JP2002335056A - 金属ベース基板及びその製造方法 - Google Patents
金属ベース基板及びその製造方法Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、金属ベース基板及びその製造方法
に係り、放熱性や絶縁性などに対する信頼性を高めるこ
とができる金属ベース基板及びその製造方法の提供を目
的とする。 【構成】 金属製板状体１の片面に硬化した熱硬化性樹
脂からなる絶縁層２を積層した後、この絶縁層２におい
て金属製板状体１側と反対側に順に接着層３と金属板を
打ち抜いて形成した導体パターン層４とを重ね、加熱加
圧して絶縁層２に接着層３で導体パターン層４を接着す
る。金属製板状体１と導体パターン層４との間に隙間な
く絶縁性樹脂が充填され、又、導体パターン層４の接着
前後の寸法変化が小さいので、放熱性や絶縁性などに対
する信頼性が高められる。
に係り、放熱性や絶縁性などに対する信頼性を高めるこ
とができる金属ベース基板及びその製造方法の提供を目
的とする。 【構成】 金属製板状体１の片面に硬化した熱硬化性樹
脂からなる絶縁層２を積層した後、この絶縁層２におい
て金属製板状体１側と反対側に順に接着層３と金属板を
打ち抜いて形成した導体パターン層４とを重ね、加熱加
圧して絶縁層２に接着層３で導体パターン層４を接着す
る。金属製板状体１と導体パターン層４との間に隙間な
く絶縁性樹脂が充填され、又、導体パターン層４の接着
前後の寸法変化が小さいので、放熱性や絶縁性などに対
する信頼性が高められる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワー半導体デバ
イスに用いられる金属ベース基板及びその製造方法に係
り、特に、パワー半導体デバイスの放熱性及び絶縁性に
対する信頼性が高められるようにした金属ベース基板と
その製造方法に関する。
イスに用いられる金属ベース基板及びその製造方法に係
り、特に、パワー半導体デバイスの放熱性及び絶縁性に
対する信頼性が高められるようにした金属ベース基板と
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、パワー半導体デバイスには動作時
の発熱を周囲に放散するために金属放熱板などの放熱部
材として金属製板状体が設けられ、この金属放熱板など
の放熱部材と導体パターン層と、この導体パターン層に
接続される半導体素子とはセラミックス、合成樹脂など
により電気的に絶縁される。
の発熱を周囲に放散するために金属放熱板などの放熱部
材として金属製板状体が設けられ、この金属放熱板など
の放熱部材と導体パターン層と、この導体パターン層に
接続される半導体素子とはセラミックス、合成樹脂など
により電気的に絶縁される。
【０００３】この導体パターン層は回路電流が小さい場
合には金属箔、金属蒸着又はめっきなどにより形成され
た薄膜をエッチングなどにより部分的に除去することに
よって形成されたものでもよいが、大電流の場合には、
過度の発熱を避けるため、金属板を打ち抜いて形成され
る。また、大電流の場合には、金属箔、薄膜などのエッ
チングなどにより形成された薄膜状の導体パターン層に
金属板を打ち抜いて形成した厚膜状の導体パターン層を
重ねて半田付けするという手段が採用されている（特開
平７−９４８３６号公報参照）。
合には金属箔、金属蒸着又はめっきなどにより形成され
た薄膜をエッチングなどにより部分的に除去することに
よって形成されたものでもよいが、大電流の場合には、
過度の発熱を避けるため、金属板を打ち抜いて形成され
る。また、大電流の場合には、金属箔、薄膜などのエッ
チングなどにより形成された薄膜状の導体パターン層に
金属板を打ち抜いて形成した厚膜状の導体パターン層を
重ねて半田付けするという手段が採用されている（特開
平７−９４８３６号公報参照）。
【０００４】しかしながら、このように薄膜状の導体パ
ターン層と打ち抜き形成された厚膜状の導体パターン層
を積層する方法は製造コストの削減を図る上でかなり不
利になるという問題がある。
ターン層と打ち抜き形成された厚膜状の導体パターン層
を積層する方法は製造コストの削減を図る上でかなり不
利になるという問題がある。
【０００５】この問題を解決するために、金属製板状体
の上に半硬化させた熱硬化性樹脂からなるプリプレグを
積重ね、更にこのプリプレグの上に導体パターン層を積
重ねて加熱加圧することにより金属製板状体と、熱硬化
性樹脂からなる絶縁層と、導体パターン層とを積層した
金属ベース基板が用いられる。
の上に半硬化させた熱硬化性樹脂からなるプリプレグを
積重ね、更にこのプリプレグの上に導体パターン層を積
重ねて加熱加圧することにより金属製板状体と、熱硬化
性樹脂からなる絶縁層と、導体パターン層とを積層した
金属ベース基板が用いられる。
【０００６】しかし、この従来技術には、硬化後の絶縁
層の層厚が安定せず、必要な寸法精度が得られないこと
があり、又、絶縁性や静電容量などの電気的特性も不安
定になるなどの問題がある。
層の層厚が安定せず、必要な寸法精度が得られないこと
があり、又、絶縁性や静電容量などの電気的特性も不安
定になるなどの問題がある。
【０００７】これらの課題を解決するために、近年、パ
ワー半導体デバイスの中では安価なインゼクションモー
ルドタイプが上市されており、これは、金型を用いて半
導体及び導体パターン層と金属製板状体（金属放熱板）
とを所定の絶縁間隔を置いて保持し、これらの間に樹脂
を流し込んで半導体及び導体パターン層と金属製板状体
との間に絶縁層を形成する技術が開発されている（特開
平１１−２２００７４号公報参照）。
ワー半導体デバイスの中では安価なインゼクションモー
ルドタイプが上市されており、これは、金型を用いて半
導体及び導体パターン層と金属製板状体（金属放熱板）
とを所定の絶縁間隔を置いて保持し、これらの間に樹脂
を流し込んで半導体及び導体パターン層と金属製板状体
との間に絶縁層を形成する技術が開発されている（特開
平１１−２２００７４号公報参照）。
【０００８】この技術では、絶縁層の熱伝導率を高める
ために、この絶縁層に高熱伝導性の無機充填材が配合さ
れている。
ために、この絶縁層に高熱伝導性の無機充填材が配合さ
れている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来技
術によれば、流し込む樹脂に熱伝導性が優れている無機
充填剤が配合されているので、金型の磨耗が急速に進行
し、正確に絶縁間隔を設定できなくなることがあり、そ
