JP2002323879A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2002323879A JP2001304447A JP2001304447A JP2002323879A JP 2002323879 A JP2002323879 A JP 2002323879A JP 2001304447 A JP2001304447 A JP 2001304447A JP 2001304447 A JP2001304447 A JP 2001304447A JP 2002323879 A JP2002323879 A JP 2002323879A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】アモルファスTFTを用いた液晶表示装置にお
いて、1時間以上の長い周期で極性反転を行うことによ
り、ドライバーの電源電圧を下げ、消費電力を減らすこ
とを課題とする。 【解決手段】極性反転を、電源立ち上げ時、立ち下げ
時、ユーザーの指定する非使用時のみに行い、画像の違
和感を感じさせることなく、長周期の極性反転を実現す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体表示装置
(以下、表示装置と表記する)に関し、特に、絶縁体上
に作製される薄膜トランジスタ(以下、TFTと表記す
る)を有するアクティブマトリクス型表示装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、絶縁体上、特にガラス基板上に半
導体薄膜を用いて形成した表示装置、特にTFTを用い
たアクティブマトリクス型表示装置の普及が進んでい
る。アクティブマトリクス型表示装置は、マトリクス状
に画素を配置し、それらの画素それぞれにTFTを配置
し、これらのTFTを用いて各画素の輝度を制御し、画
像の表示を行っている。
【0003】図6はアモルファスTFT基板を用いたア
クティブマトリクス型液晶表示装置の例である。液晶表
示装置は信号線1306、走査線1307、アモルファ
スTFT1308、画素電極1309をマトリクス状に
並べたTFT基板1301と、ソースドライバ回路13
03、ソースドライバ回路1304、ゲートドライバ回
路1305からなっている。アモルファスTFTはポリ
シリコンTFTや単結晶トランジスタと比べて、移動度
が小さいのでドライバ回路(ソースドライバ回路やゲー
トドライバ回路を指す)を構成することはできない。よ
って、TFT基板1301の外側に、単結晶トランジス
タで構成されたソースドライバ回路1303、ソースド
ライバ回路1304、ゲートドライバ回路1305をF
PCで接続して、TFT基板1301上の信号線130
6、走査線1307を駆動している。また、図7はドラ
イバ回路(ソースドライバ回路やゲートドライバ回路を
指す)をFPCで接続するのではなく、COGでTFT
基板上に配置したものである。このような構成をとるこ
とによって、端子数の削減、実装面積の削減を行うこと
ができる。
【0004】ここで、本明細書では、液晶素子とは、2
枚の電極によって配向膜を介して液晶材料を挟んだ構造
を有する素子を示すものとする。また液晶材料として
は、公知の構造の材料を自由に用いることができる。図
8に、一般的なアクティブマトリクス型液晶表示装置の
画素部の構成を示す。
【0005】なお画素部は、x列y行の画素を有するも
のとする。
【0006】画素毎に、コンデンサ1001と、スイッ
チング用TFT1002と、液晶素子1003が配置さ
れている。スイッチング用TFT1002のゲート電極
は、ゲート信号線G1〜Gyのいずれか一本に接続され
ている。スイッチング用TFT1002のソース領域と
ドレイン領域は、一方はソース信号線S1〜Sxのいず
れか一本に接続され、もう一方はコンデンサ1001の
一方の電極及び液晶素子1003に接続されている。
【0007】ソース信号線S1〜Sxに入力されたアナ
ログ信号は、ゲート信号線G1〜Gyに入力された信号
によって導通状態となったスイッチング用TFT100
2のドレイン・ソース間を介して、コンデンサ1001
及び液晶素子1003に入力される。この信号の電圧に
応じて、液晶素子1003の透過率が変化し、各画素の
輝度が表現される。
【0008】ここで、液晶素子の2枚の電極間に、常に
一定方向の電界が印加されつづけると、液晶材料中のイ
オンに偏りが生じ、液晶素子の劣化を進めるといった問
題がある。そこで、一般の液晶素子を用いた表示装置な
どでは、一定期間ごとに、液晶素子に印加される電圧の
極性を変化させ、液晶素子の2電極間に印加される電界
の向きを変化させるような駆動方法が用いられている。
【0009】図2に、液晶表示装置の各画素に印加され
る電圧の極性を模式的に示す。ここで、図2(1)、図
2(2)、図2(3)それぞれにおいて、第nフレーム
の画素部の状態と、第n+1フレームの画素部の状態を
示す。なお図2では、画素部として4行4列の画素を代
表で示す。図中、+で示した画素と、−で示した画素で
は、液晶素子に印加される電圧の極性が異なる。
【0010】例えば、隣り合うゲート信号線間で、液晶
素子に印加する信号電圧の極性を異なるようにする、ゲ
ートライン反転とよばれる駆動方法を図2(1)に示
す。また、隣り合うソース信号線間で、液晶素子に印加
される信号の極性を異なるようにする、ソースライン反
転とよばれる駆動方法を図2(2)に示す。最後に、1
画像を表示する期間(以下、1フレーム期間とよぶ)毎
に、液晶素子に印加される信号の極性を反転させる、フ
レーム反転とよばれる駆動方法を図2(3)に示す。な
お、図2に示した駆動方法に限定されず、その駆動方法
は多様である。
【0011】この、従来のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の動作について、図8及び、図9のタイミング
チャートを用いて説明する。
【0012】なお、図9のタイミングチャートでは、図
2(3)において示したような、1フレーム期間毎に、
液晶素子に印加される信号の極性を反転させる、フレー
ム反転駆動での動作を用いている。
【0013】つまり、第1のフレーム期間(F1)にお
いてソース信号線S1〜Sxに入力された信号とは逆の
