JP2006094289A - 非可逆回路素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 中心導体のポート部とアース部の厚さが厚く、且つ、幅寸法の精度が良くなって、小型で、性能の良好な非可逆回路素子を提供する。
【解決手段】 本発明の非可逆回路素子において、中心導体8,9,10のポート部8a、9a、10aとアース部8b、9b、10bは、フェライト部材6の側面6b、6cに形成された凹部からなる溝6e内に設けられたため、ポート部8a、9a、10aとアース部8b、9b、10bの幅寸法は、フェライト部材6の側面6b、6cに形成された溝6eによって一定幅に形成できて、幅寸法の精度が良く、電気的な性能を良好にできるばかりか、溝6e内に導電材を充填することによって、ポート部8a、9a、10aとアース部8b、9b、10bの厚さを厚くでき、従って、フェライト部材6の角部上での接続の信頼性が高くなって、断線の生じ難いものが得られる。
【選択図】 図6
【解決手段】 本発明の非可逆回路素子において、中心導体8,9,10のポート部8a、9a、10aとアース部8b、9b、10bは、フェライト部材6の側面6b、6cに形成された凹部からなる溝6e内に設けられたため、ポート部8a、9a、10aとアース部8b、9b、10bの幅寸法は、フェライト部材6の側面6b、6cに形成された溝6eによって一定幅に形成できて、幅寸法の精度が良く、電気的な性能を良好にできるばかりか、溝6e内に導電材を充填することによって、ポート部8a、9a、10aとアース部8b、9b、10bの厚さを厚くでき、従って、フェライト部材6の角部上での接続の信頼性が高くなって、断線の生じ難いものが得られる。
【選択図】 図6
Description
本発明はアンテナ共用器等に使用して好適な非可逆回路素子に関する。
従来の非可逆回路素子の図面を説明すると、図16は従来の非可逆回路素子の側面図、図17は従来の非可逆回路素子に係る回路基板の平面図、図18は従来の非可逆回路素子に係るフェライト部材の斜視図、図19は従来の非可逆回路素子に係るフェライト部材を裏返した状態の斜視図である。
次に、従来の非可逆回路素子の構成を図16〜図19に基づいて説明しすると、プリント基板からなる回路基板50は、複数の円弧状の貫通孔50aを有すると共に、この回路基板50上には、第1,第2の配線パターン51a、51bが設けられている。
磁性板からなるU字状の下ヨークである第1のヨーク52は、底板52aと、この底板52aから上方に延びる円弧状の複数の側板52bを有し、この第1のヨーク52は、底板52aを回路基板50の下方に位置した状態で、側板52bが円弧状の貫通孔50a内に挿通されている。
第1,第2,第3の中心導体53,54,55は、円板状のフェライト部材56の表面に誘電体(図示せず)を介して薄膜や厚膜によって形成され、一端側から延びる3個のポート部Pと、他端側から延びる3個のアース部Aを有し、そして、第1,第2,第3の中心導体53,54,55は、フェライト部材56の上面56aに形成され、また、ポート部Pとアース部Aは、フェライト部材56の円周面56bに設けられている。
また、フェライト部材56の下面56cには、ポート部Pのそれぞれに接続されるランド部Bと、アース部Aに接続される接続導体57が設けられている。
更に、円板状のフェライト部材56の円周面56bには、ポート部Pから延びる電極D1と、誘電体(図示せず)を挟んで電極D1に対向するように、アース部Aから延びる電極D2が設けられて、複数のコンデンサCが形成されている。
更に、円板状のフェライト部材56の円周面56bには、ポート部Pから延びる電極D1と、誘電体(図示せず)を挟んで電極D1に対向するように、アース部Aから延びる電極D2が設けられて、複数のコンデンサCが形成されている。
このような構成を有するフェライト部材56は、回路置き板50上に載置され、ポート部Pのそれぞれが第1の配線パターン51aに半田付けされると共に、アース部Aが第2の配線パターン51bに半田付けされる。
磁性板からなるU字状の上ヨークである第2のヨーク58は、上板58aと、この上板58aから下方に延びる円弧状の複数の側板58bを有し、この第2のヨーク58は、上板58aの内面に磁石59を取り付けた状態で、側板58bが貫通孔50aに挿入され、第1のヨーク52の側板52bに結合して、第1のヨーク52とで磁気閉回路が形成されている。(例えば、特許文献1参照)
