JP2000306938A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 再配線層に“マイグレーション”や“コロー
ジョン”の発生を抑制できる構造を持つ半導体集積回路
装置を提供すること。 【解決手段】 集積回路に電気的に接続されたパッド３
と、パッド３に通じる開孔５を有するパッシベーション
膜４と、開孔５を介してパッド３に電気的に接続される
とともにパッシベーション膜４上に引き出された再配線
層６と、再配線層６を完全に被覆するとともに、パッシ
ベーション膜４上に張り出した張出部位９を有するバリ
アメタル層８と、再配線層６上のバリアメタル層８に達
する開孔１１を有する有機膜１０と、開孔１１およびバ
リアメタル層８を介して再配線層６に電気的に接続され
るバンプ電極１２とを具備することを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップの
パッドを再配線し、外部端子をチップ上に再配置する再
配置技術を用いた半導体集積回路装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】再配置技術を用いた半導体集積回路装置
としては、チップを配線基板にフリップチップ接続する
装置が良く知られており、たとえば特開平９−２６０３
８９号公報に開示されている。

【０００３】さらに近年の再配置技術は、チップサイズ
パッケージ（ＣＳＰ）と呼ばれ、パッケージのサイズ
が、チップのサイズとほぼ同等の大きさの極小パッケー
ジ製品等にも、広く利用されるようになってきている。

【０００４】従来、再配置技術を用いた装置は、パッド
を再配線する再配線層に、アルミニウム合金を用いるこ
とが多い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、再配線層にア
ルミニウム合金を用いた場合、下記の事情があった。

【０００６】再配線層間のピッチが狭くなると、再配線
層間の電位差に起因したアルミニウムのマイグレーショ
ンやコロージョンが発生する可能性が高まる。マイグレ
ーションが発生すると再配線層どうしが短絡、あるいは
断線し、また、コロージョンが発生すると再配線層が電
気的に分解され、最後は消失する。これらの現象が発生
すると、もはや集積回路として正常に動作しない。

【０００７】なお、マイグレーションのうち、エレクト
ロマイグレーションを解消できる装置が、たとえば特開
平１０−２６１６６３号公報に開示されている。これに
開示された装置では、エレクトロマイグレーションを、
再配線層の最上層に形成される金属層に、硬度の大きい
材料を用いることで解消している。

【０００８】しかし、再配線層自体は、銅、銀、ニッケ
ルなどの材料が選択されており、たとえばアルミニウム
合金のように製造コスト的に有利であるが“マイグレー
ション”や“コロージョン”が発生し易い材料を用いる
ことは前提とされていない。したがって、“マイグレー
ション”や“コロージョン”に対しては、より充分な対
策を施すことが望ましい。

【０００９】この発明は、上記の事情に鑑み為されたも
ので、その目的は、再配線層にアルミニウム合金のよう
に製造コスト的に有利であるが“マイグレーション”や
“コロージョン”が発生し易い材料を用いたとしても、
これらの発生を抑制できる構造を持つ半導体集積回路装
置およびその製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に係る半導体集積回路装置は、集積回路が
形成され、この集積回路に電気的に接続されるパッドを
有する半導体基板と、前記基板上に形成され、前記パッ
ドに通じる開孔を有するパッシベーション膜と、前記パ
ッシベーション膜の開孔を介して前記パッドに電気的に
接続されるとともに前記パッシベーション膜上に引き出
された再配線層と、前記再配線層を完全に被覆するとと
もに、前記パッシベーション膜上に張り出した張出部位
を有するバリアメタル層と、前記バリアメタル層および
前記パッシベーション膜上に形成され、前記再配線層上
の前記バリアメタル層に達する開孔を有する有機膜と、
前記有機膜の開孔および前記バリアメタル層を介して前
記再配線層に電気的に接続されるバンプ電極とを具備す
ることを特徴としている。

