JP2002289757A - 電子部品のリード切断方法 - Google Patents
電子部品のリード切断方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来、リードフレームに搭載した電子部品チッ
プを樹脂封止後に行うリード切断はパンチングで行って
いるが、樹脂封止の際に生じる樹脂バリの一部は残存
し、脱落によるトラブルを発生する。樹脂バリの除去手
段として高圧水噴射等が用いられるが、完全な除去が難
しく、また薄型、軽量（微細構造）のリードフレームに
は適用できないなどの問題があった。 【解決手段】各リードの切断予定部位、及び該切断予定
部位に接し又は該切断予定部位覆う樹脂部の所定部位
に、レーザ光を照射して、該所定部位の樹脂部に貫通溝
を形成させ、しかる後に、前記切断予定部位において、
リードを切断除去する。
プを樹脂封止後に行うリード切断はパンチングで行って
いるが、樹脂封止の際に生じる樹脂バリの一部は残存
し、脱落によるトラブルを発生する。樹脂バリの除去手
段として高圧水噴射等が用いられるが、完全な除去が難
しく、また薄型、軽量（微細構造）のリードフレームに
は適用できないなどの問題があった。 【解決手段】各リードの切断予定部位、及び該切断予定
部位に接し又は該切断予定部位覆う樹脂部の所定部位
に、レーザ光を照射して、該所定部位の樹脂部に貫通溝
を形成させ、しかる後に、前記切断予定部位において、
リードを切断除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームに
電子部品チップを組込み、樹脂封止体に加工した後に行
う電子部品のリード切断方法に関する。
電子部品チップを組込み、樹脂封止体に加工した後に行
う電子部品のリード切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームを用いた電子部品の樹脂
封止工程においては、一般にリードフレームのアウター
リード間にも樹脂が充填され、樹脂バリと呼ばれる樹脂
部分を生じる。
封止工程においては、一般にリードフレームのアウター
リード間にも樹脂が充填され、樹脂バリと呼ばれる樹脂
部分を生じる。
【０００３】この樹脂バリは、一般に電子部品のリード
間隙が狭いために、封止金型には間隙部に対応する形状
部分がなく、金型がフラットに作られていることにより
生じるものである。そのため、上記リード間隙には、リ
ードフレームと同等厚さの樹脂バリが発生する。
間隙が狭いために、封止金型には間隙部に対応する形状
部分がなく、金型がフラットに作られていることにより
生じるものである。そのため、上記リード間隙には、リ
ードフレームと同等厚さの樹脂バリが発生する。
【０００４】この樹脂バリは、以降の生産工程で脱落に
よる装置トラブルの発生や、電子部品のスムーズな動き
を妨げる等の支障をきたすのみでなく、最終製品として
の品質及び信頼性を低下させるものであり、脱落のおそ
れある部分は除去する必要がある。
よる装置トラブルの発生や、電子部品のスムーズな動き
を妨げる等の支障をきたすのみでなく、最終製品として
の品質及び信頼性を低下させるものであり、脱落のおそ
れある部分は除去する必要がある。
【０００５】従来、樹脂封止体に加工した後に行うアウ
ターリードの切断除去にはパンチングが用いられるが、
樹脂バリの標準的な樹脂バリ除去方法は、上記リード切
断と同時に又は別動作のパンチングにより樹脂バリを脱
落させる方法である。
ターリードの切断除去にはパンチングが用いられるが、
樹脂バリの標準的な樹脂バリ除去方法は、上記リード切
断と同時に又は別動作のパンチングにより樹脂バリを脱
落させる方法である。
【０００６】図９は、従来のパンチングによるリード切
断方法により、リードとともに樹脂バリを切断した場合
の一例を示した斜視図である。ここで、１はリードフレ
ームに電子部品チップを搭載したものを封止した樹脂封
止体、２はアウターリード、３は樹脂バリ、４は樹脂バ
リ端面、８は樹脂クラックである。
断方法により、リードとともに樹脂バリを切断した場合
の一例を示した斜視図である。ここで、１はリードフレ
ームに電子部品チップを搭載したものを封止した樹脂封
止体、２はアウターリード、３は樹脂バリ、４は樹脂バ
リ端面、８は樹脂クラックである。
【０００７】パンチングにより樹脂バリを分離・脱落さ
せるので、残存した樹脂バリ３には図示のようなクラッ