しかし、従来の非可逆回路素子は、第1,第2,第3の中心導体53,54,55の3個のポート部Pと3個のアース部Aが円板状のフェライト部材56の円周面56bに形成されているため、ポート部Pとアース部Aの幅寸法の精度が悪くなって、電気的な性能を悪くするばかりか、ポート部Pとアース部Aの厚さが薄く、従って、インピーダンスを小さくするために幅寸法を大きくする必要が生じて、大型になる。
また、ポート部Pとアース部Aの厚さが薄くなると、フェライト部材56の上面56aに形成された第1,第2,第3の中心導体53,54,55と、フェライト部材56の円周面56bに形成されたポート部P、及びアース部Aとの間の接続、即ち、フェライト部材56の角部上での接続の信頼性が低く、断線を生じ易くなると共に、ポート部Pとアース部Aがフェライト部材56の円周面56bに分散して形成されるため、ポート部Pとアース部Aの形成に6工程必要とし、生産性が悪く、コスト高になる。
次に、従来の非可逆回路素子の製造方法を図18,図19に基づいて説明すると、先ず、円板状のフェライト部材56が個々に製造され、しかる後、1個のフェライト部材56の上面56aに第1,第2,第3の中心導体53,54,55を形成した後、このフェライト部材56を裏返して、フェライト部材56の下面56cには、ランド部Bと接続導体57を形成する。
次に、3個のポート部Pのそれぞれがフェライト部材56の円周面56bに3工程によって形成された後、3個のアース部Aのそれぞれがフェライト部材56の円周面56bに3工程によって形成されると、従来の非可逆回路素子の製造が完了する。
そして、従来の非可逆回路素子の製造方法は、円板状のフェライト部材56が個々に生産されるため、フェライト部材56の生産性が悪く、コスト高になる上に、第1,第2,第3の中心導体53,54,55の3個のポート部Pと3個のアース部Aは、円板状のフェライト部材56の円周面56bに分散して形成されるため、ポート部Pとアース部Aの形成に6工程必要とし、生産性が悪く、コスト高になる。
従来の非可逆回路素子は、第1,第2,第3の中心導体53,54,55の3個のポート部Pと3個のアース部Aが円板状のフェライト部材56の円周面56bに形成されているため、ポート部Pとアース部Aの幅寸法の精度が悪くなって、電気的な性能を悪くするばかりか、ポート部Pとアース部Aの厚さが薄く、従って、インピーダンスを小さくするために幅寸法を大きくする必要が生じて、大型になる。
また、ポート部Pとアース部Aの厚さが薄くなると、フェライト部材56の上面56aに形成された第1,第2,第3の中心導体53,54,55と、フェライト部材56の円周面56bに形成されたポート部P、及びアース部Aとの間の接続、即ち、フェライト部材56の角部上での接続の信頼性が低く、断線を生じ易くなると共に、ポート部Pとアース部Aがフェライト部材56の円周面56bに分散して形成されるため、ポート部Pとアース部Aの形成に6工程必要とし、生産性が悪く、コスト高になる。
そこで、本発明は中心導体のポート部とアース部の厚さが厚く、且つ、幅寸法の精度が良くなって、小型で、性能の良好な非可逆回路素子を提供することを目的とする。
上記課題を解決するための第1の解決手段として、磁気閉回路を形成する第1,第2のヨークと、この第1,第2のヨーク間に配置された磁石、及びフェライト部材と、前記磁石と前記フェライト部材との間に位置した状態で、誘電体を挟んで上下方向に一部が交叉するように、前記フェライト部材上に配置された導電材からなる第1,第2,第3の中心導体とを備え、前記フェライト部は板材で形成され、前記中心導体と前記誘電体は、前記フェライト部材の一面側に直接、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、前記中心導体のそれぞれは、一端から延びるポート部と、他端から延びるアース部を有し、前記中心導体の前記ポート部と前記アース部は、前記フェライト部材の側面に形成された凹部からなる複数の溝内に設けられた構成とした。
また、第2の解決手段として、前記ポート部と前記アース部は、前記導電材が前記溝内を埋めて形成された構成とした。
また、第3の解決手段として、前記フェライト部材の他面側には、前記アース部に接続されたアース膜部が設けられ、前記第1のヨークに導通された構成とした。
また、第4の解決手段として、前記フェライト部材は、四角形の前記板材で形成され、前記フェライト部材の対向する前記側面には、前記溝が設けられた構成とした。
また、第3の解決手段として、前記フェライト部材の他面側には、前記アース部に接続されたアース膜部が設けられ、前記第1のヨークに導通された構成とした。