の結果、放熱性や電気絶縁性に対する信頼性が低下する
という問題が起こる。
術によれば、流し込む樹脂に熱伝導性が優れている無機
充填剤が配合されているので、金型の磨耗が急速に進行
し、正確に絶縁間隔を設定できなくなることがあり、そ
の結果、放熱性や電気絶縁性に対する信頼性が低下する
という問題が起こる。
【００１０】また、樹脂モールディングの途中でモール
ド樹脂の粘度が高まり、隅々までモールド樹脂を充填で
きなくなり、耐湿熱性や耐熱性更に放熱性や電気絶縁性
に対する信頼性が損なわれるという問題が生じることも
ある。
ド樹脂の粘度が高まり、隅々までモールド樹脂を充填で
きなくなり、耐湿熱性や耐熱性更に放熱性や電気絶縁性
に対する信頼性が損なわれるという問題が生じることも
ある。
【００１１】この問題を解決するために、モールド樹脂
が流れる空間の断面積を大きくしてモールド樹脂の充填
性を高めようとすれば、デバイスの外形寸法が大きくな
り、基板にデバイスを実装できなくなるおそれが生じ
る。
が流れる空間の断面積を大きくしてモールド樹脂の充填
性を高めようとすれば、デバイスの外形寸法が大きくな
り、基板にデバイスを実装できなくなるおそれが生じ
る。
【００１２】そして、これらの問題は、特に大型のパワ
ー半導体デバイスの場合に生じ易い。
ー半導体デバイスの場合に生じ易い。
【００１３】本発明は、これらの従来技術の課題を解消
し、耐湿熱性や耐熱性更に放熱性や電気絶縁性に対する
信頼性を高めることができる金属ベース基板及びその製
造方法を提供することを目的とするものである。
し、耐湿熱性や耐熱性更に放熱性や電気絶縁性に対する
信頼性を高めることができる金属ベース基板及びその製
造方法を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係る金属ベース
基板（以下、本発明物品という。）は、前記目的を達成
するために、金属製板状体の片面又は両面に絶縁層を積
層した樹脂積層板状体と、この樹脂積層板状体における
絶縁層上に接着層を介して積層した導体パターン層とを
備えることを特徴とする、という技術的手段を採用す
る。
基板（以下、本発明物品という。）は、前記目的を達成
するために、金属製板状体の片面又は両面に絶縁層を積
層した樹脂積層板状体と、この樹脂積層板状体における
絶縁層上に接着層を介して積層した導体パターン層とを
備えることを特徴とする、という技術的手段を採用す
る。
【００１５】本発明物品によれば、金属製板状体の片面
又は両面に熱硬化性樹脂を硬化させた所定の層厚を有す
る絶縁層が積層されているので、後で導体パターン層を
積層する時に加熱加圧しても所定の層厚の絶縁層が変形
することはなく、金属製板状体と導体パターン層との間
に所定の絶縁間隔を確保することができるのであり、
又、金属製板状体と導体パターン層との間に隙間なく絶
縁層及び接着層の２層が充填されるので、導体パターン
層の全面から導体パターン層やこれに接続される電子部
品などの回路素子の発熱がこの２層を介して確実に金属
製板状体に伝導される結果、放熱性や電気絶縁性に対す
る信頼性が著しく高められるのである。
又は両面に熱硬化性樹脂を硬化させた所定の層厚を有す
る絶縁層が積層されているので、後で導体パターン層を
積層する時に加熱加圧しても所定の層厚の絶縁層が変形
することはなく、金属製板状体と導体パターン層との間
に所定の絶縁間隔を確保することができるのであり、
又、金属製板状体と導体パターン層との間に隙間なく絶
縁層及び接着層の２層が充填されるので、導体パターン
層の全面から導体パターン層やこれに接続される電子部
品などの回路素子の発熱がこの２層を介して確実に金属
製板状体に伝導される結果、放熱性や電気絶縁性に対す
る信頼性が著しく高められるのである。
【００１６】又、本発明に係る金属ベース基板の製造方
法（以下、本発明方法という。）は、前記目的を達成す
るために、金属製板状体の片面又は両面に熱硬化性樹脂
組成物を積層、硬化させて絶縁層を形成することにより
樹脂積層板状体を製造した後、この樹脂積層板状体にお
ける絶縁層上に接着層を積層し、更に、予め仮着性接着
シートを片面に仮着した導体パターン層をこの導体パタ
ーン層側が前記接着層に接するように積層して接着層上
に導体パターン層を接着した後、仮着性接着シートを導
体パターン層より剥離することを特徴とする、という技
術的手段を採用する。
法（以下、本発明方法という。）は、前記目的を達成す
るために、金属製板状体の片面又は両面に熱硬化性樹脂
組成物を積層、硬化させて絶縁層を形成することにより
樹脂積層板状体を製造した後、この樹脂積層板状体にお
ける絶縁層上に接着層を積層し、更に、予め仮着性接着
シートを片面に仮着した導体パターン層をこの導体パタ
ーン層側が前記接着層に接するように積層して接着層上
に導体パターン層を接着した後、仮着性接着シートを導
体パターン層より剥離することを特徴とする、という技
術的手段を採用する。
【００１７】以下、本発明、即ち本発明物品及び本発明
方法について更に詳細に説明する。
方法について更に詳細に説明する。
【００１８】本発明において、金属製板状体の材質は、
金属であれば特に限定されるものではないが、具体的に
は、例えば鉄、ステンレス鋼を含む鋼、チタン合金など
を用いてもよいが、特に、銅、アルミニウム、アルミニ
ウム合金、真鍮などの熱伝導率が高い金属を用いること
が好ましい。
金属であれば特に限定されるものではないが、具体的に
は、例えば鉄、ステンレス鋼を含む鋼、チタン合金など
を用いてもよいが、特に、銅、アルミニウム、アルミニ
ウム合金、真鍮などの熱伝導率が高い金属を用いること
が好ましい。
【００１９】又、この金属製板状体の形状は、特に限定
されるものではないが、伝熱面積を大きくして放熱効果
を高めるために、その外側面に針状或いはフィン状の突
起を設けることもできる。
されるものではないが、伝熱面積を大きくして放熱効果
を高めるために、その外側面に針状或いはフィン状の突
起を設けることもできる。
【００２０】更に、この金属製板状体の板厚は、特に限
定はされないが、一般に、１．０〜４．０ｍｍの範囲と
することが好ましく、１．０ｍｍ未満では所要の放熱特
性が得られないおそれがある上、反りなどの変形が生じ
るおそれがあるので好ましくなく、一方、４．０ｍｍを
超えるとデバイスの外形寸法が大きくなり過ぎる上、コ
スト高になるので好ましくない。しかしながら、放熱フ
ィンを設ける場合にはこの限りではないのである。
定はされないが、一般に、１．０〜４．０ｍｍの範囲と
