JP2002313836A - 電子部品の製造方法およびこれに用いる製造装置 - Google Patents

電子部品の製造方法およびこれに用いる製造装置

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JP2002313836A
JP2002313836A JP2001119273A JP2001119273A JP2002313836A JP 2002313836 A JP2002313836 A JP 2002313836A JP 2001119273 A JP2001119273 A JP 2001119273A JP 2001119273 A JP2001119273 A JP 2001119273A JP 2002313836 A JP2002313836 A JP 2002313836A
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manufacturing
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Eiji Tanatsugi
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    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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  • General Induction Heating (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のように低酸素濃度の雰囲気下で電磁誘
導により加熱固着する方法では、部材を酸化させること
はないが、加熱封止時に局部的に加熱された熱が輻射さ
れて目的以外の部分が加熱され、耐熱性の低い基板や部
材に影響を及ぼし特性が劣化するという課題を有してい
た。 【解決手段】 パッケージの封止時に減圧下で高周波誘
導加熱することにより基板１やベース部材６に加わる熱
の影響を低減する電子部品の製造方法およびこれに用い
る製造装置を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品の製造方法
およびこれに用いる製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来基板をパッケージに封止する製造方
法としては、主にリフロー炉による半田およびＡｕ−Ｓ
ｎ封止法が用いられている。この方法は基板を高温状態
に長時間さらす必要があるため耐熱性の低い基板の封止
には不向きとされている。
【０００３】一方この問題を解決する手段として特開２
０００−２６０８１５号公報に記載された方法が知られ
ている。すなわち、基板上に形成されたバンプを低酸素
濃度の雰囲気下で電磁誘導により加熱溶融して固着する
ことにより、フラックス塗布、リフロー、洗浄、乾燥工
程を省略することができるという方法が用いられてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように基板上に形成されたバンプを低酸素濃度の雰囲気
下で電磁誘導により加熱溶融して固着する方法では、部
材を酸化させることなくフラックスなどなしで固着する
ことが可能であるが、基本的に大気圧下で封止するた
め、加熱封止時に局部的に加熱された熱が輻射されて目
的以外の部分を加熱し、耐熱性の低い基板や部材に影響
を及ぼし特性が劣化するという課題を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、パッケージの封止時に基板や部材に加わる
熱の影響を低減する電子部品の製造方法およびこれに用
いる製造装置を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下の方法を有するものである。
【０００７】本発明の請求項１に記載の発明は、基板上
に電極を設ける第１の工程と、この電極上に空間を設け
る第２の工程と、前記基板上にバンプを設ける第３の工
程と、予めパッドを形成したベース部材に前記バンプを
形成した基板を配設する第４の工程と、密閉可能な容器
に予めパッドを形成したベース部材およびそれに配設し
た前記基板を入れて減圧にする第５の工程と、高周波誘
導加熱によりバンプを溶融して前記基板とベース部材を
固着する第６の工程と、前記基板とベース部材の間およ
び前記基板の裏面に樹脂を配設する第７の工程とを含む
方法であり、これによりバンプのみを加熱しその他の部
分に熱を加えることなく前記基板とベース部材を固着す
ることができるという作用効果が得られる。
