JP2002258205A - ガルバノミラーの製造方法およびガルバノミラー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】トーションバー部の設計仕様に多様性をもたせ
ることができるとともに、上記トーションバー部の各部
を所望の寸法に正確に仕上げることができるガルバノミ
ラーの製造方法を提供する。 【解決手段】ガルバノミラーＡのミラー基板１を形成す
る工程は、基板の片面の各スリット１０が形成される箇
所に有底状の複数の凹溝を設けることにより、ミラー形
成部１１、枠部１２およびトーションバー部１３のそれ
ぞれの一部を形成する第１のエッチング処理と、上記基
板の上記片面とは反対の面のうち、上記複数の凹溝に対
向する部分および上記トーションバー部１３の一部に対
向する部分を上記基板の厚み方向にエッチングする第２
のエッチング処理と、この第２のエッチング処理の前に
おいて、上記複数の凹溝のうち、上記トーションバー部
１３の一部を挟む領域の底面を、上記第２のエッチング
処理に対する耐食性を備えた保護部によって覆う工程と
を含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、光ディスクへの
データの記録・再生処理を行なう光ディスク装置や、複
数の光ファイバ間の光路の切り換えを行なう光スイッチ
ング装置などの各種の光学装置に組み込まれることによ
り、所望の光の進路方向を変更するのに用いられるガル
バノミラーの製造方法およびその製造方法によって製造
されたガルバノミラーに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来における一般的なガルバノミラーの
一例を図１０に示す。同図に示すガルバノミラーＢは、
いわゆる静電駆動方式のものであり、ミラー基板８と電
極基板９とが積層されたものである。ミラー基板８は、
図１１に示すように、表面にミラー面８０ａが形成され
たミラー形成部８０が、一対のトーションバー部８１を
介して枠部８２に支持された構造を有している。ミラー
形成部８０の裏面には、一対の電極８３ａ，８３ｂが設
けられているのに対し、図１０に示すように、電極基板
９には、それらの電極８３ａ，８３ｂに対向する一対の
電極９０ａ，９０ｂが設けられている。

【０００３】このような構成によれば、たとえばミラー
形成部８０の電極８３ａ，８３ｂを正極に帯電させた状
態において、電極基板９の電極９０ａを負極にすると、
これらの間には静電力が発生し、ミラー形成部８０は、
一対のトーションバー部８１を捩じりながら矢印Ｎａ方
向に回転する。また、これに代えて、電極９０ｂを負極
にすると、ミラー形成部８０は上記とは反対方向に回転
することとなる。このように、ミラー形成部８０を回転
させると、ミラー面８０ａに向けて進行してくる光の反
射方向を所定の方向に切り換えることができる。

【０００４】従来において、上記したミラー基板８を製
造するには、その原材料となる適当な基板（図示略）に
対してその片面側からウエットエッチングを行い、上記
基板に一対のスリット８５を上記基板に設ける工程を行
なっていた。一対のスリット８５は、図１１に示すよう
に、互いに向かい合った恰好のコ字状を有しており、上
記基板の厚み方向に貫通している。このような手段によ
れば、ミラー基板８の各部の外形をエッチング処理のみ
によってかたち取ることができ、その製造が容易化され
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の手段においては、次のように未だ改善すべき点があ
った。

【０００６】すなわち、ガルバノミラーのミラー形成部
８０に回転動作を行なわせる場合、このミラー形成部８
０の回転角度は、電極間に発生する静電力と各トーショ
ンバー部８１の捩じり抵抗とが釣り合う角度となる。し
たがって、ガルバノミラーの光の反射方向を正確に規定
するためには、ガルバノミラーの製造に際して、各トー
ションバー部８１の捩じり抵抗が予め設計された値とな
るように、各トーションバー部８１を正確な寸法に形成
する必要がある。

【０００７】ところが、従来の手段においては、基板の
片面側からウエットエッチングを施すことによってのみ
各トーションバー部８１を形成しているために、たとえ
ば上記基板がエッチングに対する異方性をもつような場
合には、上記エッチングの時間制御のみによって各トー
ションバー部８１の各部を所望の正確な寸法に仕上げる
ことは難しいものとなっていた。また、従来の手段にお
いては、各トーションバー部８１の厚みｔ１は、ミラー
形成部８０の厚みｔ２と常に同一となってしまう。この
ため、従来においては、ミラー形成部８０の厚みｔ２と
は別個に、厚みｔ１のみを種々に変更することによっ
て、各トーションバー部８１が所望の捩じり抵抗をもつ
ようにその設計に多様性をもたせて対処するといったこ
とも難しいものとなっていた。

【０００８】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、トーションバー部の設計仕様に
多様性をもたせることができるとともに、上記トーショ
ンバー部の各部を所望の寸法に正確に仕上げることがで
きるガルバノミラーおよびガルバノミラーの製造方法を
提供することをその課題としている。