【００１１】上記半導体集積回路装置によれば、バリア
メタル層が、再配線層を完全に被覆するとともに、パッ
シベーション膜上に張り出した張出部位を有する。特に
張出部位を有するバリアメタル層は、再配線層が機械的
な力あるいは電気的な力によって移動しようとすると
き、移動しようとする力に対して反発する。これによ
り、再配線層の強度が構造的に高まり、再配線層の“マ
イグレーション”の発生を抑制できる。

【００１２】また、張出部位は、たとえば有機膜が吸収
した水分などにより、たとえば有機膜とパッシベーショ
ン膜との界面に沿って電解質が生じたとき、電解質と再
配線層とを接触し難くする。これにより、再配線層の
“コロージョン”の発生を抑制できる。

【００１３】したがって、再配線層にたとえばアルミニ
ウム合金のように製造コスト的に有利であるが“マイグ
レーション”や“コロージョン”が発生し易い材料を用
いたとしても、これらの発生を抑制できる構造を持つ半
導体集積回路装置が得られる。

【００１４】また、その製造方法は、半導体集積回路が
形成され、この集積回路に電気的に接続されるパッドを
有する半導体基板を用意し、前記基板上に、前記パッド
に通じる開孔を有するパッシベーション膜を形成し、前
記パッシベーション膜の開孔を介して前記パッドに電気
的に接続されるとともに前記パッシベーション膜上に引
き出された再配線層を形成し、前記再配線層および前記
パッシベーション膜上にバリアメタル層を形成し、前記
バリアメタル層を前記再配線層を完全に被覆するととも
に、前記パッシベーション膜上に張り出した張出部位を
有するようにパターニングし、前記パッシベーション膜
および前記バリアメタル層上に、前記再配線層上の前記
バリアメタルに達する開孔を有する有機膜を形成し、前
記有機膜の開孔および前記バリアメタル層を介して前記
再配線層に電気的に接続されるバンプ電極を形成するこ
とを特徴としている。

【００１５】上記製造方法によれば、バリアメタル層
を、再配線層を完全に被覆するとともに、パッシベーシ
ョン膜上に張り出した張出部位を有するようにパターニ
ングするので、この発明に係る半導体集積回路装置を、
製造コストの無用な増加を抑制して製造することができ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を、図
面を参照して説明する。この説明に際し、全図面にわた
り、共通する箇所には共通する参照符号を付す。

【００１７】［第１の実施形態］図１（Ａ）はこの発明
の第１の実施形態に係る半導体集積回路装置を概略的に
示した平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）中のＢ−Ｂ線に
沿う断面図である。

【００１８】図１（Ａ）、（Ｂ）それぞれに示すよう
に、シリコンチップ（シリコン基板）１内には集積回路
２が形成されている。チップ１のサイズの一例は６ｍｍ
×８ｍｍである。チップ１の上方にはパッド３が形成さ
れている。パッド３は集積回路２に電気的に接続されて
おり、集積回路２の外部端子として機能する。この実施
形態ではパッド３の配置の一例として、パッド３をチッ
プ１の縁に沿って配置したものを示す。パッド３のサイ
ズの一例は約９０μｍ×９０μｍであり、約２００μｍ
のピッチで配置されている。パッド３の好ましい材質の
一例は、アルミニウムを主成分とする導電体、たとえば
アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）および銅（Ｃ
ｕ）を含むようなアルミニウム合金である。チップ１上
にはパッシベーション膜４が形成されている。パッシベ
ーション膜４は、パッド３に通じる開孔５を有する。

