JP2002357709A - 高反射性銀鏡及び反射型光学部品 - Google Patents
高反射性銀鏡及び反射型光学部品Info
- Publication number
- JP2002357709A JP2002357709A JP2001166471A JP2001166471A JP2002357709A JP 2002357709 A JP2002357709 A JP 2002357709A JP 2001166471 A JP2001166471 A JP 2001166471A JP 2001166471 A JP2001166471 A JP 2001166471A JP 2002357709 A JP2002357709 A JP 2002357709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- film
- silver mirror
- thin film
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来よりも高い反射率を示す高反射性銀鏡及
びこれを用いた反射型光学部品を提供すること。 【構成】 透明基材（基材）１上に湿式成膜法により形
成された少なくとも１つの金属膜（銀層）２２を含む高
反射性銀鏡において、前記銀薄膜成膜時の浴の温度を２
０℃以上７５℃以下に設定する。
びこれを用いた反射型光学部品を提供すること。 【構成】 透明基材（基材）１上に湿式成膜法により形
成された少なくとも１つの金属膜（銀層）２２を含む高
反射性銀鏡において、前記銀薄膜成膜時の浴の温度を２
０℃以上７５℃以下に設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高反射性銀鏡及び
これを用いた反射型光学部品に関する。
これを用いた反射型光学部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ミラー等の反射面に形成される反
射層としては、アルミニウム、銀等の高い反射率を有す
る金属薄膜層が用いられる。特に、銀は可視域において
極めて高い反射率を示すことから多用されている。
射層としては、アルミニウム、銀等の高い反射率を有す
る金属薄膜層が用いられる。特に、銀は可視域において
極めて高い反射率を示すことから多用されている。
【０００３】又、従来より、アルミニウムや銀等の金属
薄膜層を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンプレーティング法等が用いることが一
般的である。
薄膜層を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンプレーティング法等が用いることが一
般的である。
【０００４】更に、特に銀の成膜法としては、銀鏡反応
に代表される湿式成脱法が用いられることもある。
に代表される湿式成脱法が用いられることもある。
【０００５】又、銀鏡に用いられる金属薄膜は金属の単
層で構成されたり、金属薄膜の酸化を防止する酸化防止
層や金属薄膜の反射特性を向上させるための増反射膜等
と積層されて使用される場合もある。
層で構成されたり、金属薄膜の酸化を防止する酸化防止
層や金属薄膜の反射特性を向上させるための増反射膜等
と積層されて使用される場合もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高反射性銀鏡には以下のような問題がある。
高反射性銀鏡には以下のような問題がある。
【０００７】従来より銀鏡に使用される金属薄膜層によ
る反射膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法等の真空乾式成膜法を用いて成膜される
のが一般的である。
る反射膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法等の真空乾式成膜法を用いて成膜される
のが一般的である。
【０００８】そのため、複雑な形状への対応が困難であ
ったり、可能であったとしても、成膜に必要な設備や工
程が複雑化し、それに伴って成膜コストの上昇を余儀な
くされるという課題があった。
ったり、可能であったとしても、成膜に必要な設備や工
程が複雑化し、それに伴って成膜コストの上昇を余儀な