ク８が生じる。これら残存樹脂バリの除去のために高圧
水噴射等が用いられる。
せるので、残存した樹脂バリ３には図示のようなクラッ
ク８が生じる。これら残存樹脂バリの除去のために高圧
水噴射等が用いられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のような、単なる
パンチングによりリード切断を行う方法では、同時に樹
脂バリを脱落させることができるが、一部は残存バリと
して残り、その除去のために高圧水噴射を用いても、電
子部品本体近傍に残存する樹脂バリを完全に除去するこ
とはできない。
パンチングによりリード切断を行う方法では、同時に樹
脂バリを脱落させることができるが、一部は残存バリと
して残り、その除去のために高圧水噴射を用いても、電
子部品本体近傍に残存する樹脂バリを完全に除去するこ
とはできない。
【０００９】また、アウターリード間隔の小さい、薄型
化された又は全体が軽量化されたリードフレームの場合
は、変形のおそれがあるので高圧水噴射が適用できない
場合がある。
化された又は全体が軽量化されたリードフレームの場合
は、変形のおそれがあるので高圧水噴射が適用できない
場合がある。
【００１０】また、図９に示したような樹脂クラック８
を生じた場合、それを起点としてクラックがリード間樹
脂の内部まで進展し、樹脂が脱落するおそれがあり、脱
落による樹脂屑が発生すると、基板実装時に、リード裏
面に付着してリードとプリント基板との接合が不十分と
なったりリード間を電気的にブリッジする等の不具合を
発生する。
を生じた場合、それを起点としてクラックがリード間樹
脂の内部まで進展し、樹脂が脱落するおそれがあり、脱
落による樹脂屑が発生すると、基板実装時に、リード裏
面に付着してリードとプリント基板との接合が不十分と
なったりリード間を電気的にブリッジする等の不具合を
発生する。
【００１１】本発明は、上記問題点を解決し、電子部品
のアウターリード間に残存する樹脂バリにクラックや脱
落を発生させることなく、アウターリードを切断除去す
ることができる電子部品のリード切断方法を提供するこ
とを目的とする。
のアウターリード間に残存する樹脂バリにクラックや脱
落を発生させることなく、アウターリードを切断除去す
ることができる電子部品のリード切断方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のような解決手段を有する。
に、本発明は以下のような解決手段を有する。
【００１３】第１の発明は、リードフレームに電子部品
チップを組込み、樹脂封止体に加工した後に行う電子部
品のリード切断方法において、各リードの切断予定部
位、及び該切断予定部位に接し又は該切断予定部位覆う
樹脂部の所定部位に、樹脂に吸収される波長のレーザ光
を照射して、該所定部位の樹脂部に貫通溝を形成し、し
かる後に前記切断予定部位でリードを切断除去すること
を特徴とする。
チップを組込み、樹脂封止体に加工した後に行う電子部
品のリード切断方法において、各リードの切断予定部
位、及び該切断予定部位に接し又は該切断予定部位覆う
樹脂部の所定部位に、樹脂に吸収される波長のレーザ光
を照射して、該所定部位の樹脂部に貫通溝を形成し、し
かる後に前記切断予定部位でリードを切断除去すること
を特徴とする。
【００１４】第２の発明は、リードフレームに電子部品
チップを組込み、樹脂封止体に加工した後に行う電子部
品のリード切断方法において、各リードの切断予定部
位、及び該切断予定部位に接し又は該切断予定部位覆う
樹脂部の所定部位に、樹脂に吸収される波長のレーザ光
を照射して、該所定部位の樹脂部に、炭化部分又は一部
分に貫通部を有する炭化部分を形成させた後、前記炭化
部分を除去して、前記所定部位の樹脂部に貫通溝を形成
し、しかる後に前記切断予定部位でリードを切断除去す
ることを特徴とする。
チップを組込み、樹脂封止体に加工した後に行う電子部
品のリード切断方法において、各リードの切断予定部
位、及び該切断予定部位に接し又は該切断予定部位覆う
樹脂部の所定部位に、樹脂に吸収される波長のレーザ光
を照射して、該所定部位の樹脂部に、炭化部分又は一部
分に貫通部を有する炭化部分を形成させた後、前記炭化
部分を除去して、前記所定部位の樹脂部に貫通溝を形成
し、しかる後に前記切断予定部位でリードを切断除去す
ることを特徴とする。
【００１５】第３の発明は、第１又は第２の発明の電子
部品のリード切断方法において、前記樹脂封止体は各リ
