JPS62172735A - バリ取り方法 - Google Patents

バリ取り方法

Info

Publication number
JPS62172735A
JPS62172735A JP1375586A JP1375586A JPS62172735A JP S62172735 A JPS62172735 A JP S62172735A JP 1375586 A JP1375586 A JP 1375586A JP 1375586 A JP1375586 A JP 1375586A JP S62172735 A JPS62172735 A JP S62172735A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
burrs
lead frame
package
plastic package
pressurized water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1375586A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirotaka Ashizawa
芦沢 博隆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Seiki Machine Works Ltd
Original Assignee
Fuji Seiki Machine Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Seiki Machine Works Ltd filed Critical Fuji Seiki Machine Works Ltd
Priority to JP1375586A priority Critical patent/JPS62172735A/ja
Publication of JPS62172735A publication Critical patent/JPS62172735A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体プラスチックパッケージ周辺のバリを
除去してきれいにするためのバリ取り方法に関するもの
である。
[従来の技術] 一般に、リードフレーム上の半導体をプラスチックでモ
ールドして製造された半導体プラスチックパッケージの
周辺には、プラスチックのバリが発生する。
このバリを取り除く手段として、半導体プラスチックパ
ッケージ周辺にレーザ光を照射し1周辺のバリを燃焼さ
せる方法が最近実用化されるようになって来た。
[発明が解決しようとする問題点] ところが、半導体プラスチックパッケージの周辺に発生
したプラスチックのバリを、レーザ光を照射して燃焼さ
せると、燃焼カスが残ったり、不純物等の燃焼によって
表面に薄いフィルム状の一―皮膜が生じることがあり、
これをそのままにしておくと、形成された回路の性能に
悪影響を及ぼし1品質にバラツキを生じたり信頼性が低
下するという欠点があった。
又、高水圧の噴射でバリを除去する場合、リードフレー
ム材が銅系合金であれば、バリの除去は不十分であり、
残存が認められる。又リードフレム材体の厚さが銅合金
でもNi合金(42A11ay)でも薄くなる傾向があ
り(0,1%以下)通常水圧ブラストで用いられる圧力
600−1500 kg/cmlで水を噴射した場合リ
ードフレームは変形し。
モールドとの間に隙間を生じたり、パッケージを傷める
欠点がある。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明は上記問題点を解決するために、種々の実験を行
ったところ、プラスチックのバリをレーザ光を照射して
燃焼させると同時に又は燃焼させた後、その部分に気体
を吹きつけても、燃焼カスや皮膜等はきれいに除去する
ことはできないが。
その部分に圧力水を噴射すると、燃焼カスや皮膜等がき
れいに除去されることを見い出し、その結果発明された
ものである。
すなわち1本発明のバリ取り方法は、搬送されて来るリ
ードフレーム上の半導体プラスチックパッケージ周辺に
レーザ光を照射して、周辺のバリを燃焼させた後、その
部分に圧力水を噴射して燃焼カスや皮膜等を除去するよ
うにしたことを特徴とするものである。
[作 用] 本発明は上記のようにしてバリ取りを行うようにしたの
で、半導体プラスチックパッケージの周辺に発生してい
るプラスチックのバリは、照射されるレーザ光によって
燃焼されるが、この時燃焼カスが残ったり、不純物等の
燃焼によって表面に薄いフィルム状の有機物皮膜等が生
じても、それらは次に噴射される圧力水によって吹き飛
ばされ、或いは剥ぎ取られてきれいに除去されることに
なる。
[実施例] 以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて具体的に説
明する。
第1図は本発明のバリ取り方法を適用したバリ取り装置
の概略構成を示す断面図で、第2図は第1図における矢
視A−A線に沿って切断した断面図である0図中1はコ
ンベア等により搬送されて来るリードフレームで、その
リードフレームl上には所定間隔をおいて半導体プラス
チックパッケージ2が配列されている。3は各半導体プ
ラスチックパッケージ2の周辺に発生しているバリを示
す、4はレーザ加工室で、レーザ発振器5から発振され
たレーザ光6は、レーザ加工室4内に搬送されて来るリ
ードフレームlの上下に、対向するように配置されたビ
ームベンダー7を通る間に。
複数個の反射鏡8により所定の方向に反射され、シリン
ドリカルレンズ、凸レンズ等のレンズ9を通過して集光
レンズ10により集光された後、リードフレーム1上の
半導体プラスチックパッケージ2の周辺に照射されるよ
うになっている。なお、11はリードフレーム1上の半
