JP2002319028A - 画像処理方法、同装置、およびボンディング装置 - Google Patents

画像処理方法、同装置、およびボンディング装置

Info

Publication number
JP2002319028A
JP2002319028A JP2001121940A JP2001121940A JP2002319028A JP 2002319028 A JP2002319028 A JP 2002319028A JP 2001121940 A JP2001121940 A JP 2001121940A JP 2001121940 A JP2001121940 A JP 2001121940A JP 2002319028 A JP2002319028 A JP 2002319028A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
point
detection target
detected
pattern matching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001121940A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Sugawara
健二 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinkawa Ltd filed Critical Shinkawa Ltd
Priority to JP2001121940A priority Critical patent/JP2002319028A/ja
Priority to TW091106035A priority patent/TW538231B/zh
Priority to US10/125,755 priority patent/US6917699B2/en
Priority to KR10-2002-0021753A priority patent/KR100466678B1/ko
Publication of JP2002319028A publication Critical patent/JP2002319028A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004Wire welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45033Wire bonding, wire wrap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/789Means for monitoring the connection process
    • H01L2224/78901Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01052Tellurium [Te]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01075Rhenium [Re]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 検出対象が回転方向の位置ずれを含んだ姿勢
で配置されている場合にも、回転方向のパターンマッチ
ングを行うことなく、高精度の位置検出を行う。 【解決手段】 登録時には、基準画像(点線)と、これ
を既知の回転角だけ回転させた回転画像(実線)とのパ
ターンマッチングを行い、得られた回転後の位置の実測
値X1,Y1と、回転画像の位置の理論値との差分を、
既知である回転角に応じた校正量ΔX1,ΔY1として
保持する。検出時には、回転方向の位置ずれを含んだ姿
勢で配置されている検出対象を撮像した検出対象画像
と、基準画像とのパターンマッチングにより実測値を検
出し、この実測値を校正量ΔX1,ΔY1で補正する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は画像処理方法、同装
置、および同装置を含んで構成されるボンディング装置
に係り、特に検出対象と基準画像とのパターンマッチン
グを行うことにより検出対象の位置を検出するものに関
する。
【0002】
【従来の技術】画像処理技術においては、検出対象の画
像中に含まれる既知の画像の位置を検出することによっ
て、検出対象の位置を検出するために、既知の画像とし
ての基準画像の一部をテンプレート画像として用いるパ
ターンマッチングが広く用いられている。
【0003】このパターンマッチングを利用した位置検
出方法を、例えば半導体組立装置であるワイヤボンディ
ング装置を例として説明する。ワイヤボンディング装置
では、半導体チップ上のアルミニウムなどからなるボン
ディングパッドと、半導体チップを囲むように形成され
た導体からなるリードとを結ぶように、金線などからな
るワイヤをボンディングするが、このボンディング動作
に先立って、ボンディングを実行する点であるボンディ
ング点を、パターンマッチングを利用して算出する。
【0004】まず、図14に示すように、位置合わせ用
の基準点である各アライメント点32aを登録する。こ
の登録は、XYテーブルの動作によりこれにボンディン
グヘッドおよびカメラアームを介して固定されたカメラ
を半導体チップに対し相対的に水平方向に移動可能とし
た構造、例えば図1に示すものと同様の構造のワイヤボ
ンディング装置において、半導体チップ14aを撮像し
ているカメラ7からの画像をモニタ39の表示画面に表
示させながら、ボンディングヘッド2およびカメラアー
ム6を介してカメラ7を固定しているXYテーブル1を
移動させることにより視野を移動させ、モニタ39の表
示画面に表示されている視野の中心を示すクロスマーク
32の中心点32aを、半導体チップ14a上の任意の
点に合わせて、手動入力手段33の入力スイッチを押す
等の入力動作を行い、その際の中心点32aを中心とす
る矩形のレチクルマーク42に囲まれた領域の画像を、
テンプレート画像として記憶すると共に、そのときのX
Yテーブル1上の座標を、アライメント点としてデータ
メモリ36に記憶する。
【0005】アライメント点は、検出誤差を最小にする
ために、一般的には半導体チップ14a上の四隅付近の
対角線上から、パッド側について(Pa1x,Pa1
y)、(Pa2x,Pa2y)の2カ所、リード側につ
いて(La1x,La1y)、(La2x,La2y)
の2カ所を選択する。
【0006】次に、個々のパッドPやリードLにおける
適宜の位置、典型的には各パッドPやリードLの略中央
の点に、クロスマーク32の中心点32aを合わせ入力
スイッチを押すなどして、各ボンディング点の座標をデ
ータメモリ36に記憶する。