【００１９】パッシベーション膜４上には再配線層６が
形成されている。再配線層６は、チップ１の縁に沿って
配置されたパッド３をチップ１の中央の部分に引き出
し、パッド３、つまり外部端子をチップ１の中央の部分
に二次元的に再配置するための配線である。このため、
再配線層６は、その一端にパッド３に接続される領域７
-1（以下接続部と呼ぶ）、その他端にバンプ電極１２に
接続される領域７-2（以下再配置パッド部と呼ぶ）、お
よび接続部７-1と再配置パッド部７-2とを接続する配線
部７-3をそれぞれ有する。接続部７-1は開孔５を介して
パッド３に電気的に接続される。接続部７-1のサイズの
一例は約１００μｍ×１００μｍである。また、再配置
パッド部７-2のサイズの一例は約３００〜４００μｍ×
３００〜４００μｍ、また、配線部７-3のサイズの一例
は幅約３０〜６０μｍである。再配線層６の好ましい材
質の一例は、パッド３と同様、アルミニウム合金であ
り、その厚さの一例は０．１〜５μｍである。厚さが
０．１μｍ未満では抵抗値が高くなり過ぎ、また、厚さ
が５μｍを超えると再配線層６にクラックが入りやすく
なるためである。特に好ましい範囲は０．５〜３μｍで
あり、第１の実施形態では、約０．８μｍとした。再配
線層６の上にはバリアメタル層８が形成されている。バ
リアメタル層８は、再配線層６の酸化を抑制したり、再
配線層６とバンプ電極１２との反応の抑制、および再配
線層６とバンプ電極１２との密着性を向上させる役目を
持つ。

【００２０】図２（Ａ）は、図１（Ａ）中の一点鎖線枠
２Ａ内を拡大した拡大図である。また、図２（Ｂ）は図
２（Ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図２（Ｃ）は図２
（Ａ）中のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。

【００２１】図２（Ａ）〜（Ｃ）それぞれに示すよう
に、バリアメタル層８は、再配線層６の表面を完全に被
覆している。バリアメタル層８の一例を、図３（Ａ）、
（Ｂ）に詳細に示す。図３（Ａ）は図２（Ｂ）に示す再
配置パッド部７-2およびその近傍の断面に対応し、図３
（Ｂ）は図２（Ｃ）に示す配線部７-3の断面に対応す
る。

【００２２】図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、バリア
メタル層８の一例は、再配線層６の表面上に、チタン
（Ｔｉ）層８-1、ニッケル（Ｎｉ）層８-2、およびパラ
ジウム（Ｐｄ）層８-3を順次積層した三層構造膜であ
る。Ｔｉ層８-1の厚さの一例は０．０５〜０．３μｍで
ある。厚さが０．０５μｍ未満では再配線層６（アルミ
ニウム合金）との密着性が悪化する可能性があり、ま
た、厚さが０．３μｍを超えるとＴｉ層８-1にクラック
が入りやすくなるためである。Ｎｉ層８-2の厚さの一例
は０．１〜３μｍである。厚さが０．１μｍ未満ではバ
ンプ電極１２を構成する低融点金属、たとえばハンダの
場合、スズ（Ｓｎ）の拡散の影響を受け、Ｔｉ層８-1と
の界面、およびＰｄ層８-3との界面との信頼性が悪化す
る。また、厚さが３μｍを超えるとスパッタ装置や蒸着
装置での形成が困難となる。Ｐｄ層８-3の厚さの一例は
０．０１〜０．３μｍである。厚さが０．０１μｍ未満
ではＮｉ層８-2の酸化を抑制できない。また、厚さが
０．３μｍを超えるとハンダとの濡れ性が悪くなるため
である。第１の実施形態では、Ｔｉ層８-1、Ｎｉ層８-
2、Ｐｄ層８-3の厚さの一例としてそれぞれ、０．１μ
ｍ、０．３μｍ、０．０５μｍとした。

【００２３】さらにバリアメタル層８は、パッシベーシ
ョン膜４上に張り出した張出部位９を有する。張出部位
９のサイズの一例は２〜２０μｍである。第１の実施形
態では、再配線層６の配線部７-3の幅を約５０μｍとし
たとき、特に好ましい例として張出部位９のサイズを約
１０μｍとした。

【００２４】このようなバリアメタル層８、およびパッ
シベーション膜４上には、有機膜１０が形成されてい
る。有機膜１０は、再配線層６の再配置パッド部７-2に
通じる開孔１１を有し、開孔１１の底にはバリアメタル
層８が露出する。有機膜１０の厚さの一例は約５０μｍ
であり、また、その材質の例としては、ポリイミド系樹
脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系樹脂、エポキシ系
樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂などを挙げる
ことができる。