【０００９】

【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。

【００１０】本願発明の第１の側面によって提供される
ガルバノミラーの製造方法は、基板にその厚み方向に貫
通する複数のスリットを形成することにより、ミラー形
成部と、このミラー形成部を上記複数のスリットを介し
て囲む枠部と、この枠部に上記ミラー形成部を繋ぐトー
ションバー部と、を形成する基板処理工程を有してい
る、ガルバノミラーの製造方法であって、上記基板処理
工程は、上記基板の片面に有底状の複数の凹溝を設ける
ことにより、上記ミラー形成部、上記枠部および上記ト
ーションバー部のそれぞれの一部を形成する第１のエッ
チング処理と、上記基板の上記片面とは反対の面のう
ち、上記複数の凹溝に対向する部分および上記トーショ
ンバー部の一部に対向する部分を上記基板の厚み方向に
エッチングする第２のエッチング処理と、この第２のエ
ッチング処理の前において、上記複数の凹溝のうち、上
記トーションバー部の一部を挟む領域の底面を、上記第
２のエッチング処理に対する耐食性を備えた保護部によ
って覆う工程と、を含んでいることを特徴としている。

【００１１】このような製造方法によれば、次のような
効果が得られる。

【００１２】第１に、本願発明によれば、従来とは異な
り、トーションバー部の厚みを、ミラー形成部よりも小
さな厚みにすることができる。また、このトーションバ
ー部の厚みは、第２のエッチング処理によって所望の寸
法に規定することができる。したがって、本願発明によ
れば、トーションバー部の捩じり剛性を所望の値にする
ための要素としては、トーションバー部の幅に加えて、
その厚みをも要素とすることができ、トーションバー部
が所望の捩じり剛性をもつように設計するときのトーシ
ョンバーの寸法および形状に多様性をもたせて、きめ細
かな対応が可能となる。

【００１３】第２に、本願発明によれば、第２のエッチ
ング処理を行なって上記トーションバー部の全体形状を
完成させるときには、上記各凹溝の底面が上記保護部に
よって保護されていることにより、上記トーションバー
部の両側面が第２のエッチング処理の雰囲気中に曝され
ないようにすることができる。すなわち、上記トーショ
ンバー部の幅は、上記第２のエッチング処理によっては
変化しないようにすることができ、その幅は、上記第１
のエッチング処理によって規定することができる。結
局、本願発明においては、上記トーションバー部の幅
は、上記第１のエッチング処理によって独自に規定する
ことができるとともに、上記トーションバー部の厚み
は、上記第２のエッチング処理によって独自に規定する
ことができる。したがって、本願発明においては、従来
の基板の片面側からのエッチング処理のみによってトー
ションバー部全体を形成していた場合と比較すると、ト
ーションバー部の各部を所望の寸法に正確に仕上げるこ
とができる。このことは、ミラー形成部を所望の角度に
正確に回転させることができる高性能のガルバノミラー
を得るのに役立つ。

【００１４】本願発明の好ましい実施の形態において
は、上記第１および第２のエッチング処理は、いずれも
ドライエッチングである。

【００１５】一般的に、ドライエッチングは、ウエット
エッチングとは異なり、異方性があり、または異方性が
強く、基板を厚み方向にエッチングする際に、それと直
交する方向に大きな誤差を生じ難くすることが可能であ
る。したがって、トーションバー部の各部を正確な寸法
に仕上げるのにより好ましいものとなる。

【００１６】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記保護部は、上記基板の厚み方向に高さを有し
ており、かつ上記第２のエッチング処理においては、上
記基板のエッチングを上記保護部の中間高さまで行な
う。

【００１７】このような構成によれば、上記トーション
バー部をたとえば断面矩形状に形成するのに好適とな
る。すなわち、上記基板にエッチング処理を施した場
合、厳密には、そのエッチングされた部分の断面は曲面
状になり易く、たとえば上記各凹溝の底面が曲面状とな
る場合がある。したがって、上記第２のエッチング処理
において、上記基板のエッチング深さが上記各凹溝の底
面の高さに丁度達した時点でそのエッチング処理を終え
たのでは、最終的に得られるトーションバー部の角度が
直角状にはならず、歪んだ形状に仕上がってしまう虞れ
がある。これに対し、上記構成によれば、上記トーショ
ンバー部に上記各凹溝の底面の近傍部分が含まれないよ
うにして、上記トーションバー部の各角部を直角または
これに近い角度に仕上げることができるのである。

【００１８】本願発明の第２の側面によって提供される
ガルバノミラーの製造方法は、基板にその厚み方向に貫
通する複数ずつの第１および第２のスリットを形成する
ことにより、ミラー形成部と、このミラー形成部を上記
複数の第１のスリットを介して囲む中間枠部と、この中
間枠部を上記複数の第２のスリットを介して囲む外枠部
と、上記ミラー形成部を上記中間枠部に繋ぐ第１のトー
ションバー部と、上記中間枠部を上記外枠部に繋ぐ第２
のトーションバー部と、を形成する基板処理工程を有し
ている、ガルバノミラーの製造方法であって、上記基板
処理工程は、上記基板の片面に有底状の複数ずつの第１
および第２の凹溝を設けることにより、上記ミラー形成
部、上記中間枠部、上記外枠部、ならびに上記第１およ
び第２のトーションバー部のそれぞれの一部を形成する
第１のエッチング処理と、上記基板の上記片面とは反対
の面のうち、上記各第１および第２の凹溝に対向する部
分および上記第１および第２のトーションバー部のそれ
ぞれの一部に対向する部分を上記基板の厚み方向にエッ
チングする第２のエッチング処理と、この第２のエッチ
ング処理の前において、上記各第１および第２の凹溝の
うち、上記第１および第２のトーションバー部のそれぞ
れの一部を挟む領域の底面を、上記第２のエッチング処
理に対する耐食性を備えた保護膜によって覆う工程と、
を含んでいることを特徴としている。

