JP2002296517A - プレーナー型ガルバノ装置及びその製造方法 - Google Patents
プレーナー型ガルバノ装置及びその製造方法Info
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Abstract
成等による可動板の反りの発生を最小限にするプレーナ
ー型ガルバノ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】反射ミラー面と同一面に引張応力の強い膜
を形成したプレーナー型ガルバノ装置とし、シリコン貼
り合わせ基板(SOI基板)の上下面を熱酸化してシリ
コン酸化膜形成する工程と、基板上面側にフォトリソグ
ラフによりコイル(30)、絶縁膜(31)、保護膜3
2の各パターンを積層する工程と、中間層に至る支持基
板(シリコン)を異方性エッチングにより除去する工程
と、可動板下面に残留する中間層をドライエッチングに
より除去する工程と、シリコン面を露出させた上に反射
ミラーを形成する工程を有し、反射ミラー面の下地とし
て引張応力の強い膜を形成する工程を有するプレーナー
型ガルバノ装置の製造方法。
Description
ノ装置及びその製造方法に関するものである。
メータの原理を利用したものであり、レーザ光のスキャ
ニングシステム等に使用されているガルバノミラー装置
に代表される。ガルバノミラーを小型化するために半導
体デバイスの製造プロセスを利用してガルバノミラーを
製造する方法が開発されているが、半導体プレーナー型
ガルバノ装置は静電駆動方式と電磁駆動方式に大別され
る。静電駆動方式は、例えば特開平11−119145
号公報に詳細に開示されている。電磁駆動方式は、例え
ば特開平7−175005号公報にプレーナー型ガルバ
ノミラー及びその製造方法として詳細に開示されてい
る。本発明は電磁駆動方式のプレーナー型ガルバノ装置
とその製造方法に関するものである。
装置を示す図で、(a)は正面断面図、(b)は上面図、
(c)は側面断面図である。シリコン基板1に一体形成さ
れた可動板2の上面の中央部には反射ミラー3が形成さ
れており、周縁部には平面コイル4が形成されている。
可動板2はシリコン基板1に中抜き状態で形成され、シ
リコン基板1より一体に形成されたトーションバー5、
6により保持されている。シリコン基板1は、ベース基
板7の上面に固定された台座8の上面に固定されてい
る。上面図(b)において、シリコン基板上下には永久磁
石9・10が配置され、ベース基板7の周縁部にはヨー
ク11が載置されている。ヨーク11は中抜きにされ角
状に形成されたものを複数枚積み重ねる事によって構成
している。
すると、可動板2はトーションバー5・6を回転中心と
して回転する。(c)の側面断面図に示すように、可動
板2は上下に約20度回転可能である。ベース基板7を
貫通して2本のピン12が植設されており、ピン12上
面とシリコン基板1に形成されたパターン1aとをワイ
ヤーボンディングにより接続している。
置が一般的な構成であるが、より反射エリアを大きくす
るために、シリコン基板に一体形成された可動板の上面
全面に反射ミラーを形成し、下面に平面コイルを形成す
るタイプのものが考案されている。この構成について、
図2に基づいて説明する。
成を示す正面断面図(a)、上面図(b)、及び下面図
(c)である。
と該可動板14をシリコン基板13に対して基板上下方
向に揺動可能に軸支するトーションバー15、16とが
一体成形されている。前記可動板14の一方の面に通電
により磁界を発生する平面コイル17を敷設し、もう一
方の面にはその全面に反射ミラー18が設けてある。1
9はベース基板で、前記したシリコン基板13が可動板
14に設けられた反射ミラー18側を下側(ベース基板
側)に向けて直接実装されている。19aはベース基板
19に設けられた反射ミラー18に対応する穴である。
20はワイヤーで、シリコン基板13に設けられたワイ
ヤー接続パッド21とベース基板19に設けられたパタ
ーン19bとをワイヤーボンディングにより接続し、シ
リコン基板13とベース基板19の電気的接続を成すも
のである。
ー15,16の軸方向と平行な位置に、可動板14の対
辺に磁界を作用させるための対をなす永久磁石22,2
3が固定され、さらにベース基板19の周縁部にヨーク
24が載置され、プレーナ型ガルバノ装置が構成されて
いる。
そのままに、反射ミラー面を大きくしたプレーナ型ガル
バノ装置を実現できるものである。
コン基板(ガルバノミラーチップ)について説明する。
図3はガルバノミラーチップを示す図で、(a)は上面
図、(b)は下面図、(c)はA−A‘断面図である。
図4はガルバノミラーチップの製造工程を示す。 工程a(酸化膜形成工程):厚さ500μmのシリコン
