JP2004133214A - Mems素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】可動構造体の可動部に、これを破損することなく、有機樹脂からなる保護膜が形成できるようにする。
【解決手段】スクリーン201とSOI基板301とを所定の間隔となるまで近づかせて固定した後、スキージ204によりスクリーン201の内面を加圧摺動し、ポリイミド樹脂203の一部を、版膜202の開口部内に露出しているスクリーン201の目を通過させ、SOI基板301の開口部311内のミラー部131,可動枠132,および枠130の一部に渡って、保護膜304が形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】スクリーン201とSOI基板301とを所定の間隔となるまで近づかせて固定した後、スキージ204によりスクリーン201の内面を加圧摺動し、ポリイミド樹脂203の一部を、版膜202の開口部内に露出しているスクリーン201の目を通過させ、SOI基板301の開口部311内のミラー部131,可動枠132,および枠130の一部に渡って、保護膜304が形成する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スイッチングを利用する通信,計測,ディスプレイ等に使用されるMEMS素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
薄膜形成技術やフォトリソグラフィ技術を基本にしてエッチングすることなどで立体的に微細加工を行うマイクロマシン技術を利用して作製された、MEMS素子がある。このMEMS素子には、例えば、固定構造体と可動する反射構造体とから構成された光スイッチ素子などがある。反射構造体は、支持材と可動部材を有し、可動部材が、トーションバネなどのバネ部材によって支持部材に接続されている。
【0003】
このように構成された光スイッチ素子は、固定構造体と可動する反射構造体との間に働く引力、あるいは反発力によって反射構造体が可動することで光路を切り替えるスイッチング動作を行う。例えば、固定構造体と反射構造体とに各々電極を設け、これらの電極に電荷を誘導し、これらの電荷にクーロン力を作用させることで、反射構造体を可動させることができる。
【0004】
このような光スイッチ素子は、反射構造体と固定構造体を個別に作製した後、各々を接合させることで製造することができる。
図3は、各々個別に作製した反射構造体と固定構造体とを、接合させる工程を模式的に示す概略的な断面図(a)と反射構造体を示す平面図(b)である。図3に示すミラー素子について説明すると、まず、例えば、シリコンからなる半導体基板101を備え、半導体基板101には、複数の素子から構成された集積回路(図示せず)が形成されている。集積回路の上には、層間絶縁膜102が形成されている。
【0005】
層間絶縁膜102上には、更に配線層104,層間絶縁膜105が形成されている。また、半導体基板101の上には、絶縁膜102,105を介して支持部材120が固定されている。この支持部材120により反射構造体であるミラー構造体103を支持する。例えば、支持部材120は、金などの導電材料から構成され、層間絶縁膜105に形成されたスルーホールを通じ、層間絶縁膜102上に形成された所定の配線層104に電気的に接続されている。
【0006】
また、支持部材120に囲われた領域の半導体基板101上には、絶縁膜102,105を介してミラー部131の回動動作を制御するための制御電極部140が形成されている。制御電極部140は、金などの導電材料から構成され、層間絶縁膜105に形成されたスルーホールを通し、層間絶縁膜102上に形成された所定の配線層104に電気的に接続されている。
また、半導体基板101に形成されている図示していない集積回路の一部として、制御回路150が構成されている。
【0007】
一方、ミラー構造体103は、支持部材120に固定される板状の枠部130と、枠部130の内側に、半導体基板101より離間して支持された板状の可動部とから構成されている。この可動部は、図3(b)に示すように、一対の連結部161を介して枠部130の内側に支持された可動枠132と、1対の連結部162を介して可動枠132の内側に支持されたミラー部131とから構成されている。また、ミラー部131は、例えば、直径500μm程度の円板であり、図3(a)の紙面において上方の面に反射面が形成されている。
【0008】
以上のように作製されているミラー構造体103の枠部130を、支持部材120に接合させて固定すれば、制御電極部140により可動が制御されるミラー部131を備えた光スイッチ素子が得られる。例えば、制御回路150により、制御電極部140とミラー部131との間に所定の電位差を生じさせ、これらの間に電荷を誘導し、これらの電荷にクーロン力を作用させることで、ミラー部131を可動させることができる。
