JP3563635B2 - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体チップのパッドを再配線し、外部端子をチップ上に再配置する再配置技術を用いた半導体集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
再配置技術を用いた半導体集積回路装置としては、チップを配線基板にフリップチップ接続する装置が良く知られており、たとえば特開平9−260389号公報に開示されている。
【0003】
さらに近年の再配置技術は、チップサイズパッケージ(CSP)と呼ばれ、パッケージのサイズが、チップのサイズとほぼ同等の大きさの極小パッケージ製品等にも、広く利用されるようになってきている。
【0004】
従来、再配置技術を用いた装置は、パッドを再配線する再配線層に、アルミニウム合金を用いることが多い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、再配線層にアルミニウム合金を用いた場合、下記の事情があった。
【0006】
再配線層間のピッチが狭くなると、再配線層間の電位差に起因したアルミニウムのマイグレーションやコロージョンが発生する可能性が高まる。マイグレーションが発生すると再配線層どうしが短絡、あるいは断線し、また、コロージョンが発生すると再配線層が電気的に分解され、最後は消失する。これらの現象が発生すると、もはや集積回路として正常に動作しない。
【0007】
なお、マイグレーションのうち、エレクトロマイグレーションを解消できる装置が、たとえば特開平10−261663号公報に開示されている。これに開示された装置では、エレクトロマイグレーションを、再配線層の最上層に形成される金属層に、硬度の大きい材料を用いることで解消している。
【0008】
しかし、再配線層自体は、銅、銀、ニッケルなどの材料が選択されており、たとえばアルミニウム合金のように製造コスト的に有利であるが“マイグレーション”や“コロージョン”が発生し易い材料を用いることは前提とされていない。したがって、“マイグレーション”や“コロージョン”に対しては、より充分な対策を施すことが望ましい。
【0009】
この発明は、上記の事情に鑑み為されたもので、その目的は、再配線層にアルミニウム合金のように製造コスト的に有利であるが“マイグレーション”や“コロージョン”が発生し易い材料を用いたとしても、これらの発生を抑制できる構造を持つ半導体集積回路装置およびその製造方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明に係る半導体集積回路装置は、集積回路が形成され、この集積回路に電気的に接続されるパッドを有する半導体基板と、前記基板上に形成され、前記パッドに通じる開孔を有するパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の開孔を介して前記パッドに電気的に接続されるとともに前記パッシベーション膜上に引き出された再配線層と、前記再配線層を完全に被覆するとともに、前記パッシベーション膜上に張り出した張出部位を有するバリアメタル層と、前記バリアメタル層および前記パッシベーション膜上に形成され、前記再配線層上の前記バリアメタル層に達する開孔を有する有機膜と、前記有機膜の開孔および前記バリアメタル層を介して前記再配線層に電気的に接続されるバンプ電極とを具備することを特徴としている。
【0011】
上記半導体集積回路装置によれば、バリアメタル層が、再配線層を完全に被覆するとともに、パッシベーション膜上に張り出した張出部位を有する。特に張出部位を有するバリアメタル層は、再配線層が機械的な力あるいは電気的な力によって移動しようとするとき、移動しようとする力に対して反発する。これにより、再配線層の強度が構造的に高まり、再配線層の“マイグレーション”の発生を抑制できる。
【0012】
また、張出部位は、たとえば有機膜が吸収した水分などにより、たとえば有機膜とパッシベーション膜との界面に沿って電解質が生じたとき、電解質と再配線層とを接触し難くする。これにより、再配線層の“コロージョン”の発生を抑制できる。
【0013】
したがって、再配線層にたとえばアルミニウム合金のように製造コスト的に有利であるが“マイグレーション”や“コロージョン”が発生し易い材料を用いたとしても、これらの発生を抑制できる構造を持つ半導体集積回路装置が得られる。
【0014】