極性を有する信号が、第2のフレーム期間(F2)にソ
ース信号線S1〜Sxより入力される。また、第3のフ
レーム期間(F3)においては、第2のフレーム期間
(F2)において入力された信号とは極性の異なる信号
がソース信号線S1〜Sxより入力される。
【0014】第1のフレーム期間(F1)において、始
めゲート信号線G1が選択される。すると、ゲート信号
線G1にゲート電極が接続されたスイッチング用TFT
1002が導通状態となる。この後、ソース信号線S1
〜Sxより信号が入力される。なお、図9のタイミング
チャートにおいては、ある1本のソース信号線Smに注
目し、このソース信号線Smに入力される信号のみを示
している。ここで、1つのゲート信号線が選択されてい
る期間を1水平期間(1ライン期間:L)とよぶことに
する。特に、ゲート信号線G1が選択されている期間を
第1のライン期間L1と呼ぶことにする。ここで、ゲー
ト信号線G1に接続されたスイッチング用TFT100
2を有する画素に信号が入力され終わると、次にゲート
信号線G2に信号が入力されて、ゲート信号線G2に接
続された全てのスイッチング用TFTが導通状態とな
る。こうして第2のライン期間L2における信号の入力
が始まる。
【0015】なおソース信号線S1〜Sxには、−V〜
Vの電位を有する信号が入力されているものとする。
【0016】上記動作を、全てのゲート信号線G1〜G
yについて繰り返し、第yのライン期間Lyまで終了す
ると1フレーム期間が終了する。
【0017】次に第2のフレーム期間が始まる。第2の
フレーム期間(F2)においてはソース信号線S1〜S
xに入力される信号の極性が、第1のフレーム期間にお
いてソース信号線に入力されたソース信号線S1〜Sx
の信号電圧の極性とは異なる。こうして画像の表示が行
われる。
【0018】第2のフレーム期間が終了すると、第3の
フレーム期間が始まる。ここで、第3のフレーム期間で
は、第2のフレーム期間と異なる極性のソース信号線の
信号電圧がソース信号線に入力される。つまり、第1の
フレーム期間と同じ極性を有するソース信号線の信号電
圧が入力される。
【0019】上記動作を繰り返し、画像表示を行う。
【0020】図3の(1)に画素電極の電位(画素電
位)と対向電極の電位(対向電位)とゲートドライバ
(ゲート信号線駆動回路)の電源電圧との関係を示す。
【0021】図3において、縦軸は電位(V)を示す。
また図3中、0Vと16Vの電位差がゲートドライバ
(ゲート信号線駆動回路)の電源電圧に相当する。図3
では液晶がノーマリーホワイトの場合を示す。黒表示を
する場合、通常、5V程度の電圧が対向電極と画素電極
の間に印加されるものとする。
【0022】図3(1)では、対向電位は一定の電位を
とっている。画素電極の電位のみが極性反転しているた
め、ソース信号線に入力される信号電位は、合計で約1
0Vで振れていることになる。つまり、ソース信号線に
入力される信号電位の、最高電位と最低電位の電位差は
約10Vである。よって、ソース信号線駆動回路の電源
電圧は、10V程度である。
【0023】図3(2)では対向電圧を5Vの振幅で振
った場合の例を示している。ここで図に示した画素は画
面の中央にある画素として、対向の極性反転の真中あた
りで書き込みがおこなわれると仮定している。画素電極
の電位は対向電極の動きに合わせて、駆動させる。
【0024】ソース信号線より入力される信号電位が同
じであっても、画素電極の電位は、対向電極の電位が変
化すると、それに伴い変化する。そのため、ソース信号
線に入力される信号電位は、約5Vで振れれば良い。よ
って、ソース信号線駆動回路の電源電圧は5V程度とす
ることが出来る。
【0025】こうして、図3(2)に示した駆動方法で
は、図3(1)に示した駆動方法と比較して、ソース信
号線駆動回路の電源電圧を小さくすることが可能であ
る。
【0026】図3(2)の例ではゲートドライバ(ゲー
ト信号線駆動回路)の電源電圧が、図3(1)と同じで
あるので、問題なく動作する。しかし、ゲートドライバ
(ゲート信号線駆動回路)の電源電圧を10Vに下げた
場合、問題が起きる可能性がある。
【0027】図4は、ゲートドライバ(ゲート信号線駆
動回路)の電源電圧を10Vに下げた場合の駆動方法を
示す図である。図4において、矢印の領域で、本来オフ
の状態となるようなゲート電位が入力されているにも関
わらず、画素TFT(図8に示す、スイッチング用TF
T1002)がオンしてしまい、(画素TFTのゲート
電位よりもソース電位が下がるため)画素の液晶素子に
印加される電圧を保持できなくなる。このため、画素の
液晶素子に印加される電圧を保持できない状態が、2回
極性反転を行ううちに1回発生するため、画質は大幅に
低下することになる。
【0028】すなわち、液晶駆動に5V程度の電圧が必
要であり、且つ、頻繁に極性反転をおこなう液晶表示で
は図3(1)、図3(2)いずれの場合においても、ゲ
ートドライバ(ゲート信号線駆動回路)の電源電圧は1
5V程度必要である。
【0029】
【発明が解決しようとする課題】上述した様に1フレー
ム期間毎に液晶に加える信号を交流反転した場合、ゲー
トドライバ(ゲート信号線駆動回路)の電源電圧は15
V程度が必要となる。そのためゲートドライバ(ゲート
信号線駆動回路)の消費電力を低減することができなか
った。
【0030】そこで、本発明はアクティブマトリクス型
液晶表示装置で、低電圧で動作可能な、消費電力の少な
い液晶表示装置を提供することを課題とする。
【0031】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置で
は、液晶に印加される信号電圧を非常に長い周期で交流
反転し、表示をおこなう、もしくは、極性反転しない液
晶表示装置を提案する。
【0032】それによって、ドライバ(ソース信号線駆
動回路やゲート信号線駆動回路)の電源電圧を低減し、
ドライバ等を構成するTFTのLDDの長さを小さく抑
え、高速動作を満たす液晶表示装置が提供される。
【0033】以下に、本発明の液晶表示装置の構成につ
いて記載する。
【0034】本発明によって、第一の基板上に複数の信
号線と複数の走査線と複数のアモルファス薄膜トランジ
スタと、複数の画素電極をマトリクス状に配置し、第二