【0009】
ここで、例えば、複数の反射構造体が形成された基板と、複数の固定構造体が形成された基板とを位置合わせをして接合し、この後各々に切り出すことで、複数の光スイッチ素子が同時に製造できる。
【0010】
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を本件の出願時までに発見するには至らなかった。
【0011】
【特許文献1】
特開2001−198897号公報
【特許文献2】
特開2002−189178号公報
【非特許文献1】
Pamela R.Patterson,Dooyoung Hah,Guo−Dung J.Su,Hiroshi Toshiyoshi,and Ming C.Wu,”MOEMS ELECTROSTATIC SCANNING MICROMIRRORS DESIGN AND FABRICATION” Electochemical Society Proceedings Vol2002−4 p369−380,(2002)
【非特許文献2】
”MEMS:Micro Technoligy, Mega Impact”Circuit & Device, p14−20(2001)
【非特許文献3】
「トランジスタ技術」,CQ出版,2002年5月号,P207〜212
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述したように複数の光スイッチ素子を同時に形成する場合、接合した基板を切り出すときに、切断に伴う振動や、切断時の冷却に用いられる水流などにより、可動構造体の可動部(ミラー部131)が破壊されるという問題がある。また、微細な可動部を破壊せずに光スイッチ素子を製造できたとしても、、可動部の破壊を防ぐために、光スイッチ素子のチップのハンドリングなどには、細心の注意が必要となる。
【0013】
通常の集積回路チップのハンドリングや実装などは、自動化された機械装置によって行われるが、上述したような破損しやすい可動部を備える光スイッチ素子では、人手に頼ることになる。このため、従来では、光スイッチ素子を用いた装置の製造におけるスループットが、著しく低い状態となっていた。
【0014】
微細な可動部の破損を防ぐた手法として、前述したような接合やチップへの切り出しなどを行う前に、可動構造体を有機樹脂により保護・固定しておくことなどが考えられる。チップの実装などが終了した後、可動構造体を保護している有機樹脂を有機溶剤により溶解して除去すれば、製造過程における可動構造体の破損を抑制することができる。
しかしながら、有機樹脂の塗布は、一般にスピン塗布法が用いられている。スピン塗布法では、膜を形成する基板を回転台に真空チャックなどにより固定するため、このときの吸引などにより、可動構造体が破損する場合がある。
【0015】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、可動構造体の可動部に、これを破損することなく、有機樹脂からなる保護膜が形成できるようにすることを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るMEMS素子の製造方法は、第1基板を加工してこの一部に可動構造体を形成する工程と、孔版印刷法により、可動構造体およびこの周囲の第1基板の一部を覆う有機樹脂からなる保護膜を選択的に形成する工程と、第1基板の可動構造体の周囲を、第2基板上に形成された支持部材に固定する工程とを少なくとも備えたものである。
この製造方法によれば、保護膜は、可動しない第1基板の一部にまで連続して形成され、可動構造体の可動が保護膜により制限されるようになる。
【0017】
上記MEMS素子の製造方法において、例えば、第1基板は、開口部を有する構造体に可動構造体を開口部の内部に配置した状態で固定され、保護膜は、開口部の内部を有機樹脂で部分的に充填した状態に形成するようにしてもよい。
また、上記MEMS素子の製造方法において、有機樹脂は、ポリイミドやポリベンゾオキサゾールであればよい。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
図1,2は、本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法を説明する工程図である。まず、図1(a)に示すように、SOI基板301の埋め込み絶縁層302が形成されている側のシリコン層(SOI層)303より、公知のフォトリソグラフィ技術とDEEP RIEなどのエッチングによって溝331,332を形成する。溝331,332は、埋め込み酸化膜302にまで達するように形成する。なお、DEEP RIEは、例えばシリコンをドライエッチングするときに、SF6とC4F8のガスを交互に導入し、エッチングと側壁保護膜形成とを繰り返すことにより、アスペクト比が50にもなる溝または穴を、毎分数μmのエッチング速度で形成する技術である。
