JP2002334612A - 高誘電率複合材料とそれを用いた多層配線板 - Google Patents
高誘電率複合材料とそれを用いた多層配線板Info
- Publication number
- JP2002334612A JP2002334612A JP2002030227A JP2002030227A JP2002334612A JP 2002334612 A JP2002334612 A JP 2002334612A JP 2002030227 A JP2002030227 A JP 2002030227A JP 2002030227 A JP2002030227 A JP 2002030227A JP 2002334612 A JP2002334612 A JP 2002334612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- composite material
- high dielectric
- metal
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/642—Capacitive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0215—Metallic fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0218—Composite particles, i.e. first metal coated with second metal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/254—Polymeric or resinous material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/256—Heavy metal or aluminum or compound thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/269—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension including synthetic resin or polymer layer or component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
- Y10T428/2998—Coated including synthetic resin or polymer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31—Surface property or characteristic of web, sheet or block
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、有機樹脂に金属粉を必須成分とする
無機フィラを分散してなる誘電率が２５以上，１００Ｍ
Ｈｚから８０ＧＨｚの周波数領域で誘電正接が０.１ 以
下の高誘電率複合材料、それを用いた多層配線板および
モジュール基板提供することにある。 【解決手段】金属を必須成分とし無機フィラを分散させ
たサイズがミクロン以下の粒子に対して化成処理等の絶
縁処理を施し、更に有機樹脂との相溶性向上のための表
面処理を施した後、有機樹脂と複合化した高誘電率複合
材料にある。
無機フィラを分散してなる誘電率が２５以上，１００Ｍ
Ｈｚから８０ＧＨｚの周波数領域で誘電正接が０.１ 以
下の高誘電率複合材料、それを用いた多層配線板および
モジュール基板提供することにある。 【解決手段】金属を必須成分とし無機フィラを分散させ
たサイズがミクロン以下の粒子に対して化成処理等の絶
縁処理を施し、更に有機樹脂との相溶性向上のための表
面処理を施した後、有機樹脂と複合化した高誘電率複合
材料にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、受動素子であるキ
ャパシタを多層配線板内に形成した多層配線板の材料で
ある高誘電率材料、それを用いた多層配線板およびモジ
ュール基板に関する。
ャパシタを多層配線板内に形成した多層配線板の材料で
ある高誘電率材料、それを用いた多層配線板およびモジ
ュール基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度表面実装を実現させるため、基板
においては、バイアホールの微細化，配線ピッチの狭隘
化，ビルドアップ方式の採用等の検討が行われている。
さらにＩＣパッケージの小型化，多ピン化、およびコン
デンサや抵抗等の受動部品の小型化，表面実装化も行わ
れている。一方、受動素子の小型化の進展とともに製造
や実装時の取り扱いがより困難となりつつあり、従来の
やり方ではその限界が明らかになってきた。その解決方
法として、受動素子を直接、プリント配線板の表面ある
いは内部に形成することが提案されている。これによっ
て、受動素子のチップ部品をプリント配線板上に搭載す
る必要がなくなり、高密度化とともに信頼性の向上も図
ることができる。セラミック基板で行われているよう
な、金属や絶縁体のペーストを用い塗布焼結する方法
は、特に耐熱的に劣る有機基板上にはそのまま適用でき
ない。
においては、バイアホールの微細化，配線ピッチの狭隘
化，ビルドアップ方式の採用等の検討が行われている。
さらにＩＣパッケージの小型化，多ピン化、およびコン
デンサや抵抗等の受動部品の小型化，表面実装化も行わ
れている。一方、受動素子の小型化の進展とともに製造
や実装時の取り扱いがより困難となりつつあり、従来の
やり方ではその限界が明らかになってきた。その解決方
法として、受動素子を直接、プリント配線板の表面ある
いは内部に形成することが提案されている。これによっ
て、受動素子のチップ部品をプリント配線板上に搭載す
る必要がなくなり、高密度化とともに信頼性の向上も図
ることができる。セラミック基板で行われているよう
な、金属や絶縁体のペーストを用い塗布焼結する方法
は、特に耐熱的に劣る有機基板上にはそのまま適用でき
ない。
【０００３】上記のような受動素子を有機基板上に形成
する方法としては、すでに有機高分子と高誘電率フィラ
との混合物を塗布する方法（P. Chanel ほか、第４６回
Electric Componets and Technology Conference,第１
２５−１３２頁,１９９６年，Y. Rao ほか、2000 Elect
ric Componets and Technology Conference，第６１５
−６１８頁，２０００年），特開平６−１７２６１８号
公報にチタン酸バリウム等の無機フィラを高充填化する
技術や、低温で成膜可能な電子サイクロトロン共鳴化学
気相生長法（ＥＣＲ−ＣＶＤ）を用いる方法（松井輝仁
ほか、サーキットテクノロジ，第９巻，第４９７−５０
２頁，１９９４年）等が提案されている。
する方法としては、すでに有機高分子と高誘電率フィラ
との混合物を塗布する方法（P. Chanel ほか、第４６回
Electric Componets and Technology Conference,第１
２５−１３２頁,１９９６年，Y. Rao ほか、2000 Elect
ric Componets and Technology Conference，第６１５
−６１８頁，２０００年），特開平６−１７２６１８号
公報にチタン酸バリウム等の無機フィラを高充填化する
技術や、低温で成膜可能な電子サイクロトロン共鳴化学
気相生長法（ＥＣＲ−ＣＶＤ）を用いる方法（松井輝仁
ほか、サーキットテクノロジ，第９巻，第４９７−５０
２頁，１９９４年）等が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】有機樹脂との複合材と
して誘電率を高めるにはフィラを高充填しなくてはなら
ない。しかし、樹脂中に上記無機フィラを高充填化する
と、無機フィラと樹脂との相溶性が悪いため、樹脂硬化
の際空隙が発生しやすい。また、無機フィラと樹脂との
界面の接着性が低いため、界面での剥離が発生し易い。
そのため無機フィラを高充填化した樹脂複合材料を絶縁
材料として使用する際に絶縁耐圧またはリーク電流の観
点から信頼性に乏しいという問題がある。
して誘電率を高めるにはフィラを高充填しなくてはなら
ない。しかし、樹脂中に上記無機フィラを高充填化する
と、無機フィラと樹脂との相溶性が悪いため、樹脂硬化
の際空隙が発生しやすい。また、無機フィラと樹脂との
界面の接着性が低いため、界面での剥離が発生し易い。
そのため無機フィラを高充填化した樹脂複合材料を絶縁
材料として使用する際に絶縁耐圧またはリーク電流の観
点から信頼性に乏しいという問題がある。
【０００５】また、ＥＣＲ−ＣＶＤを用いる方法は、特
殊な装置が必要であること、バッチ処理で安価に誘電体
薄膜を形成できないこと、形状の複雑な誘電体薄膜の形
成が困難であることなどに問題があった。
殊な装置が必要であること、バッチ処理で安価に誘電体
薄膜を形成できないこと、形状の複雑な誘電体薄膜の形
成が困難であることなどに問題があった。
【０００６】一方、高誘電率化する方法として、金属粉
末の一般的なサイズである平均粒径数十μｍ以上の金属
粉末を有機樹脂中に充填する方法が考えられる。それら
複合材料の誘電率は数十以上の値と良好な数値を示すも
のの、表皮効果による誘電正接が０.１ 以上の大きな値
を示す上に、さらに大きな問題として、有機樹脂／金属
の複合材は絶縁性が極めて悪い。また、有機樹脂と金属
との混合性が無機材料と同様に悪い。
末の一般的なサイズである平均粒径数十μｍ以上の金属
粉末を有機樹脂中に充填する方法が考えられる。それら
複合材料の誘電率は数十以上の値と良好な数値を示すも
のの、表皮効果による誘電正接が０.１ 以上の大きな値
を示す上に、さらに大きな問題として、有機樹脂／金属
の複合材は絶縁性が極めて悪い。また、有機樹脂と金属
との混合性が無機材料と同様に悪い。
【０００７】本発明の目的は、体積固有抵抗が１０9Ω
以上であり、数十ＧＨｚオーダーの高周波数でも１５以
上の高い誘電率と、且つ０.１ 以下の低誘電正接とを有
する高誘電率複合材料、それを用いた多層配線基板を提
供することにある。
以上であり、数十ＧＨｚオーダーの高周波数でも１５以
上の高い誘電率と、且つ０.１ 以下の低誘電正接とを有
する高誘電率複合材料、それを用いた多層配線基板を提
供することにある。
【０００８】また、受動素子を直接、プリント配線板の
表面あるいは内部に形成することが可能である、加工性
が良好な有機樹脂と複合化した高誘電率複合材料と、そ
れを用いた多層配線板を提供することにある。
表面あるいは内部に形成することが可能である、加工性
が良好な有機樹脂と複合化した高誘電率複合材料と、そ
れを用いた多層配線板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
には周波数が８０ＧＨｚオーダーでも表皮効果によるエ
ネルギー損失が発生しない金属粉を用いることが必須で
あり、そのためには金属粉のサイズがサブミクロンであ
ることとその金属粉１つ１つの絶縁性を確保することが
重要である。個々の金属粉の絶縁処理には種々の方法が
あるが良好な絶縁性を得るにはリン酸塩，クロム酸塩等
の無機塩による化成処理が有効である。これは、無機塩
による化成処理により、金属紛の表面に無機塩による絶
縁被膜が形成されるからである。また、無機塩絶縁被膜
は他の絶縁被膜に比べて、高い耐熱，耐湿信頼性を有す
る。
には周波数が８０ＧＨｚオーダーでも表皮効果によるエ
ネルギー損失が発生しない金属粉を用いることが必須で
あり、そのためには金属粉のサイズがサブミクロンであ
ることとその金属粉１つ１つの絶縁性を確保することが
重要である。個々の金属粉の絶縁処理には種々の方法が
あるが良好な絶縁性を得るにはリン酸塩，クロム酸塩等
の無機塩による化成処理が有効である。これは、無機塩
による化成処理により、金属紛の表面に無機塩による絶
縁被膜が形成されるからである。また、無機塩絶縁被膜
は他の絶縁被膜に比べて、高い耐熱，耐湿信頼性を有す
る。
【００１０】また、有機樹脂を用いた複合材料として誘
電率を大きくするには、該金属粉の有機樹脂への高充填
化が重要であるが、そのためには該金属粉と有機樹脂と
の相溶性を向上させることが必須である。それには金属
表面及び金属上の絶縁被膜表面と化学結合が形成可能
で、また、有機樹脂とも化学結合の形成が可能なカップ
リング処理が有効である。
電率を大きくするには、該金属粉の有機樹脂への高充填
化が重要であるが、そのためには該金属粉と有機樹脂と
の相溶性を向上させることが必須である。それには金属
表面及び金属上の絶縁被膜表面と化学結合が形成可能
で、また、有機樹脂とも化学結合の形成が可能なカップ
リング処理が有効である。
【００１１】本発明の要旨を以下に説明する。
【００１２】即ち、本発明は有機樹脂に金属粉を必須成
分とする無機フィラを分散してなる誘電率が１５以上の
高誘電率複合材料であることを第１番目の特徴とする。
この高誘電率材料は１００ＭＨｚから８０ＧＨｚの周波
数領域で誘電正接が０.１ 以下であることが第２番目の
特徴である。１００ＭＨｚから８０ＧＨｚの周波数領域
で誘電正接が０.１ 以下であるためには、金属粉を必須
成分とする無機フィラ中の各成分の平均粒径が５μｍ以
下であることが必要であることも本発明により明らかと
なった。ここで、樹脂ワニス中で金属の沈殿を防止する
ために金属酸化物の無機フィラを添加してもよい。ま
た、金属紛と金属紛以外の無機フィラとの複合化によ
り、金属紛の粒径をミクロン以下にした複合材料を用い
ることも有効である。金属粉の表面を処理して酸化膜を
形成させるか、又は有機樹脂によるコーティング等によ
り絶縁処理がなされた金属粉を必須成分とする無機フィ
ラを用いることにより高周波数領域で誘電正接をより小
さくし、かつ十分な絶縁性を確保するために重要な技術
であることが第４番目の特徴である。高誘電率と絶縁性
を両立するために金属酸化物を併用することは、さらに
効果があり、金属粉の周辺を金属酸化物で被覆する方法
等が適用できる。この絶縁処理または金属酸化物による
被膜により、本発明の高誘電複合材料は体積固有抵抗１
０9Ω 以上を有し、電子材料用の基板に適している。
分とする無機フィラを分散してなる誘電率が１５以上の
高誘電率複合材料であることを第１番目の特徴とする。
この高誘電率材料は１００ＭＨｚから８０ＧＨｚの周波
数領域で誘電正接が０.１ 以下であることが第２番目の
特徴である。１００ＭＨｚから８０ＧＨｚの周波数領域
で誘電正接が０.１ 以下であるためには、金属粉を必須
成分とする無機フィラ中の各成分の平均粒径が５μｍ以
下であることが必要であることも本発明により明らかと
なった。ここで、樹脂ワニス中で金属の沈殿を防止する
ために金属酸化物の無機フィラを添加してもよい。ま
た、金属紛と金属紛以外の無機フィラとの複合化によ
り、金属紛の粒径をミクロン以下にした複合材料を用い
ることも有効である。金属粉の表面を処理して酸化膜を
形成させるか、又は有機樹脂によるコーティング等によ
り絶縁処理がなされた金属粉を必須成分とする無機フィ
ラを用いることにより高周波数領域で誘電正接をより小
さくし、かつ十分な絶縁性を確保するために重要な技術
であることが第４番目の特徴である。高誘電率と絶縁性
を両立するために金属酸化物を併用することは、さらに
効果があり、金属粉の周辺を金属酸化物で被覆する方法
等が適用できる。この絶縁処理または金属酸化物による
被膜により、本発明の高誘電複合材料は体積固有抵抗１
０9Ω 以上を有し、電子材料用の基板に適している。
【００１３】金属粉として使用される金属は、周期律表
の２Ａ，１Ｂ，２Ｂ，３Ｂ，４Ｂ，５Ｂ，６Ｂ，７Ｂ，
８，３Ａ，４Ａ，５Ａ族の元素（但し、ホウ素，炭素，
窒素，リン，ヒ素は除く）及びその合金があげられる。
具体的にはＡｌ，Ｍｎ，Ｓｉ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｗ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｂ及びその合金である。
の２Ａ，１Ｂ，２Ｂ，３Ｂ，４Ｂ，５Ｂ，６Ｂ，７Ｂ，
８，３Ａ，４Ａ，５Ａ族の元素（但し、ホウ素，炭素，
窒素，リン，ヒ素は除く）及びその合金があげられる。
具体的にはＡｌ，Ｍｎ，Ｓｉ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｗ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｂ及びその合金である。
【００１４】本発明でいう有機樹脂とはエポキシ樹脂，
フェノール樹脂，ビスマレイミド樹脂，シアネート樹脂
の熱硬化性樹脂の他にポリイミド樹脂，ポリフェニレン
オキサイド，ポリフェニレンスルフォン等の熱可塑性樹
脂あるいはこれらの混合物を適用できる。場合によって
はメチルエチルケトン，イソプロピルアルコール，メチ
ルセロソルブ等の溶媒に分散させてペースト状あるいは
デイスパージョンさせてスクリーン印刷やスピンコート
させて高誘電層を形成させることができる。
フェノール樹脂，ビスマレイミド樹脂，シアネート樹脂
の熱硬化性樹脂の他にポリイミド樹脂，ポリフェニレン
オキサイド，ポリフェニレンスルフォン等の熱可塑性樹
脂あるいはこれらの混合物を適用できる。場合によって
はメチルエチルケトン，イソプロピルアルコール，メチ
ルセロソルブ等の溶媒に分散させてペースト状あるいは
デイスパージョンさせてスクリーン印刷やスピンコート
させて高誘電層を形成させることができる。
【００１５】本発明の他の特徴として、電極間に誘電体
層が介在してなるキャパシタを回路中に形成した多層配
