JP2002014297A - ガルバノミラー - Google Patents
ガルバノミラーInfo
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- JP2002014297A JP2002014297A JP2000196740A JP2000196740A JP2002014297A JP 2002014297 A JP2002014297 A JP 2002014297A JP 2000196740 A JP2000196740 A JP 2000196740A JP 2000196740 A JP2000196740 A JP 2000196740A JP 2002014297 A JP2002014297 A JP 2002014297A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- substrate
- drive coil
- torsion beam
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガルバノミラーの加工工程はエッチング回
数が多く、加工精度を上げるには高価な基板を使用する
ためコストが高い。 【解決手段】枠体と該枠体内に配置された振れ体と該振
れ体を保持するためのねじり梁とが同一基板に形成され
たガルバノミラーにおいて枠体及び振れ体及びねじり梁
の厚みを同一にしたガルバノミラーとする。
数が多く、加工精度を上げるには高価な基板を使用する
ためコストが高い。 【解決手段】枠体と該枠体内に配置された振れ体と該振
れ体を保持するためのねじり梁とが同一基板に形成され
たガルバノミラーにおいて枠体及び振れ体及びねじり梁
の厚みを同一にしたガルバノミラーとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は枠体と該枠体内に配
置された振れ体と該振れ体を保持するためのねじり梁と
が同一基板に形成されたガルバノミラーに関するもので
ある。
置された振れ体と該振れ体を保持するためのねじり梁と
が同一基板に形成されたガルバノミラーに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図１は従来技術によるガルバノミラー装
置の上面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は
図１のＢ−Ｂ断面図である。図のようなガルバノミラー
装置は国際公開番号ＷＯ９６／３９６４３に詳しく記載
されている。ガルバノミラーは枠体１の厚みが厚く、振
れ体２とねじり梁３が薄い構造となっている。基板に枠
体１、振れ体２と振れ体２を枠体１に対して揺動可能に
軸支するねじり梁３を一体に形成し、前記振れ体２の周
縁部に駆動コイル４を設け、前記振れ体２にミラー５を
設け、前記駆動コイル４に静磁界を与える磁界発生手段
を設けて、前記駆動コイル４に電流を流すことにより前
記振れ体２を駆動するガルバノミラーである。６は永久
磁石であり、７はヨークである。各部品は基板８上に図
の如く載置されているが、ガルバノミラーは基板８に載
置された台座９に貼付されている。
置の上面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は
図１のＢ−Ｂ断面図である。図のようなガルバノミラー
装置は国際公開番号ＷＯ９６／３９６４３に詳しく記載
されている。ガルバノミラーは枠体１の厚みが厚く、振
れ体２とねじり梁３が薄い構造となっている。基板に枠
体１、振れ体２と振れ体２を枠体１に対して揺動可能に
軸支するねじり梁３を一体に形成し、前記振れ体２の周
縁部に駆動コイル４を設け、前記振れ体２にミラー５を
設け、前記駆動コイル４に静磁界を与える磁界発生手段
を設けて、前記駆動コイル４に電流を流すことにより前
記振れ体２を駆動するガルバノミラーである。６は永久
磁石であり、７はヨークである。各部品は基板８上に図
の如く載置されているが、ガルバノミラーは基板８に載
置された台座９に貼付されている。
【０００３】前記従来技術によるガルバノミラーは振れ
体２の片面にミラー５と駆動コイル４を形成しているた
めミラー５の面積が小さくなる。ミラー５の面でレーザ
ー光線を反射してスキャンする場合、ミラー面はレーザ
ー光線のミラー面でのスポット径より大きくなければな
らず、ミラー面は可能な限り大きいことが望まれる。そ
のため、ミラー面を大きくするために振れ体２の片側に