また、その製造方法は、半導体集積回路が形成され、この集積回路に電気的に接続されるパッドを有する半導体基板を用意し、前記基板上に、前記パッドに通じる開孔を有するパッシベーション膜を形成し、前記パッシベーション膜の開孔を介して前記パッドに電気的に接続されるとともに前記パッシベーション膜上に引き出された再配線層を形成し、前記再配線層および前記パッシベーション膜上にバリアメタル層を形成し、前記バリアメタル層を前記再配線層を完全に被覆するとともに、前記パッシベーション膜上に張り出した張出部位を有するようにパターニングし、前記パッシベーション膜および前記バリアメタル層上に、前記再配線層上の前記バリアメタルに達する開孔を有する有機膜を形成し、前記有機膜の開孔および前記バリアメタル層を介して前記再配線層に電気的に接続されるバンプ電極を形成することを特徴としている。
【0015】
上記製造方法によれば、バリアメタル層を、再配線層を完全に被覆するとともに、パッシベーション膜上に張り出した張出部位を有するようにパターニングするので、この発明に係る半導体集積回路装置を、製造コストの無用な増加を抑制して製造することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。この説明に際し、全図面にわたり、共通する箇所には共通する参照符号を付す。
【0017】
[第1の実施形態]
図1(A)はこの発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路装置を概略的に示した平面図、図1(B)は図1(A)中のB−B線に沿う断面図である。
【0018】
図1(A)、(B)それぞれに示すように、シリコンチップ(シリコン基板)1内には集積回路2が形成されている。チップ1のサイズの一例は6mm×8mmである。チップ1の上方にはパッド3が形成されている。パッド3は集積回路2に電気的に接続されており、集積回路2の外部端子として機能する。この実施形態ではパッド3の配置の一例として、パッド3をチップ1の縁に沿って配置したものを示す。パッド3のサイズの一例は約90μm×90μmであり、約200μmのピッチで配置されている。パッド3の好ましい材質の一例は、アルミニウムを主成分とする導電体、たとえばアルミニウム(Al)、シリコン(Si)および銅(Cu)を含むようなアルミニウム合金である。チップ1上にはパッシベーション膜4が形成されている。パッシベーション膜4は、パッド3に通じる開孔5を有する。
【0019】
パッシベーション膜4上には再配線層6が形成されている。再配線層6は、チップ1の縁に沿って配置されたパッド3をチップ1の中央の部分に引き出し、パッド3、つまり外部端子をチップ1の中央の部分に二次元的に再配置するための配線である。このため、再配線層6は、その一端にパッド3に接続される領域7−1(以下接続部と呼ぶ)、その他端にバンプ電極12に接続される領域7−2(以下再配置パッド部と呼ぶ)、および接続部7−1と再配置パッド部7−2とを接続する配線部7−3をそれぞれ有する。接続部7−1は開孔5を介してパッド3に電気的に接続される。接続部7−1のサイズの一例は約100μm×100μmである。また、再配置パッド部7−2のサイズの一例は約300〜400μm×300〜400μm、また、配線部7−3のサイズの一例は幅約30〜60μmである。再配線層6の好ましい材質の一例は、パッド3と同様、アルミニウム合金であり、その厚さの一例は0.1〜5μmである。厚さが0.1μm未満では抵抗値が高くなり過ぎ、また、厚さが5μmを超えると再配線層6にクラックが入りやすくなるためである。特に好ましい範囲は0.5〜3μmであり、第1の実施形態では、約0.8μmとした。再配線層6の上にはバリアメタル層8が形成されている。バリアメタル層8は、再配線層6の酸化を抑制したり、再配線層6とバンプ電極12との反応の抑制、および再配線層6とバンプ電極12との密着性を向上させる役目を持つ。
【0020】
図2(A)は、図1(A)中の一点鎖線枠2A内を拡大した拡大図である。また、図2(B)は図2(A)中のB−B線に沿う断面図、図2(C)は図2(A)中のC−C線に沿う断面図である。
【0021】
図2(A)〜(C)それぞれに示すように、バリアメタル層8は、再配線層6の表面を完全に被覆している。バリアメタル層8の一例を、図3(A)、(B)に詳細に示す。図3(A)は図2(B)に示す再配置パッド部7−2およびその近傍の断面に対応し、図3(B)は図2(C)に示す配線部7−3の断面に対応する。
【0022】