くされるという課題があった。
【０００９】又、成膜のコストダウンを目的として、銀
鏡反応や自己触媒型無電解メッキ等の湿式成膜法も検討
されているが、反応の制御が困難であった。その結果、
均一な反射率を得たり、反射率を制御することが容易で
はなかった。特に、高い反射率を要求される反射型の光
学部品においては、上記のような反射率の制御が強く求
められている。
鏡反応や自己触媒型無電解メッキ等の湿式成膜法も検討
されているが、反応の制御が困難であった。その結果、
均一な反射率を得たり、反射率を制御することが容易で
はなかった。特に、高い反射率を要求される反射型の光
学部品においては、上記のような反射率の制御が強く求
められている。
【００１０】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、従来よりも高い反射率を示す
高反射性銀鏡及びこれを用いた反射型光学部品を提供す
ることにある。
で、その目的とする処は、従来よりも高い反射率を示す
高反射性銀鏡及びこれを用いた反射型光学部品を提供す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基材上に湿式成膜法により形成された少
なくとも１つの銀層を含む高反射性銀鏡において、前記
銀薄膜成膜時の浴の温度を２０℃以上７５℃以下に設定
したことを特徴とする。
め、本発明は、基材上に湿式成膜法により形成された少
なくとも１つの銀層を含む高反射性銀鏡において、前記
銀薄膜成膜時の浴の温度を２０℃以上７５℃以下に設定
したことを特徴とする。
【００１２】又、本発明は、上記高反射性銀鏡を用いて
反射型光学部品を構成したことを特徴とする。
反射型光学部品を構成したことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明では、基材上に湿式成膜法
を用いて成膜された少なくとも１つの銀薄膜を含む銀鏡
において、銀薄膜成膜時の浴の温度を２０℃以上７５℃
以下の温度で制御された状態で、自己触媒型無電解メッ
キ法で成膜を行うことにより結晶性の高い銀層で構成さ
れた高反射性銀鏡を得ることができる。
を用いて成膜された少なくとも１つの銀薄膜を含む銀鏡
において、銀薄膜成膜時の浴の温度を２０℃以上７５℃
以下の温度で制御された状態で、自己触媒型無電解メッ
キ法で成膜を行うことにより結晶性の高い銀層で構成さ
れた高反射性銀鏡を得ることができる。
【００１４】又、無電解銀メッキ浴の温度を２０℃以上
７５℃以下でメッキを行い、その範囲内でもメッキ浴が
より高温であることが望ましい。無電解メッキ浴が高温
であるほど無電解メッキの反応性が向上し、その結果と
して銀層の結晶性が高くなって反射率が向上するという
ことが発明者等の実験により明らかになった。
７５℃以下でメッキを行い、その範囲内でもメッキ浴が
より高温であることが望ましい。無電解メッキ浴が高温
であるほど無電解メッキの反応性が向上し、その結果と
して銀層の結晶性が高くなって反射率が向上するという
ことが発明者等の実験により明らかになった。
【００１５】更に、メッキ浴温度が７５℃以内でメッキ
を行うことによってメッキ浴の分解がなく、安定してメ
ッキを行うことができる。メッキ浴が７５℃以上である
とメッキ浴の反応性が向上し過ぎるために安定に存在で
きないためである。ここでの結晶性とは、図１に示すＸ
線結晶回折の測定における結晶面（１１１）の絶対強度
での比較であり、絶対強度の大きいものを結晶性が高い
と定義する。
を行うことによってメッキ浴の分解がなく、安定してメ
ッキを行うことができる。メッキ浴が７５℃以上である
とメッキ浴の反応性が向上し過ぎるために安定に存在で
きないためである。ここでの結晶性とは、図１に示すＸ
線結晶回折の測定における結晶面（１１１）の絶対強度
での比較であり、絶対強度の大きいものを結晶性が高い
と定義する。
【００１６】又、湿式成膜法により形成された銀鏡の表
面或は裏面の反射率は、より良い光学特性を得るため
に、 ９０％以上（４３０ｎｍ〜７００ｎｍ） にあることが好ましく、更には上記反射率が ８５．０％以上（４００ｎｍ〜７００ｎｍ） であることがより望ましい。
面或は裏面の反射率は、より良い光学特性を得るため
に、 ９０％以上（４３０ｎｍ〜７００ｎｍ） にあることが好ましく、更には上記反射率が ８５．０％以上（４００ｎｍ〜７００ｎｍ） であることがより望ましい。
【００１７】一般的に人間の目に観測される波長の範囲
は４３０ｎｍ〜７００ｎｍである。つまり、撮影系等の
光学部品に用いられる銀鏡の反射率が４３０ｎｍ〜７０
０ｎｍの可視域において９０．０％を下回らないこと
は、複数回の反射等に用いられる高反射性銀鏡としては
光量が多く得られるために望ましい。又、銀の特性上、
４００ｎｍ付近の可視域の短波長側は反射率が低下する
が、 可視域の短波長側を含む４００ｎｍ〜７００ｎｍの
範囲において８５．０％を下回らないことは前記理由と
同様に高反射性の銀鏡としてはより望ましい。
は４３０ｎｍ〜７００ｎｍである。つまり、撮影系等の
光学部品に用いられる銀鏡の反射率が４３０ｎｍ〜７０
０ｎｍの可視域において９０．０％を下回らないこと
は、複数回の反射等に用いられる高反射性銀鏡としては
光量が多く得られるために望ましい。又、銀の特性上、
４００ｎｍ付近の可視域の短波長側は反射率が低下する
が、 可視域の短波長側を含む４００ｎｍ〜７００ｎｍの
範囲において８５．０％を下回らないことは前記理由と
同様に高反射性の銀鏡としてはより望ましい。
【００１８】基材としては、光学素子として十分な剛性
と、裏面反射の場合、透明性を有していれば特に制約は
ないが、ガラス等の無機基材、アクリル、ポリカーボネ
ート、非晶質ポリオレフィン等のプラスチック基材を用
いることができる。
と、裏面反射の場合、透明性を有していれば特に制約は
ないが、ガラス等の無機基材、アクリル、ポリカーボネ
ート、非晶質ポリオレフィン等のプラスチック基材を用
いることができる。
【００１９】本発明において主に用いた自己触媒型無電
解メッキ法は、光学基材上で選択的に銀析出反応を起こ
すことが可能であり、更にメッキ浴の組成によりその反
応速度の制御も可能であり、メッキ浴の無駄が生じるこ
とがなく、又、形成する銀層の膜厚も極めて均一であ
り、結果として反射特性の分布が均一な銀層が得られる
という利点がある。
解メッキ法は、光学基材上で選択的に銀析出反応を起こ
すことが可能であり、更にメッキ浴の組成によりその反
応速度の制御も可能であり、メッキ浴の無駄が生じるこ
とがなく、又、形成する銀層の膜厚も極めて均一であ
り、結果として反射特性の分布が均一な銀層が得られる
という利点がある。
【００２０】一般的に自己触媒型の無電解メッキ法は、
基材上にメッキ浴の金属析出反応を進行させるための触
媒性金属又は触媒性金属イオンを付与した後、上記触媒
が付与された基材をメッキ浴に浸潰することにより、基
材上で金属析出反応が起こり、メッキが施される。
基材上にメッキ浴の金属析出反応を進行させるための触
媒性金属又は触媒性金属イオンを付与した後、上記触媒
が付与された基材をメッキ浴に浸潰することにより、基
材上で金属析出反応が起こり、メッキが施される。
【００２１】基材上でのメッキ浴の金属析出反応を進行
させるための触媒性金属又は触媒性金属イオンとして
は、銀無電解メッキ浴の銀析出反応を進行させることが
できるものであれば特に制約はないが、金、銀、銅、パ
ラジウム、コバルト、スズ、ニッケル等の金属又はそれ
らの金属イオン又はそれらの金属及び金属イオンを含む
コロイド等を用いることができる。
させるための触媒性金属又は触媒性金属イオンとして
は、銀無電解メッキ浴の銀析出反応を進行させることが
できるものであれば特に制約はないが、金、銀、銅、パ
ラジウム、コバルト、スズ、ニッケル等の金属又はそれ
らの金属イオン又はそれらの金属及び金属イオンを含む
コロイド等を用いることができる。
【００２２】又、前記触媒性金属又は触媒性金属イオン
を均一に付与するために、光学素子基材表面に前処理を
施しても良い。光学素子基材表面の前処理方法として
は、酸・アルカリエッチング、ＵＶ−Ｏ3 処理、コロナ
放電処理、エキシマ照射処理等の基材の表面エネルギー
を低下させるための各種処理、又、界面活性剤に代表さ
れる極性基を有する物質による基材表面の親水化処理又
は前記各種処理の併用により光学素子を触媒性金属及び
触媒性金属イオンを均一に付与することができる。
を均一に付与するために、光学素子基材表面に前処理を
施しても良い。光学素子基材表面の前処理方法として
は、酸・アルカリエッチング、ＵＶ−Ｏ3 処理、コロナ
放電処理、エキシマ照射処理等の基材の表面エネルギー
を低下させるための各種処理、又、界面活性剤に代表さ
れる極性基を有する物質による基材表面の親水化処理又
は前記各種処理の併用により光学素子を触媒性金属及び
触媒性金属イオンを均一に付与することができる。
【００２３】更に、前記触媒性金属イオンは光学基材上
への吸着力が低く、メッキ浴中に落下し、メッキ浴の分
解を促進してしまう場合がある。そのような現象が起こ
る場合は、前記触媒性金属イオンを還元して触媒性金属
として基材上に固定化することが好ましい。その際、用
いる還元剤には特に制約はない。
への吸着力が低く、メッキ浴中に落下し、メッキ浴の分
解を促進してしまう場合がある。そのような現象が起こ
る場合は、前記触媒性金属イオンを還元して触媒性金属
として基材上に固定化することが好ましい。その際、用
いる還元剤には特に制約はない。
【００２４】又、無電解メッキ浴は、銀の可溶性イオン
及び銀イオンを還元し、光学素子基材上に析出するため
の還元剤及び銀イオンとキレートを形成してメッキ浴の
安定化を図るためのキレート剤及び還元剤の酸化反応に
よる水素イオンの増大に伴うメッキ反応の駆動力の低下
を防ぐためのｐＨ調整剤によって構成される。
及び銀イオンを還元し、光学素子基材上に析出するため
の還元剤及び銀イオンとキレートを形成してメッキ浴の
安定化を図るためのキレート剤及び還元剤の酸化反応に
よる水素イオンの増大に伴うメッキ反応の駆動力の低下
を防ぐためのｐＨ調整剤によって構成される。
【００２５】ここで、還元剤としてはメッキ浴中に溶解
する銀イオンを還元することができる物質であれば特に
制約はないが、ホルムアルデヒド、ロッシェル塩、ヒド
ラジン、ヒドラジンボラン等が用いられるのが一般的で
ある。又、ＨＵ２０１３６０Ｂ公報に記載のように硫酸
コバルトを用いることもできる。
する銀イオンを還元することができる物質であれば特に
制約はないが、ホルムアルデヒド、ロッシェル塩、ヒド
ラジン、ヒドラジンボラン等が用いられるのが一般的で
ある。又、ＨＵ２０１３６０Ｂ公報に記載のように硫酸
コバルトを用いることもできる。
【００２６】又、キレート剤としてはメッキ浴中に溶解
する銀イオンとキレートを生成し、メッキ浴中での銀の
析出反応を抑制し、且つ、基材上に付与された触媒によ
り容易に銀を基材上に析出できれば特に制約はないが、
シアン等を用いることができる。
する銀イオンとキレートを生成し、メッキ浴中での銀の
析出反応を抑制し、且つ、基材上に付与された触媒によ
り容易に銀を基材上に析出できれば特に制約はないが、
シアン等を用いることができる。
【００２７】しかしながら、シアンは大変危険な物質で
あるために工業用としては好ましくない。そこで、ＨＵ
２０１３６０Ｂ公報に記載のように、アンモニヤをキレ
ート剤として用いたり、又はアンモニヤ誘導体をキレー
ト剤として用いることもできる。
あるために工業用としては好ましくない。そこで、ＨＵ
２０１３６０Ｂ公報に記載のように、アンモニヤをキレ
ート剤として用いたり、又はアンモニヤ誘導体をキレー
ト剤として用いることもできる。
【００２８】更に、反射率を最適に保ち、成膜時のクラ
ック発生を抑制するために、銀薄膜の膜厚は、 ０．１μｍ〜１μｍ の範囲内にあることが好ましい。
ック発生を抑制するために、銀薄膜の膜厚は、 ０．１μｍ〜１μｍ の範囲内にあることが好ましい。
【００２９】銀鏡の反射率を９０％以上にするために
は、無電解メッキにより形成される銀層の膜厚は０．１
μｍ以上であることが好ましい。銀膜の膜厚が０．１μ
ｍ以下になると、特に可視光域の低波長側において銀膜
中を光が透過して所望の反射率を得ることができない。
は、無電解メッキにより形成される銀層の膜厚は０．１
μｍ以上であることが好ましい。銀膜の膜厚が０．１μ
ｍ以下になると、特に可視光域の低波長側において銀膜
中を光が透過して所望の反射率を得ることができない。
【００３０】又、光学素子上に形成される銀膜の膜厚は
１．０μｍ以下であることが好ましい。本発明のような
高反射性の銀鏡は光学部品として凹凸面鏡等に用いられ
る。凹凸面鏡等の光学部品は曲率形状部を持つことが多
い。そのために無電解メッキ法により銀層を形成する
際、銀層の積層応力により曲率形状部周辺に銀層がクラ
ックを生じたりする。そのような現象は銀層の膜厚を
１．０μｍより薄くすることにより制御することが可能
となる。
１．０μｍ以下であることが好ましい。本発明のような
高反射性の銀鏡は光学部品として凹凸面鏡等に用いられ
る。凹凸面鏡等の光学部品は曲率形状部を持つことが多
い。そのために無電解メッキ法により銀層を形成する
際、銀層の積層応力により曲率形状部周辺に銀層がクラ
ックを生じたりする。そのような現象は銀層の膜厚を
１．０μｍより薄くすることにより制御することが可能
となる。
【００３１】［実施例］以下に本発明の実施例について
説明する。
説明する。
【００３２】＜実施例１＞本実施例の銀鏡の反射膜構成
を図２に示す。
を図２に示す。
【００３３】非晶質ポリオレフィン透明基材２１上に無
電解銀メッキ法によりＡｇ膜２２（１５０ｎｍ）を積層
するに当たって図３に示す工程に従って無電解メッキを
行った。図３について詳細に説明する。
電解銀メッキ法によりＡｇ膜２２（１５０ｎｍ）を積層
するに当たって図３に示す工程に従って無電解メッキを
行った。図３について詳細に説明する。
【００３４】非晶質ポリオレフィン透明基材３ａは、透
過率９１％（３５０ｎｍ〜７００ｎｍ）のものを用い
た。
過率９１％（３５０ｎｍ〜７００ｎｍ）のものを用い
た。
【００３５】前記透明基材３ａを春日電機社製コロナ放
電処理３ｂを用いて表面処理した。その後、界面活性剤
（ブリディップネオガント Ｂ、アトテック ジャパン
社製）３ｃを２０ｍｌ／ｌ水溶液中に１分間浸漬し、Ｐ
ｄ触媒付与３ｄを行うためにアクチベーターネオガント
８３４（アトテック ジャパン社製）５０ｍｌ／ｌ水
溶液３５℃中に５分間浸漬した。処理後２分間水洗を行
って還元３ｅを行う。この際、還元剤としてはリデゥー
サーネオガントＷＡ（アトテック ジャパン社製）５ｍ
ｌ／ｌ水溶液中に５分間浸漬した。再度水洗を２分間行
った後、表１の組成を持つ無電解銀メッキ浴に１５分間
浸漬し、無電解銀メッキ３ｆを行う。この際の無電解銀
メッキ浴の温度は比較例として、０℃、９０℃、実施例
として２０℃、４０℃、６０℃、７５℃で行い、各メッ
キ浴温度での銀鏡を得た。この際の各温度で成膜した３
５０ｎｍ〜７００ｎｍの反射率を図６と表２に示す。
電処理３ｂを用いて表面処理した。その後、界面活性剤
（ブリディップネオガント Ｂ、アトテック ジャパン
社製）３ｃを２０ｍｌ／ｌ水溶液中に１分間浸漬し、Ｐ
ｄ触媒付与３ｄを行うためにアクチベーターネオガント
８３４（アトテック ジャパン社製）５０ｍｌ／ｌ水
溶液３５℃中に５分間浸漬した。処理後２分間水洗を行
って還元３ｅを行う。この際、還元剤としてはリデゥー
サーネオガントＷＡ（アトテック ジャパン社製）５ｍ
ｌ／ｌ水溶液中に５分間浸漬した。再度水洗を２分間行
った後、表１の組成を持つ無電解銀メッキ浴に１５分間
浸漬し、無電解銀メッキ３ｆを行う。この際の無電解銀
メッキ浴の温度は比較例として、０℃、９０℃、実施例
として２０℃、４０℃、６０℃、７５℃で行い、各メッ
キ浴温度での銀鏡を得た。この際の各温度で成膜した３
５０ｎｍ〜７００ｎｍの反射率を図６と表２に示す。
【００３６】メッキ浴の温度が２０℃より低い０℃で得
た銀鏡は所望の反射率である４００ｎｍで８５．０％以
上、４３０ｎｍで９０．０％以上の反射率が得られなか
った。２０℃、４０℃、６０℃、７５℃で得た銀鏡の反
射率は所望の反射率である４００ｎｍで８５．０％以
上、４３０ｎｍで９０．０％以上の反射率を持つ銀鏡が
得られた。 又、メッキ浴の温度が７５℃より高い９０℃
でのメッキはメッキ浴が分解してしまい、成膜を行うこ
とができなかった。
た銀鏡は所望の反射率である４００ｎｍで８５．０％以
上、４３０ｎｍで９０．０％以上の反射率が得られなか
った。２０℃、４０℃、６０℃、７５℃で得た銀鏡の反
射率は所望の反射率である４００ｎｍで８５．０％以
上、４３０ｎｍで９０．０％以上の反射率を持つ銀鏡が
得られた。 又、メッキ浴の温度が７５℃より高い９０℃
でのメッキはメッキ浴が分解してしまい、成膜を行うこ
とができなかった。
【００３７】 ○：反射率；８５．０％以上（４００ｎｍ）、９０．０
％以上（４３０ｎｍ） ＜実施例２＞本実施例に係る銀鏡の反射膜層構成を図４
（ａ）〜（ｃ）示す。
％以上（４３０ｎｍ） ＜実施例２＞本実施例に係る銀鏡の反射膜層構成を図４
（ａ）〜（ｃ）示す。
【００３８】前記実施と同様の方法を用いて、非晶質ポ
リオレフィン透明基材４１上に、無電解銀メッキ法によ
りＡｇ膜３２（ａ：３０ｎｍ、ｂ：１５０ｎｍ、ｃ：１
１００ｎｍ）を形成し、本実施例の銀鏡３ａ，３ｂ，３
ｃを得た。この際の浴の温度は４０℃であった。
リオレフィン透明基材４１上に、無電解銀メッキ法によ
りＡｇ膜３２（ａ：３０ｎｍ、ｂ：１５０ｎｍ、ｃ：１
１００ｎｍ）を形成し、本実施例の銀鏡３ａ，３ｂ，３
ｃを得た。この際の浴の温度は４０℃であった。
【００３９】本実施例により作製した銀鏡３ａ，３ｂ，
３ｃに対して反射率及び膜形態結果を表３に示す。
３ｃに対して反射率及び膜形態結果を表３に示す。
【００４０】反射率において膜厚の薄い３ａにおいては
請求する反射率が得られなかったが、膜厚の厚い３ｂ，
３ｃにおいては所望の反射率が得られた。又、逆に膜形
態において膜厚の厚い３ｃにおいては膜にクラックの発
生が見られたが、膜厚が薄い状態の３ａ，３ｂは均一な
銀膜が形成された。
請求する反射率が得られなかったが、膜厚の厚い３ｂ，
３ｃにおいては所望の反射率が得られた。又、逆に膜形
態において膜厚の厚い３ｃにおいては膜にクラックの発
生が見られたが、膜厚が薄い状態の３ａ，３ｂは均一な
銀膜が形成された。
【００４１】 反射率：日立分光光度計５°入射で測定 反射率請求項内：○、請求項外：× 膜形態：実体顕微鏡による確認 クラック発生無し：○、クラック発生有り： ＜実施例３＞本実施例に係る銀鏡の反射膜層構成を図５
に示す。
に示す。
【００４２】アクリル透明基材５１上に、真空蒸着法に
よりＳｉＯ膜５２（２５０ｎｍ）、ＴｉＯ2 膜５３（１
２０ｎｍ）、ＳｉＯ2 ５４（１２０ｎｍ）を積層した。
よりＳｉＯ膜５２（２５０ｎｍ）、ＴｉＯ2 膜５３（１
２０ｎｍ）、ＳｉＯ2 ５４（１２０ｎｍ）を積層した。
【００４３】ここで、ＳｉＯ膜５２はアクリル基材５１
とＴｉＯ2 膜５３の密着性に寄与する密着層、ＴｉＯ2
膜５３とＳｉＯ2 膜５４は銀鏡の反射膜の反射率を高め
るための増反射膜である。この増反射膜を積層された基
板上に前記実施例と同様に浴の温度４０℃で無電解銀メ
ッキを行い、所望の反射率を持つ銀鏡を得ることができ
た。
とＴｉＯ2 膜５３の密着性に寄与する密着層、ＴｉＯ2
膜５３とＳｉＯ2 膜５４は銀鏡の反射膜の反射率を高め
るための増反射膜である。この増反射膜を積層された基
板上に前記実施例と同様に浴の温度４０℃で無電解銀メ
ッキを行い、所望の反射率を持つ銀鏡を得ることができ
た。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、基材上に湿式成膜法により形成された少なくと
も１つの銀層を含む高反射性銀鏡において、前記銀薄膜
成膜時の浴の温度を２０℃以上７５℃以下に設定したた
め、該高反射性銀鏡に従来よりも高い反射率を確保する
ことができるという効果が得られる。
よれば、基材上に湿式成膜法により形成された少なくと
も１つの銀層を含む高反射性銀鏡において、前記銀薄膜
成膜時の浴の温度を２０℃以上７５℃以下に設定したた
め、該高反射性銀鏡に従来よりも高い反射率を確保する
ことができるという効果が得られる。
【図１】結晶性の定義を説明する図である。
【図２】本発明に係る高反射性銀鏡の反射膜の構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】無電解メッキ工程図である。
【図４】本発明の実施例２に係る銀鏡の層構成を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図５】本発明の実施例３に係る銀鏡の層構成を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図６】本発明の実施例１において得られた波長と反射
率との関係を示す図である。
率との関係を示す図である。
２１ 透明基材 ２２ 金属膜 ４１ 透明基材 ４２ Ａｇ膜 ５１ アクリル基材 ５２ ＳｉＯ薄膜 ５３ ＴｉＯ2 薄膜 ５４ ＳｉＯ2 薄膜 ５５ 銀層
Claims (6)
- 【請求項１】 基材上に湿式成膜法により形成された少
なくとも１つの銀層を含む高反射性銀鏡において、 前記銀薄膜成膜時の浴の温度を２０℃以上７５℃以下に
設定したことを特徴とする高反射性銀鏡。 - 【請求項２】 前記湿式成膜法が自己触媒型無電解メッ
キ法であることを特徴とする請求項１記載の高反射性銀