ード相互間にリード板厚相当厚さの樹脂バリを有し、前
記レーザ光を照射する前記樹脂部の所定部位を、前記各
リード切断予定部位を結ぶ前記樹脂バリの部位のみと
し、該部位を除く残余の樹脂バリ部分を残存させること
を特徴とする。
部品のリード切断方法において、前記樹脂封止体は各リ
ード相互間にリード板厚相当厚さの樹脂バリを有し、前
記レーザ光を照射する前記樹脂部の所定部位を、前記各
リード切断予定部位を結ぶ前記樹脂バリの部位のみと
し、該部位を除く残余の樹脂バリ部分を残存させること
を特徴とする。
【００１６】第４の発明は、第１又は第２の発明の電子
部品のリード切断方法において、前記樹脂封止体は、リ
ードフレームに搭載された複数個のチップを集合体とし
て一括封止した樹脂封止体であり、前記リードの切断予
定部位は各電子部品間の分離帯相当部位であることを特
徴とする。
部品のリード切断方法において、前記樹脂封止体は、リ
ードフレームに搭載された複数個のチップを集合体とし
て一括封止した樹脂封止体であり、前記リードの切断予
定部位は各電子部品間の分離帯相当部位であることを特
徴とする。
【００１７】第５の発明は、第４の発明の電子部品のリ
ード切断方法において、前記樹脂封止体の樹脂部には、
予め封止工程において、前記分離帯相当部位に沿って溝
を形成しておくことを特徴とする。
ード切断方法において、前記樹脂封止体の樹脂部には、
予め封止工程において、前記分離帯相当部位に沿って溝
を形成しておくことを特徴とする。
【００１８】第６の発明は、第１乃至第５の発明のいず
れか一つの電子部品のリード切断方法において、照射す
るレーザ光の波長を２．５〜２０μｍとしたことを特徴
とする。
れか一つの電子部品のリード切断方法において、照射す
るレーザ光の波長を２．５〜２０μｍとしたことを特徴
とする。
【００１９】第７の発明は、第１乃至第５の発明のいず
れか一つの電子部品のリード切断方法において、照射す
るレーザ光の波長を７〜１１μｍとしたことを特徴とす
る。
れか一つの電子部品のリード切断方法において、照射す
るレーザ光の波長を７〜１１μｍとしたことを特徴とす
る。
【００２０】第８の発明は、第１乃至第７の発明のいず
れか一つの電子部品のリード切断方法において、リード
切断手段として、波長１００〜３５０ｎｍのレーザ光照
射を用いることを特徴とする。
れか一つの電子部品のリード切断方法において、リード
切断手段として、波長１００〜３５０ｎｍのレーザ光照
射を用いることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は、第３の発明の方法によ
り、電子部品のリード切断を行った場合の最終形態を示
す斜視図である。
り、電子部品のリード切断を行った場合の最終形態を示
す斜視図である。
【００２２】樹脂封止後、各アウターリード２相互間に
リード板厚相当の樹脂バリ３が存在する場合のリード切
断であるが、図示したように、残存した樹脂バリ３の端
面４は、アウターリード２の切断面に対し、樹脂封止体
１（電子部品本体）側に凹んだ位置にある。このような
形状は以下のようにして得られる。
リード板厚相当の樹脂バリ３が存在する場合のリード切
断であるが、図示したように、残存した樹脂バリ３の端
面４は、アウターリード２の切断面に対し、樹脂封止体
１（電子部品本体）側に凹んだ位置にある。このような
形状は以下のようにして得られる。
【００２３】先ずアウターリードを切断して所定長にす
るための切断位置（切断予定部位）を決め、各アウター
リード２の切断予定部位を結ぶ線上にレーザ光を照射す
る。この際、切断予定部位に接している樹脂バリや、切
断予定部位を覆っている樹脂バリに対しても一緒にレー
ザ光を照射する。このレーザ光は、樹脂に吸収される波
長を持ち、樹脂部に以下に述べるような貫通溝を形成さ
せる。
るための切断位置（切断予定部位）を決め、各アウター
リード２の切断予定部位を結ぶ線上にレーザ光を照射す
る。この際、切断予定部位に接している樹脂バリや、切
断予定部位を覆っている樹脂バリに対しても一緒にレー
ザ光を照射する。このレーザ光は、樹脂に吸収される波
長を持ち、樹脂部に以下に述べるような貫通溝を形成さ
せる。
【００２４】レーザ光の照射により樹脂部の照射部位に
は炭化部又は樹脂の蒸発による貫通溝若しくは貫通部が
形成されるが、図２乃至図４はそれぞれリード板厚相当
厚さの樹脂バリ３にレーザ光を照射した後の断面形状を
示したものである。図中５は貫通溝、５ａは貫通部、６