【００１９】このような製造方法によれば、上記ミラー
形成部が、上記第１およひ第２のトーションバー部のそ
れぞれの軸心周りに回転可能ないわゆる２軸タイプのガ
ルバノミラーが製造される。そして、上記構成によれ
ば、本願発明の第１の側面の場合と同様な作用により、
上記第１および第２のトーションバー部をいずれもミラ
ー形成部、中間枠部および外枠部のそれぞれの厚みとは
異なる厚みに形成することができ、第１および第２のト
ーションバー部が所定の捩じり剛性をもつように設計す
るときのトーションバーの寸法および形状に多様性をも
たせて、きめ細かな対応が可能となる。また、第２のエ
ッチング処理時には、上記保護膜の存在により上記第１
及び第２のトーションバー部の両側面が不当にエッチン
グされないようにすることができ、上記第１および第２
のトーションバー部の幅および厚みは、第１および第２
のエッチング処理のそれぞれによって個別にかつ正確に
規定することができる。したがって、それらの寸法精度
を高めることもできる。

【００２０】本願発明の好ましい実施の形態において
は、上記第１のエッチング処理においては、上記各第１
の凹溝を形成する工程と、上記各第２の凹溝を形成する
工程とを別々に行ない、これら第１の凹溝と第２の凹溝
との深さを相違させる。

【００２１】このような構成によれば、第２のエッチン
グ処理において、上記第１の凹溝と第２の凹溝とのそれ
ぞれの深さに見合うように上記基板をエッチングするこ
とにより、上記第１および第２のトーションバー部どう
しの厚みを簡単に相違させることが可能となる。

【００２２】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記第１のエッチング処理において、上記各第１
および第２の凹溝を同時に形成し、かつ上記第２のエッ
チング処理においては、上記第１のトーションバー部を
形成するためのエッチングの深さと、上記第２のトーシ
ョンバー部を形成するためのエッチングの深さとを互い
に相違させる。

【００２３】このような構成によっても、上記第１およ
び第２のトーションバー部との厚みを互いに相違させる
ことができる。また、上記第１のエッチング処理におい
ては、上記各第１および第２の凹溝を同時に形成するた
め、全体の工程数を少なくするのに好適となる。

【００２４】本願発明の第３の側面によって提供される
ガルバノミラーは、本願発明の第１の側面および第２の
側面のいずれかによって提供されるガルバノミラーの製
造方法を用いて製造されたことを特徴としている。

【００２５】このような構成によれば、本願発明の第１
の側面および第２の側面について述べたのと同様な効果
が期待できる。

【００２６】本願発明のその他の特徴および利点につい
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。

【００２８】図１および図２は、本願発明に係るガルバ
ノミラーの一実施形態を示している。本実施形態のガル
バノミラーＡの基本的な構造は、図１０に示した従来の
ガルバノミラーと同様である。すなわち、このガルバノ
ミラーＡは、いわゆる静電駆動方式のものであり、ミラ
ー基板１と電極基板２とが積層された構成を有してい
る。ミラー基板１は、たとえばシリコン製の基板を用い
て後述する製造方法により製造されたものであり、厚み
方向に貫通する所定形状の一対のスリット１０が設けら
れていることにより、これら一対のスリット１０によっ
て外周形状がかたち取られた略矩形のミラー形成部１１
と、このミラー形成部１１を一対のスリット１０を介し
て囲んでいる枠部１２と、この枠部１２とミラー形成部
１１とを繋ぐ一対のトーションバー部１３とを有してい
る。

【００２９】ミラー形成部１１の表面には、ミラー面１
１ａが形成され、かつその裏面には、一対の電極１４
ａ，１４ｂが設けられている。これらミラー面１１ａや
電極１４ａ，１４ｂは、金属膜を蒸着するなどして形成
されている。各スリット１０の幅は、たとえば数十μｍ
程度の細幅とされている。ミラー形成部１１の厚みは、
たとえば３００μｍ程度である。一対のスリット１０の
両端部１０ａどうしは、一定方向（図１のｘ方向）にお
いて互いに間隔を隔て、かつ上記一定方向とは直交する
方向（図１のｙ方向）に延びる直線状に形成されてお
り、各トーションバー部１３は、一対のスリット１０の
それぞれの端部１０ａどうしの間に挟まれたかたちに形
成されている。各トーションバー部１３の厚みｔａは、
ミラー形成部１１の厚みｔｂよりも小さくされている。
ミラー基板１は、枠部１２の裏面が電極基板２の外周縁
の凸状段部２０の上向き面に接合されていることによ
り、電極基板２の上に積層されている。電極基板２は、
ミラー基板１の一対の電極１４ａ，１４ｂに対して適当
な間隔を隔てて対向する一対の電極２１ａ，２１ｂを具
備している。