の基板上に対向電極を配置し、前記第一および第二の基
板間に液晶をはさんだ液晶表示装置において、液晶を駆
動する信号を、電源立ち上げもしくは電源立ち下げに同
期して極性反転を行うことを特徴とした液晶表示装置が
提供される。
【0035】本発明によって、第一の基板上に複数の信
号線と複数の走査線と複数のアモルファス薄膜トランジ
スタと、複数の画素電極をマトリクス状に配置し、第二
の基板上に対向電極を配置し、前記第一および第二の基
板間に液晶をはさんだ液晶表示装置において、液晶を駆
動する信号を液晶画面全面が書き換えられるタイミング
で極性反転することを特徴とした液晶表示装置が提供さ
れる。
【0036】本発明によって、第一の基板上に複数の信
号線と複数の走査線と複数のアモルファス薄膜トランジ
スタと複数の画素電極をマトリクス状に配置し、第二の
基板上に対向電極を配置し、前記第一および第二の基板
間に液晶をはさんだ液晶表示装置において、液晶を駆動
する信号をユーザーが定める特定の時間に極性反転する
ことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【0037】本発明によって、第一の基板上に複数の信
号線と複数の走査線と複数のアモルファス薄膜トランジ
スタと複数の画素電極をマトリクス状に配置し、第二の
基板上に対向電極を配置し、前記第一および第二の基板
間に液晶をはさんだ液晶表示装置において、前記液晶表
示装置はバックライトを有し、バックライトが消灯期間
中に液晶を駆動する信号を極性反転することを特徴とし
た液晶表示装置が提供される。
【0038】本発明によって、基板上に複数の信号線と
複数の走査線と複数のアモルファス薄膜トランジスタを
マトリクス状に配置して複数の画素を構成し、前記画素
内に設けられた第一の電極と前記第一の電極とほぼ平行
に設けられた第二の電極と前記第一および第二の電極間
の電圧で駆動される液晶を有する液晶表示装置におい
て、液晶を駆動する信号を、電源立ち上げもしくは電源
立ち下げに同期して極性反転を行うことを特徴とした液
晶表示装置が提供される。
【0039】本発明によって、基板上に複数の信号線と
複数の走査線と複数のアモルファス薄膜トランジスタを
マトリクス状に配置して複数の画素を構成し、前記画素
内に設けられた第一の電極と前記第一の電極とほぼ平行
に設けられた第二の電極と前記第一および第二の電極間
の電圧で駆動される液晶を有する液晶表示装置におい
て、液晶を駆動する信号を液晶画面全面が書き換えられ
るタイミングで極性反転することを特徴とした液晶表示
装置が提供される。
【0040】本発明によって、基板上に複数の信号線と
複数の走査線と複数のアモルファス薄膜トランジスタを
マトリクス状に配置して複数の画素を構成し、前記画素
内に設けられた第一の電極と前記第一の電極とほぼ平行
に設けられた第二の電極と前記第一および第二の電極間
の電圧で駆動される液晶を有する液晶表示装置におい
て、液晶を駆動する信号をユーザーが定める特定の時間
に極性反転することを特徴とする液晶表示装置が提供さ
れる。
【0041】本発明によって、基板上に複数の信号線と
複数の走査線と複数のアモルファス薄膜トランジスタを
マトリクス状に配置して複数の画素を構成し、前記画素
内に設けられた第一の電極と前記第一の電極とほぼ平行
に設けられた第二の電極と前記第一および第二の電極間
の電圧で駆動される液晶を有する液晶表示装置におい
て、前記液晶表示装置はバックライトを有し、バックラ
イトが消灯期間中に液晶を駆動する信号を極性反転する
ことを特徴とした液晶表示装置が提供される。
【0042】液晶はIPS(In-Plane Swi
tching)モード液晶であることを特徴とする液晶
表示装置であっても良い。
【0043】極性反転の周期は1時間以上であることを
特徴とする液晶表示装置であってもよい。
【0044】本発明によって、第一の基板上に複数の信
号線と複数の走査線と複数のアモルファス薄膜トランジ
スタと複数の画素電極をマトリクス状に配置し、第二の
基板上に対向電極を配置し、前記第一および第二の基板
間に液晶をはさんだ液晶表示装置において、前記画素電
極と前記対向電極の間の電圧を極性反転しないことを特
徴とする液晶表示装置が提供される。
【0045】本発明によって、基板上に複数の信号線と
複数の走査線と複数のアモルファス薄膜トランジスタを
マトリクス状に配置して複数の画素を構成し、前記画素
内に設けられた第一の電極と前記第一の電極とほぼ平行
に設けられた第二の電極と前記第一および第二の電極間
の電圧で駆動される液晶を有する液晶表示装置におい
て、前記第一の電極と前記第二の電極のあいだの電圧を
極性反転しないことを特徴とする液晶表示装置が提供さ
れる。
【0046】液晶の劣化を補正して表示をおこなう機能
を有する液晶表示装置であっても良い。
【0047】液晶の劣化補正は、各画素の、電圧印加の
累積時間を記憶して補正をかけることを特徴とした液晶
表示装置であっても良い。
【0048】液晶表示装置を用いることを特徴とするテ
レビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、ビデオカメ
ラ、ヘッドマウントディスプレイであっても良い。
【0049】
【発明の実施の形態】本発明の液晶表示装置の構成につ
いて以下に説明する。
【0050】以下はきわめて長い周期(例えば1時間に
1回)交流反転(液晶素子に印加される電圧の極性の反
転)をおこなう場合について述べる。
【0051】交流反転は従来の液晶表示装置では60〜
100Hzの周波数、すなわち10〜16.6msの周
期で行われる。これより長い周期であると、人間の目に
はフリッカとして感じられる。
【0052】1980年代の液晶材料では頻繁に交流反
転をしないと、比較的短時間で、例えば10時間で液晶
が劣化してしまうという問題があった。しかし近年の液
晶材料では、劣化の度合いが少なくなってきている。
【0053】本発明者はこの点に着目し、非常に長い周
期で極性反転をおこない、前述した従来技術の課題を解
決するものである。
【0054】非常に長い周期で、極性反転を行うと、フ
リッカは考えられない。フリッカは輝度の異なる映像が
目視で感じられる周期で動くことで感じられるからであ
る。
【0055】本発明を適用した液晶表示装置を駆動する