線板において、キャパシタとして、有機樹脂に表面を絶
縁処理およびカップリング処理または表面処理された金
属粉を必須成分とする無機フィラを分散した複合体を用
いることにより、電気容量の大きいコンデンサを内蔵し
た多層配線板が得られる。
層が介在してなるキャパシタを回路中に形成した多層配
線板において、キャパシタとして、有機樹脂に表面を絶
縁処理およびカップリング処理または表面処理された金
属粉を必須成分とする無機フィラを分散した複合体を用
いることにより、電気容量の大きいコンデンサを内蔵し
た多層配線板が得られる。
【００１６】更に、本発明の他の特徴として、電極間に
誘電体層が介在してなるキャパシタを回路中に形成した
モジュール基板において、キャパシタとして、有機樹脂
により表面を絶縁処理およびカップリング処理された金
属粉を必須成分とする無機フィラを分散した複合体を用
いることにより、電気容量の大きいコンデンサを内蔵し
たモジュール基板が得られる。
誘電体層が介在してなるキャパシタを回路中に形成した
モジュール基板において、キャパシタとして、有機樹脂
により表面を絶縁処理およびカップリング処理された金
属粉を必須成分とする無機フィラを分散した複合体を用
いることにより、電気容量の大きいコンデンサを内蔵し
たモジュール基板が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の発明者らは、周波数が数
十ＧＨｚオーダーでも２５以上の誘電率且つ０.１ 以下
の誘電正接を有する有機樹脂を含む複合材料を得るに
は、無機塩による化成処理を用いた絶縁処理を施し、更
に、カップリング処理を施したミクロン以下のサイズの
金属粉を有機樹脂に充填することが有効であることを見
出した。
十ＧＨｚオーダーでも２５以上の誘電率且つ０.１ 以下
の誘電正接を有する有機樹脂を含む複合材料を得るに
は、無機塩による化成処理を用いた絶縁処理を施し、更
に、カップリング処理を施したミクロン以下のサイズの
金属粉を有機樹脂に充填することが有効であることを見
出した。
【００１８】ここで、ミクロン以下のサイズの金属粉を
用いるのは、８０ＧＨｚオーダーの周波数での表皮効果
によるエネルギー損失を小さくするためである。また、
無機塩を用いた化成処理により個々の金属粉の絶縁性を
確保することが重要なのも同様の理由である。絶縁処理
を施した金属粉に対してカップリング処理を行うのは、
樹脂との相溶性を向上させることが重要であるからであ
る。これは樹脂への金属粉の高充填化のみならず、混合
物の加工性の向上と金属粉の沈降を抑制するためであ
る。
用いるのは、８０ＧＨｚオーダーの周波数での表皮効果
によるエネルギー損失を小さくするためである。また、
無機塩を用いた化成処理により個々の金属粉の絶縁性を
確保することが重要なのも同様の理由である。絶縁処理
を施した金属粉に対してカップリング処理を行うのは、
樹脂との相溶性を向上させることが重要であるからであ
る。これは樹脂への金属粉の高充填化のみならず、混合
物の加工性の向上と金属粉の沈降を抑制するためであ
る。
【００１９】また、金属紛の絶縁処理により有機物と複
合化した高誘電率複合材料は、109Ω以上の体積固有抵
抗を有する。
合化した高誘電率複合材料は、109Ω以上の体積固有抵
抗を有する。
【００２０】以下、実施例により本発明の効果を具体的
に説明する。
に説明する。
【００２１】（実施例１）本発明の第１の実施例である
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＰ８２８（（株）油化シ
ェル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレ
ンジアミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤と
して２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。
高誘電率複合材料の原料として、平均粒径０.５μｍの
鉄粉を用いた。鉄粉の絶縁処理液には防錆剤としてベン
ゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１
０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させた
リン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理後の鉄粉の表面
処理液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）平均粒径０.５μｍ の鉄粉１kgに対して絶縁処理
液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、１
８０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後の鉄粉の断
面図を図１に示す。図１のように、絶縁処理後の鉄粉１
は、鉄粉１の表面が絶縁処理膜２により被覆された形状
となる。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た鉄粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１時
間とした。表面処理後の鉄粉の断面図を図２に示す。表
面処理後の鉄粉１は、絶縁処理膜２の表面に更に表面処
理膜３が被覆された形状となる。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８２８に対して（２）で
表面処理を施した鉄粉を体積で５０％になるように加
え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混合物にメ
タフェニレンジアミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂
と当量になるように加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポ
キシ樹脂に対して０.５ 重量部加えて同様に３本ロール
を用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本発明の高誘電
率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の断
面図を図３に示す。本実施例の高誘電率複合材料は、有
機樹脂４に金属紛１の表面に絶縁処理膜２が形成され、
更にその表面に表面処理膜３が形成された無機フィラが
分散した構造となる。
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＰ８２８（（株）油化シ
ェル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレ
ンジアミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤と
して２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。
高誘電率複合材料の原料として、平均粒径０.５μｍの
鉄粉を用いた。鉄粉の絶縁処理液には防錆剤としてベン
ゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１
０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させた
リン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理後の鉄粉の表面
処理液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）平均粒径０.５μｍ の鉄粉１kgに対して絶縁処理
液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、１
８０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後の鉄粉の断
面図を図１に示す。図１のように、絶縁処理後の鉄粉１
は、鉄粉１の表面が絶縁処理膜２により被覆された形状
となる。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た鉄粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１時
間とした。表面処理後の鉄粉の断面図を図２に示す。表
面処理後の鉄粉１は、絶縁処理膜２の表面に更に表面処
理膜３が被覆された形状となる。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８２８に対して（２）で
表面処理を施した鉄粉を体積で５０％になるように加
え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混合物にメ
タフェニレンジアミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂
と当量になるように加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポ
キシ樹脂に対して０.５ 重量部加えて同様に３本ロール
を用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本発明の高誘電
率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の断
面図を図３に示す。本実施例の高誘電率複合材料は、有
機樹脂４に金属紛１の表面に絶縁処理膜２が形成され、
更にその表面に表面処理膜３が形成された無機フィラが
分散した構造となる。
【００２２】次に本発明の高誘電率複合材料の誘電率及
び誘電正接について説明する。100ＭＨｚから５ＧＨｚ
の周波数域の測定には、本発明の高誘電率複合材料を外
形：７−０.０５mm ，内径：３.０４＋０.０６mm，厚
さ：２mm，４mmのトロイダル形状に仕上げた試料を用い
た。ネットワークアナライザー（ＨＰ製８７２０Ｃ）と
同軸エアラインから構成される測定系により、試料の誘
電率及び誘電正接を測定する場合には、自由空間の誘電
率が１となるように校正した後、同軸エアラインに試料
を挿入し、２つのポートを使用して測定した。５ＧＨｚ
から１０ＧＨｚの周波数域の測定には、本発明の高誘電
率複合材料を１mm×１mm×１００mmの角柱上の試料を、
２０ＧＨｚから４０ＧＨｚの周波数域の測定には、本発
明の高誘電率複合材料を１００μｍ厚のフィルム試料を
それぞれ用い、アジレントテクノロジー社製８７２２Ｅ
Ｓネットワークアナライザーにより空洞共振法で行っ
た。
び誘電正接について説明する。100ＭＨｚから５ＧＨｚ
の周波数域の測定には、本発明の高誘電率複合材料を外
形：７−０.０５mm ，内径：３.０４＋０.０６mm，厚
さ：２mm，４mmのトロイダル形状に仕上げた試料を用い
た。ネットワークアナライザー（ＨＰ製８７２０Ｃ）と
同軸エアラインから構成される測定系により、試料の誘
電率及び誘電正接を測定する場合には、自由空間の誘電
率が１となるように校正した後、同軸エアラインに試料
を挿入し、２つのポートを使用して測定した。５ＧＨｚ
から１０ＧＨｚの周波数域の測定には、本発明の高誘電
率複合材料を１mm×１mm×１００mmの角柱上の試料を、
２０ＧＨｚから４０ＧＨｚの周波数域の測定には、本発
明の高誘電率複合材料を１００μｍ厚のフィルム試料を
それぞれ用い、アジレントテクノロジー社製８７２２Ｅ
Ｓネットワークアナライザーにより空洞共振法で行っ
た。
【００２３】次に本発明の高誘電率複合材料の体積固有
抵抗について説明する。本発明の高誘電率複合材料の樹
脂板上に主電極外形５０mm，ガード電極内径５２mm，外
形８０mm，対向電極外形８０mmの電極を作製し、ＬＣＲ
メータ（ＨＰ４２４８Ａ）を用いて周波数１００ｋＨｚ
で行った。結果を表１に示す。
抵抗について説明する。本発明の高誘電率複合材料の樹
脂板上に主電極外形５０mm，ガード電極内径５２mm，外
形８０mm，対向電極外形８０mmの電極を作製し、ＬＣＲ
メータ（ＨＰ４２４８Ａ）を用いて周波数１００ｋＨｚ
で行った。結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】（実施例２）本発明の第２の実施例である
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＰ１００１（（株）油化
シェル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてジシアンジ
アミド（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。高誘
電率複合材料用原料として、平均粒径０.５μｍ の亜鉛
粉を用いた。亜鉛粉の絶縁処理液には防錆剤としてベン
ゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１
０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させた
リン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理後の亜鉛粉の表
面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）平均粒径０.５μｍの亜鉛粉１kgに対して絶縁処
理液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、
１８０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後の亜鉛粉
の断面図を図１に示す。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た亜鉛粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１
時間とした。表面処理後の亜鉛粉の断面図を図２に示
す。 （３）エポキシ樹脂ＥＰ１００１が重量で７０ｗｔ％に
なるようにメチルエチルケトンに溶解する。 （４）（３）のメチルエチルケトンに溶解したエポキシ
樹脂ＥＰ１００１に(２)で表面処理を施した亜鉛粉を樹
脂硬化後に体積で５０％になるように加え、３本ロール
を用いて混錬する。次にその混合物にジシアンジアミド
をエポキシ樹脂１００に対して２.５ 重量部になるよう
に加え、更にキュアゾールＣＮをエポキシ樹脂１００に
対して０.１重量部 になるように加えて同様に３本ロー
ルを用いて混錬する。 （５）（４）でできた混合物を１００℃の条件で溶媒除
去後、１８０℃，９０分加熱硬化すれば、本発明の高誘
電率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の
断面図を図３に示す。
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＰ１００１（（株）油化
シェル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてジシアンジ
アミド（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。高誘
電率複合材料用原料として、平均粒径０.５μｍ の亜鉛
粉を用いた。亜鉛粉の絶縁処理液には防錆剤としてベン
ゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１
０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させた
リン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理後の亜鉛粉の表
面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）平均粒径０.５μｍの亜鉛粉１kgに対して絶縁処
理液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、
１８０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後の亜鉛粉
の断面図を図１に示す。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た亜鉛粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１
時間とした。表面処理後の亜鉛粉の断面図を図２に示
す。 （３）エポキシ樹脂ＥＰ１００１が重量で７０ｗｔ％に
なるようにメチルエチルケトンに溶解する。 （４）（３）のメチルエチルケトンに溶解したエポキシ
樹脂ＥＰ１００１に(２)で表面処理を施した亜鉛粉を樹
脂硬化後に体積で５０％になるように加え、３本ロール
を用いて混錬する。次にその混合物にジシアンジアミド
をエポキシ樹脂１００に対して２.５ 重量部になるよう
に加え、更にキュアゾールＣＮをエポキシ樹脂１００に
対して０.１重量部 になるように加えて同様に３本ロー
ルを用いて混錬する。 （５）（４）でできた混合物を１００℃の条件で溶媒除
去後、１８０℃，９０分加熱硬化すれば、本発明の高誘
電率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の
断面図を図３に示す。
【００２６】次に本発明の高誘電率複合材料の誘電率，
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
