KR100822312B1 - 균일도가 높은 대향 타겟식 스퍼터링 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 대향 타겟 사이에 구속된 전자의 자력선을 따라 회전 운동 및 왕복운동을 유도함으로써 고밀도, 고이온화 플라즈마를 구현하고, 저온 증착 및 높은 이온에너지에 의한 기판 손상의 방지가 가능하도록 한 대향 타겟 스퍼터링 장치에 관한 것이다.

본 발명에 따른 대향식 스퍼터링 장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 위치하며 소정의 거리를 두고 대향하도록 배치되고, 그 후면에 자계 생성 수단이 배치된 한쌍의 타겟과, 상기 챔버 내에서 상기 타겟의 측방에 위치하는 기판을 지지하기 위한 기판 지지대와, 타겟 사이의 공간에 플라즈마를 형성하기 위해 전력을 공급하는 전원장치를 포함하며, 상기 자계 생성 수단은 상기 타겟과 접촉하는 면의 중앙에 리세스가 형성되어 타겟 전면의 자계 균일성을 향상시킨다.

Description

균일도가 높은 대향 타겟식 스퍼터링 장치{HIGH UNIFORMITY FACING TARGET TYPE SPUTTERING APPARATUS}

도 1은 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치의 단면도.

도 2는 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치의 단면도.

도 3a는 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치에 사용되는 영구자석의 배열을 도시하는 도면.

도 3b는 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치에서의 스퍼터링 타겟과 영구자석의 배치를 도시하는 사시도.

도 3c는 도 3b의 라인 B를 기준으로 절단했을 경우의 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치의 단면도.

도 4a는 본 발명의 대향 타겟식 스퍼터링 장치에 사용되는 영구자석의 배열을 도시하는 도면.

도 4b는 본 발명의 대향 타겟식 스퍼터링 장치에서의 스퍼터링 타겟과 영구자석의 배치를 도시하는 사시도.

도 4c는 도 4b의 라인 A를 기준으로 절단했을 경우의 본 발명의 대향 타겟식 스퍼터링 장치의 단면도.

도 5는 본 발명의 대향 타겟식 스퍼터링 장치의 전압-전류 특성 곡선.

도 6은 종래 마그네트론 스퍼터링 장치와 본 발명의 대향 타겟식 스퍼터링 장치에 대한 방출 분광분석법으로 측정된 티타늄 및 Ar의 중성입자 및 이온의 분광선.

도 7은 본 발명의 대향 타겟식 스퍼터링 장치로 증착된 구리 박막의 분당 증착율을 도시한 그래프.

도 8은 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치와 본 발명에 따른 대향 타겟식 스퍼터링 장치를 이용하여 기판에 박막을 증착했을 때의 박막 균일도를 측정한 그래프

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1: 스퍼터원 홀더 2: 절연체

3: 페라이트 4: 음극

5: 타겟홀더 6: 타겟

7: 자계 생성 수단 8: 양극

30: 기판 지지대 40: 요홈

50: 전원장치 a~d: 자석편

본 발명은 대향식 스퍼터링 장치를 사용하여 대향 타겟 사이에 구속된 전자의 자력선을 따라 회전 운동 왕복운동을 유도함으로써 고밀도, 고이온화 플라즈마를 구현하고, 저온 증착 및 높은 이온에너지에 의한 기판 손상의 방지가 가능하도록 한 대향 타겟 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 상세하게는 스퍼터링 장치의 타겟 전면에 균일한 자계를 형성시켜 기판의 박막 증착 균일성을 높인 요홈형 또는 계단형 자석구조를 가진 대향식 스퍼터링 장치에 관한 것이다.

스퍼터링은 박막 코팅에서 널리 사용되는 방법으로, 디스플레이, 광학, 내마모 코팅, 반도체 등 다양한 산업 분야에 이용되고 있다.