【0007】そしてランタイム(すなわち、製品の生産
時)の処理としては、検出対象となる新たな半導体デバ
イス14を配置し、XYテーブル1を演算装置の制御に
よって移動させ、登録されているアライメント点A0の
近傍がカメラ7の視野となるようにし(図15)、カメ
ラ7で半導体デバイス14の画像をとらえ、登録されて
いる基準画像を使って、パターンマッチング検出によ
り、検出対象の画像と基準画像との一致量が最大となる
相対位置で基準画像を検出対象の画像と重ね合わせ、そ
の姿勢における中心点32aのXYテーブル1上の位置
座標と、先にテンプレート画像を登録した際の中心点3
2aの位置であるアライメント点A0のXYテーブル1
上の位置座標、例えば(Pa1x,Pa1y)との間の
位置ずれ量(ΔX,ΔY)を求める。同様にして残りの
アライメント点32aについての位置ずれを算出し、算
出した位置ずれ量(ΔX,ΔY)を、先にテンプレート
画像を登録した際のアライメント点の位置座標に、例え
ば(Pa1x+ΔX,Pa1y+ΔY)のように加算
し、得られた値を新たなアライメント点Amとする。な
お、この「Am」は符号であって、ここにいう「m」は
範囲を持つ数値ではない。
【0008】次に、登録時の各パッド、リードのアライ
メント点A0に対する相対位置を守った形で、新たなア
ライメント点Amの位置から各パッド、リード位置を計
算にて求め出して(以下、位置補正と呼ぶ)、実ボンデ
ィング点を求める。そして、この実ボンディング点に対
してボンディング動作を実行する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、検出対象と
なる半導体デバイス14が、回転方向の位置ずれを含ん
だ姿勢で配置されている場合には、登録された基準画像
を使ったパターンマッチング検出を行っても、高精度な
パッドP・リードLの位置補正ができないという問題点
があった。
【0010】これは、本来であれば、基準となるパター
ン(図15におけるパッドP)について一致量が最大と
なるように検出対象の画像と基準画像とを重ねれば、基
準となるパターンに対する相対位置で規定される新たな
アライメント点Amの位置は、同じく基準画像における
パッドPとの相対位置で規定される元のアライメント点
A0の位置と一致すべきところ、図16に示すように、
検出対象である半導体デバイス14が回転方向の位置ず
れを含んだ姿勢で配置されている場合には、基準となる
パターン(図16におけるパッドP)について一致量が
最大となるように検出対象の画像と基準画像とを重ねて
も、元のアライメント点A0と、新たなアライメント点
Amとが一致しないためである。
【0011】また、検出対象である半導体デバイス14
等の姿勢の回転による影響を受けにくい点をアライメン
ト点とすればよいが、そのようなアライメント点をオペ
レータが探し出すことは困難である。この検出対象の回
転方向の位置ずれに起因する誤差は、パッドP間あるい
はリードL間のピッチが十分大きければ問題にならない
が、近年のファインピッチ化、すなわちパッドPやリー
ドL間のピッチの精細化に対応する上では、大きな問題
となる。
【0012】他方、基準画像を回転させながら、検出対
象の画像とのパターンマッチングを行う方法も種々提案
されており(例えば、特開平9−102039号公
報)、これによれば回転方向の位置ずれを考慮した位置
検出が可能であるが、回転方向に数度刻みのパターンマ
ッチングを、視野内の多くのポイントについて実行しな
ければならず、演算量が膨大になるため認識スピードが
遅く、実用的でない。
【0013】そこで本発明の目的は、検出対象が回転方
向の位置ずれを含んだ姿勢で配置されている場合にも、
演算量が膨大となりがちな回転方向のパターンマッチン
グを行うことなく、高精度の位置検出を実現できる手段
を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】第1の本発明は、基準点
を含む基準画像を所定角度だけ回転させた回転画像にお
ける前記基準点の位置の理論値を算出する工程と、前記
回転画像にパターンマッチングを施して前記基準点の位
置の実測値を検出する工程と、前記理論値と前記実測値
との差分を前記所定角度に応じた校正量として保持する
工程と、検出対象の画像にパターンマッチングを施して
当該検出対象における少なくとも2つの基準点の位置の
実測値を検出する工程と、検出した少なくとも2つの基
準点の位置の実測値に基づいて、基準画像に対する検出
対象の回転角を算出する工程と、前記検出対象における
基準点の位置の実測値と、前記検出対象の回転角と、前
記校正量とに基づいて、前記検出対象における基準点の
正確な位置を算出する工程と、を含むことを特徴とする
画像処理方法である。
【0015】第1の本発明では、あらかじめ回転画像と
基準画像とのパターンマッチングを実行することで、検
出対象の回転に対するパターンマッチング検出の誤差を
取得し、これを校正量として保持し、この校正量を検出
対象の回転角を考慮しつつ利用することで、ランタイム
における実測値を補正する。したがって、検出対象が回
転方向の位置ずれを含んだ姿勢で配置されている場合に
も、演算量が膨大となりがちな回転方向のパターンマッ
チングを行うことなく、高精度の位置検出を実現でき
る。
【0016】第2の本発明は、第1の本発明の画像処理
方法であって、異なる複数の角度のそれぞれについて前
記校正量を保持することを特徴とする画像処理方法であ
る。
【0017】第2の本発明では、異なる複数の角度のそ
れぞれについて校正量を保持するので、単一の角度につ
いての校正量を用いる場合に比べ、より正確な補正を実
行できる。
【0018】第3の本発明は、第1または第2の本発明
の画像処理方法であって、前記検出対象の画像に対する
パターンマッチングにあたり前記少なくとも2つの基準
点を単一の画像フレームに含ませることを特徴とする画
像処理方法である。
【0019】第3の本発明では、上記第1または第2の
本発明による効果に加え、位置合わせの際の画像の取り
込みを1回で済ませることができ、位置検出工程の作業
効率を向上できる。
【0020】第4の本発明は、第1ないし第3のいずれ
かの本発明の画像処理方法であって、前記検出対象にお
ける基準点を基準として、前記検出対象における加工処
理点を算出する工程を更に含むことを特徴とする画像処
理方法である。
【0021】第4の本発明では、基準点を基準として、
検出対象における加工処理点を算出するので、基準点の
位置が高精度に求められる結果として、加工処理点の位
置検出をも高精度化できる。
【0022】第5の本発明は、第3の本発明の画像処理
方法であって、前記検出対象における前記画像フレーム
の外側に存在する前記加工処理点を算出することを特徴
とする画像処理方法である。
【0023】第5の本発明では、検出対象における画像