は炭化部を示す。
は炭化部又は樹脂の蒸発による貫通溝若しくは貫通部が
形成されるが、図２乃至図４はそれぞれリード板厚相当
厚さの樹脂バリ３にレーザ光を照射した後の断面形状を
示したものである。図中５は貫通溝、５ａは貫通部、６
は炭化部を示す。
【００２５】図２及び図３は、それぞれ第２の発明に対
応する説明図である。図２は樹脂バリ３に炭化部６、そ
の中央部に貫通部５ａを形成した場合、図３は炭化部の
みを形成した場合であり、これらは、比較的にレーザ出
力を小さくし、照射時間を長くした場合に形成される。
応する説明図である。図２は樹脂バリ３に炭化部６、そ
の中央部に貫通部５ａを形成した場合、図３は炭化部の
みを形成した場合であり、これらは、比較的にレーザ出
力を小さくし、照射時間を長くした場合に形成される。
【００２６】その際生じる炭化部や炭化物は、リード被
覆処理等を併用したデスメア処理により除去して樹脂面
の露出した貫通溝にする。
覆処理等を併用したデスメア処理により除去して樹脂面
の露出した貫通溝にする。
【００２７】図４は第１の発明に対応する説明図であ
る。レーザ光照射により貫通溝５のみを形成した場合で
ある。このような貫通溝はレーザ出力を大きくし、照射
時間を短くすることにより得られる。これは、熱伝導の
影響が抑えられることにより、炭化が抑制されるもので
あり、この場合は、デスメア処理を省略することができ
る。
る。レーザ光照射により貫通溝５のみを形成した場合で
ある。このような貫通溝はレーザ出力を大きくし、照射
時間を短くすることにより得られる。これは、熱伝導の
影響が抑えられることにより、炭化が抑制されるもので
あり、この場合は、デスメア処理を省略することができ
る。
【００２８】上述のような方法で貫通溝を形成した後、
各リードをパンチング等の手段により切断予定部位で切
断することにより、図１に示したような最終形態を得る
ことができる。
各リードをパンチング等の手段により切断予定部位で切
断することにより、図１に示したような最終形態を得る
ことができる。
【００２９】上記リードをパンチングにより切断する
際、樹脂バリは切断位置には存在しないので、樹脂に衝
撃を与えることがなく、樹脂クラックの発生、それに伴
う樹脂屑の脱落を防止することができる。
際、樹脂バリは切断位置には存在しないので、樹脂に衝
撃を与えることがなく、樹脂クラックの発生、それに伴
う樹脂屑の脱落を防止することができる。
【００３０】また、切断後に本体側に残存する樹脂バリ
は、リードを補強する効果があるので、特に変形し易い
細いリードの場合、リードの変形防止の役目をする。
は、リードを補強する効果があるので、特に変形し易い
細いリードの場合、リードの変形防止の役目をする。
【００３１】図５は、リードフレームのリード間を固定
し、封止時の樹脂流出防止も兼ねる役を果たすダムバー
をアウターリードから切断除去する場合の説明図であ
り、本図も第１の発明に対応する。
し、封止時の樹脂流出防止も兼ねる役を果たすダムバー
をアウターリードから切断除去する場合の説明図であ
り、本図も第１の発明に対応する。
【００３２】リード板厚相当厚さの樹脂バリ３の、ダム
バー７の本体側に接する部位にレーザ光を照射し、ダム
バー７に接した貫通溝５を形成する。貫通溝５に沿った
パンチングを行うことにより、パンチを樹脂バリ３に接
触させることなくダムバー７をアウターリード２から切
断除去することができる。
バー７の本体側に接する部位にレーザ光を照射し、ダム
バー７に接した貫通溝５を形成する。貫通溝５に沿った
パンチングを行うことにより、パンチを樹脂バリ３に接
触させることなくダムバー７をアウターリード２から切
断除去することができる。
【００３３】図７は、第４の発明に対応する説明図であ
り、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれその斜視図及び断面図
である。
り、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれその斜視図及び断面図
である。
【００３４】リードフレーム上に複数個の電子部品チッ
プを搭載したものを、単キャビティを用いて一括封止し
た樹脂封止体とし、該封止体から個々の電子部品に分離
する手段として本発明の方法を用いた例である。
プを搭載したものを、単キャビティを用いて一括封止し
た樹脂封止体とし、該封止体から個々の電子部品に分離