【0019】
つぎに、SOI基板301の裏面に、以降に説明するミラー部の形成領域が開口したレジストパターンを形成し、水酸化カリウム水溶液などのエッチング液を用い、SOI基板301の裏面より選択的にシリコンをエッチングする。このエッチングでは、埋め込み絶縁層302をエッチングストッパ層として用い、図1(b)に示すように、SOI基板301の裏面に開口部311を形成する。開口部311は、例えば、可動する1つのミラー部を備えた光スイッチ素子のピクセルに相当する領域である。なお、光スイッチ素子では、複数のピクセルで1つのチップとする場合もあり、1つのピクセルで1つのチップとする場合もある。
【0020】
次いで、開口部311の内部において露出している埋め込み絶縁層302の部分を、フッ酸を用いて選択的に除去することで、図1(c)に示すように、枠部130に支持された可動枠132と、可動枠132に支持されたミラー部131が形成された状態とする。ミラー部131,可動枠132は、板状のシリコン層(第1基板)303に、枠部130に支持された状態で形成された可動構造体である。また、枠部130は、埋め込み絶縁膜302を介してSOI基板301上の固定された状態となっている。このとき、ミラー部131の反射率を向上させるために、開口部311側のミラー部131表面に金やアルミニウムなどの金属膜を形成する場合もある。
【0021】
つぎに、ミラー部131などを形成したSOI基板301の開口部311の内部に、例えば、スクリーン印刷法などの孔版印刷法により、有機樹脂の膜を形成する。
まず、図1(d)に示すように、開口部311の広さに合わせた開口パターンを有する版膜202が、外面に被着されたスクリーン201を用意する。スクリーン201は、図示していない所定の枠に張着されている。
【0022】
次いで、図1(d)に示すように、版膜202の形成面(外面)をSOI基板301側に向けた状態で、版膜202の開口パターンの部分が開口部311の上部に配置されるように、SOI基板301とスクリーン201との相対位置関係を合わせる。このとき、SOI基板301のシリコン層303に形成された枠部130,可動枠132およびミラー部131は、図示しない載置台の同一平面上に載置されて支持されていることが望ましい。
【0023】
相対位置関係を合わせた後、図1(d)に示すように、スクリーン201の版膜202が形成されていない面(内面)に、ポリイミド樹脂203を投入する。次いで、スクリーン201とSOI基板301とを所定の間隔となるまで近づかせて固定した後、スキージ204によりスクリーン201の内面を加圧摺動する。
【0024】
このことにより、ポリイミド樹脂203の一部は、版膜202の開口部内に露出しているスクリーン201の目を通過する。この通過したポリイミド樹脂203により、SOI基板301の開口部311内のミラー部131,可動枠132,および枠130の一部に渡って、図1(e)に示すように保護膜304が形成される。
このように、本実施の形態によれば、SOI基板301に振動や衝撃などを与えることない状態で保護膜304が形成できるので、SOI基板301に形成されているミラー部131などの可動構造体に損傷を与えることがない。
【0025】
なお、保護膜304は、可動構造体であるミラー部131,可動枠132およびこの周囲の枠部(第1基板)130の一部を覆うように形成されていればよい。また、保護膜304は、通常の加熱硬化処理によってポリイミドを硬化させた状態とする。
【0026】
この保護膜304の形成において、開口部311内への樹脂(保護膜304)の充填量は、ポリイミド樹脂の粘性やスキージ204の加圧力などによって制御することができる。また、感光性を有する樹脂を充填し、充填した樹脂膜に所定の露光量の露光や所定条件の現像処理などを施すことで、保護膜304の厚さを制御することもできる。保護膜304とする材料としては、ポリイミドに限らず、ポリベンゾオキサゾールであってもよい。
【0027】
上述したように、光スイッチ素子の可動する反射構造体を形成するとともに、図2(a)に示すような、光スイッチ素子の固定構造体の部分を用意する。この固定構造体の構成例について説明すると、まず、シリコンからなる半導体基板(第2基板)101を備え、半導体基板101には、複数の素子から構成された集積回路(図示せず)が形成されている。集積回路の上には、層間絶縁膜102が形成されている。
【0028】
層間絶縁膜102上には、更に配線層104,層間絶縁膜105が形成されている。また、半導体基板101の上には、絶縁膜102,105を介して支持部材120が固定されている。この支持部材120により反射構造体であるミラー構造体103を支持する。例えば、支持部材120は、金などの導電材料から構成され、層間絶縁膜105に形成されたスルーホールを通じ、層間絶縁膜102上に形成された所定の配線層104に電気的に接続されている。
【0029】
また、支持部材120に囲われた領域の半導体基板101上には、絶縁膜102,105を介してミラー部131の回動動作を制御するための制御電極部140が形成されている。制御電極部140は、金などの導電材料から構成され、層間絶縁膜105に形成されたスルーホールを通し、層間絶縁膜102上に形成された所定の配線層104に電気的に接続されている。また、半導体基板101に形成されている図示していない集積回路の一部として、制御回路150が構成されている。
【0030】
以上説明したように構成された固定構造体を用意したら、ミラー部131などが形成され、開口部311内に保護膜304が形成されたSOI基板301を、公知の方法によって所定の寸法のチップに切り出す。このとき、保護膜304の有無による、ミラー部131の破損状態を調査したところ、保護膜304を形成した場合、チップ切り出しによるミラー部131の破損は発生しなかった。これに対し、保護膜304を形成しない状態でチップに切り出すと、ミラー部131の破損が検出された。このように、保護膜304の形成は、ミラー部131の保護として極めて有用である。
【0031】
以上のようにしてチップに切り出した後、図2(b)に示すように、可動する反射構造体であるミラー部131が形成されているチップを、支持部材120上に固定する。支持部材120上には、シリコン層303の側の枠部130の一部が固定され、ミラー部131と制御電極部140とが対向配置した状態とする。この後、例えば、ノルマルメチルピロリドンなどの有機溶媒に保護膜304を溶解させ、保護膜304を除去すれば、図2(c)に示すような光スイッチ素子を得ることができる。この有機樹脂である保護膜304の除去は、例えば、酸素のプラズマやオゾンを用いた灰化処理により行うようにしてもよい。
【0032】
なお、上述では、可動する反射構造体を固定構造体に接合した後に保護膜を除去するようにしたが、これに限るものではない。例えば、接合して光スイッチ素子を得た後、この光スイッチ素子を所定の基板に実装した後で、保護膜を除去するようにしてもよく、保護膜の必要な工程を経た後に所望の時点で除去を行うようにすればよい。
【0033】
また、上述では、スクリーンを用いたスクリーン印刷法により、所定の領域に保護膜を形成するようにしたが、これに限るものではなく、他の孔版印刷法により保護膜を形成するようにしてもよい。例えば、保護膜を形成する領域を規定するための版膜が、スキージによる加圧摺動に充分耐えられるものであれば、スクリーンメッシュのない状態で、版膜のみで保護膜のパターンを謄写(印刷)することも可能である。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、孔版印刷法により、ミラー部などの可動部分からこれを支持する枠部などの領域にまで渡る部分的な領域に保護膜を形成するようにした。従って、ミラー部などに対する振動や衝撃などの発生が抑制された状態で保護膜が形成できる。この結果、本発明によれば、可動部を破損することなく、有機樹脂からなる保護膜が形成できるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法を説明する工程図である
【図2】図1に続く、本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法を説明する工程図である
【図3】MEMS素子の構成例を示す断面図(a)及び平面図(b)である。
【符号の説明】
101…半導体基板、102…層間絶縁膜、103…ミラー構造体、104…配線層、105…層間絶縁膜、120…支持部材、130…枠部、131…ミラー部、132…可動枠、140…制御電極部、150…制御回路、201…スクリーン、202…版膜、203…ポリイミド樹脂、204…スキージ、301…SOI基板、302…埋め込み絶縁層、303…シリコン層、304…保護膜、331,332…溝。
【発明の属する技術分野】
本発明は、スイッチングを利用する通信,計測,ディスプレイ等に使用されるMEMS素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