駆動コイル４を形成し、反対面にミラー５を形成するガ
ルバノミラーが開発された。図４は振れ体の片側に駆動
コイルを形成し、反対面にミラーを形成したガルバノミ
ラーの基板の上面斜視図であり、図５は下面斜視図であ
る。
体２の片面にミラー５と駆動コイル４を形成しているた
めミラー５の面積が小さくなる。ミラー５の面でレーザ
ー光線を反射してスキャンする場合、ミラー面はレーザ
ー光線のミラー面でのスポット径より大きくなければな
らず、ミラー面は可能な限り大きいことが望まれる。そ
のため、ミラー面を大きくするために振れ体２の片側に
駆動コイル４を形成し、反対面にミラー５を形成するガ
ルバノミラーが開発された。図４は振れ体の片側に駆動
コイルを形成し、反対面にミラーを形成したガルバノミ
ラーの基板の上面斜視図であり、図５は下面斜視図であ
る。
【０００４】ガルバノミラーを加工する場合、基板にシ
リコン基板を用い、まず基板の振れ体１２になる場所に
駆動コイル１４を形成し、次にミラー１５の面までウエ
ット、又はドライ方式のエッチングで加工し、ミラーを
形成することが一般的である。駆動コイルの加工はレジ
ストの塗布、レジストパターニング、レジスト剥離が繰
り返されるため、平滑面に形成しなければならない。反
対面にミラー１５を形成するが、シリコン基板をエッチ
ングした面は平滑面にはならないので、シリコン基板の
間に酸化シリコンを挟んだ３層構造の所謂ＳＯＩ基板を
使用しなければならない。
リコン基板を用い、まず基板の振れ体１２になる場所に
駆動コイル１４を形成し、次にミラー１５の面までウエ
ット、又はドライ方式のエッチングで加工し、ミラーを
形成することが一般的である。駆動コイルの加工はレジ
ストの塗布、レジストパターニング、レジスト剥離が繰
り返されるため、平滑面に形成しなければならない。反
対面にミラー１５を形成するが、シリコン基板をエッチ
ングした面は平滑面にはならないので、シリコン基板の
間に酸化シリコンを挟んだ３層構造の所謂ＳＯＩ基板を
使用しなければならない。
【０００５】図６は３層構造のＳＯＩ基板を使用したガ
ルバノミラーの製造工程を示す図である。（Ａ）は３層
基板の上面図とＣ−Ｃ断面図である。シリコン基板２１
とシリコン基板２２は絶縁層２３を介して貼付されてい
る。シリコン基板２１は上面に駆動コイルが形成され、
下面にミラーが形成される基板であり、厚さは振れ体の
所望振動周波数を得るために適宜決定される。図は説明
のため比例尺では記載してないが、例えばシリコン基板
２１の厚さは１００μｍ、シリコン基板２２の厚さは５
００μｍであり、駆動コイルは２μｍ程度である。
ルバノミラーの製造工程を示す図である。（Ａ）は３層
基板の上面図とＣ−Ｃ断面図である。シリコン基板２１
とシリコン基板２２は絶縁層２３を介して貼付されてい
る。シリコン基板２１は上面に駆動コイルが形成され、
下面にミラーが形成される基板であり、厚さは振れ体の
所望振動周波数を得るために適宜決定される。図は説明
のため比例尺では記載してないが、例えばシリコン基板
２１の厚さは１００μｍ、シリコン基板２２の厚さは５
００μｍであり、駆動コイルは２μｍ程度である。
【０００６】図６（Ｂ）は金属膜により駆動コイル１４
を形成したシリコン基板の上面図と断面図である。シリ
コン基板２１の表面に金属膜としてアルミニウムをスパ
ッタリングで２ミクロン程形成し、フォトリソグラフィ
ーにより駆動コイル１４のパターニングをしている。駆
動コイル１４の長さを確保するために駆動コイル１４は
積層して形成されている。図６（Ｃ）は駆動コイルを２
層にした上面図（１層目の駆動コイルは記載してない）
とＣ−Ｃ断面図である。駆動コイルと積層した駆動コイ
ルの間及び２層目の上面にはは絶縁層１１（例えば感光
性ポリイミド）が形成されている。
を形成したシリコン基板の上面図と断面図である。シリ
コン基板２１の表面に金属膜としてアルミニウムをスパ
ッタリングで２ミクロン程形成し、フォトリソグラフィ
ーにより駆動コイル１４のパターニングをしている。駆
動コイル１４の長さを確保するために駆動コイル１４は
積層して形成されている。図６（Ｃ）は駆動コイルを２
層にした上面図（１層目の駆動コイルは記載してない）
とＣ−Ｃ断面図である。駆動コイルと積層した駆動コイ
ルの間及び２層目の上面にはは絶縁層１１（例えば感光
性ポリイミド）が形成されている。
【０００７】図６（Ｄ）はシリコン基板２１の駆動コイ
ル外周をエッチングにより除去した上面図とＤ−Ｄ断面
図である。シリコン基板２１に振れ体１２とねじり梁１