フレームの外側に存在する加工処理点を算出するので、
従来のように複数のアライメント点に囲まれる領域の内
側に存在する加工処理点を算出する構成に比べ、複数の
基準点の撮像の間のカメラと検出対象との相対移動距離
を小さくすることができ、位置検出工程の作業効率を向
上できる。特に、第3の本発明のように少なくとも2つ
の基準点を単一の画像フレームに含ませる場合には、2
つの基準点の撮像の間におけるカメラと検出対象との相
対移動距離をゼロにすることができる。
【0024】第6の本発明は、基準点を含む基準画像を
所定角度だけ回転させた回転画像における前記基準点の
位置の理論値を算出する理論値算出手段と、前記回転画
像にパターンマッチングを施して前記基準点の位置の実
測値を検出する試行処理手段と、前記理論値と前記実測
値との差分を前記所定角度に応じた校正量として保持す
る校正量保持手段と、検出対象の画像にパターンマッチ
ングを施して当該検出対象における少なくとも2つの基
準点の位置の実測値を検出する対象検出手段と、検出し
た少なくとも2つの基準点の位置の実測値に基づいて、
基準画像に対する検出対象の回転角を算出する対象回転
角算出手段と、前記検出対象における基準点の位置の実
測値と、前記検出対象の回転角と、前記校正量とに基づ
いて、前記検出対象における基準点の正確な位置を算出
する校正処理手段と、を含むことを特徴とする画像処理
装置である。また第7の本発明は、第6の本発明の画像
処理装置を含んで構成されるボンディング装置である。
第6および第7の本発明では、第1の本発明と同様の効
果を得ることができる。
【0025】
【発明の実施の形態】<第1実施形態>本発明の実施形
態を以下に図面に従って説明する。図1は本発明の実施
形態に係るワイヤボンダの概略構成を示す。図1におい
て、XYテーブル1に搭載されたボンディングヘッド2
には、ボンディングアーム3が設けられ、ボンディング
アーム3の先端部にはツール4が取り付けられている。
ボンディングアーム3はZ軸モータ(図示せず)により
鉛直方向上下に駆動される。ボンディングアーム3の上
方には、ワイヤWを保持するクランパ5が設けられてお
り、ワイヤWの下端はツール4に挿通されている。本実
施形態におけるツール4はキャピラリである。
【0026】ボンディングヘッド2にはカメラアーム6
が固定されており、カメラアーム6にはカメラ7が固定
されている。カメラ7は、半導体チップ14a等が搭載
された半導体デバイス14を撮像するものである。XY
テーブル1は、その近傍に設置され2個のパルスモータ
等からなるXYテーブル用モータ(図示せず)により、
水平方向の互いに直交する座標軸方向であるX方向およ
びY方向に、正確に移動できるように構成されている。
以上は周知の構造である。
【0027】XYテーブル1は、マイクロプロセッサな
どからなる制御部34の指令により、モータ駆動部30
およびXYテーブル用モータを介して駆動される。カメ
ラ7により撮像された画像は、変換されて電気信号であ
る画像データとなり、画像処理部38により処理され、
制御部34を経由して演算処理部37に入力される。演
算処理部37では、後述する位置検出に係る演算を含む
各種の演算が実行され、制御メモリ35では、そのよう
な演算のためのプログラムやデータが一時的に保持され
る。制御部34には、手動入力手段33およびモニタ3
9が接続されている。手動入力手段33は、少なくとも
XY方向の方向指示機能と入力ボタンによるセット信号
入力機能とを備えたマウス入力装置などのポインティン
グデバイス、および文字入力機能を備えた周知のキーボ
ードが好適である。
【0028】モニタ39は、CRTもしくは液晶表示装
置などからなり、その表示画面には、カメラ7により撮
像された画像や、関連する座標値・倍率などの数値、各
種の文字メッセージなどが、制御部34の出力に基づい
て表示される。位置検出工程においては、表示画面に
は、図4に示すように、視野の中心を示すクロスマーク
32と、このクロスマーク32を囲む視野内の領域を示
すものとして表示・記憶される矩形のレチクルマーク4
2とが表示される。クロスマーク32における縦線と横
線との交点は中心点32aである。
【0029】データメモリ36は、データ読み出し・書
き込み可能な周知のメモリやハードディスク装置などか
ら構成される。データメモリ36の記憶領域にはデータ
ライブラリ36aが格納されており、このデータライブ
ラリ36aには、後述するテンプレート画像、相関値、
校正量テーブルLUT1,LUT2などの過去の値やこ
れらの初期状態であるデフォルト値、および本装置の他
の動作に用いられる各種の設定値が記憶されており、ま
た制御部34からの信号により各種の設定値が後述のと
おり記憶される。
【0030】本実施形態では、まず新規の半導体デバイ
ス14についての登録の処理として、アライメント点の
登録と、各ボンディング点の登録とが行われ、次に、ラ
ンタイムにおける処理として、パターンマッチングを用
いた位置検出が行われる。
【0031】図2は、新規の半導体デバイス14につい
ての登録の処理を示すフロー図である。まず、制御部3
4の出力によりXYテーブル1が駆動され、カメラ7が
1stアライメント点となるべき点の近傍に移動される
(S102)。この移動後にカメラ7によって取得され
る画像は図4に示すとおりである。
【0032】次に、移動した姿勢におけるクロスマーク
32の中心点32aの位置座標(Xp1,Yp1)が、
制御部34の出力によりデータメモリ36に記憶される
(S104)。なお、本実施形態では1stアライメン
ト点A1として、パッドPを含む視野の中心点である中
心点32aと一致する点を用いるが、パッドPの中心点
をアライメント点としてもよい。
【0033】また、この位置で半導体デバイス14がカ
メラ7によって撮像され、電気信号に変換された画像デ
ータは、画像処理部38で処理され、基準画像としてデ
ータメモリ36のデータライブラリ36aに記憶される
(S106)。基準画像のうち、レチクルマーク42で
囲まれる領域は、後述する位置検出の工程においてテン
プレート画像として用いられる。図4において実線で、
また図5ないし図8において点線で示される正立姿勢の
画像が、基準画像に相当する。
【0034】次に、演算処理部37において、基準画像
を+Q°(度)だけ回転させる処理が行われる(S10
8)。この回転は、例えば図5におけるレチクルマーク
42の左下隅の点Oを中心に行われる。このような回転
の処理の実行の結果として得られた画像を、以下「回転
画像」という。図5および図6、ならびに後述する図7
及び図8において、実線で描かれた傾斜した姿勢の画像
が、回転画像である。
【0035】次に、回転画像と基準画像とのパターンマ
ッチングの処理として、回転画像における基準画像との
最一致点が、正規化相関演算を利用して検索される(S
