JP2002350611A - 高反射性銀鏡及び反射型光学部品 - Google Patents
高反射性銀鏡及び反射型光学部品Info
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- JP2002350611A JP2002350611A JP2001156613A JP2001156613A JP2002350611A JP 2002350611 A JP2002350611 A JP 2002350611A JP 2001156613 A JP2001156613 A JP 2001156613A JP 2001156613 A JP2001156613 A JP 2001156613A JP 2002350611 A JP2002350611 A JP 2002350611A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ゴーストやフレア等に起因する画質の低下を
防いで高い反射率を示す高反射性銀鏡を提供すること。 【構成】 基材２１上に少なくとも銀２３から成る高反
射膜を成膜して構成された高反射性銀鏡において、少な
くとも反射に用いられる光学有効面には直接又は光学有
効面外の一部或は全面に予め遮光性物質から成る遮光膜
（黒色エポキシ樹脂２２）を形成し、該遮光膜上に前記
高反射膜を湿式成膜法によって形成する。
防いで高い反射率を示す高反射性銀鏡を提供すること。 【構成】 基材２１上に少なくとも銀２３から成る高反
射膜を成膜して構成された高反射性銀鏡において、少な
くとも反射に用いられる光学有効面には直接又は光学有
効面外の一部或は全面に予め遮光性物質から成る遮光膜
（黒色エポキシ樹脂２２）を形成し、該遮光膜上に前記
高反射膜を湿式成膜法によって形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明基材を用いた
高反射性銀鏡及び該銀鏡を用いた反射鏡、プリズム、レ
ンズ等の反射型光学部品に関する。
高反射性銀鏡及び該銀鏡を用いた反射鏡、プリズム、レ
ンズ等の反射型光学部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ミラー等の反射面に形成される反
射層としては、アルミニウム、銀等の高い反射率を有す
る金属薄膜層が用いられる。特に、銀は可視域において
極めて高い反射率を示すことから多用されている。
射層としては、アルミニウム、銀等の高い反射率を有す
る金属薄膜層が用いられる。特に、銀は可視域において
極めて高い反射率を示すことから多用されている。
【０００３】従来、アルミニウムや銀等の金属薄膜層を
形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法等が一般的に用いられてい
る。又、特に銀の成膜法としては、銀鏡反応に代表され
る湿式成膜法が用いられることもある。
形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法等が一般的に用いられてい
る。又、特に銀の成膜法としては、銀鏡反応に代表され
る湿式成膜法が用いられることもある。
【０００４】更に、銀鏡に用いられる金属薄膜は金属の
単層で用いられたり、金属薄膜の酸化を防止する酸化防
止層や金属薄膜の反射特性を向上させるための増反射膜
等と積層されて使用される場合もある。
単層で用いられたり、金属薄膜の酸化を防止する酸化防
止層や金属薄膜の反射特性を向上させるための増反射膜
等と積層されて使用される場合もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高反射性銀鏡には以下のような問題があった。
高反射性銀鏡には以下のような問題があった。
【０００６】即ち、従来より銀鏡に使用される金属薄膜
層による反射膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等の真空乾式成膜法を用いて成膜
されるのが一般的である。そのため、複雑な形状への対
応が困難であったり、又、可能であったとしても、成膜