また、第4の解決手段として、前記フェライト部材は、四角形の前記板材で形成され、前記フェライト部材の対向する前記側面には、前記溝が設けられた構成とした。
本発明の非可逆回路素子は、磁気閉回路を形成する第1,第2のヨークと、この第1,第2のヨーク間に配置された磁石、及びフェライト部材と、磁石とフェライト部材との間に位置した状態で、誘電体を挟んで上下方向に一部が交叉するように、フェライト部材上に配置された導電材からなる第1,第2,第3の中心導体とを備え、フェライト部は板材で形成され、中心導体と誘電体は、フェライト部材の一面側に直接、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、中心導体のそれぞれは、一端から延びるポート部と、他端から延びるアース部を有し、中心導体のポート部とアース部は、フェライト部材の側面に形成された凹部からなる複数の溝内に設けられた構成とした。
即ち、中心導体のポート部とアース部は、フェライト部材の側面に形成された凹部からなる溝内に設けられたため、ポート部とアース部の幅寸法は、フェライト部材の側面に形成された溝によって一定幅に形成できて、幅寸法の精度が良く、電気的な性能を良好にできるばかりか、溝内に導電材を充填することによって、ポート部とアース部の厚さを厚くでき、従って、インピーダンスを小さくするために幅寸法を大きくすること無く対応できて、小型のものが得られる。
また、ポート部とアース部の厚さが厚くなると、フェライト部材の一面側に形成された中心導体と、フェライト部材の側面に形成されたポート部、及びアース部との間の接続、即ち、フェライト部材の角部上での接続の信頼性が高くなって、断線の生じ難いものが得られる。
即ち、中心導体のポート部とアース部は、フェライト部材の側面に形成された凹部からなる溝内に設けられたため、ポート部とアース部の幅寸法は、フェライト部材の側面に形成された溝によって一定幅に形成できて、幅寸法の精度が良く、電気的な性能を良好にできるばかりか、溝内に導電材を充填することによって、ポート部とアース部の厚さを厚くでき、従って、インピーダンスを小さくするために幅寸法を大きくすること無く対応できて、小型のものが得られる。
また、ポート部とアース部の厚さが厚くなると、フェライト部材の一面側に形成された中心導体と、フェライト部材の側面に形成されたポート部、及びアース部との間の接続、即ち、フェライト部材の角部上での接続の信頼性が高くなって、断線の生じ難いものが得られる。
また、ポート部とアース部は、導電材が溝内を埋めて形成されたため、ポート部とアース部の厚さを厚くでき、従って、インピーダンスを小さくするために幅寸法を大きくすること無く対応できて、小型のものが得られると共に、ポート部とアース部の厚さが厚くなると、フェライト部材の一面側に形成された中心導体と、フェライト部材の側面に形成されたポート部、及びアース部との間の接続、即ち、フェライト部材の角部上での接続の信頼性が高くなって、断線の生じ難いものが得られる。
また、フェライト部材の他面側には、アース部に接続されたアース膜部が設けられ、第1のヨークに導通されたため、アース部の接地を確実にできる。
また、フェライト部材は、四角形の板材で形成され、フェライト部材の対向する側面には、溝が設けられたため、フェライト部材におけるポート部とアース部の形成は、一方の側面側と他方の側面側の2工程で行うことができて、生産性が良く、安価であると共に、帯状フェライト部材から複数個のフェライト部材が製造可能となって、生産性が良く、安価なものが得られる。
本発明の非可逆回路素子の図面を説明すると、図1は本発明の非可逆回路素子の第1実施例に係る要部の平面図、図2は本発明の非可逆回路素子の第1実施例に係る要部の断面図、図3は本発明の非可逆回路素子の第1実施例に係り、第2のヨークと磁石を取り去った状態を示す要部の平面図である。
また、図4は本発明の非可逆回路素子の第1実施例に係り、収容部の状態を示す回路基板の平面図、図5は本発明の非可逆回路素子の第1実施例に係り、収容部の状態を示す回路基板の要部の斜視図、図6は本発明の非可逆回路素子の第1実施例に係るフェライト部材の斜視図、図7は本発明の非可逆回路素子の第1実施例に係り、フェライト部材を裏返した状態の斜視図である。
また、図8はアイソレータからなる非可逆回路素子の等価回路図、図9はサーキュレータからなる非可逆回路素子の等価回路図、図10は本発明の非可逆回路素子をアンテナ共用器に適用した場合の回路図である。
