JP2002246868A - 水晶振動子パッケージ構造体およびその封止方法 - Google Patents
水晶振動子パッケージ構造体およびその封止方法Info
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- JP2002246868A JP2002246868A JP2001037877A JP2001037877A JP2002246868A JP 2002246868 A JP2002246868 A JP 2002246868A JP 2001037877 A JP2001037877 A JP 2001037877A JP 2001037877 A JP2001037877 A JP 2001037877A JP 2002246868 A JP2002246868 A JP 2002246868A
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- cap
- sealing
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 水晶振動子パッケージ構造体の全体を加熱し
て封止する方法では、水晶振動子とベースとの接合に導
電性接着剤を用いるが、導電性接着剤だと振動漏れが大
きく、また接着剤の厚みバラツキにより特性の変動が大
きい。 【解決手段】 キャップに高透磁率金属材料を用いると
ともに、封止に際し高周波磁場を印加して誘導加熱を行
いキャップのみを加熱する方法を採った。これにより水
晶振動子とベースとの接合に導電性接着剤に代えてＡｕ
Ｓｎ合金や低融点の導電性ガラスを使用することができ
るようになったので水晶振動子を硬く支持できるように
なり特性が向上した。
て封止する方法では、水晶振動子とベースとの接合に導
電性接着剤を用いるが、導電性接着剤だと振動漏れが大
きく、また接着剤の厚みバラツキにより特性の変動が大
きい。 【解決手段】 キャップに高透磁率金属材料を用いると
ともに、封止に際し高周波磁場を印加して誘導加熱を行
いキャップのみを加熱する方法を採った。これにより水
晶振動子とベースとの接合に導電性接着剤に代えてＡｕ
Ｓｎ合金や低融点の導電性ガラスを使用することができ
るようになったので水晶振動子を硬く支持できるように
なり特性が向上した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、時計や移動体通信
機の基準信号源として用いられる表面実装型の水晶振動
子パッケージ構造体とその封止方法に関する。
機の基準信号源として用いられる表面実装型の水晶振動
子パッケージ構造体とその封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】時計や移動体通信機の基準信号源として
利用される水晶振動子が広く用いられている。これらの
水晶振動子は図５に示すような水晶振動子パッケージ構
造体として用いられる。図５は従来の水晶振動子パッケ
ージ構造体の断面図である。水晶振動子パッケージ構造
体は水晶振動子１、水晶振動子１を接合しているベース
３、接合部材５、ベース３に付き合わせて密封空間７を
形成するキャップ９、ベース３とキャップ９とを封止す
る封止部材１１、および電極１３から構成されている。
ベース３には密封空間７の内と外とを電気的に結ぶ配線
１５が施されている。密封空間内は水晶振動子のＱ値を
高めることとと経時変化を減少させる目的で真空にして
あるか、あるいは窒素などの不活性な気体が封入されて
いる。ベース３の材料にはアルミナ等のセラミックスが
用いられ、キャップ９の材料にはセラミックスあるいは
ステンレスが使用される。水晶振動子１とベース３とを
接合する接合部材５には導電性接着剤が用いられ、水晶
振動子１とベース３との接合と同時に水晶振動子１の表
面に形成された薄膜電極とベース部の電極１３との導通
を得ている。また、ベース３とキャップ９とを接合し封
止する封止部材１１には低融点ガラスやＡｕＳｎ合金な
どが用いられる。
利用される水晶振動子が広く用いられている。これらの
水晶振動子は図５に示すような水晶振動子パッケージ構
造体として用いられる。図５は従来の水晶振動子パッケ
ージ構造体の断面図である。水晶振動子パッケージ構造
体は水晶振動子１、水晶振動子１を接合しているベース
３、接合部材５、ベース３に付き合わせて密封空間７を
形成するキャップ９、ベース３とキャップ９とを封止す
る封止部材１１、および電極１３から構成されている。
ベース３には密封空間７の内と外とを電気的に結ぶ配線