に必要な設備や工程が複雑化し、それに伴って成膜コス
トの上昇を余儀なくされるという課題があった。
層による反射膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等の真空乾式成膜法を用いて成膜
されるのが一般的である。そのため、複雑な形状への対
応が困難であったり、又、可能であったとしても、成膜
に必要な設備や工程が複雑化し、それに伴って成膜コス
トの上昇を余儀なくされるという課題があった。
【０００７】又、成膜のコストダウンを目的として、銀
鏡反応や自己触媒型無電解メッキ等の湿式成膜法の検討
も行われているが、この湿式成膜法は浸漬面が全面成膜
されてしまうため、反射型光学素子の周辺部、縁、稜部
等、乱反射や散乱による迷光（結像に関与する光束以外
の光）を生じ易い。この迷光は、画像のゴーストやフレ
アーを起こすため、画質低下の原因の１つになるという
問題があった。
鏡反応や自己触媒型無電解メッキ等の湿式成膜法の検討
も行われているが、この湿式成膜法は浸漬面が全面成膜
されてしまうため、反射型光学素子の周辺部、縁、稜部
等、乱反射や散乱による迷光（結像に関与する光束以外
の光）を生じ易い。この迷光は、画像のゴーストやフレ
アーを起こすため、画質低下の原因の１つになるという
問題があった。
【０００８】更に、この迷光による光学性能への悪影響
を回避するため、反射型光学素子の周辺部や縁、稜部等
の荒ずり面に、墨やガラス用の黒色塗料等の迷光を吸収
して内面反射を防止するための黒い塗料を塗布すること
も良く行われているが、湿式成膜法においては銀層が反
射型光学素子の周辺部や縁、稜部等の荒ずり面に成膜さ
れてしまうために不可能となってしまう。
を回避するため、反射型光学素子の周辺部や縁、稜部等
の荒ずり面に、墨やガラス用の黒色塗料等の迷光を吸収
して内面反射を防止するための黒い塗料を塗布すること
も良く行われているが、湿式成膜法においては銀層が反
射型光学素子の周辺部や縁、稜部等の荒ずり面に成膜さ
れてしまうために不可能となってしまう。
【０００９】反射型光学素子の縁端面に黒の塗料や墨を
塗る方法として一般的に行われているのは、筆、刷毛等
により作業者が手作業で行う方法である。
塗る方法として一般的に行われているのは、筆、刷毛等
により作業者が手作業で行う方法である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、筆、刷
毛等による塗装方法の場合、手作業のために塗装に時間
が掛かるとともに、はみ出し、塗りむら等による不良が
発生し易いため、作業には熟練を要するという問題があ
った。
毛等による塗装方法の場合、手作業のために塗装に時間
が掛かるとともに、はみ出し、塗りむら等による不良が
発生し易いため、作業には熟練を要するという問題があ
った。
【００１１】又、ゴーストやフレアーを無くすために反
射膜をレジスト等を用いて選択的に成膜する方法等もあ
るが、設備や工程が複雑化し、それに伴って成膜コスト
の上昇を余儀なくされる。逆に設備や工程を簡素化する
ためにテープによるマスキング手法も用いられるが、複
雑な形状への対応が困難となってしまうという問題があ
った。
射膜をレジスト等を用いて選択的に成膜する方法等もあ
るが、設備や工程が複雑化し、それに伴って成膜コスト
の上昇を余儀なくされる。逆に設備や工程を簡素化する
ためにテープによるマスキング手法も用いられるが、複
雑な形状への対応が困難となってしまうという問題があ
った。
【００１２】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、ゴーストやフレア等に起因す
る画質の低下を防いで高い反射率を示す高反射性銀鏡及
び反射型光学部を提供することにある。
で、その目的とする処は、ゴーストやフレア等に起因す
る画質の低下を防いで高い反射率を示す高反射性銀鏡及
び反射型光学部を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、基材上に少なくとも銀から
成る高反射膜を成膜して構成された高反射性銀鏡におい
て、少なくとも反射に用いられる光学有効面には直接又
は光学有効面外の一部或は全面に予め遮光性物質から成
る遮光膜を形成し、該遮光膜上に前記高反射膜を湿式成
膜法によって形成したことを特徴とする。
め、請求項１記載の発明は、基材上に少なくとも銀から
成る高反射膜を成膜して構成された高反射性銀鏡におい
て、少なくとも反射に用いられる光学有効面には直接又
は光学有効面外の一部或は全面に予め遮光性物質から成
る遮光膜を形成し、該遮光膜上に前記高反射膜を湿式成
膜法によって形成したことを特徴とする。
【００１４】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記遮光膜をスプレー塗布法によって形成
することを特徴とする。
明において、前記遮光膜をスプレー塗布法によって形成
することを特徴とする。
【００１５】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記湿式成膜法が自己触媒型の無電解メッ
キであることを特徴とする。
明において、前記湿式成膜法が自己触媒型の無電解メッ
キであることを特徴とする。
【００１６】請求項４記載の発明は、請求項１記載の発
明において、少なくとも反射に用いられる光学有効面
に、基材と銀膜の間に少なくとも基材側から高屈折薄
膜、低屈折薄膜の順に積層された中間層を有することを
特徴とする。
明において、少なくとも反射に用いられる光学有効面
に、基材と銀膜の間に少なくとも基材側から高屈折薄
膜、低屈折薄膜の順に積層された中間層を有することを
特徴とする。
【００１７】請求項５記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記銀薄膜の裏面の反射率（Ｒ％）が８
９．０％＜Ｒ＜９９．５％（４３０ｎｍ〜７００ｎｍ）
の範囲にあり、且つ、前記銀薄膜の膜厚（ｄ）が０．１
μｍ＜ｄ＜１μｍの範囲にあることを特徴とする。
明において、前記銀薄膜の裏面の反射率（Ｒ％）が８
９．０％＜Ｒ＜９９．５％（４３０ｎｍ〜７００ｎｍ）
の範囲にあり、且つ、前記銀薄膜の膜厚（ｄ）が０．１
μｍ＜ｄ＜１μｍの範囲にあることを特徴とする。
【００１８】請求項６記載の発明は、請求項１〜５の何
れかに記載の高反射性銀鏡を含んで反射型光学部品を構
成したことを特徴とする。
れかに記載の高反射性銀鏡を含んで反射型光学部品を構
成したことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【００２０】透明基材上において、少なくとも銀層から
成る高反射膜を成膜して形成される高反射性銀鏡におい
て、銀層から成る高反射膜が反射に用いられる光学有効
面には光学有効面外の透明基材上に直接積層された遮光
性物質から成る遮光膜上に湿式成膜法により成膜するこ
とにより達成される。
成る高反射膜を成膜して形成される高反射性銀鏡におい
て、銀層から成る高反射膜が反射に用いられる光学有効
面には光学有効面外の透明基材上に直接積層された遮光
性物質から成る遮光膜上に湿式成膜法により成膜するこ
とにより達成される。
【００２１】本発明によれば、反射型光学部品の周辺
部、縁、稜部等に銀膜を成膜する前に遮光膜を成膜して
おくことにより反射型光学部品の周辺部、縁、稜部等に
銀膜が直接成膜されないで済む。その結果、光学有効面
外に銀層が直接成膜されるため、強く起こるゴーストや
フレアを抑えることが可能となる。
部、縁、稜部等に銀膜を成膜する前に遮光膜を成膜して
おくことにより反射型光学部品の周辺部、縁、稜部等に
銀膜が直接成膜されないで済む。その結果、光学有効面
外に銀層が直接成膜されるため、強く起こるゴーストや
フレアを抑えることが可能となる。
【００２２】又、上記遮光膜をスプレー塗布法で成膜す
ることにより作業時間が短縮されるとともに、はみ出
し、塗りむら等の不良発生が防がれる。スプレー塗布法
では、均一膜厚の塗布が複雑な形状の塗布面にも適用可
能であるためである。
ることにより作業時間が短縮されるとともに、はみ出
し、塗りむら等の不良発生が防がれる。スプレー塗布法
では、均一膜厚の塗布が複雑な形状の塗布面にも適用可
能であるためである。