【００２７】（実施例３）本発明の第３の実施例である
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＰ８０６（（株）油化シ
ェル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレ
ンジアミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤と
して２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。
高誘電率複合材料の原料として、平均粒径３μｍの亜鉛
粉を用いた。亜鉛粉の絶縁処理液には防錆剤としてベン
ゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１
０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させた
リン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理後の亜鉛粉の表
面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）平均粒径３μｍの亜鉛粉１kgに対して絶縁処理液
２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、１８
０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後の亜鉛粉の断
面図を図１に示す。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た亜鉛粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１
時間とした。表面処理後の亜鉛粉の断面図を図２に示
す。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８０６に対して（２）で
表面処理を施した亜鉛粉を体積で５０％になるように加
え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混合物にメ
タフェニレンジアミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂
と当量になるように加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポ
キシ樹脂に対して０.５ 重量部加えて同様に３本ロール
を用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本発明の高誘電
率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の断
面図を図３に示す。
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＰ８０６（（株）油化シ
ェル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレ
ンジアミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤と
して２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。
高誘電率複合材料の原料として、平均粒径３μｍの亜鉛
粉を用いた。亜鉛粉の絶縁処理液には防錆剤としてベン
ゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１
０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させた
リン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理後の亜鉛粉の表
面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）平均粒径３μｍの亜鉛粉１kgに対して絶縁処理液
２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、１８
０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後の亜鉛粉の断
面図を図１に示す。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た亜鉛粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１
時間とした。表面処理後の亜鉛粉の断面図を図２に示
す。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８０６に対して（２）で
表面処理を施した亜鉛粉を体積で５０％になるように加
え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混合物にメ
タフェニレンジアミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂
と当量になるように加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポ
キシ樹脂に対して０.５ 重量部加えて同様に３本ロール
を用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本発明の高誘電
率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の断
面図を図３に示す。
【００２８】次に本発明の高誘電率複合材料の誘電率，
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
【００２９】（実施例４）本発明の第４の実施例である
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＰ１００１（（株）油化
シェル製）、エポキシ樹脂の硬化剤としてジシアンジア
ミド（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として２
Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。高誘電
率複合材料用原料として、ボールミルを用いて粉砕した
平均粒径０.１μｍ の亜鉛粉を用いた。この亜鉛粉は凝
集していたため目開き５μｍのふるいを用いて、最大粒
径５μｍ以下の凝集した亜鉛粉を用いた。亜鉛粉の絶縁
処理液には防錆剤としてベンゾトリアゾール０.４mol／
ｌ、界面活性剤としてＥＦ１０４（トーケムプロダクツ
製）０.１ｗｔ％含有させたリン酸塩化成処理液を用い
た。絶縁処理後の亜鉛粉の表面処理液としてＳ５１０
（チッソ（株）製）を用いる。 （１）最大粒径５μｍの亜鉛粉凝集物１kgに対して絶縁
処理液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した
後、１８０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後の亜
鉛粉の断面図を図４に示す。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た亜鉛粉凝集物の表面処理を行った。処理条件は１５０
℃，１時間とした。表面処理後の亜鉛粉の断面図を図５
に示す。 （３）エポキシ樹脂ＥＰ１００１が重量で７０ｗｔ％に
なるようにメチルエチルケトンに溶解する。 （４）（３）のメチルエチルケトンに溶解したエポキシ
樹脂ＥＰ１００１に(２)で表面処理を施した亜鉛粉凝集
物を樹脂硬化後に体積で５０％になるように加え、３本
ロールを用いて混錬する。次にその混合物にジシアンジ
アミドをエポキシ樹脂１００に対して２.５重量部にな
るように加え、更にキュアゾールＣＮをエポキシ樹脂１
００に対して０.１ 重量部になるように加えて同様に３
本ロールを用いて混錬する。 （５）（４）でできた混合物を１００℃の条件で溶媒除
去後、１８０℃，９０分加熱硬化すれば、本発明の高誘
電率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の
断面図を図６に示す。
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＰ１００１（（株）油化
シェル製）、エポキシ樹脂の硬化剤としてジシアンジア
ミド（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として２
Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。高誘電
率複合材料用原料として、ボールミルを用いて粉砕した
平均粒径０.１μｍ の亜鉛粉を用いた。この亜鉛粉は凝
集していたため目開き５μｍのふるいを用いて、最大粒
径５μｍ以下の凝集した亜鉛粉を用いた。亜鉛粉の絶縁
処理液には防錆剤としてベンゾトリアゾール０.４mol／
ｌ、界面活性剤としてＥＦ１０４（トーケムプロダクツ
製）０.１ｗｔ％含有させたリン酸塩化成処理液を用い
た。絶縁処理後の亜鉛粉の表面処理液としてＳ５１０
（チッソ（株）製）を用いる。 （１）最大粒径５μｍの亜鉛粉凝集物１kgに対して絶縁
処理液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した
後、１８０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後の亜
鉛粉の断面図を図４に示す。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た亜鉛粉凝集物の表面処理を行った。処理条件は１５０
℃，１時間とした。表面処理後の亜鉛粉の断面図を図５
に示す。 （３）エポキシ樹脂ＥＰ１００１が重量で７０ｗｔ％に
なるようにメチルエチルケトンに溶解する。 （４）（３）のメチルエチルケトンに溶解したエポキシ
樹脂ＥＰ１００１に(２)で表面処理を施した亜鉛粉凝集
物を樹脂硬化後に体積で５０％になるように加え、３本
ロールを用いて混錬する。次にその混合物にジシアンジ
アミドをエポキシ樹脂１００に対して２.５重量部にな
るように加え、更にキュアゾールＣＮをエポキシ樹脂１
００に対して０.１ 重量部になるように加えて同様に３
本ロールを用いて混錬する。 （５）（４）でできた混合物を１００℃の条件で溶媒除
去後、１８０℃，９０分加熱硬化すれば、本発明の高誘
電率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の
断面図を図６に示す。
【００３０】次に本発明の高誘電率複合材料の誘電率，
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
【００３１】（実施例５）本発明の第５の実施例である
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＰ８０６（（株）油化シ
ェル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレ
ンジアミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤と
して２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。
高誘電率複合材料用原料として、平均粒径１μｍの銅粉
を用いた。クロムめっきした銅粉の絶縁処理液には防錆
剤としてベンゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤
としてＥＦ１０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ
％ 含有させたリン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理
後の金属粉の表面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）
製）を用いる。 （１）銅粉表面のクロムめっきには回転式水平バレル装
置を用いた電気めっきを行った。平均めっき膜厚は１０
ｎｍとした。めっき後の金属粉の断面図を図７に示す。 （２）（１）で作製した平均粒径１μｍのクロムめっき
した銅粉１kgに対して絶縁処理液２００ｍｌ加え、Ｖミ
キサーで３０分攪拌した後、１８０℃，６０分の熱処理
を行う。絶縁処理後の金属粉の断面図を図８に示す。 （３）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（２）で絶縁処理を施し
た金属粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１
時間とした。表面処理後の金属粉の断面図を図９に示
す。 （４）液状エポキシ樹脂のＥＰ８０６に対して（３）で
表面処理を施した金属粉を体積で５０％になるように加
え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混合物にメ
タフェニレンジアミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂
と当量になるように加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポ
キシ樹脂に対して０.５重量部加えて同様に３本ロール
を用いて混錬する。 （５）（４）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本発明の高誘電
率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の断
面図を図１０に示す。
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＰ８０６（（株）油化シ
ェル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレ
ンジアミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤と
して２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。
高誘電率複合材料用原料として、平均粒径１μｍの銅粉
を用いた。クロムめっきした銅粉の絶縁処理液には防錆
剤としてベンゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤
としてＥＦ１０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ
％ 含有させたリン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理
後の金属粉の表面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）
製）を用いる。 （１）銅粉表面のクロムめっきには回転式水平バレル装
置を用いた電気めっきを行った。平均めっき膜厚は１０
ｎｍとした。めっき後の金属粉の断面図を図７に示す。 （２）（１）で作製した平均粒径１μｍのクロムめっき
した銅粉１kgに対して絶縁処理液２００ｍｌ加え、Ｖミ
キサーで３０分攪拌した後、１８０℃，６０分の熱処理
を行う。絶縁処理後の金属粉の断面図を図８に示す。 （３）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（２）で絶縁処理を施し
た金属粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１
時間とした。表面処理後の金属粉の断面図を図９に示
す。 （４）液状エポキシ樹脂のＥＰ８０６に対して（３）で
表面処理を施した金属粉を体積で５０％になるように加
え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混合物にメ
タフェニレンジアミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂
と当量になるように加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポ
キシ樹脂に対して０.５重量部加えて同様に３本ロール
を用いて混錬する。 （５）（４）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本発明の高誘電
率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の断
面図を図１０に示す。
【００３２】次に本発明の高誘電率複合材料の誘電率，
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
【００３３】（実施例６）本発明の第６の実施例である
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＰ８０６（(株)油化シェ
ル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレン
ジアミン（和光純薬(株)製）を、及び硬化促進剤として
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成(株)製）を用いる。高誘電
率複合材料用原料として、平均粒径１μｍのクロム粉及
び平均粒径０.１μｍ のＡｌ2Ｏ3粉を用いた。クロム粉
の絶縁処理液には防錆剤としてベンゾトリアゾール０.
