JP2901403B2 - 電子部品収納用パッケージ封止装置及び封止方法 - Google Patents
電子部品収納用パッケージ封止装置及び封止方法Info
- Publication number
- JP2901403B2 JP2901403B2 JP34297291A JP34297291A JP2901403B2 JP 2901403 B2 JP2901403 B2 JP 2901403B2 JP 34297291 A JP34297291 A JP 34297291A JP 34297291 A JP34297291 A JP 34297291A JP 2901403 B2 JP2901403 B2 JP 2901403B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- lid
- package
- electronic component
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品収納用パッケ
ージの封止装置及び封止方法に関し、特に、絶縁基体及
び蓋体からなる電子部品収納用パッケージを接着剤を用
いて封止する装置及び方法に関する。
ージの封止装置及び封止方法に関し、特に、絶縁基体及
び蓋体からなる電子部品収納用パッケージを接着剤を用
いて封止する装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子部品収納用パッケージは、
絶縁基体及び蓋体から構成されている。このパッケージ
においては、内部に電子部品を収納しており、絶縁基体
及び蓋体が接着剤を介して接着され内部を気密に封止し
ている。以上のような電子部品収納用パッケージを気密
に封止するのに、連続式の電気炉を用いた封止工程が採
用されている。この封止工程においては、始めに電子部
品が搭載された絶縁基体と蓋体が用意される。次に、絶
縁基体と蓋体とを、間にたとえば金−錫共晶合金等の封
止材を介在させてクリップで仮止めする。そして、絶縁
基体及び蓋体を窒素ガス雰囲気の高温の電気炉を通すこ
とによって、封止材を溶融させて絶縁基体と蓋体を接合
させる。
絶縁基体及び蓋体から構成されている。このパッケージ
においては、内部に電子部品を収納しており、絶縁基体
及び蓋体が接着剤を介して接着され内部を気密に封止し
ている。以上のような電子部品収納用パッケージを気密
に封止するのに、連続式の電気炉を用いた封止工程が採
用されている。この封止工程においては、始めに電子部
品が搭載された絶縁基体と蓋体が用意される。次に、絶
縁基体と蓋体とを、間にたとえば金−錫共晶合金等の封
止材を介在させてクリップで仮止めする。そして、絶縁
基体及び蓋体を窒素ガス雰囲気の高温の電気炉を通すこ
とによって、封止材を溶融させて絶縁基体と蓋体を接合
させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の電気炉を用
いた気密封止では、クリップの取り付け及び取り外し作
業が手作業によって行われており、この作業が煩雑なた
め生産効率が低い。また、前記従来の封止では、パッケ
ージが電気炉の中を通過するのに約３０分から４０分の
時間を要する。このようにパッケージが長時間高温に晒
されると、内部の電子部品に生じる熱ストレスが、電子
部品の寿命低下等を引き起こす。
いた気密封止では、クリップの取り付け及び取り外し作
業が手作業によって行われており、この作業が煩雑なた
め生産効率が低い。また、前記従来の封止では、パッケ
ージが電気炉の中を通過するのに約３０分から４０分の
時間を要する。このようにパッケージが長時間高温に晒
されると、内部の電子部品に生じる熱ストレスが、電子
部品の寿命低下等を引き起こす。
【０００４】本発明の目的は、電子部品収納用パッケー
ジの気密防止を効率よく行い、高品質な電子部品収納用
パッケージを提供することのできる電子部品収納用パッ
ケージ封止装置及びその封止方法を提供することにあ
る。
ジの気密防止を効率よく行い、高品質な電子部品収納用
パッケージを提供することのできる電子部品収納用パッ
ケージ封止装置及びその封止方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る電子部
品収納用パッケージ封止装置は、基体及び蓋体からなる
電子部品収納用パッケージを接着剤を用いて封止する装
置である。この装置は、基体が載置される基体載置部
と、基体載置部を加熱する加熱装置と、蓋体を基体上に
移動する移動装置と、カバーと、第１気体供給手段と、