１５が施されている。密封空間内は水晶振動子のＱ値を
高めることとと経時変化を減少させる目的で真空にして
あるか、あるいは窒素などの不活性な気体が封入されて
いる。ベース３の材料にはアルミナ等のセラミックスが
用いられ、キャップ９の材料にはセラミックスあるいは
ステンレスが使用される。水晶振動子１とベース３とを
接合する接合部材５には導電性接着剤が用いられ、水晶
振動子１とベース３との接合と同時に水晶振動子１の表
面に形成された薄膜電極とベース部の電極１３との導通
を得ている。また、ベース３とキャップ９とを接合し封
止する封止部材１１には低融点ガラスやＡｕＳｎ合金な
どが用いられる。
【０００３】次に従来の水晶振動子パッケージ構造体の
製造方法を説明する。まずベース３に水晶振動子１を導
電性接着剤を用いて接着する。導電性接着剤は一液型あ
るいはニ液混合型のエポキシ系接着剤に導電フィラとし
て銀紛を混合したものを用いる。別途キャップ９には封
止部材１１を溶着しておく。封止部材としては２８０℃
〜３３０℃程度の融点を持つ低融点ガラスや２９at.％
Ｓｎを含有する約２７８℃の融点を持つ共晶ＡｕＳｎ合
金などを用いる。ＡｕＳｎ合金を用いる場合はベースの
キャップとの当接部に蒸着や焼成によってＡｕ等の金属
膜をあらかじめ形成しておく。次に水晶振動子を接合し
たベースに封止部材を溶着したキャップを被せ、真空槽
の中に入れる。真空槽内を真空にしシーズヒータやセラ
ミックヒータ等で封止部材の融点以上に水晶振動子パッ
ケージ構造体の全体を加熱し封止部材１１を溶融してベ
ース３とキャップ９を封止する。密封空間内に窒素等の
不活性気体を封入する場合には真空にした後、窒素等の
不活性気体を槽内に所定の圧力まで入れて加熱して封止
する。
製造方法を説明する。まずベース３に水晶振動子１を導
電性接着剤を用いて接着する。導電性接着剤は一液型あ
るいはニ液混合型のエポキシ系接着剤に導電フィラとし
て銀紛を混合したものを用いる。別途キャップ９には封
止部材１１を溶着しておく。封止部材としては２８０℃
〜３３０℃程度の融点を持つ低融点ガラスや２９at.％
Ｓｎを含有する約２７８℃の融点を持つ共晶ＡｕＳｎ合
金などを用いる。ＡｕＳｎ合金を用いる場合はベースの
キャップとの当接部に蒸着や焼成によってＡｕ等の金属
膜をあらかじめ形成しておく。次に水晶振動子を接合し
たベースに封止部材を溶着したキャップを被せ、真空槽
の中に入れる。真空槽内を真空にしシーズヒータやセラ
ミックヒータ等で封止部材の融点以上に水晶振動子パッ
ケージ構造体の全体を加熱し封止部材１１を溶融してベ
ース３とキャップ９を封止する。密封空間内に窒素等の
不活性気体を封入する場合には真空にした後、窒素等の
不活性気体を槽内に所定の圧力まで入れて加熱して封止
する。
【０００４】ベースとキャップとを封止する封止部材の
融点が約２８０℃〜３３０℃であり、また水晶振動子と
ベースとの接合部材に導電性接着剤を用いているのは次
のような事情による。
融点が約２８０℃〜３３０℃であり、また水晶振動子と
ベースとの接合部材に導電性接着剤を用いているのは次
のような事情による。
【０００５】完成された水晶振動子パッケージ構造体は
回路基板に半田によって実装されるが、クリーム半田を
用いてリフロー炉に入れられることが多い。リフロー炉
では通常２２０℃〜２４０℃に加熱される。最近では環
境問題から鉛フリーの半田が用いられることもあり、鉛
フリー半田の融点が高いので２６０℃程度の温度に加熱
される場合もある。従って封止部材、接合部材はこれよ
り充分に高い融点を持つ必要がある。一方、あまり温度
を高くすると水晶振動子の配線等にダメージを与えるの
で製造時の温度はなるべく低く抑える必要がある。この
ため封止部材の融点は約２８０℃〜３３０℃の温度が選
ばれている。また、前述したように従来の技術では封止
の際にパッケージ構造体の全体が加熱されるので水晶振
動子をベースに接合する接合部材は封止部材より高い融
点を持つ必要があり、水晶振動子の配線等にダメージを
与えず１５０℃〜２００℃程度で焼成でき、しかも融点
が高く、耐熱性がある材料として接合部材には導電性接
着剤が用いられている。
回路基板に半田によって実装されるが、クリーム半田を
用いてリフロー炉に入れられることが多い。リフロー炉
では通常２２０℃〜２４０℃に加熱される。最近では環
境問題から鉛フリーの半田が用いられることもあり、鉛
フリー半田の融点が高いので２６０℃程度の温度に加熱
される場合もある。従って封止部材、接合部材はこれよ
り充分に高い融点を持つ必要がある。一方、あまり温度
を高くすると水晶振動子の配線等にダメージを与えるの