【０００８】本発明の請求項２に記載の発明は、バンプ
は半田または非鉛半田のいずれかであるという方法であ
り、これによりバンプは半田または非鉛半田のいずれか
により基板とベース部材を比較的低温で固着することが
できるという作用効果が得られる。
【０００９】本発明の請求項３に記載の発明は、基板上
に電極を設けた電極上に空間を設ける部材は樹脂または
セラミックのいずれかであるという方法であり、これに
より電極上の空間を封止できるという作用効果が得られ
る。
【００１０】本発明の請求項４に記載の発明は、基板上
に電極を設ける第１の工程と、この電極上に空間を設け
る第２の工程と、前記基板上にバンプを設ける第３の工
程と、予めパッドを形成したベース部材に前記バンプを
形成した基板を複数個配設する第４の工程と、密閉可能
な容器に予めパッドを形成したベース部材およびそれに
配設した前記基板を入れて減圧にする第５の工程と、高
周波誘導加熱によりバンプを溶融して前記基板とベース
部材を固着する第６の工程と、前記基板とベース部材の
間および前記基板の裏面に樹脂を配設する第７の工程
と、切断して個片に分割する第８の工程からなる方法で
あり、これによりバンプのみを加熱しその他の部分に熱
を加えることなく複数個の基板を一度に前記ベース部材
に固着することができるという作用効果が得られる。
【００１１】本発明の請求項５に記載の発明は、バンプ
は半田または非鉛半田のいずれかであるという方法であ
り、これによりバンプは半田または非鉛半田のいずれか
により基板とベース部材を比較的低温で固着することが
できるという作用効果が得られる。
【００１２】本発明の請求項６に記載の発明は、電極上
に空間を設ける部材は樹脂またはセラミックのいずれか
であるという方法であり、これにより電極上の空間を封
止できるという作用効果が得られる。
【００１３】本発明の請求項７に記載の発明は、基板上
に電極を設ける第１の工程と、この基板上にバンプを設
ける第２の工程と、予めパッドを形成したベース部材に
前記バンプを形成した基板を配設する第３の工程と、密
閉可能な容器に予めパッドを形成したベース部材および
それに配設した前記基板を入れて減圧にする第４の工程
と、高周波誘導加熱によりバンプを溶融して前記基板と
ベース部材を固着する第５の工程と、前記基板とベース
部材の間を樹脂封止する第６の工程とからなる方法であ
り、これによりバンプのみを加熱しその他の部分に熱を
加えることなく前記基板とベース部材を固着することが
できるという作用効果が得られる。
【００１４】本発明の請求項８に記載の発明は、バンプ
は半田または非鉛半田のいずれかであるという方法であ
り、これによりバンプは半田または非鉛半田のいずれか
により基板とベース部材を固着することができるという
作用効果が得られる。
【００１５】本発明の請求項９に記載の発明は、基板上
に電極を形成する第１の工程と、この基板上にバンプを
設ける第２の工程と、予めパッドを形成したベース部材
に前記バンプを形成した基板を配設する第３の工程と、
密閉可能な容器に予めパッドを形成したベース部材およ
びそれに配設した前記基板を入れて減圧にする第４の工
程と、高周波誘導加熱によりバンプを溶融して前記基板
とベース部材を固着する第５の工程と、前記基板とベー
ス部材の間を樹脂封止する第６の工程と、前記基板の裏
面に樹脂を配設する第７の工程からなる方法であり、こ
れによりバンプのみを加熱しその他の部分に熱を加える
ことなく前記基板とベース部材を固着することができる
という作用効果が得られる。
【００１６】本発明の請求項１０に記載の発明は、バン
プは半田または非鉛半田のいずれかであるという方法で
あり、これによりバンプは半田または非鉛半田のいずれ
かにより基板とベース部材を比較的低温で固着すること
ができるという作用効果が得られる。
【００１７】本発明の請求項１１に記載の発明は、ベー
ス部材と蓋体とを接着部材で封止し、ベース部材上に配
置された基板を気密状態に内包する電子部品の製造方法
において、基板上に電極を設ける第１の工程と、前記基
板上にバンプを設ける第２の工程と、予めパッドを形成
したベース部材に前記バンプを設けた基板を配設する第
３の工程と、密閉可能な容器に前記基板を配設したベー
ス部材と前記蓋体を入れて減圧にする第４の工程と、高
周波誘導加熱によりバンプを溶融して前記基板とベース
部材を固着するとともに前記ベース部材の一面に設けら
れた開口部と前記蓋体とを固着する第５の工程とからな
る方法であり、これにより基板を前記ベース部材と蓋体
により固着封止できるという作用効果が得られる。
【００１８】本発明の請求項１２に記載の発明は、バン
プは半田または非鉛半田のいずれかであるという方法で
あり、これによりバンプは半田または非鉛半田のいずれ
かにより基板とベース部材を比較的低温で固着すること
ができるという作用効果が得られる。
【００１９】本発明の請求項１３に記載の発明は、バン
プおよび樹脂製保護部材を配設した基板と予めパッドを
形成したベース部材を収納できる密閉可能な容器と、前
記密閉可能な容器を減圧にする手段と、高周波誘導加熱
によりバンプを溶融して前記基板とベース部材を固着す
る手段を備えたという構成を有しており、これにより減
圧下で高周波誘導加熱できるという作用効果が得られ
る。
【００２０】本発明の請求項１４に記載の発明は、密閉
可能な容器は高周波電流を制御できる装置を具備してい
るという構成を有しており、これにより高周波電流を印
加して高周波誘導加熱できるという作用効果が得られ
る。
【００２１】本発明の請求項１５に記載の発明は、密閉
可能な容器は圧力を制御できる装置を具備しているとい
う構成を有しており、これにより加熱部周辺の温度制御
および封止状態の制御ができるという作用効果が得られ
る。
【００２２】本発明の請求項１６に記載の発明は、密閉
可能な容器はガス置換できる装置を具備しているという
構成を有しており、これにより加熱時のガスの影響を抑
制できるという作用効果が得られる。
【００２３】本発明の請求項１７に記載の発明は、高周
波誘導加熱によりバンプを溶融して基板とベース部材を
固着する手段は密閉可能な容器の内側に配設したという
構成を有しており、これにより近接して加熱できるため
加熱効率を高められるという作用効果が得られる。
【００２４】本発明の請求項１８に記載の発明は、高周
波誘導加熱によりバンプを溶融して基板とベース部材を
固着する手段は密閉可能な容器の外側に配設したという
構成を有しており、これにより高周波誘導加熱が溶融し
て部材や雰囲気の影響を受け難く安定加熱できるという
作用効果が得られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下に本発明の
実施の形態１を用いて、本発明の請求項１〜３、１３〜
１８について説明する。
【００２６】まず基板を作製する手順について説明す
る。
【００２７】図２は本実施の形態１における基板および
樹脂含浸治具を示す断面図である。
【００２８】１は基板、２は電極、３はパッド、４はル
ーフ、５はバンプ、６はベース部材、７はパッド、８は
接着剤、９は樹脂、１０は樹脂含浸治具である。
【００２９】ＬｉＴａＯ3などからなる基板１にスパッ
タリングなどにより金属薄膜を形成し、その上にレジス
トを塗布し、所望の電極パターンを形成するためにフォ
トマスクなどを重ね合わせ露光装置で露光し、現像装置
で現像した後、洗浄し不要な部分のレジストを除去し、
エッチング装置により金属薄膜をエッチングして所望の
電極パターンを形成し、残ったレジストを除去してウエ
ハ上に電極２およびパッド３を有する複数個の基板を形
成する。
【００３０】次に、基板１に形成された電極２上に空間
を形成するために電極２を覆う樹脂製のルーフ４を形成
する。
【００３１】次に、パッド３上に半田などからなるバン
プ５を形成し、切断して個片に分割し所望の基板を得、
ルーフ４上に接着剤８を塗布し、ベース部材６に設けた
パッド７がバンプ５と対向するように位置を合わせ仮固
定する。
【００３２】図１は本実施の形態１における減圧下で高
周波誘導加熱できる装置の断面図である。
【００３３】図１において、１１は密閉可能な容器、１
２は高周波誘導加熱部である。
【００３４】次に、このようにして組み立てた基板を密
閉可能な容器１１に入れ、バンプ５が高周波誘導加熱部
１２に近接するように配置する。
【００３５】次に、密閉可能な容器を減圧装置（図示せ
ず）を用いて減圧にし、その後高周波誘導加熱部１２に
高周波電流を印加し、バンプ５を溶融しパッド３とパッ
ド７を固着し、その後大気圧に復圧する。
【００３６】ここで本実施の形態１において、高周波誘
導加熱部１２は密閉可能な容器１１の中に設置したが、
密閉可能な容器１１の外側に高周波誘導加熱部１２を設
置しても印加する高周波電流の条件を変更することによ
り同様の効果が得られる。
【００３７】次に、このようにして組み立てた基板を密
閉可能な容器１１から取り出し、樹脂含浸治具１０の凹
部に基板１を下にして挿入し、樹脂含浸治具１０の凹部
に樹脂９を注入することにより、基板１とベース部材６
の間および基板１の裏面を樹脂９でモールドし、その後
１２０℃に加熱して樹脂９を硬化させる。
【００３８】本実施の形態１では、基板１はＬｉＴａＯ
3、電極２はアルミニウム、バンプ５は非鉛半田、ルー
フ４はエポキシ系樹脂、樹脂９はエポキシ系樹脂を用い
た。
【００３９】また、高周波誘導加熱は加熱しようとする
基板の大きさなどにより最適値を選ばなければならない
が、金属芯からなるコイルに１ｋＨｚ〜１ＭＨｚの電流
を周波数、電流値を制御できる装置を用いて行った。
【００４０】本発明はバンプ５を局部的に加熱すること
によりその他の部分への熱の影響を低減しようとするも
ので、その手段として減圧下での高周波誘導加熱が有効
であることを見出した。
【００４１】ところで、高周波誘導加熱部１２に高周波
電流を流すと磁場が発生し、この磁場により導体内部に
起電力が発生し渦電流が流れ、これによりジュール熱が
発生して加熱することができる。
【００４２】従って、発生した磁場の中にバンプ５を配
置することによりバンプ５が加熱溶融されパッド３とパ
ッド７を固着することができる。
【００４３】バンプ５のみを効率よく加熱するために、
磁場の中に配置する部材はバンプ５以外は絶縁性である
ことが望ましく、例えばルーフ４を樹脂で形成すること
によりルーフ４は加熱されずバンプ５のみが加熱される
ことになる。従ってルーフ４の材質は非金属であればど
のようなものでも良く、例えばセラミックなどでもかま
わない。
【００４４】また、熱伝導は放射、伝導、輻射により生
じるが、高周波誘導加熱では伝導と輻射が支配的であ
る。このうち輻射は被熱物の周囲の気体の圧力と関係が
あり、減圧にするほど輻射は抑制できる。
【００４５】従って減圧下で高周波誘導加熱することに
よりバンプ５の内部から加熱し、熱の輻射を抑制しバン
プ５のみを効率よく加熱することができる。
【００４６】本実施の形態１では密閉可能な容器１１の
内部の圧力は１００Ｐａで行ったが、圧力を低くするほ
ど輻射を抑制することができるため、熱の影響をどの程
度にまで抑制するかを考慮し圧力を制御できる装置を用
いて制御しながら行った。
【００４７】また、減圧下では雰囲気の影響を受けにく
いが、耐熱性の低い部材や、反応性の高い部材がある場
合には、高周波誘導加熱する前に一旦Ｎ2などの不活性
ガスで置換することによりさらに雰囲気の影響を小さく
することができる。
【００４８】また、基板への熱の影響を抑制するために
は、バンプ５の材質は低融点のものが望ましく、例えば
半田または非鉛半田などが望ましい。また、基板１や電
極２などの材質が耐熱性のあるものである場合は、Ａ
ｕ，Ａｕ−Ｓｎおよびこれらの合金などの融点の高い材
質を用いることができる。
【００４９】（実施の形態２）以下に本発明の実施の形
態２を用いて、本発明の請求項４〜６について説明す
る。
【００５０】図３は本発明の実施の形態２における減圧
下で高周波誘導加熱で複数個の基板を同時に処理した場
合の装置の断面図である。図３において実施の形態１の
図１で説明したものと同一のものは同一番号を付与し、
詳細な説明は省略する。
【００５１】本実施の形態２の図３と実施の形態１の図
１との相違する点は、個片に分割された複数個の基板１
をベース部材１３に同時に高周波誘導加熱して固着し、
樹脂含浸した後、再度切断して分割するようにした点で
ある。
【００５２】すなわち、実施の形態１では基板１とベー
ス部材６を１対１で個別に高周波誘導加熱して固着し、
樹脂含浸する方法になっているが、本実施の形態２では
バンプ５が形成され個片に分割された複数個の基板１
を、複数個の基板１が配設できる大きさのベース部材１
３に配設した後、密閉可能な容器１１に収納し、バンプ
５が高周波誘導加熱部に近接するように配置し、減圧下
で高周波誘導加熱することにより、複数個の基板１およ
びベース部材１３が同時に固着でき、その後樹脂含浸す
ることにより複数個の基板１を同時に処理できる方法に
したものである。
【００５３】複数個の基板１およびベース部材１３を同
時に処理するようにした以外は実施の形態１と同様にし
て電子部品を作製した。
【００５４】以上本実施の形態２においては、複数個の
基板１およびベース部材１３が同時に固着、樹脂含浸処
理できるため、実施の形態１と比較すると量産性を数倍
〜十数倍に高めることができる。
【００５５】（実施の形態３）以下に本発明の実施の形
態３を用いて、本発明の請求項７〜１０について説明す
る。
【００５６】図４は本発明の実施の形態３における減圧
下で高周波誘導加熱で基板およびベース部材を処理した
場合の装置の断面図である。図４において実施の形態１
の図１で説明したものと同一のものは同一番号を付与
し、詳細な説明は省略する。
【００５７】本実施の形態３の図４と実施の形態１の図
１との相違する点は、基板１上にルーフ４を設けない構
成にした点である。
【００５８】すなわち実施の形態１では基板１に形成さ
れた電極２上に空間を形成するために電極２を覆うルー
フ４を形成する方法になっているが、本実施の形態３で
は電極２を覆うルーフ４を設けない方法にしたものであ
る。ルーフ４を設けないようにした以外は実施の形態１
と同様にして電子部品を作製した。
【００５９】以上本実施の形態３においては、ルーフ４
を設けない単純な構成であるため、実施の形態１と比較
すると信頼性特に耐湿性をさらに高めることができる。
【００６０】（実施の形態４）以下に本発明の実施の形
態４を用いて、本発明の請求項１１、１２について説明
する。
【００６１】図５は本発明の実施の形態４における減圧
下で高周波誘導加熱で基板およびベース部材を処理した
場合の装置の断面図である。図５において実施の形態１
の図１で説明したものと同一のものは同一番号を付与
し、詳細な説明は省略する。
【００６２】本実施の形態４の図５と実施の形態１の図
１との相違する点は、基板１をベース部材１４の一面に
設けられた開口部内に配設し、蓋体１５をベース部材１
４の開口部に固着封止する方法にした点である。
【００６３】すなわち実施の形態１では基板１とベース
部材６を固着し、その間を樹脂９で封止する方法になっ
ているが、本実施の形態４では減圧下で高周波誘導加熱
しバンプ５を溶融させることにより、基板１をベース部
材１４の一面に設けられた開口部内に配設するととも
に、蓋体１５に担持させた接着部材１６を減圧下で高周
波誘導加熱することにより溶融し、前記ベース部材１４
と蓋体１５とを固着封止する方法にしたものである。こ
れ以外は実施の形態１と同様にして電子部品を作製し
た。
【００６４】以上本実施の形態４においては、基板１を
ベース部材１４と蓋体１５とで減圧下で気密封止するた
め、ベース部材１４と蓋体１５で封止される部分の気体
が封止時の熱で膨張することがなく、接着部材１６が外
部に飛び出し外観不良になることがなく、実施の形態１
と比較すると外観不良が低減できるとともに封止の信頼
性をさらに高めることができる。
【００６５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板とベ
ース部材を固着するために、バンプを減圧下で高周波誘
導加熱し溶融することにより固着するため、バンプ以外
の部分への熱の影響を低減し、耐熱性の低い素子でも短
時間に熱効率良く固着できるという作用効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における減圧下で高周波
誘導加熱できる装置の断面図
【図２】本発明の実施の形態１における基板および樹脂
含浸治具を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態２における減圧下で高周波
誘導加熱で複数個の基板を同時に処理する装置の断面図
【図４】本発明の実施の形態３における基板およびベー
ス部材の構成を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態４における基板およびベー
ス部材の構成を示す断面図
【符号の説明】
１ 基板 ２ 電極 ３ パッド ４ ルーフ ５ バンプ ６ ベース部材 ７ パッド ８ 接着剤 ９ 樹脂 １０ 樹脂含浸治具 １１ 密閉可能な容器 １２ 高周波誘導加熱部 １３ ベース部材 １４ ベース部材 １５ 蓋体 １６ 接着部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｅ Ｈ０５Ｂ 6/10 ３３１ Ｈ０５Ｂ 6/10 ３３１ // Ｂ２３Ｋ 101:36 Ｂ２３Ｋ 101:36

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に電極を設ける第１の工程と、こ
    の電極上に空間を設ける第２の工程と、前記基板上にバ
    ンプを設ける第３の工程と、予めパッドを形成したベー
    ス部材に前記バンプを形成した基板を配設する第４の工
    程と、密閉可能な容器に予めパッドを形成したベース部
    材およびそれに配設した前記基板を入れて減圧にする第
    ５の工程と、高周波誘導加熱によりバンプを溶融して前
    記基板とベース部材を固着する第６の工程と、前記基板
    とベース部材の間および前記基板の裏面に樹脂を配設す
    る第７の工程とからなる電子部品の製造方法。
  2. 【請求項２】 バンプは半田または非鉛半田のいずれか
    である請求項１に記載の電子部品の製造方法。
  3. 【請求項３】 電極上に空間を設ける部材は樹脂または
    セラミックのいずれかである請求項１に記載の電子部品
    の製造方法。
  4. 【請求項４】 基板上に電極を設ける第１の工程と、こ
    の電極上に空間を設ける第２の工程と、前記基板上にバ
    ンプを設ける第３の工程と、予めパッドを形成したベー
    ス部材に前記バンプを形成した基板を複数個配設する第
    ４の工程と、密閉可能な容器に予めパッドを形成したベ
    ース部材およびそれに配設した前記基板を入れて減圧に
    する第５の工程と、高周波誘導加熱によりバンプを溶融
    して前記基板とベース部材を固着する第６の工程と、前
    記基板とベース部材の間および前記基板の裏面に樹脂を
    配設する第７の工程と、切断して個片に分割する第８の
    工程とからなる電子部品の製造方法。
  5. 【請求項５】 バンプは半田または非鉛半田のいずれか
    である請求項４に記載の電子部品の製造方法。
  6. 【請求項６】 電極上に空間を設ける部材は樹脂または
    セラミックのいずれかである請求項４に記載の電子部品
    の製造方法。
  7. 【請求項７】 基板上に電極を設ける第１の工程と、こ
    の基板上にバンプを設ける第２の工程と、予めパッドを
    形成したベース部材に前記バンプを形成した基板を配設
    する第３の工程と、密閉可能な容器に予めパッドを形成
    したベース部材およびそれに配設した前記基板を入れて
    減圧にする第４の工程と、高周波誘導加熱によりバンプ
    を溶融して前記基板とベース部材を固着する第５の工程
    と、前記基板とベース部材の間を樹脂封止する第６の工
    程とからなる電子部品の製造方法。
  8. 【請求項８】 バンプは半田または非鉛半田のいずれか
    である請求項７に記載の電子部品の製造方法。
  9. 【請求項９】 基板上に電極を形成する第１の工程と、
    この基板上にバンプを設ける第２の工程と、予めパッド
    を形成したベース部材に前記バンプを形成した基板を配
    設する第３の工程と、密閉可能な容器に予めパッドを形
    成したベース部材およびそれに配設した前記基板を入れ
    て減圧にする第４の工程と、高周波誘導加熱によりバン
    プを溶融して前記基板とベース部材を固着する第５の工
    程と、前記基板とベース部材の間を樹脂封止する第６の
    工程と、前記基板の裏面に樹脂を配設する第７の工程か
    らなる電子部品の製造方法。
  10. 【請求項１０】 バンプは半田または非鉛半田のいずれ
    かである請求項９に記載の電子部品の製造方法。
  11. 【請求項１１】 ベース部材と蓋体とを接着部材で封止
    し、ベース部材上に配設された基板を気密状態に内包す
    る電子部品の製造方法において、前記基板上に電極を設
    ける第１の工程と、前記基板上にバンプを設ける第２の
    工程と、予めパッドを形成したベース部材に前記バンプ
    を設けた基板を配設する第３の工程と、密閉可能な容器
    に前記基板を配設したベース部材と前記蓋体を入れて減
    圧にする第４の工程と、高周波誘導加熱によりバンプを
    溶融して前記基板とベース部材を固着するとともに前記
    ベース部材の一面に設けられた開口部と前記蓋体とを固
    着する第５の工程からなる電子部品の製造方法。
  12. 【請求項１２】 バンプは半田または非鉛半田のいずれ
    かである請求項１１に記載の電子部品の製造方法。
  13. 【請求項１３】 バンプを配設した基板と予めパッドを
    形成したベース部材を収納できる密閉可能な容器と、前
    記密閉可能な容器を減圧にする手段と、高周波誘導加熱
    によりバンプを溶融して前記基板とベース部材を固着す
    る手段を備えた電子部品の製造装置。
  14. 【請求項１４】 密閉可能な容器は高周波電流を制御で
    きる装置を具備している請求項１３に記載の電子部品の
    製造装置。
  15. 【請求項１５】 密閉可能な容器は圧力を制御できる装
    置を具備している請求項１３に記載の電子部品の製造装
    置。
  16. 【請求項１６】 密閉可能な容器はガス置換できる装置
    を具備している請求項１３に記載の電子部品の製造装
    置。
  17. 【請求項１７】 高周波誘導加熱して基板とベース部材
    を固着する手段は密閉可能な容器の内側に配設した請求
    項１３に記載の電子部品の製造装置。
  18. 【請求項１８】 高周波誘導加熱して基板とベース部材
    を固着する手段は密閉可能な容器の外側に配設した請求
    項１３に記載の電子部品の製造装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010166059A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Samsung Electronics Co Ltd リフロー装置及びリフロー方法
CN102218577A (zh) * 2011-05-09 2011-10-19 三星半导体(中国)研究开发有限公司 感应加热钎焊的磁性柱状焊盘结构及焊接方法

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