【００２３】本発明において主に用いた自己触媒型無電
解メッキ法は、光学基材上で銀析出反応を起こすことが
可能であり、更にメッキ浴の組成によりその反応速度の
制御も可能であり、メッキ浴の無駄が生じることがな
く、又、形成する銀層の膜厚も極めて均一となり、結果
として反射特性の分布が均一な銀層が得られる。
解メッキ法は、光学基材上で銀析出反応を起こすことが
可能であり、更にメッキ浴の組成によりその反応速度の
制御も可能であり、メッキ浴の無駄が生じることがな
く、又、形成する銀層の膜厚も極めて均一となり、結果
として反射特性の分布が均一な銀層が得られる。
【００２４】一般的に自己触媒型の無電解メッキ法は、
基材上にメッキ浴の金属析出反応を進行させるための触
媒性金属又は触媒性金属イオンを付与した後、触媒が付
与された基材をメッキ浴に浸潰することにより、基材上
で金属析出反応が起こり、メッキが施される。
基材上にメッキ浴の金属析出反応を進行させるための触
媒性金属又は触媒性金属イオンを付与した後、触媒が付
与された基材をメッキ浴に浸潰することにより、基材上
で金属析出反応が起こり、メッキが施される。
【００２５】基材上でのメッキ浴の金属析出反応を進行
させるための触媒性金属又は触媒性金属イオンとして
は、銀無電解メッキ浴の銀析出反応を進行させることが
できるものであれば特に制約はないが、金、銀、銅、パ
ラジウム、コバルト、スズ、ニッケル等の金属又はそれ
らの金属イオン或はそれらの金属及び金属イオンを含む
コロイド等を用いることができる。
させるための触媒性金属又は触媒性金属イオンとして
は、銀無電解メッキ浴の銀析出反応を進行させることが
できるものであれば特に制約はないが、金、銀、銅、パ
ラジウム、コバルト、スズ、ニッケル等の金属又はそれ
らの金属イオン或はそれらの金属及び金属イオンを含む
コロイド等を用いることができる。
【００２６】又、前記触媒性金属又は触媒性金属イオン
を均一に付与するために、光学素子基材表面に前処理を
施しても良い。光学素子基材表面の前処理方法として
は、酸・アルカリエッチング、ＵＶ−Ｏ3 処理、コロナ
放電処理、エキシマ照射処理等の基材の表面エネルギー
を低下させるための各種処理、界面活性剤に代表される
極性基を有する物質による基材表面の親水化処理、又は
前記各種処理の併用により光学素子を触媒性金属及び触
媒性金属イオンを均一に付与することができる。
を均一に付与するために、光学素子基材表面に前処理を
施しても良い。光学素子基材表面の前処理方法として
は、酸・アルカリエッチング、ＵＶ−Ｏ3 処理、コロナ
放電処理、エキシマ照射処理等の基材の表面エネルギー
を低下させるための各種処理、界面活性剤に代表される
極性基を有する物質による基材表面の親水化処理、又は
前記各種処理の併用により光学素子を触媒性金属及び触
媒性金属イオンを均一に付与することができる。
【００２７】又、前記触媒性金属イオンは光学基材上へ
の吸着力が低く、メッキ浴中に落下し、メッキ浴の分解
を促進してしまう場合がある。そのような現象が起こる
場合は、前記触媒性金属イオンを還元して触媒性金属と
して基材上に固定化することが好ましい。その際に用い
る還元剤には特に制約はない。
の吸着力が低く、メッキ浴中に落下し、メッキ浴の分解
を促進してしまう場合がある。そのような現象が起こる
場合は、前記触媒性金属イオンを還元して触媒性金属と
して基材上に固定化することが好ましい。その際に用い
る還元剤には特に制約はない。
【００２８】更に、無電解メッキ浴は、銀の可溶性イオ
ン及び銀イオンを還元し、光学素子基材上に析出するた
めの還元剤及び銀イオンとキレートを形成し、メッキ浴
の安定化を図るためのキレート剤及び還元剤の酸化反応
による水素イオンの増大に伴うメッキ反応の駆動力の低
下を防ぐためのｐＨ調整剤によって構成される。
ン及び銀イオンを還元し、光学素子基材上に析出するた
めの還元剤及び銀イオンとキレートを形成し、メッキ浴
の安定化を図るためのキレート剤及び還元剤の酸化反応
による水素イオンの増大に伴うメッキ反応の駆動力の低
下を防ぐためのｐＨ調整剤によって構成される。
【００２９】ここで、還元剤としてはメッキ浴中に溶解