する手段として本発明の方法を用いた例である。
【００３５】図示のように、各電子部品間の分離帯相当
部位にレーザ光９を照射し、該部位の樹脂を薄厚化し開
口、又は炭化、炭化部の除去等により樹脂部に貫通溝を
形成した後、分離帯部位のリードを切断し各電子部品に
分離する。
部位にレーザ光９を照射し、該部位の樹脂を薄厚化し開
口、又は炭化、炭化部の除去等により樹脂部に貫通溝を
形成した後、分離帯部位のリードを切断し各電子部品に
分離する。
【００３６】図８は、第５の発明に対応する説明図であ
り、第４の発明における一括封止した樹脂封止体の分離
帯相当部位に予め溝１０を設けておくものであり、形成
方法は前者と同様であるが、レーザ光照射による貫通溝
の形成を容易にする。
り、第４の発明における一括封止した樹脂封止体の分離
帯相当部位に予め溝１０を設けておくものであり、形成
方法は前者と同様であるが、レーザ光照射による貫通溝
の形成を容易にする。
【００３７】次に第６及び第７の発明は、照射するレー
ザ光の波長に関するものであり、図６のレーザ光樹脂透
過率の波長特性図を参照して説明する。同図中、透過率
が低い部分に吸収帯と表示されているが、樹脂において
は、これらの波長領域でレーザ光の吸収が顕著であり、
樹脂の加工が可能となる。
ザ光の波長に関するものであり、図６のレーザ光樹脂透
過率の波長特性図を参照して説明する。同図中、透過率
が低い部分に吸収帯と表示されているが、樹脂において
は、これらの波長領域でレーザ光の吸収が顕著であり、
樹脂の加工が可能となる。
【００３８】しかし、レーザ光は波長が短くなるにつれ
金属面での反射が減少、金属への吸収が増加し、リード
材への影響が大きくなるために、波長１．０μｍ以下に
見られる吸収帯は本発明における樹脂の加工、即ち貫通
溝の形成には適さない。
金属面での反射が減少、金属への吸収が増加し、リード
材への影響が大きくなるために、波長１．０μｍ以下に
見られる吸収帯は本発明における樹脂の加工、即ち貫通
溝の形成には適さない。
【００３９】実用上、２．５〜２０μｍの波長領域（内
１０〜２０μｍの領域は、図６には図示していないが、
隣接する他の領域と同様に吸収率の大きい帯域であ
る。）のレーザ光が貫通溝の形成に適している（第６の
発明）。
１０〜２０μｍの領域は、図６には図示していないが、
隣接する他の領域と同様に吸収率の大きい帯域であ
る。）のレーザ光が貫通溝の形成に適している（第６の
発明）。
【００４０】また、上記の波長領域中、特に７〜１１μ
ｍの領域は、樹脂のレーザ光吸収率は略１００％であ
る。また、炭酸ガスレーザは上記の波長範囲内にあり、
同レーザは広く市場に普及しており装置を安価に入手で
きるメリットがある。
ｍの領域は、樹脂のレーザ光吸収率は略１００％であ
る。また、炭酸ガスレーザは上記の波長範囲内にあり、
同レーザは広く市場に普及しており装置を安価に入手で
きるメリットがある。
【００４１】更にこの領域では、リードフレーム材質で
ある金属の反射率が更に大きくなるため、レーザ光照射
による各部位毎の選択性が更に向上する。金属材料、特
に銅材のレーザ光による影響は無視できるようになる
（第７の発明）。
ある金属の反射率が更に大きくなるため、レーザ光照射
による各部位毎の選択性が更に向上する。金属材料、特
に銅材のレーザ光による影響は無視できるようになる
（第７の発明）。
【００４２】上述した各発明における樹脂部貫通溝の形
成においては、次工程で、リード切断バンチが残存樹脂
バリに衝撃を与えないような空間を確保する意味で、形
成する貫通溝の溝幅又は後で除去する炭化部の幅を適度
にとる必要があるが、レーザ光出力や加工部位への照射
時間の制御等により、５０μｍ以上とすることが望まし
い。
成においては、次工程で、リード切断バンチが残存樹脂
バリに衝撃を与えないような空間を確保する意味で、形
成する貫通溝の溝幅又は後で除去する炭化部の幅を適度
にとる必要があるが、レーザ光出力や加工部位への照射
時間の制御等により、５０μｍ以上とすることが望まし
い。
【００４３】貫通溝形成後に行うリード切断手段とし
て、パンチングによる他、レーザ光照射を用いることが
できるが、その場合のレーザ光は波長１００〜３５０ｎ
ｍのものが適している。このような波長の短い領域で
は、リード材の金属表面での反射が減少するのでリード
切断が容易となる。（第８の発明）
て、パンチングによる他、レーザ光照射を用いることが
できるが、その場合のレーザ光は波長１００〜３５０ｎ