第２気体供給手段と、気体排出手段とを備えている。カ
バーは、絶縁基体及び蓋体を基体載置部とともに密閉す
る。第１気体供給手段はカバーと基体載置部とで形成さ
れる密閉空間内に高温気体を供給する。第２気体供給手
段は、密閉空間内に冷却用気体を供給する。気体排出手
段は密閉空間内の気体を排出する。
品収納用パッケージ封止装置は、基体及び蓋体からなる
電子部品収納用パッケージを接着剤を用いて封止する装
置である。この装置は、基体が載置される基体載置部
と、基体載置部を加熱する加熱装置と、蓋体を基体上に
移動する移動装置と、カバーと、第１気体供給手段と、
第２気体供給手段と、気体排出手段とを備えている。カ
バーは、絶縁基体及び蓋体を基体載置部とともに密閉す
る。第１気体供給手段はカバーと基体載置部とで形成さ
れる密閉空間内に高温気体を供給する。第２気体供給手
段は、密閉空間内に冷却用気体を供給する。気体排出手
段は密閉空間内の気体を排出する。
【０００６】第２の発明に係る電子部品収納用パッケー
ジ封止方法は、基体及び蓋体からなる電子部品収納用パ
ッケージを接着剤を用いて封止する方法である。この封
止方法は、基体載置部を加熱する工程と、基体載置部に
基体を載置する工程と、絶縁基体及び蓋体を密閉空間内
に密閉する工程と、密閉空間内に高温気体を供給すると
ともに密閉空間内の空気を排出する工程と、基体上に蓋
体を移動する工程と、密閉空間内に冷却用気体を供給す
る工程とを含んでいる。
ジ封止方法は、基体及び蓋体からなる電子部品収納用パ
ッケージを接着剤を用いて封止する方法である。この封
止方法は、基体載置部を加熱する工程と、基体載置部に
基体を載置する工程と、絶縁基体及び蓋体を密閉空間内
に密閉する工程と、密閉空間内に高温気体を供給すると
ともに密閉空間内の空気を排出する工程と、基体上に蓋
体を移動する工程と、密閉空間内に冷却用気体を供給す
る工程とを含んでいる。
【０００７】
【作用】第１及び第２の発明においては、基体載置部は
予め加熱されている。この載置部に基体を載置すると、
基体は所定の温度に加熱される。基体と蓋体とを密閉
し、密閉空間内を高温気体（例えば窒素ガス）で満たし
た後、この基体上に蓋体を移動すると、接着剤が溶融状
態になり、基体及び蓋体は気密に封止される。その後、
基体を基体載置部から離し、密閉空間内を冷却用気体
（例えば常温窒素ガス）で満たし、パッケージを急速に
冷却する。ここでは、基体載置部に基体を載置する工程
と基体上に蓋体を移動させて気密封止を行う工程とを、
短時間に行うことができる。したがって、従来の電気炉
を用いる工程のように電子部品が長時間高温にさらされ
ることはないため、内部の電子部品の品質は維持され
る。また、前記従来例のようなクリップによる仮止め作
業が必要ないため、生産効率が向上する。
予め加熱されている。この載置部に基体を載置すると、
基体は所定の温度に加熱される。基体と蓋体とを密閉
し、密閉空間内を高温気体（例えば窒素ガス）で満たし
た後、この基体上に蓋体を移動すると、接着剤が溶融状
態になり、基体及び蓋体は気密に封止される。その後、
基体を基体載置部から離し、密閉空間内を冷却用気体
（例えば常温窒素ガス）で満たし、パッケージを急速に
冷却する。ここでは、基体載置部に基体を載置する工程
と基体上に蓋体を移動させて気密封止を行う工程とを、
短時間に行うことができる。したがって、従来の電気炉
を用いる工程のように電子部品が長時間高温にさらされ
ることはないため、内部の電子部品の品質は維持され
る。また、前記従来例のようなクリップによる仮止め作
業が必要ないため、生産効率が向上する。
【０００８】
【実施例】図１に、本発明の一実施例としての電子部品
収納用パッケージ封止装置１を示す。図において、封止
装置１は、主として、基体載置部としてのヒートブロッ
ク２と、ヒートブロック２の下方に配置され、ヒートブ
ロック２を加熱する加熱装置としてのヒータ３と、ヒー
トブロック２の上方に配置されるカバー４と、カバー４
の中央部に取り付けられた蓋体の移動装置としての吸着
ヘッド５とから構成されているヒートブロック２は、図
の紙面直交方向に長い直方体であり、ＳＵＳ等の金属製
である。ヒートブロック２の上面には、図の紙面直交方
向に延びる２本の溝２ａが形成されている。また、ヒー
トブロック２の上面から下面へ貫通するガス吸引孔２ｂ
が形成されている。ガス吸引孔２ｂの下部は、図示しな
い真空ポンプに接続されている。また、図示していない
が、ヒートブロック２の中央部にはヒートブロック２の