することが好ましく、１．０ｍｍ未満では所要の放熱特
性が得られないおそれがある上、反りなどの変形が生じ
るおそれがあるので好ましくなく、一方、４．０ｍｍを
超えるとデバイスの外形寸法が大きくなり過ぎる上、コ
スト高になるので好ましくない。しかしながら、放熱フ
ィンを設ける場合にはこの限りではないのである。
【００２１】本発明において、絶縁層は、熱硬化性樹脂
を硬化させてシート状に形成されたものであれば良く、
この絶縁層を形成する方法としては、金属製板状体の片
面又は両面に液状の熱硬化性樹脂組成物を塗布し、加熱
乾燥あるいは加熱加圧して所定の厚さに硬化させる方法
を採用してもよいが、層厚の安定性及び精度という観点
からは、金属製板状体に半硬化状で、且つ所定の厚さの
熱硬化性樹脂組成物からなるプリプレグシート（フィル
ム）を重ねて積層し、これを加熱乾燥あるいは加熱加圧
して所定の厚さに硬化させるという方法が好ましい。
を硬化させてシート状に形成されたものであれば良く、
この絶縁層を形成する方法としては、金属製板状体の片
面又は両面に液状の熱硬化性樹脂組成物を塗布し、加熱
乾燥あるいは加熱加圧して所定の厚さに硬化させる方法
を採用してもよいが、層厚の安定性及び精度という観点
からは、金属製板状体に半硬化状で、且つ所定の厚さの
熱硬化性樹脂組成物からなるプリプレグシート（フィル
ム）を重ねて積層し、これを加熱乾燥あるいは加熱加圧
して所定の厚さに硬化させるという方法が好ましい。
【００２２】この絶縁層の層厚は、特に限定されるもの
ではないが、一般に、１０〜３００μｍであることが好
ましく、特に、５０〜２５０μｍであることが更に好ま
しい。この絶縁層の層厚が、１０μｍ未満では均一な層
厚の絶縁層を形成するのが困難になるうえ、必要とされ
る絶縁性が得られなくなるので好ましくなく、一方、３
００μｍを超えると放熱特性が悪化するので好ましくな
い。
ではないが、一般に、１０〜３００μｍであることが好
ましく、特に、５０〜２５０μｍであることが更に好ま
しい。この絶縁層の層厚が、１０μｍ未満では均一な層
厚の絶縁層を形成するのが困難になるうえ、必要とされ
る絶縁性が得られなくなるので好ましくなく、一方、３
００μｍを超えると放熱特性が悪化するので好ましくな
い。
【００２３】ところで、本発明物品においては、絶縁層
は加熱乾燥或いは加熱加圧により硬化させてあるので、
この絶縁層と金属製板状体とからなる樹脂積層板状体に
導体パターン層を積層するために接着層が用いられるの
である。
は加熱乾燥或いは加熱加圧により硬化させてあるので、
この絶縁層と金属製板状体とからなる樹脂積層板状体に
導体パターン層を積層するために接着層が用いられるの
である。
【００２４】前記導体パターン層としては、この分野で
用いられるものであれば特に限定されるものではなく、
例えば、従来から公知のものを用いれば良い。
用いられるものであれば特に限定されるものではなく、
例えば、従来から公知のものを用いれば良い。
【００２５】前記接着層は、絶縁層上に未硬化の熱硬化
性樹脂組成物で構成され、液状の熱硬化性樹脂を絶縁層
に塗布して乾燥させたり、離型性の支持体に担持させた
半硬化状の熱硬化性樹脂組成物シート（或いはフィル
ム）を転写したり、プリプレグ状の熱硬化性樹脂組成物
シート（或いはフィルム）を重ねて仮着したりすること
により、絶縁層に積層される。
性樹脂組成物で構成され、液状の熱硬化性樹脂を絶縁層
に塗布して乾燥させたり、離型性の支持体に担持させた
半硬化状の熱硬化性樹脂組成物シート（或いはフィル
ム）を転写したり、プリプレグ状の熱硬化性樹脂組成物
シート（或いはフィルム）を重ねて仮着したりすること
により、絶縁層に積層される。
【００２６】しかしながら、層厚の安定性及び精度を高
めるという観点からは、接着層組成物を所定の膜厚を有
するシート状ないしフィルム状に半硬化させたプリプレ
グを、予め金属製板状体に積層した絶縁層に積重ねて、
加熱乾燥或いは加熱加圧して仮着し、更に導体パターン
層を積重ねた後、加熱乾燥或いは加熱加圧して所定の厚
さに硬化させる方法を採用することが好ましい。
めるという観点からは、接着層組成物を所定の膜厚を有
するシート状ないしフィルム状に半硬化させたプリプレ
グを、予め金属製板状体に積層した絶縁層に積重ねて、
加熱乾燥或いは加熱加圧して仮着し、更に導体パターン
層を積重ねた後、加熱乾燥或いは加熱加圧して所定の厚
さに硬化させる方法を採用することが好ましい。
【００２７】この接着層の層厚は１０〜３００μｍであ
ることが好ましく、特に、１５〜１００μｍであること
が更に好ましい。この接着層の層厚が、１０μｍ未満で
は均一な層厚の接着層を形成するのが困難になるうえ、
必要な接着強度が得られないので好ましくなく、一方、
３００μｍを超えると、寸法精度が著しく低下するおそ
れが生じるうえ、放熱特性が悪化するので好ましくな
い。
ることが好ましく、特に、１５〜１００μｍであること
が更に好ましい。この接着層の層厚が、１０μｍ未満で
は均一な層厚の接着層を形成するのが困難になるうえ、
必要な接着強度が得られないので好ましくなく、一方、
３００μｍを超えると、寸法精度が著しく低下するおそ
れが生じるうえ、放熱特性が悪化するので好ましくな
い。
【００２８】前記の絶縁層及び接着層の材質としては、
電気絶縁性の熱硬化性樹脂であれば特に限定されるもの
ではないが、具体的には、特に、例えばビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂に代表されるエポキシ樹脂、ＢＴレジ
ン、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹
脂を用いればよく、その絶縁性及び熱伝導性を高めるた
めに１種又は２種以上の無機充填材、例えば酸化アルミ
ニウム、酸化珪素、窒化珪素、窒化硼素又は窒化アルミ
ニウムなどから選ばれた１種又は２種以上の無機充填材
を配合することが好ましい。
電気絶縁性の熱硬化性樹脂であれば特に限定されるもの
ではないが、具体的には、特に、例えばビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂に代表されるエポキシ樹脂、ＢＴレジ
ン、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹
脂を用いればよく、その絶縁性及び熱伝導性を高めるた
めに１種又は２種以上の無機充填材、例えば酸化アルミ
ニウム、酸化珪素、窒化珪素、窒化硼素又は窒化アルミ