導体プラスチックパッケージ2を所定位置にセットする
ための治具で、その治具11はXY移動装置12によっ
てその位置を移動することができるようになっている。
次に13は水圧加工室で、レーザ加工室4に隣接して設
けられており、レーザ加工室4内でレーザ光6を照射さ
れて、プラスチックのバリ3が燃焼されたリードフレー
ム1上の半導体プラスチックパッケージ2は、コンベア
等により水圧加工室13に搬送されて来るようになって
いる。14は水圧加工室13内に搬送されて来たリード
フレーム1の上下に、対向するように配置されたノズル
で、ポンプ15により圧送された圧力水16は、ノズル
14からリードフレームl上の半導体プラスチックパッ
ケージ2の周辺に噴射され、燃焼カスや皮1り等はその
水圧により除去されることになる。17は水圧加工室1
3の底面で1図示のように漏斗状に形成されており、ノ
ズル14から噴射された圧力水16は、この底面17で
集められてタンク18に導かれ、フィルター19で浄化
された後、再びポンプ15により再循環して利用される
ようになっている。なお、20は圧力水16の配管の途
中に設けられたバルブである。又、21はレーザ加工室
4及び水圧加工室13の天井に設けられた排気ファンで
ある。
尚レーザ加工室4と水圧加工室13との間に霧散防止室
21を設けてレーザ加工室4への霧の侵入を阻止する。
上記のように、本発明のバリ取り方法を適用したバリ取
り装置によれば、レーザ加工室4内に搬送されて来た。
リードフレーム1上の半導体プラスチックパッケージ2
の周辺にあるプラスチックのバリ3は、照射されるレー
ザ光6によって燃焼されることになる。このとき半導体
プラスチックパッケージ2の周辺には、バリ3の燃焼カ
スが残ったり、不純物等の燃焼によって表面に薄いフィ
ルム状の皮膜が生じることがある。次にリードフレーム
l上の半導体プラスチックパッケージ2は、水圧加工室
13内に搬送され、ここで、その部分に圧力水16が噴
射されるので、燃焼カスや皮膜等は、噴射される圧力水
16の水圧によって吹き飛ばされ、或いは剥ぎ取られて
きれいに除去されることになる。
なお、本発明のバリ取り方法の有効性を確認するため、
半導体プラスチックパッケージの周辺を、パワー密度0
.07 kg/ ts履2のレーザ光で移動速度0.5
〜2 w/mir+で照射して、プラスチックのバリを
燃焼させたところ、燃焼カスや皮膜等の残存が認められ
た0次にその部分に100〜800kg/cm″の圧力
の圧力水を、移動速度1〜6■l■inで噴射させたと
ころ、燃焼カスや皮膜等が5れいに除去され、リードフ
レームや半導体プラスチックパッケージには全く損傷は
認められなかった。
しかしながら、圧力水の代りに気体を吹きつけた実験で
は、燃焼カスや皮膜等がきれいに除去されず、圧力水を
噴射するようにした本発明のバリ取り方法の有効性を実
験的に確認することができた。
尚、生産性を高めるために、レーザ光のパワー密度を約
0.8 kw/ m*2で、移動速度6〜lO層/gi
nで照射することもできる。
[発明の効果] 以上具体的に説明したように、本発明のバリ取り方法に
よれば、搬送されて来るリードフレーム上の半導体プラ
スチックパッケージ周辺のバリを、レーザ光を照射して
燃焼させても、燃焼カスや皮膜等は次に噴射される圧力
水の水圧によって吹き飛ばされ、或いは剥ぎ取られてき
れいに除去することができる。従って、高水圧のみで噴
射するより、リードフレームのパッケージのダメージが
皆無となりバリが完全に除去できるので、品質が安定し
、信頼性を高めることができる。又、レーザ光の照射と
圧力水の噴射を連続した工程の中に組み込むことができ
るので、工程ラインの設計が容易となり、自動化が可能
である0等、多くの利点を有し、実用上きわめて有効な
バリ取り方法を提供し得るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のバリ取り方法を適用したバリ取り装置
の概略構成を示す断面図で、第2図は第1図における矢
視A−A線に沿って切断した断面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・半導体プラスチック
パッケージ、3・・・バリ、4・・・レーザ加工室。 5・・・レーザ発振器、6・・・レーザ光、7・・・ビ
ームベンダー、8・・・反射鏡、9・・・シリンドリカ
ルレンズ、lO・・・集光レンズ、11・・・治具、1
2・・・XY移動装置、13・・・水圧加工室、14・
・・ノズル、15・・・ポンプ、16・・・圧力水、1
7・・・底面。 18・・・タンク、19・・・フィルター、20・・・
バルブ、21・・・排気ファン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 搬送されて来るリードフレーム上の半導体プラスチック
    パッケージ周辺にレーザ光を照射して、周辺のバリを燃
    焼させた後、その部分に圧力水を噴射して燃焼カスや皮
    膜等を除去するようにしたことを特徴とするバリ取り方
    法。
JP1375586A 1986-01-27 1986-01-27 バリ取り方法 Pending JPS62172735A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1375586A JPS62172735A (ja) 1986-01-27 1986-01-27 バリ取り方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1375586A JPS62172735A (ja) 1986-01-27 1986-01-27 バリ取り方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62172735A true JPS62172735A (ja) 1987-07-29