ｍのものが適している。このような波長の短い領域で
は、リード材の金属表面での反射が減少するのでリード
切断が容易となる。（第８の発明）
【００４４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の電子部
品のリード切断方法は、先ず第１の発明又は第２の発明
において、リードフレームに電子部品チップを組込み、
樹脂封止体に加工した後に行う電子部品のリード切断方
法において、各リードの切断予定部位、及び該切断予定
部位に接し又は該切断予定部位覆う樹脂部の所定部位
に、樹脂に吸収される波長のレーザ光を照射して、該所
定部位に貫通溝を形成し、又は炭化部を形成し、該炭化
部を除去して貫通溝を形成し、しかる後にリードを切断
除去するようにしたため、リードを切断する際に樹脂バ
リは切断位置には存在せず、樹脂に衝撃を与えることが
なく、樹脂クラックの発生とそれに伴う樹脂屑の脱落を
防ぐことができる。
品のリード切断方法は、先ず第１の発明又は第２の発明
において、リードフレームに電子部品チップを組込み、
樹脂封止体に加工した後に行う電子部品のリード切断方
法において、各リードの切断予定部位、及び該切断予定
部位に接し又は該切断予定部位覆う樹脂部の所定部位
に、樹脂に吸収される波長のレーザ光を照射して、該所
定部位に貫通溝を形成し、又は炭化部を形成し、該炭化
部を除去して貫通溝を形成し、しかる後にリードを切断
除去するようにしたため、リードを切断する際に樹脂バ
リは切断位置には存在せず、樹脂に衝撃を与えることが
なく、樹脂クラックの発生とそれに伴う樹脂屑の脱落を
防ぐことができる。
【００４５】第３の発明は、前記樹脂封止体は各リード
相互間にリード板厚相当厚さの樹脂バリを有し、前記レ
ーザ光を照射する前記樹脂部の所定部位を、前記各リー
ド切断予定部位を結ぶ前記樹脂バリの部位のみとし、該
部位を除く残余の樹脂バリ部分を残存させるようにした
ものであり、残存する樹脂バリは、リードを補強する効
果があり、特に変形し易い細いリードの場合は、リード
の変形防止の役目をする。
相互間にリード板厚相当厚さの樹脂バリを有し、前記レ
ーザ光を照射する前記樹脂部の所定部位を、前記各リー
ド切断予定部位を結ぶ前記樹脂バリの部位のみとし、該
部位を除く残余の樹脂バリ部分を残存させるようにした
ものであり、残存する樹脂バリは、リードを補強する効
果があり、特に変形し易い細いリードの場合は、リード
の変形防止の役目をする。
【００４６】第４の発明は、前記樹脂封止体は、リード
フレームに搭載された複数個のチップを集合体として一
括封止した樹脂封止体であり、前記リードの切断予定部
位は各電子部品間の分離帯相当部位であるようにしたも
のであり、ダイシングによらない各電子部品の分離が可
能となる。
フレームに搭載された複数個のチップを集合体として一
括封止した樹脂封止体であり、前記リードの切断予定部
位は各電子部品間の分離帯相当部位であるようにしたも
のであり、ダイシングによらない各電子部品の分離が可
能となる。
【００４７】第５の発明は、第４の発明で、前記樹脂封
止体の樹脂部に、予め封止工程において、前記分離帯相
当部位に沿って溝を形成しておくようにしたものであ
り、レーザ光照射による貫通溝の形成を容易にする。
止体の樹脂部に、予め封止工程において、前記分離帯相
当部位に沿って溝を形成しておくようにしたものであ
り、レーザ光照射による貫通溝の形成を容易にする。
【００４８】第６の発明は、照射するレーザ光の波長を
２．５〜２０μｍとしたものであり、この波長領域のレ
ーザ光を用いることにより、リード材への影響が小さ
く、効率のよい貫通溝の形成が可能となる。
２．５〜２０μｍとしたものであり、この波長領域のレ
ーザ光を用いることにより、リード材への影響が小さ
く、効率のよい貫通溝の形成が可能となる。
【００４９】第７の発明は、照射するレーザ光の波長を
７〜１１μｍとしたものであり、この波長領域では、樹
脂のレーザ光吸収率が極めて高く、また広く普及してお
り安価に入手できる炭酸ガスレーザを利用することがで
きる。
７〜１１μｍとしたものであり、この波長領域では、樹
脂のレーザ光吸収率が極めて高く、また広く普及してお
り安価に入手できる炭酸ガスレーザを利用することがで
きる。
【００５０】第８の発明は、上述の各発明におけるリー
ド切断手段として、波長１００〜３５０ｎｍのレーザ光
照射を用いることとしたものであり、このような波長領