場合の、画素電極の電位(画素電位)と、対向電極の電
位(対向電位)と、ゲート信号線駆動回路の電源電圧の
関係を図1に示す。従来例の図4と比較して、極性反転
が起こる周期が非常に長い。そのため、画素TFTがオ
ンの状態になってしまい、画素の液晶素子が信号電圧を
保持できない時間(図1中、矢印で表記)は存在する
が、従来例に比較して、その時間の割合は非常に少な
い。
【0056】図1に示すような駆動方法の場合の課題と
しては、長い周期に一度の反転が起こった場合に、画像
が一瞬乱れるなどの作用が発生することである。
【0057】この対策としては以下のものがある。 1)ユーザーが液晶表示装置を使用していない間に極性
反転をおこなう。たとえば、液晶表示装置の電源立ち上
げ、立ち下げ時に極性反転をおこなう、またはユーザー
が指定した特定の時間(深夜などの通常使用しない時間
など)に極性反転をおこなう。 2)液晶表示装置の画面全体が別画面に変化するときな
どに極性反転をおこなう。
【0058】このような対策を行うことによって、極性
反転が起こった場合に、画像が一瞬乱れるなどの問題は
解決できる。
【0059】それによって、本発明では10V前後の電
圧でドライバ(ソース信号線駆動回路及びゲート信号線
駆動回路)の駆動が可能になる。
【0060】上記駆動方法の詳細は実施例にて述べる。
【0061】次に、第2の実施形態として、極性反転を
しない場合の例について考える。
【0062】液晶素子が近年劣化しにくくなったとはい
っても、長時間の直流電圧を印加すると、液晶素子のV
Tカーブ(透過率−印加電圧カーブ)が変化し、表示特
性が変わってしまう。図5は液晶素子のVTカーブの概
略図である。初期値(図5中、初期と表記)に対して、
時間がたつと左方向にカーブがシフトしていく(図5
中、経時後と表記)。よって、このように液晶素子が劣
化した場合には、何らかの補正が必要である。液晶表示
装置では画面において、様々な映像が表示される。すな
わち、個々の画素においては、様々な映像信号電圧が印
加されるため、画素毎に信号電圧のかかり方、履歴も異
なったものになる。よって、液晶表示装置を極性反転せ
ずに駆動した場合、その劣化の具合は画素ごとに、異な
ったものとなる。
【0063】よって、液晶素子が劣化に対応して補正を
行う場合には、各画素ごとに、その履歴に応じた補正を
おこなう回路を構成する必要がある。図13は、補正を
行う表示システムの構成を示すブロック図である。この
システムでは以下の機能を持ったブロックがある。ま
ず、初期においては、メモリ回路のデータは0になって
いる。この場合デジタルビデオ信号が累積輝度加算回路
に入力されると0に応じた、出力が映像補正回路に入力
される。この場合は補正が行われず、デジタルビデオ信
号はそのまま、LCD(液晶表示装置)に入力される。
また、累積輝度加算回路の出力はメモリ回路にも入力さ
れそこに記憶される。
【0064】次に、デジタルビデオ信号が入力される
と、メモリ回路の記憶内容に新たなデジタルビデオ信号
のデータが加算される。このデータを用いて映像補正回
路はデジタルビデオ信号を補正する。また、加算データ
はメモリ回路に入力され、メモリの記憶データを書き換
える。これを繰り返すことによって各画素の累積の輝度
が求められる。これらのデータを用いて、各画素に対し
て、液晶の劣化を予測し、補正をかけていく。
【0065】液晶表示装置の電源をオフにする場合に
は、メモリ回路のデータを不揮発性メモリに移し、記憶
内容が消滅しないようにしている。液晶表示装置の電源
立ち上げ時には不揮発性メモリからメモリ回路にデータ
を移して使用する。不揮発性メモリを直接使用しないの
は、不揮発性メモリは応答が遅いこと、また、書き換え
の可能回数が少ないことによる。
【0066】このようにして、各画素に印加される電圧
は記憶され、どの画素に対して累積でどれくらいの負荷
がかけられたかがわかる。かけられた負荷に応じて、補
正量を決めて補正を行えば、液晶の劣化は補正が可能と
なる。すなわち、極性反転を行わずに液晶が駆動でき、
表示装置の電源電圧を下げることが可能になるのであ
る。具体的には10V前後の電圧で駆動が可能になる。
【0067】
【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。
【0068】[実施例1]図10は、液晶表示装置の電源
オフ時に同期して、極性反転をおこなう例である。まず
t1において、バックライトが消灯する。これによっ
て、その後に、表示画像が乱れてもユーザーがそれを見
ることはない。次にt2において、極性反転をおこな
い、信号を書きこむ。望ましくは数回書き込むほうがよ
い。次にt3において液晶表示装置の電源をオフとす
る。
【0069】このようなシーケンシャルを組むことによ
って、極性反転による画質の低下をユーザーは見ないで
すむ。液晶表示装置の電源立ち上げ時にはすでに極性反
転は終了している、よって、そのまま画像表示を始めれ
ばよい。
【0070】図示はしないが、液晶表示装置の電源投入
時に極性反転を行う場合も同様の手法で行うことが可能
である。表示装置の電源を立ち上げ後、極性反転をおこ
ない、その後、数回の書き込みをおこなったのち、バッ
クライトを点灯する。この方法でも、図10に示した手
法と同様に、ユーザーは、極性反転時の画質低下を見な
くてすむ。
【0071】[実施例2]図11はユーザーの希望にあわ
せて、極性反転の時刻を設定するシステムを表したブロ
ック図である。
【0072】ユーザーは、ユーザーインターフェイスを
介して、極性反転時間設定用タイマー回路に希望時刻を
設定する。例えば、午前3時に時刻設定をおこなう。極
性反転時間設定タイマー回路は設定された時刻になると
CPUに対して、極性切り換えの合図をだす。CPUは
それを受けて、LCDコントローラに信号を出力し、液
晶表示装置(LCD)の駆動回路を動作させ、極性反転
をおこなう。極性反転が終了すれば、CPUは液晶表示
装置(LCD)の動作を止める。
【0073】図11に示すような機能を有することによ
って、この場合ユーザーが普段表示装置を使用しない時
間帯に極性反転がおこなわれ、ユーザーは極性切り換え
時の画質低下を見ることが無くなる。このときバックラ
イトは当然、点灯する必要はない。
【0074】[実施例3]第3の実施例は、画面の映像