で製造時の温度はなるべく低く抑える必要がある。この
ため封止部材の融点は約２８０℃〜３３０℃の温度が選
ばれている。また、前述したように従来の技術では封止
の際にパッケージ構造体の全体が加熱されるので水晶振
動子をベースに接合する接合部材は封止部材より高い融
点を持つ必要があり、水晶振動子の配線等にダメージを
与えず１５０℃〜２００℃程度で焼成でき、しかも融点
が高く、耐熱性がある材料として接合部材には導電性接
着剤が用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の技術では、水晶振動子とベースとを導電性接着
剤を用いて接着するので水晶振動子を硬く支持すること
ができず、振動漏れのためにＱ値が小さく、また接着剤
の厚みバラツキにより支持の状態が変わり特性のバラツ
キが大きいという課題があった。また、使用温度範囲内
でも接合部の弾性が変化するので水晶振動子の共振周波
数が変わってしまうことがあった。経時変化も大きかっ
た。
た従来の技術では、水晶振動子とベースとを導電性接着
剤を用いて接着するので水晶振動子を硬く支持すること
ができず、振動漏れのためにＱ値が小さく、また接着剤
の厚みバラツキにより支持の状態が変わり特性のバラツ
キが大きいという課題があった。また、使用温度範囲内
でも接合部の弾性が変化するので水晶振動子の共振周波
数が変わってしまうことがあった。経時変化も大きかっ
た。
【０００７】上記課題を解決するため、本発明の目的
は、Ｑ値が向上するとともに特性バラツキが小さく、経
時変化も少ない安定した特性を得ることができる水晶振
動子パッケージ構造体とその封止方法を提供することに
ある。
は、Ｑ値が向上するとともに特性バラツキが小さく、経
時変化も少ない安定した特性を得ることができる水晶振
動子パッケージ構造体とその封止方法を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の水晶振動子パッケージ構造体は、内部に水
晶振動子を有した水晶振動子パッケージ構造体であっ
て、水晶振動子を接合したベースと該ベースに付き合わ
せて密封した空間を形成するキャップとを接合してなる
ものであり、該キャップに高透磁率金属材料を用いたこ
とを特徴とする。
に、本発明の水晶振動子パッケージ構造体は、内部に水
晶振動子を有した水晶振動子パッケージ構造体であっ
て、水晶振動子を接合したベースと該ベースに付き合わ
せて密封した空間を形成するキャップとを接合してなる
ものであり、該キャップに高透磁率金属材料を用いたこ
とを特徴とする。
【０００９】本発明の水晶振動子パッケージ構造体は、
前記キャップに整磁合金を用いたことを特徴とする。
前記キャップに整磁合金を用いたことを特徴とする。
【００１０】本発明の水晶振動子パッケージ構造体の封
止方法は、水晶振動子を接合したベースと該ベースに付
き合わせて密封した空間を形成するキャップとの封止に
際し高周波磁場を印加し誘導加熱を行うことを特徴とす
る。
止方法は、水晶振動子を接合したベースと該ベースに付
き合わせて密封した空間を形成するキャップとの封止に
際し高周波磁場を印加し誘導加熱を行うことを特徴とす
る。
【００１１】本発明の水晶振動子パッケージ構造体は、
内部に水晶振動子を有した水晶振動子パッケージ構造体
であって、水晶振動子とベースとを接合する接合部材の
融点がベースとキャップとを封止する封止部材の融点と
同一またはベースとキャップとを封止する封止部材の融
点より低いことを特徴とする。
内部に水晶振動子を有した水晶振動子パッケージ構造体
であって、水晶振動子とベースとを接合する接合部材の
融点がベースとキャップとを封止する封止部材の融点と
同一またはベースとキャップとを封止する封止部材の融
点より低いことを特徴とする。
【００１２】本発明の水晶振動子パッケージ構造体は、
水晶振動子とベースとを接合する接合部材が金属であ
り、その融点はベースとキャップとを封止する封止部材
の融点と同一またはより低いことを特徴とする。
水晶振動子とベースとを接合する接合部材が金属であ
り、その融点はベースとキャップとを封止する封止部材
の融点と同一またはより低いことを特徴とする。
【００１３】本発明の水晶振動子パッケージ構造体は、
水晶振動子とベースとを接合する接合部材がＡｕとＳｎ
を含有する合金であることを特徴とする。
水晶振動子とベースとを接合する接合部材がＡｕとＳｎ
を含有する合金であることを特徴とする。
【００１４】本発明の水晶振動子パッケージ構造体は、
水晶振動子とベースとを接合する接合部材が導電性ガラ
スであることを特徴とする。
水晶振動子とベースとを接合する接合部材が導電性ガラ