３が形成されている。
ル外周をエッチングにより除去した上面図とＤ−Ｄ断面
図である。シリコン基板２１に振れ体１２とねじり梁１
３が形成されている。
【０００８】図６（Ｅ）は、シリコン基板２２をシリコ
ン基板２１に形成された振れ体１２の外周に形成された
貫通穴１６にあわせて除去（下面からの異方性エッチン
グによる）した断面図である。絶縁層２３はシリコン基
板２１、２２のエッチングでは加工されない材質で形成
されており、シリコン基板２１、２２のエッチングは絶
縁層２３を残して完了する。
ン基板２１に形成された振れ体１２の外周に形成された
貫通穴１６にあわせて除去（下面からの異方性エッチン
グによる）した断面図である。絶縁層２３はシリコン基
板２１、２２のエッチングでは加工されない材質で形成
されており、シリコン基板２１、２２のエッチングは絶
縁層２３を残して完了する。
【０００９】図６（Ｆ）は絶縁層２３をエッチングで除
去し、表面にミラー１５を形成したＤ−Ｄ断面図であ
る。ミラー１５は金又はアルミニウムとの反射率の高い
金属で形成される。
去し、表面にミラー１５を形成したＤ−Ｄ断面図であ
る。ミラー１５は金又はアルミニウムとの反射率の高い
金属で形成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来のガルバノミラー
は、エッチング加工工程が通常３回（１次エッチング：
ねじり梁１３及び振れ体１２を形成するシリコン基板２
１のエッチング、ミラー形成面までのエッチング、２次
エッチング：ミラー形成面までのシリコン基板２２のエ
ッチング、３次エッチング：絶縁層２３のエッチング）
必要であり加工コストアップになる。さらにシリコン基
板として２次エッチングの厚み精度（エッチング量）を
確保するため通常ＳＯＩ基板を使うため高価である。
は、エッチング加工工程が通常３回（１次エッチング：
ねじり梁１３及び振れ体１２を形成するシリコン基板２
１のエッチング、ミラー形成面までのエッチング、２次
エッチング：ミラー形成面までのシリコン基板２２のエ
ッチング、３次エッチング：絶縁層２３のエッチング）
必要であり加工コストアップになる。さらにシリコン基
板として２次エッチングの厚み精度（エッチング量）を
確保するため通常ＳＯＩ基板を使うため高価である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】枠体と該枠体内に配置さ
れた振れ体と該振れ体を保持するためのねじり梁とが同
一基板に形成されたガルバノミラーにおいて枠体及び振
れ体及びねじり梁の厚みを同一にしたガルバノミラーと
する。
れた振れ体と該振れ体を保持するためのねじり梁とが同
一基板に形成されたガルバノミラーにおいて枠体及び振
れ体及びねじり梁の厚みを同一にしたガルバノミラーと
する。
【００１２】枠体と該枠体内に配置された振れ体と該振
れ体を保持するためのねじり梁とが同一基板に形成さ
れ、振れ体の片面にミラーを形成し、半対面に駆動コイ
ルを形成するガルバノミラーにおいて、基板のミラー形
成面は鏡面仕上としたガルバノミラーとする。
れ体を保持するためのねじり梁とが同一基板に形成さ
れ、振れ体の片面にミラーを形成し、半対面に駆動コイ
ルを形成するガルバノミラーにおいて、基板のミラー形
成面は鏡面仕上としたガルバノミラーとする。
【００１３】基板としてシリコン基板を使用する。
【００１４】シリコン基板の表面に絶縁層を形成する。
【００１５】
【発明の実施の形態】図７は本発明による半導体ガルバ
ノミラーの製造工程を示す図であり、（Ａ）は基板の片
面に駆動コイルを形成した断面図、（Ｂ）は振れ体とね
じり梁を形成した上面図と断面図、（Ｃ）はミラーを形
成した断面図である。ガルバノミラーにおいて該枠体３
１、振れ体３２、及び、ねじり梁３３の厚みを同一にす
る。ガルバノミラーの加工を始める前に基板３０を枠体
３１、振れ体３２、ねじり梁３３の厚さまで薄く均一に
加工して使用することが本発明を実用化する上での手段
である。研磨の仕上はポリシングまたはケミカルポリシ
ング等による鏡面仕上が望ましい。
ノミラーの製造工程を示す図であり、（Ａ）は基板の片
面に駆動コイルを形成した断面図、（Ｂ）は振れ体とね
じり梁を形成した上面図と断面図、（Ｃ）はミラーを形
成した断面図である。ガルバノミラーにおいて該枠体３
１、振れ体３２、及び、ねじり梁３３の厚みを同一にす
る。ガルバノミラーの加工を始める前に基板３０を枠体
３１、振れ体３２、ねじり梁３３の厚さまで薄く均一に
加工して使用することが本発明を実用化する上での手段
である。研磨の仕上はポリシングまたはケミカルポリシ
ング等による鏡面仕上が望ましい。
【００１６】ガルバノミラーの振れ体の振動周波数は振
れ体、ねじり梁の形状で決まる。振れ体は振れ体自体の
大きさ、重量及び、振れ体上に形成された駆動コイル、
ミラー等のの重量が振動周波数に影響し、ねじり梁はそ
の太さと長さ及びねじり梁の弾性係数が影響する。ガル
バノミラーに要求される振れ体(ミラー)の大きさと振動
周波数、及び基板の材質が決まれば、基板の厚さとねじ
り梁の長さ、幅を決定すれば良い。エッチング加工によ
る仕上がり形状等の影響を受けるが、何度か試作をすれ
ば適切な寸法を決定できる。従来技術で示した図６のシ
リコン基板２１の厚さ選定と同じである。
れ体、ねじり梁の形状で決まる。振れ体は振れ体自体の
大きさ、重量及び、振れ体上に形成された駆動コイル、
ミラー等のの重量が振動周波数に影響し、ねじり梁はそ
の太さと長さ及びねじり梁の弾性係数が影響する。ガル
バノミラーに要求される振れ体(ミラー)の大きさと振動
周波数、及び基板の材質が決まれば、基板の厚さとねじ
り梁の長さ、幅を決定すれば良い。エッチング加工によ
る仕上がり形状等の影響を受けるが、何度か試作をすれ
ば適切な寸法を決定できる。従来技術で示した図６のシ
リコン基板２１の厚さ選定と同じである。
【００１７】基板３０はガルバノミラーの振動特性が良
好なものを選べばよいが、加工技術が確立され且つ安定
供給されているシリコン基板が最適である。所定厚まで
研磨したシリコン基板３０に蒸着、スパッタリング等の
成膜装置で金属膜（例えばアルミニウム）を形成し、フ
ォトリソグラフィーにより金属膜をパターニングして駆
動コイル３４Ａを形成する。駆動コイルの巻数を増やす
場合は駆動コイル上面に絶縁層を形成し、再度金属膜を
形成し、フォトリソグラフィーにより金属膜をパターニ
ングして第２層目の駆動コイル３４Ｂを形成する。駆動
コイル上面には保護膜を形成する。図７（Ａ）は前記工
程の終了したシリコン基板３０の断面図である。駆動コ
イルの上面に形成した絶縁層は、感光性ポリイミドを使
用したが、より好ましくはＳｉＯ２の薄膜が良い。シリ
コン基板３０は薄く研磨してあるので（５０〜１５０μ
ｍ）ダミー基板に載置して作業をするのが望ましい。
好なものを選べばよいが、加工技術が確立され且つ安定
供給されているシリコン基板が最適である。所定厚まで
研磨したシリコン基板３０に蒸着、スパッタリング等の
成膜装置で金属膜（例えばアルミニウム）を形成し、フ
ォトリソグラフィーにより金属膜をパターニングして駆
動コイル３４Ａを形成する。駆動コイルの巻数を増やす
場合は駆動コイル上面に絶縁層を形成し、再度金属膜を
形成し、フォトリソグラフィーにより金属膜をパターニ
ングして第２層目の駆動コイル３４Ｂを形成する。駆動
コイル上面には保護膜を形成する。図７（Ａ）は前記工
程の終了したシリコン基板３０の断面図である。駆動コ
イルの上面に形成した絶縁層は、感光性ポリイミドを使
用したが、より好ましくはＳｉＯ２の薄膜が良い。シリ
コン基板３０は薄く研磨してあるので（５０〜１５０μ
ｍ）ダミー基板に載置して作業をするのが望ましい。
【００１８】次にレジストを塗布してパターニングし、
振れ体の外周とねじり梁を加工する。加工は、異方性エ
ッチングによりシリコン基板３０に貫通孔を形成する。
図７（Ｂ）は加工が終了した上面図と断面図である。貫
通穴３５を形成することでシリコン基板には枠体３１、
振れ体３２、ねじり梁３３が形成される。特に重要なの
はねじり梁３３の長さと幅の寸法管理であり、捩れ体の
周波数が決定される。
振れ体の外周とねじり梁を加工する。加工は、異方性エ
ッチングによりシリコン基板３０に貫通孔を形成する。
図７（Ｂ）は加工が終了した上面図と断面図である。貫
通穴３５を形成することでシリコン基板には枠体３１、
振れ体３２、ねじり梁３３が形成される。特に重要なの
はねじり梁３３の長さと幅の寸法管理であり、捩れ体の
周波数が決定される。
【００１９】図７（Ｃ）はミラー３６を形成した断面図
である。駆動コイルと同様成膜するが、金またはアルミ
ニウム等の反射率の高い金属をスパッタリング等の密着
強度の高い成膜方法で形成するのが好ましい。必要に応
じて表面に保護膜を形成すると良い。
である。駆動コイルと同様成膜するが、金またはアルミ
ニウム等の反射率の高い金属をスパッタリング等の密着
強度の高い成膜方法で形成するのが好ましい。必要に応
じて表面に保護膜を形成すると良い。