110)。具体的には、次の数1において算出される回
転画像と基準画像との相関値Rが、回転画像の領域内の
各画素について、あるいは回転画像の領域内で離散的に
設けられた各基準点について演算され、相関値Rが最大
となる点が検索され前記最一致点として求まる。
【0036】
【数1】
【0037】ここで、R:相関値、N:回転画像内の画
素数、I:回転画像内の各位置の輝度値、M:回転画像
の輝度値である。
【0038】次に、このようにして求められた最一致点
の座標(X1,Y1)と、理論値との差分値(ΔX1,
ΔY1)が算出され、データメモリ36に記憶される
(S112、図6)。この理論値は簡単な近似演算、例
えば点Oとクロスマーク32の中心点32aとの間の距
離をr、回転角をθとすると、X成分につきr・sin
2θ、Y成分につきr・sinθcosθによって算出
する。なお、この近似演算は、微小角θを挟んだ半径r
の扇形における弧長がr・sinθで近似できることを
利用したものであるが、このような近似演算を用いずに
正確な演算を行ってもよいし、テーブル処理によって理
論値を求めてもよい。
【0039】次に、現在の回転角が、予め定められてい
る最大回転角Mの範囲内かが判定され(S114)、肯
定の場合には、ステップS108ないしS112の処理
が繰り返し実行される。このようにして、回転角Q,2
Q,3Q,4Q,5Qの場合のそれぞれについて、差分
値(ΔX1,ΔY1)が算出される。
【0040】現在の回転角が最大回転角Mに達した場合
には、次に回転角が0°にリセットされ(S116)、
ステップS118ないしS124において、基準画像を
−Q°ずつ回転(図7)させながら同様の処理が行わ
れ、回転角−Q,−2Q,−3Q,−4Q,−5Qの場
合のそれぞれについて、理論値との差分値(ΔX1,Δ
Y1)が算出され、データメモリ36に記憶される。現
在の回転角が予め定められている最大回転角−Mを下回
った場合には、ステップS126に移行する。
【0041】ステップS126では、1stアライメン
ト点A1についての校正量テーブルLUT1が作成さ
れ、データメモリ36に記憶される。この校正量テーブ
ルLUT1は、図9に示すように、回転角と、その回転
角のときの差分値(ΔX1,ΔY1)とが互いに関連づ
けられて記憶されたものである。
【0042】次に、1stアライメント点A1について
の処理(S102ないしS126)と同様にして、2n
dアライメント点A2について回転角とその回転角のと
きの差分値(ΔX2,ΔY2)とが算出され、校正量テ
ーブルLUT2が作成され、データメモリ36に記憶さ
れる(S128)。
【0043】次に、各ボンディング点の座標が登録され
る(S130)。この各ボンディング点の座標の登録
は、1stアライメント点A1・2ndアライメント点
A2として選択されたパッドP以外の、個々のパッドP
やリードLについて、それらの適宜の位置、典型的には
各パッドPやリードLの略中央の点に視野を移動させ、
クロスマーク32の中心点32aを合わせて手動入力手
段33の入力スイッチを押すなどして、各ボンディング
点の座標をデータメモリ36に記憶させることによって
行われる。なお、このようなマニュアル的な入力方法に
代えて、各パッドPやリードLの略中央の点を画像処理
により求め、これらの座標値をデータメモリ36に記憶
することとしてもよい。以上が、新規の半導体デバイス
14についての登録の際の処理である。
【0044】ランタイムの処理は、図3および図10に
示すとおりである。まず、検出対象となる新たな半導体
デバイス14を配置し、XYテーブル1を制御部34の
出力によって動作させ、カメラ7の視野の中心点が1s
tアライメント点A1の位置(Xp1,Yp1)と一致
するように、カメラ7を移動させる(S202)。そし
て、この位置から、検出対象である半導体デバイス14
をカメラ7で撮像することにより、検出対象画像が取得
される。
【0045】次に、検出対象画像と、登録されている基
準画像とのパターンマッチングが行われ、検出対象にお
ける基準画像との最一致点Am1(Xm1,Ym1)
が、正規化相関演算を利用して検索される(S204、
図10)。なお、「最一致点Am1」における「Am
1」、および後述する「最一致点Am2」における「A
m2」はいずれも符号であって、ここにいう「m」は範
囲を持つ数値ではない。この演算は、上記数1と同様の
正規化相関の式によって行われ、検出対象画像と基準画
像との相関値Rが、検出対象画像の領域内の各画素につ
いて、あるいは検出対象画像の領域内で離散的に設けら
れた各基準点について演算され、相関値Rが最大となる
点が検索される。
【0046】次にステップS206およびS208にお
いて、2ndアライメント点につき同様の処理が行わ
れ、基準画像との最一致点Am2の位置座標(Xm2,
Ym2)が得られる。
【0047】そして、検出された最一致点Am1,Am
2の位置座標(Xm1,Ym1),(Xm2,Ym2)
と、1stアライメント点A1および2ndアライメン
ト点A2の位置座標(Xp1,Yp1),(Xp2,Y
p2)とを用いて、検出対象である半導体デバイス14
の回転角θが算出される(S210)。この演算は、最
一致点Am1,Am2を結ぶ線分の傾斜角度と、1st
アライメント点A1および2ndアライメント点A2を
結ぶ線分の傾斜角度との差を求めることで実行される。
【0048】次に、得られた回転角θを使用して、校正
量テーブルLUT1,LUT2が検索され、その回転角
θに対応する1stアライメント点A1および2ndア
ライメント点A2についての校正量が、それぞれ算出さ
れる(S212)。この処理は、校正量テーブルLUT
1,LUT2に離散的に記憶されている回転角−5Q〜
+5Qのうち、回転角θに最も近いものについて記憶さ
れている差分値(ΔX1,ΔY1),(ΔX2,ΔY
2)を選択することで近似的に実行してもよいし、校正
量テーブルLUT1,LUT2に離散的に記憶されてい
る回転角または差分値に適宜の補間計算を施すこととし
てもよい。
【0049】次に、このようにして求められた校正量
(ΔX1,ΔY1),(ΔX2,ΔY2)を、最一致点
Am1,Am2の位置座標(Xm1,Ym1),(Xm
2,Ym2)に加算し、これにより、検出対象の半導体
デバイス14における1stアライメント点A1および
2ndアライメント点A2の正確な位置を算出する(S
214)。このようにして、補正された1stアライメ
ント点Ac1の位置座標(Xm1+ΔX1,Ym1+Δ
Y1)、および、補正された2ndアライメント点Ac
2の位置座標(Xm2+ΔX2,Ym2+ΔY2)が求
められる。
【0050】そして、先にステップS130で登録され
ている各ボンディング点の座標に基づき、1stアライ
メント点A1および2ndアライメント点A2に対する
