JP2002353568A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板結晶上に光を発生する活性層と前記活性層から発生した光からレーザ光を得る共振器構造をする半導体レーザであって、前記活性層の上下側に配置された電極の1つと前記活性層との間に再成長工程よって形成され少なくとも１つの再成長界面にデルタドーピングが行なわれた層をもつことを特徴とする半導体レーザ。
2. 基板結晶上に光を発生する活性層と前記活性層から発生した光からレーザ光を得る共振器構造をする半導体レーザであって
   基板結晶上に形成された下側の多層膜反射鏡と、
   前記下側の多層膜反射鏡上に形成された第１のスペーサ層と、前記第１のスペーサ層上に形成され光を発生する活性層と、
   前記活性層上に形成された第２スペーサ層と、
   前記第２スペーサ層上に形成され、前記活性層で発生する光からレーザビームを通過させる穴を持つ電流狭窄層と、
   前記電流狭窄層上に形成された電流導入層と、
   前記電流導入層及び前記穴にまたがる前記第２スペーサ層上に形成された第３スペーサ層と、及び第３スペーサ層上に形成された下側の多層膜反射鏡を有し、
   前記第３スペーサ層が再成長層であり、ドーパンとがドープされたデルタドープ薄膜が前記第２スペーサ層と第３スペーサ層又はとの間に形成された再成長界面又は前記再成長界面の直近に形成されたことを特徴とする面発光半導体レーザ。
3. 請求項２記載の面発光半導体レーザであって、上記再成長界面が上記面発光レーザ内の光定在波の節の位置から1/8波長より近い位置に形成されたことを特徴とする請求項２記載の面発光半導体レーザ。
4. 上記ドーパントがカーボンであることを特徴とする請求項２又は３記載の面発光半導体レーザ。
5. 前記基板結晶がGaAs、活性層がGaInNAs/GaAs又はGaInAs/GaAs歪量子井戸層、前記上側及び下側の多層膜反射鏡がGaAs/AlAs又はGaAs/AlInP半導体多層膜、前記再成長層が上記活性層上に形成されたGaAsスペーサ層上に形成されたGaAsスペーサ層であることを特徴とする請求項２、４又は記載の面発光半導体レーザ。
6. 請求項２又は３記載の半導体レーザを光源として含むことを特徴とする光モジュール。
7. 請求項２又は３記載の半導体レーザを使用する光通信システム。
8. 請求項６記載の光モジュールを使用する光通信システム。
9. 基板結晶上に形成された下側の多層膜反射鏡と、前記下側の多層膜反射鏡上に形成された下側スペーサ層と、前記下側スペーサ層上に形成され光をすると、
   前記活性層上に形成された第２スペーサ層と、前記活性層で発生した光からレーザビーム通過させる穴をそれぞれ持つ電流狭窄層及び電流導入層と、前記第２スペーサ層上に形成された上側の多層膜反射鏡ともつ共振器構造をもち、前記基板結晶と垂直に光を発生する面発光半導体レーザの製造方法であって、
   前記基板結晶上に前記下側の多層膜反射鏡、下側スペーサ層、前記活性層、前記第２スペーサ層、電流狭窄層及び電流導入層を順次形成する第一工程と、
   第一工程で形成された電流狭窄層と電流導入層に前記活性層で発生した光からレーザビームを取り出す穴を得るためエッチングする第二工程と
   前記第２スペーサ層表面にデルタドープを行う第三工程、及び
   前期電流狭窄層及び前記第２スペーサ層の穴の上に上側スペーサ層を作るために第三のスペーサ層を成長する第四工程をもつ面発光半導体レーザの製造方法。