薄膜形成技術やフォトリソグラフィ技術を基本にしてエッチングすることなどで立体的に微細加工を行うマイクロマシン技術を利用して作製された、MEMS素子がある。このMEMS素子には、例えば、固定構造体と可動する反射構造体とから構成された光スイッチ素子などがある。反射構造体は、支持材と可動部材を有し、可動部材が、トーションバネなどのバネ部材によって支持部材に接続されている。
【0003】
このように構成された光スイッチ素子は、固定構造体と可動する反射構造体との間に働く引力、あるいは反発力によって反射構造体が可動することで光路を切り替えるスイッチング動作を行う。例えば、固定構造体と反射構造体とに各々電極を設け、これらの電極に電荷を誘導し、これらの電荷にクーロン力を作用させることで、反射構造体を可動させることができる。
【0004】
このような光スイッチ素子は、反射構造体と固定構造体を個別に作製した後、各々を接合させることで製造することができる。
図3は、各々個別に作製した反射構造体と固定構造体とを、接合させる工程を模式的に示す概略的な断面図(a)と反射構造体を示す平面図(b)である。図3に示すミラー素子について説明すると、まず、例えば、シリコンからなる半導体基板101を備え、半導体基板101には、複数の素子から構成された集積回路(図示せず)が形成されている。集積回路の上には、層間絶縁膜102が形成されている。
【0005】
層間絶縁膜102上には、更に配線層104,層間絶縁膜105が形成されている。また、半導体基板101の上には、絶縁膜102,105を介して支持部材120が固定されている。この支持部材120により反射構造体であるミラー構造体103を支持する。例えば、支持部材120は、金などの導電材料から構成され、層間絶縁膜105に形成されたスルーホールを通じ、層間絶縁膜102上に形成された所定の配線層104に電気的に接続されている。
【0006】
また、支持部材120に囲われた領域の半導体基板101上には、絶縁膜102,105を介してミラー部131の回動動作を制御するための制御電極部140が形成されている。制御電極部140は、金などの導電材料から構成され、層間絶縁膜105に形成されたスルーホールを通し、層間絶縁膜102上に形成された所定の配線層104に電気的に接続されている。
また、半導体基板101に形成されている図示していない集積回路の一部として、制御回路150が構成されている。
【0007】
一方、ミラー構造体103は、支持部材120に固定される板状の枠部130と、枠部130の内側に、半導体基板101より離間して支持された板状の可動部とから構成されている。この可動部は、図3(b)に示すように、一対の連結部161を介して枠部130の内側に支持された可動枠132と、1対の連結部162を介して可動枠132の内側に支持されたミラー部131とから構成されている。また、ミラー部131は、例えば、直径500μm程度の円板であり、図3(a)の紙面において上方の面に反射面が形成されている。
【0008】
以上のように作製されているミラー構造体103の枠部130を、支持部材120に接合させて固定すれば、制御電極部140により可動が制御されるミラー部131を備えた光スイッチ素子が得られる。例えば、制御回路150により、制御電極部140とミラー部131との間に所定の電位差を生じさせ、これらの間に電荷を誘導し、これらの電荷にクーロン力を作用させることで、ミラー部131を可動させることができる。
【0009】
ここで、例えば、複数の反射構造体が形成された基板と、複数の固定構造体が形成された基板とを位置合わせをして接合し、この後各々に切り出すことで、複数の光スイッチ素子が同時に製造できる。
【0010】
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を本件の出願時までに発見するには至らなかった。
【0011】
【特許文献1】
特開2001−198897号公報
【特許文献2】
特開2002−189178号公報
【非特許文献1】
Pamela R.Patterson,Dooyoung Hah,Guo−Dung J.Su,Hiroshi Toshiyoshi,and Ming C.Wu,”MOEMS ELECTROSTATIC SCANNING MICROMIRRORS DESIGN AND FABRICATION” Electochemical Society Proceedings Vol2002−4 p369−380,(2002)
【非特許文献2】
”MEMS:Micro Technoligy, Mega Impact”Circuit & Device, p14−20(2001)
【非特許文献3】
「トランジスタ技術」,CQ出版,2002年5月号,P207〜212