【００２５】開孔１１内にはバンプ電極１２が形成され
ている。バンプ電極１２はバリアメタル層８に接触さ
れ、バリアメタル層８を介して再配線層６の再配置パッ
ド部７-2に電気的に接続される。バンプ電極１２は有機
膜１０の表面から凸状に突出されており、接続機能付き
の外部端子を構成する。即ち、突出したバンプ電極１２
は図示せぬ配線基板に仮り止めされた後リフローされ
る。これにより、チップ１は配線基板に接続され、配線
基板上に実装される。このため、バンプ電極１２には比
較的低い温度でリフローされるような低融点金属が用い
られる。低融点金属の例としてはＳｎ／Ｐｂハンダの
他、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス
（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、銅（Ｃｕ）、および金（Ａ
ｕ）の単体、もしくはこれらの合金、もしくはこれらの
複合層などを挙げることができる。

【００２６】このような第１の実施形態によれば、バリ
アメタル層８が再配線層６の表面を完全に被覆し、かつ
パッシベーション膜４上に張り出した張出部位９を有す
る。この構成を具備することにより、再配線層６の“マ
イグレーション”や“コロージョン”の発生を抑制する
ことができる。

【００２７】特に張出部位９は、再配線層６の表面上か
らパッシベーション膜４上に張り出している。このた
め、張出部位９は、再配線層６が機械的な力あるいは電
気的な力によって移動しようとするとき、移動しようと
する力に対して反発する。この作用により、再配線層６
の強度が構造的に高まる。再配線層６の強度が構造的に
高まることで、再配線層６の“マイグレーション”の発
生を抑制できる。

【００２８】また、張出部位９は、有機膜１０が吸収し
た水分などにより、再配線層６間を接続するような電解
質が、たとえばパッシベーション膜４と有機膜１０との
界面に沿って生じたとき、この電解質と再配線層６とを
接触し難くする。電界質と再配線層６とを接触し難くす
ることで、再配線層６の“コロージョン”の発生を抑制
できる。

【００２９】このように第１の実施形態によれば、再配
線層６にたとえばアルミニウム合金のように製造コスト
的に有利な材料を用いたとしても、再配線層６に“マイ
グレーション”や“コロージョン”の発生を抑制するこ
とができる。よって、信頼性の高い半導体集積回路装置
を、安価に得ることが可能である。

【００３０】また、図３（Ａ）、（Ｂ）それぞれの破線
円中に示すように、バリアメタル層８の再配線層６の角
に対応する部位（バリアメタル層８の角）は丸められる
ことが好ましい。バリアメタル層８の角を丸めること
で、再配線層６の角に集中していた電界を緩和すること
ができる。再配線層６の角の電界を緩和できることで、
上記“マイグレーション”や“コロージョン”を抑制す
る効果は、より高まる。

【００３１】なお、角が丸いバリアメタル層８は、スパ
ッタ法、あるいは電子ビーム蒸着法を用いることで、容
易に形成することができる。たとえば第１の実施形態で
は、Ｔｉ層８-1、Ｎｉ層８-2およびＰｄ層８-3をそれぞ
れ、スパッタ法、あるいは電子ビーム蒸着法を用いて形
成すれば良い。

【００３２】また、再配線層６は、アルミニウム合金の
他、銅、銀、ニッケル等、他の導電体により形成するこ
とも可能である。しかし、再配線層６は、アルミニウム
合金により形成されるのが、製造コストの面から好まし
い。たとえば再配線層６に銅を用いると、アルミニウム
合金からなるパッド３とのコンタクトとのために、再配
線層６とパッド３との間にバリアメタル層をさらに形成
する必要があること、有機膜と銅との反応を抑えるため
に、チタンなどのバリア層が必要になることなどから、
製造工程が複雑になる。製造工程が複雑になれば、製造
コストの削減に不利である。

【００３３】また、再配線層６をバリアメタル層８のみ
で形成することも考えられるが、再配線層６の抵抗値の
面から、再配線層６と、張出部位９を持つバリアメタル
層８との組み合わせが望ましい。バリアメタル層８は薄
いために抵抗値が高い。このため、配線抵抗が上昇し、
信号遅延が顕著となり、動作の高速化に対応しづらくな
ってしまう。