４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１０４（トーケムプ
ロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させたリン酸塩化成処理
液を用いた。絶縁処理後のクロム粉とＡｌ2Ｏ3粉の表面
処理液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）平均粒径１μｍのクロム粉１kgに対して絶縁処理
液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、１
８０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後のクロム粉
の断面図を図１１に示す。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
たクロム粉及びＡｌ2Ｏ3粉の表面処理を行った。処理条
件は１５０℃，１時間とした。表面処理後のクロム粉及
びＡｌ2Ｏ3粉の断面図を図１２に示す。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８０６に対して（２）で
表面処理を施したクロム粉及びＡｌ2Ｏ3粉（体積割合
３：１）を体積で６０％になるように加え、３本ロール
を用いて混錬する。次にその混合物にメタフェニレンジ
アミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂と当量になるよ
うに加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポキシ樹脂に対し
て０.５重量部加えて同様に３本ロールを用いて混錬す
る。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本発明の高誘電
率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の断
面図を図１３に示す。
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＰ８０６（(株)油化シェ
ル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレン
ジアミン（和光純薬(株)製）を、及び硬化促進剤として
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成(株)製）を用いる。高誘電
率複合材料用原料として、平均粒径１μｍのクロム粉及
び平均粒径０.１μｍ のＡｌ2Ｏ3粉を用いた。クロム粉
の絶縁処理液には防錆剤としてベンゾトリアゾール０.
４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１０４（トーケムプ
ロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させたリン酸塩化成処理
液を用いた。絶縁処理後のクロム粉とＡｌ2Ｏ3粉の表面
処理液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）平均粒径１μｍのクロム粉１kgに対して絶縁処理
液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、１
８０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後のクロム粉
の断面図を図１１に示す。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
たクロム粉及びＡｌ2Ｏ3粉の表面処理を行った。処理条
件は１５０℃，１時間とした。表面処理後のクロム粉及
びＡｌ2Ｏ3粉の断面図を図１２に示す。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８０６に対して（２）で
表面処理を施したクロム粉及びＡｌ2Ｏ3粉（体積割合
３：１）を体積で６０％になるように加え、３本ロール
を用いて混錬する。次にその混合物にメタフェニレンジ
アミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂と当量になるよ
うに加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポキシ樹脂に対し
て０.５重量部加えて同様に３本ロールを用いて混錬す
る。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本発明の高誘電
率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の断
面図を図１３に示す。
【００３４】次に本発明の高誘電率複合材料の誘電率，
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
【００３５】（実施例７）本発明の第７の実施例である
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＳＣＮ１９０−２
（（株）住友化学製）を、エポキシ樹脂の硬化剤として
Ｈ９００（東都化学（株）製）を、及び硬化促進剤とし
てＴＰＰ（北興化学（株）製）を用いる。高誘電率複合
材料用原料として、ナノレベルで混合した扁平状のＦｅ
−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉を用いた。尚、金属無機複
合材粉の短軸の平均サイズは０.２μｍ であり、Ｆｅの
Ａｌ2Ｏ3に対する体積割合は７：３である。用いたＦｅ
−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の断面図を図１４に示す。
Ｆｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の絶縁処理液には防錆
剤としてベンゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤
としてＥＦ１０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ
％ 含有させたリン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理
後の鉄粉の表面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）
製）を用いる。 （１）Ｆｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉１kgに対して絶
縁処理液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した
後、１８０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後のＦ
ｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の断面図を図１５に示
す。図１５のように、金属無機複合材６の表面に絶縁処
理膜２が被膜された形状となる。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
たＦｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の表面処理を行っ
た。処理条件は１５０℃，１時間とした。表面処理後の
Ｆｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の断面図を図１６に示
す。図１６のように、絶縁処理膜２の表面に表面処理膜
３が被膜された形状となる。 （３）エポキシ樹脂ＥＳＣＮ１９０−２及び硬化剤Ｈ１
００がそれぞれ重量で７０ｗｔ％になるようにメチルエ
チルケトンに溶解する。 （４）（３）のメチルエチルケトンに溶解したエポキシ
樹脂ＥＳＣＮ１９０−２に（２）で表面処理を施したＦ
ｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉を樹脂硬化後に体積で５
０％になるように加え、３本ロールを用いて混錬する。
次にその混合物にＨ１００を硬化反応に関してエポキシ
樹脂と当量になるように加え、更にＴＰＰをエポキシ樹
脂１００に対して０.４ 重量部になるように加えて同様
に３本ロールを用いて混錬する。 （５）（４）でできた混合物を９０℃の条件で溶媒除去
後、１８０℃，６時間加熱硬化すれば、本発明の高誘電
率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の断
面図を図１７に示す。図１７のように、本実施例の高誘
電率複合材料は、樹脂４に、金属紛１と無機材５とが一
体となった金属無機複合材紛の表面に絶縁処理膜２が形
成され、更に絶縁処理膜２の表面に表面処理膜３が形成
された無機フィラが分散した構造となる。
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてＥＳＣＮ１９０−２
（（株）住友化学製）を、エポキシ樹脂の硬化剤として
Ｈ９００（東都化学（株）製）を、及び硬化促進剤とし
てＴＰＰ（北興化学（株）製）を用いる。高誘電率複合
材料用原料として、ナノレベルで混合した扁平状のＦｅ
−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉を用いた。尚、金属無機複
合材粉の短軸の平均サイズは０.２μｍ であり、Ｆｅの
Ａｌ2Ｏ3に対する体積割合は７：３である。用いたＦｅ
−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の断面図を図１４に示す。
Ｆｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の絶縁処理液には防錆
剤としてベンゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤
としてＥＦ１０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ
％ 含有させたリン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理
後の鉄粉の表面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）
製）を用いる。 （１）Ｆｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉１kgに対して絶
縁処理液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した
後、１８０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後のＦ
ｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の断面図を図１５に示
す。図１５のように、金属無機複合材６の表面に絶縁処
理膜２が被膜された形状となる。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
たＦｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の表面処理を行っ
た。処理条件は１５０℃，１時間とした。表面処理後の
Ｆｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の断面図を図１６に示
す。図１６のように、絶縁処理膜２の表面に表面処理膜
３が被膜された形状となる。 （３）エポキシ樹脂ＥＳＣＮ１９０−２及び硬化剤Ｈ１
００がそれぞれ重量で７０ｗｔ％になるようにメチルエ
チルケトンに溶解する。 （４）（３）のメチルエチルケトンに溶解したエポキシ
樹脂ＥＳＣＮ１９０−２に（２）で表面処理を施したＦ
ｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉を樹脂硬化後に体積で５
０％になるように加え、３本ロールを用いて混錬する。
次にその混合物にＨ１００を硬化反応に関してエポキシ
樹脂と当量になるように加え、更にＴＰＰをエポキシ樹
脂１００に対して０.４ 重量部になるように加えて同様
に３本ロールを用いて混錬する。 （５）（４）でできた混合物を９０℃の条件で溶媒除去
後、１８０℃，６時間加熱硬化すれば、本発明の高誘電
率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の断
面図を図１７に示す。図１７のように、本実施例の高誘
電率複合材料は、樹脂４に、金属紛１と無機材５とが一
体となった金属無機複合材紛の表面に絶縁処理膜２が形
成され、更に絶縁処理膜２の表面に表面処理膜３が形成
された無機フィラが分散した構造となる。
【００３６】次に本発明の高誘電率複合材料の誘電率，
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
【００３７】（実施例８）本発明の第８の実施例である
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてエピコート８２８（（株）
油化シェル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフ
ェニレンジアミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促
進剤として２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用
いる。高誘電率複合材料用原料として、ナノレベルで混
合した扁平状のＦｅ−ＢａＴｉＯ3金属無機複合材粉を
用いた。尚、金属無機複合材粉の短軸の平均サイズは
０.２μｍであり、ＦｅのＢａＴｉＯ3 に対する体積割
合は７：３である。用いたＦｅ−ＢａＴｉＯ3 金属無機
複合材粉の断面図を図１４に示す。Ｆｅ−ＢａＴｉＯ3
金属無機複合材粉高誘電率材料の絶縁処理液には防錆剤
としてベンゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤と
してＥＦ１０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ％
含有させたリン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理後の
鉄粉の表面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を
用いる。 （１）Ｆｅ−ＢａＴｉＯ3 金属無機複合材粉１kgに対し
て絶縁処理液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌
した後、１８０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後
のＦｅ−ＢａＴｉＯ3 金属無機複合材粉の断面図を図１
５に示す。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、(１)で絶縁処理を施した
Ｆｅ−ＢａＴｉＯ3 金属無機複合材粉の表面処理を行っ
た。処理条件は１５０℃，１時間とした。表面処理後の
Ｆｅ−ＢａＴiＯ3金属無機複合材粉の断面図を図１６に
示す。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８２８に対して（２）で
表面処理を施したＦｅ−ＢａＴｉＯ3 金属無機複合材粉
を体積で５０％になるように加え、３本ロールを用いて
混錬する。次にその混合物にメタフェニレンジアミンを
硬化反応に関してエポキシ樹脂と当量になるように加
え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポキシ樹脂に対して０.