貼り合わせ基板(通称SOI基といい、例えば活性層2
6(100μm)、シリコン酸化膜から成る中間層27
(1μm)、支持基板28(400μm)で構成されてい
る。以下、SOI基板という)25の上下面を熱酸化し
てシリコン酸化膜(1μm)29を形成する。 工程b(パターン形成工程):基板上面側にフォトリソ
グラフによりコイル30、絶縁膜31、保護膜32の各
パターンを積層する。 工程c(酸化膜除去工程1):上面可動板形成部を除い
た部分の酸化膜29をドライエッチングにより除去す
る。 工程d(活性層除去工程):SOI基板25の中間層2
7に至る活性層シリコン26を異方性エッチングにより
除去する。 工程e(中間層除去工程):異方性エッチングにより露
出された中間層27をドライエッチングにより除去す
る。 工程f(酸化膜除去工程2):基板下面側の可動板形成
部を除いた部分のシリコン酸化膜29を除去する。 工程g(支持基板除去工程):中間層27に至る支持基
板(シリコン)28を異方性エッチングにより除去す
る。 工程h(中間層除去工程2):異方性エッチングはシリ
コンとシリコン酸化膜とでエッチングレートに選択性を
持たせてあるため、エッチングが可動板下面の中間層2
7に到達すると見かけ上終了し、この時点で基板の貫通
部分が完全に抜ける。可動板下面に残留する中間層27
をドライエッチングにより除去する。 工程i(反射ミラー形成工程):シリコン面を露出させ
た上に蒸着またはスパッタにより全反射ミラー33を形
成する。 このような工程でガルバノミラーチップは製造される
が、通常は半導体素子と同様に大きなウエハに同時に多
数個のガルバノミラーチップを形成し、完成後に個々に
分割される。
ー型ガルバノ装置は、可動板上面に形成されるコイル、
絶縁膜、保護膜等の内部応力を持つ膜が多層にわたり複
雑に積層されるため、この応力が可動板に作用すること
で可動板に反りが生じる。可動板が反ることにより、可
動板下面に形成される反射ミラー面も同様に反り、その
結果、レーザー等の反射光のぼやけ等、不具合を引き起
こす。(反射ミラーの平坦度の低下という)
て、コイル、絶縁膜、保護膜を形成することにより可動
板に反りが生じる。例えばコイルにアルミニウム、絶縁
膜、保護膜にポリイミドを用いた場合は、熱膨張係数の
違いによる熱応力とは別に、真応力が発生し、前記材料
ではいずれの膜も引張応力を有するため、これらの膜を
形成することで可動板上面側に凹方向の反りが生じる。
これら膜を積層することにより、反り量は積算され、さ
らに大きくなる。
引張応力は、膜厚が厚い程大きくなり、それに伴い可動
板の反り量も大きくなる。また、膜応力による可動板の
反り量は、可動板厚が薄い程大きくなる。
のコイル、絶縁膜、保護膜形成等による可動板の反りの
発生を最小限にするプレーナー型ガルバノ装置及びその
製造方法を提供しようとするものである。
を基板に対し揺動可能に軸支するトーションバーを一体
に形成し、可動板の一面に反射ミラーを形成し、可動板
の他面に駆動用平面コイルを形成し、前記可動板を揺動
するプレーナー型ガルバノ装置において、反射ミラー面
と同一面に引張応力の強い膜を形成したプレーナー型ガ
ルバノ装置とする。
可能に軸支するトーションバーを一体に形成し、可動板
の一面に反射ミラーを形成し、可動板の他面に駆動用平
面コイルを形成し、前記可動板を揺動するプレーナー型
ガルバノ装置において、反射ミラー面と反対側の面に圧
縮応力の強い膜を形成したプレーナー型ガルバノ装置と
する。
上下面を熱酸化してシリコン酸化膜形成する工程と、基
板上面側にフォトリソグラフによりコイル、絶縁膜、保
護膜の各パターンを積層する工程と、上面可動板形成部
を除いた部分の酸化膜をドライエッチングにより除去す
る工程と、SOI基板の中間層に至る活性層シリコンを
異方性エッチングにより除去する工程と、異方性エッチ
ングにより露出された中間層をドライエッチングにより
除去する工程と、基板下面側の可動板形成部を除いた部
分のシリコン酸化膜を除去する工程と、中間層に至る支
持基板(シリコン)を異方性エッチングにより除去する
工程と、可動板下面に残留する中間層をドライエッチン
グにより除去する工程と、シリコン面を露出させた上に
反射ミラーを形成する工程を有するプレーナー型ガルバ
ノ装置の製造方法において、反射ミラー面の下地として
引張応力の強い膜を形成する工程を有するプレーナー型
ガルバノ装置の製造方法とする。
上下面を熱酸化してシリコン酸化膜形成する工程と、基
板上面側にフォトリソグラフによりコイル、絶縁膜、保
護膜の各パターンを積層する工程と、上面可動板形成部
を除いた部分の酸化膜をドライエッチングにより除去す
る工程と、SOI基板の中間層に至る活性層シリコンを