【００３４】さらに張出部位９を持つバリアメタル層８
を持つ装置は、張出部位９のサイズを調節することで再
配線層６の抵抗値を制御できる、という利点も得ること
ができる。つまり張出部位９のサイズを大きくすれば、
再配線層６の抵抗値を低く設定でき、反対に小さくすれ
ば再配線層６の抵抗値を高く設定できる。このように再
配線層６の抵抗値を制御すれば、たとえばパッド３から
バンプ電極１２までの信号遅延量の最小限化、あるいは
パッド３からバンプ電極１２までの信号遅延量の均一化
などを図ることができる。このような利点は、たとえば
集積回路の高速動作化に有用である。

【００３５】また、バリアメタル層８は、Ｔｉ／Ｎｉ／
Ｐｄの三層構造膜の他、バリアメタルとして機能する導
電体であれば、使用することができる。しかし、バリア
メタル層８は、Ｐｄ層を含むものを使用することが好ま
しく、特にＰｄ層を有機膜１０に接触させるようにする
のが良い。Ｐｄ層は、有機膜１０との密着性に優れてい
るからである。バリアメタル層８と有機膜１０との密着
性が高まると、装置の信頼性を向上できる。

【００３６】次に、第１の実施形態に係る半導体集積回
路装置の製造方法の一例を説明する。

【００３７】図４（Ａ）〜図４（Ｆ）は第１の実施形態
に係る半導体集積回路装置を主要な製造工程毎に示した
断面図である。なお、図４（Ａ）〜図４（Ｆ）は図２
（Ｂ）に示した断面に対応している。

【００３８】まず、図４（Ａ）に示すように、パッド３
を有するチップ１が形成されたシリコンウェーハ１００
を用意する。図５（Ａ）にシリコンウェーハ１００の外
観を示す。図５（Ａ）に示すように、ウェーハ１００に
はチップ１が複数形成されている。ウェーハ１００のサ
イズの一例は、直径６インチ、厚さ６２５μｍである。
次いで、プラズマＣＶＤ法を用いて、ウェーハ１００の
全面上に二酸化シリコン、あるいは窒化シリコンを堆積
し、パッシベーション膜４を形成する。次いで、ホトリ
ソグラフィ法を用いて、パッシベーション膜４にパッド
３に達する開孔５を形成する。

【００３９】次に、図４（Ｂ）に示すように、スパッタ
法を用いて、ウェーハ１００の全面上にアルミニウム合
金をスパッタリングし、アルミニウム合金膜を形成す
る。このとき、アルミニウム合金膜とアルミニウム合金
であるパッド３との密着性を良好とするために、Ｔｉ
膜、あるいは窒化チタン（ＴｉＮ）膜、あるいはＴｉと
ＴｉＮとの複合膜を形成した後、アルミニウム合金膜を
形成するようにしても良い。次いで、ホトリソグラフィ
法を用いて、アルミニウム合金膜をパターニングし、再
配線層６を形成する。

【００４０】次に、図４（Ｃ）に示すように、スパッタ
法、あるいは電子ビーム蒸着法を用いて、ウェーハ１０
０の全面上にＴｉ、Ｎｉ、Ｐｄを順次、スパッタリン
グ、あるいは蒸着し、Ｔｉ／Ｎｉ／Ｐｄの三層構造膜１
０１を形成する。

【００４１】次に、図４（Ｄ）に示すように、ウェーハ
１００の全面上にホトレジストを塗布し、ホトレジスト
膜を形成する。次いで、ホトレジスト膜を露光／現像
し、バリアメタル層パターンに対応したホトレジストパ
ターン１０２を形成する。このとき、ホトレジストパタ
ーン１０２は、再配線層６の上方を完全に被覆するとと
もに、パッシベーション膜４上に張り出すように形成す
る。