スであることを特徴とする。
【００１５】ベースとキャップの封止に際し高周波磁場
を印加して誘導加熱すると選択的に金属部材であるキャ
ップのみを加熱できるので、水晶振動子とベースとの接
合部の温度は低く抑えられ、水晶振動子とベースとの接
合に用いる接合部材として封止部材と同一またはより低
い融点を持つ材料を用いることが出来る。このため、低
融点の導電性ガラスやＡｕＳｎ合金を用いることが可能
となり、従来の技術と比較して硬く水晶振動子を支持す
ることができるため振動漏れが小さくなり特性が向上す
る。また、高分子材料を使用しないため経時変化が小さ
くなる。
を印加して誘導加熱すると選択的に金属部材であるキャ
ップのみを加熱できるので、水晶振動子とベースとの接
合部の温度は低く抑えられ、水晶振動子とベースとの接
合に用いる接合部材として封止部材と同一またはより低
い融点を持つ材料を用いることが出来る。このため、低
融点の導電性ガラスやＡｕＳｎ合金を用いることが可能
となり、従来の技術と比較して硬く水晶振動子を支持す
ることができるため振動漏れが小さくなり特性が向上す
る。また、高分子材料を使用しないため経時変化が小さ
くなる。
【００１６】また、キャップに高透磁率金属材料を使用
すると高周波磁場を印加する際、キャップに磁束が集中
して通り加熱されるため効率の良い加熱を行える。
すると高周波磁場を印加する際、キャップに磁束が集中
して通り加熱されるため効率の良い加熱を行える。
【００１７】さらに、キャップに封止材料の融点に対し
−５０〜＋５０℃の範囲のキュリー点を持つ整磁合金を
使用すると、一定温度で透磁率が下がるためキャップの
温度は自動的に制御することが出来るので、誤って高温
に加熱して水晶振動子とベースの接合部を高温に曝して
接合を傷めることがない。
−５０〜＋５０℃の範囲のキュリー点を持つ整磁合金を
使用すると、一定温度で透磁率が下がるためキャップの
温度は自動的に制御することが出来るので、誤って高温
に加熱して水晶振動子とベースの接合部を高温に曝して
接合を傷めることがない。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明による実施の形態を
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【００１９】（実施例）図１は本発明による水晶振動子
パッケージ構造体の実施の形態を示す図であり、水晶振
動子パッケージ構造体の断面図である。本実施例の水晶
振動子パッケージ構造体は水晶振動子１、水晶振動子１
を接合しているベース３、接合部材５、ベース３に付き
合わせて密封空間７を形成するキャップ９、ベース３と
キャップ９とを封止する封止部材１１、および電極１３
から構成されている。ベース３には密封空間７の内と外
とを電気的に結ぶ配線１５が施されている。密封空間内
は水晶振動子のＱ値を高めることと経時変化を減少させ
る目的で真空にするか、あるいは窒素などの不活性な気
体が封入する。ベース３の材料はアルミナ、ガラスセラ
ミックス等のセラミックスである。キャップ９には高透
磁率金属材料であり整磁合金であるパーマロイとして知
られるＦｅ、Ｎｉ合金を用いる。パーマロイはＮｉ成分
の調整によってキュリー温度を変えられるので、封止部
材１１の融点に対し−５０℃〜＋５０℃の範囲のキュリ
ー温度を持つように調整した材料を用いる。封止部材１
１としては２９at.％Ｓｎを含有する約２７８℃の融点
を持つ共晶ＡｕＳｎ合金または２８０℃〜３３０℃の融
点を持つ低融点ガラスを用いる。水晶振動子１とベース
３とを接合する接合部材５にはＡｕＳｎ合金または導電
性ガラスを用い、水晶振動子１とベース３との接合と同
時に水晶振動子１の表面に形成された薄膜電極とベース
の電極１３との導通を得る。
パッケージ構造体の実施の形態を示す図であり、水晶振
動子パッケージ構造体の断面図である。本実施例の水晶
振動子パッケージ構造体は水晶振動子１、水晶振動子１
を接合しているベース３、接合部材５、ベース３に付き
合わせて密封空間７を形成するキャップ９、ベース３と
キャップ９とを封止する封止部材１１、および電極１３
から構成されている。ベース３には密封空間７の内と外
とを電気的に結ぶ配線１５が施されている。密封空間内
は水晶振動子のＱ値を高めることと経時変化を減少させ
る目的で真空にするか、あるいは窒素などの不活性な気
体が封入する。ベース３の材料はアルミナ、ガラスセラ
ミックス等のセラミックスである。キャップ９には高透
磁率金属材料であり整磁合金であるパーマロイとして知
られるＦｅ、Ｎｉ合金を用いる。パーマロイはＮｉ成分