【００３０】次に、上記構成のガルバノミラーＡの製造
方法の一実施形態について、図３および図４を参照して
説明する。

【００３１】まず、図３（ａ）に示すように、ミラー基
板１の原材料となるシリコン製の基板１ａの表面（片
面）に、レジスト層３０をパターン形成する。基板１ａ
としては、シリコンウェハを用いることができる。レジ
スト層３０は、基板１ａの表面のうち、各スリット１０
の形成予定箇所に開口部３０ａを有し，かつ基板１ａの
表面のそれ以外の部分の全体を覆うパターン形状にされ
たものである。

【００３２】レジスト層３０の形成後には、基板１ａに
対してその表面側から第１のエッチング処理を施す。こ
のエッチングは、たとえばＩＣＰ（Inductivery Couple
d Plasma) エッチングとする。このＩＣＰエッチング
は、半導体製造プロセスで多用されているドライのエッ
チング方式であり、異方性を有し、深溝を形成するのに
好適である。この第１のエッチング処理により、図３
（ｂ）に示すように、一定深さＬ１の有底状の凹溝１０
a'，１０’を形成する。なお、凹溝１０a'は、図１に示
した各スリット１０の端部１０ａを形成するための部分
であり、凹溝１０’は各スリット１０の端部１０ａ以外
の箇所を形成するための部分である。このような凹溝１
０a'，１０’を基板１ａに設けることにより、この基板
１ａの上面部には、図１に示したミラー形成部１１、枠
部１２および各トーションバー部１３のそれぞれの一部
（上部）が形成されることとなる。図３（ｂ）におい
て、一対の凹溝１０a'，１０a'の間には、トーションバ
ー部１３の一部１３’が形成されている。

【００３３】次いで、図３（ｃ）に示すように、各凹溝
１０a'内に、ＩＣＰエッチングに対する耐食性をもつ保
護部４を適当な高さｈ１に設け、この保護部４によって
各凹溝１０a'の底面を覆う。この保護部４を設けるため
の具体的な手段としては、適当なレジストを基板１ａの
表面側からスプレイする手段を用いることができる。こ
のような手段によれば、各凹溝１０a'の底面以外の部分
にもレジストが広く塗布される虞れがあるが、そのよう
になってもかまわない。要は、保護部４は、スリット１
０を形成するための凹溝のうち、少なくともトーション
バー部の一部１３’を挟む領域の底面に設けられていれ
ばよい。保護部４を設けるための他の手段としては、た
とえば各凹溝１０a'の底面部分に酸化処理を施す手段を
採用することもできる。

【００３４】保護部４を設けた後には、基板１ａの裏面
側から第２のエッチング処理を行なう。より具体的に
は、まず図３（ｄ）に示すように、基板１ａの裏面にレ
ジスト層３１をパターン形成する。このレジスト層３１
は、各凹溝１０',１０a'に対向する部分、およびトーシ
ョンバー部の一部１３’に対向する部分に開口部３１ａ
を有している。その後は、図４（ｅ）に示すように、基
板１ａに対してその裏面側からＩＣＰエッチングを施
す。これにより、基板１ａのレジスト層３１の開口部３
１ａに対応する箇所に凹溝１０",１０a"を形成し、これ
らの深さを深くしていく。

【００３５】この第２のエッチング処理は、図４（ｆ）
に示すように、各凹溝１０a"の深さが、保護部４の底面
を越えて、保護部４の中間高さになるまで、すなわち保
護部４の底面よりも上方であって、かつ保護部４の上面
を越えない高さになるまで行なう。これにより、一定の
厚みを有するトーションバー部１３を形成することがで
きる。各凹溝１０a"の深さが、保護部４の底面の高さを
越えた場合であっても、各凹溝１０a'の底面はこの保護
部４によって覆われているために、トーションバー部１
３の両側面１３ａ，１３ａが、ＩＣＰエッチングの処理
雰囲気に曝されないようにすることができる。したがっ
て、各側面１３ａが第２のエッチング処理時に不当にエ
ッチングされることはない。

【００３６】また、この第２のエッチング処理によれ
ば、凹溝１０" を凹溝１０' に連通させることができ、
これにより基板１ａの厚み方向に貫通したスリット１０
の端部１０ａ以外の部分が適切に形成される。上記した
第２のエッチング処理を終えた後には、保護部４やレジ
スト層３１を除去する。これにより、図４（ｇ）に示す
ように、トーションバー部１３を挟むスリット１０の端
部１０ａを基板１ａに貫通させた状態に形成することが
できる。

【００３７】上記した一連の工程によれば、図１および
図２に示したガルバノミラーＡのミラー基板１の各部の
外形をかたち取ることができる。ミラー面１１ａや一対
の電極１４ａ，１４ｂは、上記した一連の工程を行なう
前に基板１ａに予め設けておけばよく、このようなこと
によりミラー基板１を製造し、ガルバノミラーＡを製造
することができる。もちろん、ミラー面１１ａや一対の
電極１４ａ，１４ｂの形成工程は、上記した一連の工程
の後に行なうようにすることもできる。

