WO2021079607A1 - ミラーデバイスの製造方法 - Google Patents

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WO2021079607A1
WO2021079607A1 PCT/JP2020/031794 JP2020031794W WO2021079607A1 WO 2021079607 A1 WO2021079607 A1 WO 2021079607A1 JP 2020031794 W JP2020031794 W JP 2020031794W WO 2021079607 A1 WO2021079607 A1 WO 2021079607A1
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wafer
mirror device
manufacturing
layer
movable
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PCT/JP2020/031794
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大幾 鈴木
享宏 松本
智行 井出
幹人 高橋
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浜松ホトニクス株式会社
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Definitions

  • This disclosure relates to a method for manufacturing a mirror device.
  • MEMS Micro Electro Mechanical Systems
  • SOI Silicon On Insulator
  • base portion a structure including a movable portion supported by the base portion, a mirror layer provided on the movable portion, and a mirror layer provided on the movable portion.
  • mirror devices are known.
  • the wafer may be washed with a cleaning liquid after the movable portion is released so that the movable portion is movable with respect to the base portion (see, for example, Patent Document 1).
  • An object of the present disclosure is to provide a method for manufacturing a mirror device capable of suppressing the occurrence of damage and the residual foreign matter in the mirror device.
  • the method for manufacturing a mirror device on one aspect of the present disclosure is a method for manufacturing a mirror device including a base portion, a structure including a movable portion supported by the base portion, and a mirror layer provided on the movable portion. Therefore, by removing a part of each of the support layer and the device layer from the wafer by etching after the first step of preparing the wafer having the support layer and the device layer, and after the first step, with respect to the base portion. A second step of forming a slit in the wafer so that the movable part is movable and forming a plurality of parts corresponding to the structure on the wafer, and a wet cleaning of cleaning the wafer with a cleaning liquid after the second step.
  • a third step to be carried out and a fourth step of cutting out each of a plurality of parts from the wafer after the third step are provided.
  • the wafer is placed in a portion of the wafer other than the slit by etching. Form a penetrating flow hole.
  • the wafer in which the movable part is movable with respect to the base part (hereinafter, referred to as "the movable part has been released") is washed with the cleaning liquid.
  • the movable part has been released As a result, foreign matter can be removed from the wafer in which a plurality of movable parts have been released.
  • a flow hole penetrating the wafer is formed in a portion of the wafer other than the slit by etching. Therefore, in the wet cleaning in the third step, it is possible to clean the wafer in which a plurality of movable parts have been released while circulating the cleaning liquid through the flow holes.
  • the load received by the cleaning liquid on the plurality of moving parts can be reduced, and damage to the plurality of moving parts can be suppressed. Therefore, according to this method of manufacturing the mirror device, it is possible to suppress the occurrence of damage and the residual foreign matter in the mirror device.
  • a mirror layer may be formed on a portion of the wafer corresponding to a movable portion. Thereby, the foreign matter adhering to the mirror layer can be removed by the wet cleaning in the third step.
  • the first surface of the wafer surface on which the mirror layer is formed and / or the side opposite to the first surface may be further provided. This makes it possible to prevent foreign matter from being covered by the straightening layer.
  • the protective film is removed to remove the protective film, and after the protective film is removed.
  • Multiple parts may be completed.
  • foreign matter adhering to the wafer when a part of the support layer is removed from the wafer can be removed by removing the protective film in the second step.
  • foreign substances and the like remaining on the wafer can be removed by wet cleaning in the third step.
  • the protective film may be removed by a wet process in removing the protective film.
  • stains or the like may occur due to, for example, unevenness of the device layer.
  • the stains and the like can be removed by wet cleaning in the third step.
  • the patterning member in the second step, may be removed to remove the patterning member, and after the patterning member is removed, a plurality of parts may be completed.
  • the patterning member since the patterning member is removed before the plurality of movable parts are released, it is possible to suppress the occurrence of damage in the mirror device due to the removal of the patterning member.
  • the patterning member may be removed by a wet process in removing the patterning member.
  • a plurality of flow holes may be formed in a portion corresponding to a movable portion.
  • a distribution hole may be formed in a portion corresponding to the base portion.
  • a slit is formed so that the movable portion is supported by the connecting portion at the base portion, and a flow hole is formed in the portion corresponding to the connecting portion. You may.
  • turbulent flow of the cleaning liquid is likely to occur in the vicinity of the connecting portion, so that foreign matter can be reliably removed from the portion corresponding to the connecting portion while maintaining the strength of the connecting portion. ..
  • a flow hole may be formed so that a curved portion is included at least in a part.
  • the flow holes are changed so that the width of the flow holes changes in the direction perpendicular to the thickness direction when viewed from the thickness direction of the wafer. May be formed.
  • turbulent flow of the cleaning liquid is likely to occur, so that foreign matter can be reliably removed from the wafer.
  • the second step when viewed from the thickness direction of the wafer, one side edge of the flow hole and the other side opposite to the one side edge are used.
  • the flow holes may be formed so that the edges have a different shape. As a result, by forming a larger flow hole, a larger amount of cleaning liquid can be circulated through the flow hole in the wet cleaning in the third step. Therefore, foreign matter can be reliably removed from the wafer.
  • a distribution hole may be formed so that a connection portion straddling the distribution hole is formed in the second step.
  • the flow hole in the second step, may be formed so that the flow hole communicates with the slit.
  • the distribution hole may be formed in a portion corresponding to the movable portion so as to include the distribution area.
  • the connection when viewed from the thickness direction, the connection straddling the first distribution area in the direction in which the first distribution area and the second distribution area are lined up.
  • a flow hole may be formed so that the portion is formed.
  • the width of the second distribution region in the direction in which the second distribution region is perpendicular to the thickness direction is thick when viewed from the thickness direction.
  • the flow hole may be formed so as to include a portion smaller than the width of the first flow region in the direction perpendicular to the direction.
  • a slit is formed so that the movable portion is supported by the connecting portion at the base portion, and when viewed from the thickness direction, the first The second distribution area may be formed so that the second distribution area is adjacent to the connecting portion in the direction in which the distribution area and the second distribution area are lined up.
  • FIG. 1 is a plan view of the mirror device of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the mirror device along line II-II shown in FIG.
  • FIG. 3 is a flowchart of a method for manufacturing the mirror device shown in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the mirror device shown in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the mirror device shown in FIG.
  • FIG. 6 is a configuration diagram for explaining the removal of the patterning member and the removal of the protective film in the method of manufacturing the mirror device shown in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the mirror device shown in FIG. FIG.
  • FIG. 8 is a configuration diagram for explaining wet cleaning of the method for manufacturing the mirror device shown in FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the mirror device shown in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the mirror device of the second embodiment.
  • FIG. 11 is a flowchart of a method for manufacturing the mirror device shown in FIG.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the mirror device shown in FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the mirror device shown in FIG.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the mirror device shown in FIG.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the mirror device shown in FIG. FIG.
  • FIG. 16 is a plan view of the mirror device of the third embodiment.
  • FIG. 17 is an enlarged view of the mirror device shown in FIG.
  • FIG. 18 is a plan view of the mirror device of the fourth embodiment.
  • FIG. 19 is a plan view of the mirror device of the modified example.
  • FIG. 20 is a plan view of the mirror device of the modified example.
  • FIG. 21 is a plan view of the mirror device of the modified example.
  • FIG. 22 is a plan view of the mirror device of the modified example.
  • the mirror device 1A of the first embodiment includes a structure 2A, a mirror layer 3, and a straightening layer 4.
  • the mirror device 1A has, for example, a shape that is line-symmetrical with respect to each of the first axis X1 along the X-axis direction and the second axis X2 along the Y-axis direction.
  • the mirror device 1A may have a shape that is point-symmetrical with respect to the intersection of the first axis X1 and the second axis X2.
  • the mirror device 1A may have an asymmetrical shape.
  • the mirror device 1A is a MEMS device, and is used, for example, in an optical switch for optical communication, an optical scanner, and the like.
  • Structure 2A is composed of, for example, an SOI substrate.
  • the structure 2A has a support layer 11, a device layer 12, and an intermediate layer 13.
  • the support layer 11 is a first silicon layer.
  • the device layer 12 is a second silicon layer.
  • the intermediate layer 13 is an insulating layer arranged between the support layer 11 and the device layer 12.
  • the thickness of the support layer 11 is about 100 ⁇ m to 700 ⁇ m
  • the thickness of the device layer 12 is about 20 ⁇ m to 200 ⁇ m
  • the thickness of the intermediate layer 13 is about 50 nm to 3000 nm.
  • Structure 2A has, for example, a rectangular plate shape.
  • the structure 2A has a first surface 2a and a second surface 2b.
  • the first surface 2a is a surface of the device layer 12 opposite to the intermediate layer 13.
  • the second surface 2b is a surface of the structure 2A opposite to the first surface 2a.
  • the second surface 2b includes a surface of the support layer 11 opposite to the intermediate layer 13 and a surface of the device layer 12 opposite to the first surface 2a.
  • the structure 2A is integrally composed of a base portion 21, a first movable portion 22, a second movable portion 23, a pair of first connecting portions 24, and a pair of second connecting portions 25.
  • the base portion 21 is composed of a part of the support layer 11, a part of the device layer 12, and a part of the intermediate layer 13.
  • the base portion 21 has, for example, a rectangular annular shape when viewed from the Z-axis direction (thickness direction of the structure 2A).
  • the base portion 21 has a size of, for example, about 10 mm ⁇ 15 mm when viewed from the Z-axis direction.
  • the first movable portion 22, the second movable portion 23, the first connecting portion 24, and the second connecting portion 25 are composed of a part of the device layer 12.
  • the first movable portion 22 and the second movable portion 23 are supported by the first connecting portion 24 and the second connecting portion 25 at the base portion 21, respectively.
  • the first movable portion 22 and the second movable portion 23 are arranged inside the base portion 21 when viewed from the Z-axis direction.
  • the second movable portion 23 is arranged inside the base portion 21 via the second slit 23a penetrating the structure 2A when viewed from the Z-axis direction.
  • the second movable portion 23 has, for example, a rectangular ring shape when viewed from the Z-axis direction.
  • the second slit 23a extends along the outer edge of the second movable portion 23 when viewed from the Z-axis direction.
  • the end surface 11a of the support layer 11 in the base portion 21, the end surface 12a of the device layer 12 in the base portion 21, and the end surface 13a of the intermediate layer 13 in the base portion 21 are exposed.
  • the second slit 23a is formed to make the second movable portion 23 movable with respect to the base portion 21.
  • the second slit 23a has a minimum width necessary for making the second movable portion 23 movable with respect to the base portion 21.
  • Each second connecting portion 25 is arranged on both sides of the second movable portion 23 in the Y-axis direction when viewed from the Z-axis direction. Each second connecting portion 25 extends linearly along, for example, the Y-axis direction. Each of the second connecting portions 25 is connected to the base portion 21 and the second movable portion 23 so that the second movable portion 23 is movable with respect to the base portion 21. Specifically, each second connecting portion 25 has a second movable portion 23 and a base portion 21 on the second axis X2 so that the second movable portion 23 can swing around the second axis X2. They are connected to each other.
  • the second slit 23a includes portions extending along the Y-axis direction on both sides of each of the second connecting portions 25 in the X-axis direction. That is, each of the second connecting portions 25 is arranged inside the base portion 21 via the second slit 23a.
  • the first movable portion 22 is arranged inside the second movable portion 23 via the first slit 22a penetrating the structure 2A when viewed from the Z-axis direction.
  • the first movable portion 22 has, for example, a rectangular shape when viewed from the Z-axis direction.
  • the first slit 22a extends along the outer edge of the first movable portion 22 when viewed from the Z-axis direction.
  • the first slit 22a is formed to make the first movable portion 22 movable with respect to the base portion 21.
  • the first slit 22a has a minimum width necessary for making the first movable portion 22 movable with respect to the base portion 21.
  • Each first connecting portion 24 is arranged on both sides of the first movable portion 22 in the X-axis direction when viewed from the Z-axis direction. Each first connecting portion 24 extends linearly along, for example, the X-axis direction. Each of the first connecting portions 24 is connected to the second movable portion 23 and the first movable portion 22 so that the first movable portion 22 is movable with respect to the base portion 21. Specifically, each first connecting portion 24 has a first movable portion 22 on the first axis X1 so that the first movable portion 22 can swing around the first axis X1 along the X-axis direction. And the second movable portion 23 are connected to each other.
  • the structure 2A is formed with a plurality of flow holes 21b, 22b, 23b penetrating the structure 2A.
  • the plurality of flow holes 21b, 22b, 23b are formed in a portion of the structure 2A other than the first slit 22a and the second slit 23a.
  • four flow holes 21b are formed in the base portion 21.
  • Each flow hole 21b is located at each corner of the base portion 21 when viewed from the Z-axis direction.
  • the four flow holes 21b are line symmetric with respect to the first axis X1 and the second axis X2.
  • Each flow hole 21b has, for example, a rectangular shape when viewed from the Z-axis direction.
  • Each flow hole 21b penetrates the base portion 21. In each flow hole 21b, the end face 11b of the support layer 11, the end face 12b of the device layer 12, and the end face 13b of the intermediate layer 13 are exposed.
  • the flow hole 21b is larger than each of the flow hole 22b and the flow hole
  • a pair of distribution holes 22b are formed in the first movable portion 22. That is, a plurality of distribution holes 22b are formed for one first movable portion 22.
  • the pair of flow holes 22b are axisymmetric with respect to the second axis X2.
  • Each flow hole 22b has, for example, a semicircular ring shape when viewed from the Z-axis direction.
  • Each flow hole 22b penetrates the first movable portion 22.
  • a pair of distribution holes 23b are formed in the second movable portion 23. That is, a plurality of flow holes 23b are formed for one second movable portion 23.
  • the pair of flow holes 23b are line symmetric with respect to the second axis X2.
  • Each flow hole 23b has, for example, a semi-rectangular ring shape when viewed from the Z-axis direction.
  • Each flow hole 23b extends along the outer edge of the second movable portion 23 when viewed from the Z-axis direction.
  • Each distribution hole 23b penetrates the second movable portion 23.
  • the end face 13a of the intermediate layer 13 is formed so as not to be recessed with respect to both the end face 11a of the support layer 11 and the end face 12a of the device layer 12.
  • the end face 13a of the intermediate layer 13, the end face 11a of the support layer 11, and the end face 12a of the device layer 12 are flush with each other.
  • the end face 13b of the intermediate layer 13 is formed so as not to be recessed with respect to both the end face 11b of the support layer 11 and the end face 12b of the device layer 12.
  • the end face 13b of the intermediate layer 13, the end face 11b of the support layer 11, and the end face 12b of the device layer 12 are flush with each other.
  • the end face of the intermediate layer is not recessed with respect to both the end face of the support layer and the end face of the device layer
  • the end face of the intermediate layer is recessed with respect to both the end face of the support layer and the end face of the device layer.
  • it means a state excluding "a state in which the end face of the intermediate layer is recessed by more than three times the thickness of the intermediate layer from both the end face of the support layer and the end face of the device layer”. Therefore, not only "the end face of the intermediate layer, the end face of the support layer, and the end face of the device layer are flush with each other", but also "the end face of the intermediate layer is recessed with respect to both the end face of the support layer and the end face of the device layer".
  • the end face of the intermediate layer is recessed by 0.5 times the thickness of the intermediate layer from both the end face of the support layer and the end face of the device layer, the end face of the intermediate layer supports it. It can be said that it is not recessed with respect to both the end face of the layer and the end face of the device layer.
  • the end face 13a of the intermediate layer 13 is preferably 3 times or less, more preferably 2 times or less, more preferably 2 times or less the thickness of the intermediate layer 13 with respect to both the end face 11a of the support layer 11 and the end face 12a of the device layer 12. It is recessed by 1 times or less, most preferably 0.5 times or less. In other words, the end face 13a of the intermediate layer 13 preferably exceeds, more preferably twice, the thickness of the intermediate layer 13 with respect to both the end face 11a of the support layer 11 and the end face 12a of the device layer 12. It is not dented more than, more preferably more than 1 time, and most preferably more than 0.5 times.
  • the end face 13b of the intermediate layer 13 is preferably 3 times or less, more preferably 2 times or less the thickness of the intermediate layer 13 with respect to both the end face 11b of the support layer 11 and the end face 12b of the device layer 12. More preferably, it is recessed by 1 times or less, and most preferably by 0.5 times or less. In other words, the end face 13b of the intermediate layer 13 preferably exceeds, more preferably twice, the thickness of the intermediate layer 13 with respect to both the end face 11b of the support layer 11 and the end face 12b of the device layer 12. It is not dented beyond, more preferably more than 1 time, and most preferably more than 0.5 times.
  • the mirror layer 3 is provided on the first movable portion 22. Specifically, the mirror layer 3 is provided in a region of the first surface 2a of the structure 2A corresponding to the first movable portion 22. The mirror layer 3 is arranged inside the pair of flow holes 22b when viewed from the Z-axis direction. The mirror layer 3 has, for example, a circular shape when viewed from the Z-axis direction. The mirror layer 3 is arranged with the intersection of the first axis X1 and the second axis X2 as the center position (center of gravity position).
  • the mirror layer 3 is composed of, for example, a reflective film made of aluminum, an aluminum-based alloy, silver, a silver-based alloy, gold, a dielectric multilayer film, or the like.
  • the straightening layer 4 is formed on the entire second surface 2b. Specifically, the straightening layer 4 is formed on the surface of the support layer 11 opposite to the intermediate layer 13 in the base portion 21. The straightening layer 4 is formed on the surface of the device layer 12 opposite to the mirror layer 3 in the first movable portion 22, the second movable portion 23, each first connecting portion 24, and each second connecting portion 25. ing. The straightening layer 4 corrects warpage and the like of the first movable portion 22, the second movable portion 23, each of the first connecting portions 24, and each of the second connecting portions 25.
  • the straightening layer 4 is made of a material such as silicon oxide or silicon nitride.
  • the straightening layer 4 may be, for example, a metal thin film such as aluminum.
  • the thickness of the straightening layer 4 is, for example, about 10 nm to 1000 nm.
  • the mirror device 1A further includes a first coil 221 and a second coil 231.
  • the first coil 221 is embedded in, for example, the first movable portion 22, and when viewed from the Z-axis direction, the first coil 221 spirals outside the pair of flow holes 22b (the outer edge portion of the first movable portion 22). It is extending.
  • the second coil 231 is embedded in, for example, the second movable portion 23, and when viewed from the Z-axis direction, the second coil 231 spirals outside the pair of flow holes 23b (the outer edge portion of the second movable portion 23). It is extending.
  • the first coil 221 and the second coil 231 are made of a metal material such as copper. In FIG. 2, the first coil 221 and the second coil 231 are not shown.
  • the first movable portion 22 provided with the mirror layer 3 is swung around the first axis X1 and the second axis X2 that are orthogonal to each other.
  • a drive signal for linear operation is input to the second coil 231 via an electrode pad (not shown) and wiring (not shown) provided in the structure 2A, a magnetic field generator (not shown). ) Is generated, and a Lorentz force acts on the second coil 231.
  • the mirror layer 3 (first movable portion 22) can be linearly operated together with the second movable portion 23 around the second axis X2. it can.
  • the mirror layer 3 (first movable portion 22) can be resonated around the first axis X1.
  • a wafer 10W having a support layer 11, a device layer 12, and an intermediate layer 13 is prepared (step S1, first step).
  • the wafer 10W has a front surface (first surface) 10a and a back surface (second surface) 10b opposite to the front surface 10a.
  • the surface 10a is a surface to be the first surface 2a of the structure 2A.
  • the wafer 10W includes a plurality of portions 11W, each of which is a structure 2A.
  • the portion 11W is a part of the wafer 10W before the structure 2A is formed.
  • Each step of the manufacturing method of the mirror device 1A is carried out at the wafer level.
  • FIG. 5, FIG. 7 and FIG. 9 one portion 11W of the wafer 10W is shown.
  • the description will be given focusing on one portion 11W of the wafer 10W.
  • the first movable portion 22 and the second movable portion 23 are movable with respect to the base portion 21.
  • a first slit 22a and a second slit 23a are formed on the wafer 10W, and a plurality of portions 12WA (see FIG. 7B), each of which corresponds to the structure 2A, are formed on the wafer 10W (second step).
  • the portion 12WA is a part of the wafer 10W on which the structure 2A is formed.
  • a part of the device layer 12 is removed from the wafer 10W by etching (step S2).
  • the portions of the device layer 12 corresponding to the first slit 22a, the second slit 23a, and the flow holes 21b, 22b, 23b are removed.
  • the end face 12a and the end face 12b of the device layer 12 are formed.
  • the device layer 12 is provided with electrode pads, wiring, and the like for inputting drive signals to the first coil 221 and the second coil 231 and the first coil 221 and the second coil 231.
  • the mirror layer 3 is formed on the portion of the surface 10a of the wafer 10W corresponding to the first movable portion 22.
  • the mirror layer 3 is formed, for example, by vapor deposition of metal.
  • the patterning member used for removing the device layer 12 is removed from the wafer 10W by removing the patterning member (details will be described later) for removing the patterning member.
  • the back surface 10b of the wafer 10W is polished (step S3).
  • the wafer 10W is thinned by polishing the back surface 10b.
  • the back surface 10b of the polished wafer 10W is a surface that becomes a part of the second surface 2b of the structure 2A.
  • the patterning member 19 is patterned on the back surface 10b of the wafer 10W (step S4). Specifically, the patterning member 19 is provided in a region of the back surface 10b corresponding to the base portion 21 and excluding the region corresponding to the distribution hole 21b.
  • the patterning member 19 is, for example, a resist or the like.
