JP4544734B2 - プレーナー型ガルバノミラー - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばレーザー光を偏向走査するレーザースキャナまたは光スイッチ等に利用するプレーナー型ガルバノミラーに関する。
【0002】
【従来の技術】
プレーナー型ガルバノミラーは、レーザー光を偏向走査するレーザースキャナ等に利用されるもので、その原理は、磁界中に配置した可動コイルに電流を流すと電流と磁束とに関連して電磁力が発生して電流に比例した回転力が生じるのを利用している。回転力と可動コイル保持部材のバネ力とが平衡する角度まで可動コイルが回転し、この可動コイルを介して指針を振らせて電流の有無や大小を検出するというガルバノメータを利用したもので、可動コイルと一体に回転する軸(可動コイル保持部材)に、前記指針の代わりにミラー(反射鏡)を設けて構成されるものである。
小型のガルバノミラーとして、半導体を使用したものが提案されている。
【0003】
図1は従来のプレーナー型2次元ガルバノミラーを示す図で、(a)は上面図、(b)は側面断面図である。図2はシリコン基板を台座基板に配置した状態を示す図であり、(a)は上面図、(b)は側面断面図である。可動部はシリコン基板1に一体形成され、第1のトーションバー4,4でシリコン基板1に軸支される枠状の外側可動板2と、該第1トーションバー4,4と軸方向が直交する第2のトーションバー5,5で外側可動板2の内側に軸支される内側可動板3とからなり、外側可動板2及び内側可動板3の上面には平面コイル6を設け、内側可動板3の下面には反射ミラー7を設けてある。シリコン基板1を凹形状の台座基板8に配置固定し、シリコン基板1上にはパターン1aが設けてあり、該パターン1aと台座基板8上の配線パターン8aとはワイヤー9により接続されている。台座基板8の凹形状の底部にはレーザーの入反射用の窓10があけられている。
【0004】
台座基板8には4箇所のサイドスルーホール8bが設けてあり、各サイドスルーホール8bは前記配線パターン8aと接続している。台座基板8のベース基板11への配置固定及び接続はベース基板11上に設けた配線パターン11aと台座基板8のサイドスルーホール8bを半田付けによって固定及び接続されている。ベース基板11上の配線パターン11aには外部入力されるコネクター12が接続されている。
【0005】
可動部の平面コイル6に磁界を作用させるための対をなす永久磁石13,13は第1及び第2トーションバー4,4、5,5の軸方向と平行にベース基板11の上下面に接着剤等で配置固定され、角状に中抜き形成されたヨーク14の内壁に前記永久磁石13をそれぞれ配置固定した構造になっている。ベース基板11上の2箇所の丸穴15はプレーナー型2次元ガルバノミラーのネジ固定用として設けている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来のプレーナー型2次元ガルバノミラー構造の場合では、永久磁石の磁界を効率的に可動部上の平面コイルに作用させるため、永久磁石の中央に半導体基板が配置されるように凹形状の台座基板を配置固定した後、該台座基板をベース基板に固定していた。しかし、台座基板とベース基板とを半田付けによって固定及び接続する作業では、台座基板にあけられたレーザーの入反射用の窓から半田フラックスが飛散して、半導体基板に設けられた反射ミラーに付着してしまうことがあり、反射ミラーの反射率を低下させてしまう。また、台座基板とベース基板との相対位置を合わせながら半田付け作業を行うので、作業時間も非常にかかってしまい、生産性も悪い。
【0007】
ベース基板の上下面に配置しているそれぞれの永久磁石は、ベース基板を挟んだ上下を合わせて1箇所の永久磁石としての役割をなしている。しかし1箇所の永久磁石をベース基板で分割してしまっているため、ベース基板の厚さ分の距離が永久磁石から発生する磁力を低下させてしまっている。また、半導体基板を永久磁石に対して理想位置である中央に配置しずらくなっている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
半導体基板に、平板状の可動部と該可動部を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動部の上面には平面コイル、下面には反射ミラーを設け、該半導体基板をベース基板に搭載する。該ベース基板に貫通穴を設け、該ベース基板の上下面にはヨークを配置固定し、前記半導体基板のトーションバーの軸方向と平行に配置された可動部の平面コイルに磁界を作用させるための対をなす永久磁石を、前記貫通穴に貫通させ、ヨークの内壁に配置固定する。前記ベース基板に設けられたパターン部と前記半導体基板に形成されたパターン部とが電気的に接続されたプレーナー型ガルバノミラーとする。
【0009】
可動部が、第1のトーションバーで半導体基板に軸支される枠状の外側可動板と、その第1トーションバーと軸方向が直交する第2のトーションバーで外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、外側可動板及び内側可動板の上面には平面コイルを設け、内側可動板の下面には反射ミラーを設け、第1及び第2トーションバーの軸方向と平行に配置した可動部の平面コイルに磁界を作用させるそれぞれの対をなす永久磁石をヨークに固定し、該ヨークをベース基板に配置させ、前記ベース基板に貫通穴を設け、該貫通穴に貫通させて前記永久磁石を配置する構成であるプレーナー型ガルバノミラーとする。
【0011】
前記ベース基板に前記半導体基板を直に接着固定し、前記ベース基板を貫通した前記永久磁石貫通方向中央に、前記半導体基板が配置されるプレーナー型ガルバノミラーとする。
【0012】
【発明の実施の形態】