異方性エッチングにより除去する工程と、異方性エッチ
ングにより露出された中間層をドライエッチングにより
除去する工程と、基板下面側の可動板形成部を除いた部
分のシリコン酸化膜を除去する工程と、中間層に至る支
持基板(シリコン)を異方性エッチングにより除去する
工程と、可動板下面に残留する中間層をドライエッチン
グにより除去する工程と、シリコン面を露出させた上に
反射ミラーを形成する工程を有するプレーナー型ガルバ
ノ装置の製造方法において、反射ミラー形成面の反対面
に圧縮応力の強い膜を形成する工程を有するプレーナー
型ガルバノ装置の製造方法とする。
は、可動板の上面もしくは下面に対し、可動板の反りを
相殺するように、反射ミラーの下地として、引張応力の
強い膜を形成するか、反射ミラーを形成する反対面に圧
縮応力の強い膜を形成し、可動板上面に形成されたコイ
ル、絶縁膜のもつ応力を相殺することにより可動板の反
りを緩和もしくは解消するプレーナー型ガルバノ装置の
製造方法とする。
明によるによるプレーナー型ガルバノ装置の可動板の一
実施形態の断面図である。可動板であるシリコン基板1
4は、大きさが4×3mmであり、厚さが150μm、
クロム薄膜34の厚さは0.2μm、反射ミラーとなる
アルミニウム薄膜33の厚さは0.3μmである。図示
していないがさらに反射ミラーの保護膜としてSiO2
が0.05μmが被覆されている。薄膜コイル側は絶縁
膜である熱酸化膜(SiO2)29の厚さが1μm、薄
膜コイル30Aは巾40μm、厚み2μm、コイル間隔
は10μm、ターン数15、絶縁膜31の厚さは2μ
m、薄膜コイル30Bは巾40μm、厚み2μm、コイ
ル間隔は10μm、ターン数15、保護膜32の厚さは
2μmである。薄膜コイル30A、30Bは、アルミニ
ウムであり、絶縁膜31及び保護膜32はポリイミドで
ある。引張応力の強い材料としてクロムを使用したが、
他の材料としてはニッケルの使用も可能である。
ミラー面側に凸形状に2μm程の反りが発生していた
が、本実施例ではミラー面側に引張応力の強い補正用薄
膜を形成することで可動板の反りをほぼ無くすことが出
来た。反りを無くすためには従来技術の諸条件により製
造された可動板の反りを修正できる量の補正用薄膜を形
成すればよいので、諸条件を変更すれば補正用薄膜も変
更することで反りの発生を防止できる。反射ミラーの平
坦度(反り量)は、一般にλ/4以下が望ましいとされ
ているが、本実施形態では反りをλ/4以下にすること
が出来た。(λはレーザ光の波長であり、例えば赤色可
視光の半導体レーザ光では670nmである。)
によるプレーナー型ガルバノ装置の可動板の一実施形態
の断面図である。可動板であるシリコン基板14の片面
に反射ミラーとなるアルミニウム薄膜33を形成する。
反対面の薄膜コイル側は圧縮応力の強い金属薄膜又はS
iO2薄膜35を形成しその上に絶縁膜36を形成し
(SiO2薄膜35で絶縁が確保できれば絶縁膜36は
省略できる)、その上に従来技術と同様に薄膜コイル、
絶縁膜、薄膜コイル、保護膜を形成する。薄膜コイル
は、アルミニウムであり、絶縁膜及び保護膜はポリイミ
ドである。
ミラー面側に凸形状に2μm程の反りが発生していた
が、本実施例では平面コイル側に圧縮応力の強い補正用
薄膜であるSiO2薄膜35を形成したので可動板の反
りをほぼ無くすことが出来た。反りを無くすためには従
来技術の諸条件により製造された可動板の反りを修正で
きる量の補正用薄膜を形成すればよいので、諸条件を変
更すれば補正用薄膜も変更することで反りの発生を防止
できる。
によるプレーナー型ガルバノ装置の可動板の他の実施形
態の断面図である。シリコン基板の片面には反射ミラー
となるアルミニウム薄膜を形成する。反対面の薄膜コイ
ル側は従来技術と同様に絶縁膜、薄膜コイル、絶縁膜、
薄膜コイル、絶縁膜を形成し、その上にSiO2薄膜3
7等の圧縮応力の強い薄膜を形成する。絶縁膜及び保護
膜はポリイミドである。
ミラー面側に凸形状に2μm程の反りが発生していた
が、本実施例では平面コイル側に圧縮応力の強い補正用
薄膜を形成したので可動板の反りをほぼ無くすことが出
来た。反りを無くすためには従来技術の諸条件により製
造された可動板の反りを修正できる量の補正用薄膜を形
成すればよいので、諸条件を変更すれば補正用薄膜も変
更することで反りの発生を防止できる。
且つシリコン基板及び反射ミラーに対する密着性に優れ
た材質を選ぶことで、反射ミラーの密着性が向上すると
ともに、可動板の反りを修正することが出来る。
護膜)が厚く、可動板に対する応力の影響が大きい場合
や、可動板厚が薄く、堆積物の応力の影響を受け易い場
合など、可動板が反り易い条件にあっても、反りを修正
する反対応力を形成する膜を設けることで反り量を緩和
することができるため、設計の自由度が増える。