が、一部でなく画面全体が切り替わる場合を検出して、
極性反転をかける例である。
【0075】例えば、表示装置がテレビである場合は、
チャンネル切り換え時には、画像内容が大きく変化す
る。
【0076】このような画面の全面切り替わり時に極性
反転を行って、極性切り換え時の画質低下の視認を避け
ることも可能である。
【0077】[実施例4]図12は液晶表示装置にIPS
(In−Plane−Switching)モードを使
用した場合の画素図面である。
【0078】IPSモードはTNモードと異なり、対向
基板上の対向電極と、画素基板上の画素電極との間の液
晶層を駆動するのではなく、ほぼ平行の同一基板上の2
つの電極間の液晶層を駆動する。そのため、IPSモー
ドで駆動する液晶表示装置は、TNモードで駆動する液
晶表示装置に比較して、広い視野角を有する特徴があ
る。IPSモードを使っても、TNモードを使う場合と
同様に本発明は有効である。前記した第1、第2、第3
の実施例は本実施例と組み合わせが可能である。
【0079】前記した実施例1、実施例2、実施例3は
本実施例と自由に組み合わせることが可能である。
【0080】[実施例5]本実施例では、本発明の液晶表
示装置の画素部を作製する方法について説明する。
【0081】また、断面図はTFT(画素TFT)と端
子部分(ソース端子又はドレイン端子)を示す。
【0082】まず、図14に示すように、コーニング社
の#7059ガラスや#1737ガラスなどに代表され
るバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ
酸ガラスなどのガラスから成る基板5001上に酸化シ
リコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜な
どの絶縁膜から成る下地膜5002を形成する。例え
ば、プラズマCVD法でSiH4、NH3、N2Oから作
製される酸化窒化シリコン膜5002aを10〜200
[nm](好ましくは50〜100[nm])形成し、同様にS
iH4、N2Oから作製される酸化窒化水素化シリコン膜
5002bを50〜200[nm](好ましくは100〜1
50[nm])の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜
5002を2層構造として示したが、前記絶縁膜の単層
膜または2層以上積層させた構造として形成しても良
い。
【0083】次に、ゲート電極となるゲートメタルを成
膜する。その材料はタンタル(Ta)、タングステン
(W)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)な
どが望ましい。Ta膜はスパッタ法で、Taのターゲッ
トをArでスパッタすることにより形成する。この場
合、Arに適量のXeやKrを加えると、Ta膜の内部
応力を緩和して膜の剥離を防止することが出来る。ま
た、α相のTa膜の抵抗率は20[μΩcm]程度でありゲ
ート電極に使用することが出来るが、β相のTa膜の抵
抗率は180[μΩcm]程度でありゲート電極とするには
不向きである。α相のTa膜を形成するために、Taの
α相に近い結晶構造をもつ窒化タンタルを10〜50[n
m]程度の厚さでTaの下地に形成しておくとα相のTa
膜を容易に得ることが出来る。
【0084】W膜を形成する場合には、Wをターゲット
としたスパッタ法で形成する。その他に6フッ化タング
ステン(WF6)を用いる熱CVD法で形成することも
出来る。いずれにしてもゲート電極として使用するため
には低抵抗化を図る必要があり、W膜の抵抗率は20
[μΩcm]以下にすることが望ましい。W膜は結晶粒を大
きくすることで低抵抗率化を図ることが出来るが、W中
に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害さ
れ高抵抗化する。このことにより、スパッタ法による場
合、純度99.9999[%]のWターゲットを用いて、
さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように
十分配慮してW膜を形成することにより、抵抗率9〜2
0[μΩcm]を実現することが出来る。
【0085】続いて、形成されるゲートメタルをパター
ニング、エッチングする。このゲートメタルの上にゲー
ト絶縁膜、チャネル(チャネル形成領域)などが形成さ
れるため、エッチングされた側面のテーパー角は緩やか
な方がよく、30度以下のテーパー角が望ましい。この
ようにして、ゲート電極5003、ゲート配線5004
を形成する。(図14(a))
【0086】次いで、ゲート電極5003及びゲート配
線5004を覆うゲート絶縁膜5005を形成する。ゲ
ート絶縁膜5005はプラズマCVD法またはスパッタ
法を用い、厚さを40〜450[nm]としてシリコンを含
む絶縁膜で形成する。本実施例では、300[nm]の厚さ
の窒化シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこ
のような窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他の
シリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用い
ても良い。
【0087】次にアモルファスシリコンを成膜し、連続
でN+アモルファスシリコン(nがドープされたアモル
ファスシリコン)またはN+微結晶シリコン(nがドー
プされた微結晶シリコン)を成膜する。それぞれの厚さ
は150[nm]、50[nm]とするのが望ましい。また、こ
れらの成膜はゲート絶縁膜に連続して行われるのが望ま
しい。これらのシリコン膜(アモルファスシリコン、微
結晶シリコン)を塩化水素ガスや6フッ化シラン(HC
l+SF6)などのガスでドライエッチングし、島状領
域を形成する。これによって、チャネル領域5006、
ソースドレイン領域5007が形成される。(図14
(b))
【0088】次に、レジストによるマスク5008を形
成し、端子部分のゲート電極上にコンタクトホール50
09を形成する。これは、ゲート絶縁膜をエッチングす
ることによって、形成される。(図14(c))
【0089】そして、バスラインとなる配線材として、