相対位置を守った形で、新たな半導体デバイス14にお
ける1stアライメント点Ac1および2ndアライメ
ント点Ac2の位置から各パッドP、リードLの位置を
計算にて求め出して(位置補正)、実ボンディング点を
求める(S216)。
【0051】そして、この実ボンディング点に対してボ
ンディング動作を実行する(S218)。具体的には、
制御部34の出力によりXYテーブル1を駆動してツー
ル4を各実ボンディング点に移動してボンディングを行
う。
【0052】以上のとおり、本実施形態では、1st・
2ndアライメント点A1,A2を含む基準画像を所定
角度だけ回転させた回転画像における前記1st・2n
dアライメント点A1,A2の位置の理論値を算出し
(S112,S122)、他方、回転画像にパターンマ
ッチングを施して実測値(X1,Y1),(X2,Y
2)を検出する(S110,S120)。そして、理論
値と実測値との差分(ΔX1,ΔY1),(ΔX2,Δ
Y2)を、回転角に応じた校正量として保持する(S1
26,S128)。ランタイムにおいては、検出対象の
半導体デバイス14の画像にパターンマッチングを施し
て実測値としての最一致点Am1,Am2の位置座標
(Xm1,Ym1),(Xm2,Ym2)を検出し、検
出した実測値に基づいて、基準画像に対する半導体デバ
イス14の回転角θを算出する(S210)。そして、
実測値としての最一致点Am1,Am2の位置座標(X
m1,Ym1),(Xm2,Ym2)と、回転角θと、
校正量(ΔX1,ΔY1),(ΔX2,ΔY2)とに基
づいて、基準点の正確な位置としての補正された1st
アライメント点Ac1の位置座標(Xm1+ΔX1,Y
m1+ΔY1)、および、補正された2ndアライメン
ト点Ac2の位置座標(Xm2+ΔX2,Ym2+ΔY
2)を算出する(S212,S214)。
【0053】このように本実施形態では、あらかじめ回
転画像と基準画像とのパターンマッチングを実行するこ
とで、検出対象の半導体デバイス14の回転に対するパ
ターンマッチング検出の誤差を取得し、これを校正量
(ΔX1,ΔY1),(ΔX2,ΔY2)として保持
し、この校正量(ΔX1,ΔY1),(ΔX2,ΔY
2)を半導体デバイス14の回転角θを考慮しつつ利用
することで、ランタイムにおける実測値Am1,Am2
を補正する。したがって、検出対象の半導体デバイス1
4が回転方向の位置ずれを含んだ姿勢で配置されている
場合にも、演算量が膨大となりがちな回転方向のパター
ンマッチングを行うことなく、高精度の位置検出を実現
できる。
【0054】また本実施形態では、異なる複数の回転角
−5Q〜+5Qのそれぞれについて校正量(ΔX1,Δ
Y1),(ΔX2,ΔY2)を保持するので、単一の角
度についての校正量を用いる場合に比べ、より正確な補
正を実行できる。
【0055】<第2実施形態>次に、第2実施形態につ
いて説明する。第2実施形態は、単一の検出対象につい
て2つのアライメント点を特定し、かつ、検出対象の画
像に対するパターンマッチングにあたり、前記2つのア
ライメント点を、単一の画像フレームに含ませるもので
ある。第2実施形態の機械的構成は、上記第1実施形態
のものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【0056】図11に示すとおり、第2実施形態では、
半導体チップ14aにおけるパッドPの位置に対して内
側の領域に、2つの基準パターンD,Eを備えた半導体
デバイス14を使用する。本実施形態では、これら基準
パターンD,Eにおける各中心点Dc,Ecが、それぞ
れ1stアライメント点A1および2ndアライメント
点A2として用いられる。また、パッドPの各中心点
が、ボンディング点となる。すなわち、2つの基準パタ
ーンD,Eの中心点Dc,Ec(アライメント点A1,
A2)を撮像する際の画像フレームである矩形のレチク
ルマーク42に囲まれた領域の外側に、加工処理点とし
てのボンディング点が存在する。
【0057】第2実施形態の動作について説明する。図
12において、まず、制御部34の出力によりXYテー
ブル1が駆動され、カメラ7が、1stアライメント点
となるべき点および2ndアライメント点となるべき点
(中心点Dc,Ec)をその視野内に含む位置、具体的
には基準パターンD,Eの両者がレチクルマーク42に
囲まれるような位置に移動される(S302)。移動し
た姿勢におけるクロスマーク32の中心点32aの位置
は、基準撮像点の座標(Xp1,Yp1)として、制御
部34の出力によりデータメモリ36に記憶される(S
304)。また、この位置で半導体デバイス14がカメ
ラ7によって撮像され、電気信号に変換された画像デー
タは、画像処理部38で処理され、基準画像としてデー
タメモリ36に記憶される(S306)。
【0058】ここで、このようにして取得された基準画
像において、矩形のレチクルマーク42で囲まれる領域
は、クロスマーク32によって上下左右に各2等分され
る。この分割された計4つの領域のうち、目印となる基
準パターンD,Eが含まれる2つの領域を、それぞれ小
基準画像Td,Teとする。
【0059】そして、上記第1実施形態におけるステッ
プS108ないしS130と同様の処理により、1st
・2ndアライメント点A1,A2としての中心点D
c,Ecについて、回転角と、その回転角のときの差分
値(ΔX1,ΔY1),(ΔX2,ΔY2)とが互いに
関連づけられて記憶された校正量テーブルLUT1,L
UT2がそれぞれ作成され、データメモリ36に記憶さ
れる(S308ないしS328)。ただし、2ndアラ
イメント点としての中心点Ecを含む基準パターンEの
画像は、先にステップS306における撮像の際に既に
取得されているので、ステップS326では、基準パタ
ーンEの撮像を再度は行わない。すなわち、1度の半導
体デバイス14の撮像により、基準パターンD,Eの両
方についての画像が取得される。
【0060】ランタイムの処理(図13)では、上記第
1実施形態と同様に、新たな半導体デバイス14におけ
る中心点Dc,Ecを基準としたパターンマッチングの
結果を利用して、実測値としての最一致点Am1,Am
2の位置座標(Xm1,Ym1),(Xm2,Ym2)
と、回転角θと、校正量テーブルLUT1,LUT2に
記憶されている校正量とに基づいて、基準点の正確な位
置としての補正された1st・2ndアライメント点の
位置座標を算出する。ただし本実施形態では、2ndア
ライメント点としての中心点Ecに相当する部分の画像
は、先にステップS404における撮像の際に既に取得
されているので、再度の撮像は行わない。すなわち、1
度の半導体デバイス14の撮像により、基準パターン
D,Eの両方についての画像が取得される。
【0061】以上のとおり、第2実施形態では、単一の
検出対象である半導体デバイス14について、2つのア