  • a part of the support layer 11 is removed from the wafer 10W by etching via the patterning member 19 (step S5). Specifically, the portion of the support layer 11 inside the portion corresponding to the base portion 21 and the portion corresponding to the flow hole 21b are removed.
  • step S5 a part of the support layer 11 is removed from the wafer 10W so that the end face 11a and the end face 11b of the support layer 11 are flush with the end face 12a and the end face 12b of the device layer 12, respectively.
  • a part of the support layer 11 is removed by, for example, reactive ion etching (DRIE) using a Bosch process.
  • DRIE reactive ion etching
  • step S5 when a part of the support layer 11 is removed from the wafer 10W, for example, a polymer or the like is used as the protective film.
  • the patterning member is removed and the protective film is removed (step S6).
  • the patterning member removal is a step for removing (peeling) the patterning member 19 from the back surface 10b of the wafer 10W.
  • a part of the support layer 11 is removed from the wafer 10W, and then the patterning member 19 is removed by a wet process.
  • a plurality of wafers 10W are set in the carrier 50 having a box shape.
  • a plurality of grooves (not shown) arranged at predetermined intervals along the Z-axis direction are formed on the inner wall surface of the carrier 50.
  • the groove extends along the XY plane.
  • a plurality of wafers 10W are arranged along the Z-axis direction (thickness direction of the wafer 10W) by fitting each wafer 10W into each groove. That is, another wafer 10W having the same structure as the wafer 10W is arranged on one side and the other side of the wafer 10W in the Z-axis direction.
  • a second region R2 is formed between the wafer 10W adjacent to each other and the other wafer 10W.
  • the patterning member 19 is removed in a state where the patterning member removing liquid is present in the second region R2.
  • the plurality of wafers 10W and the other wafers 10W are immersed in the patterning member removing liquid in a state where the plurality of wafers 10W and the other wafers 10W are set in the carrier 50.
  • the patterning member removing liquid is stored in, for example, a pool.
  • the plurality of wafers 10W and the other wafers 10W are immersed in the patterning member removing liquid so that the direction of the opening of the carrier 50 is the same as the direction of the liquid surface of the patterning member removing liquid.
  • the patterning member removing solution is a chemical solution or the like for removing the patterning member 19 from the wafer 10W.
  • the plurality of wafers 10W are placed along the X-axis direction (the thickness direction of the wafer 10W and the direction intersecting the liquid surface of the patterning member removing liquid). Reciprocate (swing).
  • the reciprocating movement of the plurality of wafers 10W is carried out by reciprocating the carrier 50.
  • a plurality of wafers 10W are reciprocated at a second speed for a second time.
  • "Reciprocating speed" means the number of reciprocating movements per unit time.
  • the second speed is, for example, about 70 times / minute.
  • the second time is, for example, about 40 minutes.
  • the second time is the accumulation of time for reciprocating a plurality of wafers 10W at the second speed.
  • the type of the patterning member removing liquid may be changed, or the reciprocating motion of the plurality of wafers 10W may be temporarily stopped.
  • a plurality of wafers 10W are immersed in, for example, water for a predetermined time.
  • a second spin drying for drying the wafer 10W is performed.
  • the wafer 10W is dried by rotating the wafer 10W at the second rotation speed for a fourth time.
  • the patterning member removal is performed, the patterning member 19 is removed from the wafer 10W as shown in FIG. 7A.
  • the protective film removal is a step for removing the polymer or the like used as the protective film in step S5 from the wafer 10W.
  • the protective film removing solution is a chemical solution or the like for removing a polymer or the like from the wafer 10W.
  • step S7 a part of the intermediate layer 13 is removed from the wafer 10W by etching. Specifically, the portion of the intermediate layer 13 inside the portion corresponding to the base portion 21 and the portion corresponding to the flow hole 21b are removed. As a result, the first slit 22a and the second slit 23a are formed. At this time, the end face 13a of the intermediate layer 13 is formed.
  • step S7 the first slit 22a and the second slit 23a are formed in the wafer 10W so that the first movable portion 22 and the second movable portion 23 are movable with respect to the base portion 21, and each of them is a structure.
  • a plurality of portions 12WA corresponding to 2A are formed on the wafer 10W to complete the plurality of portions 12WA. That is, the plurality of first movable portions 22 and the plurality of second movable portions 23 are released.
  • “Release” means to change the first movable portion or the second movable portion from the fixed state to the movable state with respect to the base portion.
  • step S7 the first slit 22a and the second movable portion 22a and the second movable portion 23 are supported by the first connecting portion 24 and the second connecting portion 25 at the base portion 21, respectively.
  • the slit 23a is formed.
  • step S7 by removing a part of the intermediate layer 13 from the wafer 10W, a plurality of wafers 10W penetrating the wafer 10W through portions other than the first slit 22a and the second slit 23a. 21b, 22b, 23b are formed. Specifically, in step S7, a distribution hole 21b penetrating the wafer 10W is formed in the portion of the wafer 10W corresponding to the base portion 21, and the wafer 10W is penetrated in the portion corresponding to the first movable portion 22. The flow hole 22b is formed, and the flow hole 23b penetrating the wafer 10W is formed in the portion corresponding to the second movable portion 23. At this time, the end face 13b of the intermediate layer 13 is formed.
  • step S7 etching is performed so that the end face 13a of the intermediate layer 13 is not recessed with respect to both the end face 11a of the support layer 11 and the end face 12a of the device layer 12. In step S7, etching is performed so that the end surface 13a of the intermediate layer 13 is flush with the end surface 11a of the support layer 11 and the end surface 12a of the device layer 12. Similarly, in step S7, etching is performed so that the end surface 13b of the intermediate layer 13 is not recessed with respect to both the end surface 11b of the support layer 11 and the end surface 12b of the device layer 12.
  • step S7 etching is performed so that the end surface 13b of the intermediate layer 13 is flush with the end surface 11b of the support layer 11 and the end surface 12b of the device layer 12.
  • step S7 a part of the intermediate layer 13 is removed from the wafer 10W by anisotropic etching.
  • step S7 a part of the intermediate layer 13 is removed from the wafer 10W by dry etching.
  • wet cleaning is cleaning for removing foreign matter and the like adhering to the wafer 10W.
  • the wafer 10W is cleaned with a cleaning liquid (not shown).
  • a plurality of wafers 10W and a plurality of dummy wafers (monitor wafers) 20W are set in the carrier 60 having a box shape.
  • the thickness of the dummy wafer 20W is, for example, about 625 ⁇ m.
  • a plurality of grooves (not shown) arranged at predetermined intervals along the Z-axis direction are formed on the inner wall surface of the carrier 60.
  • the groove extends along the XY plane.
  • a plurality of wafers 10W and a plurality of dummy wafers 20W are alternately arranged along the Z-axis direction (thickness direction of the wafer 10W and the dummy wafer 20W). Place in. That is, dummy wafers 20W are arranged on one side and the other side of the wafer 10W in the Z-axis direction.
  • a first region R1 is formed between the wafer 10W adjacent to each other and the dummy wafer 20W. The width of the first region R1 in the Z-axis direction is larger than the width of the second region R2 in the Z-axis direction.
  • the wafer 10W is washed with the cleaning liquid present in the first region R1.
  • the plurality of wafers 10W and the plurality of dummy wafers 20W are immersed in the cleaning liquid in a state where the plurality of wafers 10W and the plurality of dummy wafers 20W are set in the carrier 60.
  • the cleaning liquid is stored in, for example, a pool.
  • the plurality of wafers 10W and the plurality of dummy wafers 20W are immersed in the cleaning liquid so that the direction of the opening of the carrier 60 is the same as the direction of the liquid level of the cleaning liquid.
  • the cleaning solution is a chemical solution or the like for removing foreign substances or the like from the wafer 10W.
  • the plurality of wafers 10W and the plurality of dummy wafers 20W immersed in the cleaning liquid, the plurality of wafers 10W and the plurality of wafers 10W along the X-axis direction (the thickness direction of the wafer 10W and the direction intersecting the liquid surface of the cleaning liquid).
  • the dummy wafer 20W is reciprocated (oscillated).
  • the reciprocating movement of the plurality of wafers 10W and the plurality of dummy wafers 20W is carried out by reciprocating the carrier 60.
  • a plurality of wafers 10W and a plurality of dummy wafers 20W are reciprocated at the first speed for the first hour.
  • the load applied to the wafer 10W in the wet cleaning in step S8 is smaller than the load applied to the wafer 10W in the removal of the patterning member in step S6. That is, the strength of the wet cleaning in step S8 is smaller than the strength of removing the patterning member in step S6.
  • the load applied to the wafer 10W in the wet cleaning in step S8 is smaller than the load applied to the wafer 10W in the protective film removal in step S6. That is, the strength of the wet cleaning in step S8 is smaller than the strength of removing the protective film in step S6.
  • the "load applied to the wafer” refers to the magnitude of the mechanical work (energy) applied to the wafer. For example, in the wet cleaning in step S8, the higher the speed at which the wafer 10W is reciprocated, the greater the load applied to the wafer 10W. Further, for example, in the wet cleaning in step S8, the longer the time for reciprocating the wafer 10W, the greater the load applied to the wafer 10W.
  • the first speed is smaller than the second speed.
  • the first speed is, for example, about 40 times / minute.
  • the first hour is shorter than the second hour.
  • the first time is, for example, about 20 minutes.
  • the first time is the accumulation of time for reciprocating the plurality of wafers 10W and the plurality of dummy wafers 20W at the first speed.
  • wet cleaning for example, the type of cleaning liquid may be changed, or the reciprocating motion of the plurality of wafers 10W and the plurality of dummy wafers 20W may be temporarily stopped.
  • wet cleaning after cleaning the wafer 10W with a cleaning liquid, a plurality of wafers 10W and a plurality of dummy wafers 20W are immersed in, for example, water for a predetermined time.
  • the first spin drying for drying the wafer 10W is performed.
  • the wafer 10W is rotated at the first rotation speed for a third time.
  • the load applied to the wafer 10W in the first spin drying in step S8 is smaller than the load applied to the wafer 10W in the second spin drying in step S6. That is, the strength of the first spin drying in step S8 is smaller than the strength of the second spin drying in step S6.
  • the larger the rotation speed at which the wafer 10W is rotated the greater the load applied to the wafer 10W.
  • the first rotation speed is smaller than the second rotation speed.
  • the first rotation speed is, for example, about 200 rpm.
  • the third time is, for example, about 5 minutes.
  • the straightening layer 4 is formed on the back surface 10b of the surface of the wafer 10W opposite to the surface 10a on which the mirror layer 3 is formed (step S9, Fifth step).
  • the straightening layer 4 is formed on the surface of each of the support layer 11 and the device layer 12 opposite to the mirror layer 3.
  • each of the plurality of portions 12WA is cut out from the wafer 10W (step 10, fourth step). As a result, a plurality of mirror devices 1A are manufactured.
  • step S8 the wafer 10W on which the plurality of first movable portions 22 and the second movable portion 23 are released is washed with the cleaning liquid.
  • foreign matter can be removed from the released wafer 10W by the plurality of first movable portions 22 and the second movable portion 23.
  • the wafer 10W to which the plurality of first movable portions 22 and the second movable portion 23 have been released is washed by the wet cleaning in step S8, the plurality of first movable portions 22 and the second movable portion 23 are likely to be damaged.
  • step S7 (second step) the flow holes 21b, 22b, and 23b penetrating the wafer 10W are formed in the portions of the wafer 10W other than the first slit 22a and the second slit 23a by etching.
  • the wafer 10W in which the plurality of first movable portions 22 and the second movable portion 23 have been released can be cleaned while the cleaning liquid is circulated through the flow holes 21b, 22b, 23b. .. Therefore, the load received by the plurality of first movable portions 22 and the second movable portion 23 by the cleaning liquid can be reduced, and damage to the plurality of first movable portions 22 and the second movable portion 23 can be suppressed.
  • the cleaning liquid can be easily distributed between one side and the other side of the wafer 10W in the Z-axis direction through the flow holes 21b, 22b, 23b. Therefore, the cleaning efficiency by wet cleaning is improved.
  • step S2 the mirror layer 3 is formed in the portion of the wafer 10W corresponding to the first movable portion 22.
  • the foreign matter adhering to the mirror layer 3 can be removed by the wet cleaning in step S8.
  • the method for manufacturing the mirror device 1A includes step S9 for forming the straightening layer 4 on the back surface 10b of the wafer 10W between steps S8 and S10. As a result, it is possible to prevent the foreign matter from being covered by the straightening layer 4.
  • step S6 after removing a part of the support layer 11 from the wafer 10W, the protective film is removed to remove the protective film, and after the protective film is removed, a plurality of protective films are removed. Part 12WA is completed. Further, in the method for manufacturing the mirror device 1A, in the protective film removal in step S6, the protective film is removed by a wet process. When a part of the support layer 11 is removed from the wafer 10W, a polymer or the like is used as the protective film as described above. The polymer may remain on the wafer 10W after a part of the support layer 11 is removed from the wafer 10W.
  • the wafer 10W has an uneven shape by removing a part of the device layer 12 from the wafer 10W, and that a part of the intermediate layer 13 has not been removed from the wafer 10W yet.
  • the protective film removing liquid may remain on the surface of the mirror layer 3 formed on the wafer 10W.
  • the remaining protective film removing liquid dries, stains may occur. If the polymer, stains, etc. remain on the wafer 10W, the presence of the polymer, stains, etc. may cause a poor appearance of the mirror device 1A, and the yield may decrease.
  • the polymer (foreign matter) remaining on the wafer 10W can be removed by removing the protective film. Further, when the protective film is removed, stains (foreign matter) remaining on the wafer 10W can be removed by wet cleaning in step S8. As a result, it is possible to suppress a decrease in yield due to poor appearance of the mirror device 1A.
  • step S6 the patterning member is removed to remove the patterning member 19, and after the patterning member is removed, a plurality of portions 12WA are completed.
  • the patterning member 19 is removed before the plurality of first movable portions 22 and the second movable portion 23 are released, so that it is possible to suppress the occurrence of damage in the mirror device 1A due to the removal of the patterning member. ..
  • the patterning member 19 is removed by a wet process. As a result, the patterning member 19 is removed before the plurality of first movable portions 22 and the second movable portion 23 are released. Therefore, even if the patterning member 19 is removed by the wet process, damage occurs in the mirror device 1A. Can be suppressed.
  • step S7 a plurality of flow holes 22b and a plurality of flow holes 23b are formed in the portions corresponding to the first movable portion 22 and the second movable portion 23, respectively.
  • turbulent flow of the cleaning liquid is likely to occur in the vicinity of the first movable portion 22 and the second movable portion 23, so that the portion corresponding to the first movable portion 22 and the second movable portion 23.
  • Foreign matter can be reliably removed from.
  • foreign matter can be reliably removed from the mirror layer 3.
  • step S7 the distribution hole 21b is formed in the portion corresponding to the base portion 21.
  • the wet cleaning in step S8 a larger amount of cleaning liquid can be circulated through the flow holes 21b in addition to the flow holes 22b and 23b. Therefore, the load received on the wafer 10W by the cleaning liquid can be more reliably reduced, and the occurrence of damage on the wafer 10W can be more reliably suppressed. In addition, the cleaning efficiency by wet cleaning is surely improved.
  • the mirror device 1B of the second embodiment is mainly different from the mirror device 1A of the first embodiment in that the beam portion 5 is provided instead of the straightening layer 4. Since the other parts of the mirror device 1B are the same as those of the mirror device 1A, detailed description thereof will be omitted.
  • the structure 2B of the mirror device 1B includes a plurality of beam portions 5.
  • the beam portion 5 is composed of a part of the support layer 11 and the intermediate layer 13.
  • the beam portion 5 is provided on the first movable portion 22.
  • the beam portion 5 is provided on the surface of the device layer 12 opposite to the mirror layer 3.
  • the beam portion 5 extends linearly along, for example, the Y-axis direction.
  • the plurality of beam portions 5 are arranged at predetermined intervals along the X-axis direction.
  • the plurality of beam portions 5 may be arranged so as to exhibit, for example, radial directions when viewed from the Z-axis direction.
  • the structure 2B may include one beam portion 5.
  • the beam portion 5 may have an annular shape when viewed from the Z-axis direction, for example.
  • the beam portion 5 may have a cylindrical shape.
  • the beam portion 5 may have various shapes.
  • the beam portion 5 is provided to reinforce the structure 2B.
  • the end surface 11c of the support layer 11 is formed so as not to be recessed with respect to the end surface 13c of the intermediate layer 13.
  • the end face 11c of the support layer 11 and the end face 13c of the intermediate layer 13 are flush with each other.
  • the end face 11c of the support layer 11 and the end face 13c of the intermediate layer 13 are located inside the end face (end face forming the flow hole 22b) 22c of the first movable portion 22. ..
  • the manufacturing method of the mirror device 1B is mainly different from the manufacturing method of the mirror device 1A of the first embodiment in that the beam portion 5 is formed instead of the straightening layer 4. Since the other methods of manufacturing the mirror device 1B are the same as the method of manufacturing the mirror device 1A of the first embodiment, detailed description thereof will be omitted.
  • a wafer 10W is prepared (step S21, first step) in the same manner as in step S1 of the first embodiment (see (a) of FIG. 4). Subsequently, as in the first embodiment, by removing a part of each of the support layer 11, the device layer 12, and the intermediate layer 13 from the wafer 10W by etching, the first movable portion 22 and the first movable portion 22 with respect to the base portion 21 A first slit 22a and a second slit 23a are formed in the wafer 10W so that the second movable portion 23 is movable, and a plurality of portions 12WB (see FIG. 15A), each of which corresponds to the structure 2B, are wafers.
  • step S2 of the first embodiment a part of the device layer 12 is removed from the wafer 10W by etching, and the first coil 221 and the second coil 231 are provided on the device layer 12, the electrode pad, the wiring, and the like.
  • the mirror layer 3 is formed on the surface 10a of the wafer 10W (step S22).
  • step S23 the back surface 10b of the wafer 10W is polished in the same manner as in step S3 of the first embodiment (see FIG. 4B) (step S23).
  • the patterning member 29 is patterned on the back surface 10b of the wafer 10W in the same manner as in step S4 of the first embodiment (step S24).
  • a part of the support layer 11 is removed from the wafer 10W by etching via the patterning member 29 (step S25).
  • step S25 only a part of the support layer 11 in the thickness direction is removed.
  • Others in step S25 are the same as in step S5 of the first embodiment.
  • the patterning member is removed and the protective film is removed in the same manner as in step S6 (see FIG. 6) of the first embodiment (step S26).
  • the patterning member removal is performed, the patterning member 29 is removed from the wafer 10W as shown in FIG. 13A.
  • the patterning member 39 is patterned on the back surface 10b of the wafer 10W (step S27). Specifically, the patterning member 39 is provided in a region of the back surface 10b corresponding to the base portion 21 excluding the region corresponding to the distribution hole 21b and a region of the back surface 10b corresponding to the beam portion 5.
  • a part of the support layer 11 is removed from the wafer 10W by etching via the patterning member 39 (step S28). Specifically, the portion of the support layer 11 inside the portion corresponding to the base portion 21 excluding the portion corresponding to the beam portion 5 and the portion corresponding to the flow hole 21b are removed. .. As a result, the end face 11c of the support layer 11 is formed.
  • the patterning member is removed again (step S29).
  • the patterning member 39 is removed from the wafer 10W as shown in FIG. 14 (b).
  • a part of the intermediate layer 13 is removed from the wafer 10W by etching (step S30). Specifically, the portion of the intermediate layer 13 inside the portion corresponding to the base portion 21 excluding the portion corresponding to the beam portion 5 and the portion corresponding to the flow hole 21b are removed. .. As a result, the end face 13c of the intermediate layer 13 is formed.
  • step S30 etching is performed so that the end surface 13c of the intermediate layer 13 does not dent with respect to the end surface 11c of the support layer 11.
  • step S30 etching is performed so that the end surface 13c of the intermediate layer 13 is flush with the end surface 11c of the support layer 11.
  • wet cleaning is performed in the same manner as in step S8 (see FIG. 8) of the first embodiment (step S31, third step).
  • step S31 wet cleaning is performed in the same manner as in step S8 (see FIG. 8) of the first embodiment (step S31, third step).
  • step S31 wet cleaning is performed in the same manner as in step S8 (see FIG. 8) of the first embodiment (step S31, third step).
  • step S31 wet cleaning is performed in the same manner as in step S8 (see FIG. 8) of the first embodiment (step S31, third step).
  • step S31 wet cleaning is performed in the same manner as in step S8 (see FIG. 8) of the first embodiment (step S31, third step).
  • the method for manufacturing the mirror device 1B it is possible to suppress the occurrence of damage and the residual foreign matter in the mirror device 1B, similarly to the method for manufacturing the mirror device 1A of the first embodiment described above. ..
  • step S30 (second step) etching is performed so that the end face 13c of the intermediate layer 13 does not dent with respect to the end face 11c of the support layer 11. Therefore, the beam portion 5 is less likely to be peeled off from the first movable portion 22. If the end surface 13c of the intermediate layer 13 is recessed with respect to the end surface 11c of the support layer 11, the beam portion 5 may be peeled off from the first movable portion 22, and as a result, the structure 2B may be damaged. Here, since the beam portion 5 is less likely to be peeled off from the first movable portion 22, damage to the structure 2B is suppressed. Since the wet cleaning is performed in step S31 after step S30, it is particularly important that the beam portion 5 is less likely to be peeled off from the first movable portion 22.
  • the distribution hole 22b includes the first distribution region 22d and the second distribution region 22e, and the distribution hole 23b communicates with the first slit 22a. It is mainly different from the mirror device 1A of the first embodiment in that the flow hole 25b is formed in the second connecting portion 25. A detailed description of the portion of the mirror device 1C that is similar to that of the mirror device 1A will be omitted.