Al(5010a、5011a、5012a)とTi
(5010b、5011b、5012b)を成膜する。
配線材はITOとAlが接触することによって、電触が
発生するのを防ぐため、Alの上にTiを成膜してい
る。そして、ソース電極5010、ドレイン電極501
1および端子部5012を形成する。つぎに、配線材を
マスクとして、N+シリコン層(nがドープされたシリ
コン層)をエッチングし、TFTのソース領域とドレイ
ン領域を切り離す。(図14(d))次に、信頼性向上
のため窒素化膜または酸化窒素化膜を成膜する。その厚
さは50[nm]から500[nm]程度がよく、ここでは30
0[nm]とした。(図14(e))
【0090】さらに、樹脂膜として、アクリルまたはポ
リイミドを0.5[μm]μmから3[μm]成膜する。そし
て、ドライエッチングにてスルーホール5017を開口
する。ドライエッチングは条件を変えることによって、
樹脂膜、窒素化膜を連続で開口できる。そして、ITO
を成膜およびエッチングすることによって、画素電極5
015を形成する。(図14(f))
【0091】以上のようにして、nチャネル型アモルフ
ァスTFTによって構成された画素マトリクスを基板上
に形成することができる。本明細書中ではこのような基
板をアクティブマトリクス基板と呼ぶ。
【0092】続いて、図14(e)の状態のアクティブ
マトリクス基板を得た後、アクティブマトリクス基板上
に配向膜5053を形成しラビング処理を行う。
【0093】一方、対向基板5054を用意する。(図
15)対向基板5054にはカラーフィルタ層5055
〜5057、オーバーコート層5058を形成する。カ
ラーフィルタ層はTFTの上方で赤色のカラーフィルタ
層5055と青色のカラーフィルタ層5056とを重ね
て形成し遮光膜を兼ねる構成とする。少なくともTFT
と、接続電極と画素電極との間を遮光する必要があるた
め、それらの位置を遮光するように赤色のカラーフィル
タと青色のカラーフィルタを重ねて配置することが好ま
しい。
【0094】各色のカラーフィルタはアクリル樹脂に顔
料を混合したもので1〜3[μm]の厚さで形成する。こ
れは感光性材料を用い、マスクを用いて所定のパターン
に形成することができる。スペーサの高さによりアクテ
ィブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせた時のギ
ャップを形成する。オーバーコート層5058は光硬化
型または熱硬化型の有機樹脂材料で形成し、例えば、ポ
リイミドやアクリル樹脂などを用いる。
【0095】オーバーコート層5058を形成した後、
対向電極5059をパターニング形成し、配向膜505
3を形成した後ラビング処理を行う。
【0096】そして、画素部と駆動回路部が形成された
アクティブマトリクス基板と対向基板とをシール剤50
62で貼り合わせる。シール剤5062にはフィラーが
混入されていて、このフィラーとスペーサによって均一
な間隔を持って2枚の基板が貼り合わせられる。その
後、両基板の間に液晶材料5061を注入し、封止剤
(図示せず)によって完全に封止する。液晶材料506
1には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして
図15に示すアクティブマトリクス型液晶表示装置が完
成する。
【0097】また、本実施例においては、ガラス基板上
を使用しているが、ガラス基板に限らず、プラスチック
基板、ステンレス基板、単結晶ウェハ等、ガラス基板以
外のものを使用することによっても実施が可能である。
【0098】本実施例は、実施例1〜実施例4と自由に
組み合わせて実施することが可能である。
【0099】[実施例6]本実施例において、反射型の液
晶表示装置に本発明を使用した場合の作製工程の一例を
示す。
【0100】実施例5に従い、図14(e)に示すアク
ティブマトリクス基板を作成する。反射型の場合、IT
Oのかわりに反射電極を形成する(図16)。反射電極
6017としては、Al、Agを主成分とする膜、ある
いはそれらの積層膜等の、反射性に優れた材料を用いる
ことが望ましい。
【0101】次いで、対向基板5054を用意する。対
向基板5054には、本実施例においては対向電極52
05をパターニングして形成している。対向電極606
9は、透明導電膜として形成する。透明導電膜として
は、酸化インジウムと酸化スズとの化合物(ITOと呼
ばれる)または酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物か
らなる材料を用いることが出来る。
【0102】特に図示していないが、カラー液晶表示装
置の作成の際には、カラーフィルタ層5055〜505
7を形成する。このとき、隣接した色の異なるカラーフ
ィルタ層を重ねて形成し、TFT部分の遮光膜を兼ねる
構成とすると良い。
【0103】その後、アクティブマトリクス基板および
対向基板に、配向膜5053および5060を形成し、
ラビング処理を行う。
【0104】そして、画素部と駆動回路部が形成された
アクティブマトリクス基板と対向基板とをシール剤50
62で貼り合わせる。シール剤5062にはフィラーが
混入されていて、このフィラーとスペーサによって均一
な間隔を持って2枚の基板が貼り合わせられる。その
後、両基板の間に液晶材料5061を注入し、封止剤
(図示せず)によって完全に封止する。液晶材料506
1には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして
図16に示す反射型の液晶表示装置が完成する。
【0105】なお、本実施例においては、ガラス基板に
限らず、プラスチック基板、ステンレス基板、単結晶ウ
ェハ等、ガラス基板以外のものを使用することも可能で
ある。
【0106】また、画素の半分を反射電極、残る半分を
透明電極とした、半透過型の表示装置として作成する場
合にも、本発明は容易に適用することが出来る。
【0107】本発明は、実施例1〜実施例5と自由に組
み合わせて実施することが可能である。
【0108】[実施例7]本発明の液晶表示装置には様々
な用途がある。本実施例では、本発明の液晶表示装置を
組み込んだ半導体装置について説明する。
【0109】液晶表示装置を組み込んだ半導体装置に