上面から上方に突出可能なリフト装置が設けられてい
る。
収納用パッケージ封止装置１を示す。図において、封止
装置１は、主として、基体載置部としてのヒートブロッ
ク２と、ヒートブロック２の下方に配置され、ヒートブ
ロック２を加熱する加熱装置としてのヒータ３と、ヒー
トブロック２の上方に配置されるカバー４と、カバー４
の中央部に取り付けられた蓋体の移動装置としての吸着
ヘッド５とから構成されているヒートブロック２は、図
の紙面直交方向に長い直方体であり、ＳＵＳ等の金属製
である。ヒートブロック２の上面には、図の紙面直交方
向に延びる２本の溝２ａが形成されている。また、ヒー
トブロック２の上面から下面へ貫通するガス吸引孔２ｂ
が形成されている。ガス吸引孔２ｂの下部は、図示しな
い真空ポンプに接続されている。また、図示していない
が、ヒートブロック２の中央部にはヒートブロック２の
上面から上方に突出可能なリフト装置が設けられてい
る。
【０００９】カバー４はＳＵＳ等の金属からなる矩形の
碗状部材である。カバー４の中部には、吸着ヘッド５が
上下方向に移動自在に装着されている。吸着ヘッド５は
内部に吸着路５ａが形成されており、その上端が図示し
ない真空ポンプに接続され、下端がヒートブロック２側
に開口している。カバー４の上面にはさらに、ガス供給
ノズル６，７が装着されている。ガス供給ノズル６には
図示しない窒素ガスタンクが接続されており、途中に図
示しないニクロム線ヒータが巻き付けられている。これ
により、ガス供給ノズル６からは約３００℃の窒素ガス
をカバー４内に供給することが可能である。ガス供給ノ
ズル７からも、同様に、図示しない窒素ガスタンクから
窒素ガスをカバー４内に供給することが可能である。ガ
ス供給ノズル７は、途中にヒータが設けられておらず、
常温の窒素ガスを供給する。
碗状部材である。カバー４の中部には、吸着ヘッド５が
上下方向に移動自在に装着されている。吸着ヘッド５は
内部に吸着路５ａが形成されており、その上端が図示し
ない真空ポンプに接続され、下端がヒートブロック２側
に開口している。カバー４の上面にはさらに、ガス供給
ノズル６，７が装着されている。ガス供給ノズル６には
図示しない窒素ガスタンクが接続されており、途中に図
示しないニクロム線ヒータが巻き付けられている。これ
により、ガス供給ノズル６からは約３００℃の窒素ガス
をカバー４内に供給することが可能である。ガス供給ノ
ズル７からも、同様に、図示しない窒素ガスタンクから
窒素ガスをカバー４内に供給することが可能である。ガ
ス供給ノズル７は、途中にヒータが設けられておらず、
常温の窒素ガスを供給する。
【００１０】次に、前記の電子部品収納用パッケージ封
止装置１を用いて封止される絶縁基体８及び蓋体９につ
いて、半導体素子を収納する場合を例に取り説明する。
図１において、絶縁基体８はヒートブロック２上に載置
され、蓋体９は吸着ヘッド５に吸着された状態にある。
図５及び図６に示すように、絶縁基体８の本体８ａ（ア
ルミナセラミック製）は概ね長方形の平板状部材であ
り、主面の概ね中央部分には凹部８ｂが形成されてい
る。凹部８ｂの底面には第１メタライズ層１１ａが形成
されている。また、凹部８ｂの端部から延びて本体８ａ
の側面に露出する多数の第２メタライズ層１１ｂが形成
され、凹部８ｂの周囲の上面に概ね正方形に延びる帯状
の第３メタライズ層１１ｃが形成されている。以上の各
メタライズ層１１ａ〜１１ｃは、タングステン，モリブ
デン等の高融点金属からなる。
止装置１を用いて封止される絶縁基体８及び蓋体９につ
いて、半導体素子を収納する場合を例に取り説明する。
図１において、絶縁基体８はヒートブロック２上に載置
され、蓋体９は吸着ヘッド５に吸着された状態にある。
図５及び図６に示すように、絶縁基体８の本体８ａ（ア
ルミナセラミック製）は概ね長方形の平板状部材であ
り、主面の概ね中央部分には凹部８ｂが形成されてい
る。凹部８ｂの底面には第１メタライズ層１１ａが形成
されている。また、凹部８ｂの端部から延びて本体８ａ
の側面に露出する多数の第２メタライズ層１１ｂが形成
され、凹部８ｂの周囲の上面に概ね正方形に延びる帯状
の第３メタライズ層１１ｃが形成されている。以上の各
メタライズ層１１ａ〜１１ｃは、タングステン，モリブ
デン等の高融点金属からなる。
【００１１】第１メタライズ層１１ａ上には、電子部品
としての半導体素子１０が接着剤により固定されてい
る。第２メタライズ層１１ｂと半導体素子１０の各電極
とは、ボンディングワイヤ１２を介して接続されてい
る。第２メタライズ層１１ｂの本体８ａの側面に露出し