図3(A)、(B)に示すように、バリアメタル層8の一例は、再配線層6の表面上に、チタン(Ti)層8−1、ニッケル(Ni)層8−2、およびパラジウム(Pd)層8−3を順次積層した三層構造膜である。Ti層8−1の厚さの一例は0.05〜0.3μmである。厚さが0.05μm未満では再配線層6(アルミニウム合金)との密着性が悪化する可能性があり、また、厚さが0.3μmを超えるとTi層8−1にクラックが入りやすくなるためである。Ni層8−2の厚さの一例は0.1〜3μmである。厚さが0.1μm未満ではバンプ電極12を構成する低融点金属、たとえばハンダの場合、スズ(Sn)の拡散の影響を受け、Ti層8−1との界面、およびPd層8−3との界面との信頼性が悪化する。また、厚さが3μmを超えるとスパッタ装置や蒸着装置での形成が困難となる。Pd層8−3の厚さの一例は0.01〜0.3μmである。厚さが0.01μm未満ではNi層8−2の酸化を抑制できない。また、厚さが0.3μmを超えるとハンダとの濡れ性が悪くなるためである。第1の実施形態では、Ti層8−1、Ni層8−2、Pd層8−3の厚さの一例としてそれぞれ、0.1μm、0.3μm、0.05μmとした。
【0023】
さらにバリアメタル層8は、パッシベーション膜4上に張り出した張出部位9を有する。張出部位9のサイズの一例は2〜20μmである。第1の実施形態では、再配線層6の配線部7−3の幅を約50μmとしたとき、特に好ましい例として張出部位9のサイズを約10μmとした。
【0024】
このようなバリアメタル層8、およびパッシベーション膜4上には、有機膜10が形成されている。有機膜10は、再配線層6の再配置パッド部7−2に通じる開孔11を有し、開孔11の底にはバリアメタル層8が露出する。有機膜10の厚さの一例は約50μmであり、また、その材質の例としては、ポリイミド系樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB)系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂などを挙げることができる。
【0025】
開孔11内にはバンプ電極12が形成されている。バンプ電極12はバリアメタル層8に接触され、バリアメタル層8を介して再配線層6の再配置パッド部7−2に電気的に接続される。バンプ電極12は有機膜10の表面から凸状に突出されており、接続機能付きの外部端子を構成する。即ち、突出したバンプ電極12は図示せぬ配線基板に仮り止めされた後リフローされる。これにより、チップ1は配線基板に接続され、配線基板上に実装される。このため、バンプ電極12には比較的低い温度でリフローされるような低融点金属が用いられる。低融点金属の例としてはSn/Pbハンダの他、スズ(Sn)、鉛(Pb)、銀(Ag)、ビスマス(Bi)、インジウム(In)、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、銅(Cu)、および金(Au)の単体、もしくはこれらの合金、もしくはこれらの複合層などを挙げることができる。
【0026】
このような第1の実施形態によれば、バリアメタル層8が再配線層6の表面を完全に被覆し、かつパッシベーション膜4上に張り出した張出部位9を有する。この構成を具備することにより、再配線層6の“マイグレーション”や“コロージョン”の発生を抑制することができる。
【0027】
特に張出部位9は、再配線層6の表面上からパッシベーション膜4上に張り出している。このため、張出部位9は、再配線層6が機械的な力あるいは電気的な力によって移動しようとするとき、移動しようとする力に対して反発する。この作用により、再配線層6の強度が構造的に高まる。再配線層6の強度が構造的に高まることで、再配線層6の“マイグレーション”の発生を抑制できる。
【0028】
また、張出部位9は、有機膜10が吸収した水分などにより、再配線層6間を接続するような電解質が、たとえばパッシベーション膜4と有機膜10との界面に沿って生じたとき、この電解質と再配線層6とを接触し難くする。電界質と再配線層6とを接触し難くすることで、再配線層6の“コロージョン”の発生を抑制できる。
【0029】
このように第1の実施形態によれば、再配線層6にたとえばアルミニウム合金のように製造コスト的に有利な材料を用いたとしても、再配線層6に“マイグレーション”や“コロージョン”の発生を抑制することができる。よって、信頼性の高い半導体集積回路装置を、安価に得ることが可能である。
【0030】
また、図3(A)、(B)それぞれの破線円中に示すように、バリアメタル層8の再配線層6の角に対応する部位(バリアメタル層8の角)は丸められることが好ましい。バリアメタル層8の角を丸めることで、再配線層6の角に集中していた電界を緩和することができる。再配線層6の角の電界を緩和できることで、上記“マイグレーション”や“コロージョン”を抑制する効果は、より高まる。
【0031】
なお、角が丸いバリアメタル層8は、スパッタ法、あるいは電子ビーム蒸着法を用いることで、容易に形成することができる。たとえば第1の実施形態では、Ti層8−1、Ni層8−2およびPd層8−3をそれぞれ、スパッタ法、あるいは電子ビーム蒸着法を用いて形成すれば良い。