ニウムなどから選ばれた１種又は２種以上の無機充填材
を配合することが好ましい。
【００２９】ここで、この無機充填材の配合量は、添加
により絶縁性及び／又は熱伝導性が高められる効果を得
るために樹脂組成物全体の１重量％以上であることが好
ましく、一方、この充填材の配合量が増加すると樹脂組
成物の粘度が高まるので、均一な絶縁層及び／又は接着
層を得難くなり、従って、絶縁層及び／又は接着層の成
形性、流動性及び取扱性等を考慮すれば樹脂組成物全体
の９５重量％以下であることが望ましい。
により絶縁性及び／又は熱伝導性が高められる効果を得
るために樹脂組成物全体の１重量％以上であることが好
ましく、一方、この充填材の配合量が増加すると樹脂組
成物の粘度が高まるので、均一な絶縁層及び／又は接着
層を得難くなり、従って、絶縁層及び／又は接着層の成
形性、流動性及び取扱性等を考慮すれば樹脂組成物全体
の９５重量％以下であることが望ましい。
【００３０】前記導体パターン層は、所定の板厚を有す
る金属板を打ち抜き加工することにより形成されたもの
であり、その材質は金属であれば特に限定されるもので
はないが、具体的には、例えば鉄、ステンレス鋼等の
鋼、チタン合金などを用いることもできるが、発熱量を
少なくするという観点からは銅、アルミニウム、アルミ
ニウム合金、真鍮などの導電性が優れている金属を用い
ることが好ましい。
る金属板を打ち抜き加工することにより形成されたもの
であり、その材質は金属であれば特に限定されるもので
はないが、具体的には、例えば鉄、ステンレス鋼等の
鋼、チタン合金などを用いることもできるが、発熱量を
少なくするという観点からは銅、アルミニウム、アルミ
ニウム合金、真鍮などの導電性が優れている金属を用い
ることが好ましい。
【００３１】この導体パターン層の厚さは０．１〜１．
０ｍｍであることが好ましく、０．１ｍｍ未満では導通
する電流に対する抵抗が大きく発熱量が過大になるので
好ましくなく、一方、１．０ｍｍを超えるとその意味が
ないだけでなく、コスト高になり、又、デバイスの外形
寸法が大きくなり、基板にデバイスを実装できなくなる
おそれが生じるおそれがあるので好ましくない。
０ｍｍであることが好ましく、０．１ｍｍ未満では導通
する電流に対する抵抗が大きく発熱量が過大になるので
好ましくなく、一方、１．０ｍｍを超えるとその意味が
ないだけでなく、コスト高になり、又、デバイスの外形
寸法が大きくなり、基板にデバイスを実装できなくなる
おそれが生じるおそれがあるので好ましくない。
【００３２】ところで、通常、１枚の金属ベース基板に
は所定の絶縁距離を隔てて複数の導体パターン層が設け
られる。そこで、本発明物品の製造方法においては、こ
れら複数の導体パターン層間の絶縁距離を正確に保持し
て積層するために、金属製板状体の片面又は両面に熱硬
化性樹脂組成物を積層、硬化させて絶縁層を形成するこ
とにより樹脂積層板状体を製造した後、この樹脂積層板
状体における絶縁層上に接着層を積層し、更に、予め仮
着性接着シートを片面に仮着した導体パターン層をこの
導体パターン層側が前記接着層に接するように積層して
接着層上に導体パターン層を接着した後、仮着性接着シ
ートを導体パターン層より剥離することを特徴とする、
との技術的方法を採用したものである。
は所定の絶縁距離を隔てて複数の導体パターン層が設け
られる。そこで、本発明物品の製造方法においては、こ
れら複数の導体パターン層間の絶縁距離を正確に保持し
て積層するために、金属製板状体の片面又は両面に熱硬
化性樹脂組成物を積層、硬化させて絶縁層を形成するこ
とにより樹脂積層板状体を製造した後、この樹脂積層板
状体における絶縁層上に接着層を積層し、更に、予め仮
着性接着シートを片面に仮着した導体パターン層をこの
導体パターン層側が前記接着層に接するように積層して
接着層上に導体パターン層を接着した後、仮着性接着シ
ートを導体パターン層より剥離することを特徴とする、
との技術的方法を採用したものである。
【００３３】導体パターン層の片面に仮着性接着シート
を仮着する方法としては、リードフレーム付きの導体パ
ターン層の両面に仮着性接着シートを仮着した後、リー
ドフレーム及び外部リードの部分の仮着性接着シートを
打ち抜いて剥離し、この後、接着層と合せる接着面の仮
着性接着シートを剥離する方法、導体パターン層用金属
板の両面に仮着性接着シートを仮着し、接着面と反対側
の仮着性接着シートを全面に残した形でハーフパンチし
た後、金属板の不要部分及び接着面側の仮着性接着シー
トを除去する方法などが挙げられる。
を仮着する方法としては、リードフレーム付きの導体パ
ターン層の両面に仮着性接着シートを仮着した後、リー
ドフレーム及び外部リードの部分の仮着性接着シートを
打ち抜いて剥離し、この後、接着層と合せる接着面の仮
着性接着シートを剥離する方法、導体パターン層用金属
板の両面に仮着性接着シートを仮着し、接着面と反対側
の仮着性接着シートを全面に残した形でハーフパンチし
た後、金属板の不要部分及び接着面側の仮着性接着シー
トを除去する方法などが挙げられる。
【００３４】
【作用】本発明物品は、前記構成を有し、金属製板状体
の片面又は両面に絶縁層と、接着層と、金属板を打ち抜
いて形成した導体パターン層とを順に積層したことを特
徴とするので、以下のような作用を得ることができる。
の片面又は両面に絶縁層と、接着層と、金属板を打ち抜
いて形成した導体パターン層とを順に積層したことを特
徴とするので、以下のような作用を得ることができる。
【００３５】即ち、導体パターン層と金属製板状体との
間にシート状の接着層及び絶縁層が介在するので、導体
と金属製板状体との間に空隙が生じるおそれが無くなる
という作用が得られるのである。
間にシート状の接着層及び絶縁層が介在するので、導体
と金属製板状体との間に空隙が生じるおそれが無くなる
という作用が得られるのである。
【００３６】又、絶縁層を硬化させた後にこの絶縁層に
接着層で導体パターン層を接着するので、金属製板状体
と電極との間に絶縁層によって一定以上の均一な絶縁距
離を確保できるという作用が得られるのである。
接着層で導体パターン層を接着するので、金属製板状体
と電極との間に絶縁層によって一定以上の均一な絶縁距
離を確保できるという作用が得られるのである。
【００３７】更に、本発明方法は、金属製板状体の片面
又は両面に熱硬化性樹脂組成物を積層、硬化させて絶縁
層を形成することにより樹脂積層板状体を製造した後、
この樹脂積層板状体における絶縁層上に接着層を積層
し、更に、予め仮着性接着シートを片面に仮着した導体