【００３８】上記製造方法によれば、第２のエッチング
処理時においては、トーションバー部１３の両側面１３
ａ，１３ａが不当にエッチングされないようにされてい
るために、トーションバー部１３の幅Ｗは、第１のエッ
チング処理によって規定された幅のままに維持される。
したがって、第１のエッチング処理は、トーションバー
部１３の幅Ｗを所定の幅にできるように配慮して行なえ
ばよいこととなり、その幅の寸法精度を高くすることが
できる。とくに、ドライエッチングであるＩＣＰエッチ
ングによれば、上記の幅Ｗをより正確に規定することが
できる。一方、第２のエッチング処理は、トーションバ
ー部１３の厚みｔａが所定の高さになるように時間制御
すればよい。したがって、その厚みｔａの寸法精度も高
いものにすることができる。

【００３９】このように、本実施形態によれば、各トー
ションバー部１３の幅Ｗおよび厚みｔａを所望の寸法に
正確に規定することができる。したがって、図１および
図２に示すガルバノミラーＡにおいて、電極１４ａ，２
１ａ間、または電極１４ｂ，２１ｂ間に静電力を発生さ
せることによってミラー形成部１１を各トーションバー
部１３の軸心周りに回転させるときには、各トーション
バー部１３に所望の捩じり抵抗力を発揮させて、ミラー
形成部１１を所定の傾斜角度で正確に停止させることが
可能となる。また、各トーションバー部１３は、ミラー
形成部１１の厚みｔｂとは異なる厚みにすることができ
るために、各トーションバー部１３の捩じり剛性を所定
の値に設定する場合には、各トーションバー部１３の幅
Ｗと厚みｔａとのそれぞれの寸法値を適宜選択すること
により、きめ細かく対応することも可能となる。

【００４０】さらに、本実施形態においては、トーショ
ンバー部１３を形成するに際して、図４（ｆ）に示した
ように、凹溝１０a"の深さが、保護部４の底面を越える
深さとなるようにしているために、トーションバー部１
３の断面を正確な矩形にするのに好ましいものとなる。
すなわち、図面においてはエッチングされた部分の外形
を直線状に表わしているが、ＩＣＰエッチング法を用い
てエッチングされた部分の外形は、厳密には直線状には
ならず、曲線状となる。このため、たとえば図３（ｂ）
に示した凹溝１０a'の底部は、実際には、丸みを帯びた
形状となっている。したがって、図４（ｅ）,(ｆ）に示
す凹溝１０a"の深さが保護部４の底面の高さに丁度一致
する位置となったときに第２のエッチング処理を終了す
ると、トーションバー部１３の下部が凹溝１０a'の底部
の丸みを帯びた形状の影響を受けることとなって、トー
ションバー部１３が正確な断面矩形状にならない虞れが
ある。これに対し、本実施形態においては、凹溝１０a'
を越える高さまでエッチングを行なうために、各トーシ
ョンバー部１３の下部が凹溝１０a'の底部形状の影響を
受けないようにすることができ、各トーションバー部１
３を所望の断面矩形状にすることができるのである。

【００４１】図５は、本願発明に係るガルバノミラーの
他の実施形態を示している。なお、図５以降の図面にお
いては、先の実施形態と同一または類似の要素には、先
の実施形態と同一符号を付している。

【００４２】同図に示すガルバノミラーＡａは、いわゆ
る２軸タイプのものであり、そのミラー基板１Ａは、ミ
ラー形成部１１、このミラー形成部１１を一対の第１の
スリット１０を介して囲む中間枠部１２、この中間枠部
１２にミラー形成部１１を繋ぐ一対の第１のトーション
バー部１３、一対の第２のスリット１０Ａを介して中間
枠部１２を囲む外枠部１２Ａ、およびこの外枠部１２Ａ
に中間枠部１２を繋ぐ一対の第２のトーションバー部１
３Ａを具備している。ミラー形成部１１、中間枠部１
２、および第１のトーションバー部１３は、先の実施形
態に係るガルバノミラーＡの各部と同様な構成である。

【００４３】各第２のスリット１０Ａは、ミラー基板１
Ａの厚み方向に貫通しており、その両端部１０ｂは、各
第１のスリット１０の両端部１０ａが延びる方向とは直
交する方向に延びている。各第２のトーションバー部１
３Ａは、一対の第２のスリット１０Ａの互いに隣り合う
端部１０ｂどうしの間に挟まれている。第１および第２
のトーションバー部１３，１３Ａは、いずれもミラー基
板１の他の部分よりも厚みが小さくされており、第２の
トーションバー部１３Ａの厚みｔｃは、第１のトーショ
ンバー部１３の厚みｔａよりも大きくされている。中間
枠部１２の裏面には、一対の電極１４ｃ，１４ｄが設け
られている。これに対し、電極基板２には、それらの電
極１４ｃ，１４ｄに対応する電極２１ｃ，２１ｄが電極
２１ａ，２１ｂに加えて設けられている。