ように、熱膨張係数を合せるのは材料が限定され、また
熱膨張係数の異なる材料を積層したものと熱膨張係数を
合せることは困難であるが、本発明では、真応力を利用
しているので、材料の熱膨張係数には影響されない。
で、(a)は正面断面図、(b)は上面図、(c)側面
断面図。
で、(a)は正面断面図、(b)は上面図、(c)側面
断面図。
で、(a)は上面図、(b)は下面図、(c)は(a)
のA−A′断面図。
リコン基板の断面図
ーナー型ガルバノ装置の可動板の一実施形態の断面図
ーナー型ガルバノ装置の可動板の一実施形態の断面図
ーナー型ガルバノ装置の可動板の他の実施形態の断面図
Claims (4)
- 【請求項1】基板に、可動板と可動板を基板に対し揺動
可能に軸支するトーションバーを一体に形成し、可動板
の一面に反射ミラーを形成し、可動板の他面に駆動用平
面コイルを形成し、前記可動板を揺動するプレーナー型
ガルバノ装置において、反射ミラー面と同一面に引張応
力の強い膜を形成したことを特徴とするプレーナー型ガ
ルバノ装置。 - 【請求項2】基板に、可動板と可動板を基板に対し揺動
可能に軸支するトーションバーを一体に形成し、可動板
の一面に反射ミラーを形成し、可動板の他面に駆動用平
面コイルを形成し、前記可動板を揺動するプレーナー型
ガルバノ装置において、反射ミラー面と反対側の面に圧
縮応力の強い膜を形成したことを特徴とするプレーナー
型ガルバノ装置。 - 【請求項3】シリコン貼り合わせ基板(SOI基板)の
上下面を熱酸化してシリコン酸化膜形成する工程と、基
板上面側にフォトリソグラフによりコイル、絶縁膜、保
護膜の各パターンを積層する工程と、上面可動板形成部
を除いた部分の酸化膜をドライエッチングにより除去す
る工程と、SOI基板の中間層に至る活性層シリコンを
異方性エッチングにより除去する工程と、異方性エッチ
ングにより露出された中間層をドライエッチングにより
除去する工程と、基板下面側の可動板形成部を除いた部
分のシリコン酸化膜を除去する工程と、中間層に至る支
持基板(シリコン)を異方性エッチングにより除去する
工程と、可動板下面に残留する中間層をドライエッチン
グにより除去する工程と、シリコン面を露出させた上に
反射ミラーを形成する工程を有するプレーナー型ガルバ
ノ装置の製造方法において、反射ミラー面の下地として
引張応力の強い膜を形成する工程を有することを特徴と
するプレーナー型ガルバノ装置の製造方法。 - 【請求項4】シリコン貼り合わせ基板(SOI基板)の
上下面を熱酸化してシリコン酸化膜形成する工程と、基
板上面側にフォトリソグラフによりコイル、絶縁膜、保
護膜の各パターンを積層する工程と、上面可動板形成部
を除いた部分の酸化膜をドライエッチングにより除去す
る工程と、SOI基板の中間層に至る活性層シリコンを
異方性エッチングにより除去する工程と、異方性エッチ
ングにより露出された中間層をドライエッチングにより
除去する工程と、基板下面側の可動板形成部を除いた部
分のシリコン酸化膜を除去する工程と、中間層に至る支
持基板(シリコン)を異方性エッチングにより除去する
工程と、可動板下面に残留する中間層をドライエッチン
グにより除去する工程と、シリコン面を露出させた上に
反射ミラーを形成する工程を有するプレーナー型ガルバ
ノ装置の製造方法において、反射ミラー形成面の反対面
に圧縮応力の強い膜を形成する工程を有することを特徴
とするプレーナー型ガルバノ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001096587A JP4458704B2 (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | プレーナー型ガルバノ装置及びその製造方法 |
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004252337A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Denso Corp | 光走査装置及びその製造方法 |
JP2005164861A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Sony Corp | 光制御素子およびその製造方法 |
JP2008100342A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Samsung Electronics Co Ltd | マイクロアクチュエータのコイル製造方法 |
JP2009116263A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ光用光学ミラー |