は、携帯情報端末(電子手帳、モバイルコンピュータ、
携帯電話等)、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソ
ナルコンピュータ、テレビ等が挙げられる。それらの一
例を図17および図18に示す。
【0110】図17(A)は携帯電話であり、本体26
01、音声出力部2602、音声入力部2603、表示
部2604、操作スイッチ2605、アンテナ2606
から構成されている。本発明は表示部2604に適用す
ることができる。
【0111】図17(B)はビデオカメラであり、本体
2611、表示部2712、音声入力部2613、操作
スイッチ2614、バッテリー2615、受像部261
6から成っている。本発明は表示部2612に適用する
ことができる。
【0112】図17(C)はモバイルコンピュータある
いは携帯情報端末であり、本体2621、カメラ部26
22、受像部2623、操作スイッチ2624、表示部
2625で構成されている。本発明は表示部2625に
適用することができる。
【0113】図17(D)はヘッドマウントディスプレ
イであり、本体2631、表示部2632、アーム部2
633で構成される。本発明は表示部2632に適用す
ることができる。
【0114】図17(E)はテレビであり、本体264
1、スピーカー2642、表示部2643、受信装置2
644、増幅装置2645等で構成される。本発明は表
示部2643に適用することができる。
【0115】図17(F)は携帯書籍であり、本体26
51、表示部2652、記憶媒体2653、操作スイッ
チ2654、アンテナ2655から構成されており、ミ
ニディスク(MD)やDVD(Digital Ver
satile Disc)に記憶されたデータや、アン
テナで受信したデータを表示するものである。本発明は
表示部2652に適用することができる。
【0116】図18(A)はパーソナルコンピュータで
あり、本体2701、画像入力部2702、表示部27
03、キーボード2704で構成される。本発明は表示
部2703に適用することができる。
【0117】図18(B)はプログラムを記録した記録
媒体を用いるプレーヤーであり、本体2711、表示部
2712、スピーカー部2713、記録媒体2714、
操作スイッチ2715で構成される。なお、この装置は
記録媒体としてDVD(Digtial Versat
ile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑
賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発
明は表示部2612に適用することができる。
【0118】図18(C)はデジタルカメラであり、本
体2721、表示部2722、接眼部2723、操作ス
イッチ2724、受像部(図示しない)で構成される。
本発明は表示部2722に適用することができる。
【0119】図18(D)は片眼のヘッドマウントディ
スプレイであり、表示部2731、バンド部2732で
構成される。本発明は表示部2731に適用することが
できる。
【0120】
【発明の効果】従来の液晶表示装置では、1フレーム期
間に1回の極性反転が必要であり、1フレーム期間に1回
の反転をおこない、且つ、良好な表示を確保するために
は、ドライバ(ソース信号線駆動回路、ゲート信号線駆
動回路)の電源電圧は15V以上に設定しなければなら
なかった。よって、ドライバを構成するTFTには、大
きなLDDが不可避であり、製造工程が複雑になってい
た。
【0121】本発明の液晶表示装置では、前述したよう
に長い周期で極性反転をおこなうことにより、画質を損
なうことなく、ドライバの駆動電圧を下げることができ
る。
【0122】こうして、低消費電力で、簡略化した工程
で作製可能な液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の液晶表示装置の画素電位波形を示
す図。
【図2】 画素の反転方式を示す図。
【図3】 従来の液晶表示装置の画素電位波形を示す
図。
【図4】 電源電圧を下げた場合の画素電位波形を示
す図。
【図5】 液晶のVTカーブを示す図。
【図6】 従来の液晶表示装置の構成を示す図。
【図7】 従来の液晶表示装置のソース信号線駆動回
路の構成を示す図。
【図8】 従来の液晶表示装置の画素の構成を示す
図。
【図9】 従来の液晶表示装置の駆動方法を示すタイ
ミングチャートを示す図。
【図10】 本発明の第一の実施例を示す図。
【図11】 本発明の第二の実施例を示す図。
【図12】 IPSを用いた画素の平面図。
【図13】 本発明のシステムブロック図。
【図14】 本発明の液晶表示装置の作製方法を示す
図。
【図15】 本発明の液晶表示装置の作製方法を示す
図。
【図16】 本発明の液晶表示装置の作製方法を示す
図。
【図17】 本発明の液晶表示装置の応用機器を示す
図。
【図18】 本発明の液晶表示装置の応用機器を示す
図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 611 G09G 3/20 611A 621 621B 621H 670 670D 670K 680 680A 680T 680V 3/34 3/34 J Fターム(参考) 2H092 GA14 JA24 JB56 KA05 KB22 KB24 KB25 MA08 MA12 MA17 PA13 RA10 2H093 NA33 NC16 NC34 ND39 ND53 ND54 NF05 5C006 AC26 AF51 AF53 AF61 AF67 AF69 BB16 BF09 BF28 BF29 EA01 FA46 FA47 5C080 AA10 BB05 DD24 DD26 DD29 FF11 JJ03 JJ04 JJ06

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第一の基板上に複数の信号線と複数の走査
    線と複数のアモルファス薄膜トランジスタと複数の画素
    電極をマトリクス状に配置し、第二の基板上に対向電極
    を配置し、前記第一および第二の基板間に液晶をはさん
    だ液晶表示装置において、 液晶を駆動する信号を、電源立ち上げもしくは電源立ち
    下げに同期して極性反転を行うことを特徴とした液晶表
    示装置。
  2. 【請求項2】第一の基板上に複数の信号線と複数の走査
    線と複数のアモルファス薄膜トランジスタと複数の画素
    電極をマトリクス状に配置し、第二の基板上に対向電極
    を配置し、前記第一および第二の基板間に液晶をはさん
    だ液晶表示装置において、 液晶を駆動する信号を液晶画面全面が書き換えられるタ
    イミングで極性反転することを特徴とした液晶表示装
    置。
  3. 【請求項3】第一の基板上に複数の信号線と複数の走査
    線と複数のアモルファス薄膜トランジスタと複数の画素
    電極をマトリクス状に配置し、第二の基板上に対向電極
    を配置し、前記第一および第二の基板間に液晶をはさん
    だ液晶表示装置において、 液晶を駆動する信号をユーザーが定める特定の時間に極
    性反転することを特徴とする液晶表示装置。
  4. 【請求項4】第一の基板上に複数の信号線と複数の走査
    線と複数のアモルファス薄膜トランジスタと複数の画素
    電極をマトリクス状に配置し、第二の基板上に対向電極
    を配置し、前記第一および第二の基板間に液晶をはさん
    だ液晶表示装置において、前記液晶表示装置はバックラ
    イトを有し、バックライトが消灯期間中に液晶を駆動す
    る信号を極性反転することを特徴とした液晶表示装置。
  5. 【請求項5】基板上に複数の信号線と複数の走査線と複
    数のアモルファス薄膜トランジスタをマトリクス状に配
    置して複数の画素を構成し、前記画素内に設けられた第
    一の電極と前記第一の電極とほぼ平行に設けられた第二
    の電極と前記第一および第二の電極間の電圧で駆動され
    る液晶を有する液晶表示装置において、 液晶を駆動する信号を、電源立ち上げもしくは電源立ち
    下げに同期して極性反転を行うことを特徴とした液晶表
    示装置。
  6. 【請求項6】基板上に複数の信号線と複数の走査線と複
    数のアモルファス薄膜トランジスタをマトリクス状に配
    置して複数の画素を構成し、前記画素内に設けられた第
    一の電極と前記第一の電極とほぼ平行に設けられた第二
    の電極と前記第一および第二の電極間の電圧で駆動され
    る液晶を有する液晶表示装置において、液晶を駆動する
    信号を液晶画面全面が書き換えられるタイミングで極性
    反転することを特徴とした液晶表示装置。
  7. 【請求項7】基板上に複数の信号線と複数の走査線と複
    数のアモルファス薄膜トランジスタをマトリクス状に配
    置して複数の画素を構成し、前記画素内に設けられた第
    一の電極と前記第一の電極とほぼ平行に設けられた第二
    の電極と前記第一および第二の電極間の電圧で駆動され
    る液晶を有する液晶表示装置において、 液晶を駆動する信号をユーザーが定める特定の時間に極
    性反転することを特徴とする液晶表示装置。
  8. 【請求項8】基板上に複数の信号線と複数の走査線と複
    数のアモルファス薄膜トランジスタをマトリクス状に配
    置して複数の画素を構成し、前記画素内に設けられた第
    一の電極と前記第一の電極とほぼ平行に設けられた第二
    の電極と前記第一および第二の電極間の電圧で駆動され
    る液晶を有する液晶表示装置において、前記液晶表示装
    置はバックライトを有し、バックライトが消灯期間中に
    液晶を駆動する信号を極性反転することを特徴とした液
    晶表示装置。
  9. 【請求項9】請求項5乃至請求項8のいずれか一項にお
    いて、液晶はIPS(In-Plane Switch
    ing)モード液晶であることを特徴とする液晶表示装
    置。
  10. 【請求項10】請求項1乃至請求項8のいずれか一項に
    おいて、 極性反転の周期は1時間以上であることを特徴とする液
    晶表示装置。
  11. 【請求項11】第一の基板上に複数の信号線と複数の走
    査線と複数のアモルファス薄膜トランジスタと複数の画
    素電極をマトリクス状に配置し、第二の基板上に対向電
    極を配置し、前記第一および第二の基板間に液晶をはさ
    んだ液晶表示装置において、 前記画素電極と前記対向電極の間の電圧を極性反転しな
    いことを特徴とする液晶表示装置。
  12. 【請求項12】基板上に複数の信号線と複数の走査線と
    複数のアモルファス薄膜トランジスタをマトリクス状に
    配置して複数の画素を構成し、前記画素内に設けられた
    第一の電極と前記第一の電極とほぼ平行に設けられた第
    二の電極と前記第一および第二の電極間の電圧で駆動さ
    れる液晶を有する液晶表示装置において、 前記第一の電極と前記第二の電極のあいだの電圧を極性
    反転しないことを特徴とする液晶表示装置。
  13. 【請求項13】請求項11乃至請求項12のいずれか一
    項に記載の液晶表示装置において、液晶の劣化を補正し
    て表示をおこなう機能を有する液晶表示装置。
  14. 【請求項14】請求項13において、液晶の劣化補正
    は、各画素ごとの、電圧印加の累積時間を記憶して補正
    をかけることを特徴とした液晶表示装置。
  15. 【請求項15】請求項1乃至請求項14のいずれか一項
    に記載の液晶表示装置を用いることを特徴とするテレ
    ビ。
  16. 【請求項16】請求項1乃至請求項14のいずれか一項
    に記載の液晶表示装置を用いることを特徴とするパーソ
    ナルコンピュータ。
  17. 【請求項17】請求項1乃至請求項14のいずれか一項
    に記載の液晶表示装置を用いることを特徴とする携帯端
    末。
  18. 【請求項18】請求項1乃至請求項14のいずれか一項
    に記載の液晶表示装置を用いることを特徴とするビデオ
    カメラ。
  19. 【請求項19】請求項1乃至請求項14のいずれか一項
    に記載の液晶表示装置を用いることを特徴とするヘッド
    マウントディスプレイ。
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