【００４４】このガルバノミラーＡａは、電極１４ａ，
１４ｂと電極２１ａ，２１ｂとの間に生じる静電力によ
って、ミラー形成部１１を各第１のトーションバー部１
３の軸心周りの矢印Ｎ１方向に回転させることができる
のに加え、電極１４ｃ，１４ｄと電極２１ｃ，２１ｄと
の間に生じる静電力によって、ミラー形成部１１および
中間枠部１２を各第２のトーションバー部１３Ａの軸心
周りの矢印Ｎ２方向にも回転させることができる。

【００４５】上記構成のガルバノミラーＡａのミラー基
板１Ａは、次のようにして製造することができる。ただ
し、この製造方法においては、所定の基板に各第１およ
び第２のスリット１０，１０Ａを形成することにより、
第１および第２のトーションバー部１３，１３Ａが形成
されると同時に、ミラー基板１Ａの他の部分の外形も同
時に形成されるために、以降の説明においては、主とし
て、第１および第２のトーションバー部１３，１３Ａの
形成工程について説明する。

【００４６】まず、図６（ａ）に示すように、基板１ａ
の表面に所定のパターン形状のレジスト層３２を形成し
た後に、同図（ｂ）に示すように、基板１ａに対してそ
の表面側からＩＣＰエッチングを行なう。これにより、
有底状の複数の凹溝１０b'を形成する。各凹溝１０b'
は、第２のスリット１０Ａの端部１０ｂを形成するため
の凹溝であり、互いに隣り合う一対の凹溝１０b'の間に
は、第２のトーションバー部１３Ａの一部１３A'が形成
されている。図面上は省略しているが、各凹溝１０b'の
形成と同時に第２のスリット１０Ａの端部１０ｂ以外の
部分を形成するための凹溝も形成される。

【００４７】次いで、同図（ｃ）に示すように、基板１
ａの表面に、上記したレジスト層３２に代えて、異なる
パターン形状のレジスト層３３を形成する。このレジス
ト層３３は、第１のスリット１０に対応する凹溝を形成
するためのものであり、このレジスト層３３を形成する
ときには、その一部のレジストが各凹溝１０b'の底面に
付着することにより、各凹溝１０b'内には保護部４A が
設けられる。その後は、基板１ａの表面側から再度のエ
ッチングを行い、同図（ｄ）に示すように、凹溝１０a'
を形成する。この凹溝１０a'は、第１のスリット１０の
端部１０ａに対応する凹溝であり、互いに隣り合う一対
の凹溝１０a'の間には、第１のトーションバー部１３の
一部１３’が形成されている。各凹溝１０a'は、各凹溝
１０b'よりも浅い深さとする。なお、この場合にも、図
面上は省略しているが、各凹溝１０a'の形成と同時に第
１のスリット１０の端部１０ａ以外の部分を形成するた
めの凹溝も形成される。

【００４８】各凹溝１０a'の形成後には、図７（ａ）に
示すように、各凹溝１０a'内の底面に保護部４を設け
て、その底面を覆う。その後は、同図（ｆ）に示すよう
に、基板１ａの裏面にレジスト層３４を形成してから、
基板１ａの裏面側からＩＣＰエッチングを施し、各凹溝
１０b'に対向する部分、および第２のトーションバー部
の一部１３A'に対向する部分をエッチングする。その際
のエッチング深さは、保護膜４Ａの中間高さとする。こ
れにより、所定厚みを有する第２のトーションバー部１
３Ａを形成することができる。

【００４９】その後は、同図（ｇ）に示すように、基板
１ａの裏面に、レジスト層３４に代えて、レジスト層３
５を形成してから、基板１ａの裏面側からＩＣＰエッチ
ングを再度施し、各凹溝１０a'に対向する部分および第
１のトーションバー部の一部１３’に対向する部分をエ
ッチングする。その際のエッチング深さは、保護部４の
中間高さとする。これにより、所定厚みを有する第１の
トーションバー部１３の全体をかたち取ることができ
る。その際、第２のトーションバー部１３Ａの下部につ
いては、レジスト層３５の一部をなすレジストによって
覆っておくことにより、この部分が不当にエッチングさ
れないようにすることが可能である。第１のトーション
バー部１３を形成した後には、同図（ｈ）に示すよう
に、保護部４，４Ａおよびレジスト層３４，３５を除去
する。

【００５０】上記した一連の工程によれば、第１および
第２のトーションバー部１３，１３Ａのそれぞれの厚み
を互いに相違させることができ、図５に示した構成のミ
ラー基板１Ａを適切に製造することができる。２軸タイ
プのガルバノミラーＡａにおいては、第２のトーション
バー部１３Ａがミラー形成部１１および中間枠部１２を
支持するために、第２のトーションバー部１３Ａの剛性
を第１のトーションバー部１３の剛性よりも大きくする
必要がある。これに対し、上記した製造工程によれば、
第２のトーションバー部１３Ａを第１のトーションバー
部１３よりも大きな厚みにすることができるために、こ
の厚みの差によって第２のトーションバー部１３Ａの剛
性を第１のトーションバー部１３の剛性よりも大きくす
ることが簡単に行なえることとなる。第１および第２の
トーションバー部１３，１３Ａを形成する際に、保護部
４，４Ａの存在により、それらの両側面が不当にエッチ
ングされないようにできることは先の実施形態と同様で
ある。