する銀イオンを還元することができる物質であれば特に
制約はないが、ホルムアルデヒド、ロッシェル塩、ヒド
ラジン、ヒドラジンボラン等が用いられるのが一般的で
ある。又、ＨＵ２０１３６０Ｂ公報に記載のように硫酸
コバルトを用いることもできる。
する銀イオンを還元することができる物質であれば特に
制約はないが、ホルムアルデヒド、ロッシェル塩、ヒド
ラジン、ヒドラジンボラン等が用いられるのが一般的で
ある。又、ＨＵ２０１３６０Ｂ公報に記載のように硫酸
コバルトを用いることもできる。
【００３０】又、キレート剤としてはメッキ浴中に溶解
する銀イオンとキレートを生成し、メッキ浴中での銀の
析出反応を抑制し、且つ、基材上に付与された触媒によ
り容易に銀を基材上に析出できれば特に制約はないが、
シアン等を用いることができる。
する銀イオンとキレートを生成し、メッキ浴中での銀の
析出反応を抑制し、且つ、基材上に付与された触媒によ
り容易に銀を基材上に析出できれば特に制約はないが、
シアン等を用いることができる。
【００３１】しかしながら、シアンは大変危険な物質で
あるために工業用としては好ましくない。そこで、ＨＵ
２０１３６０Ｂ公報に記載のようにアンモニヤをキレー
ト剤として用いたり、アンモニア誘導体をキレート剤と
して用いることもできる。
あるために工業用としては好ましくない。そこで、ＨＵ
２０１３６０Ｂ公報に記載のようにアンモニヤをキレー
ト剤として用いたり、アンモニア誘導体をキレート剤と
して用いることもできる。
【００３２】又、前記湿式成膜法により形成された銀鏡
の裏面の反射率はより良い光学特性を得るために、 ８９．０％〜９９．５％（４３０ｎｍ〜９００ｎｍ） の範囲にあることが好ましく、更に反射率を最適に保
ち、成膜時のクラツク発生を抑制するために、上記銀薄
膜の膜厚は ０．１μｍ〜１μｍ の範囲内にあることが好ましい。
の裏面の反射率はより良い光学特性を得るために、 ８９．０％〜９９．５％（４３０ｎｍ〜９００ｎｍ） の範囲にあることが好ましく、更に反射率を最適に保
ち、成膜時のクラツク発生を抑制するために、上記銀薄
膜の膜厚は ０．１μｍ〜１μｍ の範囲内にあることが好ましい。
【００３３】［実施例］以下に本発明の実施例について
説明する。
説明する。
【００３４】＜実施例１＞本実施例の光学素子断面によ
る層構成模式図を図２に示す。
る層構成模式図を図２に示す。
【００３５】非晶質ポリオレフィン樹脂で成形されたof
f-Axial 光学素子基材（図１）２１の反射に用いられる
光学有効面外に２液性の黒色エポキシ樹脂２２をはけに
より塗装したものを実施例（図２（ａ）：断面模式図）
として、塗装しないものを比較例（図２（ｂ）：断面模
式図）として挙げる。
f-Axial 光学素子基材（図１）２１の反射に用いられる
光学有効面外に２液性の黒色エポキシ樹脂２２をはけに
より塗装したものを実施例（図２（ａ）：断面模式図）
として、塗装しないものを比較例（図２（ｂ）：断面模
式図）として挙げる。
【００３６】上記２種の基材上の光人出射部にテープに
よりマスキングを行い、銀鏡反応により銀層２３（１５
０ｎｍ）のコーティングを行い、高反射性銀鏡の作製を
試みた。銀鏡反応は表１の組成で浸積法を用いてコーテ
ィングした。ここでの浸積法は表１の銀液に先ず基材を
浸積させ、還元剤を滴下していく手法である。
よりマスキングを行い、銀鏡反応により銀層２３（１５
０ｎｍ）のコーティングを行い、高反射性銀鏡の作製を
試みた。銀鏡反応は表１の組成で浸積法を用いてコーテ
ィングした。ここでの浸積法は表１の銀液に先ず基材を
浸積させ、還元剤を滴下していく手法である。
【００３７】比較例により得られた高反射性の銀鏡を成
膜した光学素子はフレアが生じたが、実施例では高反射
性銀鏡を成膜したゴーストやフレアが生じない光学素子
を得ることができた。
膜した光学素子はフレアが生じたが、実施例では高反射
性銀鏡を成膜したゴーストやフレアが生じない光学素子
を得ることができた。
【００３８】 ＜実施例２＞前記実施例１と同様の成形基材上に二液性
の黒色エポキシ樹脂をスプレー塗布により成膜した。エ
ポキシ樹脂を成膜した基材へ実施例１と同様の方法で銀
鏡反応により銀層（１５０ｎｍ）のコーティングを行
い、高反射性銀鏡を成膜したゴーストやフレアの無い光
学素子を得た。
の黒色エポキシ樹脂をスプレー塗布により成膜した。エ
ポキシ樹脂を成膜した基材へ実施例１と同様の方法で銀
鏡反応により銀層（１５０ｎｍ）のコーティングを行
い、高反射性銀鏡を成膜したゴーストやフレアの無い光
学素子を得た。
【００３９】＜実施例３＞前記実施例１と同様の基材を
実施例２と同様の方法で黒色エポキシ樹脂をスプレー塗
布により成膜された基材に、無電解メッキ法により銀層
（１５０ｎｍ）のコーティングを行い、高反射性銀鏡の
作製を試みた。
実施例２と同様の方法で黒色エポキシ樹脂をスプレー塗
布により成膜された基材に、無電解メッキ法により銀層
（１５０ｎｍ）のコーティングを行い、高反射性銀鏡の
作製を試みた。
【００４０】無電解メッキ法により銀層を積層するに当
たっては図３に示す工程に従って行った。図３について
詳細な説明をする。
たっては図３に示す工程に従って行った。図３について
詳細な説明をする。
【００４１】前記黒色エポキシ樹脂を成膜した基材の銀
を成膜しない光入出射箇所にマスキング３ａを行った
後、春日電機社製コロナ放電処理３ｂを用いて表面処理
した。その後、界面活性剤（プリディップネオガント
Ｂ、アトテック ジャパン社製）３ｃを２０ｍｌ／ｌ水
溶液中に１分間浸漬し、Ｐｄ触媒付与３ｄを行うために
アンチベーターネオガント ８３４（アトテック ジャ
パン社製）５０ｍｌ／ｌ水溶液３５度中に５分間浸漬し
た。処理後、２分間水洗を行って還元３ｅを行う。この
際、還元剤としてはリデゥーサーネオガント（アトテッ
ク ジャパン社製）５ｍｌ／ｌ水溶液中に５分間浸漬し
た。再度水洗を２分間行った後、表２の組成を有する無
電解銀メッキ浴に１５分間浸漬し、無電解銀メッキ３ｆ
を行い、３ａで行ったマスキングを除去し、高反射性銀
鏡を成膜したゴースト及びフレアの無い光学素子を得
た。
を成膜しない光入出射箇所にマスキング３ａを行った
後、春日電機社製コロナ放電処理３ｂを用いて表面処理
した。その後、界面活性剤（プリディップネオガント
Ｂ、アトテック ジャパン社製）３ｃを２０ｍｌ／ｌ水
溶液中に１分間浸漬し、Ｐｄ触媒付与３ｄを行うために
アンチベーターネオガント ８３４（アトテック ジャ
パン社製）５０ｍｌ／ｌ水溶液３５度中に５分間浸漬し
た。処理後、２分間水洗を行って還元３ｅを行う。この
際、還元剤としてはリデゥーサーネオガント（アトテッ
ク ジャパン社製）５ｍｌ／ｌ水溶液中に５分間浸漬し
た。再度水洗を２分間行った後、表２の組成を有する無
電解銀メッキ浴に１５分間浸漬し、無電解銀メッキ３ｆ
を行い、３ａで行ったマスキングを除去し、高反射性銀
鏡を成膜したゴースト及びフレアの無い光学素子を得
た。
【００４２】 ＜実施例４＞本実施例の光学素子断面による層構成模式
図を図４に示す。
図を図４に示す。
【００４３】前記実施例１と同様の基材４１上二液性の
黒色エポキシ樹脂４２をスプレー塗布により成膜した。
エポキシ樹脂を成膜した基材へ蒸着によりＴｉＯ2 層４
３（１００ｎｍ）の成膜を行った。T102を成膜した基材
４３上にディツピング法により非晶性フツ素樹脂４４
（１００ｎｍ）を成膜した。このときのコート溶液とし
ては１％−CYTOP CTL801M 溶液（溶媒CT-Solv.180 ／旭
硝子製）を用い、基材の引き上げ速度は８０ｍｍ／ｍｉ
ｎで引き上げた。更に、非晶性フッ素樹脂をコートした
基材を１００℃で３０ｍｉｎ焼成を行った。前記非晶性
フッ素樹脂をコートした基材を前記実施例３と同様の方
法で無電解メッキ法により銀層４５（１５０ｎｍ）のコ
ーティングを行い、高反射性銀鏡を成膜したゴースト及
びフレアの無い光学素子を得た。
黒色エポキシ樹脂４２をスプレー塗布により成膜した。
エポキシ樹脂を成膜した基材へ蒸着によりＴｉＯ2 層４
３（１００ｎｍ）の成膜を行った。T102を成膜した基材
４３上にディツピング法により非晶性フツ素樹脂４４
（１００ｎｍ）を成膜した。このときのコート溶液とし
ては１％−CYTOP CTL801M 溶液（溶媒CT-Solv.180 ／旭
硝子製）を用い、基材の引き上げ速度は８０ｍｍ／ｍｉ
ｎで引き上げた。更に、非晶性フッ素樹脂をコートした
基材を１００℃で３０ｍｉｎ焼成を行った。前記非晶性
フッ素樹脂をコートした基材を前記実施例３と同様の方
法で無電解メッキ法により銀層４５（１５０ｎｍ）のコ
ーティングを行い、高反射性銀鏡を成膜したゴースト及
びフレアの無い光学素子を得た。
【００４４】＜実施例５＞本実施例の光学素子の光学有
効面断面による層構成模式図を図５に示す。
効面断面による層構成模式図を図５に示す。
【００４５】前記実施例１と同様の基材５１上に二色性
の黒色エポキシ樹脂５２をスプレー塗布により成膜し
た。エポキシ樹脂を成膜した基材上に前記実施例３と同
様に無電解銀メッキ法によりＡｇ膜５３（ａ：３０ｎ
ｍ、ｂ：１５０ｎｍ、ｃ：１１００ｎｍ）を形成し、本
実施例の銀鏡５ａ，５ｂ，５ｃを得た。
の黒色エポキシ樹脂５２をスプレー塗布により成膜し
た。エポキシ樹脂を成膜した基材上に前記実施例３と同
様に無電解銀メッキ法によりＡｇ膜５３（ａ：３０ｎ
ｍ、ｂ：１５０ｎｍ、ｃ：１１００ｎｍ）を形成し、本
実施例の銀鏡５ａ，５ｂ，５ｃを得た。
【００４６】本実施例により作製した銀鏡５ａ，５ｂ，
５ｃに対する反射率及び膜形態結果を表３に示す。
５ｃに対する反射率及び膜形態結果を表３に示す。
【００４７】反射率において膜厚の薄い５ａにおいては
請求する反射率を持った光学素子が得られなかったが、
膜厚の厚い５ｂ，５ｃにおいては所望の反射率を持つ光
学素子が得られた。又、逆に膜形態において膜厚の厚い
５ｃにおいては膜にクラックの発生が見られたが、膜厚
が薄い状態の５ａ，５ｂは均一な銀膜が形成された。
請求する反射率を持った光学素子が得られなかったが、
膜厚の厚い５ｂ，５ｃにおいては所望の反射率を持つ光
学素子が得られた。又、逆に膜形態において膜厚の厚い
５ｃにおいては膜にクラックの発生が見られたが、膜厚
が薄い状態の５ａ，５ｂは均一な銀膜が形成された。
【００４８】 反射率：日立分光光度計５°入射で測定 反射率請求項内○、請求項外× 膜形態：実体顕微鏡による確認 クラック発生無し○、クラック発生有り×
【００４９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、基材上に少なくとも銀から成る高反射膜を成膜
して構成された高反射性銀鏡において、少なくとも反射
に用いられる光学有効面には直接又は光学有効面外の一
部或は全面に予め遮光性物質から成る遮光膜を形成し、
該遮光膜上に前記高反射膜を湿式成膜法によって形成す
るようにしたため、ゴーストやフレア等に起因する画質
の低下を防いで高い反射率を示す高反射性銀鏡及び反射
型光学部を得ることができる。
よれば、基材上に少なくとも銀から成る高反射膜を成膜
して構成された高反射性銀鏡において、少なくとも反射
に用いられる光学有効面には直接又は光学有効面外の一
部或は全面に予め遮光性物質から成る遮光膜を形成し、
該遮光膜上に前記高反射膜を湿式成膜法によって形成す
るようにしたため、ゴーストやフレア等に起因する画質
の低下を防いで高い反射率を示す高反射性銀鏡及び反射
型光学部を得ることができる。
【図１】光学素子基材の構成図である。
【図２】光学素子の層構成を示す模式的断面図である。
【図３】無電解銀メッキ工程を示す図である。
【図４】本発明の実施例４に係る光学素子の層構成を示
す模式断面図である。
す模式断面図である。
【図５】本発明の実施例５に係る光学素子反射有効面の
層構成を示す模式的断面図である。
層構成を示す模式的断面図である。
２１，４１，５１ 基材 ２２，４２ 黒色エポキシ樹脂 ２３，４５，５３ 銀 ４３ ＴｉＯ2 ４４ 非晶性フッ素樹脂
Claims (6)
- 【請求項１】 基材上に少なくとも銀から成る高反射膜
を成膜して構成された高反射性銀鏡において、 少なくとも反射に用いられる光学有効面には直接又は光
学有効面外の一部或は全面に予め遮光性物質から成る遮
光膜を形成し、該遮光膜上に前記高反射膜を湿式成膜法
によって形成したことを特徴とする高反射性銀鏡。 - 【請求項２】 前記遮光膜をスプレー塗布法によって形
成することを特徴とする請求項１記載の高反射性銀鏡。 - 【請求項３】 前記湿式成膜法が自己触媒型の無電解メ