た部分には、リードフレーム１３のリード端子１３ａが
固定されている。複数のリード端子１３ａは、その下部
が支持体１３ｂに一体に連続している。
としての半導体素子１０が接着剤により固定されてい
る。第２メタライズ層１１ｂと半導体素子１０の各電極
とは、ボンディングワイヤ１２を介して接続されてい
る。第２メタライズ層１１ｂの本体８ａの側面に露出し
た部分には、リードフレーム１３のリード端子１３ａが
固定されている。複数のリード端子１３ａは、その下部
が支持体１３ｂに一体に連続している。
【００１２】蓋体９は、概ね正方形の薄い平板状部材で
あり、鉄−ニッケル合金，鉄−ニッケル−コバルト合金
等の金属からなる。この蓋体９の下面の外周には、帯状
の金−錫共晶合金からなる接着剤としての封止材１４が
スポット溶接により固定されている。次に、前述した絶
縁基体８と蓋体９を接着して半導体素子１０を気密封止
する工程について説明する。なお、図示していないが、
ヒートブロック２の側方には、複数の絶縁基体８及び蓋
体９が載置されたステージと、気密封止後の製品を載置
するステージとが設けられている。
あり、鉄−ニッケル合金，鉄−ニッケル−コバルト合金
等の金属からなる。この蓋体９の下面の外周には、帯状
の金−錫共晶合金からなる接着剤としての封止材１４が
スポット溶接により固定されている。次に、前述した絶
縁基体８と蓋体９を接着して半導体素子１０を気密封止
する工程について説明する。なお、図示していないが、
ヒートブロック２の側方には、複数の絶縁基体８及び蓋
体９が載置されたステージと、気密封止後の製品を載置
するステージとが設けられている。
【００１３】ヒータ３が初めにＯＮされて、これにより
ヒートブロック２は予め約３５０度に加熱されている。
このヒートブロック２上に、図示しない吸着装置を用い
て図６に示す絶縁基体８を載置する。このとき、リード
フレーム１３はヒートブロック２に形成された溝２ａ内
に挿入される。なお、絶縁基体８は、予め図示しない別
の装置で２００〜３００℃に予備加熱されているので、
ヒートブロック２上に載置されたときに絶縁基体８が熱
ショックで割れることはない。
ヒートブロック２は予め約３５０度に加熱されている。
このヒートブロック２上に、図示しない吸着装置を用い
て図６に示す絶縁基体８を載置する。このとき、リード
フレーム１３はヒートブロック２に形成された溝２ａ内
に挿入される。なお、絶縁基体８は、予め図示しない別
の装置で２００〜３００℃に予備加熱されているので、
ヒートブロック２上に載置されたときに絶縁基体８が熱
ショックで割れることはない。
【００１４】続いて、カバー４とともに吸着ヘッド５を
移動させ、ステージから蓋体９を吸着する。吸着ヘッド
５が蓋体９を吸着し、カバー４がヒートブロック２上に
移動してきた図１の状態から、カバー４を下降させ、図
２に示すようにカバー４で絶縁基体８及び蓋体９を外気
から隔離する。このとき、絶縁基体８と蓋体９との間に
は所定の距離が確保されている。
移動させ、ステージから蓋体９を吸着する。吸着ヘッド
５が蓋体９を吸着し、カバー４がヒートブロック２上に
移動してきた図１の状態から、カバー４を下降させ、図
２に示すようにカバー４で絶縁基体８及び蓋体９を外気
から隔離する。このとき、絶縁基体８と蓋体９との間に
は所定の距離が確保されている。
【００１５】次に、ガス供給ノズル６から約３００℃の
温度に加熱された窒素ガスを、ヒートブロック２とカバ
ー４とにより形成された密閉空間Ａに供給する。このガ
ス供給時に、ガス吸引孔２ｂから空間内の空気を排出す
る。このため、空間Ａ内の空気が高速で窒素ガスに置換
される。空間Ａ内が窒素ガスに置換された後、吸着ノズ
ル５を図２の状態から下降させ、図３のように蓋体９を
絶縁基体８の上面に密着させる。このとき、絶縁基体８
は高温に加熱され、かつ高温の窒素ガスにより蓋体が密
着しても温度が低下しにくいため、蓋体９に被着された
金−錫共晶合金からなる封止剤１４が絶縁基体８の第３
メタライズ層１１ｃ上で速やかに溶融状態になる。この
結果、絶縁基体８と蓋体９とからなる半導体素子収納用
パッケージ１５（図７）の内部に半導体素子１０が気密
に封止される。
温度に加熱された窒素ガスを、ヒートブロック２とカバ
ー４とにより形成された密閉空間Ａに供給する。このガ
ス供給時に、ガス吸引孔２ｂから空間内の空気を排出す
る。このため、空間Ａ内の空気が高速で窒素ガスに置換
される。空間Ａ内が窒素ガスに置換された後、吸着ノズ
ル５を図２の状態から下降させ、図３のように蓋体９を
絶縁基体８の上面に密着させる。このとき、絶縁基体８
は高温に加熱され、かつ高温の窒素ガスにより蓋体が密
着しても温度が低下しにくいため、蓋体９に被着された
金−錫共晶合金からなる封止剤１４が絶縁基体８の第３
メタライズ層１１ｃ上で速やかに溶融状態になる。この
結果、絶縁基体８と蓋体９とからなる半導体素子収納用
パッケージ１５（図７）の内部に半導体素子１０が気密
に封止される。
【００１６】次に、ガス供給ノズル７から常温の窒素ガ
スを空間Ａ内に供給する。またこのとき、図示しないリ
フト装置が高温状態のヒートブロック２から絶縁基体８
を上方にリフトする。リフト装置によりヒートブロック
２から離れたパッケージ１５は、常温窒素ガスにより急
速に冷却される。その結果、金−錫共晶合金からなる封
止材１４は固化する。冷却終了後に、図４に示すよう
に、吸着ヘッド５が半導体素子収納用パッケージ１５の
蓋体９部分を吸着し、カバー４を上方に移動させること
で、パッケージ１５をヒートブロック２から取り出す。
取り出されたパッケージ１５は、別のステージに載置さ
れる。
スを空間Ａ内に供給する。またこのとき、図示しないリ
フト装置が高温状態のヒートブロック２から絶縁基体８
を上方にリフトする。リフト装置によりヒートブロック
２から離れたパッケージ１５は、常温窒素ガスにより急
速に冷却される。その結果、金−錫共晶合金からなる封
止材１４は固化する。冷却終了後に、図４に示すよう
に、吸着ヘッド５が半導体素子収納用パッケージ１５の
蓋体９部分を吸着し、カバー４を上方に移動させること
で、パッケージ１５をヒートブロック２から取り出す。
取り出されたパッケージ１５は、別のステージに載置さ
れる。
【００１７】次のパッケージ１５について封止処理を行
う場合には、前述と同様の工程が行われる。このとき、
ヒートブロック２はヒータ３により前のパッケージ１５
に対する処理の際に予め加熱されているため、予備加熱
の時間は必要ない。本実施例では次の効果が期待でき
る。 ・ 従来の電気炉を使用する工程で必要なクリップによ
る仮止め作業が不要となるので、自動化が達成され、生
産効率が向上する。 ・ 前記工程では、高温の窒素ガスを供給して基体載置
部上の絶縁基体の温度低下を防止してパッケージ１５を
封止し、封止後のパッケージ１５を冷却用気体（例えば
常温の窒素ガス）により急速に冷却して封止剤を速やか
に固化するので、１個当たりの封止に必要な時間は僅か
３〜２０秒と短くなり、パッケージ内部の半導体素子１
０に悪影響を与える熱ストレスが減少し、半導体素子１
０の寿命が延びる。 ・ 前記実施例では、絶縁基体８と蓋体９とを接着して
気密封止する工程は、ヒートブロック２とカバー４とに
より形成される空間Ａ内で窒素ガス雰囲気中で行われる
ため、パッケージ内部に空気が残留しない。従来、クリ
ップの仮止め作業が空気中で行われているため、絶縁基
体８の凹部８ｂに空気が閉じ込められることが多い。こ
の残留空気中の水分がボンディングワイヤを腐食させ
る。これに対し、本実施例では、そのような問題が生じ
にくく、高品質な半導体素子収納用パッケージ１５が得
られる。 ・ ヒートブロック２とカバー４とで形成される空間Ａ
は体積が小さいため、窒素ガスの供給が短時間で済み、
また供給する窒素ガスが少量で済む。
う場合には、前述と同様の工程が行われる。このとき、
ヒートブロック２はヒータ３により前のパッケージ１５
に対する処理の際に予め加熱されているため、予備加熱
の時間は必要ない。本実施例では次の効果が期待でき
る。 ・ 従来の電気炉を使用する工程で必要なクリップによ
る仮止め作業が不要となるので、自動化が達成され、生
産効率が向上する。 ・ 前記工程では、高温の窒素ガスを供給して基体載置
部上の絶縁基体の温度低下を防止してパッケージ１５を
封止し、封止後のパッケージ１５を冷却用気体（例えば
常温の窒素ガス）により急速に冷却して封止剤を速やか
に固化するので、１個当たりの封止に必要な時間は僅か
３〜２０秒と短くなり、パッケージ内部の半導体素子１
０に悪影響を与える熱ストレスが減少し、半導体素子１
０の寿命が延びる。 ・ 前記実施例では、絶縁基体８と蓋体９とを接着して
気密封止する工程は、ヒートブロック２とカバー４とに
より形成される空間Ａ内で窒素ガス雰囲気中で行われる
ため、パッケージ内部に空気が残留しない。従来、クリ
ップの仮止め作業が空気中で行われているため、絶縁基
体８の凹部８ｂに空気が閉じ込められることが多い。こ
の残留空気中の水分がボンディングワイヤを腐食させ
る。これに対し、本実施例では、そのような問題が生じ
にくく、高品質な半導体素子収納用パッケージ１５が得
られる。 ・ ヒートブロック２とカバー４とで形成される空間Ａ
は体積が小さいため、窒素ガスの供給が短時間で済み、
また供給する窒素ガスが少量で済む。
【００１８】〔他の実施例〕前記実施例は半導体素子収
納用パッケージであったが、本発明を他の電子部品を収
納する電子部品収納用パッケージに用いてもよい。
納用パッケージであったが、本発明を他の電子部品を収
納する電子部品収納用パッケージに用いてもよい。
【００１９】
【発明の効果】第１及び第２の発明においては、基体載
置部に基体を載置する工程と基体上に蓋体を移動させて
気密封止を行う工程とを短時間で行うことができる。し
たがって、電子部品に対する熱ストレスが減少し、電子
部品の品質が維持される。また、前記従来例のようなク
リップによる仮止め作業が必要ないため、生産効率が向
上する。
置部に基体を載置する工程と基体上に蓋体を移動させて
気密封止を行う工程とを短時間で行うことができる。し
たがって、電子部品に対する熱ストレスが減少し、電子
部品の品質が維持される。また、前記従来例のようなク
リップによる仮止め作業が必要ないため、生産効率が向
上する。
【図１】本発明の一実施例による電子部品収納用パッケ
ージ封止装置の断面概略図。
ージ封止装置の断面概略図。
【図２】封止工程の一動作状態を示す図１に相当する
図。
図。
【図３】封止工程の別の一動作状態を示す図１に相当す
る図。
る図。
【図４】封止工程の別の一動作状態を示す図１に相当す
る図。
る図。
【図５】前記装置に用いられるパッケージの縦断面図。
【図６】図５のパッケージの斜視図。
【図７】封止後のパッケージの斜視図。
１ 電子部品収納用パッケージ封止装置 ２ ヒートブロック ３ ヒータ ４ カバー ５ 吸着ヘッド ８ 絶縁基体 ９ 蓋体 １４ 封止材 １５ 半導体素子収納用パッケージ
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基体及び蓋体からなる電子部品収納用
パッケージを接着剤を用いて封止する電子部品収納用パ
ッケージ封止装置であって、 前記絶縁基体が載置される基体載置部と、 前記基体載置部を加熱する加熱装置と、 前記蓋体を前記絶縁基体上に移動する移動装置と、 前記絶縁基体及び蓋体を前記基体載置部とともに密閉す
るカバーと、 前記カバーと基体載置部とで形成される密閉空間内に高
温気体を供給する第１気体供給手段と、前記密閉空間内に冷却用気体を供給する第２気体供給手
段と、 前記密閉空間内の気体を排出する気体排出手段と、 を備えた電子部品収納用パッケージ封止装置。 - 【請求項２】絶縁基体及び蓋体からなる電子部品収納用
パッケージを接着剤を用いて封止する封止方法であっ
て、 基体載置部を加熱する工程と、 前記基体載置部に前記絶縁基体を載置する工程と、前記絶縁基体及び蓋体を密閉空間内に密閉する工程と、 前記密閉空間内に高温気体を供給するとともに密閉空間
内の空気を排出する工程と、 前記絶縁基体上に前記蓋体を移動する工程と、前記密閉空間内に冷却用気体を供給する工程と、 を含む電子部品収納用パッケージ封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34297291A JP2901403B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 電子部品収納用パッケージ封止装置及び封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34297291A JP2901403B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 電子部品収納用パッケージ封止装置及び封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175352A JPH05175352A (ja) | 1993-07-13 |
| JP2901403B2 true JP2901403B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=18357938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34297291A Expired - Fee Related JP2901403B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 電子部品収納用パッケージ封止装置及び封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901403B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5055491B2 (ja) * | 2008-10-03 | 2012-10-24 | アキム株式会社 | 部品の吸着ノズル、固定ヘッド及び部品の固定方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2658602B2 (ja) * | 1991-02-15 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の組立方法および組立装置 |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP34297291A patent/JP2901403B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05175352A (ja) | 1993-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4633573A (en) | Microcircuit package and sealing method | |
| EP0123689B1 (en) | Microcircuit package and sealing method | |
| US5219794A (en) | Semiconductor integrated circuit device and method of fabricating same | |
| US6261867B1 (en) | Method of making a package for microelectronic devices using iron oxide as a bonding agent | |
| US5719442A (en) | Resin sealing type semiconductor device | |
| KR100271113B1 (ko) | 글래스/금속 패키지 및 그 제조 방법 | |
| JPH0342700B2 (ja) | ||
| JPH0228336A (ja) | ダイ取り付け方法 | |
| JP5500927B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| JPS6031102B2 (ja) | 集積回路パツケージおよびその製作方法 | |
| JP2007012728A (ja) | 圧電振動子パッケージ及びその製造方法ならびに物理量センサー | |
| US5414214A (en) | Resistance heated, sealed microfabricated device package method and apparatus | |
| JP2901403B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ封止装置及び封止方法 | |
| JP2003170465A (ja) | 半導体パッケージの製造方法およびそのための封止金型 | |
| JPH10223793A (ja) | 半導体パッケージ | |
| EP0098176A2 (en) | The packaging of semiconductor chips | |
| JP3192507B2 (ja) | 樹脂シール中空型半導体装置の製造方法 | |
| JP2006073679A (ja) | 電子部品封止体の製造方法および製造装置 | |
| JP4483514B2 (ja) | 金属ケース付き電子部品の製造方法および製造装置 | |
| JPH08141745A (ja) | Ｉｃの気密封止方法 | |
| CN113113364A (zh) | 功率模块及其封装方法 | |
| JPH11340348A (ja) | 素子の封止パッケージ構造およびその製造方法 | |
| JPH08213864A (ja) | 素子チップの実装方法 | |
| JPH0473955A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001267867A (ja) | 圧電振動子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |