に比べてバンプ電極を大
型化することができ、外部基板との電気的接続を容易化
することができる。

【００３８】請求項４に記載の発明は、第２の絶縁膜の
被覆工程において、第２のボンディングパッドの一部を
除く主面全面に第２の絶縁膜にて被覆し、かつ、第２の
ボンディングパッドに対するバンプ電極の形成工程にお
いて、バンプ電極を第２の絶縁膜の開口縁に密着させる
ので、従来例に係る半導体装置の製造方法と同一の工程
数で所望の半導体装置を製造することができる。また、
主面に多数の半導体素子領域が形成された半導体基板を
用いて所要の配線の形成と、第２の絶縁膜の被覆、及び
第２のボンディングパッド上へのバンプ電極の形成を行
うので、半導体基板より切り出された個々の半導体素子
を基にして半導体装置を製造する場合に比べて、半導体
装置の製造効率を良好なものにすることができ、低価格
の半導体装置を量産性良く製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態例に係る半導体装置の一部切断して内
部の構造を示す斜視図である。

【図２】実施形態例に係る半導体装置の要部断面図であ
る。

【図３】バンプ電極を破線で示した実施形態例に係る半
導体装置の要部平面図である。

【図４】本発明に係る半導体装置の基になる半導体基板
の平面図である。

【図５】本発明に係る半導体装置の基になる半導体基板
の要部断面図である。

【図６】第１の絶縁膜が形成された半導体基板の要部断
面図である。

【図７】所望の配線が形成された半導体基板の要部断面
図である。

【図８】第２の絶縁膜が形成された半導体基板の要部断
面図である。

【図９】バンプ電極が形成された半導体基板の要部断面
図である。

【図１０】バンプ電極が形成された半導体基板の平面図
である。

【図１１】半導体基板より切り出された本発明に係る半
導体装置の斜視図である。

【図１２】本発明に係る半導体装置と外部基板との接続
状態を示す要部断面図である。

【図１３】従来より提案されている半導体装置と外部基
板との接続状態を示す要部断面図である。

【図１４】バンプ電極を除去した従来例に係る半導体装
置の要部平面図である。

【符号の説明】

１Ａ 半導体装置 １ 半導体素子領域 ２ 第１のボンディングパッド ３ 半導体素子 ４ 第１の絶縁膜 ５ 配線 ６ 第２のボンディングパッド ７ 第２の絶縁膜 ７ａ 開口 ８ バンプ電極 ９ 接続界面 １１ スクライブエリア １２ 半導体基板

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 主面に半導体素子領域が形成され、当該
   半導体素子領域の外周部に第１のボンディングパッドが
   形成された半導体素子と、前記第１のボンディングパッ
   ドの一部を除く前記主面の全面に被覆された第１の絶縁
   膜と、一端が前記第１のボンディングパッドに接続さ
   れ、他端が前記第１の絶縁膜上に配置された配線と、当
   該配線と一体に形成され、前記第１の絶縁膜上に配置さ
   れた第２のボンディングパッドと、当該第２のボンディ
   ングパッドの一部を除く前記主面の全面に被覆された第
   ２の絶縁膜と、前記第２のボンディングパッドに形成さ
   れたバンプ電極とを有し、前記第２のボンディングパッ
   ドと前記バンプ電極との接続界面が前記第２の絶縁膜に
   て被覆されていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記バンプ電極を、前記第１のボンディングパッドの設
   定部外に配置したことを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記バンプ電極の配列ピッチを、前記第１のボンディン
   グパッドの配列ピッチよりも大きくしたことを特徴とす
   る半導体装置。
4. 【請求項４】 主面に複数の半導体素子領域が形成さ
   れ、各半導体素子領域の外周部に第１のボンディングパ
   ッドが形成された半導体基板を用い、前記第１のボンデ
   ィングパッドの一部を除く前記主面の全面に第１の絶縁
   膜を被覆する工程と、一端が前記第１のボンディングパ
   ッドに接続され、第２のボンディングパッドを有する他
   端が前記第１の絶縁膜上に配置された配線を形成する工
   程と、前記第２のボンディングパッドの一部を除く前記
   主面の全面に第２の絶縁膜にて被覆する工程と、前記第
   ２のボンディングパッド上にバンプ電極を形成し、当該
   バンプ電極を前記第２の絶縁膜の開口縁に密着させる工
   程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。