【００５１】図８および図９は、上記したミラー基板１
Ａの製造方法の他の例を示している。

【００５２】まず、図８（ａ）に示すように、基板１ａ
の表面にレジスト層３５を形成してから、エッチングを
行なうことにより、有底状の複数の凹溝１０a'，１０b'
を形成する。これらの凹溝１０a'，１０b'は、同時に形
成されるため、その深さは同一である。次いで、同図
（ｂ）に示すように、各凹溝１０a'，１０b'内にレジス
トを充填するなどして保護部４，４Ａを設ける。この場
合、保護部４，４Ａのそれぞれの高さｈ２を比較的高く
しておく。凹溝１０a'，１０b'内の全域を保護部４，４
Ａによって埋め尽くしてもかまわない。

【００５３】その後は、同図（ｃ）に示すように、基板
１ａの裏面にレジスト層３６を形成してから、基板１ａ
の裏面側に対してエッチングを施し、各凹溝１０b'に対
向する部分、および第２のトーションバー部の一部１３
A'に対向する部分をエッチングする。このエッチングに
より、第２のトーションバー部１３の全体をかたち取る
ことができる。その後、図９（ｄ）に示すように、基板
１ａの裏面には、レジスト層３６に代えて、レジスト層
３７を新たにパターン形成する。このレジスト層３７の
一部をなすレジストにより、第２のトーションバー部１
３Ａの下部を覆う。

【００５４】次いで、同図（ｅ）に示すように、基板１
ａの裏面側に対してＩＣＰエッチングを施し、基板１ａ
の裏面側の各凹溝１０a'に対向する部分、および第１の
トーションバー部の一部１３’に対向する部分をエッチ
ングする。このエッチング処理に際しては、そのエッチ
ング深さが、第２のトーションバー部１３Ａの形成時の
エッチング深さよりも深くなるまで行なう。このように
すれば、そのエッチングにより形成される第１のトーシ
ョンバー部１３の厚みを、第２のトーションバー部１３
Ａの厚みよりも小さくすることができる。その後は、同
図（ｆ）に示すように、保護部４，４Ａやレジスト層３
６，３７を基板１ａから除去し、基板１ａに貫通した端
部１０ａ，１０ｂを含む第１および第２のスリット１
０，１０Ａを完成させることができる。

【００５５】上記した一連の工程によっても、第１およ
び第２のトーションバー部１３，１３Ａの厚みを互いに
相違させることができ、図５に示した構成のミラー基板
１を適切に製造することができる。また、上記工程によ
れば、基板１ａの表面に各凹溝１０a'，１０b'を同時に
形成しているために、図６および図７に示したように各
凹溝１０a'，１０b'を別々の工程で形成する場合と比較
すると、全体の作業工程数を少なくし、生産性を高める
ことができる利点が得られる。

【００５６】本願発明の内容は、上述した実施形態に限
定されない。本願発明に係るガルバノミラーの製造方法
の各作業工程の具体的構成は、種々に変更自在である。
本願発明に係るガルバノミラーの製造方法は、ガルバノ
ミラーのミラー基板の形成工程に特徴があり、たとえば
電極基板の製造工程や、電極基板とミラー基板とを接合
するための工程などの内容は一切問うものではない。ま
た同様に、本願発明に係るガルバノミラーの各部の具体
的な構成も、種々に設計変更自在である。

【００５７】たとえば、本願発明に係るガルバノミラー
は、ミラー形成部１１の表裏両面に電極が設けられてい
ることにより、これら表裏の電極のそれぞれを利用した
静電力によってミラー形成部１１が回転する構造とされ
ていてもかまわない。また、本願発明に係るガルバノミ
ラーは、必ずしも静電駆動方式のものとされている必要
もなく、それ以外の圧電力や磁力などによって駆動する
ように構成されていてもかまわない。また、本願発明に
係るガルバノミラーの製造方法で実施されるエッチング
処理は、ＩＣＰエッチングとは異なる方式のエッチング
方法を用いることもできる。

【００５８】

【発明の効果】以上のように、本願発明によれば、トー
ションバー部の設計仕様に多様性をもたせることができ
るとともに、トーションバー部の各部を所望の寸法に正
確に仕上げることができるガルバノミラーが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明に係るガルバノミラーの一実施形態を
示す分解斜視図である。