５ 重量部加えて同様に３本ロールを用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本発明の高誘電
率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の断
面図を図１７に示す。
高誘電率複合材料の作製方法を以下に説明する。本実施
例では、エポキシ樹脂としてエピコート８２８（（株）
油化シェル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフ
ェニレンジアミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促
進剤として２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用
いる。高誘電率複合材料用原料として、ナノレベルで混
合した扁平状のＦｅ−ＢａＴｉＯ3金属無機複合材粉を
用いた。尚、金属無機複合材粉の短軸の平均サイズは
０.２μｍであり、ＦｅのＢａＴｉＯ3 に対する体積割
合は７：３である。用いたＦｅ−ＢａＴｉＯ3 金属無機
複合材粉の断面図を図１４に示す。Ｆｅ−ＢａＴｉＯ3
金属無機複合材粉高誘電率材料の絶縁処理液には防錆剤
としてベンゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤と
してＥＦ１０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ％
含有させたリン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理後の
鉄粉の表面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を
用いる。 （１）Ｆｅ−ＢａＴｉＯ3 金属無機複合材粉１kgに対し
て絶縁処理液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌
した後、１８０℃，６０分の熱処理を行う。絶縁処理後
のＦｅ−ＢａＴｉＯ3 金属無機複合材粉の断面図を図１
５に示す。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、(１)で絶縁処理を施した
Ｆｅ−ＢａＴｉＯ3 金属無機複合材粉の表面処理を行っ
た。処理条件は１５０℃，１時間とした。表面処理後の
Ｆｅ−ＢａＴiＯ3金属無機複合材粉の断面図を図１６に
示す。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８２８に対して（２）で
表面処理を施したＦｅ−ＢａＴｉＯ3 金属無機複合材粉
を体積で５０％になるように加え、３本ロールを用いて
混錬する。次にその混合物にメタフェニレンジアミンを
硬化反応に関してエポキシ樹脂と当量になるように加
え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポキシ樹脂に対して０.
５ 重量部加えて同様に３本ロールを用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本発明の高誘電
率複合材料を得ることができる。高誘電率複合材料の断
面図を図１７に示す。
【００３８】次に本発明の高誘電率複合材料の誘電率，
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１同様に
して測定した。結果を表１に示す。
【００３９】実施例１から８の結果から、本高誘電率複
合材料を用いた基板は高い誘電率と低い誘電正接を有
し、かつ高い体積固有抵抗を有することから、フィルタ
ー，Ａ／Ｄ変換，末端，デカップリングコンデンサ，エ
ネルギー貯蔵用コンデンサ内蔵基板として良好な特性を
有していることが分かった。
合材料を用いた基板は高い誘電率と低い誘電正接を有
し、かつ高い体積固有抵抗を有することから、フィルタ
ー，Ａ／Ｄ変換，末端，デカップリングコンデンサ，エ
ネルギー貯蔵用コンデンサ内蔵基板として良好な特性を
有していることが分かった。
【００４０】（比較例１）第１の比較例である有機樹脂
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＰ８２８（（株）油化シェル
製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレンジ
アミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。有機
樹脂金属複合材料用原料として、平均粒径５μｍの鉄粉
を用いた。鉄粉の絶縁処理液には防錆剤としてベンゾト
リアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１０４
（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させたリン
酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理後の鉄粉の表面処理
液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）平均粒径５μｍの鉄粉１kgに対して絶縁処理液２
００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、１８０
℃，６０分の熱処理を行う。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た鉄粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１時
間とした。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８２８に対して（２）で
表面処理を施した鉄粉を体積で５０％になるように加
え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混合物にメ
タフェニレンジアミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂
と当量になるように加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポ
キシ樹脂に対して０.５ 重量部加えて同様に３本ロール
を用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本比較例の有機
樹脂金属複合材料を得ることができる。
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＰ８２８（（株）油化シェル
製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレンジ
アミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。有機
樹脂金属複合材料用原料として、平均粒径５μｍの鉄粉
を用いた。鉄粉の絶縁処理液には防錆剤としてベンゾト
リアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１０４
（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させたリン
酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理後の鉄粉の表面処理
液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）平均粒径５μｍの鉄粉１kgに対して絶縁処理液２
００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、１８０
℃，６０分の熱処理を行う。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た鉄粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１時
間とした。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８２８に対して（２）で
表面処理を施した鉄粉を体積で５０％になるように加
え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混合物にメ
タフェニレンジアミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂
と当量になるように加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポ
キシ樹脂に対して０.５ 重量部加えて同様に３本ロール
を用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本比較例の有機
樹脂金属複合材料を得ることができる。
【００４１】次に本比較例の有機樹脂金属複合材料の誘
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
【００４２】この結果、本比較例の有機樹脂金属複合材
料は誘電率、及び体積固有抵抗は良好な値が得られたも
のの、誘電正接が大きな値となり基板材料としては不適
であることが分かった。
料は誘電率、及び体積固有抵抗は良好な値が得られたも
のの、誘電正接が大きな値となり基板材料としては不適
であることが分かった。
【００４３】（比較例２）第２の比較例である有機樹脂
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＰ１００１（（株）油化シェ
ル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてジシアンジアミ
ド（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として２Ｅ
４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。有機樹脂
金属複合材料用原料として、平均粒径０.５μｍ の亜鉛
粉を用いた。亜鉛粉の表面処理液としてＳ５１０（チッ
ソ（株）製）を用いる。 （１）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、亜鉛粉の表面処理を行っ
た。処理条件は１５０℃，１時間とした。 （２）エポキシ樹脂ＥＰ１００１が重量で７０ｗｔ％に
なるようにメチルエチルケトンに溶解する。 （３）（２）のメチルエチルケトンに溶解したエポキシ
樹脂ＥＰ１００１に(２)で表面処理を施した平均粒径
０.５μｍ の亜鉛粉を樹脂硬化後に体積で５０％になる
ように加え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混
合物にジシアンジアミドをエポキシ樹脂１００に対して
２.５ 重量部になるように加え、更にキュアゾールＣＮ
をエポキシ樹脂１００に対して０.１重量部になるよう
に加えて同様に３本ロールを用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を１００℃の条件で溶媒除
去後、１８０℃，９０分加熱硬化すれば、本比較例の有
機樹脂金属複合材料を得ることができる。
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＰ１００１（（株）油化シェ
ル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてジシアンジアミ
ド（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として２Ｅ
４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。有機樹脂
金属複合材料用原料として、平均粒径０.５μｍ の亜鉛
粉を用いた。亜鉛粉の表面処理液としてＳ５１０（チッ
ソ（株）製）を用いる。 （１）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、亜鉛粉の表面処理を行っ
た。処理条件は１５０℃，１時間とした。 （２）エポキシ樹脂ＥＰ１００１が重量で７０ｗｔ％に
なるようにメチルエチルケトンに溶解する。 （３）（２）のメチルエチルケトンに溶解したエポキシ
樹脂ＥＰ１００１に(２)で表面処理を施した平均粒径
０.５μｍ の亜鉛粉を樹脂硬化後に体積で５０％になる
ように加え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混
合物にジシアンジアミドをエポキシ樹脂１００に対して
２.５ 重量部になるように加え、更にキュアゾールＣＮ
をエポキシ樹脂１００に対して０.１重量部になるよう
に加えて同様に３本ロールを用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を１００℃の条件で溶媒除
去後、１８０℃，９０分加熱硬化すれば、本比較例の有
機樹脂金属複合材料を得ることができる。
【００４４】次に本比較例の有機樹脂金属複合材料の誘
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
【００４５】この結果、本比較例の有機樹脂金属複合材
料は誘電率について良好な値が得られたものの、誘電正
接は大きく、体積固有抵抗は小さな値となり基板材料と
しては不適であることが分かった。
料は誘電率について良好な値が得られたものの、誘電正
接は大きく、体積固有抵抗は小さな値となり基板材料と
しては不適であることが分かった。
【００４６】（比較例３）第３の比較例である有機樹脂
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＰ８０６（（株）油化シェル
製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレンジ
アミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成(株)製）を用いる。有機樹
脂金属複合材料用原料として、平均粒径２０μｍの亜鉛
粉を用いた。亜鉛粉の絶縁処理液には防錆剤としてベン
ゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１
０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させた
リン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理後の亜鉛粉の表
面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）平均粒径２０μｍの亜鉛粉１kgに対して絶縁処理
液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、１
８０℃，６０分の熱処理を行う。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た亜鉛粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１
時間とした。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８０６に対して（２）で
表面処理を施した亜鉛粉を体積で５０％になるように加
え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混合物にメ
タフェニレンジアミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂
と当量になるように加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポ
キシ樹脂に対して０.５重量部加えて同様に３本ロール
を用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本比較例の有機
樹脂金属複合材料を得ることができる。
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＰ８０６（（株）油化シェル
製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレンジ
アミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成(株)製）を用いる。有機樹
脂金属複合材料用原料として、平均粒径２０μｍの亜鉛
粉を用いた。亜鉛粉の絶縁処理液には防錆剤としてベン
ゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１
０４（トーケムプロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させた
リン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処理後の亜鉛粉の表
面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）平均粒径２０μｍの亜鉛粉１kgに対して絶縁処理
液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、１
８０℃，６０分の熱処理を行う。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た亜鉛粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１
時間とした。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８０６に対して（２）で
表面処理を施した亜鉛粉を体積で５０％になるように加
え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混合物にメ
タフェニレンジアミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂
と当量になるように加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポ
キシ樹脂に対して０.５重量部加えて同様に３本ロール
を用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本比較例の有機
樹脂金属複合材料を得ることができる。
【００４７】次に本比較例の有機樹脂金属複合材料の誘
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
【００４８】この結果、本比較例の有機樹脂金属複合材
料は体積固有抵抗については良好な値が得られたもの
の、誘電率については値が小さく、誘電正接は大きな値
となり高誘電率基板材料としては不適であることが分か
った。
料は体積固有抵抗については良好な値が得られたもの
の、誘電率については値が小さく、誘電正接は大きな値
となり高誘電率基板材料としては不適であることが分か
った。
【００４９】（比較例４）第４の比較例である有機樹脂
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＰ１００１（（株）油化シェ
ル製）、エポキシ樹脂の硬化剤としてジシアンジアミド
（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として２Ｅ４
ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。有機樹脂金
属複合材料用原料として、ボールミルを用いて粉砕した
平均粒径０.１μｍ の亜鉛粉を用いた。この亜鉛粉は凝
集していたため目開き５０μｍのふるいを用いて、最大
粒径５０μｍ以下の凝集した亜鉛粉を用いた。亜鉛粉の