ライメント点A1,A2である各中心点Dc,Ecを特
定し、かつ、検出対象と基準画像とのパターンマッチン
グにあたり、中心点Dc,Ecを単一の画像フレームで
あるカメラ7の視野中のレチクルマーク42に囲まれた
領域内に含ませることとした。したがって、検出対象の
半導体デバイス14における基準パターンD,Eのそれ
ぞれについて別個に画像の取り込みを行うことなく、位
置合わせの際の画像の取り込みを1回で済ませることが
でき(S404)、位置検出工程の作業効率を向上でき
る。
【0062】また第2実施形態では、検出対象である半
導体デバイス14について、画像フレームとしてのレチ
クルマーク42の外側に存在するボンディング点を算出
するので、従来のように複数のアライメント点に囲まれ
る領域の内側に存在するボンディング点を算出する構成
に比べ、複数のアライメント点の撮像の間のカメラと検
出対象との相対移動距離を小さくすることができ、特
に、第2実施形態では中心点Dc,Ecを単一の画像フ
レームであるレチクルマーク42に囲まれた領域内に含
ませたので、検出対象である半導体デバイス14の2つ
のアライメント点A1,A2の撮像の間におけるカメラ
7と半導体デバイス14との相対移動距離をゼロにする
ことができる。したがって、位置検出工程の作業効率を
向上でき、特に大型の半導体デバイス14に対するボン
ディングに好適である。
【0063】なお、上記各実施形態では、基準画像と回
転画像との一致量、あるいは基準画像と入力された画像
との一致量を評価する指標として、相関値を用いたが、
このような構成は例示にすぎず、本発明における一致量
としては、一致する度合いを評価するための他の種々の
公知の方法を採用でき、例えば残差を用いる方法でもよ
い。また、2値画像同士の一致量を評価する場合には、
値の一致するピクセルを1、一致しないピクセルを0と
カウントする方法によるカウント値を、一致量として用
いることができる。
【0064】また、上記各実施形態では、パッドPや基
準パターンD,Eを利用してアライメント点を算出する
こととしたが、アライメント点がパッドPや基準パター
ンD,Eを利用して定められることは必須でなく、半導
体デバイス14に現れる検出可能なユニークな形状であ
れば他のパターン、とくに半導体チップ14aの一部の
形状や、複数のパターンのユニークな配列、もしくはそ
れらの組み合わせを利用することも可能である。また、
上記各実施形態では、主としてパッドPにおけるボンデ
ィング点を算出する工程について説明したが、同様の工
程をリードLやその他の部材におけるボンディング点の
算出において実行することも、勿論可能である。また、
上記各実施形態ではアライメント点の個数を2個とした
が、3個以上のアライメント点を用いる構成の装置に本
発明を適用することも可能である。
【0065】また、上記各実施形態では本発明をワイヤ
ボンディング装置に適用した例について説明したが、本
発明は他の種類の半導体製造装置や、パターンマッチン
グを用いた他の装置における位置検出について広く適用
でき、かかる構成も本発明の範疇に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態に係るボンディング装置の
概略構成を示すブロック図である。
【図2】 第1実施形態における新規半導体デバイスの
登録処理の一例を示すフロー図である。
【図3】 第1実施形態におけるランタイムの処理の一
例を示すフロー図である。
【図4】 第1実施形態における基準画像を示す説明図
である。
【図5】 第1実施形態における回転画像(正方向)を
示す説明図である。
【図6】 第1実施形態における回転画像(正方向)に
対するパターンマッチングの工程を示す説明図である。
【図7】 第1実施形態における回転画像(逆方向)を
示す説明図である。
【図8】 第1実施形態における回転画像(逆方向)に
対するパターンマッチングの工程を示す説明図である。
【図9】 校正量テーブルを示す説明図である。
【図10】 第1実施形態における検出対象画像と基準
画像とのパターンマッチングの工程を示す説明図であ
る。
【図11】 第2実施形態に用いられる半導体デバイス
を示す平面図である。
【図12】 第2実施形態における新規半導体デバイス
の登録処理の一例を示すフロー図である。
【図13】 第2実施形態におけるランタイムの処理の
一例を示すフロー図である。
【図14】 従来におけるアライメント点の設定工程を
示す説明図である。
【図15】 従来における検出対象画像と基準画像との
パターンマッチングの工程を示す説明図である。
【図16】 従来の方法における位置検出誤差の発生原
因を示す説明図である。
【符号の説明】
1 XYテーブル 2 ボンディングヘッド 4 ツール 5 クランパ 7 カメラ 14 半導体デバイス 14a 半導体チップ 32 クロスマーク 32a 中心点 33 手動入力手段 34 制御部 36 データメモリ 36a データライブラリ 37 演算処理部 38 画像処理部 39 モニタ 42 レチクルマーク A0,A1,A2,Ac1,Ac2 アライメント点 Am 新たなアライメント点 Am1,Am2 最一致点 L パッド P パッド W ワイヤ LUT1,LUT2 校正量テーブル

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基準点を含む基準画像を所定角度だけ回
    転させた回転画像における前記基準点の位置の理論値を
    算出する工程と、 前記回転画像にパターンマッチングを施して前記基準点
    の位置の実測値を検出する工程と、 前記理論値と前記実測値との差分を前記所定角度に応じ
    た校正量として保持する工程と、 検出対象の画像にパターンマッチングを施して当該検出
    対象における少なくとも2つの基準点の位置の実測値を
    検出する工程と、 検出した少なくとも2つの基準点の位置の実測値に基づ
    いて、基準画像に対する検出対象の回転角を算出する工
    程と、 前記検出対象における基準点の位置の実測値と、前記検
    出対象の回転角と、前記校正量とに基づいて、前記検出
    対象における基準点の正確な位置を算出する工程と、 を含むことを特徴とする画像処理方法。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の画像処理方法であっ
    て、 異なる複数の角度のそれぞれについて前記校正量を保持
    することを特徴とする画像処理方法。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載の画像処理方法
    であって、 前記検出対象の画像に対するパターンマッチングにあた
    り前記少なくとも2つの基準点を単一の画像フレームに