  • the first movable portion 22 of the structure 2C has, for example, an N-angle shape (N is a natural number of 4 or more) when viewed from the Z-axis direction. N is preferably a natural number of 5 or more.
  • the first movable portion 22 has, for example, an octagonal shape when viewed from the Z-axis direction.
  • the first movable portion 22 may have a circular shape, for example, when viewed from the Z-axis direction.
  • the second connecting portion 25 is arranged on both sides of the second movable portion 23 in the X-axis direction.
  • the distribution hole 22b formed in the first movable portion 22 includes a first distribution region 22d and a plurality of second distribution regions 22e.
  • the first distribution region 22d extends along the outer edge of the first movable portion 22 when viewed from the Z-axis direction.
  • the first distribution region 22d has, for example, an annular shape when viewed from the Z-axis direction.
  • a plurality of connecting portions 26 straddling the first distribution region 22d are formed in the first movable portion 22. As a result, the first distribution region 22d is divided into a plurality of regions arranged along the outer edge of the first movable portion 22.
  • the connecting portions 26 are arranged in the circumferential direction of the first distribution region 22d when viewed from the Z-axis direction.
  • the plurality of second distribution regions 22e are located outside the first distribution region 22d when viewed from the Z-axis direction.
  • the plurality of second distribution regions 22e are arranged along the outer edge of the first movable portion 22 when viewed from the Z-axis direction.
  • Each second distribution region 22e extends along the outer edge (each side of the octagon) of the first movable portion 22 when viewed from the Z-axis direction.
  • the first distribution region 22d and the second distribution region 22e are adjacent to each other in the direction perpendicular to the Z-axis direction.
  • the direction perpendicular to the Z-axis direction means a direction along the direction from the inside of the first distribution area to the outside of the first distribution area when viewed from the Z-axis direction.
  • the direction perpendicular to the Z-axis direction is a direction perpendicular to the outer edge of the first movable portion 22 when viewed from the Z-axis direction.
  • the direction perpendicular to the Z-axis direction is the radial direction of the first movable portion 22 when viewed from the Z-axis direction.
  • the direction perpendicular to the Z-axis direction is referred to as a "diameter direction".
  • the width of the second distribution region 22e in the radial direction is smaller than the width of the first distribution region 22d in the radial direction.
  • the second distribution region 22e may include a portion whose width in the radial direction is smaller than the width of the first distribution region 22d in the radial direction.
  • the second distribution region 22e may include a portion whose width in the radial direction is equal to or larger than the width of the first distribution region 22d in the radial direction.
  • the distribution hole (distribution auxiliary region) 23b formed in the second movable portion 23 communicates with the first slit 22a.
  • the flow hole 23b is formed by a part of the first slit 22a expanding toward the side opposite to the first movable portion 22 in the X-axis direction.
  • the region formed by the first slit 22a and the flow hole 23b has, for example, a rectangular outer shape when viewed from the Z-axis direction.
  • the boundary line between the flow hole 23b and the first slit 22a is shown by a dotted line.
  • a pair of flow holes 25b are formed in each of the second connecting portions 25. In each second connecting portion 25, the pair of flow holes 25b are arranged in the Y-axis direction. Each distribution hole 25b penetrates the second connecting portion 25.
  • the inner portion of the first distribution region 22d of the first movable portion 22 constitutes the main body portion 30.
  • the outer portion of the first movable portion 22 of the first distribution region 22d constitutes the annular portion 40.
  • the main body 30 has a circular shape in a plan view, but may be formed in any shape such as an elliptical shape, a quadrangular shape, and a diamond shape.
  • the center of the main body 30 in a plan view coincides with the intersection of the first axis X1 and the second axis X2.
  • the annular portion 40 is formed in an annular shape so as to surround the main body portion 30 via the first distribution region 22d in a plan view.
  • the annular portion 40 has, for example, an octagonal outer edge and inner edge in a plan view.
  • the plurality of connecting portions 26 connect the main body portion 30 and the annular portion 40 to each other.
  • the annular portion 40 has a pair of first portions 41, a pair of second portions 42, and two pairs of third portions (inclined portions) 43.
  • the pair of first portions 41 are located on both sides of the main body portion 30 in the X-axis direction. Each first portion 41 extends along the Y-axis direction.
  • the pair of second portions 42 are located on both sides of the main body portion 30 in the Y-axis direction. Each second portion 42 extends along the X-axis direction.
  • the two pairs of third portions 43 are located between the first portion 41 and the second portion 42, respectively, and are connected to the first portion 41 and the second portion 42, respectively.
  • Each third portion 43 extends along a direction intersecting the X-axis direction and the Y-axis direction. Each third portion 43 diagonally intersects the center line (first axis line X1) of the first connecting portion 24 and the second connecting portion 25.
  • each third portion 43 is formed as compared with the case where the annular portion 40 exhibits, for example, a rectangular annular shape. It can be brought closer to the first axis X1. Therefore, by concentrating the mass of the first movable portion 22 in the region close to the first axis X1, the moment of inertia of the first movable portion 22 around the first axis X1 can be reduced. In other words, when the first movable portion 22 has an N-angle shape when viewed from the Z-axis direction, the larger N is, the closer the first movable portion 22 is to the region closer to the first axis X1. By concentrating the mass, the moment of inertia of the first movable portion 22 around the first axis X1 can be reduced. As a result, the driving power for driving the first movable portion 22 can be reduced.
  • a second distribution area 22e is formed in each first portion 41.
  • Each first portion 41 has a first frame portion 41a on the side opposite to the main body portion 30 with respect to the second distribution region 22e, and a first frame portion 41a on the side opposite to the first frame portion 41a with respect to the second distribution region 22e. It has two frame portions 41b.
  • the first frame portion 41a is a portion outside the second distribution region 22e in the first movable portion 22.
  • the second frame portion 41b is a portion of the first movable portion 22 between the first distribution region 22d and the second distribution region 22e.
  • the first frame portion 41a and the second frame portion 41b extend along the second distribution region 22e.
  • the width D1 of the first frame portion 41a in the radial direction is substantially the same as the width D2 of the second frame portion 41b in the radial direction.
  • the second distribution region 22e is arranged so as to be line-symmetric with respect to the first axis X1. That is, in each first portion 41, the second distribution region 22e is formed at a position adjacent to the first connecting portion 24 on the center line of the first connecting portion 24 and the second connecting portion 25.
  • the portion in the vicinity of the second distribution region 22e in the first portion 41 is locally located.
  • the stress is suppressed from being transmitted to the main body 30 of the first movable portion 22.
  • distortion of the mirror layer 3 and the like can be suppressed.
  • a second distribution area 22e is formed in each second portion 42.
  • Each second portion 42 has a first frame portion 42a on the side opposite to the main body portion 30 with respect to the second distribution region 22e, and a second portion 42a on the side opposite to the first frame portion 42a with respect to the second distribution region 22e. It has two frame portions 42b and.
  • the first frame portion 42a is a portion outside the second distribution region 22e in the first movable portion 22.
  • the second frame portion 42b is a portion of the first movable portion 22 between the first distribution region 22d and the second distribution region 22e.
  • the first frame portion 42a and the second frame portion 42b extend along the second distribution area 22e.
  • the width D3 of the first frame portion 42a in the radial direction is larger than the width D4 of the second frame portion 42b in the radial direction.
  • the second distribution region 22e is formed at a position separated from the center lines of the first connecting portion 24 and the second connecting portion 25.
  • Each second frame portion 42b functions as a stress relaxation region. Specifically, for example, when the first movable portion 22 receives stress from the outside, the stress is transmitted to the main body portion 30 of the first movable portion 22 as a result of the second frame portion 42b being locally distorted. It is suppressed. As a result, distortion of the mirror layer 3 and the like can be suppressed.
  • Each second portion 42 is connected to the main body portion 30 by a connecting portion 26.
  • the connecting portion 26 connects the second frame portion 42b and the main body portion 30.
  • the connecting portion 26 straddles the first distribution region 22d in the radial direction (the direction in which the first distribution region 22d and the second distribution region 22e are aligned).
  • the connecting portion 26 straddles a portion overlapping the second distribution region 22e of the first distribution region 22d in the radial direction.
  • the connecting portion 26 that connects the second portion 42 and the main body portion 30 is formed in the first distribution region 22d on the side opposite to the first connecting portion 24 with respect to the third portion 43.
  • each second portion 42 the connecting portion 26 is adjacent to the second distribution region 22e in the radial direction. That is, the connecting portion 26 is formed corresponding to the second distribution region 22e.
  • the connecting portion 26 is connected to the second frame portion 42b at a position substantially at the center of the second distribution region 22e in the X-axis direction.
  • the second frame portions 42b can be evenly arranged on both sides of the connecting portion 26 in the X-axis direction. Therefore, it is possible to efficiently suppress the stress from being transmitted to the main body 30 of the first movable portion 22.
  • a second distribution area 22e is formed in each third portion 43.
  • Each third portion 43 has a first frame portion 43a on the side opposite to the main body portion 30 with respect to the second distribution region 22e, and a first frame portion 43a on the side opposite to the first frame portion 43a with respect to the second distribution region 22e. It has two frame portions 43b.
  • the first frame portion 43a is a portion outside the second distribution region 22e in the first movable portion 22.
  • the second frame portion 43b is a portion of the first movable portion 22 between the first distribution region 22d and the second distribution region 22e.
  • the first frame portion 43a and the second frame portion 43b extend along the second distribution area 22e.
  • the width D5 of the first frame portion 43a in the radial direction is larger than the width D6 of the second frame portion 43b in the radial direction.
  • Each second frame portion 43b functions as a stress relaxation region. Specifically, for example, when the first movable portion 22 receives an external stress, the second frame portion 43b is locally distorted, and as a result, the stress is transmitted to the main body portion 30 of the first movable portion 22. Is suppressed. As a result, distortion of the mirror layer 3 and the like can be suppressed.
  • Each third portion 43 is connected to the main body portion 30 by a connecting portion 26.
  • the connecting portion 26 connects the second frame portion 43b and the main body portion 30.
  • the connecting portion 26 straddles the first distribution region 22d in the radial direction (the direction in which the first distribution region 22d and the second distribution region 22e are aligned).
  • the connecting portion 26 straddles a portion overlapping the second distribution region 22e of the first distribution region 22d in the radial direction.
  • the connecting portion 26 connecting the third portion 43 and the main body portion 30 is formed in the first distribution region 22d between the connecting portion 26 connecting the second portion 42 and the main body portion 30 and the first connecting portion 24. ing.
  • the connecting portion 26 that connects the third portion 43 and the main body portion 30 is formed in a portion that overlaps with the third portion 43 of the first distribution region 22d.
  • each third portion 43 the connecting portion 26 is adjacent to the second distribution region 22e in the radial direction. That is, the connecting portion 26 is formed corresponding to the second distribution region 22e.
  • the connecting portion 26 is connected to the second frame portion 43b at a position opposite to the first connecting portion 24 with respect to the center line X3 of the second distribution region 22e.
  • the connecting portion 26 is formed in a portion of the portion overlapping the second distribution region 22e of the first distribution region 22d in the radial direction, which is opposite to the first connecting portion 24. That is, in each third portion 43, the connecting portion 26 is connected to the second frame portion 43b at a position away from the first connecting portion 24.
  • the center line X3 is a line that passes through the center of the second distribution region 22e in the extending direction in the third portion 43 and extends along the radial direction.
  • the connecting portion 26 may not be formed in the portion of the first distribution area 22d that overlaps with the third portion 43.
  • the connecting portion 26 may be formed in a portion of the first distribution region 22d on the side of the first connecting portion 24 with respect to the third portion 43.
  • the first movable portion 22 has an N-angle shape when viewed from the Z-axis direction, the larger N is (for example, when N is 8), the more rectangular the first movable portion 22 is, for example.
  • the distance between the pair of connecting portions 26 connecting each second portion 42 to the main body portion 30 and the first connecting portion 24 is larger. It becomes smaller. As a result, the stress transmitted from the first connecting portion 24 to the main body portion 30 via the pair of connecting portions 26 may increase.
  • each connecting portion 26 can further reduce the stress transmitted from the first connecting portion 24 to the main body portion 30.
  • the pair of second portions 42 and the two pairs of third portions 43 are connected to the main body portion 30 by the three pairs of connecting portions 26.
  • the first coil 221 of the mirror device 1C extends spirally outside the first distribution region 22d (the outer edge of the first movable portion 22) when viewed from the Z-axis direction. Specifically, in each first portion 41, the first coil 221 is located between the first distribution region 22d and the second distribution region 22e (the first distribution region 22d and the second distribution region 22d existing on the first axis X1). It is arranged in the distribution area 22e), and in each of the second portion 42 and each third portion 43, it is outside the second distribution area 22e (the second distribution area provided corresponding to the connection portion 26). (Between 22e and the outer edge of the first movable portion 22).
  • the first coil 221 is provided in the second frame portion 41b in each first portion 41, and in each second portion 42 and each third portion 43, the first frame portion 42a and the first frame It is provided in the portion 43a.
  • the first coil 221 is, for example, a drive coil and / or a sensing coil.
  • the first frame portion 41a exists between the first connecting portion 24 and the first coil 221. Therefore, for example.
  • the stress generated in the first connecting portion 24 or the second connecting portion 25 is suppressed from being transmitted to the first coil 221. As a result, damage to the first coil 221 can be prevented.
  • the first coil 221 is arranged in the first frame portion 42a and the first frame portion 43a in each of the second portion 42 and each third portion 43, it functions as a stress relaxation region that is relatively easily distorted.
  • the second frame portion 42b and the second frame portion 43b can be avoided, and damage to the first coil 221 can be prevented.
  • the width D4 of the second frame portion 42b in the radial direction can be sufficiently reduced, and the functions of the second frame portion 42b and the second frame portion 43b as stress relaxation regions can be sufficiently exhibited.
  • the method of manufacturing the mirror device 1C includes a point of forming a distribution hole 22b including a first distribution region 22d and a second distribution region 22e, a point of forming a circulation hole 23b communicating with the first slit 22a, and a second connecting portion. It is mainly different from the manufacturing method of the mirror device 1A of the first embodiment in that the flow hole 25b is formed in 25. The detailed description of the part similar to the manufacturing method of the mirror device 1A in the manufacturing method of the mirror device 1C will be omitted.
  • the portion corresponding to the 23b and the flow hole 25b is removed.
  • the portion of the intermediate layer inside the portion corresponding to the base portion 21 is removed.
  • the first slit 22a and the second slit 23a are formed, and the plurality of first movable portions 22 and the plurality of second movable portions 23 are released.
  • a part of the intermediate layer 13 is removed from the wafer to form a portion of the wafer other than the first slit 22a and the second slit 23a.
  • a plurality of flow holes 22b, 23b, 25b penetrating the wafer are formed.
  • a distribution hole 22b penetrating the wafer is formed in a portion of the wafer corresponding to the first movable portion 22, and the portion corresponds to the second movable portion 23.
  • a flow hole 23b penetrating the wafer is formed in the portion to be formed, and a flow hole 25b penetrating the wafer is formed in the portion corresponding to the second connecting portion 25.
  • the flow hole 23b is formed so that the flow hole 23b communicates with the first slit 22a.
  • the distribution holes 22b include the first distribution region 22d and the second distribution region 22e that are adjacent to each other in the radial direction when viewed from the Z-axis direction.
  • the flow hole 22b is formed in a portion corresponding to the first movable portion 22.
  • the distribution hole 22b is formed so that the connection portion 26 straddling the first distribution region 22d is formed in the radial direction when viewed from the Z-axis direction. To do.
  • a portion where the width of the second distribution region 22e in the radial direction is smaller than the width of the first distribution region 22d in the radial direction when viewed from the Z-axis direction is formed.
  • a flow hole 22b is formed so as to include.
  • the first slit 22a is formed so that the first movable portion 22 is supported by the first connecting portion 24 at the base portion 21.
  • the second distribution region 22e is provided so as to be adjacent to the first connecting portion 24 in the radial direction when viewed from the Z-axis direction.
  • the second slit 23a is formed so that the second movable portion 23 is supported by the second connecting portion 25 at the base portion 21.
  • the flow hole 25b is formed in the portion corresponding to the second connecting portion 25.
  • the method for manufacturing the mirror device 1C it is possible to suppress the occurrence of damage and the residual foreign matter in the mirror device 1C, similarly to the method for manufacturing the mirror device 1A of the first embodiment described above. ..
  • step S7 the first movable portion 22 and the second movable portion 23 are supported by the first connecting portion 24 and the second connecting portion 25 at the base portion 21, respectively. , The first slit 22a and the second slit 23a are formed, and the flow hole 25b is formed in the portion corresponding to the second connecting portion 25.
  • turbulent flow of the cleaning liquid is likely to occur in the vicinity of the second connecting portion 25, so that foreign matter is generated from the portion corresponding to the second connecting portion 25 while maintaining the strength of the second connecting portion 25. Can be reliably removed.
  • step S7 the flow hole 23b is formed so that the flow hole 23b communicates with the first slit 22a.
  • a larger amount of cleaning liquid can be circulated through the flow hole 23b.
  • the distribution holes 22b include the first distribution region 22d and the second distribution region 22e that are adjacent to each other in the radial direction.
  • the flow hole 22b is formed in a portion corresponding to the first movable portion 22.
  • step S7 the distribution hole 22b is formed so that the connection portion 26 straddling the first distribution region 22d is formed in the radial direction when viewed from the Z-axis direction. doing.
  • the wafer 10W is reinforced by the connecting portion 26, so that the occurrence of damage on the wafer 10W can be suppressed.
  • the wet cleaning in step S8 since the cleaning liquid can be circulated through the second distribution region 22e, the load received by the cleaning liquid on the connecting portion 26 can be reduced, and the connecting portion 26 is damaged. It can be suppressed.
  • the width of the second distribution region 22e in the radial direction is the width of the first distribution region 22d in the radial direction.
  • the flow hole 22b is formed so as to include a portion smaller than the width.
  • step S7 the first movable portion 22 and the second movable portion 23 are supported by the first connecting portion 24 and the second connecting portion 25 at the base portion 21, respectively.
  • the first slit 22a and the second slit 23a are formed, and when viewed from the Z-axis direction, the second distribution region 22e is the first connecting portion 24 in the direction in which the first distribution region 22d and the second distribution region 22e are aligned.
  • a second distribution area 22e is formed so as to be adjacent to the second distribution area 22e.
  • the cleaning liquid can be circulated through the second distribution region 22e, so that the load received by the cleaning liquid on the first connecting portion 24 can be reduced, and the load on the first connecting portion 24 can be reduced. It is possible to suppress the occurrence of damage.
  • a distribution hole 22f is formed in the first movable portion 22 of the structure 2D.
  • the flow hole 22f extends along the outer edge of the first movable portion 22 when viewed from the Z-axis direction.
  • the flow hole 22f has, for example, an annular shape when viewed from the Z-axis direction.
  • a plurality of connecting portions 26 straddling the distribution hole 22f are formed in the first movable portion 22.
  • four connecting portions 26 are formed in the first movable portion 22.
  • Each connecting portion 26 is formed at both ends of the first movable portion 22 in the Y-axis direction when viewed from the Z-axis direction.
  • the distribution hole 22b is divided into a plurality of regions.
  • the inner portion of the distribution hole 22f of the first movable portion 22 constitutes the main body portion 30.
  • the outer portion of the first movable portion 22 of the flow hole 22f constitutes the annular portion 40.
  • the main body 30 has a circular shape in a plan view, but may be formed in any shape such as an elliptical shape, a quadrangular shape, and a diamond shape.
  • the center of the main body 30 in a plan view coincides with the intersection of the first axis X1 and the second axis X2.
  • the annular portion 40 is formed in an annular shape so as to surround the main body portion 30 via the flow hole 22f in a plan view.
  • the annular portion 40 has a hexagonal outer shape in a plan view, but may have an arbitrary outer shape such as a circular shape, an elliptical shape, a quadrangular shape, or a rhombic shape.
  • the main body portion 30 and the annular portion 40 are connected to each other by a plurality of connecting portions 26.
  • the second movable portion 23 of the mirror device 1D is formed in a frame shape, and is arranged inside the base portion 21 so as to surround the first movable portion 22.
  • the second movable portion 23 includes a pair of first connecting portions 41A and 41B, a pair of second connecting portions 42A and 42B, a pair of first linear portions 43A and 43B, and a pair of second linear portions 44A, It has 44B, a pair of third linear portions 45A and 45B, and a pair of fourth linear portions 46A and 46B.
  • the second movable portion 23 has a symmetrical shape with respect to each of the first axis X1 and the second axis X2 in a plan view. In the following description, symmetry with respect to the first axis X1 or the second axis X2 means symmetry in a plan view.
  • the first connecting portions 41A and 41B are located on both sides of the first movable portion 22 in the X-axis direction. That is, each of the first connecting portions 41A and 41B has a portion facing the first movable portion 22 in the X-axis direction in a plan view.
  • the first connecting portions 41A and 41B extend along the Y-axis direction.
  • the second connecting portions 42A and 42B are located on both sides of the first movable portion 22 in the Y-axis direction. That is, each of the second connecting portions 42A and 42B has a portion facing the first movable portion 22 in the Y-axis direction in a plan view.
  • the second connecting portions 42A and 42B extend along the X-axis direction.
  • the first linear portions 43A and 43B are located on both sides of the second connecting portion 42A in the X-axis direction and are connected to the second connecting portion 42A.
  • the first linear portions 43A and 43B extend along the X-axis direction.
  • the first linear portions 43A and 43B are arranged symmetrically with respect to the Y axis.
  • the second linear portions 44A and 44B are located on both sides of the second connecting portion 42B in the X-axis direction and are connected to the second connecting portion 42B.
  • the second linear portions 44A and 44B extend along the X-axis direction.