종래의 마그네트론 스퍼터링 기술은 기판 면에 대향하는 타겟을 이용하여 기판 위에 막을 형성하는 기술로서 널리 사용되고 있다. 도 1은 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치를 도시한다. 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치는 타겟 앞편에 전자 및 이온 구속을 위한 자계를 형성시키고 예를 들어, 이온화된 Ar 이온들이 타겟에 충돌하면서 운동량 전달에 의하여 타겟 원자가 스퍼터링 된다. 그러나 이러한 마그네트론 스퍼터링 기술은 기판 면에 타겟에 대향하고 스퍼터링되는 증착 물질의 운동에너지가 과도하게 높기 때문에 고운동에너지를 갖는 이온이 폴리머 또는 유기 발광 소자의 유기층등 상에 스퍼터링되는 경우에는 폴리머층 또는 유기층이 손상될 수 있다는 문제점이 있다.

따라서 이러한 문제점을 해소하기 위한 일 방안으로서, 타겟과 기판을 직접 대면시키지 않는 구조의 대향 타겟식 스퍼터링 장치가 사용된다.

종래 기술에 따른 대향 타겟식 스퍼터링 장치는 타겟의 대향하는 타겟면을 제외한 부분을 양극으로 덮는 구조로 되어 있으며 타겟에 수직한 자계를 형성시키기 위하여 대향 타겟의 후면에 영구자석을 배치하여 대향 타겟 내에 전자를 구속하는 구조를 가진다.

통상적인 대향 타겟식 스퍼터링 장치가 도 2에 도시되어 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 통상적인 대향식 스퍼터링 장치는 진공챔버 내에 설치 구성되는 대향식 타겟과 그 후면에 설치된 영구자석과, 전원장치와, 기판을 지지하는 기판 지지대로 구성된다.

도 3a는 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치에 사용되는 영구자석의 배열을 도시하고, 도 3b는 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치에서의 스퍼터링 타겟과 영구자석의 배치를 도시한다. 도 3c는 도 3b의 라인 B를 기준으로 절단했을 경우의 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치의 단면도를 도시하는 것으로 대향 타겟식 스퍼터링 장치의 각각의 구성요소와 타겟 및 영구자석의 위치를 보여주고 있다. 이와 같은 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치에 사용되는 영구자석은, 도 3에 도시된 바와 같이 전체 구조가 사각형으로 되어 타겟에 부착되도록 되어 있다. 상기 대향식 타겟은 스퍼터링된 원자 및 전자 방출을 위하여 (-) 전압이 인가되고, 상기 기판은 대향식 타겟의 측방에 설치되며, 상기 영구자석은 상기 타겟의 후방에 설치되어 자계를 인가하게 된다.

도 2를 참조하면, 대향 스퍼터링 타겟(6)에 전원공급장치로부터 동시에 (-) 전압을 인가하면, 자계 발생 수단인 영구자석(7)에 의해 발생된 자계에 의해 대향 타겟들(6) 사이의 공간 내에 스퍼터링 플라즈마가 구속된다. 이때, 상기 플라즈마는 감마 전자, 음이온, 양이온, 중성입자 등으로 이루어져 있다. 이때, 상기 플라즈마 내의 전자는 서로 대향하는 스퍼터링 타겟을 연결한 자기력선을 따라 회전운동을 하면서 고밀도 플라즈마를 형성시키는 동시에 한쌍의 스퍼터링 타겟에 걸린 (-) 전원에 의하여 왕복운동을 하면서 고밀도 플라즈마를 유지시킨다. 즉, 플라즈마 내의 모든 전자나 이온은 자기력선을 따라 회전하면서 왕복 운동을 하기 때문에 높은 에너지를 갖는 하전된 입자는 반대편 타겟으로 가속되어 타겟 사이의 공간 내에 형성된 플라즈마 내에 구속된다. 따라서 고에너지 하전 입자는 타겟 공간에 구속되고 주로 비교적 낮은 에너지를 갖는 중성 입자의 확산에 의해 대향 타겟의 측방에 위치하는 기판 상에 증착이 이뤄지므로 고에너지 입자 충돌에 의한 기판의 손상 없이 기판 상에 박막 형성이 이뤄진다.