パターン層をこの導体パターン層側が前記接着層に接す
るように積層して接着層上に導体パターン層を接着した
後、仮着性接着シートを導体パターン層より剥離すると
いう方法を採用すれば、本発明物品を好適に製造するこ
とができる作用が得られる。
又は両面に熱硬化性樹脂組成物を積層、硬化させて絶縁
層を形成することにより樹脂積層板状体を製造した後、
この樹脂積層板状体における絶縁層上に接着層を積層
し、更に、予め仮着性接着シートを片面に仮着した導体
パターン層をこの導体パターン層側が前記接着層に接す
るように積層して接着層上に導体パターン層を接着した
後、仮着性接着シートを導体パターン層より剥離すると
いう方法を採用すれば、本発明物品を好適に製造するこ
とができる作用が得られる。
【００３８】
【発明の実施の態様】以下、本発明に係るパワー半導体
デバイスの放熱装置を図面に基づいて具体的に説明す
る。
デバイスの放熱装置を図面に基づいて具体的に説明す
る。
【００３９】実施例１ 図１の断面図に模式的に示すように、この金属ベース基
板は、その下面に露出するアルミニウム板（５４０ｍｍ
×５４０ｍｍ×２．０ｍｍ）からなる金属製板状体１
と、この金属製板状体１の上面に積層された厚さ１３０
μｍの絶縁層２と、この絶縁層２上に積層された厚さ３
０μｍの接着層３と、この接着層３の上に接着された導
体パターン層４とを備えている。尚、図中、６はパワー
半導体素子であり、又、７はモールド樹脂、８はヒート
スプレッター、９はアウターリードである。
板は、その下面に露出するアルミニウム板（５４０ｍｍ
×５４０ｍｍ×２．０ｍｍ）からなる金属製板状体１
と、この金属製板状体１の上面に積層された厚さ１３０
μｍの絶縁層２と、この絶縁層２上に積層された厚さ３
０μｍの接着層３と、この接着層３の上に接着された導
体パターン層４とを備えている。尚、図中、６はパワー
半導体素子であり、又、７はモールド樹脂、８はヒート
スプレッター、９はアウターリードである。
【００４０】前記絶縁層２は、酸化アルミニウム（昭和
電工製、ＡＳ−５０）からなる充填材をビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂に８０重量％配合したプリプレグ状態
の熱硬化性樹脂シートを、図２の工程説明図に示すよう
に、金属製板状体１の上面に積重ねた後、加圧加熱して
硬化させたものである（硬化後の厚さ１３０μｍ）。
電工製、ＡＳ−５０）からなる充填材をビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂に８０重量％配合したプリプレグ状態
の熱硬化性樹脂シートを、図２の工程説明図に示すよう
に、金属製板状体１の上面に積重ねた後、加圧加熱して
硬化させたものである（硬化後の厚さ１３０μｍ）。
【００４１】又、前記接着層３は、酸化珪素（龍森製、
クリスタライト）をビスフェノールＡ型エポキシ樹脂に
６５重量％配合して形成したプリプレグ状の熱硬化性樹
脂シート（厚さ３０μｍ）からなり、硬化させた絶縁層
２の上に接着した後、熱圧着により絶縁層２に仮着され
る。
クリスタライト）をビスフェノールＡ型エポキシ樹脂に
６５重量％配合して形成したプリプレグ状の熱硬化性樹
脂シート（厚さ３０μｍ）からなり、硬化させた絶縁層
２の上に接着した後、熱圧着により絶縁層２に仮着され
る。
【００４２】前記導体パターン層４は板厚０．３ｍｍの
銅板を所定の形状に打ち抜いたもので、平面視において
所定の絶縁間隔を隔てた複数個の導体パターン層４がこ
れらの片面に粘着させた粘着シートからなる仮着性接着
シート５により所定の位置に保持されている。
銅板を所定の形状に打ち抜いたもので、平面視において
所定の絶縁間隔を隔てた複数個の導体パターン層４がこ
れらの片面に粘着させた粘着シートからなる仮着性接着
シート５により所定の位置に保持されている。
【００４３】この仮着性接着シート５をその導体パター
ン層４側を前記接着層３に重ねた後、加熱加圧すること
により導体パターン層４が絶縁層２に接着される。な
お、この加熱圧着により接着層３は厚さが２０μｍにな
って硬化していた。
ン層４側を前記接着層３に重ねた後、加熱加圧すること
により導体パターン層４が絶縁層２に接着される。な
お、この加熱圧着により接着層３は厚さが２０μｍにな
って硬化していた。
【００４４】この後、仮着性接着シート５を除去するこ
とによりこの実施例に係る金属ベース基板が完成する。
とによりこの実施例に係る金属ベース基板が完成する。
【００４５】そして、この金属ベース基板の一つの電極
を構成する導体パターン層４上にトランジスターなどの
半導体素子６を半田付けし、図示しない他の電極を構成
する導体パターン層と半導体素子６との間にリード線を
ワイヤーボンデング配線し、この後、樹脂モールドによ
り、金属製板状体１、絶縁層２、接着層３、導体パター
ン層４、半導体素子６及びリード線を図１に示すモール
ド樹脂７内に封入することによりパワー半導体デバイス
が形成される。
を構成する導体パターン層４上にトランジスターなどの
半導体素子６を半田付けし、図示しない他の電極を構成
する導体パターン層と半導体素子６との間にリード線を
ワイヤーボンデング配線し、この後、樹脂モールドによ
り、金属製板状体１、絶縁層２、接着層３、導体パター
ン層４、半導体素子６及びリード線を図１に示すモール
ド樹脂７内に封入することによりパワー半導体デバイス
が形成される。
【００４６】実施例２ 絶縁層２においてその中に含有されている酸化アルミニ
ウム（昭和電工製、ＡＳ−５０）の配合量を８５重量％
とし、又、酸化アルミニウム（昭和電工製、ＡＳ−５
０）をビスフェノール型エポキシ樹脂に５０重量％配合
した接着層３を用いた以外は、実施例１と同様にして金
属ベース基板を形成した。
ウム（昭和電工製、ＡＳ−５０）の配合量を８５重量％
とし、又、酸化アルミニウム（昭和電工製、ＡＳ−５
０）をビスフェノール型エポキシ樹脂に５０重量％配合
した接着層３を用いた以外は、実施例１と同様にして金
属ベース基板を形成した。
【００４７】比較例１ 絶縁層２を設けずに、前記金属製板状体（大きさが５４
０ｍｍ×５４０ｍｍで板厚が２．０ｍｍのアルミニウム
板）１の片面に、酸化アルミニウム（昭和電工製、ＡＳ
−５０）をビスフェノール型エポキシ樹脂に８０重量％
配合した未硬化状の熱硬化性樹脂組成物を用い、前記金
属製板状体の片面に厚さ１６０μｍ（厚さを変更してい
ただいて結構です。）の未硬化接着層を形成した後、こ
の接着層に実施例１で用いたものと同様の導体パターン