  • the second linear portions 44A and 44B are arranged symmetrically with respect to the Y axis.
  • the third linear portions 45A and 45B are located on the opposite sides of the first linear portions 43A and 43B from the second connecting portion 42A, and the first linear portions 43A and 43B and the first connecting portion 41A, It is connected to 41B.
  • the third linear portion 45A extends along a direction inclined by 45 degrees with respect to each of the X-axis and the Y-axis in a plan view.
  • the third linear portion 45B extends symmetrically with respect to the third linear portion 45A with respect to the Y axis.
  • the fourth linear portions 46A and 46B are located on the opposite side of the second linear portions 44A and 44B from the second connecting portion 42B, and the second linear portions 44A and 44B and the first connecting portion 41A, It is connected to 41B.
  • the fourth linear portion 46A extends symmetrically with respect to the third linear portion 45A with respect to the X axis.
  • the fourth linear portion 46B extends symmetrically with respect to the fourth linear portion 46A with respect to the Y axis and extends symmetrically with respect to the third linear portion 45B with respect to the X axis.
  • Each first connecting portion 24 is connected to the second movable portion 23 in the first connecting portions 41A and 41B.
  • the width (width in the Y-axis direction) of the end portion of each first connecting portion 24 on the side of the first movable portion 22 is the first movable portion. The width becomes wider as it approaches 22 and the width (width in the Y-axis direction) of the end portion on the side of the second movable portion 23 becomes wider as it approaches the second movable portion 23.
  • Each second connecting portion 25 is connected to the second movable portion 23 at the second connecting portions 42A and 42B.
  • Each second connecting portion 25 meanders and extends in a plan view.
  • Each second connecting portion 25 has a plurality of linear portions and a plurality of folded portions. The linear portions extend in the Y-axis direction and are arranged side by side in the X-axis direction. The folded portion alternately connects both ends of the adjacent straight portions.
  • the distribution hole (distribution auxiliary region) 23b formed in the second movable portion 23 communicates with the first slit 22a.
  • the flow hole 23b includes four first portions 23c and two second portions 23d.
  • Each first portion 23c is arranged line-symmetrically with respect to the first axis X1 and the second axis X2 outside the first movable portion 22 when viewed from the Z-axis direction.
  • Each first portion 23c is formed by a part of the first slit 22a extending toward the side opposite to the first movable portion 22 in the X-axis direction.
  • Each second portion 23d is located between a pair of first portions 23c on both sides of the first movable portion 22 in the Y-axis direction.
  • Each second portion 23d is formed by a part of the first slit 22a extending in the Y-axis direction on the side opposite to the first movable portion 22. Each second portion 23d communicates with each first slit 22a.
  • the boundary line between the flow hole 23b and the first slit 22a is shown by a dotted line.
  • the mirror device 1D further includes a pair of coils 14 and 15.
  • the coils 14 and 15 are provided in the second movable portion 23 so as to surround the first movable portion 22, and are swirled in a plan view (when viewed from a direction orthogonal to the plane in which the coils 14 and 15 are arranged). It has a shape.
  • the coils 14 and 15 are arranged along a plane including the X-axis and the Y-axis. Each of the coils 14 and 15 is wound around the first movable portion 22 a plurality of times.
  • the pair of coils 14 and 15 are arranged so as to be arranged alternately in the width direction of the second movable portion 23 in a plan view.
  • the first movable portion 22 is not provided with a coil.
  • the method for manufacturing the mirror device 1D is to manufacture the mirror device 1A of the first embodiment in that a flow hole 22f is formed in the first movable portion 22 and a flow hole 23b that communicates with the first slit 22a is formed. Mainly different from the method. The detailed description of the part similar to the manufacturing method of the mirror device 1A in the manufacturing method of the mirror device 1D will be omitted.
  • the portions of the device layer corresponding to the first slit 22a, the second slit 23a, the flow hole 22f, and the flow hole 23b are removed. Further, in the method for manufacturing the mirror device 1D, in the second step, the portion of the intermediate layer inside the portion corresponding to the base portion 21 is removed. As a result, the first slit 22a and the second slit 23a are formed, and the plurality of first movable portions 22 and the plurality of second movable portions 23 are released.
  • a part of the intermediate layer 13 is removed from the wafer to form a portion of the wafer other than the first slit 22a and the second slit 23a.
  • a plurality of flow holes 22f and 23b penetrating the wafer are formed.
  • a 22f penetrating the wafer is formed in a portion of the wafer corresponding to the first movable portion 22, and a portion corresponding to the second movable portion 23.
  • a flow hole 23b that penetrates the wafer is formed in the.
  • the method for manufacturing the mirror device 1D it is possible to suppress the occurrence of damage and the residual foreign matter in the mirror device 1D, similarly to the method for manufacturing the mirror device 1A of the first embodiment described above. ..
  • a part of the device layer 12, a part of the support layer 11, and a part of the intermediate layer 13 are removed from the wafer 10W in this order, but the present invention is not limited to this.
  • a part of the support layer 11, a part of the device layer 12, and a part of the intermediate layer 13 may be removed from the wafer 10W in this order.
  • the patterning member is removed and the protective film is removed before a part of the intermediate layer 13 is removed from the wafer 10W.
  • a part of the support layer 11, a part of the intermediate layer 13, and a part of the device layer 12 may be removed from the wafer 10W in this order.
  • the patterning member is removed and the protective film is removed before a part of the device layer 12 is removed from the wafer 10W. That is, in these cases, the first movable portion 22 and the second movable portion 23 may be released after the patterning member is removed and the protective film is removed.
  • the patterning member removal an example in which the patterning members 19, 29, 39 are removed by a wet process is shown, but in the patterning member removal, the patterning members 19, 29, 39 are wafers by a dry process. It may be removed from 10W.
  • the protective film removal an example in which the protective film is removed by a wet process is shown, but in the protective film removal, the protective film may be removed from the wafer 10W by a dry process. In these cases, a part of the device layer 12, a part of the intermediate layer 13, and a part of the support layer 11 may be removed from the wafer 10W in this order.
  • the patterning member may be removed and the protective film may be removed after the first movable portion 22 and the second movable portion 23 are released. Further, in each embodiment, an example in which the protective film is removed after the patterning member is removed is shown, but the patterning member may be removed after the protective film is removed.
  • the first slit 22a and the second slit 23a are removed by removing the inner portion of the intermediate layer 13 from the portion corresponding to the base portion 21 and the portion corresponding to the distribution hole 21b.
  • the flow holes 21b, 22b, 23b are shown, but the present invention is not limited thereto.
  • the order in which the first slit 22a, the second slit 23a, and the flow holes 21b, 22b, 23b are formed may be arbitrary.
  • the flow holes 21b, 22b, 23b may be formed after the first slit 22a and the second slit 23a are formed, that is, after the first movable portion 22 and the second movable portion 23 are released.
  • the portions of the wafer 10W corresponding to the first slit 22a and the second slit 23a may be removed, and then the portions corresponding to the flow holes 21b, 22b, 23b may be removed. Further, the first slit 22a and the second slit 23a may be formed after the flow holes 21b, 22b, 23b are formed. In this case, first, the portions of the wafer 10W corresponding to the distribution holes 21b, 22b, 23b may be removed, and then the portions corresponding to the first slit 22a and the second slit 23a may be removed.
  • the straightening layer 4 is formed on the back surface 10b of the wafer 10W, but the straightening layer 4 may be formed on the front surface 10a of the wafer 10W.
  • the straightening layer 4 is a surface of the device layer 12 opposite to the intermediate layer 13 in the base portion 21, the second movable portion 23, each first connecting portion 24, and each second connecting portion 25. May be formed in.
  • the straightening layer 4 may be formed on the surface of the device layer 12 opposite to the intermediate layer 13 and the surface of the mirror layer 3 opposite to the device layer 12 in the first movable portion 22. Further, the straightening layer 4 may be formed on the front surface 10a and on the back surface 10b. That is, the straightening layer 4 is formed on the front surface 10a and / or the back surface 10b.
  • each flow hole 22b changes in the X-axis direction (direction perpendicular to the thickness direction of the wafer 10W) when viewed from the Z-axis direction. May be good. That is, when viewed from the Z-axis direction, the widths of the flow holes 22b in the X-axis direction may be different from each other at different positions in the Y-axis direction. Specifically, the width of the central portion of each flow hole 22b in the Y-axis direction may be larger than the width of both end portions in the Y-axis direction.
  • Each flow hole 22b may include a curved portion at least in part when viewed from the Z-axis direction.
  • Each flow hole 22b may have a different shape from the edge on one side and the edge on the other side in the X-axis direction when viewed from the Z-axis direction.
  • Each flow hole 22b may have a crescent shape surrounding the mirror layer 3 when viewed from the Z-axis direction. In these cases, in the wet cleaning in the third step, a complicated water flow is likely to occur in the vicinity of each flow hole 22b, so that the cleaning efficiency by the wet cleaning is improved.
  • each flow hole 22b may be formed so that the width in the X-axis direction changes when viewed from the Z-axis direction.
  • turbulent flow of the cleaning liquid is likely to occur, so that foreign matter can be reliably removed from the wafer 10W.
  • each flow hole 22b may be formed so that at least a part of the curved portion is included. As a result, in the wet cleaning in step S8, the load due to the cleaning liquid received by the curved portion of the flow hole 22b is reduced, so that the occurrence of damage in the mirror device 1A can be suppressed.
  • each flow hole 22b may be formed so that the edge on one side and the edge on the other side have different shapes when viewed from the Z-axis direction.
  • the structures 2A, 2B, 2C, and 2D do not have to have the second movable portion 23.
  • the first movable portion 22 is arranged inside the base portion 21 via the first slit 22a when viewed from the Z-axis direction.
  • the first connecting portions 24 may be arranged on both sides of the first movable portion 22 in the Y-axis direction when viewed from the Z-axis direction.
  • the flow hole 22b exhibits an annular shape centered on the intersection with the first axis X1 and the second axis X2 when viewed from the Z-axis direction. May be good.
  • the first movable portion 22 is formed with a connecting portion 26 that straddles the distribution hole 22b.
  • four connecting portions 26 are formed in the first movable portion 22.
  • the connecting portions 26 are arranged at the same interval in the circumferential direction of the flow hole 22b when viewed from the Z-axis direction.
  • the distribution hole 22b is divided into a plurality of regions.