【００２０】鏡面仕上げをしたシリコン基板は、予め酸
素雰囲気中で熱処理をし、表面に酸化シリコン膜を形成
しておくと、酸化シリコンが絶縁層として働き、微細駆
動コイルパターンを形成した場合でもコイル間での電気
的リークが防げる。絶縁層としては予め窒素雰囲気中で
熱処理をし、表面に窒化シリコン膜を形成しても良い。
素雰囲気中で熱処理をし、表面に酸化シリコン膜を形成
しておくと、酸化シリコンが絶縁層として働き、微細駆
動コイルパターンを形成した場合でもコイル間での電気
的リークが防げる。絶縁層としては予め窒素雰囲気中で
熱処理をし、表面に窒化シリコン膜を形成しても良い。
【００２１】
【発明の効果】ガルバノミラーにおいて枠体、振れ体及
びねじり梁の厚みを同一にすることによりエッチング加
工が１回ででき加工コストを下げられる。さらにＳＯＩ
基板を使用する必要がなくなり、大量に加工されている
通常のシリコン基板を使用できるため、安価な基板が使
用できコストダウンが図れる。
びねじり梁の厚みを同一にすることによりエッチング加
工が１回ででき加工コストを下げられる。さらにＳＯＩ
基板を使用する必要がなくなり、大量に加工されている
通常のシリコン基板を使用できるため、安価な基板が使
用できコストダウンが図れる。
【００２２】また、基板の厚みが振れ体の厚み、ねじり
梁の厚みとなるので、基板の研磨精度で厚みが決定で
き、精度を確保しやすくなり、製品のばらつきを最小限
に抑えることができる。
梁の厚みとなるので、基板の研磨精度で厚みが決定で
き、精度を確保しやすくなり、製品のばらつきを最小限
に抑えることができる。
【００２３】また基板の研磨面（ポリシング等のよる鏡
面仕上げ面）をミラー形成面とするのでミラー面の荒れ
を防げる、
面仕上げ面）をミラー形成面とするのでミラー面の荒れ
を防げる、
【００２４】シリコン基板を鏡面仕上げ後、表面に絶縁
層を形成しておくことで、微細な駆動コイルパターンを
形成することが可能となる。
層を形成しておくことで、微細な駆動コイルパターンを
形成することが可能となる。
【００２５】完成したガルバノミラーはガルバノミラー
装置として組立てる際の自由度があり、ガルバノミラー
装置の設計が容易となる。
装置として組立てる際の自由度があり、ガルバノミラー
装置の設計が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術によるガルバノミラー装置の上面図
【図２】図１のＡ−Ａ断面図
【図３】図１のＢ−Ｂ断面図
【図４】振れ体の片側に駆動コイルを形成し、反対面に
ミラーを形成したガルバノミラーの基板の上面斜視図
ミラーを形成したガルバノミラーの基板の上面斜視図
【図５】下面斜視図
【図６】３層構造のＳＯＩ基板を使用したガルバノミラ
ーの製造工程を示す図である。（Ａ）は３層ＳＯＩ基板
の上面図とＣ−Ｃ断面図、（Ｂ）は金属膜により駆動コ
イル１４を形成した基板の上面図と断面図、（Ｃ）は駆
動コイルを２層にした上面図（１層目の駆動コイルは記
載してない）とＣ−Ｃ断面図、シリコン基板２１の駆動
コイル外周をエッチングにより除去した上面図とＤ−Ｄ
断面図、（Ｅ）は、シリコン基板２２をシリコン基板２
１に形成された振れ体１２の外周に形成された貫通穴１
６にあわせて除去（下面からの異方性エッチングによ
る）した断面図、（Ｆ）は絶縁層２３をエッチングで除
去し、表面にミラー１５を形成したＤ−Ｄ断面図
ーの製造工程を示す図である。（Ａ）は３層ＳＯＩ基板
の上面図とＣ−Ｃ断面図、（Ｂ）は金属膜により駆動コ
イル１４を形成した基板の上面図と断面図、（Ｃ）は駆
動コイルを２層にした上面図（１層目の駆動コイルは記
載してない）とＣ−Ｃ断面図、シリコン基板２１の駆動
コイル外周をエッチングにより除去した上面図とＤ−Ｄ
断面図、（Ｅ）は、シリコン基板２２をシリコン基板２
１に形成された振れ体１２の外周に形成された貫通穴１
６にあわせて除去（下面からの異方性エッチングによ
る）した断面図、（Ｆ）は絶縁層２３をエッチングで除
去し、表面にミラー１５を形成したＤ−Ｄ断面図
【図７】本発明によるガルバノミラーの製造工程を示す
図であり、（Ａ）は基板の片面に駆動コイルを形成した
断面図、（Ｂ）は振れ体とねじり梁を形成した上面図と
断面図、（Ｃ）はミラーを形成した断面図
図であり、（Ａ）は基板の片面に駆動コイルを形成した
断面図、（Ｂ）は振れ体とねじり梁を形成した上面図と
断面図、（Ｃ）はミラーを形成した断面図