層４を積重ね、加熱圧着して金属ベース基板を形成し
た。なお、導体パターン層４を加熱圧着した後（硬化
後）の樹脂層（硬化層）の厚さは５０μｍであった。
０ｍｍ×５４０ｍｍで板厚が２．０ｍｍのアルミニウム
板）１の片面に、酸化アルミニウム（昭和電工製、ＡＳ
−５０）をビスフェノール型エポキシ樹脂に８０重量％
配合した未硬化状の熱硬化性樹脂組成物を用い、前記金
属製板状体の片面に厚さ１６０μｍ（厚さを変更してい
ただいて結構です。）の未硬化接着層を形成した後、こ
の接着層に実施例１で用いたものと同様の導体パターン
層４を積重ね、加熱圧着して金属ベース基板を形成し
た。なお、導体パターン層４を加熱圧着した後（硬化
後）の樹脂層（硬化層）の厚さは５０μｍであった。
【００４８】比較例２ 絶縁層２として金属製板状体（大きさが５４０ｍｍ×５
４０ｍｍで板厚が２．０ｍｍ）１の片面に、酸化アルミ
ニウム（昭和電工製、ＡＳ−５０）をビスフェノール型
エポキシ樹脂に８５重量％配合した厚さ１３０μｍの未
硬化樹脂層（プリプレグ）を用い、更にこの厚さ１３０
μｍの未硬化樹脂層の上に酸化アルミニウム（昭和電工
製、ＡＳ−５０）をビスフェノール型エポキシ樹脂に５
０重量％配合した厚さ３０μｍの未硬化樹脂層（プリプ
レグ）からなる接着層３を重ねて２層構造とし、この積
層型の接着層３において金属製板状体１側と反対側に実
施例１で用いたものと同様の導体パターン層４を加熱圧
着した金属ベース基板を形成した。即ち、絶縁層２と接
着層３とを同時に加熱加圧して硬化させた。なお、導体
パターン層４を加熱圧着した後（硬化後）の樹脂層（硬
化層）の厚さは合せて５０μｍであった。
４０ｍｍで板厚が２．０ｍｍ）１の片面に、酸化アルミ
ニウム（昭和電工製、ＡＳ−５０）をビスフェノール型
エポキシ樹脂に８５重量％配合した厚さ１３０μｍの未
硬化樹脂層（プリプレグ）を用い、更にこの厚さ１３０
μｍの未硬化樹脂層の上に酸化アルミニウム（昭和電工
製、ＡＳ−５０）をビスフェノール型エポキシ樹脂に５
０重量％配合した厚さ３０μｍの未硬化樹脂層（プリプ
レグ）からなる接着層３を重ねて２層構造とし、この積
層型の接着層３において金属製板状体１側と反対側に実
施例１で用いたものと同様の導体パターン層４を加熱圧
着した金属ベース基板を形成した。即ち、絶縁層２と接
着層３とを同時に加熱加圧して硬化させた。なお、導体
パターン層４を加熱圧着した後（硬化後）の樹脂層（硬
化層）の厚さは合せて５０μｍであった。
【００４９】前述の各実施例及び各比較例で得た金属ベ
ース基板について、以下の方法で絶縁破壊電圧と熱伝導
率を測定した。
ース基板について、以下の方法で絶縁破壊電圧と熱伝導
率を測定した。
【００５０】まず、絶縁破壊電圧は、金属ベース基板の
導体パターン層４にプローブピンを当て、昇圧速度１ｋ
Ｖ／秒で、６０Ｈｚの交流電流を印加し、カットオフ電
流２０ｍＡで絶縁破壊電圧を測定した。
導体パターン層４にプローブピンを当て、昇圧速度１ｋ
Ｖ／秒で、６０Ｈｚの交流電流を印加し、カットオフ電
流２０ｍＡで絶縁破壊電圧を測定した。
【００５１】又、熱硬化性樹脂組成物からなる絶縁層及
び接着層をそれぞれ積層し、加熱加圧して板厚２．０ｍ
ｍ、直径５０ｍｍの各硬化体を作成し、熱流型熱伝導測
定器（Ｈｏｌｏｍｅｔｏｒｉｘ製ＴＣＡ−２００）を使
い、各硬化体の熱伝導率を測定した（ＡＳＴＭ Ｅ １
５３０に準拠する。）。これらの測定結果は、表１に示
す通りである。
び接着層をそれぞれ積層し、加熱加圧して板厚２．０ｍ
ｍ、直径５０ｍｍの各硬化体を作成し、熱流型熱伝導測
定器（Ｈｏｌｏｍｅｔｏｒｉｘ製ＴＣＡ−２００）を使
い、各硬化体の熱伝導率を測定した（ＡＳＴＭ Ｅ １
５３０に準拠する。）。これらの測定結果は、表１に示
す通りである。
【００５２】
【表１】
【００５３】表１に示すように、予め硬化させた絶縁層
２を設けた実施例１及び実施例２では導体パターン層４
を接着した後の絶縁層２と接着層３との合計層厚、即
ち、絶縁間隔が１５０μｍであり、十分に絶縁破壊電圧
を高くすることができたのに対して、比較例１及び比較
例２では、導体パターン層４を接着した後の絶縁間隔が
５０μｍ或いは６０μｍに減少し、必要な絶縁破壊電圧
を得ることができないことが分る。
２を設けた実施例１及び実施例２では導体パターン層４
を接着した後の絶縁層２と接着層３との合計層厚、即
ち、絶縁間隔が１５０μｍであり、十分に絶縁破壊電圧
を高くすることができたのに対して、比較例１及び比較
例２では、導体パターン層４を接着した後の絶縁間隔が
５０μｍ或いは６０μｍに減少し、必要な絶縁破壊電圧
を得ることができないことが分る。
【００５４】又、実施例１及び実施例２では導体パター
ン層４の接着前後で絶縁層２の層厚が変わらず、絶縁層
２と接着層３との合計層厚（絶縁間隔）は接着前の１６
０μｍから接着後に１５０μｍに減少したのに対して、
比較例１では絶縁間隔が導体パターン層４の接着前の１
６０μｍから５０μｍに大きく変化し、比較例２では絶
縁間隔が導体パターン層４の接着前の１６０μｍから６
０μｍに大きく変化している。このことから、比較例１
及び比較例２は導体パターン層４を接着する時に大きく
絶縁間隔が変化するので、この絶縁空間に充填された樹
脂層の層厚が不安定になり易く、又、製品間で層厚が不
均一になり易く、その結果、金属製板状体１と導体パタ
ーン層４との間に隙間が生じたり、寸法精度及び電気的
特性に対する信頼性が欠けるのに対し、実施例１及び実
施例２は導体パターン層４を接着するときの絶縁間隔の
寸法変化が小さいので層厚が安定し、又、製品間でも層
厚が均一になり、寸法精度及び誘電性、耐電圧などの電
気的特性に対する信頼性が著しく高められることが認め
られる。
ン層４の接着前後で絶縁層２の層厚が変わらず、絶縁層
２と接着層３との合計層厚（絶縁間隔）は接着前の１６
０μｍから接着後に１５０μｍに減少したのに対して、
比較例１では絶縁間隔が導体パターン層４の接着前の１
６０μｍから５０μｍに大きく変化し、比較例２では絶
縁間隔が導体パターン層４の接着前の１６０μｍから６
０μｍに大きく変化している。このことから、比較例１
及び比較例２は導体パターン層４を接着する時に大きく
絶縁間隔が変化するので、この絶縁空間に充填された樹
脂層の層厚が不安定になり易く、又、製品間で層厚が不
均一になり易く、その結果、金属製板状体１と導体パタ
ーン層４との間に隙間が生じたり、寸法精度及び電気的
特性に対する信頼性が欠けるのに対し、実施例１及び実
施例２は導体パターン層４を接着するときの絶縁間隔の
寸法変化が小さいので層厚が安定し、又、製品間でも層
厚が均一になり、寸法精度及び誘電性、耐電圧などの電
気的特性に対する信頼性が著しく高められることが認め
られる。
【００５５】加えて、表１に示す結果から、熱伝導率の
面でも各実施例のものが各比較例ものに比べて何ら遜色
がなく、実用上問題がないことが分る。
面でも各実施例のものが各比較例ものに比べて何ら遜色
がなく、実用上問題がないことが分る。
【００５６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明物品は、
金属製板状体の片面又は両面に絶縁層を積層した樹脂積
層板状体と、この樹脂積層板状体における絶縁層上に接
着層を介して積層した導体パターン層とを備えることを
特徴とするので、本発明物品によれば、導体パターン層
と金属製板状体との間にシート状の接着層及び絶縁層が
介在し、導体パターン層と金属製板状体との間に空隙が
生じるおそれが無くなるという作用が得られるから、半
導体素子及びこれに接続されている導体パターン層の発
熱を確実に接着層及び絶縁層を介して金属製板状体に伝
導し、この金属製板状体から周囲に放散させることによ
り放熱効果を著しく高めることができるという効果を得
ることができる。
金属製板状体の片面又は両面に絶縁層を積層した樹脂積
層板状体と、この樹脂積層板状体における絶縁層上に接
着層を介して積層した導体パターン層とを備えることを
特徴とするので、本発明物品によれば、導体パターン層
と金属製板状体との間にシート状の接着層及び絶縁層が
介在し、導体パターン層と金属製板状体との間に空隙が
生じるおそれが無くなるという作用が得られるから、半
導体素子及びこれに接続されている導体パターン層の発
熱を確実に接着層及び絶縁層を介して金属製板状体に伝
導し、この金属製板状体から周囲に放散させることによ
り放熱効果を著しく高めることができるという効果を得
ることができる。
【００５７】又、本発明物品によれば、絶縁層を硬化さ
せた後に接着層を解して導体パターン層を積層するの
で、導体パターン層の積層時に絶縁層の層厚が変化せ
ず、金属製板状体とデバイスの導体との間に一定以上の
均一な絶縁間隔を確保できる作用があるので、金属製板
状体と導体パターン層との間の電気的特性を均一にする
ことができる結果、絶縁性（耐電圧）、静電容量などの
電気的特性に対する信頼性を著しく高めることができ
る、という効果を得ることができる。
せた後に接着層を解して導体パターン層を積層するの
で、導体パターン層の積層時に絶縁層の層厚が変化せ
ず、金属製板状体とデバイスの導体との間に一定以上の
均一な絶縁間隔を確保できる作用があるので、金属製板
状体と導体パターン層との間の電気的特性を均一にする
ことができる結果、絶縁性（耐電圧）、静電容量などの
電気的特性に対する信頼性を著しく高めることができ
る、という効果を得ることができる。
【００５８】更に、本発明方法は、金属製板状体の片面
又は両面に熱硬化性樹脂組成物を積層、硬化させて絶縁
層を形成することにより樹脂積層板状体を製造した後、
この樹脂積層板状体における絶縁層上に接着層を積層
し、更に、予め仮着性接着シートを片面に仮着した導体
パターン層をこの導体パターン層側が前記接着層に接す
るように積層して接着層上に導体パターン層を接着した
後、仮着性接着シートを導体パターン層より剥離するこ
とを特徴とするので、この本発明方法によって本発明物
品を好適に製造することができるという効果が得られ
る。
又は両面に熱硬化性樹脂組成物を積層、硬化させて絶縁
層を形成することにより樹脂積層板状体を製造した後、
この樹脂積層板状体における絶縁層上に接着層を積層
し、更に、予め仮着性接着シートを片面に仮着した導体
パターン層をこの導体パターン層側が前記接着層に接す
るように積層して接着層上に導体パターン層を接着した
後、仮着性接着シートを導体パターン層より剥離するこ
とを特徴とするので、この本発明方法によって本発明物
品を好適に製造することができるという効果が得られ
る。
【００５９】
【図１】図１は、本発明物品を模式的に示す断面図であ
る。
る。
【図２】図２は、本発明方法を説明する工程説明図であ
る。
る。
１ 金属製板状体 ２ 絶縁層 ３ 接着層 ４ 導体パターン層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/20 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｍ 3/44 Ｒ 23/36 Ｃ (72)発明者 米村 裕行 福井県坂井郡丸岡町舟寄110号１番地１ 日東シンコー株式会社内 (72)発明者 岡本 健次 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 仁科 努 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 内田 真治 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5E315 AA03 AA05 AA13 BB01 BB11 BB14 BB15 CC15 CC16 CC23 DD13 5E338 AA01 AA02 AA11 AA18 BB63 BB71 BB75 CC04 EE02 5E343 AA02 AA13 AA17 AA22 AA38 BB05 BB15 BB21 BB66 DD56 EE21 ER52 GG14 GG20 5F036 AA01 BA23 BB01 BB21
Claims (3)
- 【請求項１】 金属製板状体の片面又は両面に絶縁層を
積層した樹脂積層板状体と、この樹脂積層板状体におけ
る絶縁層上に接着層を介して積層した導体パターン層と
を備えることを特徴とする金属ベース基板。 - 【請求項２】 絶縁層と接着層との一方又は両方に高熱
伝導性の充填材が配合されている請求項１に記載の金属
ベース基板。 - 【請求項３】 金属製板状体の片面又は両面に熱硬化性
樹脂組成物を積層、硬化させて絶縁層を形成することに
より樹脂積層板状体を製造した後、この樹脂積層板状体
における絶縁層上に接着層を積層し、更に、予め仮着性
接着シートを片面に仮着した導体パターン層をこの導体
パターン層側が前記接着層に接するように積層して接着
層上に導体パターン層を接着した後、仮着性接着シート
を導体パターン層より剥離することを特徴とする金属ベ
ース基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001137445A JP2002335056A (ja) | 2001-05-08 | 2001-05-08 | 金属ベース基板及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009194373A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-08-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置用配線部材、半導体装置用複合配線部材、および樹脂封止型半導体装置 |
| TWI416688B (zh) * | 2009-01-13 | 2013-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | A wiring device for a semiconductor device, a composite wiring member for a semiconductor device, and a resin-sealed semiconductor device |
| JP2018137316A (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 絶縁回路基板、絶縁回路基板の製造方法 |
| CN114026964A (zh) * | 2019-04-05 | 2022-02-08 | 生物-医学研究有限公司 | 罩套中的电绝缘材料 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083397A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | 松下電器産業株式会社 | 金属芯入り印刷配線板の製造方法 |
| JPS61189694A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | イビデン株式会社 | 金属基材プリント配線板およびその製造方法 |
| JPH01316992A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-21 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 銅張積層配線板の製造方法 |
| JPH08153427A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-06-11 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | フラット配線体の製造方法 |
| JPH11186679A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁基板およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-05-08 JP JP2001137445A patent/JP2002335056A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083397A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | 松下電器産業株式会社 | 金属芯入り印刷配線板の製造方法 |
| JPS61189694A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | イビデン株式会社 | 金属基材プリント配線板およびその製造方法 |
| JPH01316992A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-21 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 銅張積層配線板の製造方法 |
| JPH08153427A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-06-11 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | フラット配線体の製造方法 |
| JPH11186679A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁基板およびその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009194373A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-08-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置用配線部材、半導体装置用複合配線部材、および樹脂封止型半導体装置 |
| US8796832B2 (en) | 2008-01-15 | 2014-08-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Wiring device for semiconductor device, composite wiring device for semiconductor device, and resin-sealed semiconductor device |
| TWI416688B (zh) * | 2009-01-13 | 2013-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | A wiring device for a semiconductor device, a composite wiring member for a semiconductor device, and a resin-sealed semiconductor device |
| JP2018137316A (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 絶縁回路基板、絶縁回路基板の製造方法 |
| CN114026964A (zh) * | 2019-04-05 | 2022-02-08 | 生物-医学研究有限公司 | 罩套中的电绝缘材料 |
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