  • the first movable portion 22 is point-symmetrical with respect to the intersection with the first axis X1 and the second axis X2 when viewed from the Z-axis direction.
  • the area occupied by the flow hole 22b in the first movable portion 22 can be increased while appropriately reinforcing the first movable portion 22 by each connecting portion 26. Therefore, in the wet cleaning in the third step, a larger amount of cleaning liquid can be circulated through the flow hole 22b. As a result, foreign matter can be reliably removed from the wafer 10W.
  • the first movable portion 22 is point-symmetrical, it is possible to suppress the occurrence of damage in the first movable portion 22 in the wet cleaning in the third step.
  • the distribution hole 22b may be formed so that the connecting portion 26 straddling the distribution hole 22b is formed.
  • a distribution hole other than the distribution hole 22b may be formed so that a connecting portion straddling the distribution hole (for example, the distribution hole 23b) other than the distribution hole 22b is formed.
  • the pair of flow holes 22b may be line-symmetrical with respect to the first axis X1.
  • Each flow hole 22b may have a crescent shape surrounding the mirror layer 3 when viewed from the Z-axis direction.
  • the first movable portion 22 may have an elliptical shape in which the long axis extends along the Y-axis direction when viewed from the Z-axis direction.
  • the flow hole 23b may not be formed in the second movable portion 23. Further, as shown in FIG. 20B, the flow hole 22b may not be formed in the first movable portion 22.
  • the distribution holes 22b and 23b may not be formed. That is, the distribution hole 21b may be formed only in the base portion 21.
  • a pair of flow holes 24b may be formed on both sides of each first connecting portion 24 in the X-axis direction. Each flow hole 24b penetrates the base portion 21. Each flow hole 24b is located inside each first slit 22a in the X-axis direction. Further, the distribution hole 21b may not be formed in the base portion 21.
  • flow holes 21b, 22b, 23b, 24b, 25b may not be formed for circulating the cleaning liquid.
  • the flow holes 21b, 22b, 23b, 24b, 25b may be merely through holes or through regions.
  • Invention 1 The base portion, the movable portion supported by the base portion, the connecting portion connected to the movable portion so that the movable portion is movable with respect to the base portion, and the movable portion are provided.
  • the movable portion is provided with a mirror layer, and the movable portion has a first penetrating region that is annular and extends along the outer edge of the movable portion, and is located outside the first penetrating region.
  • a plurality of second penetrating regions and a connecting portion straddling the portion of the first penetrating region overlapping the second penetrating region are formed, and the width of the outer portion of the movable portion of the second penetrating region is formed. Is an optical scanning device that is larger than the width of the portion of the movable portion between the first penetrating region and the second penetrating region.
  • Invention 2 The optical scanning apparatus according to Invention 1, wherein the second penetrating region is formed at a position on the center line of the connecting portion.
  • Invention 3 The optical scanning apparatus according to Invention 1 or 2, wherein the connecting portion is formed in a portion of the first penetrating region that overlaps the second penetrating region and is opposite to the connecting portion. ..
  • Invention 4 The optical scanning apparatus according to any one of Inventions 1 to 3, wherein the outer portion of the first penetrating region in the movable portion includes an inclined portion that diagonally intersects the center line of the connecting portion. ..
  • Invention 5 The optical scanning apparatus according to any one of Inventions 1 to 4, wherein the movable portion has an N (N is a natural number of 5 or more) square shape.
  • the outer portion of the first penetrating region in the movable portion includes an inclined portion that diagonally intersects the center line of the connecting portion, and is on the side opposite to the connecting portion with respect to the inclined portion.
  • the connecting portion is formed in the first penetrating region, and the first penetrating region between the connecting portion and the connecting portion formed on the opposite side of the inclined portion from the connecting portion is described in the first penetrating region.
  • Invention 7 The connecting portion formed in the first penetrating region between the connecting portion formed on the side opposite to the connecting portion with respect to the inclined portion and the connecting portion is the first penetrating region.
  • the optical scanning apparatus according to the sixth aspect of the present invention which is formed in a portion overlapping the inclined portion of the above or a portion of the first penetrating region closer to the connecting portion than the inclined portion.
  • Invention 8 A coil extending at the outer edge of the movable portion is further provided, and the second penetrating region is formed at a position on the center line of the connecting portion and a position away from the center line of the connecting portion.
  • the coil is formed between the second penetrating region and the first penetrating region formed at a position on the center line of the connecting portion, and at a position away from the center line of the connecting portion.
  • the optical scanning apparatus according to any one of the inventions 1 to 7, which is arranged between the second penetrating region and the outer edge of the movable portion.

Abstract

ミラーデバイスの製造方法は、ベース部、及び、ベース部において支持された可動部を含む構造体と、可動部に設けられたミラー層と、を備えるミラーデバイスの製造方法であって、支持層及びデバイス層を有するウェハを用意する第1工程と、第1工程の後に、支持層及びデバイス層のそれぞれの一部をエッチングによってウェハから除去することで、ベース部に対して可動部が可動となるようにウェハにスリットを形成し、それぞれが構造体に対応する複数の部分をウェハに形成する第2工程と、第2工程の後に、洗浄液によってウェハを洗浄するウェット洗浄を実施する第3工程と、第3工程の後に、複数の部分のそれぞれをウェハから切り出す第4工程と、を備え、第2工程においては、エッチングによって、ウェハのうちスリット以外の部分に、ウェハを貫通する流通孔を形成する。

Description

ミラーデバイスの製造方法
 本開示は、ミラーデバイスの製造方法に関する。
 SOI(Silicon On Insulator)基板によって構成されたMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスとして、ベース部、及び、ベース部において支持された可動部を含む構造体と、可動部に設けられたミラー層と、を備えるミラーデバイスが知られている。このようなミラーデバイスの製造方法として、ベース部に対して可動部が可動となるように可動部をリリースした後に、当該ウェハを洗浄液によって洗浄する場合がある(例えば、特許文献1参照)。
特開2006-334697号公報
 上述したようなミラーデバイスの製造方法では、可動部がリリースされたウェハが洗浄液によって洗浄されるため、洗浄液による負荷で複数の可動部に損傷が生じるおそれがある。そのような損傷の発生を抑制するために、洗浄液による洗浄の強さを弱めることが考えられるが、そうすると、ウェハに異物が残存するおそれがある。
 本開示は、ミラーデバイスにおける損傷の発生及び異物の残存を抑制することができるミラーデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法は、ベース部、及び、ベース部において支持された可動部を含む構造体と、可動部に設けられたミラー層と、を備えるミラーデバイスの製造方法であって、支持層及びデバイス層を有するウェハを用意する第1工程と、第1工程の後に、支持層及びデバイス層のそれぞれの一部をエッチングによってウェハから除去することで、ベース部に対して可動部が可動となるようにウェハにスリットを形成し、それぞれが構造体に対応する複数の部分をウェハに形成する第2工程と、第2工程の後に、洗浄液によってウェハを洗浄するウェット洗浄を実施する第3工程と、第3工程の後に、複数の部分のそれぞれをウェハから切り出す第4工程と、を備え、第2工程においては、エッチングによって、ウェハのうちスリット以外の部分に、ウェハを貫通する流通孔を形成する。
 このミラーデバイスの製造方法では、第3工程において、ベース部に対して可動部が可動となった(以下、「可動部がリリースされた」という)状態のウェハが洗浄液によって洗浄される。これにより、複数の可動部がリリースされたウェハから異物を除去することができる。ここで、第2工程においては、エッチングによって、ウェハのうちスリット以外の部分に、ウェハを貫通する流通孔が形成される。そのため、第3工程のウェット洗浄において、流通孔を介して洗浄液を流通させつつ、複数の可動部がリリースされたウェハを洗浄することができる。したがって、洗浄液によって複数の可動部が受ける負荷を小さくすることができ、複数の可動部に損傷が生じるのを抑制することができる。よって、このミラーデバイスの製造方法によれば、ミラーデバイスにおける損傷の発生及び異物の残存を抑制することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、ウェハのうち可動部に対応する部分にミラー層を形成してもよい。これにより、ミラー層に付着した異物を第3工程のウェット洗浄によって除去することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法は、第3工程と第4工程との間に、ウェハの表面のうちミラー層が形成された第1表面、及び/又は第1表面とは反対側の第2表面に対して矯正層を形成する第5工程を更に備えてもよい。これにより、異物が矯正層によって覆われるのを抑制することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、支持層の一部をウェハから除去した後に、保護膜を除去するための保護膜除去を実施し、保護膜除去の後に、複数の部分を完成させてもよい。これにより、支持層の一部をウェハから除去するときにウェハに付着した異物を第2工程の保護膜除去によって除去することができる。更に、保護膜を除去するときに、ウェハに残存した異物等を第3工程のウェット洗浄によって除去することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、保護膜除去においては、ウェットプロセスにより保護膜を除去してもよい。ウェットプロセスにより保護膜を除去すると、例えばデバイス層の凹凸に起因して、シミ等が生じる場合がある。この場合、当該シミ等を第3工程のウェット洗浄によって除去することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、パターニング部材を除去するためのパターニング部材除去を実施し、パターニング部材除去の後に、複数の部分を完成させてもよい。これにより、複数の可動部がリリースされる前にパターニング部材が除去されるため、パターニング部材除去に起因するミラーデバイスにおける損傷の発生を抑制することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、パターニング部材除去においては、ウェットプロセスによりパターニング部材を除去してもよい。これにより、複数の可動部がリリースされる前にパターニング部材が除去されるため、ウェットプロセスによりパターニング部材を除去したとしても、ミラーデバイスにおける損傷の発生を抑制することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、可動部に対応する部分に複数の流通孔を形成してもよい。これにより、第3工程のウェット洗浄において、可動部の近傍で洗浄液の乱流が発生しやすくなるため、可動部に対応する部分から異物を確実に除去することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、ベース部に対応する部分に流通孔を形成してもよい。これにより、第3工程のウェット洗浄において、ベース部に対応する部分に形成された流通孔を介して洗浄液を流通させることができる。したがって、洗浄液によってウェハが受ける負荷を小さくすることができ、ミラーデバイスにおける損傷の発生を抑制することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、可動部が連結部によってベース部において支持されるように、スリットを形成し、連結部に対応する部分に流通孔を形成してもよい。これにより、第3工程のウェット洗浄において、連結部の近傍で洗浄液の乱流が発生しやすくなるため、連結部の強度を保ちつつ連結部に対応する部分から異物を確実に除去することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、少なくとも一部に湾曲部が含まれるように、流通孔を形成してもよい。これにより、第3工程のウェット洗浄においては、流通孔の湾曲部が受ける洗浄液による負荷が小さくなるため、ウェハにおける損傷の発生を抑制することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、ウェハの厚さ方向から見た場合に、厚さ方向に垂直な方向における流通孔の幅が変化するように、流通孔を形成してもよい。これにより、第3工程のウェット洗浄において、洗浄液の乱流が発生やすくなるため、ウェハから異物を確実に除去することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、ウェハの厚さ方向から見た場合に、流通孔の一方側の縁と一方側の縁とは反対側の他方側の縁とが異なる形状を呈するように、流通孔を形成してもよい。これにより、より大きい流通孔を形成することによって、第3工程のウェット洗浄において、流通孔を介してより大量の洗浄液を流通させることができる。そのため、ウェハから異物を確実に除去することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、流通孔を跨ぐ接続部が形成されるように、流通孔を形成してもよい。これにより、第3工程のウェット洗浄において、ウェハが接続部によって補強されるため、ウェハにおける損傷の発生を抑制することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、流通孔がスリットと連通するように、流通孔を形成してもよい。これにより、第3工程のウェット洗浄において、流通孔を介してより大量の洗浄液を流通させることができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、ウェハの厚さ方向から見た場合に、流通孔が厚さ方向と垂直な方向において互いに隣接する第1流通領域及び第2流通領域を含むように、流通孔を可動部に対応する部分に形成してもよい。これにより、第3工程のウェット洗浄において、第1流通領域と第2流通領域とが隣接する場所で洗浄液の乱流が発生しやすくなるため、ウェハから異物を確実に除去することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、厚さ方向から見た場合に、第1流通領域と第2流通領域とが並ぶ方向において、第1流通領域を跨ぐ接続部が形成されるように、流通孔を形成してもよい。これにより、第3工程のウェット洗浄において、ウェハが接続部によって補強されるため、ウェハにおける損傷の発生を抑制することができる。また、第3工程のウェット洗浄において、第2流通領域を介して洗浄液を流通させることができるため、洗浄液によって接続部が受ける負荷を小さくすることができ、接続部に損傷が生じるのを抑制することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、厚さ方向から見た場合に、第2流通領域が厚さ方向に垂直な方向における第2流通領域の幅が厚さ方向に垂直な方向における第1流通領域の幅よりも小さい部分を含むように、流通孔を形成してもよい。これにより、第1流通領域の幅と第2流通領域の幅とが異なるため、第3工程のウェット洗浄において洗浄液の乱流が発生しやすくなる。そのため、ウェハから異物を確実に除去することができる。
 本開示の一側面のミラーデバイスの製造方法では、第2工程においては、可動部が連結部によってベース部において支持されるように、スリットを形成し、厚さ方向から見た場合に、第1流通領域と第2流通領域とが並ぶ方向において第2流通領域が連結部と隣接するように、第2流通領域を形成してもよい。これにより、第3工程のウェット洗浄において、第2流通領域を介して洗浄液を流通させることができるため、洗浄液によって連結部が受ける負荷を小さくすることができ、連結部に損傷が生じるのを抑制することができる。
 本開示によれば、ミラーデバイスにおける損傷の発生及び異物の残存を抑制することができるミラーデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
図1は、第1実施形態のミラーデバイスの平面図である。 図2は、図1に示されるII-II線に沿ってのミラーデバイスの断面図である。 図3は、図1に示されるミラーデバイスの製造方法のフローチャートである。 図4は、図1に示されるミラーデバイスの製造方法を説明するための断面図である。 図5は、図1に示されるミラーデバイスの製造方法を説明するための断面図である。 図6は、図1に示されるミラーデバイスの製造方法のパターニング部材除去及び保護膜除去を説明するための構成図である。 図7は、図1に示されるミラーデバイスの製造方法を説明するための断面図である。 図8は、図1に示されるミラーデバイスの製造方法のウェット洗浄を説明するための構成図である。 図9は、図1に示されるミラーデバイスの製造方法を説明するための断面図である。 図10は、第2実施形態のミラーデバイスの断面図である。 図11は、図10に示されるミラーデバイスの製造方法のフローチャートである。 図12は、図10に示されるミラーデバイスの製造方法を説明するための断面図である。 図13は、図10に示されるミラーデバイスの製造方法を説明するための断面図である。 図14は、図10に示されるミラーデバイスの製造方法を説明するための断面図である。 図15は、図10に示されるミラーデバイスの製造方法を説明するための断面図である。 図16は、第3実施形態のミラーデバイスの平面図である。 図17は、図16に示されるミラーデバイスの拡大図である。 図18は、第4実施形態のミラーデバイスの平面図である。 図19は、変形例のミラーデバイスの平面図である。 図20は、変形例のミラーデバイスの平面図である。 図21は、変形例のミラーデバイスの平面図である。 図22は、変形例のミラーデバイスの平面図である。
 以下、本開示の一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する部分を省略する。
[第1実施形態]
 図1及び図2に示されるように、第1実施形態のミラーデバイス1Aは、構造体2Aと、ミラー層3と、矯正層4と、を備えている。ミラーデバイス1Aは、例えば、X軸方向に沿った第1軸線X1及びY軸方向に沿った第2軸線X2のそれぞれに関して線対称な形状を呈している。ミラーデバイス1Aは、第1軸線X1及び第2軸線X2の交点に関して点対称な形状を呈していてもよい。ミラーデバイス1Aは、非対称な形状を呈していてもよい。ミラーデバイス1Aは、MEMSデバイスであり、例えば、光通信用光スイッチ、光スキャナ等に用いられる。
 構造体2Aは、例えば、SOI基板によって構成されている。構造体2Aは、支持層11、デバイス層12及び中間層13を有している。支持層11は、第1シリコン層である。デバイス層12は、第2シリコン層である。中間層13は、支持層11とデバイス層12との間に配置された絶縁層である。一例として、支持層11の厚さは100μm~700μm程度であり、デバイス層12の厚さは20μm~200μm程度であり、中間層13の厚さは50nm~3000nm程度である。
 構造体2Aは、例えば矩形板状を呈している。構造体2Aは、第1表面2a及び第2表面2bを有している。第1表面2aは、デバイス層12における中間層13とは反対側の面である。第2表面2bは、構造体2Aにおける第1表面2aとは反対側の面である。第2表面2bは、支持層11における中間層13とは反対側の面、及び、デバイス層12における第1表面2aとは反対側の面を含んでいる。
 構造体2Aは、ベース部21、第1可動部22、第2可動部23、一対の第1連結部24、及び一対の第2連結部25によって一体的に構成されている。ベース部21は、支持層11の一部、デバイス層12の一部及び中間層13の一部によって構成されている。ベース部21は、Z軸方向(構造体2Aの厚さ方向)から見た場合に、例えば矩形環状を呈している。ベース部21は、Z軸方向から見た場合に、例えば10mm×15mm程度のサイズを有している。