の調整によってキュリー温度を変えられるので、封止部
材１１の融点に対し−５０℃〜＋５０℃の範囲のキュリ
ー温度を持つように調整した材料を用いる。封止部材１
１としては２９at.％Ｓｎを含有する約２７８℃の融点
を持つ共晶ＡｕＳｎ合金または２８０℃〜３３０℃の融
点を持つ低融点ガラスを用いる。水晶振動子１とベース
３とを接合する接合部材５にはＡｕＳｎ合金または導電
性ガラスを用い、水晶振動子１とベース３との接合と同
時に水晶振動子１の表面に形成された薄膜電極とベース
の電極１３との導通を得る。
【００２０】以下に本発明の水晶振動子パッケージ構造
体の製造方法を説明する。ベース３と水晶振動子１を接
合する接合部材５にＡｕＳｎ合金を用いる例では、まず
ベース３に２９at.％Ｓｎを含有するＡｕＳｎ合金の粒
子を含んだペーストを塗布し水晶振動子１を当接する。
真空中でＡｕＳｎ合金の融点である２７８℃以上に加熱
しＡｕＳｎ合金を溶融して水晶振動子１をベース３に接
合する。接合部材５として導電性ガラスを用いる例で
は、あらかじめベース３に導電性ガラスを溶着してお
き、水晶振動子１を当接した後、真空中で導電性ガラス
の融点以上に加熱して溶融し水晶振動子１をベース３に
接合する。
体の製造方法を説明する。ベース３と水晶振動子１を接
合する接合部材５にＡｕＳｎ合金を用いる例では、まず
ベース３に２９at.％Ｓｎを含有するＡｕＳｎ合金の粒
子を含んだペーストを塗布し水晶振動子１を当接する。
真空中でＡｕＳｎ合金の融点である２７８℃以上に加熱
しＡｕＳｎ合金を溶融して水晶振動子１をベース３に接
合する。接合部材５として導電性ガラスを用いる例で
は、あらかじめベース３に導電性ガラスを溶着してお
き、水晶振動子１を当接した後、真空中で導電性ガラス
の融点以上に加熱して溶融し水晶振動子１をベース３に
接合する。
【００２１】次に水晶振動子１を接合したベース３にキ
ャップ９を被せ、真空槽の中に入れる。図２の様に、キ
ャップ９はバネ１７で押えられた押圧部材１９によって
荷重が加えられ、またベース３は一定温度に冷却された
冷却台２１に乗せられる。別途キャップ９には封止部材
１１となるＡｕＳｎ合金または低融点ガラスを溶着して
おく。ＡｕＳｎ合金を用いる場合には、ベース３のキャ
ップ９と当接する部分に蒸着や焼成によってＡｕ等の金
属膜をあらかじめ形成しておく。真空槽内を真空にした
後、コイル２３に通電し高周波磁場を印加する。高周波
磁場による磁束は高透磁率金属材料で構成されるキャッ
プ９に集中して通過し、誘導加熱によってキャップ９の
温度は上昇する。キャップ９の温度がキャップ９の材料
のキュリー温度付近に達すると透磁率が下がるため磁束
は通り難くなり温度の上昇が抑えられ、キャップ９は放
射による放熱とベース３と押圧部材１９への熱伝導およ
び誘導加熱による加熱との釣り合いによって一定温度に
なる。この温度をあらかじめ封止部材１１の融点以上と
なるよう調整しておく。調整はキャップ９に使用する整
磁合金のキュリー温度を調整することで行えるが、微調
整はベース３を乗せる冷却台２１の冷却温度を変えるこ
とで行う。封止部材１１を溶融した後、加熱を停止し封
止を完了する。真空にせず、窒素等の不活性気体を封入
する場合には一旦真空にした後、封入する気体を真空槽
内に所定の圧力まで入れ、高周波磁場を印加して加熱を
行う。
ャップ９を被せ、真空槽の中に入れる。図２の様に、キ
ャップ９はバネ１７で押えられた押圧部材１９によって
荷重が加えられ、またベース３は一定温度に冷却された
冷却台２１に乗せられる。別途キャップ９には封止部材
１１となるＡｕＳｎ合金または低融点ガラスを溶着して
おく。ＡｕＳｎ合金を用いる場合には、ベース３のキャ
ップ９と当接する部分に蒸着や焼成によってＡｕ等の金
属膜をあらかじめ形成しておく。真空槽内を真空にした
後、コイル２３に通電し高周波磁場を印加する。高周波
磁場による磁束は高透磁率金属材料で構成されるキャッ
プ９に集中して通過し、誘導加熱によってキャップ９の
温度は上昇する。キャップ９の温度がキャップ９の材料
のキュリー温度付近に達すると透磁率が下がるため磁束
は通り難くなり温度の上昇が抑えられ、キャップ９は放
射による放熱とベース３と押圧部材１９への熱伝導およ
び誘導加熱による加熱との釣り合いによって一定温度に
なる。この温度をあらかじめ封止部材１１の融点以上と
なるよう調整しておく。調整はキャップ９に使用する整
磁合金のキュリー温度を調整することで行えるが、微調
整はベース３を乗せる冷却台２１の冷却温度を変えるこ
とで行う。封止部材１１を溶融した後、加熱を停止し封
止を完了する。真空にせず、窒素等の不活性気体を封入