Family

ID=11842067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1375586A Pending JPS62172735A (ja) 1986-01-27 1986-01-27 バリ取り方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62172735A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002289757A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 New Japan Radio Co Ltd 電子部品のリード切断方法
JP2008252005A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Sanyo Electric Co Ltd バリ取り方法および半導体装置の製造方法
WO2011004746A1 (ja) * 2009-07-06 2011-01-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2013214775A (ja) * 2013-07-17 2013-10-17 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2014100828A (ja) * 2012-11-19 2014-06-05 Apic Yamada Corp 樹脂モールド品の製造方法、および樹脂除去装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54107673A (en) * 1978-02-13 1979-08-23 Toshiba Corp Manufacture for semiconductor device
JPS59220934A (ja) * 1983-05-31 1984-12-12 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS6355863A (ja) * 1986-08-25 1988-03-10 Kashiwara Kikai Seisakusho:Kk 廃乾電池の解体処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54107673A (en) * 1978-02-13 1979-08-23 Toshiba Corp Manufacture for semiconductor device
JPS59220934A (ja) * 1983-05-31 1984-12-12 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS6355863A (ja) * 1986-08-25 1988-03-10 Kashiwara Kikai Seisakusho:Kk 廃乾電池の解体処理装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002289757A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 New Japan Radio Co Ltd 電子部品のリード切断方法
JP2008252005A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Sanyo Electric Co Ltd バリ取り方法および半導体装置の製造方法
WO2011004746A1 (ja) * 2009-07-06 2011-01-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN102473651A (zh) * 2009-07-06 2012-05-23 瑞萨电子株式会社 半导体器件的制造方法
JP5419235B2 (ja) * 2009-07-06 2014-02-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN104465414A (zh) * 2009-07-06 2015-03-25 瑞萨电子株式会社 半导体器件的制造方法
US9087850B2 (en) 2009-07-06 2015-07-21 Renesas Electronics Corporation Method for manufacturing semiconductor device
US9263274B2 (en) 2009-07-06 2016-02-16 Renesas Electronics Corporation Method for manufacturing semiconductor device
JP2014100828A (ja) * 2012-11-19 2014-06-05 Apic Yamada Corp 樹脂モールド品の製造方法、および樹脂除去装置
JP2013214775A (ja) * 2013-07-17 2013-10-17 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101299039B1 (ko) 레이저 가공 장치, 레이저 가공 헤드 및 레이저 가공 방법
US20110083696A1 (en) Laser Induced Shockwave Surface Cleaning
KR20030019848A (ko) 판상 피가공물의 다이싱 방법 및 장치
KR20120104956A (ko) 레이저 리프트 오프 장치
JP2005095744A (ja) 絶縁部材の表面処理方法及び絶縁部材の表面処理装置
JPH0334852B2 (ja)
JP2004188451A (ja) レーザ加工方法および装置
TWI613028B (zh) 雷射加工裝置及雷射加工排屑裝置
JP2008023547A (ja) 薄膜除去方法及び薄膜除去装置
JPS62172735A (ja) バリ取り方法
JP2003303789A (ja) フォトレジスト剥離除去方法及び装置
JP2007007644A (ja) ディスプレイ製造におけるシャドウマスクの洗浄方法(変形)および装置
JP2007185685A (ja) レーザー加工装置
JP4762601B2 (ja) 薄膜パネル加工装置
KR20180097373A (ko) 노즐을 이용한 금속 자재의 가공장치 및 가공방법
JPH10286774A (ja) 被膜処理方法とその装置
JP2000117201A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JP2009018260A (ja) プラズマ励起ガス洗浄方法及びプラズマ励起ガス洗浄装置
JP2000500284A (ja) 側壁を効果的にレーザ剥離するためにビームを斜めに回転させる方法と装置
KR100490680B1 (ko) 사이드플래시에 절취홈을 갖는 반도체 패키지 및 그형성방법, 그리고 이를 이용한 디플래시 방법
JPH07185875A (ja) パルスレーザによる材料加工方法
CN101329134A (zh) 晶片的干燥方法
JP2001340819A (ja) 超音波洗浄装置
JPH04356384A (ja) レーザー照射装置
KR102545857B1 (ko) 철 합금 재질인 차량용 부품의 이물질 제거 방법