JP4747609B2 - 有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
透明有機電界発光素子は、図2に示すように、ガラスなどの透明基板1上にITOなどからなる透明電極2を成膜し、この透明電極2上に、電子注入層、有機発光層、正孔輸送層などからなる有機薄膜3を順次成膜し、この有機薄膜3上にITOなどからなる透明電極4を成膜して発光素子基板を作製する。そして、この発光素子基板をガラスなどからなる封止基板5で封止して得られるものである。
このような透明有機電界発光素子は、素子の両面から光を取り出せる利点がある。
このようなトップエミッション型有機電界発光素子では、封止基板15側から光を取り出すことができ、発光素子基板に設ける駆動回路によって光が遮られることがなく、開口率を高くできる利点がある。
この透明電極の成膜には、従来では、高周波マグネトロンスパッタ法が用いられている。
有機薄膜の劣化は、言うまでもなく、有機電界発光素子が低輝度になったり、非発光となったりする原因になる。
請求項1にかかる発明は、基板上に、少なくとも基板表面上の低屈折率膜、基板上のパッシベーション膜、前記パッシベーション膜上の下部電極、前記下部電極上の有機薄膜、前記有機薄膜上の上部透明電極を設けた有機電界発光素子を製造する方法において、
前記有機薄膜を凸版オフセット印刷法により形成し、
前記低屈折率膜、前記下部電極および前記上部透明電極を電子サイクロトン共鳴スパッタ法によって形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。
また、電子サイクロトン共鳴スパッタ法によって形成された上部透明電極は、透明性がよく、表面粗さが小さく、平滑性に優れ、しかも比抵抗が低いものとなる。
この電子サイクロトン共鳴スパッタ装置は、プラズマ発生室31と成膜室32とから概略構成されている。
また、プラズマ発生室31には、ガス導入口45が形成され、ここからアルゴンなどのガスが室内に送り込まれるようになっている。
まず、電子サイクロトン共鳴スパッタ装置に取り付ける基材を作製する。
この基材の作製方法として、トップエミッション型有機電界発光素子の場合には、2つの方法がある。
この凸版オフセット印刷法とは、ダイノズルなどの供給ユニットからシリコーン樹脂製ブランケット(胴)の全面に有機薄膜となる材料を含むインキを供給し、パターン形成されたネガ型刷版の凸部へブランケットから上記インキを転写し、ネガ型刷版に余分のインキを転写し、必要な部分のインキをそのままブランケットに残す。ついで、このブランケット上のパターン形成されたインキをブランケットから基板に転写し、インキを乾燥する方法である。
装置内を排気した後、ガス導入口41、45からアルゴンガスを導入し、装置内部を0.05〜0.5Pa程度の圧力とする。この状態で、磁気コイル33、34を動作させてプラズマ発生室31内に0.0875テスラの磁場を作り、導波路から周波数2.45GHzのマイクロ波をプラズマ発生室31内に入射する。
fc=qB/2πm
(ここで、fc:電子サイクロトロン周波数、q:e(電子電荷)
B:磁場の強さ、m:me(電子静止質量)である。)
の電子サイクロトン共鳴条件が満足され、プラズマ発生室31内に比較的高密度(1017/m−3程度)のプラズマが発生する。
このプラズマは、プラズマ引出口37から成膜室32に流れる。
これに対して、基板に入射されるイオンのエネルギーが50eV程度以上となると、イオンが基板内に入り込んだり、基板を構成する原子が叩き出されたり、基板に欠陥を発生させたりして、生成される薄膜が不純物で汚染され、あるいは表面が粗くなるなどの問題が生じる。
一方、電子サイクロトン共鳴スパッタ法では、圧力などを変化させることで、照射イオンのエネルギーを適切な値に制御することができるため、基板表面に到達した原子は、薄膜成長の適したエネルギーを与えられて、基板表面へのマイグレーションが行われ、十分安定な位置に留まることができる。また、化合物の成膜においては、化学的に安定な高い結合力が得られる。さらに、CVD法のように不要な反応生成物が生じることない。
以上の理由により、電子サイクロトン共鳴スパッタ法によって形成された透明電極は高品質であり、しかも下地の有機薄膜にダメージを与えることがないものとなる。
(例1)
電子サイクロトン共鳴スパッタ装置と高周波マグネトロンスパッタ装置を用い、有機薄膜上に厚さ150nmのITOからなる薄膜を形成した。成膜前後でのPL強度比の比較を行ったところ、同一投入パワー(300W)において、電子サイクロトン共鳴スパッタ法でのPL強度比は、高周波マグネトロンスパッタ法でのPL強度比に比べ、約20倍もの値を示した。
電子サイクロトン共鳴スパッタ装置と高周波マグネトロンスパッタ装置を用い、ガラス基板上に厚さ150nmのITOからなる薄膜を形成した。同一投入パワー(300W)において、電子サイクロトン共鳴スパッタ法で得られた薄膜の表面粗さRaは、高周波マグネトロンスパッタ法で得られた薄膜のそれに比べて、約1/17の値を示した。
電子サイクロトン共鳴スパッタ装置と高周波マグネトロンスパッタ装置を用い、ガラス基板上に厚さ150nmのITOからなる薄膜を形成した。同一投入パワー(300W)において、電子サイクロトン共鳴スパッタ法で得られた薄膜の比抵抗値は、高周波マグネトロンスパッタ法で得られた薄膜のそれに比べて、約1/3の値を示した。なお、比抵抗値の測定は、四端子法で行った。
電子サイクロトン共鳴スパッタ装置を用い、ガラス基板上に厚さ150nmのITOからなる薄膜を形成した。得られた薄膜の光線透過率は90%以上の値を示した。
Claims (3)
- 基板上に、少なくとも基板表面上の低屈折率膜、基板上のパッシベーション膜、前記パッシベーション膜上の下部電極、前記下部電極上の有機薄膜、前記有機薄膜上の上部透明電極を設けた有機電界発光素子を製造する方法において、
前記有機薄膜を凸版オフセット印刷法により形成し、
前記低屈折率膜、前記下部電極および前記上部透明電極を電子サイクロトン共鳴スパッタ法によって形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記基板が透明基板であり、前記下部電極が透明電極であることを特徴とする請求項1記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記電子サイクロトン共鳴スパッタ法は、酸化インジウムを主成分とする透明導電性酸化物焼結体をターゲットとして透明電極を成膜するものであることを特徴とする請求項1または2記載の有機電界発光素子の製造方法。
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