する場合には一旦真空にした後、封入する気体を真空槽
内に所定の圧力まで入れ、高周波磁場を印加して加熱を
行う。
【００２２】図３は本発明による水晶振動子パッケージ
構造体のＱ値分布を従来のものと比較した図である。本
発明による水晶振動子パッケージ構造体では従来の水晶
振動子パッケージ構造体より１０％程度Ｑ値が向上し
た。また、分布の広がりも小さくなった。これは、基部
を硬く支持することによって振動漏れが少なくなり、ま
た、接着剤の厚さバラツキ等の要因が無くなったので一
様に硬く支持することが出来るようになったためであ
る。
構造体のＱ値分布を従来のものと比較した図である。本
発明による水晶振動子パッケージ構造体では従来の水晶
振動子パッケージ構造体より１０％程度Ｑ値が向上し
た。また、分布の広がりも小さくなった。これは、基部
を硬く支持することによって振動漏れが少なくなり、ま
た、接着剤の厚さバラツキ等の要因が無くなったので一
様に硬く支持することが出来るようになったためであ
る。
【００２３】図４は本発明による水晶振動子パッケージ
構造体を８５℃に保存しながら測定した共振周波数の経
時変化を従来のものと比較した図である。本発明による
水晶振動子パッケージ構造体は従来の水晶パッケージ構
造体より経時変化が小さく安定している。
構造体を８５℃に保存しながら測定した共振周波数の経
時変化を従来のものと比較した図である。本発明による
水晶振動子パッケージ構造体は従来の水晶パッケージ構
造体より経時変化が小さく安定している。
【００２４】
【発明の効果】以上に記したように、本発明の水晶振動
子パッケージ構造体および封止方法は、Ｑ値を向上で
き、経時変化が小さく安定した特性が得られるという効
果がある。また、封止に際しキャップのみを加熱するた
めエネルギー効率が良く、処理時間も短くなるという効
果がある。
子パッケージ構造体および封止方法は、Ｑ値を向上で
き、経時変化が小さく安定した特性が得られるという効
果がある。また、封止に際しキャップのみを加熱するた
めエネルギー効率が良く、処理時間も短くなるという効
果がある。
【００２５】
【図１】本発明による実施例を示す図であり、水晶振動
子パッケージ構造体の断面図である。
子パッケージ構造体の断面図である。
【図２】本発明による実施例を示す図であり、本発明に
よる封止方法を説明する説明図であり、断面図である。
よる封止方法を説明する説明図であり、断面図である。
【図３】本発明による水晶振動子パッケージ構造体のＱ
値分布を示す図である。
値分布を示す図である。
【図４】本発明による水晶振動子パッケージ構造体にお
ける共振周波数の経時変化を示す図である。
ける共振周波数の経時変化を示す図である。
【図５】従来の水晶振動子パッケージ構造体の断面図で
ある。
ある。
１ 水晶振動子 ３ ベース ５ 接合部材 ７ 密封空間 ９ キャップ １１ 封止部材 １３ 電極 １５ 配線 １７ バネ １９ 押圧部材 ２１ 冷却台 ２３ コイル
Claims (7)
- 【請求項１】 内部に水晶振動子を有した水晶振動子パ
ッケージ構造体であって、水晶振動子を接合したベース
と該ベースに付き合わせて密封した空間を形成するキャ
ップとを接合してなるものであり、該キャップに高透磁
率金属材料を用いたことを特徴とする水晶振動子パッケ
ージ構造体。 - 【請求項２】 前記高透磁率金属材料は、整磁合金であ
ることを特徴とする請求項１に記載の水晶振動子パッケ
ージ構造体。 - 【請求項３】 内部に水晶振動子を有した水晶振動子パ
ッケージ構造体であって、水晶振動子とベースとを接合
する接合部材の融点がベースとキャップとを封止する封
止部材の融点と同一またはベースとキャップとを封止す
る封止部材の融点より低いことを特徴とする水晶振動子
パッケージ構造体。 - 【請求項４】 前記水晶振動子と前記ベースとを接合す
る接合部材は、金属であることを特徴とする請求項３に
記載の水晶振動子パッケージ構造体。 - 【請求項５】 前記水晶振動子と前記ベースとを接合す
る接合部材は、ＡｕとＳｎとを含有する合金であること
を特徴とする請求項３に記載の水晶振動子パッケージ構
造体。 - 【請求項６】 前記水晶振動子と前記ベースとを接合す
る接合部材は、導電性ガラスであることを特徴とする請
求項３に記載の水晶振動子パッケージ構造体。 - 【請求項７】 内部に水晶振動子を有した水晶振動子パ
ッケージ構造体の封止方法であって、水晶振動子を接合
したベースと該ベースに付き合わせて密封した空間を形
成するキャップとの封止に際し高周波磁場を印加し誘導
加熱を行う工程を備えたことを特徴とする水晶振動子パ