また、図11は本発明の非可逆回路素子の第1実施例に係り、その製造方法を説明するための大判フェライト部材の平面図、図12は本発明の非可逆回路素子の第1実施例に係り、その製造方法を説明するための大判フェライト部材の下面図、図13は本発明の非可逆回路素子の第1実施例に係り、その製造方法を説明するための斜視図、図14は本発明の非可逆回路素子の第2実施例に係るフェライト部材の斜視図、図15は本発明の非可逆回路素子の第2実施例に係り、フェライト部材を裏返した状態の斜視図である。
次に、本発明の非可逆回路素子をアンテナ共用器に適用した場合を例にして、その構成を図1〜図7に基づいて説明すると、アンテナ共用器等の高周波回路モジュールに使用される回路基板1は、LTCC(低温焼成セラミック)等の複数の絶縁板が積層された多層基板からなり、一面側(上面側)には、底面2aと側面2bを有した四角形状の凹部からなる収容部2が設けられている。
そして、この回路基板1の上面や積層間には、配線パターン3が設けられると共に、収容部2の底面2aには、配線パターン3の一部である複数(3個)の接続パターン3aが設けられており、この等の接続パターン3aは、回路基板1内に設けられた銀等からなるそれぞれの接続導体4によって、回路基板1の上面に設けられた配線パターン3に接続されている。
第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3は、チップ型のコンデンサや薄膜、或いは厚膜によって形成されたコンデンサで構成され、第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3は、収容部2の近傍の回路基板1の上面に設けられた配線パターン3に接続され、収容部2の外周部に分散された状態で配置されると共に、抵抗器Rは、チップ型の抵抗器や薄膜、或いは厚膜によって形成された抵抗器で構成され、この抵抗器Rは、第3のコンデンサC3の近傍で配線パターン3に接続されている。
なお、ここでは図示しないが、第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3や抵抗器R以外のコンデンサや抵抗器等の種々の電子部品が回路基板1に搭載された構成となっている。
なお、ここでは図示しないが、第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3や抵抗器R以外のコンデンサや抵抗器等の種々の電子部品が回路基板1に搭載された構成となっている。
次に、高周波回路素子Kの1つであるアイソレータからなる本発明の非可逆回路素子K1の構成を説明すると、回路基板1に形成された第1のヨーク5と、YIG(Yttrium iron garnet)等からなる四角形の板材からなるフェライト部材6と、誘電体7を介して上下方向に一部が交叉した状態で、フェライト部材6上に形成された第1,第2,第3の中心導体8,9,10と、この第1,第2,第3の中心導体8,9,10上に配置された磁石11と、磁石11を覆うように配置され、第1のヨーク5に結合して第1のヨーク5とで磁気閉回路を形成する第2のヨーク12と、第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3と、抵抗器Rとで構成されている。
更に、非可逆回路素子K1の構成を詳述すると、下ヨークである接地用の第1のヨーク5は、磁性材である鉄等のメッキ等によって形成され、収容部2の底面2aと側面2bに設けられた磁性材の膜部5aと、この膜部5aに接続され、収容部2の外周近傍に位置する回路基板1の上面(表面)に設けられた磁性膜部5bを有する。
そして、収容部2の内面に設けられた膜部5aは、接続パターン3aと非導通状態に形成されると共に、回路基板1の表面に設けられた磁性膜部5bは、接地用の配線パターン3に接続されている。
その結果、第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3と抵抗器Rの一方側の電極は、接続導体4に接続されたホット側の配線パターン3に接続されると共に、第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3と抵抗器Rの他方側の電極は、磁性膜部5bに接続された接地側の配線パターン3に接続されて、接地される。