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述したように複数の光スイッチ素子を同時に形成する場合、接合した基板を切り出すときに、切断に伴う振動や、切断時の冷却に用いられる水流などにより、可動構造体の可動部(ミラー部131)が破壊されるという問題がある。また、微細な可動部を破壊せずに光スイッチ素子を製造できたとしても、、可動部の破壊を防ぐために、光スイッチ素子のチップのハンドリングなどには、細心の注意が必要となる。
【0013】
通常の集積回路チップのハンドリングや実装などは、自動化された機械装置によって行われるが、上述したような破損しやすい可動部を備える光スイッチ素子では、人手に頼ることになる。このため、従来では、光スイッチ素子を用いた装置の製造におけるスループットが、著しく低い状態となっていた。
【0014】
微細な可動部の破損を防ぐた手法として、前述したような接合やチップへの切り出しなどを行う前に、可動構造体を有機樹脂により保護・固定しておくことなどが考えられる。チップの実装などが終了した後、可動構造体を保護している有機樹脂を有機溶剤により溶解して除去すれば、製造過程における可動構造体の破損を抑制することができる。
しかしながら、有機樹脂の塗布は、一般にスピン塗布法が用いられている。スピン塗布法では、膜を形成する基板を回転台に真空チャックなどにより固定するため、このときの吸引などにより、可動構造体が破損する場合がある。
【0015】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、可動構造体の可動部に、これを破損することなく、有機樹脂からなる保護膜が形成できるようにすることを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るMEMS素子の製造方法は、第1基板を加工してこの一部に可動構造体を形成する工程と、孔版印刷法により、可動構造体およびこの周囲の第1基板の一部を覆う有機樹脂からなる保護膜を選択的に形成する工程と、第1基板の可動構造体の周囲を、第2基板上に形成された支持部材に固定する工程とを少なくとも備えたものである。
この製造方法によれば、保護膜は、可動しない第1基板の一部にまで連続して形成され、可動構造体の可動が保護膜により制限されるようになる。
【0017】
上記MEMS素子の製造方法において、例えば、第1基板は、開口部を有する構造体に可動構造体を開口部の内部に配置した状態で固定され、保護膜は、開口部の内部を有機樹脂で部分的に充填した状態に形成するようにしてもよい。
また、上記MEMS素子の製造方法において、有機樹脂は、ポリイミドやポリベンゾオキサゾールであればよい。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
図1,2は、本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法を説明する工程図である。まず、図1(a)に示すように、SOI基板301の埋め込み絶縁層302が形成されている側のシリコン層(SOI層)303より、公知のフォトリソグラフィ技術とDEEP RIEなどのエッチングによって溝331,332を形成する。溝331,332は、埋め込み酸化膜302にまで達するように形成する。なお、DEEP RIEは、例えばシリコンをドライエッチングするときに、SF6とC4F8のガスを交互に導入し、エッチングと側壁保護膜形成とを繰り返すことにより、アスペクト比が50にもなる溝または穴を、毎分数μmのエッチング速度で形成する技術である。
【0019】
つぎに、SOI基板301の裏面に、以降に説明するミラー部の形成領域が開口したレジストパターンを形成し、水酸化カリウム水溶液などのエッチング液を用い、SOI基板301の裏面より選択的にシリコンをエッチングする。このエッチングでは、埋め込み絶縁層302をエッチングストッパ層として用い、図1(b)に示すように、SOI基板301の裏面に開口部311を形成する。開口部311は、例えば、可動する1つのミラー部を備えた光スイッチ素子のピクセルに相当する領域である。なお、光スイッチ素子では、複数のピクセルで1つのチップとする場合もあり、1つのピクセルで1つのチップとする場合もある。
【0020】
次いで、開口部311の内部において露出している埋め込み絶縁層302の部分を、フッ酸を用いて選択的に除去することで、図1(c)に示すように、枠部130に支持された可動枠132と、可動枠132に支持されたミラー部131が形成された状態とする。ミラー部131,可動枠132は、板状のシリコン層(第1基板)303に、枠部130に支持された状態で形成された可動構造体である。また、枠部130は、埋め込み絶縁膜302を介してSOI基板301上の固定された状態となっている。このとき、ミラー部131の反射率を向上させるために、開口部311側のミラー部131表面に金やアルミニウムなどの金属膜を形成する場合もある。
【0021】
つぎに、ミラー部131などを形成したSOI基板301の開口部311の内部に、例えば、スクリーン印刷法などの孔版印刷法により、有機樹脂の膜を形成する。
まず、図1(d)に示すように、開口部311の広さに合わせた開口パターンを有する版膜202が、外面に被着されたスクリーン201を用意する。スクリーン201は、図示していない所定の枠に張着されている。
【0022】
次いで、図1(d)に示すように、版膜202の形成面(外面)をSOI基板301側に向けた状態で、版膜202の開口パターンの部分が開口部311の上部に配置されるように、SOI基板301とスクリーン201との相対位置関係を合わせる。このとき、SOI基板301のシリコン層303に形成された枠部130,可動枠132およびミラー部131は、図示しない載置台の同一平面上に載置されて支持されていることが望ましい。
【0023】
相対位置関係を合わせた後、図1(d)に示すように、スクリーン201の版膜202が形成されていない面(内面)に、ポリイミド樹脂203を投入する。次いで、スクリーン201とSOI基板301とを所定の間隔となるまで近づかせて固定した後、スキージ204によりスクリーン201の内面を加圧摺動する。
【0024】
このことにより、ポリイミド樹脂203の一部は、版膜202の開口部内に露出しているスクリーン201の目を通過する。この通過したポリイミド樹脂203により、SOI基板301の開口部311内のミラー部131,可動枠132,および枠130の一部に渡って、図1(e)に示すように保護膜304が形成される。
このように、本実施の形態によれば、SOI基板301に振動や衝撃などを与えることない状態で保護膜304が形成できるので、SOI基板301に形成されているミラー部131などの可動構造体に損傷を与えることがない。
【0025】
なお、保護膜304は、可動構造体であるミラー部131,可動枠132およびこの周囲の枠部(第1基板)130の一部を覆うように形成されていればよい。また、保護膜304は、通常の加熱硬化処理によってポリイミドを硬化させた状態とする。
【0026】
この保護膜304の形成において、開口部311内への樹脂(保護膜304)の充填量は、ポリイミド樹脂の粘性やスキージ204の加圧力などによって制御することができる。また、感光性を有する樹脂を充填し、充填した樹脂膜に所定の露光量の露光や所定条件の現像処理などを施すことで、保護膜304の厚さを制御することもできる。保護膜304とする材料としては、ポリイミドに限らず、ポリベンゾオキサゾールであってもよい。
【0027】
上述したように、光スイッチ素子の可動する反射構造体を形成するとともに、図2(a)に示すような、光スイッチ素子の固定構造体の部分を用意する。この固定構造体の構成例について説明すると、まず、シリコンからなる半導体基板(第2基板)101を備え、半導体基板101には、複数の素子から構成された集積回路(図示せず)が形成されている。集積回路の上には、層間絶縁膜102が形成されている。
【0028】
層間絶縁膜102上には、更に配線層104,層間絶縁膜105が形成されている。また、半導体基板101の上には、絶縁膜102,105を介して支持部材120が固定されている。この支持部材120により反射構造体であるミラー構造体103を支持する。例えば、支持部材120は、金などの導電材料から構成され、層間絶縁膜105に形成されたスルーホールを通じ、層間絶縁膜102上に形成された所定の配線層104に電気的に接続されている。
【0029】
また、支持部材120に囲われた領域の半導体基板101上には、絶縁膜102,105を介してミラー部131の回動動作を制御するための制御電極部140が形成されている。制御電極部140は、金などの導電材料から構成され、層間絶縁膜105に形成されたスルーホールを通し、層間絶縁膜102上に形成された所定の配線層104に電気的に接続されている。また、半導体基板101に形成されている図示していない集積回路の一部として、制御回路150が構成されている。
【0030】
以上説明したように構成された固定構造体を用意したら、ミラー部131などが形成され、開口部311内に保護膜304が形成されたSOI基板301を、公知の方法によって所定の寸法のチップに切り出す。このとき、保護膜304の有無による、ミラー部131の破損状態を調査したところ、保護膜304を形成した場合、チップ切り出しによるミラー部131の破損は発生しなかった。これに対し、保護膜304を形成しない状態でチップに切り出すと、ミラー部131の破損が検出された。このように、保護膜304の形成は、ミラー部131の保護として極めて有用である。
【0031】
以上のようにしてチップに切り出した後、図2(b)に示すように、可動する反射構造体であるミラー部131が形成されているチップを、支持部材120上に固定する。支持部材120上には、シリコン層303の側の枠部130の一部が固定され、ミラー部131と制御電極部140とが対向配置した状態とする。この後、例えば、ノルマルメチルピロリドンなどの有機溶媒に保護膜304を溶解させ、保護膜304を除去すれば、図2(c)に示すような光スイッチ素子を得ることができる。この有機樹脂である保護膜304の除去は、例えば、酸素のプラズマやオゾンを用いた灰化処理により行うようにしてもよい。
【0032】
なお、上述では、可動する反射構造体を固定構造体に接合した後に保護膜を除去するようにしたが、これに限るものではない。例えば、接合して光スイッチ素子を得た後、この光スイッチ素子を所定の基板に実装した後で、保護膜を除去するようにしてもよく、保護膜の必要な工程を経た後に所望の時点で除去を行うようにすればよい。
【0033】
また、上述では、スクリーンを用いたスクリーン印刷法により、所定の領域に保護膜を形成するようにしたが、これに限るものではなく、他の孔版印刷法により保護膜を形成するようにしてもよい。例えば、保護膜を形成する領域を規定するための版膜が、スキージによる加圧摺動に充分耐えられるものであれば、スクリーンメッシュのない状態で、版膜のみで保護膜のパターンを謄写(印刷)することも可能である。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、孔版印刷法により、ミラー部などの可動部分からこれを支持する枠部などの領域にまで渡る部分的な領域に保護膜を形成するようにした。従って、ミラー部などに対する振動や衝撃などの発生が抑制された状態で保護膜が形成できる。この結果、本発明によれば、可動部を破損することなく、有機樹脂からなる保護膜が形成できるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法を説明する工程図である
【図2】図1に続く、本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法を説明する工程図である
【図3】MEMS素子の構成例を示す断面図(a)及び平面図(b)である。
【符号の説明】
101…半導体基板、102…層間絶縁膜、103…ミラー構造体、104…配線層、105…層間絶縁膜、120…支持部材、130…枠部、131…ミラー部、132…可動枠、140…制御電極部、150…制御回路、201…スクリーン、202…版膜、203…ポリイミド樹脂、204…スキージ、301…SOI基板、302…埋め込み絶縁層、303…シリコン層、304…保護膜、331,332…溝。
Claims (4)
- 第1基板を加工してこの一部に可動構造体を形成する工程と、
孔版印刷法により、前記可動構造体およびこの周囲の前記第1基板の一部を覆う有機樹脂からなる保護膜を選択的に形成する工程と、
前記第1基板の可動構造体の周囲を、第2基板上に形成された支持部材に固定する工程と
を少なくとも備えたことを特徴とするMEMS素子の製造方法。 - 請求項1記載のMEMS素子の製造方法において、
前記第1基板は、開口部を有する構造体に前記可動構造体を前記開口部の内部に配置した状態で固定され、
前記保護膜は、前記開口部の内部を前記有機樹脂で部分的に充填した状態に形成する
ことを特徴とするMEMS素子の製造方法。 - 請求項1または2記載のMEMS素子の製造方法において、
前記有機樹脂は、ポリイミドであることを特徴とするMEMS素子の製造方法。 - 請求項1または2記載のMEMS素子の製造方法において、
前記有機樹脂は、ポリベンゾオキサゾールであることを特徴とするMEMS素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002297854A JP2004133214A (ja) | 2002-10-10 | 2002-10-10 | Mems素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=32287441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2002297854A Pending JP2004133214A (ja) | 2002-10-10 | 2002-10-10 | Mems素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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-
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