【図２】図１に示すガルバノミラーの組立状態を示す断
面図である。

【図３】本願発明に係るガルバノミラーの製造方法の一
実施形態の一部の工程を示す断面図である。

【図４】本願発明に係るガルバノミラーの製造方法の一
実施形態の一部の工程を示す断面図である。

【図５】本願発明に係るガルバノミラーの他の実施形態
を示す分解斜視図である。

【図６】本願発明に係るガルバノミラーの製造方法の他
の実施形態の一部の工程を示す断面図である。

【図７】本願発明に係るガルバノミラーの製造方法の他
の実施形態の一部の工程を示す断面図である。

【図８】本願発明に係るガルバノミラーの製造方法の他
の実施形態の一部の工程を示す断面図である。

【図９】本願発明に係るガルバノミラーの製造方法の他
の実施形態の一部の工程を示す断面図である。

【図１０】従来技術を示す断面図である。

【図１１】図１０に示すガルバノミラーのミラー基板を
示す斜視図である。

【符号の説明】

Ａ，Ａａ ガルバノミラー １，１Ａ ミラー基板 １ａ 基板 １０ スリット（第１のスリット） １０Ａ 第２のスリット １０ａ，１０ｂ スリットの端部 １１ ミラー形成部 １２ 枠部（中間枠部） １２Ａ 外枠部 １３ トーションバー部（第１のトーションバー部） １３Ａ 第２のトーションバー部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/135 Ｇ１１Ｂ 7/135 Ａ 7/22 7/22 (72)発明者 上田 知史 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 佐脇 一平 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H041 AA12 AB14 AC06 AZ02 AZ08 2H045 AB16 AB73 5D118 AA06 DC07 5D119 AA38 JA52 NA05

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板にその厚み方向に貫通する複数のス
   リットを形成することにより、ミラー形成部と、このミ
   ラー形成部を上記複数のスリットを介して囲む枠部と、
   この枠部に上記ミラー形成部を繋ぐトーションバー部
   と、を形成する基板処理工程を有している、ガルバノミ
   ラーの製造方法であって、 上記基板処理工程は、 上記基板の片面に有底状の複数の凹溝を設けることによ
   り、上記ミラー形成部、上記枠部および上記トーション
   バー部のそれぞれの一部を形成する第１のエッチング処
   理と、 上記基板の上記片面とは反対の面のうち、上記複数の凹
   溝に対向する部分および上記トーションバー部の一部に
   対向する部分を上記基板の厚み方向にエッチングする第
   ２のエッチング処理と、 この第２のエッチング処理の前において、上記複数の凹
   溝のうち、上記トーションバー部の一部を挟む領域の底
   面を、上記第２のエッチング処理に対する耐食性を備え
   た保護部によって覆う工程と、 を含んでいることを特徴とする、ガルバノミラーの製造
   方法。
2. 【請求項２】 上記第１および第２のエッチング処理
   は、いずれもドライエッチングである、請求項１に記載
   のガルバノミラーの製造方法。
3. 【請求項３】 上記保護部は、上記基板の厚み方向に高
   さを有しており、かつ上記第２のエッチング処理におい
   ては、上記基板のエッチングを上記保護部の中間高さま
   で行なう、請求項１または２に記載のガルバノミラーの
   製造方法。
4. 【請求項４】 基板にその厚み方向に貫通する複数ずつ
   の第１および第２のスリットを形成することにより、ミ
   ラー形成部と、このミラー形成部を上記複数の第１のス
   リットを介して囲む中間枠部と、この中間枠部を上記複
   数の第２のスリットを介して囲む外枠部と、上記ミラー
   形成部を上記中間枠部に繋ぐ第１のトーションバー部
   と、上記中間枠部を上記外枠部に繋ぐ第２のトーション
   バー部と、を形成する基板処理工程を有している、ガル
   バノミラーの製造方法であって、 上記基板処理工程は、 上記基板の片面に有底状の複数ずつの第１および第２の
   凹溝を設けることにより、上記ミラー形成部、上記中間
   枠部、上記外枠部、ならびに上記第１および第２のトー
   ションバー部のそれぞれの一部を形成する第１のエッチ
   ング処理と、 上記基板の上記片面とは反対の面のうち、上記各第１お
   よび第２の凹溝に対向する部分および上記第１および第
   ２のトーションバー部のそれぞれの一部に対向する部分
   を上記基板の厚み方向にエッチングする第２のエッチン
   グ処理と、 この第２のエッチング処理の前において、上記各第１お
   よび第２の凹溝のうち、上記第１および第２のトーショ
   ンバー部のそれぞれの一部を挟む領域の底面を、上記第
   ２のエッチング処理に対する耐食性を備えた保護膜によ
   って覆う工程と、 を含んでいることを特徴とする、ガルバノミラーの製造
   方法。
5. 【請求項５】 上記第１のエッチング処理においては、
   上記各第１の凹溝を形成する工程と、上記各第２の凹溝
   を形成する工程とを別々に行ない、これら第１の凹溝と
   第２の凹溝との深さを相違させる、請求項４に記載のガ
   ルバノミラーの製造方法。
6. 【請求項６】 上記第１のエッチング処理においては、
   上記各第１および第２の凹溝を同時に形成し、かつ、 上記第２のエッチング処理においては、上記第１のトー
   ションバー部を形成するためのエッチングの深さと、上
   記第２のトーションバー部を形成するためのエッチング
   の深さとを互いに相違させる、請求項４に記載のガルバ
   ノミラーの製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載のガ
   ルバノミラーの製造方法を用いて製造されたことを特徴
   とする、ガルバノミラー。