【００４２】次に、図４（Ｅ）に示すように、ホトレジ
ストパターン２をマスクに用いて、、三層構造膜１０１
をエッチングし、バリアメタル層８を形成する。これに
より、再配線層６を完全に被覆するとともに、パッシベ
ーション膜４上に張り出した張出部位９を有するバリア
メタル層８が形成される。このように張出部位９を有す
るバリアメタル層８は、ホトリソグラフィ法を用いて形
成することができるので、この発明を実施するにあた
り、製造コストの無用な増加がない。

【００４３】次に、図４（Ｆ）に示すように、ウェーハ
１００の全面上に有機物を塗布し、有機膜１０を形成す
る。次いで、ホトリソグラフィ法を用いて、有機膜１０
に再配線層６上のバリアメタル層８に達する開孔１１を
形成する。このとき、有機膜１０が感光性を持つもので
あれば、有機膜１０を露光／現像することで、開孔１１
を形成しても良い。

【００４４】次に、図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、
印刷法、あるいはボール搭載法を用いて、開孔部１１内
にハンダを印刷、あるいは搭載し、バンプ電極１２を形
成する。

【００４５】次に、図５（Ｂ）に示すように、ウェーハ
１００をダイシングし、バンプ電極１２を有したチップ
１に分割する。

【００４６】ここまでの工程で、この発明に係る半導体
集積回路装置が得られる。

【００４７】さらにこの発明に係る半導体集積回路装置
を電子機器に組み込む場合、以下のようにすれば良い。

【００４８】図５（Ｃ）に示すように、チップ１のバン
プ電極１２を、配線基板１０３上の配線パターン１０４
上に仮止めする。次いで、チップ１が仮止めされた配線
基板１０３を、温度を約２２０℃に設定した窒素リフロ
ー炉に入れ、バンプ電極１２を溶融させる。これによ
り、バンプ電極１２が配線パターン１０４に固着され、
チップ１が配線基板１０３上に実装される。このように
して、この発明に係る半導体集積回路装置を用いた電子
機器が完成する。なお、配線基板１０３上に実装された
チップ１の周囲、およびチップ１と配線基板１０３との
間にシリコーン系樹脂などを充填した後、硬化させても
良い。この場合、シリコーン系樹脂の他、エポキシ系樹
脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。

【００４９】このようにして形成した電子機器を、温度
サイクル試験に供して、その信頼性を調べた。試験した
チップ１のサイズは６ｍｍ×８ｍｍ、バンプ電極１２の
数は４９個である。試験の条件は、−６５℃（３０分）
〜２５℃（５分）〜１５０℃（３０分）を１サイクルと
した。このサイクルを３０００回繰り返したが、バンプ
電極１２と配線パターンとの接続箇所に破断の発生は認
められなかった。

【００５０】［第２の実施形態］図６はこの発明の第２
の実施形態に係る半導体集積回路装置の主要な部分を示
した断面図である。なお、図６に示す断面は図２（Ｂ）
に示した断面に対応している。

【００５１】図６に示すように、開孔１１内に、金など
の導電体２１を形成した後、バンプ電極１２を形成する
ようにしても良い。

【００５２】このような装置であると、第１の実施形態
と同様の効果を得られる他、開孔１１内に形成された導
電体２１を用いて、パッド３からバンプ電極１２までの
配線抵抗を制御できる利点がある。

【００５３】［第３の実施形態］図７はこの発明の第３
の実施形態に係る半導体集積回路装置の主要な部分を示
した断面図である。なお、図７に示す断面は図２（Ｂ）
に示した断面に対応している。

【００５４】図７に示すように、開孔１１内に、バリア
メタル層３１を形成した後、バンプ電極１２を形成する
ようにしても良い。

【００５５】このような装置であると、第１の実施形態
と同様の効果を得られる他、バリアメタル層３１が開孔
１１の底、および側壁に沿って形成されているので、バ
ンプ電極１２と再配線層６との密着性が高まる利点があ
る。

【００５６】また、第３の実施形態は、第２の実施形態
と組み合わせることも可能である。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、再配線層にアルミニウム合金のように製造コスト的
に有利であるが“マイグレーション”や“コロージョ
ン”が発生し易い材料を用いたとしても、これらの発生
を抑制できる構造を持つ半導体集積回路装置およびその
製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）はこの発明の第１の実施形態に係る
半導体集積回路装置を概略的に示した平面図、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う断面図。