 第1可動部22、第2可動部23、第1連結部24、及び第2連結部25は、デバイス層12の一部によって構成されている。第1可動部22及び第2可動部23は、それぞれ第1連結部24及び第2連結部25によってベース部21において支持されている。具体的には、第1可動部22及び第2可動部23は、Z軸方向から見た場合に、ベース部21の内側に配置されている。より具体的には、第2可動部23は、Z軸方向から見た場合に、構造体2Aを貫通する第2スリット23aを介してベース部21の内側に配置されている。第2可動部23は、Z軸方向から見た場合に、例えば矩形環状を呈している。第2スリット23aは、Z軸方向から見た場合に、第2可動部23の外縁に沿って延びている。第2スリット23aにおいては、ベース部21における支持層11の端面11a、ベース部21におけるデバイス層12の端面12a、及びベース部21における中間層13の端面13aがそれぞれ露出している。第2スリット23aは、ベース部21に対して第2可動部23を可動にするために形成されている。本実施形態では、第2スリット23aは、ベース部21に対して第2可動部23を可動にするための必要最小限の幅を有している。
 各第2連結部25は、Z軸方向から見た場合に、Y軸方向における第2可動部23の両側にそれぞれ配置されている。各第2連結部25は、例えば、Y軸方向に沿って直線状に延びている。各第2連結部25は、ベース部21に対して第2可動部23が可動となるように、ベース部21及び第2可動部23に連結されている。具体的には、各第2連結部25は、第2可動部23が第2軸線X2周りに揺動可能となるように、第2軸線X2上において第2可動部23とベース部21とを互いに連結している。なお、第2スリット23aは、X軸方向における各第2連結部25の両側においてY軸方向に沿って延びる部分を含んでいる。つまり、各第2連結部25は、第2スリット23aを介してベース部21の内側に配置されている。
 第1可動部22は、Z軸方向から見た場合に、構造体2Aを貫通する第1スリット22aを介して第2可動部23の内側に配置されている。第1可動部22は、Z軸方向から見た場合に、例えば矩形状を呈している。第1スリット22aは、Z軸方向から見た場合に、第1可動部22の外縁に沿って延びている。第1スリット22aは、ベース部21に対して第1可動部22を可動にするために形成されている。本実施形態では、第1スリット22aは、ベース部21に対して第1可動部22を可動にするための必要最小限の幅を有している。
 各第1連結部24は、Z軸方向から見た場合に、X軸方向における第1可動部22の両側にそれぞれ配置されている。各第1連結部24は、例えば、X軸方向に沿って直線状に延びている。各第1連結部24は、ベース部21に対して第1可動部22が可動となるように、第2可動部23及び第1可動部22に連結されている。具体的には、各第1連結部24は、第1可動部22がX軸方向に沿った第1軸線X1周りに揺動可能となるように、第1軸線X1上において第1可動部22と第2可動部23とを互いに連結している。
 構造体2Aには、構造体2Aを貫通する複数の流通孔21b,22b,23bが形成されている。複数の流通孔21b,22b,23bは、構造体2Aのうち第1スリット22a及び第2スリット23a以外の部分に形成されている。具体的には、ベース部21には、例えば4つの流通孔21bが形成されている。各流通孔21bは、Z軸方向から見た場合に、ベース部21の各角部にそれぞれ位置している。4つの流通孔21bは、第1軸線X1及び第2軸線X2に関して互いに線対称である。各流通孔21bは、Z軸方向から見た場合に、例えば矩形状を呈している。各流通孔21bは、ベース部21を貫通している。各流通孔21bにおいては、支持層11の端面11b、デバイス層12の端面12b、及び中間層13の端面13bがそれぞれ露出している。流通孔21bは、流通孔22b及び流通孔23bのそれぞれよりも大きい。
 第1可動部22には、一対の流通孔22bが形成されている。つまり、1つの第1可動部22に対して複数の流通孔22bが形成されている。一対の流通孔22bは、第2軸線X2に関して互いに線対称である。各流通孔22bは、Z軸方向から見た場合に、例えば半円環状を呈している。各流通孔22bは、第1可動部22を貫通している。
 第2可動部23には、一対の流通孔23bが形成されている。つまり、1つの第2可動部23に対して複数の流通孔23bが形成されている。一対の流通孔23bは、第2軸線X2に関して互いに線対称である。各流通孔23bは、Z軸方向から見た場合に、例えば半矩形環状を呈している。各流通孔23bは、Z軸方向から見た場合に、第2可動部23の外縁に沿って延びている。各流通孔23bは、第2可動部23を貫通している。
 図2に示されるように、中間層13の端面13aは、支持層11の端面11a及びデバイス層12の端面12aの両方に対して凹まないように形成されている。中間層13の端面13a、支持層11の端面11a、及びデバイス層12の端面12aは、互いに面一である。同様に、中間層13の端面13bは、支持層11の端面11b及びデバイス層12の端面12bの両方に対して凹まないように形成されている。中間層13の端面13b、支持層11の端面11b、及びデバイス層12の端面12bは、互いに面一である。
 「中間層の端面が支持層の端面及びデバイス層の端面の両方に対して凹まない」とは、「中間層の端面が支持層の端面及びデバイス層の端面の両方に対して凹んでいる場合において、支持層の端面及びデバイス層の端面のいずれからも中間層の厚さの3倍を超えて中間層の端面が凹んでいる状態」を除く状態を意味する。したがって、「中間層の端面、支持層の端面、及びデバイス層の端面が互いに面一である状態」は勿論、「中間層の端面が支持層の端面及びデバイス層の端面の両方に対して凹んでいる場合であっても、支持層の端面及びデバイス層の端面のいずれからも中間層の厚さの0.5倍だけ中間層の端面が凹んでいる状態」も、中間層の端面が支持層の端面及びデバイス層の端面の両方に対して凹んでいないといえる。
 中間層13の端面13aは、支持層11の端面11a及びデバイス層12の端面12aの両方に対して、好ましくは中間層13の厚さの3倍以下、より好ましくは2倍以下、さらに好ましくは1倍以下、最も好ましくは0.5倍以下凹んでいる。換言すると、中間層13の端面13aは、支持層11の端面11a及びデバイス層12の端面12aの両方に対して、好ましくは中間層13の厚さの3倍を超えて、より好ましくは2倍を超えて、さらに好ましくは1倍を超えて、最も好ましくは0.5倍を超えて凹んでいない。同様に、中間層13の端面13bは、支持層11の端面11b及びデバイス層12の端面12bの両方に対して、好ましくは中間層13の厚さの3倍以下、より好ましくは2倍以下、さらに好ましくは1倍以下、最も好ましくは0.5倍以下凹んでいる。換言すると、中間層13の端面13bは、支持層11の端面11b及びデバイス層12の端面12bの両方に対して、好ましくは中間層13の厚さの3倍を超えて、より好ましくは2倍を超えて、さらに好ましくは1倍を超えて、最も好ましくは0.5倍を超えて凹んでいない。
 ミラー層3は、第1可動部22に設けられている。具体的には、ミラー層3は、構造体2Aの第1表面2aのうち第1可動部22に対応する領域に設けられている。ミラー層3は、Z軸方向から見た場合に、一対の流通孔22bよりも内側に配置されている。ミラー層3は、Z軸方向から見た場合に、例えば円形状を呈している。ミラー層3は、第1軸線X1と第2軸線X2との交点を中心位置(重心位置)として配置されている。ミラー層3は、例えば、アルミニウム、アルミニウム系合金、銀、銀系合金、金、誘電体多層膜等からなる反射膜によって構成されている。
 矯正層4は、第2表面2bの全体に形成されている。具体的には、矯正層4は、ベース部21においては、支持層11における中間層13とは反対側の面に形成されている。矯正層4は、第1可動部22、第2可動部23、各第1連結部24、及び各第2連結部25においては、デバイス層12におけるミラー層3とは反対側の面に形成されている。矯正層4は、第1可動部22、第2可動部23、各第1連結部24、及び各第2連結部25の反り等を矯正する。矯正層4は、例えば、酸化ケイ素又は窒化ケイ素等の材料によって構成されている。矯正層4は、例えば、アルミニウム等の金属薄膜であってもよい。矯正層4の厚さは、例えば10nm~1000nm程度である。
 ミラーデバイス1Aは、第1コイル221と、第2コイル231と、を更に備えている。第1コイル221は、例えば、第1可動部22に埋め込まれており、Z軸方向から見た場合に、一対の流通孔22bよりも外側(第1可動部22の外縁部)において渦巻き状に延びている。第2コイル231は、例えば、第2可動部23に埋め込まれており、Z軸方向から見た場合に、一対の流通孔23bよりも外側(第2可動部23の外縁部)において渦巻き状に延びている。第1コイル221及び第2コイル231は、例えば銅等の金属材料によって構成されている。なお、図2においては、第1コイル221及び第2コイル231の図示が省略されている。
 以上のように構成されたミラーデバイス1Aでは、互いに直交する第1軸線X1及び第2軸線X2の周りに、ミラー層3が設けられた第1可動部22が揺動させられる。具体的には、構造体2Aに設けられた電極パッド(図示省略)及び配線(図示省略)を介して第2コイル231にリニア動作用の駆動信号が入力されると、磁界発生部(図示省略)が発生する磁界との相互作用によって第2コイル231にローレンツ力が作用する。当該ローレンツ力と各第2連結部25の弾性力とのつり合いを利用することで、第2軸線X2周りにミラー層3(第1可動部22)を第2可動部23と共にリニア動作させることができる。
 一方、電極パッド及び配線を介して第1コイル221に共振動作用の駆動信号が入力されると、磁界発生部が発生する磁界との相互作用によって第1コイル221にローレンツ力が作用する。当該ローレンツ力に加え、共振周波数での第1可動部22の共振を利用することで、第1軸線X1周りにミラー層3(第1可動部22)を共振動作させることができる。
 次に、ミラーデバイス1Aの製造方法について説明する。まず、図3及び図4の(a)に示されるように、支持層11、デバイス層12、及び中間層13を有するウェハ10Wを用意する(ステップS1、第1工程)。ウェハ10Wは、表面(第1表面)10a、及び表面10aとは反対側の裏面(第2表面)10bを有している。表面10aは、構造体2Aの第1表面2aとなる面である。ウェハ10Wは、それぞれが構造体2Aとなる複数の部分11Wを含んでいる。部分11Wは、構造体2Aが形成される前のウェハ10Wの一部である。ミラーデバイス1Aの製造方法の各工程は、ウェハレベルで実施される。なお、図4、図5、図7及び図9では、ウェハ10Wのうち一つの部分11Wが示されている。以下、ウェハ10Wのうち一つの部分11Wに着目して説明する。
 続いて、支持層11、デバイス層12及び中間層13のそれぞれの一部をウェハ10Wから除去することで、ベース部21に対して第1可動部22及び第2可動部23が可動となるようにウェハ10Wに第1スリット22a及び第2スリット23aを形成し、それぞれが構造体2Aに対応する複数の部分12WA(図7の(b)参照)をウェハ10Wに形成する(第2工程)。部分12WAは、構造体2Aが形成されたウェハ10Wの一部である。まず、デバイス層12の一部をエッチングによってウェハ10Wから除去する(ステップS2)。具体的には、デバイス層12のうち第1スリット22a、第2スリット23a、流通孔21b,22b,23bに対応する部分を除去する。その結果、デバイス層12の端面12a及び端面12bが形成される。ステップS2においては、第1コイル221、第2コイル231、並びに、第1コイル221及び第2コイル231に駆動信号を入力するための電極パッド及び配線等をデバイス層12に設ける。ステップS2においては、ウェハ10Wの表面10aのうち第1可動部22に対応する部分にミラー層3を形成する。ミラー層3は、例えば金属の蒸着によって形成される。ステップS2においては、パターニング部材を除去するためのパターニング部材除去(詳細は後述する)によって、デバイス層12の除去のために用いられたパターニング部材をウェハ10Wから除去する。
 続いて、図4の(b)に示されるように、ウェハ10Wの裏面10bを研磨する(ステップS3)。ウェハ10Wは、裏面10bが研磨されることによって薄化される。研磨されたウェハ10Wの裏面10bは、構造体2Aの第2表面2bの一部となる面である。
 続いて、図5の(a)に示されるように、ウェハ10Wの裏面10bにパターニング部材19をパターニングする(ステップS4)。具体的には、裏面10bのうちベース部21に対応する領域であって、流通孔21bに対応する領域を除いた領域にパターニング部材19を設ける。パターニング部材19は、例えばレジスト等である。続いて、図5の(b)に示されるように、パターニング部材19を介して支持層11の一部をエッチングによってウェハ10Wから除去する(ステップS5)。具体的には、支持層11のうちベース部21に対応する部分よりも内側の部分、及び、流通孔21bに対応する部分を除去する。その結果、支持層11の端面11a及び端面11bが形成される。ステップS5においては、支持層11の端面11a及び端面11bが、それぞれデバイス層12の端面12a及び端面12bと面一となるように支持層11の一部をウェハ10Wから除去する。支持層11の一部は、例えば、ボッシュプロセスを用いた反応性イオンエッチング(DRIE)によって除去される。なお、ステップS5においては、支持層11の一部をウェハ10Wから除去するときに、保護膜として例えばポリマー等を用いる。
 続いて、図6に示されるように、パターニング部材除去及び保護膜除去を実施する(ステップS6)。まず、パターニング部材除去を実施する。パターニング部材除去は、パターニング部材19をウェハ10Wの裏面10bから除去する(剥離させる)ためのステップである。パターニング部材除去においては、支持層11の一部をウェハ10Wから除去した後に、ウェットプロセスによりパターニング部材19を除去する。具体的には、まず、箱状を呈するキャリア50内に複数のウェハ10Wをセットする。
 キャリア50の内壁面には、Z軸方向に沿って所定の間隔ごとに並んでいる複数の溝(図示省略)が形成されている。溝は、XY面に沿って延びている。パターニング部材除去においては、各ウェハ10Wをそれぞれの溝に嵌め込むことによって、複数のウェハ10WをZ軸方向(ウェハ10Wの厚さ方向)に沿って配置する。すなわち、Z軸方向におけるウェハ10Wの一方の側及び他方の側のそれぞれには、ウェハ10Wと同一の構造を有する他のウェハ10Wが配置される。互いに隣接するウェハ10Wと他のウェハ10Wとの間には、第2領域R2が形成される。続いて、第2領域R2にパターニング部材除去液が存在する状態で、パターニング部材19を除去する。具体的には、上述したように、複数のウェハ10W及び他のウェハ10Wをキャリア50内にセットした状態で、複数のウェハ10W及び他のウェハ10Wをパターニング部材除去液に浸漬させる。パターニング部材除去液は、例えばプールに収容されている。複数のウェハ10W及び他のウェハ10Wは、キャリア50の開口の向きがパターニング部材除去液の液面の向きと同じとなるように、パターニング部材除去液に浸漬される。パターニング部材除去液は、パターニング部材19をウェハ10Wから除去するための薬液等である。
 続いて、複数のウェハ10Wをパターニング部材除去液に浸漬させた状態で、X軸方向(ウェハ10Wの厚さ方向及びパターニング部材除去液の液面に交差する方向)に沿って複数のウェハ10Wを往復動(揺動)させる。複数のウェハ10Wの往復動は、キャリア50を往復動させることで実施される。パターニング部材除去においては、複数のウェハ10Wを第2速度で第2時間往復動させる。「往復動させる速度」とは、単位時間当たりに往復動させる回数をいう。第2速度は、例えば70回/分程度である。第2時間は、例えば40分程度である。第2時間は、複数のウェハ10Wを第2速度で往復動させる時間の累積である。パターニング部材除去においては、例えばパターニング部材除去液の種類を変え、又は、複数のウェハ10Wの往復動を一時的に停止させ得る。パターニング部材除去においては、ウェットプロセスによりパターニング部材19を除去した後に、複数のウェハ10Wを例えば水に所定時間浸漬させる。
 パターニング部材除去においては、パターニング部材19を除去した後に、つまり、ウェハ10Wを水に所定時間浸漬させた後に、ウェハ10Wを乾燥させる第2スピン乾燥を実施する。第2スピン乾燥においては、ウェハ10Wを第2回転速度で第4時間回転させることで、ウェハ10Wを乾燥させる。パターニング部材除去が実施されると、図7の(a)に示されるように、ウェハ10Wからパターニング部材19が除去される。
 続いて、保護膜除去を実施する。保護膜除去は、ステップS5において保護膜として用いられたポリマー等をウェハ10Wから除去するためのステップである。保護膜除去においては、支持層11の一部をウェハ10Wから除去した後に、保護膜除去液を用いたウェットプロセスにより保護膜を除去する。保護膜除去液は、ポリマー等をウェハ10Wから除去するための薬液等である。
 続いて、図7の(b)に示されるように、中間層13の一部をエッチングによってウェハ10Wから除去する(ステップS7)。具体的には、中間層13のうちベース部21に対応する部分よりも内側の部分、及び、流通孔21bに対応する部分を除去する。その結果、第1スリット22a及び第2スリット23aが形成される。このとき、中間層13の端面13aが形成される。ステップS7においては、ベース部21に対して第1可動部22及び第2可動部23が可動となるようにウェハ10Wに第1スリット22a及び第2スリット23aを形成することで、それぞれが構造体2Aに対応する複数の部分12WAをウェハ10Wに形成し、複数の部分12WAを完成させる。つまり、複数の第1可動部22及び複数の第2可動部23をリリースする。「リリース」とは、ベース部に対して、第1可動部又は第2可動部を固定状態から可動状態にすることをいう。
 ステップS7においては、第1可動部22及び第2可動部23が、それぞれ各第1連結部24及び各第2連結部25によってベース部21において支持されるように、第1スリット22a及び第2スリット23aを形成する。
 また、ステップS7においては、上述したように、中間層13の一部をウェハ10Wから除去することで、ウェハ10Wのうち第1スリット22a及び第2スリット23a以外の部分にウェハ10Wを貫通する複数の流通孔21b,22b,23bを形成する。具体的には、ステップS7においては、ウェハ10Wのうちベース部21に対応する部分に、ウェハ10Wを貫通する流通孔21bを形成し、第1可動部22に対応する部分に、ウェハ10Wを貫通する流通孔22bを形成し、第2可動部23に対応する部分に、ウェハ10Wを貫通する流通孔23bを形成する。このとき、中間層13の端面13bが形成される。
 ステップS7においては、中間層13の端面13aが支持層11の端面11a及びデバイス層12の端面12aの両方に対して凹まないようにエッチングを実施する。ステップS7においては、中間層13の端面13aが支持層11の端面11a及びデバイス層12の端面12aと面一となるようにエッチングを実施する。同様に、ステップS7においては、中間層13の端面13bが支持層11の端面11b及びデバイス層12の端面12bの両方に対して凹まないようにエッチングを実施する。ステップS7においては、中間層13の端面13bが支持層11の端面11b及びデバイス層12の端面12bと面一となるようにエッチングを実施する。ステップS7においては、中間層13の一部を異方性エッチングによってウェハ10Wから除去する。ステップS7においては、中間層13の一部をドライエッチングによってウェハ10Wから除去する。
 続いて、図8に示されるように、ウェット洗浄を実施する(ステップS8、第3工程)。ウェット洗浄は、ウェハ10Wに付着した異物等を除去するための洗浄である。ウェット洗浄においては、洗浄液(図示省略)によってウェハ10Wを洗浄する。具体的には、まず、箱状を呈するキャリア60内に複数のウェハ10W及び複数のダミーウェハ(モニタウェハ)20Wをセットする。ダミーウェハ20Wの厚さは、例えば625μm程度である。
 キャリア60の内壁面には、Z軸方向に沿って所定の間隔ごとに並んでいる複数の溝(図示省略)が形成されている。溝は、XY面に沿って延びている。ウェット洗浄においては、各ウェハ10W及び各ダミーウェハ20Wをそれぞれの溝に嵌め込むことによって、複数のウェハ10W及び複数のダミーウェハ20WをZ軸方向(ウェハ10W及びダミーウェハ20Wの厚さ方向)に沿って交互に配置する。すなわち、Z軸方向におけるウェハ10Wの一方の側及び他方の側のそれぞれには、ダミーウェハ20Wが配置される。互いに隣接するウェハ10Wとダミーウェハ20Wとの間には、第1領域R1が形成される。Z軸方向における第1領域R1の幅は、Z軸方向における第2領域R2の幅よりも大きい。
 続いて、第1領域R1に洗浄液が存在する状態で、ウェハ10Wを洗浄する。具体的には、上述したように、複数のウェハ10W及び複数のダミーウェハ20Wをキャリア60内にセットした状態で、複数のウェハ10W及び複数のダミーウェハ20Wを洗浄液に浸漬させる。洗浄液は、例えばプールに収容されている。複数のウェハ10W及び複数のダミーウェハ20Wは、キャリア60の開口の向きが洗浄液の液面の向きと同じとなるように、洗浄液に浸漬される。洗浄液は、異物等をウェハ10Wから除去するための薬液等である。続いて、複数のウェハ10W及び複数のダミーウェハ20Wを洗浄液に浸漬させた状態で、X軸方向(ウェハ10Wの厚さ方向及び洗浄液の液面に交差する方向)に沿って複数のウェハ10W及び複数のダミーウェハ20Wを往復動(揺動)させる。複数のウェハ10W及び複数のダミーウェハ20Wの往復動は、キャリア60を往復動させることで実施される。
 ウェット洗浄においては、複数のウェハ10W及び複数のダミーウェハ20Wを第1速度で第1時間往復動させる。ステップS8のウェット洗浄においてウェハ10Wに与える負荷は、ステップS6のパターニング部材除去においてウェハ10Wに与える負荷よりも小さい。つまり、ステップS8のウェット洗浄の強さは、ステップS6のパターニング部材除去の強さよりも小さい。同様に、ステップS8のウェット洗浄においてウェハ10Wに与える負荷は、ステップS6の保護膜除去においてウェハ10Wに与える負荷よりも小さい。つまり、ステップS8のウェット洗浄の強さは、ステップS6の保護膜除去の強さよりも小さい。「ウェハに与える負荷」とは、ウェハに対して与える機械的仕事(エネルギ)の大きさをいう。例えば、ステップS8のウェット洗浄において、ウェハ10Wを往復動させる速度が大きいほど、ウェハ10Wに与える負荷が大きい。また、例えば、ステップS8のウェット洗浄において、ウェハ10Wを往復動させる時間が長いほど、ウェハ10Wに与える負荷が大きい。
 第1速度は、第2速度よりも小さい。第1速度は、例えば40回/分程度である。第1時間は、第2時間よりも短い。第1時間は、例えば20分程度である。第1時間は、複数のウェハ10W及び複数のダミーウェハ20Wを第1速度で往復動させる時間の累積である。ウェット洗浄においては、例えば洗浄液の種類を変え、又は、複数のウェハ10W及び複数のダミーウェハ20Wの往復動を一時的に停止させ得る。ウェット洗浄においては、洗浄液によってウェハ10Wを洗浄した後に、複数のウェハ10W及び複数のダミーウェハ20Wを例えば水に所定時間浸漬させる。
 ウェット洗浄においては、ウェハ10Wを洗浄した後に、つまり、ウェハ10Wを水に所定時間浸漬させた後に、ウェハ10Wを乾燥させる第1スピン乾燥を実施する。第1スピン乾燥においては、ウェハ10Wを第1回転速度で第3時間回転させる。ステップS8の第1スピン乾燥においてウェハ10Wに与える負荷は、ステップS6の第2スピン乾燥においてウェハ10Wに与える負荷よりも小さい。つまり、ステップS8の第1スピン乾燥の強さは、ステップS6の第2スピン乾燥の強さよりも小さい。例えば、ステップS8の第1スピン乾燥において、ウェハ10Wを回転させる回転速度が大きいほど、ウェハ10Wに与える負荷が大きい。また、例えば、ステップS8の第1スピン乾燥において、ウェハ10Wを回転させる時間が長いほど、ウェハ10Wに与える負荷が大きい。第1回転速度は、第2回転速度よりも小さい。第1回転速度は、例えば200rpm程度である。第3時間は、例えば5分程度である。
 続いて、図9の(a)に示されるように、ウェハ10Wの表面のうちミラー層3が形成された表面10aとは反対側の裏面10bに対して矯正層4を形成する(ステップS9、第5工程)。矯正層4は、支持層11及びデバイス層12のそれぞれにおけるミラー層3とは反対側の面に形成される。続いて、図9の(b)に示されるように、複数の部分12WAのそれぞれをウェハ10Wから切り出す(ステップ10、第4工程)。これにより、複数のミラーデバイス1Aを製造する。
 以上説明したように、ミラーデバイス1Aの製造方法では、ステップS8(第3工程)において、複数の第1可動部22及び第2可動部23がリリースされたウェハ10Wが洗浄液によって洗浄される。これにより、複数の第1可動部22及び第2可動部23がリリースされたウェハ10Wから異物を除去することができる。複数の第1可動部22及び第2可動部23がリリースされたウェハ10WがステップS8のウェット洗浄によって洗浄されると、複数の第1可動部22及び第2可動部23に損傷が生じやすい。ここで、ステップS7(第2工程)においては、エッチングによって、ウェハ10Wのうち第1スリット22a及び第2スリット23a以外の部分に、ウェハ10Wを貫通する流通孔21b,22b,23bがそれぞれ形成される。そのため、ステップS8のウェット洗浄において、流通孔21b,22b,23bを介して洗浄液を流通させつつ、複数の第1可動部22及び第2可動部23がリリースされたウェハ10Wを洗浄することができる。したがって、洗浄液によって複数の第1可動部22及び第2可動部23が受ける負荷を小さくすることができ、複数の第1可動部22及び第2可動部23に損傷が生じるのを抑制することができる。よって、ミラーデバイス1Aの製造方法によれば、ミラーデバイス1Aにおける損傷の発生及び異物の残存を抑制することができる。また、Z軸方向におけるウェハ10Wの一方の側と他方の側との間で、流通孔21b,22b,23bを介して洗浄液が流通し易くなる。そのため、ウェット洗浄による洗浄効率が向上する。
 また、ミラーデバイス1Aの製造方法では、ステップS2においては、ウェハ10Wのうち第1可動部22に対応する部分にミラー層3を形成している。これにより、ミラー層3に付着した異物をステップS8のウェット洗浄によって除去することができる。
 また、ミラーデバイス1Aの製造方法は、ステップS8とステップS10との間に、ウェハ10Wの裏面10bに対して矯正層4を形成するステップS9を備えている。これにより、異物が矯正層4によって覆われるのを抑制することができる。
 また、ミラーデバイス1Aの製造方法では、ステップS6においては、支持層11の一部をウェハ10Wから除去した後に、保護膜を除去するための保護膜除去を実施し、保護膜除去の後に、複数の部分12WAを完成させている。また、ミラーデバイス1Aの製造方法では、ステップS6の保護膜除去においては、ウェットプロセスにより保護膜を除去している。支持層11の一部をウェハ10Wから除去するときには、上述したように、保護膜としてポリマー等が用いられる。当該ポリマーは、支持層11の一部がウェハ10Wから除去された後に、ウェハ10Wに残存する場合がある。また、デバイス層12の一部をウェハ10Wから除去することでウェハ10Wが凹凸を有する形状となること、及び、中間層13の一部が未だウェハ10Wから除去されていないこと等に起因して、保護膜除去においては、保護膜除去液がウェハ10Wに形成されたミラー層3の表面等に残存する場合がある。当該残存した保護膜除去液が乾燥すると、シミが生じるおそれがある。ポリマー及びシミ等がウェハ10Wに残存すると、当該ポリマー又はシミ等の存在がミラーデバイス1Aの外観不良の原因となり、歩留まりが低下するおそれがある。ミラーデバイス1Aの製造方法によれば、支持層11の一部をウェハ10Wから除去するときにウェハ10Wに残存したポリマー(異物)等を保護膜除去によって除去することができる。更に、保護膜を除去するときに、ウェハ10Wに残存したシミ(異物)等をステップS8のウェット洗浄によって除去することができる。これにより、ミラーデバイス1Aの外観不良に起因する歩留まりの低下を抑制することができる。