    含ませることを特徴とする画像処理方法。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の画
    像処理方法であって、 前記検出対象における基準点を基準として、前記検出対
    象における加工処理点を算出する工程を更に含むことを
    特徴とする画像処理方法。
  5. 【請求項5】 請求項3に記載の画像処理方法であっ
    て、 前記検出対象における前記画像フレームの外側に存在す
    る前記加工処理点を算出することを特徴とする画像処理
    方法。
  6. 【請求項6】 基準点を含む基準画像を所定角度だけ回
    転させた回転画像における前記基準点の位置の理論値を
    算出する理論値算出手段と、 前記回転画像にパターンマッチングを施して前記基準点
    の位置の実測値を検出する試行処理手段と、 前記理論値と前記実測値との差分を前記所定角度に応じ
    た校正量として保持する校正量保持手段と、 検出対象の画像にパターンマッチングを施して当該検出
    対象における少なくとも2つの基準点の位置の実測値を
    検出する対象検出手段と、 検出した少なくとも2つの基準点の位置の実測値に基づ
    いて、基準画像に対する検出対象の回転角を算出する対
    象回転角算出手段と、 前記検出対象における基準点の位置の実測値と、前記検
    出対象の回転角と、前記校正量とに基づいて、前記検出
    対象における基準点の正確な位置を算出する校正処理手
    段と、 を含むことを特徴とする画像処理装置。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載の画像処理装置を含んで
    構成されるボンディング装置。
JP2001121940A 2001-04-20 2001-04-20 画像処理方法、同装置、およびボンディング装置 Pending JP2002319028A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001121940A JP2002319028A (ja) 2001-04-20 2001-04-20 画像処理方法、同装置、およびボンディング装置
TW091106035A TW538231B (en) 2001-04-20 2002-03-27 Image processing method and device, and wire-bonding device
US10/125,755 US6917699B2 (en) 2001-04-20 2002-04-18 Image processing method, an image processing device and a bonding apparatus
KR10-2002-0021753A KR100466678B1 (ko) 2001-04-20 2002-04-20 화상처리방법과 장치 및 이를 포함하는 본딩장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001121940A JP2002319028A (ja) 2001-04-20 2001-04-20 画像処理方法、同装置、およびボンディング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002319028A true JP2002319028A (ja) 2002-10-31

Family

ID=18971722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001121940A Pending JP2002319028A (ja) 2001-04-20 2001-04-20 画像処理方法、同装置、およびボンディング装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6917699B2 (ja)
JP (1) JP2002319028A (ja)
KR (1) KR100466678B1 (ja)
TW (1) TW538231B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012059933A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダおよびダイボンディング方法
JP2016170624A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 富士通株式会社 補正装置、補正方法および補正プログラム

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4571763B2 (ja) * 2001-07-18 2010-10-27 株式会社新川 画像処理装置、およびボンディング装置
US7123351B1 (en) * 2002-08-20 2006-10-17 Schaefer Philip R Method and apparatus for measuring distances using light
US7054477B2 (en) * 2002-11-13 2006-05-30 Uni-Tek System, Inc. Automatic accurate alignment method for a semiconductor wafer cutting apparatus
US7684016B1 (en) 2003-08-15 2010-03-23 Schaefer Philip R Method and apparatus for measuring distances using light
JP4088232B2 (ja) * 2003-10-07 2008-05-21 株式会社新川 ボンディング方法、ボンディング装置及びボンディングプログラム
JP4128513B2 (ja) * 2003-10-07 2008-07-30 株式会社新川 ボンディング用パターン識別方法、ボンディング用パターン識別装置及びボンディング用パターン識別プログラム
US7349567B2 (en) 2004-03-05 2008-03-25 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for determining angular pose of an object
JP2006010568A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Canon Inc 位置検出装置
US8594983B2 (en) * 2006-03-20 2013-11-26 Duetto Integrated Systems, Inc. System for manufacturing laminated circuit boards
JP2008252080A (ja) * 2007-03-08 2008-10-16 Shinkawa Ltd ボンディング部の圧着ボール検出方法及び圧着ボール検出装置
US8542908B2 (en) * 2007-05-10 2013-09-24 Yeda Research & Development Co. Ltd. Bidirectional similarity of signals
JP4247299B1 (ja) * 2008-03-31 2009-04-02 株式会社新川 ボンディング装置及びボンディング方法
US8269836B2 (en) * 2008-07-24 2012-09-18 Seiko Epson Corporation Image capture, alignment, and registration
KR101720793B1 (ko) * 2009-05-07 2017-03-29 엘지이노텍 주식회사 회전각 측정 장치 및 그 동작 방법
EP2608547B1 (en) * 2010-08-17 2018-03-21 LG Electronics Inc. Apparatus and method for receiving digital broadcasting signal
CN104574381B (zh) * 2014-12-25 2017-09-29 南京邮电大学 一种基于局部二值模式的全参考图像质量评价方法
CN109827607B (zh) * 2017-11-23 2021-01-26 清华大学 线结构光焊缝跟踪传感器的标定方法及装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5793901A (en) * 1994-09-30 1998-08-11 Omron Corporation Device and method to detect dislocation of object image data
US6259960B1 (en) * 1996-11-01 2001-07-10 Joel Ltd. Part-inspecting system
EP1080444A4 (en) * 1998-05-18 2002-02-13 Datacube Inc IMAGE CORRELATION AND RECOGNITION SYSTEM
US6751361B1 (en) * 2000-12-22 2004-06-15 Cognex Corporation Method and apparatus for performing fixturing in a machine vision system
US6842538B2 (en) * 2001-03-23 2005-01-11 Shih-Jong J. Lee Automatic detection of alignment or registration marks

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012059933A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダおよびダイボンディング方法
JP2016170624A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 富士通株式会社 補正装置、補正方法および補正プログラム

Also Published As

Publication number Publication date
KR100466678B1 (ko) 2005-01-15
TW538231B (en) 2003-06-21
US20020166885A1 (en) 2002-11-14
US6917699B2 (en) 2005-07-12
KR20020082137A (ko) 2002-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002319028A (ja) 画像処理方法、同装置、およびボンディング装置
JP4446609B2 (ja) 画像処理方法および装置
KR100478568B1 (ko) 화상처리방법, 동장치, 및 본딩장치
TWI413206B (zh) A center of the wafer detection method and a recording medium on which the method is recorded
JP2802561B2 (ja) 半導体チップのアライメント方法およびレーザ修理用ターゲット
US7330582B2 (en) Bonding program
KR100292936B1 (ko) 웨이퍼의 측정정보 작성방법 및 측정위치 결정방법
JP3545542B2 (ja) ウェハの回転方向検出方法
JP3545558B2 (ja) ウェハの測定位置決定方法
JPH09275126A (ja) ウエハバンプの外観検査装置および高さ計測装置
JP4158349B2 (ja) 画像処理による寸法計測方法およびその装置
JP3725314B2 (ja) ウェハ上の対象点座標の補正方法および対象点座標の決定方法
JP3679460B2 (ja) 移動体装置及びその制御方法
JP2003156311A (ja) アライメントマークの検出、登録方法及び装置
JP3779118B2 (ja) 撮像装置におけるカメラの位置ずれ検出方法、撮像装置におけるカメラの傾き検出方法、および、撮像装置におけるカメラの移動量補正方法
JP2002350118A (ja) 画像処理方法、検出対象処理方法、画像処理装置およびボンディング装置
KR100422277B1 (ko) 화상처리방법 및 장치
JPH0964598A (ja) 自動組立装置の位置合わせ方法
JPS62245906A (ja) 電子部品の認識装置
JPH0766251A (ja) Icチップの位置決め方法
JP2002141362A (ja) 電子部品の実装装置
JPH0276651A (ja) 部品中心検出方法
JPH0373547A (ja) ワイヤボンディング装置
JPS6026298B2 (ja) ボンデイング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070604

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070604

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100302

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101019