鏡。 - 【請求項３】 前記基材と銀薄膜との間に、少なくとも
基材側から高屈折率薄膜、低屈折率薄膜の順に積層され
た中間層を有することを特徴とする請求項１記載の高反
射性銀鏡。 - 【請求項４】 前記銀層の上に、少なくとも低屈折率薄
膜、高屈折率薄膜の順に積層された中間層を有すること
を特徴とする請求項１記載の高反射性銀鏡。 - 【請求項５】 前記銀薄膜の膜厚ｄが、 ０．１μｍ＜ｄ＜１μｍ の範囲に設定したことを特徴とする請求項１記載の高反
射性銀鏡。 - 【請求項６】 請求項１〜５の何れかに記載の高反射性
銀鏡を用いて成ることを特徴とする反射型光学部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001166471A JP2002357709A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 高反射性銀鏡及び反射型光学部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001166471A JP2002357709A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 高反射性銀鏡及び反射型光学部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002357709A true JP2002357709A (ja) | 2002-12-13 |
Family
ID=19009006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001166471A Withdrawn JP2002357709A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 高反射性銀鏡及び反射型光学部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002357709A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006518883A (ja) * | 2003-02-24 | 2006-08-17 | レイセオン・カンパニー | 高精密度のミラーおよびその製造方法 |
| JP2010122354A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Hitachi Maxell Ltd | 反射部材 |
| JP2021521046A (ja) * | 2018-04-10 | 2021-08-26 | コンパニ・プラステイツク・オムニウム | 非晶質ポリオレフィンからなるオーバーモールドインサートを備える車体部品 |
| CN113504593A (zh) * | 2021-07-26 | 2021-10-15 | 北京京东方技术开发有限公司 | 一种光学结构、制备方法、镜子及其状态切换方法 |
-
2001
- 2001-06-01 JP JP2001166471A patent/JP2002357709A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006518883A (ja) * | 2003-02-24 | 2006-08-17 | レイセオン・カンパニー | 高精密度のミラーおよびその製造方法 |
| JP4664277B2 (ja) * | 2003-02-24 | 2011-04-06 | レイセオン カンパニー | 高精密度のミラーおよびその製造方法 |
| JP2010122354A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Hitachi Maxell Ltd | 反射部材 |
| JP2021521046A (ja) * | 2018-04-10 | 2021-08-26 | コンパニ・プラステイツク・オムニウム | 非晶質ポリオレフィンからなるオーバーモールドインサートを備える車体部品 |
| JP7404266B2 (ja) | 2018-04-10 | 2023-12-25 | コンパニ・プラステイツク・オムニウム | 非晶質ポリオレフィンからなるオーバーモールドインサートを備える車体部品 |
| CN113504593A (zh) * | 2021-07-26 | 2021-10-15 | 北京京东方技术开发有限公司 | 一种光学结构、制备方法、镜子及其状态切换方法 |
| CN113504593B (zh) * | 2021-07-26 | 2023-11-14 | 北京京东方技术开发有限公司 | 一种镜子及其状态切换方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6127052A (en) | Substrate and method for producing it | |
| US3935351A (en) | Multiple glazed windows including selective reflecting metal/metal oxide coatings | |
| US7494926B2 (en) | Method for forming highly conductive metal pattern on flexible substrate and EMI filter using metal pattern formed by the method | |
| JP4659882B2 (ja) | ＴＦＴ銅ゲートプロセスのための無電解ＮｉＷＰ接着及びキャッピング層 | |
| US4091128A (en) | Electroless gold plating bath | |
| US4091172A (en) | Uniform gold films | |
| JP3173873B2 (ja) | 無電解金属被覆によりガラス基板上にガラス以外の物質のパターンを選択的に設ける方法 | |
| JP2002357709A (ja) | 高反射性銀鏡及び反射型光学部品 | |
| US3639143A (en) | Electroless nickel plating on nonconductive substrates | |
| RU2010121497A (ru) | Зеркало | |
| JP4064801B2 (ja) | 金属膜形成処理方法、半導体装置及び配線基板 | |
| TWI768626B (zh) | 積層膜構造及積層膜構造的製造方法 | |
| US6695458B2 (en) | High-reflectance silver mirror and reflecting optical element | |
| US6665120B2 (en) | Reflective optical element | |
| JP3619016B2 (ja) | 基板及びその製造方法 | |
| JP3499106B2 (ja) | 配線の形成方法及び配線基板 | |
| KR20230067550A (ko) | 금속 치환 처리액, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면 처리 방법 | |
| JP2000155205A (ja) | 反射型光学素子及びその製造方法 | |
| CA1104699A (en) | Method of forming matt display electrode | |
| JP2002162512A (ja) | 高反射性の銀鏡及び反射型光学素子 | |
| JP2002350611A (ja) | 高反射性銀鏡及び反射型光学部品 | |
| JP2002348672A (ja) | パターン形成方法及び反射型光学部品 | |
| US4400436A (en) | Direct electroless deposition of cuprous oxide films | |
| JP2003096573A (ja) | 無電解めっき皮膜の形成方法 | |
| KR101737515B1 (ko) | 신뢰성이 향상된 나노 금속성 은의 비전해 침착방법 및 이에 따라 나노 금속성 은이 침착된 기판 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060201 |
|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080805 |