その結果、第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3と抵抗器Rの一方側の電極は、接続導体4に接続されたホット側の配線パターン3に接続されると共に、第1,第2,第3のコンデンサC1,C2,C3と抵抗器Rの他方側の電極は、磁性膜部5bに接続された接地側の配線パターン3に接続されて、接地される。
フェライト部材6は、特に図6,図7に示すように、一面(上面)6aと、互いに対向する側面6b、6cと、一面6aに対向する他面(下面)6dと、一面6aと他面6dに到る状態で、互いに対向する側面6b、6cにそれぞれ設けられた凹部からなる複数の溝6eを有する。
このフェライト部材6の一面6a側(上面側)には、誘電体7と、第1,第2,第3の中心導体8,9,10が直接、蒸着法やスパッタ等の薄膜技術や印刷や塗布等の厚膜技術によって形成されている。
そして、誘電体7は、薄膜、及び厚膜の場合、窒化シリコン、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系等が使用され、また、第1,第2,第3の中心導体8,9,10は、薄膜の場合、銀やアルミ等が使用され、更に、厚膜の場合、銀ペーストや銀ーパラジュームペースト等が使用される。
そして、誘電体7は、薄膜、及び厚膜の場合、窒化シリコン、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系等が使用され、また、第1,第2,第3の中心導体8,9,10は、薄膜の場合、銀やアルミ等が使用され、更に、厚膜の場合、銀ペーストや銀ーパラジュームペースト等が使用される。
また、第1,第2,第3の中心導体8,9,10は、特に図6,図7に示すように、一端側から延びるポート部8a、9a、10aと、他端側から延びるアース部8b、9b、10bを有し、このポート部8a、9a、10aとアース部8b、9b、10bは、四角形のフェライト部材6の対向する側面6b、6cに設けられた溝6e内に導電材が充填されて形成されると共に、フェライト部材6の他面6d側(下面側)には、ポート部8a、9a、10aに接続されたランド部8c、9c、10cと、アース部8b、9b、10bに接続され、ランド部8c、9c、10cと非導通状態にあるアース膜部8dが設けられている。
そして、このような構成を有するフェライト部材6は、収容部2内に挿入され、それぞれのランド部8c、9c、10cが接続パターン3a上に載置されて、ポート部8a、9a、10aが接続パターン3aに半田付けされて接続されると共に、アース膜部8dが底面2a上の膜部5aに載置され、アース部8b、9b、10bが第1のヨーク5に半田付けされて接地される。
その結果、第1の中心導体8は、ポート部8a側が接続パターン3aを介して第1のコンデンサC1の一端側に接続され、アース部8b側が第1のヨーク5に接地された状態となり、また、第2の中心導体9は、ポート部9a側が接続パターン3aを介して第2のコンデンサC2の一端側に接続され、アース部9b側が第1のヨーク5に接地された状態となり、更に、第3の中心導体10は、ポート部10a側が接続パターン3aを介して第3のコンデンサC3と抵抗器Rの一端側に接続され、アース部10b側が第1のヨーク5に接地された状態となる。
平板状の磁石11が第1,第2,第3の中心導体8,9,10上に載置されると共に、磁性板からなるコ字状、或いは箱形の上ヨークである第2のヨーク12は、磁石11と収容部2を覆うように配置される。
そして、第2のヨーク12の側部が第1のヨーク5の磁性膜部5bに半田付けされると共に、第2のヨーク12が第1のヨーク5と磁気的に結合して、第1のヨーク5とで磁気閉回路が形成されて、アイソレータからなる非可逆回路素子K1が構成される。
そして、第2のヨーク12の側部が第1のヨーク5の磁性膜部5bに半田付けされると共に、第2のヨーク12が第1のヨーク5と磁気的に結合して、第1のヨーク5とで磁気閉回路が形成されて、アイソレータからなる非可逆回路素子K1が構成される。
このような構成を有するアイソレータからなる非可逆回路素子K1は、図8の等価回路図に示すように、第1の中心導体8のポート部8aと第1のコンデンサC1の一端が接続され、第1の中心導体8のアース部8bと第1のコンデンサC1の他端が接地された状態となり、また、第2の中心導体9のポート部9aと第2のコンデンサC2の一端が接続され、第2の中心導体9のアース部9bと第2のコンデンサC2の他端が接地された状態となり、更に、第3の中心導体10のポート部10aと第3のコンデンサC3、及び抵抗器Rの一端が接続され、第3の中心導体10のアース部10bと第3のコンデンサC3、及び抵抗器Rの他端が接地された状態となる。