 また、ミラーデバイス1Aの製造方法では、ステップS6においては、パターニング部材19を除去するためのパターニング部材除去を実施し、パターニング部材除去の後に、複数の部分12WAを完成させている。これにより、複数の第1可動部22及び第2可動部23がリリースされる前にパターニング部材19が除去されるため、パターニング部材除去に起因するミラーデバイス1Aにおける損傷の発生を抑制することができる。
 また、ミラーデバイス1Aの製造方法では、ステップS6のパターニング部材除去においては、ウェットプロセスによりパターニング部材19を除去している。これにより、複数の第1可動部22及び第2可動部23がリリースされる前にパターニング部材19が除去されるため、ウェットプロセスによりパターニング部材19を除去したとしても、ミラーデバイス1Aにおける損傷の発生を抑制することができる。
 また、ミラーデバイス1Aの製造方法では、ステップS7においては、第1可動部22及び第2可動部23のそれぞれに対応する部分に複数の流通孔22b及び複数の流通孔23bを形成している。これにより、ステップS8のウェット洗浄において、第1可動部22及び第2可動部23の近傍で洗浄液の乱流が発生しやすくなるため、第1可動部22及び第2可動部23に対応する部分から異物を確実に除去することができる。また、ミラー層3から異物を確実に除去することができる。
 また、ミラーデバイス1Aの製造方法では、ステップS7においては、ベース部21に対応する部分に流通孔21bを形成している。これにより、ステップS8のウェット洗浄において、流通孔22b,23bに加えて流通孔21bを介してより大量の洗浄液を流通させることができる。したがって、洗浄液によってウェハ10Wが受ける負荷をより確実に小さくすることができ、ウェハ10Wにおける損傷の発生をより確実に抑制することができる。また、ウェット洗浄による洗浄効率が確実に向上する。
[第2実施形態]
 図10に示されるように、第2実施形態のミラーデバイス1Bは、矯正層4に代えて梁部5を備えている点で、第1実施形態のミラーデバイス1Aと主に相違している。ミラーデバイス1Bのその他は、ミラーデバイス1Aと同様であるため、詳細な説明については省略する。
 ミラーデバイス1Bの構造体2Bは、複数の梁部5を備えている。梁部5は、支持層11及び中間層13の一部によって構成されている。梁部5は、第1可動部22に設けられている。梁部5は、デバイス層12のミラー層3とは反対側の面に設けられている。梁部5は、例えばY軸方向に沿って直線状に延びている。複数の梁部5は、X軸方向に沿って所定の間隔ごとに並んでいる。複数の梁部5は、Z軸方向から見た場合に、例えば放射状を呈するように配置されていてもよい。構造体2Bは、1つの梁部5を備えていてもよい。この場合、梁部5は、Z軸方向から見た場合に、例えば円環状を呈していてもよい。つまり、梁部5は、円筒状を呈していてもよい。梁部5は、様々な形状を呈していてもよい。梁部5は、構造体2Bを補強するために設けられている。梁部5において、支持層11の端面11cは、中間層13の端面13cに対して凹まないように形成されている。支持層11の端面11c、及び中間層13の端面13cは、互いに面一である。Z軸方向から見た場合に、支持層11の端面11c、及び中間層13の端面13cは、第1可動部22の端面(流通孔22bを形成する端面)22cよりも内側に位置している。
 次に、ミラーデバイス1Bの製造方法について説明する。ミラーデバイス1Bの製造方法は、矯正層4に代えて梁部5を形成する点で、第1実施形態のミラーデバイス1Aの製造方法と主に相違している。ミラーデバイス1Bの製造方法のその他は、第1実施形態のミラーデバイス1Aの製造方法と同様であるため、詳細な説明については省略する。
 まず、図11に示されるように、第1実施形態のステップS1(図4の(a)を参照)と同様に、ウェハ10Wを用意する(ステップS21、第1工程)。続いて、第1実施形態と同様に、支持層11、デバイス層12及び中間層13のそれぞれの一部をエッチングによってウェハ10Wから除去することで、ベース部21に対して第1可動部22及び第2可動部23が可動となるようにウェハ10Wに第1スリット22a及び第2スリット23aを形成し、それぞれが構造体2Bに対応する複数の部分12WB(図15の(a)参照)をウェハ10Wに形成する(第2工程)。まず、第1実施形態のステップS2と同様に、デバイス層12の一部をエッチングによってウェハ10Wから除去し、第1コイル221、第2コイル231、電極パッド、及び配線等をデバイス層12に設け、ミラー層3をウェハ10Wの表面10aに形成する(ステップS22)。続いて、第1実施形態のステップS3(図4の(b)を参照)と同様に、ウェハ10Wの裏面10bを研磨する(ステップS23)。
 続いて、図12の(a)に示されるように、第1実施形態のステップS4と同様に、ウェハ10Wの裏面10bにパターニング部材29をパターニングする(ステップS24)。続いて、図12の(b)に示されるように、パターニング部材29を介して支持層11の一部をエッチングによってウェハ10Wから除去する(ステップS25)。ステップS25においては、厚さ方向における支持層11の一部のみを除去する。ステップS25のその他は、第1実施形態のステップS5と同様である。続いて、第1実施形態のステップS6(図6を参照)と同様に、パターニング部材除去及び保護膜除去を実施する(ステップS26)。パターニング部材除去が実施されると、図13の(a)に示されるように、ウェハ10Wからパターニング部材29が除去される。
 続いて、図13の(b)に示されるように、ウェハ10Wの裏面10bにパターニング部材39をパターニングする(ステップS27)。具体的には、裏面10bのうちベース部21に対応する領域であって、流通孔21bに対応する領域を除いた領域、及び、裏面10bのうち梁部5に対応する領域にパターニング部材39を設ける。続いて、図14の(a)に示されるように、パターニング部材39を介して支持層11の一部をエッチングによってウェハ10Wから除去する(ステップS28)。具体的には、支持層11のうちベース部21に対応する部分よりも内側の部分であって、梁部5に対応する部分を除いた部分、及び、流通孔21bに対応する部分を除去する。その結果、支持層11の端面11cが形成される。
 続いて、再びパターニング部材除去を実施する(ステップS29)。再びパターニング部材除去が実施されると、図14の(b)に示されるように、ウェハ10Wからパターニング部材39が除去される。続いて、図15の(a)に示されるように、中間層13の一部をエッチングによってウェハ10Wから除去する(ステップS30)。具体的には、中間層13のうちベース部21に対応する部分よりも内側の部分であって、梁部5に対応する部分を除いた部分、及び、流通孔21bに対応する部分を除去する。その結果、中間層13の端面13cが形成される。ステップS30においては、中間層13の端面13cが支持層11の端面11cに対して凹まないようにエッチングを実施する。ステップS30においては、中間層13の端面13cが支持層11の端面11cと面一となるようにエッチングを実施する。続いて、第1実施形態のステップS8(図8を参照)と同様に、ウェット洗浄を実施する(ステップS31、第3工程)。続いて、図15の(b)に示されるように、複数の部分12WBのそれぞれをウェハ10Wから切り出す(ステップ32、第4工程)。これにより、複数のミラーデバイス1Bを製造する。
 以上説明したように、ミラーデバイス1Bの製造方法によれば、上述した第1実施形態のミラーデバイス1Aの製造方法と同様に、ミラーデバイス1Bにおける損傷の発生及び異物の残存を抑制することができる。
 また、ミラーデバイス1Bの製造方法では、ステップS30(第2工程)においては、中間層13の端面13cが支持層11の端面11cに対して凹まないように、エッチングを実施する。そのため、梁部5が第1可動部22から剥がれ難くなる。中間層13の端面13cが支持層11の端面11cに対して凹んでいると、梁部5が第1可動部22から剥がれてしまい、その結果、構造体2Bが破損してしまうおそれがある。ここで、梁部5が第1可動部22から剥がれ難くなるため、構造体2Bの破損が抑制される。ステップS30の後に、ステップS31においてウェット洗浄が実施されるため、梁部5が第1可動部22から剥がれ難くなるのは、特に重要である。
[第3実施形態]
 図16に示されるように、第3実施形態のミラーデバイス1Cは、流通孔22bが第1流通領域22d及び第2流通領域22eを含んでいる点、流通孔23bが第1スリット22aと連通している点、及び、第2連結部25に流通孔25bが形成されている点で、第1実施形態のミラーデバイス1Aと主に相違している。ミラーデバイス1Cにおけるミラーデバイス1Aと同様である部分の詳細な説明については省略する。
 構造体2Cの第1可動部22は、Z軸方向から見た場合に、例えばN角形状(Nは、4以上の自然数である)を呈している。Nは、好ましくは5以上の自然数である。第1可動部22は、Z軸方向から見た場合に、例えば八角形状を呈している。第1可動部22は、Z軸方向から見た場合に、例えば円形状を呈していてもよい。第2連結部25は、X軸方向における第2可動部23の両側に配置されている。
 第1可動部22に形成された流通孔22bは、第1流通領域22d及び複数の第2流通領域22eを含んでいる。第1流通領域22dは、Z軸方向から見た場合に、第1可動部22の外縁に沿って延びている。第1流通領域22dは、Z軸方向から見た場合に、例えば環状を呈している。第1可動部22には、第1流通領域22dを跨ぐ複数の接続部26が形成されている。これにより、第1流通領域22dは、第1可動部22の外縁に沿って並んでいる複数の領域に分割されている。各接続部26は、Z軸方向から見た場合に、第1流通領域22dの周方向において並んでいる。
 複数の第2流通領域22eは、Z軸方向から見た場合に、第1流通領域22dの外側に位置している。複数の第2流通領域22eは、Z軸方向から見た場合に、第1可動部22の外縁に沿って並んでいる。各第2流通領域22eは、Z軸方向から見た場合に、第1可動部22の外縁(八角形の各辺)に沿って延びている。このように、第1流通領域22d及び第2流通領域22eは、Z軸方向と垂直な方向において互いに隣接している。
 Z軸方向と垂直な方向とは、Z軸方向から見た場合に、第1流通領域の内側から第1流通領域の外側に向かう方向に沿った方向をいう。Z軸方向と垂直な方向は、Z軸方向から見た場合における第1可動部22の外縁に垂直な方向である。Z軸方向と垂直な方向は、Z軸方向から見た場合における第1可動部22の径方向である。以下、Z軸方向と垂直な方向を「径方向」という。
 Z軸方向から見た場合に、径方向における第2流通領域22eの幅は、径方向における第1流通領域22dの幅よりも小さい。第2流通領域22eは、径方向における幅が径方向における第1流通領域22dの幅よりも小さい部分を含んでいてもよい。換言すると、第2流通領域22eは、径方向における幅が径方向における第1流通領域22dの幅以上の部分を含んでいてもよい。
 第2可動部23に形成された流通孔(流通補助領域)23bは、第1スリット22aと連通している。具体的には、流通孔23bは、第1スリット22aの一部が、X軸方向において第1可動部22とは反対側に向かって広がることによって形成されている。第1スリット22a及び流通孔23bによって構成された領域は、Z軸方向から見た場合に、例えば矩形状の外形を有している。なお、図16においては、流通孔23bと第1スリット22aとの境界線を点線で示している。各第2連結部25には、それぞれ一対の流通孔25bが形成されている。各第2連結部25において、一対の流通孔25bは、Y軸方向において並んでいる。各流通孔25bは、第2連結部25を貫通している。
 図16及び図17に示されるように、第1可動部22のうち第1流通領域22dの内側の部分は、本体部30を構成する。第1可動部22のうち第1流通領域22dの外側の部分は、環状部40を構成する。本体部30は、平面視において円形状を呈しているが、楕円形状、四角形状、菱形状等の任意の形状に形成されてもよい。平面視における本体部30の中心は、第1軸線X1と第2軸線X2との交点と一致している。環状部40は、平面視において第1流通領域22dを介して本体部30を囲むように環状に形成されている。環状部40は、例えば平面視において八角形状の外縁及び内縁を有している。複数の接続部26は、本体部30と環状部40とを互いに連結している。
 環状部40は、一対の第1部分41と、一対の第2部分42と、二対の第3部分(傾斜部)43と、を有している。一対の第1部分41は、X軸方向における本体部30の両側に位置している。各第1部分41は、Y軸方向に沿って延在している。一対の第2部分42は、Y軸方向における本体部30の両側に位置している。各第2部分42は、X軸方向に沿って延在している。二対の第3部分43は、それぞれ第1部分41と第2部分42との間に位置しており、第1部分41及び第2部分42に接続されている。各第3部分43は、X軸方向及びY軸方向に交差する方向に沿って延在している。各第3部分43は、第1連結部24及び第2連結部25の中心線(第1軸線X1)に斜めに交差している。
 各第3部分43がX軸方向及びY軸方向に交差する方向に沿って延在する構成によれば、環状部40が例えば矩形環状を呈している場合に比べて、各第3部分43を第1軸線X1に近づけることができる。そのため、第1軸線X1に近い領域に第1可動部22の質量を集中させることで、第1軸線X1周りの第1可動部22の慣性モーメントを低減させることができる。換言すると、第1可動部22が、Z軸方向から見た場合に、N角形状を呈している場合において、Nが大きければ大きいほど、第1軸線X1に近い領域に第1可動部22の質量を集中させることで、第1軸線X1周りの第1可動部22の慣性モーメントを低減させることができる。これにより、第1可動部22を駆動させるための駆動電力を低減させることができる。
 各第1部分41には、それぞれ第2流通領域22eが形成されている。各第1部分41は、当該第2流通領域22eに対して本体部30とは反対側の第1フレーム部41aと、第2流通領域22eに対して第1フレーム部41aとは反対側の第2フレーム部41bと、を有している。第1フレーム部41aは、第1可動部22における第2流通領域22eの外側の部分である。第2フレーム部41bは、第1可動部22における第1流通領域22dと第2流通領域22eとの間の部分である。第1フレーム部41a及び第2フレーム部41bは、第2流通領域22eに沿って延在している。径方向における第1フレーム部41aの幅D1は、径方向における第2フレーム部41bの幅D2と略同じである。
 各第1部分41においては、第2流通領域22eが第1軸線X1に関して線対称となるように配置されている。つまり、各第1部分41においては、第2流通領域22eは、第1連結部24及び第2連結部25の中心線上において第1連結部24に隣接する位置に形成されている。これにより、例えば第1連結部24又は第2連結部25で応力が発生し、当該応力が第1可動部22に伝わった場合、第1部分41における第2流通領域22eの近傍の部分が局所的に歪んだ結果、当該応力が第1可動部22の本体部30に伝わるのが抑制される。これにより、ミラー層3の歪等を抑制することができる。
 各第2部分42には、それぞれ第2流通領域22eが形成されている。各第2部分42は、当該第2流通領域22eに対して本体部30とは反対側の第1フレーム部42aと、第2流通領域22eに対して第1フレーム部42aとは反対側の第2フレーム部42bと、を有している。第1フレーム部42aは、第1可動部22における第2流通領域22eの外側の部分である。第2フレーム部42bは、第1可動部22における第1流通領域22dと第2流通領域22eとの間の部分である。第1フレーム部42a及び第2フレーム部42bは、第2流通領域22eに沿って延在している。径方向における第1フレーム部42aの幅D3は、径方向における第2フレーム部42bの幅D4よりも大きい。各第2部分42においては、第2流通領域22eが第1連結部24及び第2連結部25の中心線とは離れた位置に形成されている。
 各第2フレーム部42bは、応力緩和領域として機能する。具体的には、例えば第1可動部22が外部からの応力を受けた場合、第2フレーム部42bが局所的に歪んだ結果、当該応力が第1可動部22の本体部30に伝わるのが抑制される。これにより、ミラー層3の歪等を抑制することができる。
 各第2部分42は、接続部26によって本体部30に連結されている。具体的には、接続部26は、第2フレーム部42bと本体部30とを連結している。各第2部分42においては、接続部26は、径方向(第1流通領域22dと第2流通領域22eとが並ぶ方向)において第1流通領域22dを跨いでいる。各第2部分42においては、接続部26は、径方向において第1流通領域22dの第2流通領域22eと重なる部分を跨いでいる。第2部分42と本体部30とを連結する接続部26は、第3部分43に対して第1連結部24とは反対側における第1流通領域22dに形成されている。
 各第2部分42においては、接続部26は、径方向において第2流通領域22eと隣接している。つまり、接続部26は、第2流通領域22eに対応して形成されている。各第2部分42においては、接続部26は、X軸方向における第2流通領域22eの略中央の位置において第2フレーム部42bに連結されている。これにより、X軸方向における接続部26の両側において第2フレーム部42bを均等に配置することができる。そのため、応力が第1可動部22の本体部30に伝わるのを効率よく抑制することができる。
 各第3部分43には、それぞれ第2流通領域22eが形成されている。各第3部分43は、当該第2流通領域22eに対して本体部30とは反対側の第1フレーム部43aと、第2流通領域22eに対して第1フレーム部43aとは反対側の第2フレーム部43bと、を有している。第1フレーム部43aは、第1可動部22における第2流通領域22eの外側の部分である。第2フレーム部43bは、第1可動部22における第1流通領域22dと第2流通領域22eとの間の部分である。第1フレーム部43a及び第2フレーム部43bは、第2流通領域22eに沿って延在している。径方向における第1フレーム部43aの幅D5は、径方向における第2フレーム部43bの幅D6よりも大きい。
 各第2フレーム部43bは、応力緩和領域として機能する。具体的には、例えば第1可動部22が外部からの応力を受けた場合に、第2フレーム部43bが局所的に歪んだ結果、当該応力が第1可動部22の本体部30に伝わるのが抑制される。これにより、ミラー層3の歪等を抑制することができる。
 各第3部分43は、接続部26によって本体部30に連結されている。具体的には、接続部26は、第2フレーム部43bと本体部30とを連結している。各第3部分43においては、接続部26が径方向(第1流通領域22dと第2流通領域22eとが並ぶ方向)において第1流通領域22dを跨いでいる。各第3部分43においては、接続部26は、径方向において第1流通領域22dの第2流通領域22eと重なる部分を跨いでいる。第3部分43と本体部30とを連結する接続部26は、第2部分42と本体部30とを連結する接続部26と第1連結部24との間における第1流通領域22dに形成されている。第3部分43と本体部30とを連結する接続部26は、第1流通領域22dの第3部分43と重なる部分に形成されている。
 各第3部分43においては、接続部26は、径方向において、第2流通領域22eと隣接している。つまり、接続部26は、第2流通領域22eに対応して形成されている。各第3部分43においては、接続部26は、第2流通領域22eの中心線X3に対して、第1連結部24とは反対側の位置において第2フレーム部43bに連結されている。各第3部分43においては、接続部26は、径方向において第1流通領域22dの第2流通領域22eと重なる部分のうち、第1連結部24とは反対側の部分に形成されている。つまり、各第3部分43においては、接続部26が第1連結部24と離れた位置において第2フレーム部43bに連結されている。これにより、各第3部分43においては、第2フレーム部43bにおける第1連結部24側の端(第1連結部24に近い端)から接続部26までの距離が長くなる。つまり、第2フレーム部43bのうち、第1連結部24から伝わった応力が緩和される領域が長くなる。そのため、例えば第1連結部24から伝わった応力が当該接続部26を介して第1可動部22の本体部30に伝わるのが効果的に抑制される。これにより、ミラー層3の歪等を効果的に抑制することができる。なお、中心線X3は、第3部分43において第2流通領域22eの延在方向における中心を通過し、且つ径方向に沿って延びる線である。
 第1流通領域22dの第3部分43と重なる部分には、接続部26が形成されていなくてもよい。第1流通領域22dの第3部分43よりも第1連結部24側の部分に接続部26が形成されていてもよい。
 第1可動部22が、Z軸方向から見た場合に、N角形状を呈している場合において、Nが大きければ大きいほど(例えばNが8である場合)、第1可動部22が例えば矩形状を呈している場合に比べて、各第2部分42を本体部30に連結する一対の接続部26と第1連結部24との距離(第1可動部22の外縁に沿った距離)が小さくなる。その結果、第1連結部24から当該一対の接続部26を介して本体部30に伝わる応力が増加するおそれがある。そのため、当該一対の接続部26だけではなく、上述したように、当該接続部26と第1連結部24との間にも接続部26を設けることで応力が本体部30に伝わるのを抑制することが好ましい。また、第2部分42とは異なる第3部分43と本体部30との間に接続部26を設けることが特に好ましい。各接続部26が第2部分42及び第3部分43のそれぞれと本体部30とを連結することにより、第1連結部24から本体部30に伝わる応力をより減少させることができる。本実施形態では、上述したように、一対の第2部分42及び二対の第3部分43は、三対の接続部26によって本体部30に連結されている。
 ミラーデバイス1Cの第1コイル221は、Z軸方向から見た場合に、第1流通領域22dよりも外側(第1可動部22の外縁部)において渦巻き状に延びている。具体的には、第1コイル221は、各第1部分41においては、第1流通領域22dと第2流通領域22eとの間(第1軸線X1上に存在する第1流通領域22dと第2流通領域22eとの間)に配置されており、各第2部分42及び各第3部分43においては、第2流通領域22eよりも外側(接続部26に対応して設けられた第2流通領域22eと第1可動部22の外縁との間)に配置されている。つまり、第1コイル221は、各第1部分41においては、第2フレーム部41bに設けられており、各第2部分42及び各第3部分43においては、第1フレーム部42a及び第1フレーム部43aに設けられている。第1コイル221は、例えば、駆動コイル及び/又はセンシングコイルである。
 第1コイル221が、各第1部分41において、第2フレーム部41bに配置されていると、第1連結部24と第1コイル221との間に第1フレーム部41aが存在するため、例えば第1連結部24又は第2連結部25で発生した応力が第1コイル221に伝わるのが抑制される。これにより、第1コイル221の損傷を防ぐことができる。また、第1コイル221が、各第2部分42及び各第3部分43において、第1フレーム部42a及び第1フレーム部43aに配置されていると、相対的に歪やすい応力緩和領域として機能する第2フレーム部42b及び第2フレーム部43bを避けることができ、第1コイル221の損傷を防ぐことができる。また、第1コイル221が、各第2部分42及び各第3部分43において、第1フレーム部42a及び第1フレーム部43aに配置されていると、径方向における第2フレーム部42bの幅D4及び径方向における第2フレーム部43bの幅D6を十分に小さくすることができ、第2フレーム部42b及び第2フレーム部43bの応力緩和領域としての機能を十分に発揮させることができる。
 次に、ミラーデバイス1Cの製造方法について説明する。ミラーデバイス1Cの製造方法は、第1流通領域22d及び第2流通領域22eを含む流通孔22bを形成する点、第1スリット22aに連通する流通孔23bを形成する点、及び、第2連結部25に流通孔25bを形成する点で、第1実施形態のミラーデバイス1Aの製造方法と主に相違している。ミラーデバイス1Cの製造方法におけるミラーデバイス1Aの製造方法と同様である部分の詳細な説明については省略する。
 ミラーデバイス1Cの製造方法では、第2工程において、デバイス層のうち第1スリット22a、第2スリット23a、第1流通領域22dのうち接続部26を除いた領域、第2流通領域22e、流通孔23b、及び流通孔25bに対応する部分を除去する。また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、第2工程において、中間層のうちベース部21に対応する部分よりも内側の部分を除去する。その結果、第1スリット22a及び第2スリット23aが形成され、複数の第1可動部22及び複数の第2可動部23がリリースされる。
 また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、第2工程において、上述したように、中間層13の一部をウェハから除去することで、ウェハのうち第1スリット22a及び第2スリット23a以外の部分にウェハを貫通する複数の流通孔22b,23b,25bを形成する。具体的には、ミラーデバイス1Cの製造方法では、第2工程において、ウェハのうち第1可動部22に対応する部分に、ウェハを貫通する流通孔22bを形成し、第2可動部23に対応する部分に、ウェハを貫通する流通孔23bを形成し、第2連結部25に対応する部分に、ウェハを貫通する流通孔25bを形成する。
 具体的には、ミラーデバイス1Cの製造方法では、第2工程において、流通孔23bが第1スリット22aと連通するように、流通孔23bを形成する。また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、第2工程において、Z軸方向から見た場合に、流通孔22bが径方向において互いに隣接する第1流通領域22d及び第2流通領域22eを含むように、流通孔22bを第1可動部22に対応する部分に形成する。また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、第2工程において、Z軸方向から見た場合に、径方向において、第1流通領域22dを跨ぐ接続部26が形成されるように、流通孔22bを形成する。また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、第2工程において、Z軸方向から見た場合に、径方向における第2流通領域22eの幅が径方向における第1流通領域22dの幅よりも小さい部分を含むように、流通孔22bを形成する。
 また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、第2工程において、第1可動部22が第1連結部24によってベース部21において支持されるように、第1スリット22aを形成する。また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、第2工程において、Z軸方向から見た場合に、径方向において第2流通領域22eが第1連結部24と隣接するように、第2流通領域22eを形成する。また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、第2工程において、第2可動部23が第2連結部25によってベース部21において支持されるように、第2スリット23aを形成する。また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、第2工程において、第2連結部25に対応する部分に流通孔25bを形成する。
 以上説明したように、ミラーデバイス1Cの製造方法によれば、上述した第1実施形態のミラーデバイス1Aの製造方法と同様に、ミラーデバイス1Cにおける損傷の発生及び異物の残存を抑制することができる。
 また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、ステップS7においては、第1可動部22及び第2可動部23が、それぞれ第1連結部24及び第2連結部25によってベース部21において支持されるように、第1スリット22a及び第2スリット23aを形成し、第2連結部25に対応する部分に流通孔25bを形成している。これにより、ステップS7のウェット洗浄において、第2連結部25の近傍で洗浄液の乱流が発生しやすくなるため、第2連結部25の強度を保ちつつ第2連結部25に対応する部分から異物を確実に除去することができる。