【0032】
また、再配線層6は、アルミニウム合金の他、銅、銀、ニッケル等、他の導電体により形成することも可能である。しかし、再配線層6は、アルミニウム合金により形成されるのが、製造コストの面から好ましい。たとえば再配線層6に銅を用いると、アルミニウム合金からなるパッド3とのコンタクトとのために、再配線層6とパッド3との間にバリアメタル層をさらに形成する必要があること、有機膜と銅との反応を抑えるために、チタンなどのバリア層が必要になることなどから、製造工程が複雑になる。製造工程が複雑になれば、製造コストの削減に不利である。
【0033】
また、再配線層6をバリアメタル層8のみで形成することも考えられるが、再配線層6の抵抗値の面から、再配線層6と、張出部位9を持つバリアメタル層8との組み合わせが望ましい。バリアメタル層8は薄いために抵抗値が高い。このため、配線抵抗が上昇し、信号遅延が顕著となり、動作の高速化に対応しづらくなってしまう。
【0034】
さらに張出部位9を持つバリアメタル層8を持つ装置は、張出部位9のサイズを調節することで再配線層6の抵抗値を制御できる、という利点も得ることができる。つまり張出部位9のサイズを大きくすれば、再配線層6の抵抗値を低く設定でき、反対に小さくすれば再配線層6の抵抗値を高く設定できる。このように再配線層6の抵抗値を制御すれば、たとえばパッド3からバンプ電極12までの信号遅延量の最小限化、あるいはパッド3からバンプ電極12までの信号遅延量の均一化などを図ることができる。このような利点は、たとえば集積回路の高速動作化に有用である。
【0035】
また、バリアメタル層8は、Ti/Ni/Pdの三層構造膜の他、バリアメタルとして機能する導電体であれば、使用することができる。しかし、バリアメタル層8は、Pd層を含むものを使用することが好ましく、特にPd層を有機膜10に接触させるようにするのが良い。Pd層は、有機膜10との密着性に優れているからである。バリアメタル層8と有機膜10との密着性が高まると、装置の信頼性を向上できる。
【0036】
次に、第1の実施形態に係る半導体集積回路装置の製造方法の一例を説明する。
【0037】
図4(A)〜図4(F)は第1の実施形態に係る半導体集積回路装置を主要な製造工程毎に示した断面図である。なお、図4(A)〜図4(F)は図2(B)に示した断面に対応している。
【0038】
まず、図4(A)に示すように、パッド3を有するチップ1が形成されたシリコンウェーハ100を用意する。図5(A)にシリコンウェーハ100の外観を示す。図5(A)に示すように、ウェーハ100にはチップ1が複数形成されている。ウェーハ100のサイズの一例は、直径6インチ、厚さ625μmである。次いで、プラズマCVD法を用いて、ウェーハ100の全面上に二酸化シリコン、あるいは窒化シリコンを堆積し、パッシベーション膜4を形成する。次いで、ホトリソグラフィ法を用いて、パッシベーション膜4にパッド3に達する開孔5を形成する。
【0039】
次に、図4(B)に示すように、スパッタ法を用いて、ウェーハ100の全面上にアルミニウム合金をスパッタリングし、アルミニウム合金膜を形成する。このとき、アルミニウム合金膜とアルミニウム合金であるパッド3との密着性を良好とするために、Ti膜、あるいは窒化チタン(TiN)膜、あるいはTiとTiNとの複合膜を形成した後、アルミニウム合金膜を形成するようにしても良い。次いで、ホトリソグラフィ法を用いて、アルミニウム合金膜をパターニングし、再配線層6を形成する。
【0040】
次に、図4(C)に示すように、スパッタ法、あるいは電子ビーム蒸着法を用いて、ウェーハ100の全面上にTi、Ni、Pdを順次、スパッタリング、あるいは蒸着し、Ti/Ni/Pdの三層構造膜101を形成する。
【0041】
次に、図4(D)に示すように、ウェーハ100の全面上にホトレジストを塗布し、ホトレジスト膜を形成する。次いで、ホトレジスト膜を露光/現像し、バリアメタル層パターンに対応したホトレジストパターン102を形成する。このとき、ホトレジストパターン102は、再配線層6の上方を完全に被覆するとともに、パッシベーション膜4上に張り出すように形成する。
【0042】
次に、図4(E)に示すように、ホトレジストパターン2をマスクに用いて、、三層構造膜101をエッチングし、バリアメタル層8を形成する。これにより、再配線層6を完全に被覆するとともに、パッシベーション膜4上に張り出した張出部位9を有するバリアメタル層8が形成される。このように張出部位9を有するバリアメタル層8は、ホトリソグラフィ法を用いて形成することができるので、この発明を実施するにあたり、製造コストの無用な増加がない。