１ 枠体 ２ 振れ体 ３ ねじり梁 ４ 駆動コイル ５ ミラー ６ 永久磁石 ７ ヨーク ８ 基板 ９ 台座 １１ 絶縁層 １２ 振れ体 １３ ねじり梁 １４ 駆動コイル １５ ミラー １６ 貫通穴 ２１ シリコン基板 ２２ シリコン基板 ２３ 絶縁層 ３０ 基板（シリコン基板） ３１ 枠体 ３２ 振れ体 ３３ ねじり梁 ３４Ａ 駆動コイル ３４Ｂ 駆動コイル ３５ 貫通穴 ３６ ミラー
Claims (4)
- 【請求項１】 枠体と該枠体内に配置された振れ体と該
振れ体を保持するためのねじり梁とが同一基板に形成さ
れたガルバノミラーにおいて、枠体及び振れ体及びねじ
り梁の厚みを同一にしたことを特徴としたガルバノミラ
ー。 - 【請求項２】 枠体と該枠体内に配置された振れ体と該
振れ体を保持するためのねじり梁とが同一基板に形成さ
れ、振れ体の片面にミラーを形成し、反対面に駆動コイ
ルを形成するガルバノミラーにおいて、基板のミラーを
形成する面は鏡面仕上げとすることを特徴とするガルバ
ノミラー。 - 【請求項３】 基板がシリコン基板であることを特徴と
する請求項１又は２記載のガルバノミラー。 - 【請求項４】 シリコン基板の表面に絶縁層を形成した
ことを特徴とする請求項３記載の半導体ガルバノミラ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000196740A JP2002014297A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | ガルバノミラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000196740A JP2002014297A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | ガルバノミラー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002014297A true JP2002014297A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=18695182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000196740A Pending JP2002014297A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | ガルバノミラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002014297A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002189188A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Miyota Kk | プレーナー型ガルバノミラー |
| JP2007283413A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Nippon Signal Co Ltd:The | アクチュエータ及びその製造方法 |
| JP2019152882A (ja) * | 2019-06-03 | 2019-09-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 走査型表示装置及び走査型表示システム |
| US11353716B2 (en) | 2017-06-13 | 2022-06-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scanning-type display device and scanning-type display system |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63197911A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | Konica Corp | 画像信号用光偏向子 |
| JPH0772409A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電力駆動光走査装置とその製造方法 |
| JPH07128602A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Omron Corp | 光走査装置及びその走査位置判別方法、並びに光学装置 |
| JPH07141457A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-06-02 | Olympus Optical Co Ltd | 光走査装置 |
| JPH11219534A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Olympus Optical Co Ltd | 光ピックアップ |
| JP2000081589A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-03-21 | Olympus Optical Co Ltd | 光偏向器 |
| JP2000111829A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Olympus Optical Co Ltd | 映像表示装置 |
-
2000
- 2000-06-29 JP JP2000196740A patent/JP2002014297A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63197911A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | Konica Corp | 画像信号用光偏向子 |
| JPH0772409A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電力駆動光走査装置とその製造方法 |
| JPH07128602A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Omron Corp | 光走査装置及びその走査位置判別方法、並びに光学装置 |
| JPH07141457A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-06-02 | Olympus Optical Co Ltd | 光走査装置 |
| JPH11219534A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Olympus Optical Co Ltd | 光ピックアップ |
| JP2000081589A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-03-21 | Olympus Optical Co Ltd | 光偏向器 |
| JP2000111829A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Olympus Optical Co Ltd | 映像表示装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002189188A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Miyota Kk | プレーナー型ガルバノミラー |
| JP4544734B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2010-09-15 | シチズンファインテックミヨタ株式会社 | プレーナー型ガルバノミラー |
| JP2007283413A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Nippon Signal Co Ltd:The | アクチュエータ及びその製造方法 |
| US11353716B2 (en) | 2017-06-13 | 2022-06-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scanning-type display device and scanning-type display system |
| JP2019152882A (ja) * | 2019-06-03 | 2019-09-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 走査型表示装置及び走査型表示システム |
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