ッケージ構造体の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001037877A JP2002246868A (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 水晶振動子パッケージ構造体およびその封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001037877A JP2002246868A (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 水晶振動子パッケージ構造体およびその封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246868A true JP2002246868A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18900946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001037877A Pending JP2002246868A (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 水晶振動子パッケージ構造体およびその封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002246868A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489772B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2005-05-16 | 혼다 기켄 고교 가부시키가이샤 | 자동 이륜차용 스텝 홀더 장치 |
| JPWO2004043617A1 (ja) * | 2002-11-12 | 2006-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動体、その製造方法、およびその圧電振動体を備えた機器 |
| US7425881B2 (en) | 2004-03-18 | 2008-09-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method that prevents restoration of a pyroelectric effect |
| KR100891821B1 (ko) | 2007-11-07 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | 수정진동자 패키지 제조방법 |
-
2001
- 2001-02-15 JP JP2001037877A patent/JP2002246868A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489772B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2005-05-16 | 혼다 기켄 고교 가부시키가이샤 | 자동 이륜차용 스텝 홀더 장치 |
| JPWO2004043617A1 (ja) * | 2002-11-12 | 2006-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動体、その製造方法、およびその圧電振動体を備えた機器 |
| JP4492349B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2010-06-30 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動体 |
| US7425881B2 (en) | 2004-03-18 | 2008-09-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method that prevents restoration of a pyroelectric effect |
| KR100891821B1 (ko) | 2007-11-07 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | 수정진동자 패키지 제조방법 |
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