なお、上記実施例では、アイソレータからなる非可逆回路素子で説明したが、抵抗器Rを無くしたサーキュレータからなる非可逆回路素子でも良い。
そして、サーキュレータからなる非可逆回路素子は、図9の等価回路図に示すように、第1の中心導体8のポート部8aと第1のコンデンサC1の一端が接続され、第1の中心導体8のアース部8bと第1のコンデンサC1の他端が接地された状態となり、また、第2の中心導体9のポート部9aと第2のコンデンサC2の一端が接続され、第2の中心導体9のアース部9bと第2のコンデンサC2の他端が接地された状態となり、更に、第3の中心導体10のポート部10aと第3のコンデンサC3の一端が接続され、第3の中心導体10のアース部10bと第3のコンデンサC3の他端が接地された状態となる。
そして、サーキュレータからなる非可逆回路素子は、図9の等価回路図に示すように、第1の中心導体8のポート部8aと第1のコンデンサC1の一端が接続され、第1の中心導体8のアース部8bと第1のコンデンサC1の他端が接地された状態となり、また、第2の中心導体9のポート部9aと第2のコンデンサC2の一端が接続され、第2の中心導体9のアース部9bと第2のコンデンサC2の他端が接地された状態となり、更に、第3の中心導体10のポート部10aと第3のコンデンサC3の一端が接続され、第3の中心導体10のアース部10bと第3のコンデンサC3の他端が接地された状態となる。
また、回路基板1の一面側には、高周波回路素子Kを形成し、表面弾性波素子からなるデュプレクサK2が搭載されると共に、この回路基板1には、非可逆回路素子K1やデュプレクサK2からなる高周波回路素子Kの他に、ここでは図示しないが、パワーアンプK3や表面弾性波からなるSAWフイルタK4が搭載されて、高周波回路を備えたアンテナ共用器が形成されている。
そして、図10は本発明の非可逆回路素子をアンテナ共用器に適用した場合の回路図で、このアンテナ共用器の送信側は、アンテナ端子A1に接続されたデュプレクサK2と、このデュプレクサK2に接続された非可逆回路素子K1と、この非可逆回路素子K1に接続されたパワーアンプK3と、送信側端子13を有し、送信側端子13から入力された送信信号は、パワーアンプK3で増幅され、非可逆回路素子K1を通過する。
また、この非可逆回路素子K1は、パワーアンプK3で増幅さえた送信信号がアンテナAで反射され、パワーアンプK3に逆流するのを防止する高周波回路素子Kであり、この非可逆回路素子K1によってアンテナA側からパワーアンプK3に信号が流れるのを阻止すると共に、非可逆回路素子K1を通過した送信信号は、デュプレクサK2を介してアンテナ端子A1から出力される。
更に、アンテナ共用器の送信側は、アンテナ端子A1に接続されたデュプレクサK2と、このデュプレクサK2に接続されたSAWフイルタK4と、受信側端子14を有し、アンテナ端子A1から入力される受信信号は、デュプレクサK2を介して、帯域通過フイルタであるSAWフイルタK4を通って受信側端子14から出力される。
そして、このデュプレクサK2は、2つの帯域通過フイルタ(図示せず)で構成され、送信信号の周波数帯域では、アンテナ端子A1と非可逆回路素子K1とを高周波的に接続し、受信信号の周波数帯域では、アンテナ端子A1とSAWフイルタK4とを高周波的に接続するものである。
次に、本発明の非可逆回路素子の第1実施例に係る製造方法を図11〜図13に基づいて説明すると、先ず、図11,図12に示すように、四角形の大判フェライト部材15を用意して、この大判フェライト部材15には、複数の短冊状で四角形の帯状フェライト部材16が形成できるようになっている。
また、図11,図12に示す実施例では、大判フェライト部材15が二点鎖線S1の位置で区切られて、3個の帯状フェライト部材16が形成できるようになると共に、この二点鎖線S1と、二点鎖線S1に直交する二点鎖線S2とよって区切られた四角形の領域のそれぞれが単一のフェライト部材6を形成するようになっている。
更に、図11,図12に示す大判フェライト部材15には、対向する側面に設けられた多数の溝6eと、この溝6eを形成するために、二点鎖線S1の位置に形成された多数の孔15aを有する。
次に、図11に示すように、大判フェライト部材15の上面におけるそれぞれの帯状フェライト部材16に対応する位置には、複数組の第1,第2,第3の中心導体8,9,10と誘電体7が厚膜、或いは薄膜によって一列状態に形成されると共に、図12に示すように、大判フェライト部材15の下面におけるそれぞれの帯状フェライト部材16に対応する位置には、複数組の第1,第2,第3の中心導体8,9,10のランド部8c、9c、10c、及びこのランド部8c、9c、10cと非導通状態のアース膜部8dが厚膜、或いは薄膜によって形成される。
この時、複数組のそれぞれの第1,第2,第3の中心導体8,9,10のポート部8a、9a、10aとアース部8b、9b、10bの端部は、帯状フェライト部材16の長手方向(二点鎖線S1方向)の側部に位置するように配置されており、その結果、隣り合う帯状フェライト部材16間では、中心導体8,9,10の端部が孔15aに位置した状態になっている。
次に、大判フェライト部材15を二点鎖線S1の位置で切断すると、図13に示すように、複数の短冊状で四角形の帯状フェライト部材16が形成されると共に、それぞれの帯状フェライト部材16には、長手方向に位置した対向する側面16a、16bと、この側面16a、16bに位置する溝6eが形成される。
しかる後、図13に示すように、複数枚の帯状フェライト部材16が同じ向き(中心導体側を上方にした状態)にして、板状のスペーサ17を介して積層される。
なお、スペーサ17を使用しないで、複数枚の帯状フェライト部材16を積層しても良い。
なお、スペーサ17を使用しないで、複数枚の帯状フェライト部材16を積層しても良い。
次に、複数枚の帯状フェライト部材16が積層された状態で、図13に示すように、複数の帯状フェライト部材16の側面16aの溝6e内には、導電ペーストを塗布する工程等の同一工程によってポート部やアース部を形成すると共に、複数の帯状フェライト部材16の側面16bの溝6e内にも、導電ペーストを塗布する工程等の同一工程によってポート部やアース部を形成する。
この時、導電ペースト等の導電材は、溝6e内に充填されてポート部やアース部が形成される。
この時、導電ペースト等の導電材は、溝6e内に充填されてポート部やアース部が形成される。
すると、図6,図7に示すように、それぞれのフェライト部材6における第1,第2,第3の中心導体8,9,10のポート部8a、9a、10aは、ランド部8c、9c、10cに接続されると共に、それぞれのフェライト部材6における第1,第2,第3の中心導体8,9,10のアース部8b、9b、10bは、アース膜部8dに接続された状態となる。
次に、溝6eからはみ出した側面16a、16b上の導電ペーストを除去した後、帯状フェライト部材16を焼成し、しかる後に、それぞれの帯状フェライト部材16が二点鎖線S2の位置で切断されると、図6,図7に示すような個々のフェライト部材6が形成されて、本発明の非可逆回路素子のフェライト部材6の製造が完了する。
また、図14、図15は、本発明の非可逆回路素子の第2実施例に係り、この第2実施例の構成を説明すると、フェライト部材6の他面(下面)には、第1実施例で形成したランド部8c、9c、10cとアース膜部8dを無くしたもので、第2実施例のフェライト部材6のその他の構成は、第1実施例と同様であり、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
そして、本発明の非可逆回路素子の第2実施例に係るその製造方法は、第1実施例で形成したランド部8c、9c、10cとアース膜部8dを無くした以外、前記第1実施例の製造方法と同一であり、ここでは、第2実施例に係る製造方法の説明を省略する。
なお、上記実施例では、大判フェライト部材15から帯状フェライト部材16を形成するもので説明したが、予め帯状フェライト部材16を形成し、この帯状フェライト部材16に中心導体を形成するようにしても良い。
また、上記実施例では、非可逆回路素子がアンテナ共用器に適用されたもので説明したが、回路基板1を無くすると共に、第1のヨークを磁性板で形成した単独の非可逆回路素子で構成されたものでも良い。
1:回路基板
2:収容部
2a:底面
2b:側面
3:配線パターン
3a:接続パターン
4:接続導体
K:高周波回路素子
K1:非可逆回路素子
C1:第1のコンデンサ
C2:第2のコンデンサ
C3:第3のコンデンサ
R:抵抗器
5:第1のヨーク
5a:膜部
5b:磁性膜部
6:フェライト部材
6a:一面(上面)
6b、6c:側面
6d:他面(下面)
6e:溝
7:誘電体
8:第1の中心導体
8a:ポート部
8b:アース部
8c:ランド部
8d:アース膜部
9:第2の中心導体
9a:ポート部
9b:アース部
9c:ランド部
10:第3の中心導体
10a:ポート部
10b:アース部
10c:ランド部
11:磁石
12:第2のヨーク
K2:デュプレクサ
K3:パワーアンプ
K4:SAWフイルタ
A:アンテナ
A1:アンテナ端子
13:送信側端子
14:受信側端子
15:大判フェライト部材
15a:孔
16:帯状フェライト部材
16a、16b:側面
17:スペーサ
S1,S2:二点鎖線
2:収容部
2a:底面
2b:側面
3:配線パターン
3a:接続パターン
4:接続導体
K:高周波回路素子
K1:非可逆回路素子
C1:第1のコンデンサ
C2:第2のコンデンサ
C3:第3のコンデンサ
R:抵抗器
5:第1のヨーク
5a:膜部
5b:磁性膜部
6:フェライト部材
6a:一面(上面)
6b、6c:側面
6d:他面(下面)
6e:溝
7:誘電体
8:第1の中心導体
8a:ポート部
8b:アース部
8c:ランド部
8d:アース膜部
9:第2の中心導体
9a:ポート部
9b:アース部
9c:ランド部
10:第3の中心導体
10a:ポート部
10b:アース部
10c:ランド部
11:磁石
12:第2のヨーク
K2:デュプレクサ
K3:パワーアンプ
K4:SAWフイルタ
A:アンテナ
A1:アンテナ端子
13:送信側端子
14:受信側端子
15:大判フェライト部材
15a:孔
16:帯状フェライト部材
16a、16b:側面
17:スペーサ
S1,S2:二点鎖線
Claims (4)
- 磁気閉回路を形成する第1,第2のヨークと、この第1,第2のヨーク間に配置された磁石、及びフェライト部材と、前記磁石と前記フェライト部材との間に位置した状態で、誘電体を挟んで上下方向に一部が交叉するように、前記フェライト部材上に配置された導電材からなる第1,第2,第3の中心導体とを備え、前記フェライト部は板材で形成され、前記中心導体と前記誘電体は、前記フェライト部材の一面側に直接、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、前記中心導体のそれぞれは、一端から延びるポート部と、他端から延びるアース部を有し、前記中心導体の前記ポート部と前記アース部は、前記フェライト部材の側面に形成された凹部からなる複数の溝内に設けられたことを特徴とする非可逆回路素子。
- 前記ポート部と前記アース部は、前記導電材が前記溝内を埋めて形成されたことを特徴とする請求項1記載の非可逆回路素子。
- 前記フェライト部材の他面側には、前記アース部に接続されたアース膜部が設けられ、前記第1のヨークに導通されたことを特徴とする請求項1、又は2記載の非可逆回路素子。
- 前記フェライト部材は、四角形の前記板材で形成され、前記フェライト部材の対向する前記側面には、前記溝が設けられたことを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004279262A JP2006094289A (ja) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | 非可逆回路素子 |
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JP2004279262A JP2006094289A (ja) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | 非可逆回路素子 |
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JP2004279262A Withdrawn JP2006094289A (ja) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | 非可逆回路素子 |
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JP (1) | JP2006094289A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015115732A (ja) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子を備えたモジュール |
-
2004
- 2004-09-27 JP JP2004279262A patent/JP2006094289A/ja not_active Withdrawn
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