【図２】図２（Ａ）は図１（Ａ）中の一点鎖線枠２Ａ内
を拡大した拡大図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）中のＢ−Ｂ
線に沿う断面図、図２（Ｃ）は図２（Ａ）中のＣ−Ｃ線
に沿う断面図。

【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれバリアメタル層
８の一例を詳細に示す断面図。

【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｆ）は第１の実施形態に係
る半導体集積回路装置を主要な製造工程毎に示した断面
図。

【図５】図５（Ａ）はこの発明の第１の実施形態に係る
半導体集積回路装置が形成されるシリコンウェーハの外
観を示す斜視図、図５（Ｂ）はこの発明の第１の実施形
態に係る半導体集積回路装置の外観を示す斜視図、図５
（Ｃ）はこの発明の第１の実施形態に係る半導体集積回
路装置を用いた電子機器の外観を示す斜視図。

【図６】図６はこの発明の第２の実施形態に係る半導体
集積回路装置の主要な部分を示した断面図。

【図７】図７はこの発明の第３の実施形態に係る半導体
集積回路装置の主要な部分を示した断面図。

【符号の説明】

１…シリコンチップ（シリコン基板）、 ２…集積回路、 ３…パッド、 ４…パッシベーション膜、 ５…開孔、 ６…再配線層、 ７-1…接続部、 ７-2…再配置パッド部、 ７-3…配線部、 ８…バリアメタル層、 ８-1…チタン層、 ８-2…ニッケル層、 ８-3…パラジウム層、 ９…張出部位、 １０…有機膜、 １１…開孔、 １２…バンプ電極。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 集積回路が形成され、この集積回路に電
   気的に接続されるパッドを有する半導体基板と、 前記基板上に形成され、前記パッドに通じる開孔を有す
   るパッシベーション膜と、 前記パッシベーション膜の開孔を介して前記パッドに電
   気的に接続されるとともに前記パッシベーション膜上に
   引き出された再配線層と、 前記再配線層を完全に被覆するとともに、前記パッシベ
   ーション膜上に張り出した張出部位を有するバリアメタ
   ル層と、 前記バリアメタル層および前記パッシベーション膜上に
   形成され、前記再配線層上の前記バリアメタル層に達す
   る開孔を有する有機膜と、 前記有機膜の開孔および前記バリアメタル層を介して前
   記再配線層に電気的に接続されるバンプ電極とを具備す
   ることを特徴とする半導体集積回路装置。
2. 【請求項２】 前記バリアメタル層の角が丸まっている
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装
   置。
3. 【請求項３】 前記再配線層はアルミニウムを主成分と
   する導電体により形成されていることを特徴とする請求
   項１および請求項２いずれかに記載の半導体集積回路装
   置。
4. 【請求項４】 前記バリアメタル層はチタン、ニッケ
   ル、パラジウムの３層構造でなることを特徴とする請求
   項１乃至請求項３いずれか一項に記載の半導体集積回路
   装置。
5. 【請求項５】 半導体集積回路が形成され、この集積回
   路に電気的に接続されるパッドを有する半導体基板を用
   意する工程と、 前記基板上に、前記パッドに通じる開孔を有するパッシ
   ベーション膜を形成する工程と、 前記パッシベーション膜の開孔を介して前記パッドに電
   気的に接続されるとともに前記パッシベーション膜上に
   引き出された再配線層を形成する工程と、 前記パッシベーション膜および前記再配線層上にバリア
   メタル層を形成する工程と、 前記バリアメタル層を前記再配線層を完全に被覆すると
   ともに、前記パッシベーション膜上に張り出した張出部
   位を有するようにパターニングする工程と、 前記パッシベーション膜および前記バリアメタル層上
   に、前記再配線層上の前記バリアメタル層に達する開孔
   を有する有機膜を形成する工程と、 前記有機膜の開孔および前記バリアメタル層を介して前
   記再配線層に電気的に接続されるバンプ電極を形成する
   ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。