絶縁処理液には防錆剤としてベンゾトリアゾール０.４m
ol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１０４（トーケムプロダ
クツ製）０.１ｗｔ％ 含有させたリン酸塩化成処理液を
用いた。絶縁処理後の亜鉛粉の表面処理液としてＳ５１
０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）最大粒径５０μｍの亜鉛粉凝集物１kgに対して絶
縁処理液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した
後、１８０℃，６０分の熱処理を行う。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た亜鉛粉凝集物の表面処理を行った。処理条件は１５０
℃，１時間とした。 （３）エポキシ樹脂ＥＰ１００１が重量で７０ｗｔ％に
なるようにメチルエチルケトンに溶解する。 （４）（３）のメチルエチルケトンに溶解したエポキシ
樹脂ＥＰ１００１に(２)で表面処理を施した亜鉛粉凝集
物を樹脂硬化後に体積で５０％になるように加え、３本
ロールを用いて混錬する。次にその混合物にジシアンジ
アミドをエポキシ樹脂１００に対して２.５ 重量部にな
るように加え、更にキュアゾールＣＮをエポキシ樹脂１
００に対して０.１ 重量部になるように加えて同様に３
本ロールを用いて混錬する。 （５）（４）でできた混合物を１００℃の条件で溶媒除
去後、１８０℃，９０分加熱硬化すれば、本比較例の有
機樹脂金属複合材料を得ることができる。
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＰ１００１（（株）油化シェ
ル製）、エポキシ樹脂の硬化剤としてジシアンジアミド
（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として２Ｅ４
ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。有機樹脂金
属複合材料用原料として、ボールミルを用いて粉砕した
平均粒径０.１μｍ の亜鉛粉を用いた。この亜鉛粉は凝
集していたため目開き５０μｍのふるいを用いて、最大
粒径５０μｍ以下の凝集した亜鉛粉を用いた。亜鉛粉の
絶縁処理液には防錆剤としてベンゾトリアゾール０.４m
ol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１０４（トーケムプロダ
クツ製）０.１ｗｔ％ 含有させたリン酸塩化成処理液を
用いた。絶縁処理後の亜鉛粉の表面処理液としてＳ５１
０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）最大粒径５０μｍの亜鉛粉凝集物１kgに対して絶
縁処理液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した
後、１８０℃，６０分の熱処理を行う。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
た亜鉛粉凝集物の表面処理を行った。処理条件は１５０
℃，１時間とした。 （３）エポキシ樹脂ＥＰ１００１が重量で７０ｗｔ％に
なるようにメチルエチルケトンに溶解する。 （４）（３）のメチルエチルケトンに溶解したエポキシ
樹脂ＥＰ１００１に(２)で表面処理を施した亜鉛粉凝集
物を樹脂硬化後に体積で５０％になるように加え、３本
ロールを用いて混錬する。次にその混合物にジシアンジ
アミドをエポキシ樹脂１００に対して２.５ 重量部にな
るように加え、更にキュアゾールＣＮをエポキシ樹脂１
００に対して０.１ 重量部になるように加えて同様に３
本ロールを用いて混錬する。 （５）（４）でできた混合物を１００℃の条件で溶媒除
去後、１８０℃，９０分加熱硬化すれば、本比較例の有
機樹脂金属複合材料を得ることができる。
【００５０】次に本比較例の有機樹脂金属複合材料の誘
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
【００５１】この結果、本比較例の有機樹脂金属複合材
料は体積固有抵抗については良好な値が得られたもの
の、誘電率については値が小さく、誘電正接は大きな値
となり高誘電率基板材料としては不適であることが分か
った。
料は体積固有抵抗については良好な値が得られたもの
の、誘電率については値が小さく、誘電正接は大きな値
となり高誘電率基板材料としては不適であることが分か
った。
【００５２】（比較例５）第５の比較例である有機樹脂
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＰ８０６（（株）油化シェル
製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレンジ
アミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。有機
樹脂金属複合材料用原料として、平均粒径１μｍの銅粉
を用いた。クロムめっきした銅粉の表面処理液としてＳ
５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）銅粉表面のクロムめっきには回転式水平バレル装
置を用いた電気めっきを行った。平均めっき膜厚は１０
ｎｍとした。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）でクロムめっきし
た銅粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１時
間とした。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８０６に対して（２）で
表面処理を施した金属粉を体積で５０％になるように加
え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混合物にメ
タフェニレンジアミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂
と当量になるように加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポ
キシ樹脂に対して０.５ 重量部加えて同様に３本ロール
を用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本比較例の有機
樹脂金属複合材料を得ることができる。
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＰ８０６（（株）油化シェル
製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレンジ
アミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。有機
樹脂金属複合材料用原料として、平均粒径１μｍの銅粉
を用いた。クロムめっきした銅粉の表面処理液としてＳ
５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）銅粉表面のクロムめっきには回転式水平バレル装
置を用いた電気めっきを行った。平均めっき膜厚は１０
ｎｍとした。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）でクロムめっきし
た銅粉の表面処理を行った。処理条件は１５０℃，１時
間とした。 （３）液状エポキシ樹脂のＥＰ８０６に対して（２）で
表面処理を施した金属粉を体積で５０％になるように加
え、３本ロールを用いて混錬する。次にその混合物にメ
タフェニレンジアミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂
と当量になるように加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポ
キシ樹脂に対して０.５ 重量部加えて同様に３本ロール
を用いて混錬する。 （４）（３）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本比較例の有機
樹脂金属複合材料を得ることができる。
【００５３】次に本比較例の有機樹脂金属複合材料の誘
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
【００５４】この結果、本比較例の有機樹脂金属複合材
料は誘電率について良好な値が得られたものの、誘電正
接が大きく、体積固有抵抗は小さな値となり基板材料と
しては不適であることが分かった。
料は誘電率について良好な値が得られたものの、誘電正
接が大きく、体積固有抵抗は小さな値となり基板材料と
しては不適であることが分かった。
【００５５】（比較例６）第６の比較例である有機樹脂
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＰ８０６（（株）油化シェル
製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレンジ
アミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。有機
樹脂金属複合材料用原料として、平均粒径１μｍのクロ
ム粉及び平均粒径０.１μｍ のＡｌ2Ｏ3粉を用いた。ク
ロム粉の絶縁処理液には防錆剤としてベンゾトリアゾー
ル０.４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１０４（トーケ
ムプロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させたリン酸塩化成
処理液を用いた。 （１）平均粒径１μｍのクロム粉１kgに対して絶縁処理
液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、１
８０℃，６０分の熱処理を行う。 （２）液状エポキシ樹脂のＥＰ８０６に対して（１）で
絶縁処理を施したクロム粉及びＡｌ2Ｏ3粉（体積割合
３：１）を体積で６０％になるように加え、３本ロール
を用いて混錬する。次にその混合物にメタフェニレンジ
アミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂と当量になるよ
うに加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポキシ樹脂に対し
て０.５重量部加えて同様に３本ロールを用いて混錬す
る。しかし、本比較例で作製した有機樹脂金属複合材料
は均一に混合することができなかった。
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＰ８０６（（株）油化シェル
製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニレンジ
アミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤として
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用いる。有機
樹脂金属複合材料用原料として、平均粒径１μｍのクロ
ム粉及び平均粒径０.１μｍ のＡｌ2Ｏ3粉を用いた。ク
ロム粉の絶縁処理液には防錆剤としてベンゾトリアゾー
ル０.４mol／ｌ、界面活性剤としてＥＦ１０４（トーケ
ムプロダクツ製）０.１ｗｔ％ 含有させたリン酸塩化成
処理液を用いた。 （１）平均粒径１μｍのクロム粉１kgに対して絶縁処理
液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した後、１
８０℃，６０分の熱処理を行う。 （２）液状エポキシ樹脂のＥＰ８０６に対して（１）で
絶縁処理を施したクロム粉及びＡｌ2Ｏ3粉（体積割合
３：１）を体積で６０％になるように加え、３本ロール
を用いて混錬する。次にその混合物にメタフェニレンジ
アミンを硬化反応に関してエポキシ樹脂と当量になるよ
うに加え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポキシ樹脂に対し
て０.５重量部加えて同様に３本ロールを用いて混錬す
る。しかし、本比較例で作製した有機樹脂金属複合材料
は均一に混合することができなかった。
【００５６】この結果、本比較例の有機樹脂金属複合材
料は高誘電率基板用として用いるには不適であることが
分かった。
料は高誘電率基板用として用いるには不適であることが
分かった。
【００５７】（比較例７）第７の比較例である有機樹脂
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＳＣＮ１９０−２（（株）住
友化学製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてＨ９００
（東都化学（株）製）を、及び硬化促進剤としてＴＰＰ
（北興化学（株）製）を用いる。有機樹脂金属複合材料
用原料として、球状のＦｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉
を用いた。尚、金属無機複合材粉の平均サイズは１０μ
ｍであり、ＦｅのＡｌ2Ｏ3に対する体積割合は７：３で
ある。Ｆｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の絶縁処理液に
は防錆剤としてベンゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面
活性剤としてＥＦ１０４(トーケムプロダクツ製）０.１
ｗｔ％含有させたリン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処
理後の鉄粉の表面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）
製）を用いる。 （１）Ｆｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉１kgに対して絶
縁処理液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した
後、１８０℃，６０分の熱処理を行う。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
たＦｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の表面処理を行っ
た。処理条件は１５０℃，１時間とした。 （３）エポキシ樹脂ＥＳＣＮ１９０−２及び硬化剤Ｈ１
００がそれぞれ重量で７０ｗｔ％になるようにメチルエ
チルケトンに溶解する。 （４）（３）のメチルエチルケトンに溶解したエポキシ
樹脂ＥＳＣＮ１９０−２に（２）で表面処理を施したＦ
ｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉を樹脂硬化後に体積で５
０％になるように加え、３本ロールを用いて混錬する。
次にその混合物にＨ１００を硬化反応に関してエポキシ
樹脂と当量になるように加え、更にＴＰＰをエポキシ樹
脂１００に対して０.４重量部になるように加えて同様
に３本ロールを用いて混錬する。 （５）（４）でできた混合物を９０℃の条件で溶媒除去
後、１８０℃，６時間加熱硬化すれば、本比較例の有機
樹脂金属複合材料を得ることができる。
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてＥＳＣＮ１９０−２（（株）住
友化学製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてＨ９００
（東都化学（株）製）を、及び硬化促進剤としてＴＰＰ
（北興化学（株）製）を用いる。有機樹脂金属複合材料
用原料として、球状のＦｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉
を用いた。尚、金属無機複合材粉の平均サイズは１０μ
ｍであり、ＦｅのＡｌ2Ｏ3に対する体積割合は７：３で
ある。Ｆｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の絶縁処理液に
は防錆剤としてベンゾトリアゾール０.４mol／ｌ、界面
活性剤としてＥＦ１０４(トーケムプロダクツ製）０.１
ｗｔ％含有させたリン酸塩化成処理液を用いた。絶縁処
理後の鉄粉の表面処理液としてＳ５１０（チッソ（株）
製）を用いる。 （１）Ｆｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉１kgに対して絶
縁処理液２００ｍｌ加え、Ｖミキサーで３０分攪拌した
後、１８０℃，６０分の熱処理を行う。 （２）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、（１）で絶縁処理を施し
たＦｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉の表面処理を行っ
た。処理条件は１５０℃，１時間とした。 （３）エポキシ樹脂ＥＳＣＮ１９０−２及び硬化剤Ｈ１
００がそれぞれ重量で７０ｗｔ％になるようにメチルエ
チルケトンに溶解する。 （４）（３）のメチルエチルケトンに溶解したエポキシ
樹脂ＥＳＣＮ１９０−２に（２）で表面処理を施したＦ
ｅ−Ａｌ2Ｏ3金属無機複合材粉を樹脂硬化後に体積で５
０％になるように加え、３本ロールを用いて混錬する。
次にその混合物にＨ１００を硬化反応に関してエポキシ
樹脂と当量になるように加え、更にＴＰＰをエポキシ樹
脂１００に対して０.４重量部になるように加えて同様
に３本ロールを用いて混錬する。 （５）（４）でできた混合物を９０℃の条件で溶媒除去
後、１８０℃，６時間加熱硬化すれば、本比較例の有機
樹脂金属複合材料を得ることができる。
【００５８】次に本比較例の有機樹脂金属複合材料の誘
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
【００５９】この結果、本比較例の有機樹脂金属複合材
料は誘電率、及び体積固有抵抗は良好な値が得られたも
のの、誘電正接が大きな値となり基板材料としては不適
であることが分かった。
料は誘電率、及び体積固有抵抗は良好な値が得られたも
のの、誘電正接が大きな値となり基板材料としては不適
であることが分かった。
【００６０】（比較例８）第８の比較例である有機樹脂
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてエピコート８２８（（株）油化
シェル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニ
レンジアミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤
として２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用い
る。有機樹脂金属複合材料用原料として、ナノレベルで
混合した扁平状のＦｅ−ＢａＴｉＯ3金属無機複合材粉
を用いた。尚、金属無機複合材粉の短軸の平均サイズは
０.２μｍであり、ＦｅのＢａＴｉＯ3 に対する体積割
合は７：３である。絶縁処理後の鉄粉の表面処理液とし
てＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、Ｆｅ−ＢａＴｉＯ3 金属
無機複合材粉の表面処理を行った。処理条件は１５０
℃，１時間とした。 （２）液状エポキシ樹脂のＥＰ８２８に対して（１）で
表面処理を施したＦｅ−ＢａＴｉＯ3 金属無機複合材粉
を体積で５０％になるように加え、３本ロールを用いて
混錬する。次にその混合物にメタフェニレンジアミンを
硬化反応に関してエポキシ樹脂と当量になるように加
え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポキシ樹脂に対して０.