ッキであることを特徴とする請求項１記載の高反射性銀
鏡。 - 【請求項４】 少なくとも反射に用いられる光学有効面
に、基材と銀膜の間に少なくとも基材側から高屈折薄
膜、低屈折薄膜の順に積層された中間層を有することを
特徴とする請求項１に記載の高反射性銀鏡。 - 【請求項５】 前記銀薄膜の裏面の反射率（Ｒ％）が８
９．０％＜Ｒ＜９９．５％（４３０ｎｍ〜７００ｎｍ）
の範囲にあり、且つ、前記銀薄膜の膜厚（ｄ）が０．１
μｍ＜ｄ＜１μｍの範囲にあることを特徴とする請求項
１記載の高反射性銀鏡。 - 【請求項６】 請求項１〜５の何れかに記載の高反射性
銀鏡を含んで構成されることを特徴とする反射型光学部
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001156613A JP2002350611A (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 高反射性銀鏡及び反射型光学部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001156613A JP2002350611A (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 高反射性銀鏡及び反射型光学部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002350611A true JP2002350611A (ja) | 2002-12-04 |
Family
ID=19000605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001156613A Withdrawn JP2002350611A (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 高反射性銀鏡及び反射型光学部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002350611A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005331710A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 遮光性高反射積層シート及びそれを用いてなる熱成形体及び筐体 |
| JP2007199540A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Shimadzu Corp | 反射型レプリカ光学素子 |
| JP2012169556A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Fujifilm Corp | 遮光膜及びその製造方法、並びに固体撮像素子 |
| JP2018128538A (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | 株式会社デンソー | ヘッドアップディスプレイ装置 |
-
2001
- 2001-05-25 JP JP2001156613A patent/JP2002350611A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4541029B2 (ja) * | 2004-05-20 | 2010-09-08 | 出光興産株式会社 | 遮光性高反射積層シート及びそれを用いてなる熱成形体及び筐体 |
| KR101238484B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2013-03-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 차광성 고반사 적층 시트 및 이것을 사용한 열성형체 및 케이스 |
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