JP2010210782A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Ricoh Co Ltd | マイクロミラー装置 |
WO2011067885A1 (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP2013051748A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Nippon Signal Co Ltd:The | プレーナ型電磁アクチュエータ |
WO2021079606A1 (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーデバイスの製造方法 |
WO2021079607A1 (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーデバイスの製造方法 |
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2001
- 2001-03-29 JP JP2001096587A patent/JP4458704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004252337A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Denso Corp | 光走査装置及びその製造方法 |
JP2005164861A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Sony Corp | 光制御素子およびその製造方法 |
JP4556421B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2010-10-06 | ソニー株式会社 | 光制御素子の製造方法 |
JP2008100342A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Samsung Electronics Co Ltd | マイクロアクチュエータのコイル製造方法 |
JP2009116263A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ光用光学ミラー |
JP2010210782A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Ricoh Co Ltd | マイクロミラー装置 |
US8686564B2 (en) | 2009-12-04 | 2014-04-01 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
WO2011067885A1 (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP2011119516A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
JP2013051748A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Nippon Signal Co Ltd:The | プレーナ型電磁アクチュエータ |
WO2021079606A1 (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーデバイスの製造方法 |
WO2021079607A1 (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーデバイスの製造方法 |
JP2021067813A (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーデバイスの製造方法 |
JP2021067812A (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーデバイスの製造方法 |
JP7464374B2 (ja) | 2019-10-23 | 2024-04-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーデバイスの製造方法 |
JP7467069B2 (ja) | 2019-10-23 | 2024-04-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーデバイスの製造方法 |
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