５ 重量部加えて同様に３本ロールを用いて混錬する。 （３）（２）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本比較例の有機
樹脂金属複合材料を得ることができる。
金属複合材料の作製方法を以下に説明する。本比較例で
は、エポキシ樹脂としてエピコート８２８（（株）油化
シェル製）を、エポキシ樹脂の硬化剤としてメタフェニ
レンジアミン（和光純薬（株）製）を、及び硬化促進剤
として２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成（株）製）を用い
る。有機樹脂金属複合材料用原料として、ナノレベルで
混合した扁平状のＦｅ−ＢａＴｉＯ3金属無機複合材粉
を用いた。尚、金属無機複合材粉の短軸の平均サイズは
０.２μｍであり、ＦｅのＢａＴｉＯ3 に対する体積割
合は７：３である。絶縁処理後の鉄粉の表面処理液とし
てＳ５１０（チッソ（株）製）を用いる。 （１）水とエタノールの混合溶媒で希釈した１ｗｔ％含
有のＳ５１０処理液を用いて、Ｆｅ−ＢａＴｉＯ3 金属
無機複合材粉の表面処理を行った。処理条件は１５０
℃，１時間とした。 （２）液状エポキシ樹脂のＥＰ８２８に対して（１）で
表面処理を施したＦｅ−ＢａＴｉＯ3 金属無機複合材粉
を体積で５０％になるように加え、３本ロールを用いて
混錬する。次にその混合物にメタフェニレンジアミンを
硬化反応に関してエポキシ樹脂と当量になるように加
え、更に２Ｅ４ＭＺ−ＣＮをエポキシ樹脂に対して０.
５ 重量部加えて同様に３本ロールを用いて混錬する。 （３）（２）でできた混合物を８０℃，４時間及び１８
０℃，４時間加熱硬化することにより、本比較例の有機
樹脂金属複合材料を得ることができる。
【００６１】次に本比較例の有機樹脂金属複合材料の誘
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
電率，誘電正接、及び体積固有抵抗については実施例１
同様にして測定した。結果を表１に示す。
【００６２】この結果、本比較例の有機樹脂金属複合材
料は誘電率について良好な値が得られたものの、誘電正
接及び体積固有抵抗が大きな値となり基板材料としては
不適であることが分かった。
料は誘電率について良好な値が得られたものの、誘電正
接及び体積固有抵抗が大きな値となり基板材料としては
不適であることが分かった。
【００６３】
【発明の効果】本発明により得られた高誘電率複合材料
は、無機塩による化成処理を用いた絶縁処理を施し、更
に、有機樹脂と相溶性向上のための表面処理を施したμ
ｍ以下のサイズの金属粉を有機樹脂に充填した材料であ
るため、周波数が数十ＧＨｚオーダーでも１５以上の誘
電率かつ０.１ 以下の誘電正接を有する。
は、無機塩による化成処理を用いた絶縁処理を施し、更
に、有機樹脂と相溶性向上のための表面処理を施したμ
ｍ以下のサイズの金属粉を有機樹脂に充填した材料であ
るため、周波数が数十ＧＨｚオーダーでも１５以上の誘
電率かつ０.１ 以下の誘電正接を有する。
【００６４】本高誘電複合材料を用いた基板は高い誘電
率と低い誘電正接を有し、かつ高い体積固有抵抗を有す
ることから、フィルター，Ａ／Ｄ変換，末端，デカップ
リングコンデンサ，エネルギー貯蔵用コンデンサ内蔵基
板として良好な特性を有する。
率と低い誘電正接を有し、かつ高い体積固有抵抗を有す
ることから、フィルター，Ａ／Ｄ変換，末端，デカップ
リングコンデンサ，エネルギー貯蔵用コンデンサ内蔵基
板として良好な特性を有する。
【図１】本発明第１，２及び３の実施例である絶縁処理
後の金属粉の断面図。
後の金属粉の断面図。
【図２】本発明第１，２及び３の実施例である表面処理
後の金属粉の断面図。
後の金属粉の断面図。
【図３】本発明第１，２及び３の実施例である高誘電複
合材料の断面図。
合材料の断面図。
【図４】本発明第４の実施例である絶縁処理後の凝集し
た金属粉の断面図。
た金属粉の断面図。
【図５】本発明第４の実施例である表面処理後の凝集し
た金属粉の断面図。
た金属粉の断面図。
【図６】本発明第４の実施例である高誘電複合材料の断
面図。
面図。
【図７】本発明第５の実施例であるめっき後の凝集した
金属粉の断面図。
金属粉の断面図。
【図８】本発明第５の実施例である絶縁処理後の金属粉
の断面図。
の断面図。
【図９】本発明第５の実施例である表面処理後の金属粉
の断面図。
の断面図。
【図１０】本発明第５の実施例である高誘電複合材料の
断面図。
断面図。
【図１１】本発明第６の実施例であるめっき後の凝集し
た金属粉の断面図。
た金属粉の断面図。
【図１２】本発明第６の実施例である表面処理後の金属
無機複合材粉の断面図。
無機複合材粉の断面図。
【図１３】本発明第６の実施例である高誘電複合材料の
断面図。
断面図。
【図１４】本発明第７及び８の実施例に用いた金属無機
複合材粉の断面図。
複合材粉の断面図。
【図１５】本発明第７及び８の実施例である絶縁処理後
の金属無機複合材粉の断面図。
の金属無機複合材粉の断面図。
【図１６】本発明第７及び８の実施例である表面処理後
の金属無機複合材粉の断面図。
の金属無機複合材粉の断面図。
【図１７】本発明第７及び８の実施例である高誘電複合
材料の断面図。
材料の断面図。
１…金属粉、２…絶縁処理膜、３…表面処理膜、４…樹
脂、５…無機材、６…金属無機複合粉、７…めっき膜。
脂、５…無機材、６…金属無機複合粉、７…めっき膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤枝 正 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 赤星 晴夫 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 上野 巧 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 5E346 AA13 CC08 CC09 CC21 GG02 HH06 5G303 AA05 AB06 BA02 BA12 CA09 CB01 CB10 CB11 CB13 CB17 CB18 CB21 CB23 CB25 CB28 CB30 CB31 CB33 CB35 CB37 CB38 CB39 CC02 CD04
Claims (12)
- 【請求項１】有機樹脂に金属粉を必須成分とする無機フ
ィラを分散してなる誘電率が１５以上の高誘電率複合材
料。 - 【請求項２】１００ＭＨｚから８０ＧＨｚの周波数領域
で誘電正接が０.１ 以下であることを特徴とする請求項
１に記載の高誘電率複合材料。 - 【請求項３】金属粉を必須成分とする無機フィラ中の各
成分の平均粒径が５μｍ以下であることを特徴とする請
求項１または２に記載の高誘電率複合材料。 - 【請求項４】金属粉を必須成分とする無機フィラが凝集
体を含み、該金属粉を必須成分とする無機フィラの凝集
体の平均粒径が５μｍ以下であることを特徴とする請求
項１〜３のいずれかに記載の高誘電率複合材料。 - 【請求項５】金属粉表面に厚さ１０００〜１ｎｍのＣ
ｒ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｆｅの内少なくとも１種類以上
の金属被覆膜が形成されていることを特徴とする請求項
１〜４のいずれかに記載の高誘電率複合材料。 - 【請求項６】絶縁処理がなされた金属粉を必須成分とす
る無機フィラを用いることを特徴とする請求項１〜５の
いずれかに記載の高誘電率複合材料。 - 【請求項７】前記絶縁処理が無機塩を用いた化成処理で
あることを特徴とする請求項６に記載の高誘電率複合材
料。 - 【請求項８】無機フィラの一部として金属酸化物を併用
することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の
高誘電率複合材料。 - 【請求項９】前記金属が周期律表の２Ａ，１Ｂ，２Ｂ，
３Ｂ，４Ｂ，５Ｂ，６Ｂ，７Ｂ，８，３Ａ，４Ａ，５Ａ
族の元素（但し、ホウ素，炭素，窒素，リン，ヒ素は除
く）及びその合金であることを特徴とする請求項１〜８
のいずれかに記載の高誘電率複合材料。 - 【請求項１０】前記金属がＡｌ，Ｍｎ，Ｓｉ，Ｍｇ，Ｃ
ｒ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｗ，Ｚｎ，Ｓｎ，
Ｐｂ，Ａｇ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｂ及びその合
金であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記
載の高誘電率複合材料。 - 【請求項１１】電極間に誘電体層が介在してなるキャパ
シタを回路中に形成した多層配線板において、前記キャ
パシタが、有機樹脂により表面を絶縁処理された金属粉
を必須成分とする無機フィラを分散してなる１００ＭＨ
ｚから８０ＧＨｚの周波数領域で誘電正接が０.１ 以下
であり、誘電率が１５以上の高誘電率複合材料であるこ
とを特徴とする多層配線板。 - 【請求項１２】少なくともキャパシタを内蔵し、半導体
チップを搭載してなるモジュール基板において、前記キ
ャパシタが、有機樹脂により表面を絶縁処理された金属
粉を必須成分とする無機フィラを分散してなる１００Ｍ
Ｈｚから８０ＧＨｚの周波数領域で誘電正接が０.１ 以
下であり、誘電率が１５以上の高誘電率複合材料である
ことを特徴とするモジュール基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002030227A JP4019725B2 (ja) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | 高誘電率複合材料とそれを用いた多層配線板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001031693 | 2001-02-08 | ||
| JP2001-31693 | 2001-02-08 | ||
| JP2002030227A JP4019725B2 (ja) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | 高誘電率複合材料とそれを用いた多層配線板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002334612A true JP2002334612A (ja) | 2002-11-22 |
| JP4019725B2 JP4019725B2 (ja) | 2007-12-12 |
Family
ID=18895740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002030227A Expired - Fee Related JP4019725B2 (ja) | 2001-02-08 | 2002-02-07 | 高誘電率複合材料とそれを用いた多層配線板 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7220481B2 (ja) |
| EP (1) | EP1231637A3 (ja) |
| JP (1) | JP4019725B2 (ja) |
| KR (1) | KR100828867B1 (ja) |
| TW (1) | TWI237374B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203699A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
| WO2006013947A1 (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-09 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 絶縁化超微粉末および高誘電率樹脂複合材料 |
| KR100831461B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2008-05-21 | 인텔 코오퍼레이션 | 나노복합체 유전 증대 재료 및 나노복합체 땜납 레지스트를 포함하는 장치 및 이를 제조하기 위한 프로세스 |
| US7531112B2 (en) | 2004-05-04 | 2009-05-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Composition for forming dielectric, capacitor produced using composition, and printed circuit board provided with capacitor |
| WO2011013501A1 (ja) | 2009-07-28 | 2011-02-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 絶縁化超微粉末およびその製造方法、並びに高誘電率樹脂複合材料 |
| JP2013545291A (ja) * | 2010-10-12 | 2013-12-19 | アプリコット マテリアルズ テクノロジーズ，エル．エル．シー． | セラミックコンデンサー及び製造方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1231637A3 (en) * | 2001-02-08 | 2004-08-25 | Hitachi, Ltd. | High dielectric constant composite material and multilayer wiring board using the same |
| CN100353055C (zh) * | 2001-04-20 | 2007-12-05 | 阿洛伊斯·沃本 | 风力涡轮机及其工作方法 |
| US20040070945A1 (en) * | 2002-06-05 | 2004-04-15 | Wayne Rowland | Heat dissipation structures and method of making |
| US6842140B2 (en) | 2002-12-03 | 2005-01-11 | Harris Corporation | High efficiency slot fed microstrip patch antenna |
| TW200427809A (en) * | 2003-05-19 | 2004-12-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | Insulating material, film, circuit board and method for manufacture thereof |
| KR100674848B1 (ko) * | 2005-04-01 | 2007-01-26 | 삼성전기주식회사 | 고유전율 금속-세라믹-폴리머 복합 유전체 및 이를 이용한임베디드 커패시터의 제조 방법 |
| US20060258327A1 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Baik-Woo Lee | Organic based dielectric materials and methods for minaturized RF components, and low temperature coefficient of permittivity composite devices having tailored filler materials |
| US7498662B2 (en) * | 2005-11-18 | 2009-03-03 | 3M Innovative Properties Company | Dielectric media including surface-treated metal oxide particles |
