JP2002371351A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 アーク放電によって陰極を溶解させ陰極物質を蒸発させるアーク放電式蒸発源およびスパッタリングによって陰極物質を放出させるスパッタリング用電極を同一容器内に備え、物理蒸着法により容器内の被覆基体に皮膜を形成する皮膜形成装置であって、前記アーク放電式蒸発源を使用する際は、前記スパッタリング用電極の陰極部前面が遮へいされる機構を有し、前記スパッタリング用電極を使用する際は、前記アーク放電式蒸発源の陰極部前面が遮へいされる機構を有し、さらに前記被覆基体にバイアス電圧を印加するバイアス電源を備え、アーク放電式イオンプレーティング法と、スパッタリング法が、連続して繰返し行えることを特徴とする皮膜形成装置。
【請求項２】 スパッタリング用電極が、非平衡な磁場の分布を形成するアンバランスドマグネトロンスパッタリング用電極であることを特徴とする請求項１に記載の皮膜形成装置。
【請求項３】 被覆基体には、少なくとも負のパルスバイアス電圧を印加するパルスバイアス電源を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の皮膜形成装置。
【請求項４】 アーク放電式イオンプレーティング法による皮膜と、スパッタリング法による皮膜が、繰返し多層に被覆された冷間ならびに温熱間加工用金型の製造に使用されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の皮膜形成装置。
【請求項１】 アーク放電によって陰極を溶解させ陰極物質を蒸発させるアーク放電式蒸発源およびスパッタリングによって陰極物質を放出させるスパッタリング用電極を同一容器内に備え、物理蒸着法により容器内の被覆基体に皮膜を形成する皮膜形成装置であって、前記アーク放電式蒸発源を使用する際は、前記スパッタリング用電極の陰極部前面が遮へいされる機構を有し、前記スパッタリング用電極を使用する際は、前記アーク放電式蒸発源の陰極部前面が遮へいされる機構を有し、さらに前記被覆基体にバイアス電圧を印加するバイアス電源を備え、アーク放電式イオンプレーティング法と、スパッタリング法が、連続して繰返し行えることを特徴とする皮膜形成装置。
【請求項２】 スパッタリング用電極が、非平衡な磁場の分布を形成するアンバランスドマグネトロンスパッタリング用電極であることを特徴とする請求項１に記載の皮膜形成装置。
【請求項３】 被覆基体には、少なくとも負のパルスバイアス電圧を印加するパルスバイアス電源を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の皮膜形成装置。
【請求項４】 アーク放電式イオンプレーティング法による皮膜と、スパッタリング法による皮膜が、繰返し多層に被覆された冷間ならびに温熱間加工用金型の製造に使用されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の皮膜形成装置。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決できた本発明に係る皮膜形成装置は、アーク放電によって陰極を溶解させ陰極物質を蒸発させるアーク放電式蒸発源およびスパッタリングによって陰極物質を放出させるスパッタリング用電極を同一容器内に備え、物理蒸着法により容器内の被覆基体に皮膜を形成する皮膜形成装置であって、前記アーク放電式蒸発源を使用する際は、前記スパッタリング用電極の陰極部前面が遮へいされる機構を有し、前記スパッタリング用電極を使用する際は、前記アーク放電式蒸発源の陰極部前面が遮へいされる機構を有し、さらに前記被覆基体にバイアス電圧を印加するバイアス電源を備え、アーク放電式イオンプレーティング法と、スパッタリング法が、連続して繰返し行えることを特徴とする皮膜形成装置である。
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決できた本発明に係る皮膜形成装置は、アーク放電によって陰極を溶解させ陰極物質を蒸発させるアーク放電式蒸発源およびスパッタリングによって陰極物質を放出させるスパッタリング用電極を同一容器内に備え、物理蒸着法により容器内の被覆基体に皮膜を形成する皮膜形成装置であって、前記アーク放電式蒸発源を使用する際は、前記スパッタリング用電極の陰極部前面が遮へいされる機構を有し、前記スパッタリング用電極を使用する際は、前記アーク放電式蒸発源の陰極部前面が遮へいされる機構を有し、さらに前記被覆基体にバイアス電圧を印加するバイアス電源を備え、アーク放電式イオンプレーティング法と、スパッタリング法が、連続して繰返し行えることを特徴とする皮膜形成装置である。
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