図3は本発明の実施形態を示すプレーナー型2次元ガルバノミラーの反射ミラー側からの斜視図である。図4は図3で示すプレーナー型2次元ガルバノミラーであり、(a)は上面図、(b)は側面断面図、(c)は正面断面図である。半導体基板16に、平板状の可動部が、第1のトーションバー19,19で半導体基板16に軸支される枠状の外側可動板17と、その第1トーションバー19,19と軸方向が直交する第2のトーションバー20,20で外側可動板17の内側に軸支される内側可動板18とからなり、外側可動板17及び内側可動板18の上面には平面コイル21を設け、内側可動板18の下面には反射ミラー22を設けてある。
【0013】
半導体基板16をベース基板23上面に搭載し、接着剤等により固定している。半導体基板16上にはパターン16aが形成されており、該パターン16aとベース基板23上面の配線パターン23aをワイヤー24により接続し、該配線パターン23aには外部入力されるコネクター25を接続している。
【0014】
ベース基板23には半導体基板16の内側可動板18下面に設けられた反射ミラー22にレーザーを入反射させるための穴26と、第1及び第2トーションバー19,19、20,20の軸方向に永久磁石31貫通用の穴27が各2箇所ずつあけられている。また、ヨーク32の配置位置を決めるための2箇所の穴28と、本発明のプレーナー型2次元ガルバノミラーの位置出し固定用としてネジ穴29、位置出し穴30を各2箇所ずつ設けている。
【0015】
ヨーク32は角状に中抜き形成し、ベース基板23のヨーク32位置決め用の穴28に合わせるようにしてベース基板23上下面の周縁部に配置固定する。外側及び内側可動板17,18の平面コイル21に磁界を作用させるための対をなす永久磁石31を、ベース基板23にあけられた第1及び第2トーションバー19,19、20,20の軸方向にある永久磁石31貫通用の穴27にそれぞれ貫通し、前記ヨーク32の内壁に配置固定する。ベース基板23を貫通した永久磁石31の貫通位置は、貫通方向に対して永久磁石31の中央に半導体基板16を配置する位置になっている。
【0016】
【発明の効果】
ベース基板に半導体基板が直に接着固定されるようになったため、台座基板が不必要になり、構成部品点数が削減できる。
【0017】
ベース基板に半導体基板が直に接着固定されるようになったため、半導体基板に設けられた反射ミラー周辺部での半田付け作業が無くなったことによる反射ミラーの反射率低下の防止と生産性向上が可能となる。
【0018】
ベース基板に永久磁石を貫通させる穴をあけたことにより、磁界を作用させるための対をなす永久磁石がベース基板によって分割されなくなったため、磁力の低下を防止できる。
【0019】
ベース基板に永久磁石を貫通させる穴をあけたことにより、貫通させた永久磁石の理想位置である中央に半導体基板を配置させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のプレーナー型2次元ガルバノミラーを示す図で、(a)は上面図、(b)は側面断面図。
【図2】従来のプレーナー型2次元ガルバノミラーのシリコン基板を台座基板に配置した状態を示す図で、(a)は上面図、(b)は側面断面図。
【図3】本発明の実施形態を示すプレーナー型2次元ガルバノミラーの反射ミラー側からの斜視図。
【図4】図3で示すプレーナー型2次元ガルバノミラーであり、(a)は上面図、(b)は側面断面図。
【符号の説明】
1 シリコン基板
1a パターン
2 外側可動板
3 内側可動板
4 第1トーションバー
5 第2トーションバー
6 平面コイル
7 反射ミラー
8 台座基板
8a 配線パターン
8b サイドスルーホール
9 ワイヤー
10 窓
11 ベース基板
11a配線パターン
12 コネクター
13 永久磁石
14 ヨーク
15 丸穴
16 半導体基板
16aパターン
17 外側可動板
18 内側可動板
19 第1トーションバー
20 第2トーションバー
21 平面コイル
22 反射ミラー
23 ベース基板
23a配線パターン
24 ワイヤー
25 コネクター
26 穴
27 穴
28 穴
29 ネジ穴
30 位置出し穴
31 永久磁石
32 ヨーク

Claims (3)

  1. 半導体基板に、平板状の可動部と該可動部を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動部の上面には平面コイル、下面には反射ミラーを設け、該半導体基板をベース基板に搭載し、該ベース基板と、前記半導体基板のトーションバーの軸方向と平行に配置した可動部の平面コイルに磁界を作用させるための対をなす永久磁石をヨークに固定し、該ヨークをベース基板に配置固定し、前記ベース基板に設けたパターン部と前記半導体基板に設けたパターン部とが電気的に接続され
    前記ベース基板に貫通穴を設け、該貫通穴に貫通させて前記永久磁石を配置する構成であるプレーナー型ガルバノミラー。
  2. 可動部が、第1のトーションバーで半導体基板に軸支される枠状の外側可動板と、該第1トーションバーと軸方向が直交する第2のトーションバーで外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、外側可動板及び内側可動板の上面には平面コイルを設け、内側可動板の下面には反射ミラーを設け、第1及び第2トーションバーの軸方向と平行に配置した可動部の平面コイルに磁界を作用させるそれぞれの対をなす永久磁石をヨークに固定し、該ヨークをベース基板に配置させ
    前記ベース基板に貫通穴を設け、該貫通穴に貫通させて前記永久磁石を配置する構成であるプレーナー型ガルバノミラー。
  3. 前記ベース基板に前記半導体基板を直に接着固定し、前記ベース基板を貫通した前記永久磁石貫通方向中央に、前記半導体基板が配置されることを特徴とした請求項1又は2に記載のプレーナー型ガルバノミラー。
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