| US20070116976A1 (en) * | 2005-11-23 | 2007-05-24 | Qi Tan | Nanoparticle enhanced thermoplastic dielectrics, methods of manufacture thereof, and articles comprising the same |
| US7629124B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-12-08 | Canon U.S. Life Sciences, Inc. | Real-time PCR in micro-channels |
| JP4873160B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2012-02-08 | トヨタ自動車株式会社 | 接合方法 |
| JP4510116B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2010-07-21 | 富士通株式会社 | キャパシタの製造方法、構造体、及びキャパシタ |
| US8704423B2 (en) * | 2008-08-22 | 2014-04-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Asymmetric dielectric elastomer composite material |
| TWI394189B (zh) * | 2009-06-04 | 2013-04-21 | Ind Tech Res Inst | 電容基板結構 |
| WO2011123263A1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 3M Innovative Properties Company | Electronic articles for displays and methods of making same |
| CN104985896B (zh) * | 2015-06-26 | 2017-03-08 | 广东工业大学 | 高介电常数的陶瓷‑聚合物复合材料及其制备方法 |
| EP3425085A1 (fr) | 2017-07-07 | 2019-01-09 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Procede de traitement de surface de particules d'une poudre metallique et particules de poudre metallique obtenues grace a ce procede |
| US11198263B2 (en) | 2018-03-22 | 2021-12-14 | Rogers Corporation | Melt processable thermoplastic composite comprising a multimodal dielectric filler |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0787046B2 (ja) | 1990-03-02 | 1995-09-20 | 株式会社大真空 | 高分子複合誘電体 |
| JPH03284813A (ja) * | 1990-03-14 | 1991-12-16 | Fujikin Sofuto Kk | コンデンサ |
| JP3254011B2 (ja) * | 1992-09-08 | 2002-02-04 | 大日本印刷株式会社 | 帳票描画システム |
| JPH06172618A (ja) | 1992-12-10 | 1994-06-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | エポキシ樹脂組成物及びプリント基板 |
| JPH09147626A (ja) * | 1995-11-22 | 1997-06-06 | Nippon Zeon Co Ltd | 樹脂組成物、および成形品 |
| US5962122A (en) * | 1995-11-28 | 1999-10-05 | Hoechst Celanese Corporation | Liquid crystalline polymer composites having high dielectric constant |
| US5739193A (en) * | 1996-05-07 | 1998-04-14 | Hoechst Celanese Corp. | Polymeric compositions having a temperature-stable dielectric constant |
| US5982038A (en) * | 1997-05-01 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Cast metal seal for semiconductor substrates |
| US6068782A (en) * | 1998-02-11 | 2000-05-30 | Ormet Corporation | Individual embedded capacitors for laminated printed circuit boards |
| JP3585796B2 (ja) * | 1999-12-17 | 2004-11-04 | 新光電気工業株式会社 | 多層配線基板の製造方法、及び半導体装置 |
| KR100533097B1 (ko) * | 2000-04-27 | 2005-12-02 | 티디케이가부시기가이샤 | 복합자성재료와 이것을 이용한 자성성형재료, 압분 자성분말성형재료, 자성도료, 복합 유전체재료와 이것을이용한 성형재료, 압분성형 분말재료, 도료, 프리프레그및 기판, 전자부품 |
| US6544651B2 (en) * | 2000-05-18 | 2003-04-08 | Georgia Tech Research Corp. | High dielectric constant nano-structure polymer-ceramic composite |
| JP2001345212A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Tdk Corp | 積層電子部品 |
| EP1231637A3 (en) * | 2001-02-08 | 2004-08-25 | Hitachi, Ltd. | High dielectric constant composite material and multilayer wiring board using the same |
-
2002
- 2002-02-04 EP EP02002566A patent/EP1231637A3/en not_active Withdrawn
- 2002-02-05 US US10/062,562 patent/US7220481B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-07 KR KR1020020006968A patent/KR100828867B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-02-07 TW TW91102247A patent/TWI237374B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-07 JP JP2002030227A patent/JP4019725B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-07 US US10/212,750 patent/US6924971B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203699A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
| KR100831461B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2008-05-21 | 인텔 코오퍼레이션 | 나노복합체 유전 증대 재료 및 나노복합체 땜납 레지스트를 포함하는 장치 및 이를 제조하기 위한 프로세스 |
| US7531112B2 (en) | 2004-05-04 | 2009-05-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Composition for forming dielectric, capacitor produced using composition, and printed circuit board provided with capacitor |
| WO2006013947A1 (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-09 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 絶縁化超微粉末および高誘電率樹脂複合材料 |
| US8184035B2 (en) | 2004-08-06 | 2012-05-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Insulated ultrafine powder and high dielectric constant resin composite material |
| WO2011013501A1 (ja) | 2009-07-28 | 2011-02-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 絶縁化超微粉末およびその製造方法、並びに高誘電率樹脂複合材料 |
| US9315673B2 (en) | 2009-07-28 | 2016-04-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Insulated ultrafine powder, method for producing same, and high dielectric constant resin composite material |
| US9394447B2 (en) | 2009-07-28 | 2016-07-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Insulated ultrafine powder, method for producing same, and high dielectric constant resin composite material |
| JP2013545291A (ja) * | 2010-10-12 | 2013-12-19 | アプリコット マテリアルズ テクノロジーズ，エル．エル．シー． | セラミックコンデンサー及び製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4019725B2 (ja) | 2007-12-12 |
| EP1231637A2 (en) | 2002-08-14 |
| TWI237374B (en) | 2005-08-01 |
| KR100828867B1 (ko) | 2008-05-09 |
| US20020168510A1 (en) | 2002-11-14 |
| EP1231637A3 (en) | 2004-08-25 |
| US6924971B2 (en) | 2005-08-02 |
| US20030030999A1 (en) | 2003-02-13 |
| KR20020066382A (ko) | 2002-08-16 |
| US7220481B2 (en) | 2007-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002334612A (ja) | 高誘電率複合材料とそれを用いた多層配線板 | |
| KR100674848B1 (ko) | 고유전율 금속-세라믹-폴리머 복합 유전체 및 이를 이용한임베디드 커패시터의 제조 방법 | |
| EP1762582B1 (en) | Epoxy resin composition | |
| US20110006393A1 (en) | Multilayer electronic devices for imbedded capacitor | |
| US20020062990A1 (en) | Through-hole wiring board | |
| JP7061632B2 (ja) | 樹脂組成物、樹脂付銅箔、誘電体層、銅張積層板、キャパシタ素子及びキャパシタ内蔵プリント配線板 | |
| JP2004047421A (ja) | 導電ペースト | |
| JPWO2009008471A1 (ja) | 誘電層付銅箔 | |
| WO2004102589A1 (ja) | 絶縁材料、フィルム、回路基板及びこれらの製造方法 | |
| JP5176290B2 (ja) | ペースト組成物、誘電体組成物、誘電体シート、およびこれらを用いたキャパシタ内蔵回路基板 | |
| JP2007027101A5 (ja) | ||
| TWI352663B (en) | Paste composition and dielectric composition | |
| JP4273399B2 (ja) | 導電ペースト及びその製造方法 | |
| WO2004081952A1 (ja) | ポリマーコンポジット高誘電率材料、多層配線板及びモジュール基板 | |
| JP2004067889A (ja) | 高誘電体組成物 | |
| JP4111331B2 (ja) | 高誘電率無機材料及びそれを用いた高誘電率コンポジット材料 | |
| JP2006351390A (ja) | 複合材料 | |
| JP2006019621A (ja) | キャパシタ用ポリマーセラミックコンポジット材料、多層配線板及びモジュール基板 | |
| JP3876679B2 (ja) | 樹脂組成物とその利用 | |
| JP2007066587A (ja) | 複合材料およびその製造方法 | |
| JP2005105193A (ja) | デンドリティック多量体及び高誘電率高分子材料 | |
| US11890853B2 (en) | Resin layered product, dielectric layer, metal foil with resin, capacitor element, and printed wiring board with built-in capacitor | |
| JP2004307607A (ja) | 高誘電体組成物 | |
| JP2004363065A (ja) | 誘電体組成物 | |
| JP2002124773A (ja) | 難燃性を持つ電子部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060419 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070619 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070809 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070904 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070917 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131005 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |