JP2002319805A - 中心電極組立体、非可逆回路素子、通信装置及び中心電極組立体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気特性が安定し、かつ、信頼性が高い小型
の中心電極組立体、非可逆回路素子、通信装置及び中心
電極組立体の製造方法を提供する。 【解決手段】 中心電極組立体１は、略矩形体状のフェ
ライト３０と、フェライト３０の上面３０ａに配置され
た中心電極２１〜２３とを備え、フェライト３０が、フ
ェライト３０の中央部に縦辺３０ｄに対して略平行に配
置された基準溝３３と、フェライト３０の縦辺３０ｄに
対して傾斜しかつ基準溝３３に対して対称配置された二
つの溝３１，３２とを有し、中心電極２１〜２３がフェ
ライト３０に設けられた溝３１〜３３内にそれぞれ配置
されている。フェライト３０の縦辺３０ｄ及び横辺３０
ｅの寸法をそれぞれＨ，Ｌとし、対称配置された二つの
溝３１，３２がなす交差角度をθとすると、関係式：Ｈ
／Ｌ＝２×ｔａｎ（θ／２）／ｎを満たす。但し、ｎ
は、任意の自然数である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、マイクロ
波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータ等の中
心電極組立体、非可逆回路素子、通信装置及び中心電極
組立体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、携帯電話等の移動用の通信装
置に採用される集中定数型アイソレータの中心電極組立
体として、図１８に示すものが知られている。この中心
電極組立体２４０は、中心電極２７１〜２７３とアース
電極２７６からなる中心導体２７０とフェライト２８０
で形成されている。中心電極組立体２４０は、例えば、
以下に記載の手順で形成される。図１８（Ａ）に示すよ
うに、アース電極２７６の上にフェライト２８０を載置
する。アース電極２７６とフェライト２８０の底面２８
０ｂは略同じ大きさである。中心電極２７１〜２７３及
びアース電極２７６は、例えば、金属薄板を打ち抜き加
工することによって形成されたものである。

【０００３】そして、図１８（Ｂ）に示すように、中心
電極２７１を折り曲げて、フェライト２８０に巻き、そ
の上から絶縁シート２８５（図１９参照）を積層する。
さらに、図１８（Ｃ）に示すように、中心電極２７２，
２７３を同様に、フェライト２８０に巻く。

【０００４】中心電極２７１〜２７３のそれぞれの端部
はポート部Ｐとされ、整合用コンデンサ等に電気的に接
続される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図１９に示す
ように、従来の中心電極組立体２４０は、フェライト２
８０の上面２８０ａの中央部に中心電極２７１〜２７３
と絶縁シート２８５が交互に層を形成しているので、高
さ寸法が大きかった。また、中心電極組立体２４０の上
面２８０ａの平面度も悪かった。従って、この上面２８
０ａに載置される永久磁石や金属ケースの位置精度が安
定しにくく、中心電極組立体２４０に印加される磁界が
製品毎にばらつきやすかった。

【０００６】また、略矩形状のフェライト２８０に中心
電極２７１〜２７３を巻くとき、中心電極２７１〜２７
３を所定の配置位置に案内するものがないので、中心電
極２７１〜２７３の配置位置がずれてしまう。従って、
中心電極２７１〜２７３相互の交差角度の精度を向上さ
せにくく、中心電極組立体２４０の電気特性がばらつき
やすかった。

【０００７】また、組み立てられた中心電極組立体２４
０に外的（物理的）ストレスが加わると、配置した位置
から中心電極２７１〜２７３がずれてしまいやすいの
で、中心電極組立体２４０の電気特性の変動や信頼性の
低下が懸念される。

【０００８】そこで、本発明の目的は、電気特性が安定
し、かつ、信頼性が高い小型の中心電極組立体、非可逆
回路素子、通信装置及び中心電極組立体の製造方法を提
供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
するため、本発明に係る中心電極組立体は、（ａ）略矩
形体状のフェライトと、（ｂ）前記フェライトの主面に
配置された複数の中心電極とを備え、（ｃ）前記フェラ
イトが、フェライトの中央部に縦辺に対して略平行に配
置された基準溝と、前記フェライトの縦辺に対して傾斜
しかつ前記基準溝に対して対称配置された二つの溝とを
有し、前記複数の中心電極が前記フェライトに設けられ
た溝内にそれぞれ配置されていること、を特徴とする。
より具体的には、フェライトの縦辺及び横辺の寸法をそ
れぞれＨ，Ｌとし、対称配置された二つの溝がなす交差
角度をθとすると、 Ｈ／Ｌ＝２×ｔａｎ（θ／２）／ｎ 但し、ｎ：任意の自然数、を満足している。

【００１０】以上の構成により、フェライトの主面に形
成された溝内に全ての中心電極が収容されるので、中心
電極の交差角度の精度が高くなる。さらに、フェライト
の主面に形成された溝から中心電極は殆どはみ出ないの
で、フェライトの主面は平滑になり、例えば、フェライ
トの主面に矩形状の永久磁石を精度よく載置することが
できる。

【００１１】また、本発明に係る非可逆回路素子及び通
信装置は、前述の特徴を有する中心電極組立体を備える
ことにより、優れた電気特性を有する。

【００１２】また、本発明に係る中心電極組立体の製造
方法は、（ｄ）フェライト母基板の主面に、所定のピッ
チ寸法で複数の基準溝を設けると共に、該基準溝に所定
の角度で交差しかつ該基準溝に対して対称配置された多
数対の溝を設ける工程と、（ｅ）前記基準溝に対して平
行な第１切断線のピッチ寸法をＬ１とし、前記基準溝に
対して垂直な第２切断線のピッチ寸法をＨ１とし、前記
対称配置された対の溝がなす交差角度をθとすると、 Ｈ１／Ｌ１＝２×ｔａｎ（θ／２）／ｎ 但し、ｎ：任意の自然数、を満足するように、前記第１
切断線及び前記第２切断線にて切断して所定のサイズの
フェライトを切り出す工程と、（ｆ）前記所定のサイズ
のフェライトの溝内にそれぞれ中心電極を配置する工程
と、を備えたことを特徴とする。

【００１３】以上の方法により、優れた電気特性を有し
た中心電極組立体が効率よく量産される。ここに、所定
のサイズのフェライトを切り出す工程において、第１切
断線又は第２切断線のいずれか一方の切断線にてフェラ
イト母基板を短冊状に切断した後、短冊状に切断した基
板を切断した方向に相互に所定寸法だけずらし、残りの
切断線にて切断して所定のサイズのフェライトを切り出
すことにより、所定のサイズのフェライトの切り出しを
さらに効率よく行うことができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る中心電極組
立体、非可逆回路素子、通信装置及び中心電極組立体の
製造方法の実施の形態について添付の図面を参照して説
明する。なお、同一部品及び同一部分には同じ符号を付
し、重複した説明は省略する。

【００１５】［第１実施形態、図１〜図１３］本発明に
係る中心電極組立体の一実施形態を示す外観斜視図を図
１に、平面図を図２に示す。中心電極組立体１は、概
略、矩形状のマイクロ波フェライト３０と、中心電極２
１〜２３と、アース電極２５等で構成されている。

【００１６】図１に示すように、フェライト３０は、平
面視が略矩形状を有している。フェライト３０は、フェ
ライト３０の中央部にかつ縦辺３０ｄに対して略平行に
配置された基準溝３３と、フェライト３０の縦辺３０ｄ
に対して傾斜しかつ基準溝３３に対して対称配置された
二つの溝３１，３２とを有している。三つの溝３１〜３
３内には、三対の中心電極２１〜２３が絶縁膜（図示せ
ず）を間に挟んで、フェライト３０の中央で互いに交差
して配置されている。各一対の中心電極２１，２２，２
３はそれぞれ平行に並走している。中心電極２１〜２３
の一端は、フェライト３０の側面３０ｃを経てアース電
極２５に接続されている。中心電極２１〜２３の他端
は、フェライト３０の側面３０ｃに延在してポート部Ｐ
１〜Ｐ３とされる。ポート部Ｐ１〜Ｐ３は、中心電極組
立体１と外部回路とを電気的に接続するためのものであ
る。中心電極２１〜２３、アース電極２５及びポート部
Ｐ１〜Ｐ３は、一体成形されており、中心導体２０とさ
れている（図３参照）。

【００１７】以上の中心電極組立体１は、フェライト３
０の上面３０ａに形成された溝３１〜３３内に全ての中
心電極２１〜２３が収容されるので、中心電極２１〜２
３の交差角度θの精度が高くなり、電気特性の安定化及
び信頼性が向上する。併せて、中心電極２１〜２３の配
置位置の精度を高くかつ容易にすることができ、中心電
極組立体１の生産性を向上させることができる。さら
に、フェライト３０の上面３０ａに形成された溝３１〜
３３から中心電極２１〜２３は殆どはみ出ないので、フ
ェライト３０の上面３０ａは平滑になり、例えば、フェ
ライト３０の上面３０ａに矩形状の永久磁石を精度よく
載置でき、電気特性のばらつきの低減や信頼性の向上を
図ることができる。

【００１８】フェライト３０は、フェライト３０の縦辺
３０ｄの長さをＨ、横辺３０ｅの長さをＬとし、基準溝
３３に対して対称配置された二つの溝３１，３２がなす
交差角度をθとすると、以下の関係式（１）を満足する
ように設定されている。 Ｈ／Ｌ＝２×ｔａｎ（θ／２）／ｎ …（１） 但し、ｎは任意の自然数。

【００１９】以下、フェライト３０の寸法の設定手順に
ついて説明する。最初に、中心電極組立体１の要求仕様
に合わせて、交差角度θを設定する。本第１実施形態で
は、交差角度θは、５３．１度に設定した。なお、交差
角度θが５３．１度のときのｔａｎ（θ／２）の値は
０．５である。

【００２０】次に、関係式（１）に交差角度θ（本第１
実施形態では５３．１度）を代入した場合に、中心電極
組立体１の要求仕様に合致するＨ／Ｌの値（近似値を含
む）が得られるように、自然数ｎを決める。本第１実施
形態ではｎ＝１とした。

【００２１】そして、関係式（１）に交差角度θと自然
数ｎを代入して、Ｈ／Ｌの値を求める。本第１実施形態
では、Ｈ／Ｌ＝１となる。

【００２２】この後、Ｈ／Ｌ＝１となる縦辺３０ｄの長
さＨと横辺３０ｅの長さＬを決定する。本第１実施形態
では縦辺３０ｄの長さＨと横辺３０ｅの長さＬは同じ
５．０ｍｍとした。この場合、溝３１，３２と縦辺３０
ｄとのそれぞれの交点間の距離Ｓは、Ｌ×ｔａｎ（θ／
２）＝５．０ｍｍ×０．５＝２．５ｍｍとなる。言い換
えると、距離Ｓは縦辺３０ｄの長さＨの半分である。

【００２３】次に、図２に示した中心電極組立体１を量
産する製造方法の一例を説明する。まず、関係式（１）
を満たすフェライト３０のそれぞれの値を上述の手順で
予め決定する。

【００２４】次に、図４に示すように、フェライト母基
板４０の上面に、フェライト３０の横辺３０ｅの長さＬ
に等しいピッチ寸法で複数の基準溝３３を形成する。さ
らに、基準溝３３に所定の角度で交差しかつ該基準溝３
３に対して対称配置された溝３１，３２を形成する。溝
３１，３２は、フェライト３０の縦辺３０ｄの長さＨに
等しいピッチ寸法で基準溝３３と交差しており、溝３１
と溝３２の交差角度がθになるように設ける。本第１実
施形態では、溝３１〜３３の横断面形状は矩形状に、溝
３１〜３３の深さは同じに設定した。溝３１〜３３は、
フェライト成型時と同時に、あるいは、焼成後の研磨加
工やレーザ加工やダイシング等の公知の手段によって形
成される。

【００２５】次に、基準溝３３に対して平行な縦切断線
ｇ１に従ってフェライト母基板４０を短冊状に切断す
る。縦切断線ｇ１のピッチ寸法Ｌ１は、フェライト３０
の横辺３０ｅの長さＬに等しい寸法に設定されている。
基準溝３３は隣り合う縦切断線ｇ１の中間に位置してい
る。

【００２６】次に図５に示すように、隣り合う二つの短
冊状基板４１を、短冊状基板４１の切断方向（長手方
向）に、フェライト３０の縦辺３０ｄの長さＨの１／２
だけずらす。これにより、短冊状基板４１の横切断線ｇ
２が一直線になる。横切断線ｇ２は基準溝３３に対して
垂直であり、そのピッチ寸法Ｈ１は、フェライト３０の
縦辺３０ｄの長さＨに等しい寸法に設定されている。溝
３１〜３３の交差部は隣り合う横切断線ｇ２の中間に位
置している。横切断線ｇ２に従って短冊状基板４１を切
断し、フェライト３０を得る。横切断線ｇ２が一直線に
なっているので、効率よく短冊状基板４１からフェライ
ト３０を切り出すことができる。基板４０，４１の切断
には、レーザ加工、研磨加工、スクライブ加工等の方法
を用いる。

【００２７】こうして、フェライト母基板４０を、以下
の関係式（２）を満足するように、縦切断線ｇ１及び横
切断線ｇ２にて切断することにより、所定のサイズのフ
ェライト３０を得ることができる。 Ｈ１／Ｌ１＝２×ｔａｎ（θ／２）／ｎ …（２） 但し、ｎ：任意の自然数。

【００２８】本第１実施形態では、フェライト３０の縦
辺３０ｄの長さＨと横辺３０ｅの長さＬは同じなので、
横切断線ｇ２のピッチ寸法Ｈ１＝縦切断線ｇ１のピッチ
寸法Ｌ１、すなわち、横切断線ｇ２と縦切断線ｇ１のピ
ッチ寸法比Ｈ１／Ｌ１＝１となる。

【００２９】次に、図６に示すように、中心電極２１〜
２３と一体に形成されるアース電極２５（図３参照）
に、フェライト３０の下面３０ｂが接するようにフェラ
イト３０を載置する。そして、中心電極２１を折り曲げ
て、溝３１内に巻き、中心電極２１を接着、張り付け、
嵌合等の方法で固定する。その上から絶縁シート（図示
せず）を積層する。同様に、中心電極２２，２３をフェ
ライト３０の溝３２，３３内に順に巻く。中心電極２１
〜２３は絶縁シートで直流電気的に分離されている。な
お、中心電極２１〜２３の形状、位置、形態等は任意で
ある。

【００３０】なお、図１〜図６に示した中心電極組立体
１のフェライト３０は、上述の各寸法の他に、関係式
（２）を満たすものであれば種々に変更することができ
る。例えば、図７に示すように、交差角度θ＝９０度、
自然数ｎ＝２、縦切断線ｇ１及び横切断線ｇ２のピッチ
寸法比Ｈ１／Ｌ１＝１に設定された条件でフェライト母
基板４０から切り出されてなるフェライト３０であって
もよい。この場合、ｔａｎ（θ／２）＝１であるので、
関係式（２）の右辺が２×ｔａｎ（θ／２）／ｎ＝１、
関係式（２）の左辺がＨ１／Ｌ１＝１である。そして、
切断線ｇ１，ｇ２がそれぞれ一直線に並んでいるので、
フェライト母基板４０をチャッキングで固定したままの
状態で切断線ｇ１，ｇ２の位置で切断して、フェライト
３０を得ることができる。さらに、横切断線ｇ２と縦切
断線ｇ１のピッチ寸法比Ｈ１／Ｌ１＝１に設定されてい
るので、フェライト３０の辺の縦横長さ比Ｈ／Ｌ＝１と
なり、関係式（１）も同時に満足することになる。

【００３１】また、図８に示すように、図７におけるフ
ェライト母基板４０を縦切断線ｇ１に従って切断する
際、切断しろ（幅寸法＝ｄ）を有していてもよい。この
場合、縦切断線ｇ１のピッチ寸法Ｌ１＝横辺３０ｅの長
さＬ＋切断しろの幅寸法ｄの関係となる。

【００３２】また、図９に示すように、交差角度θ＝１
２６．９度、自然数ｎ＝４、縦切断線ｇ１及び横切断線
ｇ２のピッチ寸法比Ｈ１／Ｌ１＝１に設定された条件で
フェライト母基板４０から切り出されてなるフェライト
３０であってもよい。この場合、溝３１〜３３を形成し
たフェライト母基板４０を横切断線ｇ２で切断し、短冊
状の短冊状基板４１を得る。次に、図１０に示すよう
に、縦切断線ｇ１が一直線上になるように、短冊状基板
４１を左右に移動させ、溝３３に沿った縦切断線ｇ１で
ダイシング等により切断してフェライト３０を得る。こ
のとき、溝３３の幅寸法とほぼ等しい幅寸法の切断しろ
を設定することにより、溝３３（この溝３３には中心電
極は配置されない）による段差がフェライト３０の左右
の縁部に形成されるのを防止することができる。なお、
図９では、中心電極が配置されない部分を含めて溝３３
を直線状に連続して形成しているが、中心電極が配置さ
れる部分のみを断続的に形成するようにしてもよい。こ
の場合、レーザ照射のオン、オフを繰り返すことによ
り、効率のよい加工を行うことができる。

【００３３】さらに、図１１〜図１３にそれぞれ示すよ
うに、フェライト母基板４０に溝３１〜３３を形成した
後、一点鎖線で示す縦切断線ｇ１及び横切断線ｇ２に従
ってフェライト母基板４０を切断してフェライト３０を
得るようにしてもよい。

【００３４】［第２実施形態、図１４〜図１６］第２実
施形態は、前記第１実施形態の中心電極組立体１を備え
た集中定数型アイソレータを例にして説明する。図１４
は、本発明に係る集中定数型アイソレータ２の分解斜視
図を示す。図１５は、図１４に示した非可逆回路素子２
の組立完成後の外観斜視図を示す。該非可逆回路素子２
は、集中定数型アイソレータである。

【００３５】図１４に示すように、集中定数型アイソレ
ータ２は、概略、下側ケース４及び上側ケース８と、樹
脂ケース３と、前記第１実施形態で示した中心電極組立
体１と、矩形状の永久磁石９と、抵抗素子Ｒと、整合用
コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３等を備えている。

【００３６】下側ケース４は、底壁４ａと左右の側壁４
ｂとを有している。また、上側ケース８は、平面視矩形
状であり、上壁８ａと四つの側壁８ｂを有している。下
側ケース４及び上側ケース８は、鉄を主成分とする材料
からなる薄板を打ち抜き、曲げ加工をした後、銅めっき
や銀めっきを施して得る。

【００３７】樹脂ケース３は、底壁３ａと四つの側壁３
ｂを有している。この底壁３ａの中央部には矩形状の挿
通孔３ｃが形成されている。また、樹脂ケース３、下側
ケース４、入力端子１４、出力端子１５及びアース端子
１６は、インサートモールド法によって一体的に形成さ
れている。入力端子１４は、一端が側壁３ｂの外側面に
露出し、他端が底壁３ａの内側面に露出して入力引出電
極１４ａを形成している。出力端子１５は、一端が側壁
３ｂの外側面に露出し、他端が底壁３ａの内側面に露出
して出力引出電極１５ａを形成している。二つのアース
端子１６は、それぞれ、一端が対向する側壁３ｂの外側
面に露出し、他端が底壁３ａに形成された凹部の底面に
露出してアース端子電極１６ａを形成している。下側ケ
ース４の底壁４ａとアース端子１６は一体になってい
る。

【００３８】整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３は、上面
全体にホット側コンデンサ電極を、下面全体にコールド
側コンデンサ電極をそれぞれ配設している。

【００３９】抵抗素子Ｒは、絶縁性基板の両端部に厚膜
印刷等でアース側端子電極及びホット側端子電極を形成
し、その間に抵抗体を配設している。

【００４０】以上の構成部品は、以下のように組み立て
られる。樹脂ケース３内に、中心電極組立体１や整合用
コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３や抵抗素子Ｒ等を収容する。

【００４１】中心電極組立体１は、挿通孔３ｃに挿通さ
れる。中心電極組立体１のアース電極２５は、挿通孔３
ｃに露出している下側ケース４の底壁４ａにはんだ付け
等の方法により接続され、接地される。中心電極２１の
ポート部Ｐ１は入力引出電極１４ａに、中心電極２２の
ポート部Ｐ２は出力引出電極１５ａに、はんだリフロー
やワイヤボンディング等で電気的にそれぞれ接続され
る。

【００４２】抵抗素子Ｒのホット側端子電極はポート部
Ｐ３にはんだリフローやワイヤボンディング等で電気的
に接続される。アース側端子電極は樹脂ケース３の凹部
に露出しているアース端子電極１６ａにはんだ付けされ
る。整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３のホット側コンデ
ンサ電極はポート部Ｐ１〜Ｐ３にはんだリフローやワイ
ヤボンディング等で電気的にそれぞれ接続される。コー
ルド側コンデンサ電極はアース端子１６のアース端子電
極１６ａにそれぞれはんだ付けされる。つまり、整合用
コンデンサ素子Ｃ３と抵抗素子Ｒとは、中心電極２３の
ポート部Ｐ３とアース端子１６との間に電気的に並列に
接続される（図１６参照）。

【００４３】さらに、永久磁石９を中心電極組立体１の
上面、つまり、フェライト３０に配置した後、上側ケー
ス８を装着する。このとき、永久磁石９はフェライト３
０に直流磁界を印加する。フェライト３０の上面３０ａ
は平滑なので、永久磁石９は精度よく載置される。下側
ケース４と上側ケース８は、側壁４ｂ，８ｂで接合して
金属ケースとなる。この金属ケースは、磁気回路を構成
しており、ヨークとしても機能する。

【００４４】こうして、図１５に示すアイソレータ２が
得られる。また、図１６は、アイソレータ２の電気等価
回路図である。

【００４５】このアイソレータ２は、前記第１実施形態
の中心電極組立体１を備えているので、電気特性や品質
が安定し、かつ、製造コストが安価なものとなる。

【００４６】［第３実施形態、図１７］第３実施形態
は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして
説明する。

【００４７】図１７は携帯電話１２０のＲＦ部分の電気
回路ブロック図である。図１７において、１２２はアン
テナ素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイ
ソレータ、１３２は送信側増幅器、１３３は送信側段間
用バンドパスフィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５
は受信側増幅器、１３６は受信側段間用バンドパスフィ
ルタ、１３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器
（ＶＣＯ），１３９はローカル用バンドパスフィルタで
ある。

【００４８】ここに、送信側アイソレータ１３１とし
て、前記第２実施形態の集中定数型アイソレータ２を使
用することができる。このアイソレータ２を実装するこ
とにより、通信特性が優れた携帯電話を実現することが
できる。

【００４９】［他の実施形態］なお、本発明に係る中心
電極組立体、非可逆回路素子及び通信装置は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々
に変更することができる。特に、本発明は、アイソレー
タの他に、サーキュレータ等の非可逆回路素子にも適用
することができる。

【００５０】また、前記第１実施形態で示した溝３１〜
３３の形状や深さは全て同じとして説明したが、これに
限定されるものではなく、三つの溝３１〜３３の形状や
深さがそれぞれ異なるものにしてもよい。また、溝はフ
ェライト３０の上面３０ａだけでなく、中心導体２０の
形状等に応じて、下面３０ｂや側面３０ｃに設けてもよ
い。

【００５１】また、中心導体２０は印刷、塗布、ＰＶＤ
法、化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）による成膜で形成して
もよい。この中心導体２０の形成は、フェライト母基板
４０を切断する前に行ってもよいし、フェライト母基板
４０を切断した後に段階的に行ってもよい。

【００５２】また、前記第２実施形態で示した永久磁石
９は、直方体形状に限定されるものではなく、円板や六
角形等の他の形状でもよい。

【００５３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、中心電極組立体は、フェライトの主面に形成
された溝内に全ての中心電極が収容される構造を有して
いるので、中心電極の交差角度の精度を高くすることが
できる。さらに、フェライトの主面に形成された溝から
中心電極は殆どはみ出ないので、フェライトの主面は平
滑になり、例えば、フェライトの主面に矩形状の永久磁
石を精度よく載置することができる。

【００５４】また、フェライト母基板の主面に、所定の
ピッチ寸法で複数の基準溝を設けると共に、該基準溝に
所定の角度で交差しかつ該基準溝に対して対称配置され
た多数対の溝を設け、所定のピッチでフェライト母基板
を切断してフェライトを得ることにより、優れた電気特
性を有した中心電極組立体が効率よく量産される。ここ
に、所定のサイズのフェライトを切り出す工程におい
て、第１切断線又は第２切断線のいずれか一方の切断線
にてフェライト母基板を短冊状に切断した後、短冊状に
切断した基板を切断した方向に相互に所定寸法だけずら
し、残りの切断線にて切断して所定のサイズのフェライ
トを切り出すことにより、所定のサイズのフェライトの
切り出しをさらに効率よく行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る中心電極組立体の一実施形態を示
す外観斜視図。

【図２】図１に示した中心電極組立体の平面図。

【図３】中心導体の展開図。

【図４】図１に示した中心電極組立体の製造方法を説明
するための平面図。

【図５】図４に続く中心電極組立体の製造方法を説明す
るための平面図。

【図６】図５に続く中心電極組立体の製造方法を説明す
るための外観斜視図。

【図７】図１に示した中心電極組立体の変形例を示す平
面図。

【図８】図７に示した中心電極組立体の製造方法を説明
するための平面図。

【図９】図１に示した中心電極組立体の別の変形例を示
す平面図。

【図１０】図９に示した中心電極組立体の製造方法を説
明するための平面図。

【図１１】図１に示した中心電極組立体のさらに別の変
形例を示す平面図。

【図１２】図１に示した中心電極組立体のさらに別の変
形例を示す平面図。

【図１３】図１に示した中心電極組立体のさらに別の変
形例を示す平面図。

【図１４】本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態を
示す分解斜視図。

【図１５】図１４に示した非可逆回路素子の組立完成後
の外観斜視図。

【図１６】図１５に示した非可逆回路素子の電気等価回
路図。

【図１７】本発明に係る通信装置の一実施形態を示すブ
ロック図。

【図１８】従来の中心電極組立体の組立手順を説明する
ための外観斜視図。

【図１９】図１８に示した中心電極組立体の組立完成後
の垂直断面図。

【符号の説明】

１…中心電極組立体 ２…集中定数型アイソレータ（非可逆回路素子） ４…下側ケース（金属ケース） ８…上側ケース（金属ケース） ９…永久磁石 ２１〜２３…中心電極 ２５…アース電極 ３０…マイクロ波フェライト ３０ａ…上面（主面） ３０ｄ…フェライトの縦辺 ３０ｅ…フェライトの横辺 ３１，３２…溝 ３３…溝（基準溝） ４０…フェライト母基板 ４１…短冊状基板 １２０…携帯電話（通信装置） ｇ１…縦切断線（第１切断線） ｇ２…横切断線（第２切断線） Ｈ…フェライトの縦辺の長さ Ｈ１…横切断線のピッチ寸法 Ｌ…フェライトの横辺の長さ Ｌ１…縦切断線のピッチ寸法 θ…交差角度

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 略矩形体状のフェライトと、 前記フェライトの主面に配置された複数の中心電極とを
   備え、 前記フェライトが、フェライトの中央部に縦辺に対して
   略平行に配置された基準溝と、前記フェライトの縦辺に
   対して傾斜しかつ前記基準溝に対して対称配置された二
   つの溝とを有し、前記複数の中心電極が前記フェライト
   に設けられた溝内にそれぞれ配置されていること、 を特徴とする中心電極組立体。
2. 【請求項２】 前記フェライトの縦辺及び横辺の寸法を
   それぞれＨ，Ｌとし、前記対称配置された二つの溝がな
   す交差角度をθとすると、 Ｈ／Ｌ＝２×ｔａｎ（θ／２）／ｎ 但し、ｎ：任意の自然数、 を満足していることを特徴とする請求項１に記載の中心
   電極組立体。
3. 【請求項３】 永久磁石と、 前記永久磁石により直流磁界が印加される請求項１又は
   請求項２に記載のいずれか一つの中心電極組立体と、 前記永久磁石と前記中心電極組立体とを収容する金属ケ
   ースと、 を備えたことを特徴とする非可逆回路素子。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の非可逆回路素子を備え
   たことを特徴とする通信装置。
5. 【請求項５】 フェライト母基板の主面に、所定のピッ
   チ寸法で複数の基準溝を設けると共に、該基準溝に所定
   の角度で交差しかつ該基準溝に対して対称配置された多
   数対の溝を設ける工程と、 前記基準溝に対して平行な第１切断線のピッチ寸法をＬ
   １とし、前記基準溝に対して垂直な第２切断線のピッチ
   寸法をＨ１とし、前記対称配置された対の溝がなす交差
   角度をθとすると、 Ｈ１／Ｌ１＝２×ｔａｎ（θ／２）／ｎ 但し、ｎ：任意の自然数、 を満足するように、前記第１切断線及び前記第２切断線
   にて切断して所定のサイズのフェライトを切り出す工程
   と、 前記所定のサイズのフェライトの溝内にそれぞれ中心電
   極を配置する工程と、 を備えたことを特徴とする中心電極組立体の製造方法。
6. 【請求項６】 所定のサイズのフェライトを切り出す工
   程において、前記第１切断線又は前記第２切断線のいず
   れか一方の切断線にて前記フェライト母基板を短冊状に
   切断した後、短冊状に切断した基板を切断した方向に相
   互に所定寸法だけずらし、残りの切断線にて切断して所
   定のサイズのフェライトを切り出すことを特徴とする請
   求項５に記載の中心電極組立体の製造方法。