또한, 종래 기술에 따른 대향 타겟식 스퍼터링 장치에서는 기판 면이 타겟에 대향하지 않고 대향 타겟의 측방에 위치하므로 증착되는 비교적 낮은 에너지를 갖는 스퍼터 원자에 의해 증착이 이뤄지므로 기판 상의 폴리머층 또는 유기층을 손상시키지 않는다는 이점이 있다.

그러나 이와 같은 형태의 종래 기술에 따른 대향 타겟식 스퍼터링 장치에서는 타겟 전면에 형성되는 자계의 균일성이 높지 못하므로 종래 대향 타겟 측면에 설치된 기판의 증착시 증착균일도가 높지 못하다는 문제점을 가진다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 발명으로서, 타겟 전면에 형성되는 자계의 균일성을 높임으로써 대향 타겟 측면에 설치된 기판의 증착시 증착균일도를 높일 수 있는 대향 타겟식 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은 고밀도 플라즈마를 구현하고 타겟 사용 효율을 높이며 기판으로 입사하는 스퍼터 입자의 운동에너지를 감소시켜 기판의 열적 손상을 방지하며 고속, 저온 박막 형성이 가능하도록 이루어진 대향식 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 스퍼터링 소스는, 타겟 및 상기 타겟 후면에 배치된 자계 생성 수단을 포함하며, 상기 자계 생성 수단은 측면 중앙에 내측으로 요홈 또는 계단이 형성되어 타겟 전면의 자계 균일성을 향상시킨다.

또한, 본 발명에 따른 대향식 스퍼터링 장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 위치하며 소정의 거리를 두고 대향하도록 배치되고, 그 후면에 자계 생성 수단이 배치된 한쌍의 타겟과, 상기 챔버 내에서 상기 타겟의 측방에 위치하는 기판을 지지하기 위한 기판 지지대와, 타겟 사이의 공간에 플라즈마를 형성하기 위해 전력을 공급하는 전원장치를 포함하며, 상기 자계 생성 수단은 측면 중앙에 내측으로 요홈 또는 계단이 형성되어 타겟 전면의 자계 균일성을 향상시키는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 자계 생성 수단은 여러 개의 조각으로 형성된 영구자석으로 이루어져 있다.

본 발명에 따른 대향식 스퍼터링 장치는 두 개의 타겟이 서로 마주보도록 배치되고 타겟 표면에 수직하도록 타겟 뒷면에 영구자석을 배치하며 두 타겟에 (-)의 등전위가 인가되고 반응기는 접지전위가 되며 기판의 전위는 접지 또는 부유전위가 인가된다.

대향하는 두 타겟 뒷면의 영구자석으로부터 발생되는 자기장은 타겟 표면과 수직한 방향으로 형성되며 두 타겟 사이에서 구속된 고밀도, 고이온화 플라즈마에 의해 낮은 압력 (1 mTorr 이하)에서 안정적 플라즈마가 형성되며 고밀도 플라즈마에 의한 고속 스퍼터링을 유도하며 스퍼터링시 발생되는 높은 에너지를 갖는 이온에 의한 기판 충돌을 최소화하여 이온 충격에 의한 기판 손상 및 타겟으로부터의 복사열에 의한 열손상을 방지할 수 있다.

상기의 스퍼터링 장치는 서로 다른 물질의 타겟을 장착함으로서 2원계 박막을 증착할 수 있는 특징을 가진다. 기판 상에 스퍼터 증착되는 막으로서는, 전도성의 금속, 질화물, 유기물, 반도체, 또는 ITO, ZnO, 또는 Me:ZnO로 이루어진 투명전도막(TCO)을 포함하는 산화물이 증착될 수 있다.

본 발명의 타겟 대향식 스퍼터링 장치는 고이온화, 고밀도 플라즈마를 유도함으로서 통상의 마그네트론 스퍼터링 장치에 비하여 1 mTorr이하의 낮은 압력에서 플라즈마가 유지, 생성될 수 있으며 이를 통하여 구리 이온에 의한 자가 스퍼터링(self sputtering)을 유도할 수 있다. 따라서 본 발명의 목적은 스퍼터링 장치를 이용하여 박막을 제작하는 데 있어서 통상의 마그네트론 스퍼터링보다 고속, 저압, 저온 공정이 가능하며, 특히 각종 폴리머 기판, 유기 발광 디스플레이 소자의 유기 전계 발광부 등 저온 고속 박막 증착이 요구되는 공정에 적용됨을 특징으로 한다. 또한 본 발명의 가장 큰 특징으로 스퍼터링 장치의 타겟 전면에 균일한 자계를 형성시킴으로서 통상의 마그네트론 스퍼터링 장치 (타겟 효율 5 ~ 25 %) 보다 크게 개선된 타겟 사용효율 (50 ~ 60 %)을 가지는 것을 특징으로 한다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 대향식 스퍼터링 장치를 상세히 설명한다.

도 4a는 본 발명의 대향 타겟식 스퍼터링 장치에 사용되는 영구자석의 배열을 도시하며, 도 4b는 본 발명의 대향 타겟식 스퍼터링 장치에서의 스퍼터링 타겟과 영구자석의 배치를 입체적으로 도시하는 사시도이며, 도 4c는 도 4b의 라인 A를 기준으로 절단했을 경우의 본 발명의 대향 타겟식 스퍼터링 장치의 단면도를 도시한다.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 스퍼터링 소스는, 타겟(6) 및 상기 타겟 후면에 배치된 자계 생성 수단(7)을 포함하며, 상기 자계 생성 수단(7)은 측면 중앙에 내측으로 요홈 또는 계단이 형성되어 타겟 전면의 자계 균일성을 향상시킨다.

또한, 본 발명에 따른 대향식 스퍼터링 장치는 챔버 내에 위치하며 소정의 거리를 두고 대향하도록 배치되는 한쌍의 타겟(6)과, 상기 각각의 타겟(6) 후면에 배치된 한쌍의 자계생성수단(7), 상기 챔버 내에 위치하며 기판을 지지하기 위한 기판 지지대(30)와, 상기 타겟(6)사이의 공간에 플라즈마를 형성하기 위해 전력을 공급하는 전원장치(50)를 포함하며, 상기 자계 생성 수단(7)은 측면 중앙에 내측으로 요홈 또는 계단이 형성되어 타겟 전면의 자계 균일성을 향상시키도록 구성되어 있다.

상기 자계 생성 수단(7)은 여러 조각으로 이루어진 영구자석으로 이루어질 수 있다. 자계 생성 수단(7)의 요홈(40)의 폭 및 깊이는 타겟의 크기 및 위치 그 리고 인가되는 전원에 따라 변경될 수 있다. 상기 요홈(40)의 형상은 "ㄷ"자 형상이지만, 그 외의 어떠한 형상이라도 가능하며, 사각형, 반원형 모두 가능하다. 바람직하게 상기 자계 생성 수단(7)은 다수개의 영구자석으로 이루어지지만, 하나의 영구자석으로 이루어질 수도 있다.

상기 대향식 타겟(6)은 스퍼터링된 원자 및 전자 방출을 위하여 음극으로 인가되고, 상기 기판은 대향식 타겟(6)의 측면에 설치 고정되어 타겟(6)으로부터 방출된 이온 및 중성 입자가 증착된다. 그리고 상기 영구자석(7)은 상기 타겟(6)의 후방에 설치되어 자계를 인가하게 된다.

대향식 스퍼터링 장치는 기판 상에 증착될 물질로 구성된 음극인 타겟과 양극으로 구성되며 양극과 음극 사이의 간격을 약 3 mm로 함으로서 방전전압을 낮출 수 있게 하며, 목적에 따라 형상을 달리하여 사용된다.

도 4c는 본 발명의 본 발명의 대향 타겟식 스퍼터링 장치에서 타겟과 자계 생성 수단으로 이루어진 스퍼터링 소스와 스터터링 장치의 다른 구성요소들간의 관계를 나타내고 있다. 도 4b와 4c에서 자석편 a, b, c 및 d는 전체 장치에서 자계 생성 수단의 위치와 모양의 이해를 돕기 위해 도시하였다.

본 발명의 대향식 스퍼터링 장치에서, 증착원으로 이용되는 전원장치는 양극과 진공챔버에 연결, 접지되고, 음극인 하나의 타겟과 또 다른 타겟은 동시에 연결되어 상호 등전위를 형성하며, 타겟과 양극 사이의 전기적 방전에 의하여 플라즈마가 발생되고 대향식 타겟 사이에서 할로우캐소드(hollow cathode) 형태의 방전을 형성하여 플라즈마 밀도와 반응성을 증가시키고 기판에 양질의 입자를 유도한다. 상기 음극인 타겟(6)에 인가되는 전압은 직류, 펄스 직류, 교류 중 선택적으로 사용된다.

본 발명의 스퍼터링 장치에서는 대향식 타겟의 뒷면에 서로 다른 극성을 가진 영구자석이 배치되어, 한쪽에는 S극의 영구자석을 배치하며 다른 한쪽에는 N극의 영구 자석을 배치한다. 타겟의 사용효율 향상 및 균일한 플라즈마 발생을 위하여 균일한 자계를 형성시키는 것이 무엇보다 중요하다. 균일한 자계분포는 타겟 전면에 균일한 2차 전자 밀도를 형성시켜 균일한 플라즈마를 형성시킨다.

본 발명에서는 영구자석들로 이루어진 자계 생성 수단의 중앙면에 요홈(40)이 형성되어 있기 때문에 대향하는 두 타겟 뒷면의 자계 생성 수단(7)으로부터 발생되는 자기장은 타겟 표면과 수직한 방향으로 균일하게 형성되어 타겟 전면의 자계 균일성을 향상시킨다. 따라서 두 타겟 사이에서 안정적이고 균일한 플라즈마가 형성되며 이로 인하여 타겟 측면에 위치한 기판 상에 균일한 박막 형성이 이루어진다.

또한, 상기 대향식 타겟 사이에 플라즈마가 구속되어 기판 쪽으로 입사되는 입자는 낮은 운동에너지를 갖는 입자가 입사되어 기판의 열적 손상이 없는 저온 박막형성을 용이하게 한다.

상기 대향식 타겟과의 거리를 조정할 수 있도록 이동가능하게 장착된다.

도 5는 본 발명에 따른 대향식 타겟 스퍼터링 장치의 전압-전류 특성을 나타낸다. 방전 전류가 증가할수록 방전 전압 또한 선형적으로 증가한다. 공정압력이 낮을수록 동일한 전류값에서 낮은 방전전압을 나타낸다.

도 6은 방출분광분석법으로 측정한 티타늄 타겟이 장착된 스퍼터링 장치의 분광 분석 스펙트럼 비교도이다. 도 6에서 700 ~ 800 nm 파장영역에 아르곤(Ar) 중성입자 분광선이 있으며 300 ~ 500 nm 파장 영역은 티타늄 중성입자, 티타늄 이온, Ar 이온의 분광선이 주요하게 위치해 있다. 보다 자세하게 도 6a는 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치에서 측정된 방출분광스펙트럼이다. 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치의 경우 Ar 이온 분광선의 방출 세기는 Ar 중성입자의 분광선 방출세기에 비하여 상대적으로 낮게 나타나며 이로 인하여 스퍼터링된 티타늄 중성입자와 이온의 방출세기 또한 낮게 나타난다. 도 6b는 본 발명의 대향식 스퍼터링 장치의 방출분광선을 나타낸다. 그림 5b에서 Ar 이온의 방출 분광선의 방출세기는 상대적으로 Ar 중성입자 분광선의 방출세기에 비하여 높게 나타나며 이로 인하여 스퍼터링된 티타늄 중성입자와 티타늄 이온의 방출세기 또한 높게 나타난다. 따라서 도 6에서 보이듯이 동일 전력이 인가된 경우 본 발명의 대향식 스퍼터링 장치가 높은 플라즈마 밀도를 구현하며 고속 스퍼터링이 가능하다.

도 7은 본 발명의 대향식 타겟 스퍼터링 장치의 타겟 인가 전력에 따른 구리 박막의 증착율을 나타낸다. 타겟 전력이 2 kW에서 5 kW로 증가됨에 따라 분당 증착율은 0.7 ㎛에서 1.8 ㎛의 증착율이 측정되었다.

도 8은 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치와 본 발명에 따른 대향 타겟식 스퍼터링 장치를 이용하여 기판에 박막을 증착했을 때의 박막 균일도를 측정한 그래프로서, 도 8a는 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치를 이용하여 기판에 박막을 증착했을 때의 데이터이고, 도 8b는 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치를 이용하여 기판에 박막을 증착했을 때의 데이터이다.

도 8a에 도시되어 있는 바와 같이, 종래 대향 타겟식 스퍼터링 장치를 이용하여 기판에 박막을 증착할 경우, 기판의 중심에서 멀어질수록 증착 두께가 얇아지는 것을 알 수 있으며, 이러한 두께 변화가 급격하게 변동되는 것을 알 수 있다. 이와 대조적으로, 도 8b에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 타겟식 스퍼터링 장치는 기판의 넓은 영역에 걸쳐 박막이 균일한 두께로 증착됨을 알 수 있다.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 하나의 실시예를 설명한 것이며, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 변경실시 가능한 범위까지 본 발명의 범위에 있다고 할 것이다.

전술한 바와 같이, 본 발명은 타겟 전면에 형성되는 자계의 균일성을 높임으로써 대향 타겟 측면에 설치된 기판의 증착시 증착 균일도를 높이는 효과를 가진다.

또한, 본 발명은 고밀도 플라즈마를 구현하고 타겟 사용 효율을 높이며 기판으로 입사하는 스퍼터 입자의 운동에너지를 감소시켜 기판의 열적 손상을 방지하며 고속, 저온 박막 형성이 가능하도록 한다.

본 발명은 고속 증착 및 기판의 손상없는 저온 증착이 가능하므로 폴리머 기판 및 유기전계 발광 소자의 유기발광층 손상이 없는 박막 증착이 가능하다.

Claims (11)

1. 사각형의 타겟 및 상기 타겟 후면에 배치된 자계 생성 수단을 포함하며, 상기 자계 생성 수단은 측면 중앙에 내측으로 요홈 또는 계단이 형성되어 타겟 전면의 자계 균일성을 향상시키도록 된 대향 타겟식 스터터링 장치용 스퍼터링 소스.
2. 삭제
3. 제 1항에 있어서, 상기 요홈 또는 계단의 형상은 사각형 또는 반원형인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 소스.
4. 제 1항에 있어서, 상기 자계 생성 수단은 다수개의 영구자석으로 이루어지거나 하나의 영구자석으로 이루어질 수 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 소스.
5. 제 1항에 있어서, 상기 요홈 또는 계단의 형상은 "ㄷ"형인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 소스.
6. 챔버와; 상기 챔버 내에 위치하며 서로 대향하도록 배치되고, 그 후면에 자계 생성 수단이 배치된 사각형상을 가진 한쌍의 타겟과; 상기 챔버 내에서 상기 타겟의 측방에 위치하는 기판을 지지하기 위한 기판 지지대와; 상기 타겟 사이의 공간에 플라즈마를 형성하기 위해 전력을 공급하는 전원장치를 포함하며, 상기 자계 생성 수단은 측면 중앙에 내측으로 요홈 또는 계단이 형성되어 타겟 전면의 자계 균일성을 향상시키도록 된 대향식 스퍼터링 장치.
7. 삭제
8. 제 6항에 있어서, 상기 요홈의 형상은 사각형 또는 반원형인 것을 특징으로 하는 대향식 스퍼터링 장치.
9. 제 6항에 있어서, 상기 자계 생성 수단은 다수개의 영구자석으로 이루어지거나 하나의 영구자석으로 이루어질 수 있는 것을 특징으로 하는 대향식 스퍼터링 장치.
10. 제 6항에 있어서, 상기 타겟의 뒷면에는 다른 극성을 가진 영구자석이 배치되는 것을 특징으로 하는 대향식 스퍼터링 장치.
11. 제 6항에 있어서, 상기 요홈 또는 계단의 형상은 "ㄷ"형인 것을 특징으로 하는 대향식 스퍼터링 장치.

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