域のレーザ光を用いることにより、リード材の金属表面
での反射が減少し、リード切断が容易となる。また、こ
の領域では樹脂を形成する炭素の単結合解離エネルギを
上回るので樹脂の非熱加工効果があり、樹脂汚れが残っ
た場合でも、その除去を容易にする効果がある。
ド切断手段として、波長１００〜３５０ｎｍのレーザ光
照射を用いることとしたものであり、このような波長領
域のレーザ光を用いることにより、リード材の金属表面
での反射が減少し、リード切断が容易となる。また、こ
の領域では樹脂を形成する炭素の単結合解離エネルギを
上回るので樹脂の非熱加工効果があり、樹脂汚れが残っ
た場合でも、その除去を容易にする効果がある。
【図１】本発明の電子部品リード切断方法による一実施
例の最終形態斜視図である。
例の最終形態斜視図である。
【図２】本発明の方法による貫通部及び炭化部形成の説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の方法による炭化部形成の説明図であ
る。
る。
【図４】本発明の方法による貫通溝形成の説明図であ
る。
る。
【図５】本発明の方法によりダムバー沿いに貫通溝を形
成した場合の説明図である。
成した場合の説明図である。
【図６】レーザ光樹脂透過率の波長特性図である。
【図７】本発明の方法により一括樹脂封止体から電子部
品を分離する場合の説明図である。
品を分離する場合の説明図である。
【図８】一括樹脂封止体の分離帯部に溝を設けた場合の
同上説明図である。
同上説明図である。
【図９】従来の方法による電子部品リード切断例の斜視
図である。
図である。
１：樹脂封止体、２：アウターリード、３：樹脂バリ、
４：樹脂バリ端面、５：貫通溝、５ａ：貫通部、６：樹
脂炭化部、７：ダムバー、８：樹脂クラック、９：レー
ザ光、１０：分離帯部溝。
４：樹脂バリ端面、５：貫通溝、５ａ：貫通部、６：樹
脂炭化部、７：ダムバー、８：樹脂クラック、９：レー
ザ光、１０：分離帯部溝。
Claims (8)
- 【請求項１】 リードフレームに電子部品チップを組込
み、樹脂封止体に加工した後に行う電子部品のリード切
断方法において、 各リードの切断予定部位、及び該切断予定部位に接し又
は該切断予定部位を覆う樹脂部の所定部位に、樹脂に吸
収される波長のレーザ光を照射して、該所定部位の樹脂
部に貫通溝を形成し、 しかる後に、前記切断予定部位で前記リードを切断除去
することを特徴とする電子部品のリード切断方法。 - 【請求項２】 リードフレームに電子部品チップを組込
み、樹脂封止体に加工した後に行う電子部品のリード切
断方法において、 各リードの切断予定部位、及び該切断予定部位に接し又
は該切断予定部位を覆う樹脂部の所定部位に、樹脂に吸
収される波長のレーザ光を照射して、該所定部位の樹脂
部に、炭化部分又は一部分に貫通部を有する炭化部分を
形成させた後、前記炭化部分を除去して、前記所定部位
の樹脂部に貫通溝を形成し、 しかる後に、前記切断予定部位で前記リードを切断除去
することを特徴とする電子部品のリード切断方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２の電子部品のリード切断
方法において、 前記樹脂封止体は各リード相互間にリード板厚相当厚さ
の樹脂バリを有し、 前記レーザ光を照射する前記樹脂部の所定部位を、前記
各リード切断予定部位を結ぶ前記樹脂バリの部位のみと
し、該部位を除く残余の樹脂バリ部分を残存させること
を特徴とする電子部品のリード切断方法。 - 【請求項４】 請求項１又は２の電子部品のリード切断
方法において、 前記樹脂封止体は、リードフレームに搭載された複数個
のチップを集合体として一括封止した樹脂封止体であ
り、前記リードの切断予定部位は各電子部品間の分離帯
相当部位であることを特徴とする電子部品のリード切断
方法。 - 【請求項５】 請求項４の電子部品のリード切断方法に
おいて、 前記樹脂封止体の樹脂部には、予め封止工程において、
前記分離帯相当部位に沿って溝を形成しておくことを特
徴とする電子部品のリード切断方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか一つの電子部
品のリード切断方法において、 照射するレーザ光の波長を２．５〜２０μｍとしたこと
を特徴とする電子部品のリード切断方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至５のいずれか一つの電子部
品のリード切断方法において、 照射するレーザ光の波長を７〜１１μｍとしたことを特
徴とする電子部品のリード切断方法。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか一つの電子部
品のリード切断方法において、 リード切断手段として、波長１００〜３５０ｎｍのレー
ザ光照射を用いることを特徴とする電子部品のリード切
断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001090087A JP4467203B2 (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 電子部品のリード切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001090087A JP4467203B2 (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 電子部品のリード切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289757A true JP2002289757A (ja) | 2002-10-04 |
| JP4467203B2 JP4467203B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=18944923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001090087A Expired - Fee Related JP4467203B2 (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 電子部品のリード切断方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4467203B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014183198A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR101559038B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2015-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
| KR20190016997A (ko) * | 2019-02-08 | 2019-02-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
Citations (7)
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| JPS63136550A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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| JPH06244313A (ja) * | 1993-02-18 | 1994-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ及び実装方法 |
| JPH07142664A (ja) * | 1993-11-18 | 1995-06-02 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-03-27 JP JP2001090087A patent/JP4467203B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| KR102042482B1 (ko) | 2019-02-08 | 2019-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
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|---|---|
| JP4467203B2 (ja) | 2010-05-26 |
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