【0043】
次に、図4(F)に示すように、ウェーハ100の全面上に有機物を塗布し、有機膜10を形成する。次いで、ホトリソグラフィ法を用いて、有機膜10に再配線層6上のバリアメタル層8に達する開孔11を形成する。このとき、有機膜10が感光性を持つものであれば、有機膜10を露光/現像することで、開孔11を形成しても良い。
【0044】
次に、図2(A)〜(C)に示すように、印刷法、あるいはボール搭載法を用いて、開孔部11内にハンダを印刷、あるいは搭載し、バンプ電極12を形成する。
【0045】
次に、図5(B)に示すように、ウェーハ100をダイシングし、バンプ電極12を有したチップ1に分割する。
【0046】
ここまでの工程で、この発明に係る半導体集積回路装置が得られる。
【0047】
さらにこの発明に係る半導体集積回路装置を電子機器に組み込む場合、以下のようにすれば良い。
【0048】
図5(C)に示すように、チップ1のバンプ電極12を、配線基板103上の配線パターン104上に仮止めする。次いで、チップ1が仮止めされた配線基板103を、温度を約220℃に設定した窒素リフロー炉に入れ、バンプ電極12を溶融させる。これにより、バンプ電極12が配線パターン104に固着され、チップ1が配線基板103上に実装される。このようにして、この発明に係る半導体集積回路装置を用いた電子機器が完成する。なお、配線基板103上に実装されたチップ1の周囲、およびチップ1と配線基板103との間にシリコーン系樹脂などを充填した後、硬化させても良い。この場合、シリコーン系樹脂の他、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。
【0049】
このようにして形成した電子機器を、温度サイクル試験に供して、その信頼性を調べた。試験したチップ1のサイズは6mm×8mm、バンプ電極12の数は49個である。試験の条件は、−65℃(30分)〜25℃(5分)〜150℃(30分)を1サイクルとした。このサイクルを3000回繰り返したが、バンプ電極12と配線パターンとの接続箇所に破断の発生は認められなかった。
【0050】
[第2の実施形態]
図6はこの発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路装置の主要な部分を示した断面図である。なお、図6に示す断面は図2(B)に示した断面に対応している。
【0051】
図6に示すように、開孔11内に、金などの導電体21を形成した後、バンプ電極12を形成するようにしても良い。
【0052】
このような装置であると、第1の実施形態と同様の効果を得られる他、開孔11内に形成された導電体21を用いて、パッド3からバンプ電極12までの配線抵抗を制御できる利点がある。
【0053】
[第3の実施形態]
図7はこの発明の第3の実施形態に係る半導体集積回路装置の主要な部分を示した断面図である。なお、図7に示す断面は図2(B)に示した断面に対応している。
【0054】
図7に示すように、開孔11内に、バリアメタル層31を形成した後、バンプ電極12を形成するようにしても良い。
【0055】
このような装置であると、第1の実施形態と同様の効果を得られる他、バリアメタル層31が開孔11の底、および側壁に沿って形成されているので、バンプ電極12と再配線層6との密着性が高まる利点がある。
【0056】
また、第3の実施形態は、第2の実施形態と組み合わせることも可能である。
【0057】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、再配線層にアルミニウム合金のように製造コスト的に有利であるが“マイグレーション”や“コロージョン”が発生し易い材料を用いたとしても、これらの発生を抑制できる構造を持つ半導体集積回路装置およびその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(A)はこの発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路装置を概略的に示した平面図、図1(B)は図1(A)中のB−B線に沿う断面図。
【図2】図2(A)は図1(A)中の一点鎖線枠2A内を拡大した拡大図、図2(B)は図2(A)中のB−B線に沿う断面図、図2(C)は図2(A)中のC−C線に沿う断面図。
【図3】図3(A)、(B)はそれぞれバリアメタル層8の一例を詳細に示す断面図。
【図4】図4(A)〜図4(F)は第1の実施形態に係る半導体集積回路装置を主要な製造工程毎に示した断面図。
【図5】図5(A)はこの発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路装置が形成されるシリコンウェーハの外観を示す斜視図、図5(B)はこの発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路装置の外観を示す斜視図、図5(C)はこの発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路装置を用いた電子機器の外観を示す斜視図。
【図6】図6はこの発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路装置の主要な部分を示した断面図。
【図7】図7はこの発明の第3の実施形態に係る半導体集積回路装置の主要な部分を示した断面図。
【符号の説明】
1…シリコンチップ(シリコン基板)、
2…集積回路、
3…パッド、
4…パッシベーション膜、
5…開孔、
6…再配線層、
7−1…接続部、
7−2…再配置パッド部、
7−3…配線部、
8…バリアメタル層、
8−1…チタン層、
8−2…ニッケル層、
8−3…パラジウム層、
9…張出部位、
10…有機膜、
11…開孔、
12…バンプ電極。
Claims (8)
- 集積回路が形成され、この集積回路に電気的に接続されるパッドを有する半導体基板と、
前記基板上に形成され、前記パッドに通じる開孔を有するパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜の開孔を介して前記パッドに電気的に接続されるとともに前記パッシベーション膜上に引き出された再配線層と、
前記再配線層を完全に被覆するとともに、前記パッシベーション膜上に張り出した張出部位を有するバリアメタル層と、
前記バリアメタル層および前記パッシベーション膜上に形成され、前記再配線層上の前記バリアメタル層に達する開孔を有する有機膜と、
前記有機膜の開孔および前記バリアメタル層を介して前記再配線層に電気的に接続されるバンプ電極と
を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記バリアメタル層の角が丸まっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記再配線層はアルミニウムを主成分とする導電体により形成されていることを特徴とする請求項1および請求項2いずれかに記載の半導体集積回路装置。
- 前記バリアメタル層はチタン、ニッケル、パラジウムの3層構造でなることを特徴とする請求項1乃至請求項3いずれか一項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記チタンの厚さは0.05μm〜0.3μmであり、前記ニッケルの厚さは0.1μm〜3μmであり、前記パラジウムの厚さは0.01〜0.3μmであることを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路装置。
- 前記有機膜は、ポリイミド系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、及びシリコーン系樹脂のいずれか一つであることを特徴とする請求項1乃至請求項5いずれか一項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記バンプ電極は、低融点金属であることを特徴とする請求項1乃至請求項6いずれか一項に記載の半導体集積回路装置。
- 半導体集積回路が形成され、この集積回路に電気的に接続されるパッドを有する半導体基板を用意する工程と、
前記基板上に、前記パッドに通じる開孔を有するパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜の開孔を介して前記パッドに電気的に接続されるとともに前記パッシベーション膜上に引き出された再配線層を形成する工程と、
前記パッシベーション膜および前記再配線層上にバリアメタル層を形成する工程と、
前記バリアメタル層を前記再配線層を完全に被覆するとともに、前記パッシベーション膜上に張り出した張出部位を有するようにパターニングする工程と、
前記パッシベーション膜および前記バリアメタル層上に、前記再配線層上の前記バリアメタル層に達する開孔を有する有機膜を形成する工程と、
前記有機膜の開孔および前記バリアメタル層を介して前記再配線層に電気的に接続されるバンプ電極を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
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