 また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、ステップS7においては、流通孔23bが第1スリット22aと連通するように、流通孔23bを形成している。これにより、ステップS7のウェット洗浄において、流通孔23bを介してより大量の洗浄液を流通させることができる。
 また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、ステップS7おいては、Z軸方向から見た場合に、流通孔22bが径方向において互いに隣接する第1流通領域22d及び第2流通領域22eを含むように、流通孔22bを第1可動部22に対応する部分に形成している。これにより、ステップS8のウェット洗浄において、第1流通領域22dと第2流通領域22eとが隣接する場所で洗浄液の乱流が発生しやすくなるため、ウェハ10Wから異物を確実に除去することができる。
 また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、ステップS7においては、Z軸方向から見た場合に、径方向において、第1流通領域22dを跨ぐ接続部26が形成されるように、流通孔22bを形成している。これにより、ステップS8のウェット洗浄において、ウェハ10Wが接続部26によって補強されるため、ウェハ10Wにおける損傷の発生を抑制することができる。また、ステップS8のウェット洗浄において、第2流通領域22eを介して洗浄液を流通させることができるため、洗浄液によって接続部26が受ける負荷を小さくすることができ、接続部26に損傷が生じるのを抑制することができる。
 また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、ステップS7においては、Z軸方向から見た場合に、第2流通領域22eが径方向における第2流通領域22eの幅が径方向における第1流通領域22dの幅よりも小さい部分を含むように、流通孔22bを形成している。これにより、第1流通領域22dの幅と第2流通領域22eの幅とが異なるため、ステップS8のウェット洗浄において洗浄液の乱流が発生しやすくなる。そのため、ウェハ10Wから異物を確実に除去することができる。
 また、ミラーデバイス1Cの製造方法では、ステップS7においては、第1可動部22及び第2可動部23が、それぞれ第1連結部24及び第2連結部25によってベース部21において支持されるように、第1スリット22a及び第2スリット23aを形成し、Z軸方向から見た場合に、第1流通領域22dと第2流通領域22eとが並ぶ方向において第2流通領域22eが第1連結部24と隣接するように、第2流通領域22eを形成している。これにより、ステップS8のウェット洗浄において、第2流通領域22eを介して洗浄液を流通させることができるため、洗浄液によって第1連結部24が受ける負荷を小さくすることができ、第1連結部24に損傷が生じるのを抑制することができる。
[第4実施形態]
 図18に示されるように、第4実施形態のミラーデバイス1Dは、第1可動部22に流通孔22fが形成されている点、及び、流通孔23bが第1スリット22aと連通している点で、第1実施形態のミラーデバイス1Aと主に相違している。ミラーデバイス1Dにおけるミラーデバイス1Aと同様である部分の詳細な説明については省略する。
 構造体2Dの第1可動部22には、流通孔22fが形成されている。流通孔22fは、Z軸方向から見た場合に、第1可動部22の外縁に沿って延びている。流通孔22fは、Z軸方向から見た場合に、例えば環状を呈している。第1可動部22には、流通孔22fを跨ぐ複数の接続部26が形成されている。第1可動部22には、例えば4つの接続部26が形成されている。各接続部26は、Z軸方向から見た場合に、それぞれY軸方向における第1可動部22の両端部に形成されている。これにより、流通孔22bは、複数の領域に分割されている。
 第1可動部22のうち流通孔22fの内側の部分は、本体部30を構成する。第1可動部22のうち流通孔22fの外側の部分は、環状部40を構成する。本体部30は、平面視において円形状を呈しているが、楕円形状、四角形状、菱形状等の任意の形状に形成されてもよい。平面視における本体部30の中心は、第1軸線X1と第2軸線X2との交点と一致している。環状部40は、平面視において流通孔22fを介して本体部30を囲むように環状に形成されている。環状部40は、平面視において六角形状の外形を有しているが、円形状、楕円形状、四角形状、菱形状等の任意の外形を有していてもよい。本体部30と環状部40とは、複数の接続部26によって互いに連結されている。
 ミラーデバイス1Dの第2可動部23は、枠状に形成されており、第1可動部22を囲むようにベース部21の内側に配置されている。第2可動部23は、一対の第1接続部41A,41Bと、一対の第2接続部42A,42Bと、一対の第1直線状部43A,43Bと、一対の第2直線状部44A,44Bと、一対の第3直線状部45A,45Bと、一対の第4直線状部46A,46Bと、を有している。第2可動部23は、平面視において第1軸線X1及び第2軸線X2のそれぞれに関して対称な形状を有している。以下の説明において、第1軸線X1又は第2軸線X2に関して対称とは、平面視における対称をいう。
 第1接続部41A,41Bは、X軸方向における第1可動部22の両側に位置している。すなわち、各第1接続部41A,41Bは、平面視において第1可動部22とX軸方向に対向する部分を有している。各第1接続部41A,41Bは、Y軸方向に沿って延在している。
 第2接続部42A,42Bは、Y軸方向における第1可動部22の両側に位置している。すなわち、各第2接続部42A,42Bは、平面視において第1可動部22とY軸方向に対向する部分を有している。各第2接続部42A,42Bは、X軸方向に沿って延在している。
 第1直線状部43A,43Bは、X軸方向における第2接続部42Aの両側に位置し、第2接続部42Aに接続されている。各第1直線状部43A,43Bは、X軸方向に沿って延在している。第1直線状部43A,43Bは、Y軸に関して互いに対称に配置されている。第2直線状部44A,44Bは、X軸方向における第2接続部42Bの両側に位置し、第2接続部42Bに接続されている。各第2直線状部44A,44Bは、X軸方向に沿って延在している。第2直線状部44A,44Bは、Y軸に関して互いに対称に配置されている。
 第3直線状部45A,45Bは、各第1直線状部43A,43Bに対して第2接続部42Aとは反対側に位置し、第1直線状部43A,43Bと第1接続部41A,41Bとに接続されている。第3直線状部45Aは、平面視において、X軸及びY軸のそれぞれに対して45度傾斜した方向に沿って延在している。第3直線状部45Bは、第3直線状部45Aに対してY軸に関して対称に延在している。
 第4直線状部46A,46Bは、各第2直線状部44A,44Bに対して第2接続部42Bとは反対側に位置し、第2直線状部44A,44Bと第1接続部41A,41Bとに接続されている。第4直線状部46Aは、第3直線状部45Aに対してX軸に関して対称に延在している。第4直線状部46Bは、第4直線状部46Aに対してY軸に関して対称に延在すると共に、第3直線状部45Bに対してX軸に関して対称に延在している。
 各第1連結部24は、第1接続部41A,41Bにおいて第2可動部23に接続されている。本実施形態では、第1連結部24に作用する応力の緩和のために、各第1連結部24における第1可動部22側の端部の幅(Y軸方向における幅)は第1可動部22に近づくほど広がっており、第2可動部23側の端部の幅(Y軸方向における幅)は第2可動部23に近づくほど広がっている。
 各第2連結部25は、第2接続部42A,42Bにおいて第2可動部23に接続されている。各第2連結部25は、平面視において蛇行して延在している。各第2連結部25は、複数の直線状部と、複数の折り返し部と、を有している。直線状部は、Y軸方向に延在し、X軸方向に並んで配置されている。折り返し部は、隣り合う直線状部の両端を交互に連結している。
 第2可動部23に形成された流通孔(流通補助領域)23bは、第1スリット22aと連通している。流通孔23bは、4つの第1部分23cと、2つの第2部分23dと、を含んでいる。各第1部分23cは、Z軸方向から見た場合に、第1可動部22の外側において第1軸線X1及び第2軸線X2に関して互いに線対称に配置されている。各第1部分23cは、第1スリット22aの一部が、X軸方向において第1可動部22とは反対側に向かって広がることによって形成されている。各第2部分23dは、それぞれ、Y軸方向における第1可動部22の両側において、一対の第1部分23cの間に位置している。各第2部分23dは、第1スリット22aの一部が、Y軸方向において第1可動部22とは反対側に広がることによって形成されている。各第2部分23dは、それぞれ各第1スリット22aと連通している。図18においては、流通孔23bと第1スリット22aとの境界線を点線で示している。
 ミラーデバイス1Dは、一対のコイル14,15を更に備えている。各コイル14,15は、第1可動部22を囲むように第2可動部23に設けられ、平面視において(各コイル14,15が配置された平面に直交する方向から見た場合に)渦巻き状を呈している。各コイル14,15は、X軸及びY軸を含む平面に沿って配置されている。各コイル14,15は、第1可動部22の周りに複数回巻回されている。一対のコイル14,15は、平面視において第2可動部23の幅方向に互い違いに並ぶように、配置されている。第1可動部22にはコイルが設けられていない。
 次に、ミラーデバイス1Dの製造方法について説明する。ミラーデバイス1Dの製造方法は、第1可動部22に流通孔22fを形成する点、及び、第1スリット22aに連通する流通孔23bを形成する点で、第1実施形態のミラーデバイス1Aの製造方法と主に相違している。ミラーデバイス1Dの製造方法におけるミラーデバイス1Aの製造方法と同様である部分の詳細な説明については省略する。
 ミラーデバイス1Dの製造方法では、第2工程において、デバイス層のうち第1スリット22a、第2スリット23a、流通孔22f及び流通孔23bに対応する部分を除去する。また、ミラーデバイス1Dの製造方法では、第2工程において、中間層のうちベース部21に対応する部分よりも内側の部分を除去する。その結果、第1スリット22a及び第2スリット23aが形成され、複数の第1可動部22及び複数の第2可動部23がリリースされる。
 また、ミラーデバイス1Dの製造方法では、第2工程において、上述したように、中間層13の一部をウェハから除去することで、ウェハのうち第1スリット22a及び第2スリット23a以外の部分にウェハを貫通する複数の流通孔22f,23bを形成する。具体的には、ミラーデバイス1Dの製造方法では、第2工程において、ウェハのうち第1可動部22に対応する部分に、ウェハを貫通する22fを形成し、第2可動部23に対応する部分に、ウェハを貫通する流通孔23bを形成する。
 以上説明したように、ミラーデバイス1Dの製造方法によれば、上述した第1実施形態のミラーデバイス1Aの製造方法と同様に、ミラーデバイス1Dにおける損傷の発生及び異物の残存を抑制することができる。
[変形例]
 以上、本開示の一実施形態について説明したが、本開示は、上述した実施形態に限定されるものではない。
 各実施形態において、デバイス層12の一部、支持層11の一部、及び中間層13の一部をこの順にウェハ10Wから除去する例を示したが、これに限定されない。支持層11の一部、デバイス層12の一部、及び中間層13の一部をこの順にウェハ10Wから除去してもよい。この場合、中間層13の一部をウェハ10Wから除去する前に、パターニング部材除去及び保護膜除去を実施する。また、支持層11の一部、中間層13の一部、及びデバイス層12の一部をこの順にウェハ10Wから除去してもよい。この場合、デバイス層12の一部をウェハ10Wから除去する前に、パターニング部材除去及び保護膜除去を実施する。つまり、これらの場合には、パターニング部材除去及び保護膜除去の後に、第1可動部22及び第2可動部23をリリースすればよい。
 また、各実施形態において、パターニング部材除去においては、ウェットプロセスによりパターニング部材19,29,39を除去する例を示したが、パターニング部材除去においては、ドライプロセスによってパターニング部材19,29,39をウェハ10Wから除去してもよい。同様に、各実施形態において、保護膜除去においては、ウェットプロセスにより保護膜を除去する例を示したが、保護膜除去においては、ドライプロセスによって保護膜をウェハ10Wから除去してもよい。これらの場合には、デバイス層12の一部、中間層13の一部、及び支持層11の一部をこの順にウェハ10Wから除去してもよい。つまり、これらの場合には、第1可動部22及び第2可動部23をリリースした後に、パターニング部材除去及び保護膜除去を実施してもよい。また、各実施形態において、パターニング部材除去を実施した後に、保護膜除去を実施する例を示したが、保護膜除去を実施した後に、パターニング部材除去を実施してもよい。
 また、第1実施形態において、中間層13のうちベース部21に対応する部分よりも内側の部分、及び、流通孔21bに対応する部分を除去することで、第1スリット22a、第2スリット23a、及び流通孔21b,22b,23bを形成する例を示したが、これに限定されない。第1スリット22a、第2スリット23a、及び流通孔21b,22b,23bが形成される順序は、任意であってもよい。例えば、第1スリット22a及び第2スリット23a形成した後、つまり、第1可動部22及び第2可動部23をリリースした後に、流通孔21b,22b,23bを形成してもよい。この場合、まず、ウェハ10Wのうち第1スリット22a及び第2スリット23aに対応する部分を除去した後に、流通孔21b,22b,23bに対応する部分を除去してもよい。また、流通孔21b,22b,23bを形成した後に、第1スリット22a及び第2スリット23aを形成してもよい。この場合、まず、ウェハ10Wのうち流通孔21b,22b,23bに対応する部分を除去した後に、第1スリット22a及び第2スリット23aに対応する部分を除去してもよい。
 また、第1実施形態において、矯正層4がウェハ10Wの裏面10bに対して形成される例を示したが、矯正層4は、ウェハ10Wの表面10aに対して形成されてもよい。具体的には、矯正層4は、ベース部21、第2可動部23、各第1連結部24、及び各第2連結部25においては、デバイス層12における中間層13とは反対側の面に形成されてもよい。矯正層4は、第1可動部22においては、デバイス層12における中間層13とは反対側の面、及びミラー層3におけるデバイス層12とは反対側の面に形成されてもよい。また、矯正層4は、表面10aに対して形成され、且つ裏面10bに対して形成されてもよい。つまり、矯正層4は、表面10a及び/又は裏面10bに対して形成される。
 また、図19の(a)に示されるように、各流通孔22bは、Z軸方向から見た場合に、X軸方向(ウェハ10Wの厚さ方向に垂直な方向)における幅が変化してもよい。すなわち、Z軸方向から見た場合に、各流通孔22bのX軸方向における幅は、Y軸方向における異なる位置において互いに異なっていてもよい。具体的には、各流通孔22bは、Y軸方向における中央部の幅がY軸方向における両端部の幅よりも大きくてもよい。各流通孔22bは、Z軸方向から見た場合に、少なくとも一部に湾曲部を含んでいてもよい。各流通孔22bは、Z軸方向から見た場合に、X軸方向における一方側の縁と他方側の縁とが異なる形状を呈していてもよい。各流通孔22bは、Z軸方向から見た場合に、ミラー層3を囲む三日月状を呈していてもよい。これらの場合には、第3工程のウェット洗浄において、各流通孔22bの近傍で複雑な水流が発生しやすくなるため、ウェット洗浄による洗浄効率が向上する。
 各実施形態の第2工程においては、Z軸方向から見た場合に、X軸方向における幅が変化するように、各流通孔22bを形成してもよい。これにより、第3工程のウェット洗浄において、洗浄液の乱流が発生やすくなるため、ウェハ10Wから異物を確実に除去することができる。各実施形態の第2工程においては、少なくとも一部に湾曲部が含まれるように、各流通孔22bを形成してもよい。これにより、ステップS8のウェット洗浄においては、流通孔22bの湾曲部が受ける洗浄液による負荷が小さくなるため、ミラーデバイス1Aにおける損傷の発生を抑制することができる。各実施形態の第2工程においては、Z軸方向から見た場合に、一方側の縁と他方側の縁とが異なる形状を呈するように、各流通孔22bを形成してもよい。これにより、より大きい流通孔22bを形成することによって、第3工程のウェット洗浄において、流通孔22bを介してより大量の洗浄液を流通させることができる。そのため、ウェハ10Wから異物を確実に除去することができる。なお、構造体2A,2B,2C,2Dは、第2可動部23を有していなくてもよい。この場合、第1可動部22は、Z軸方向から見た場合に、第1スリット22aを介してベース部21の内側に配置されている。なお、各第1連結部24は、Z軸方向から見た場合に、Y軸方向における第1可動部22の両側にそれぞれ配置されていてもよい。
 また、図19の(b)に示されるように、流通孔22bは、Z軸方向から見た場合に、第1軸線X1及び第2軸線X2との交点を中心とする円環状を呈していてもよい。この場合、第1可動部22には、流通孔22bを跨ぐ接続部26が形成されている。第1可動部22には、例えば4つの接続部26が形成されている。各接続部26は、Z軸方向から見た場合に、流通孔22bの周方向において同間隔に並んでいる。これにより、流通孔22bは、複数の領域に分割されている。第1可動部22は、Z軸方向から見た場合に、第1軸線X1及び第2軸線X2との交点に関して点対称である。この場合、各接続部26によって第1可動部22を適切に補強しつつ、第1可動部22のうち流通孔22bが占める面積を大きくすることができる。そのため、第3工程のウェット洗浄において、流通孔22bを介してより大量の洗浄液を流通させることができる。これにより、ウェハ10Wから異物を確実に除去することができる。また、第1可動部22が点対称であるため、第3工程のウェット洗浄において、第1可動部22における損傷の発生を抑制することができる。
 また、各実施形態の第2工程においては、流通孔22bを跨ぐ接続部26が形成されるように、流通孔22bを形成してもよい。各実施形態の第2工程においては、流通孔22b以外の流通孔(例えば流通孔23b)を跨ぐ連結部が形成されるように、流通孔22b以外の流通孔を形成してもよい。これらにより、第3工程のウェット洗浄において、ウェハ10Wが接続部26によって補強されるため、ミラーデバイス1Aにおける損傷の発生を抑制することができる。なお、第1可動部22は、Z軸方向から見た場合に、円形状を呈していてもよい。
 また、図19の(c)に示されるように、一対の流通孔22bは、第1軸線X1に関して互いに線対称であってもよい。各流通孔22bは、Z軸方向から見た場合に、ミラー層3を囲む三日月状を呈していてもよい。この場合には、第3工程のウェット洗浄において、各流通孔22bの近傍で複雑な水流が発生しやすくなるため、ウェット洗浄による洗浄効率が向上する。なお、第1可動部22は、Z軸方向から見た場合に、長軸がY軸方向に沿って延びる楕円形状を呈していてもよい。
 また、図20の(a)に示されるように、第2可動部23には、流通孔23bが形成されていなくてもよい。また、図20の(b)に示されるように、第1可動部22には、流通孔22bが形成されていなくてもよい。
 また、図21に示されるように、流通孔22b,23bは、形成されていなくてもよい。つまり、ベース部21のみに、流通孔21bが形成されていてもよい。
 また、図22に示されるように、X軸方向における各第1連結部24の両側には、それぞれ一対の流通孔24bが形成されていてもよい。各流通孔24bは、ベース部21を貫通している。各流通孔24bは、X軸方向において各第1スリット22aよりも内側に位置している。また、ベース部21には、流通孔21bが形成されていなくてもよい。
 また、流通孔21b,22b,23b,24b,25bは、洗浄液を流通させるために形成されていなくてもよい。流通孔21b,22b,23b,24b,25bは、単なる貫通孔又は貫通領域であってもよい。
 なお、以上の各実施形態からは、以下の発明を抽出することができる。
 発明1:ベース部と、前記ベース部において支持された可動部と、前記ベース部に対して前記可動部が可動となるように、前記可動部に連結された連結部と、前記可動部に設けられたミラー層と、を備え、前記可動部には、環状を呈しており且つ前記可動部の外縁に沿って延びている第1貫通領域と、前記第1貫通領域よりも外側に位置している複数の第2貫通領域と、前記第1貫通領域の前記第2貫通領域と重なる部分を跨ぐ接続部と、が形成されており、前記可動部における前記第2貫通領域の外側の部分の幅は、前記可動部における前記第1貫通領域と前記第2貫通領域との間の部分の幅よりも大きい、光走査装置。
 発明2:前記第2貫通領域は、前記連結部の中心線上の位置に形成されている、発明1に記載の光走査装置。
 発明3:前記接続部は、前記第1貫通領域の前記第2貫通領域と重なる部分のうち、前記連結部とは反対側の部分に形成されている、発明1又は2に記載の光走査装置。
 発明4:前記可動部における前記第1貫通領域の外側の部分は、前記連結部の中心線に斜めに交差する傾斜部を含んでいる、発明1~3のいずれか一方に記載の光走査装置。
 発明5:前記可動部は、N(Nは5以上の自然数)角形状を呈している、発明1~4のいずれか一方に記載の光走査装置。
 発明6:前記可動部における前記第1貫通領域の外側の部分は、前記連結部の中心線に斜めに交差する傾斜部を含んでおり、前記傾斜部に対して前記連結部とは反対側における前記第1貫通領域には前記接続部が形成され、前記傾斜部に対して前記連結部とは反対側に形成された前記接続部と前記連結部との間における前記第1貫通領域には前記接続部が更に形成されている、発明1~5のいずれか一方に記載の光走査装置。
 発明7:前記傾斜部に対して前記連結部とは反対側に形成された前記接続部と前記連結部との間における前記第1貫通領域に形成された前記接続部は、前記第1貫通領域の前記傾斜部と重なる部分又は前記第1貫通領域の前記傾斜部よりも前記連結部側の部分に形成されている、発明6に記載の光走査装置。
 発明8:前記可動部の外縁部において延びているコイルを更に備え、前記第2貫通領域は、前記連結部の中心線上の位置、及び前記連結部の前記中心線と離れた位置に形成されており、前記コイルは、前記連結部の前記中心線上の位置に形成された前記第2貫通領域と前記第1貫通領域との間、及び、前記連結部の前記中心線と離れた位置に形成された前記第2貫通領域と前記可動部の外縁との間に配置されている、発明1~7のいずれか一方に記載の光走査装置。
 1A,1B,1C,1D…ミラーデバイス、2A,2B,2C,2D…構造体、3…ミラー層、4…矯正層、10W…ウェハ、10a…表面、10b…裏面、11…支持層、12…デバイス層、13…中間層、11a,11b,11c,12a,12b,13a,13b,13c…端面、19…パターニング部材、21…ベース部、22…第1可動部、22a…第1スリット、23…第2可動部、23a…第2スリット、21b,22b,22f,23b,24b,25b…流通孔、22d…第1流通領域、22e・・・第2流通領域、24…第1連結部、25…第2連結部、26…接続部。

Claims (19)

  1.  ベース部、及び、前記ベース部において支持された可動部を含む構造体と、前記可動部に設けられたミラー層と、を備えるミラーデバイスの製造方法であって、
     支持層及びデバイス層を有するウェハを用意する第1工程と、
     前記第1工程の後に、前記支持層及び前記デバイス層のそれぞれの一部をエッチングによって前記ウェハから除去することで、前記ベース部に対して前記可動部が可動となるように前記ウェハにスリットを形成し、それぞれが前記構造体に対応する複数の部分を前記ウェハに形成する第2工程と、
     前記第2工程の後に、洗浄液によって前記ウェハを洗浄するウェット洗浄を実施する第3工程と、
     前記第3工程の後に、前記複数の部分のそれぞれを前記ウェハから切り出す第4工程と、を備え、
     前記第2工程においては、前記エッチングによって、前記ウェハのうち前記スリット以外の部分に、前記ウェハを貫通する流通孔を形成する、ミラーデバイスの製造方法。
  2.  前記第2工程においては、前記ウェハのうち前記可動部に対応する部分に前記ミラー層を形成する、請求項1に記載のミラーデバイスの製造方法。
  3.  前記第3工程と前記第4工程との間に、前記ウェハの表面のうち前記ミラー層が形成された第1表面、及び/又は前記第1表面とは反対側の第2表面に対して矯正層を形成する第5工程を更に備える、請求項2に記載のミラーデバイスの製造方法。
  4.  前記第2工程においては、前記支持層の一部を前記ウェハから除去した後に、保護膜を除去するための保護膜除去を実施し、前記保護膜除去の後に、前記複数の部分を完成させる、請求項1~3のいずれか一項に記載のミラーデバイスの製造方法。
  5.  前記保護膜除去においては、ウェットプロセスにより前記保護膜を除去する、請求項4に記載のミラーデバイスの製造方法。
  6.  前記第2工程においては、パターニング部材を除去するためのパターニング部材除去を実施し、前記パターニング部材除去の後に、前記複数の部分を完成させる、請求項1~5のいずれか一項に記載のミラーデバイスの製造方法。
  7.  前記パターニング部材除去においては、ウェットプロセスにより前記パターニング部材を除去する、請求項6に記載のミラーデバイスの製造方法。
  8.  前記第2工程においては、前記可動部に対応する部分に複数の前記流通孔を形成する、請求項1~7のいずれか一項に記載のミラーデバイスの製造方法。
  9.  前記第2工程においては、前記ベース部に対応する部分に前記流通孔を形成する、請求項1~8のいずれか一項に記載のミラーデバイスの製造方法。
  10.  前記第2工程においては、前記可動部が連結部によって前記ベース部において支持されるように、前記スリットを形成し、前記連結部に対応する部分に前記流通孔を形成する、請求項1~9のいずれか一項に記載のミラーデバイスの製造方法。
  11.  前記第2工程においては、少なくとも一部に湾曲部が含まれるように、前記流通孔を形成する、請求項1~10のいずれか一項に記載のミラーデバイスの製造方法。
  12.  前記第2工程においては、前記ウェハの厚さ方向から見た場合に、前記厚さ方向に垂直な方向における前記流通孔の幅が変化するように、前記流通孔を形成する、請求項1~11のいずれか一項に記載のミラーデバイスの製造方法。
  13.  前記第2工程においては、前記ウェハの厚さ方向から見た場合に、前記流通孔の一方側の縁と前記一方側の縁とは反対側の他方側の縁とが異なる形状を呈するように、前記流通孔を形成する、請求項1~12のいずれか一項に記載のミラーデバイスの製造方法。
  14.  前記第2工程においては、前記流通孔を跨ぐ接続部が形成されるように、前記流通孔を形成する、請求項1~13のいずれか一項に記載のミラーデバイスの製造方法。
  15.  前記第2工程においては、前記流通孔が前記スリットと連通するように、前記流通孔を形成する、請求項1~14のいずれか一項に記載のミラーデバイスの製造方法。
  16.  前記第2工程においては、前記ウェハの厚さ方向から見た場合に、前記流通孔が前記厚さ方向と垂直な方向において互いに隣接する第1流通領域及び第2流通領域を含むように、前記流通孔を前記可動部に対応する部分に形成する、請求項1~15のいずれか一項に記載のミラーデバイスの製造方法。
  17.  前記第2工程においては、前記厚さ方向から見た場合に、前記第1流通領域と前記第2流通領域とが並ぶ方向において、前記第1流通領域を跨ぐ接続部が形成されるように、前記流通孔を形成する、請求項16に記載のミラーデバイスの製造方法。
  18.  前記第2工程においては、前記厚さ方向から見た場合に、前記第2流通領域が前記厚さ方向に垂直な方向における前記第2流通領域の幅が前記厚さ方向に垂直な方向における前記第1流通領域の幅よりも小さい部分を含むように、前記流通孔を形成する、請求項16又は17に記載のミラーデバイスの製造方法。
  19.  前記第2工程においては、前記可動部が連結部によって前記ベース部において支持されるように、前記スリットを形成し、前記厚さ方向から見た場合に、前記第1流通領域と前記第2流通領域とが並ぶ方向において前記第2流通領域が前記連結部と隣接するように、前記第2流通領域を形成する、請求項16~18のいずれか一項に記載のミラーデバイスの製造方法。
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