JP2002255868A - パーフルオロカーボン類の製造方法およびその用途 - Google Patents
パーフルオロカーボン類の製造方法およびその用途Info
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- JP2002255868A JP2002255868A JP2001048985A JP2001048985A JP2002255868A JP 2002255868 A JP2002255868 A JP 2002255868A JP 2001048985 A JP2001048985 A JP 2001048985A JP 2001048985 A JP2001048985 A JP 2001048985A JP 2002255868 A JP2002255868 A JP 2002255868A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 本発明に係るパーフルオロカーボン類の
製造方法は、有機化合物とフッ素ガスとを接触させてパ
ーフルオロカーボン類を製造するに当たり、前記有機化
合物と前記フッ素ガスとを２００〜５００℃の温度範囲
で接触させ、反応系内の酸素ガスの含有量を、前記反応
原料中のガス成分に対して２体積％以下の量にして、不
純物の含量が低減されたパーフルオロカーボン類を得る
ことを特徴としている。 【効果】 本発明に係るパーフルオロカーボン類の製造
方法によれば、含酸素化合物などの不純物の生成が抑制
された高純度なパーフルオロカーボン類を得ることがで
きる。また、本発明に係る製造方法により得られるパー
フルオロカーボン類は、含酸素化合物を実質的に含んで
いないので、半導体デバイス製造プロセス等で用いるエ
ッチングガス、あるいはクリーニングガスとして有効に
用いることができる。
製造方法は、有機化合物とフッ素ガスとを接触させてパ
ーフルオロカーボン類を製造するに当たり、前記有機化
合物と前記フッ素ガスとを２００〜５００℃の温度範囲
で接触させ、反応系内の酸素ガスの含有量を、前記反応
原料中のガス成分に対して２体積％以下の量にして、不
純物の含量が低減されたパーフルオロカーボン類を得る
ことを特徴としている。 【効果】 本発明に係るパーフルオロカーボン類の製造
方法によれば、含酸素化合物などの不純物の生成が抑制
された高純度なパーフルオロカーボン類を得ることがで
きる。また、本発明に係る製造方法により得られるパー
フルオロカーボン類は、含酸素化合物を実質的に含んで
いないので、半導体デバイス製造プロセス等で用いるエ
ッチングガス、あるいはクリーニングガスとして有効に
用いることができる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、パーフルオロカーボンの
製造方法に関する。さらに詳しくは、半導体デバイスの
製造に有効な含酸素化合物などの不純物の生成が抑制さ
れたパーフルオロカーボン類の製造方法に関する。さら
に、本発明は含酸素化合物を実質的に含有しない高純度
なパーフルオロカーボン類、パーフルオロカーボン含有
ガスおよびその用途に関する。
製造方法に関する。さらに詳しくは、半導体デバイスの
製造に有効な含酸素化合物などの不純物の生成が抑制さ
れたパーフルオロカーボン類の製造方法に関する。さら
に、本発明は含酸素化合物を実質的に含有しない高純度
なパーフルオロカーボン類、パーフルオロカーボン含有
ガスおよびその用途に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】従来より、半導体デバイス製造プ
ロセスにおいては、有用なエッチングガスあるいはクリ
ーニングガスの一つとして、従来よりパーフルオロカー
ボン類が用いられている。一方、近年、電気機器あるい
は電子機器の高性能化、小型化、高密度配線化等にとも
ない、回路基板の電極はより微細化する傾向にあり、エ
ッチング等による回路パターン形成をより高精度で行う
ために、不純物が極力排除された極めて高純度のエッチ
ングガスを用いることが求められるようになっている。
エッチングガスに微量であっても不純物が含まれている
と、微細なパターン形成において広い幅線を生じさせた
り、あるいは高密度集積回路を有する製品の欠陥を増加
させる要因となることがあるからである。
ロセスにおいては、有用なエッチングガスあるいはクリ
ーニングガスの一つとして、従来よりパーフルオロカー
ボン類が用いられている。一方、近年、電気機器あるい
は電子機器の高性能化、小型化、高密度配線化等にとも
ない、回路基板の電極はより微細化する傾向にあり、エ
ッチング等による回路パターン形成をより高精度で行う
ために、不純物が極力排除された極めて高純度のエッチ
ングガスを用いることが求められるようになっている。
エッチングガスに微量であっても不純物が含まれている
と、微細なパターン形成において広い幅線を生じさせた
り、あるいは高密度集積回路を有する製品の欠陥を増加
させる要因となることがあるからである。
【０００３】またクリーニングガスによる付着物の除去
過程においても、純度、品質の高いデバイスを提供する
ため、クリーニング後の半導体デバイス製造プロセス中
の残留不純物をできるだけ低減させることが必要であ
り、不純物を実質的に含まない高純度のクリーニングガ
スの提供が求められるようになってきている。前記パー
フルオロカーボン類の製造方法としては、従来より様々
な方法が提案されている。たとえば、テトラフルオロメ
タンについて、クロロトリフルオロメタンを触媒の存在
下にＨＦと反応させる方法（特公昭６２−１０２１１号
公報）、ジクロロジフルオロメタンを触媒の存在下にＨ
Ｆと反応させる方法（特公昭４２−３００４号公報）、
ヘキサフルオロエタンについて、エタンおよび／または
エチレンを原料とする電解フッ素化法、四フッ化エチレ
ン等を熱分解する熱分解法、アセチレン、エチレン、エ
タン等を金属フッ化物を用いてフッ素化する方法等が知
られている。また、炭化水素あるいはハイドロフルオロ
カーボンをフッ素ガスと接触させる直接フッ素化法とし
て、たとえば、トリフルオロメタンとフッ素ガスとを反
応させる方法（GB-1,116,920）、テトラフルオロエタン
とフッ素ガスとを反応させる方法（特許第２９４７１５
８号公報）、ヘキサフルオロプロピレンとフッ素ガスと
を反応させる方法（特公昭６２−６１５７２号公報）、
ＢｒＦ3あるいはＩＦ3中で炭素（Ｃ）をＦ2とを反応さ
せる方法（特開昭５８−１６２５３６号公報）などが知
られている。また、たとえば、炭素原子数３個のパーフ
ルオロカーボンのオクタフルオロプロパンの場合、フッ
素ガスを用いてプロパンと反応させる直接フッ素化法
（EP-31519）なども知られている。
過程においても、純度、品質の高いデバイスを提供する
ため、クリーニング後の半導体デバイス製造プロセス中
の残留不純物をできるだけ低減させることが必要であ
り、不純物を実質的に含まない高純度のクリーニングガ
スの提供が求められるようになってきている。前記パー
フルオロカーボン類の製造方法としては、従来より様々
な方法が提案されている。たとえば、テトラフルオロメ
タンについて、クロロトリフルオロメタンを触媒の存在
下にＨＦと反応させる方法（特公昭６２−１０２１１号
公報）、ジクロロジフルオロメタンを触媒の存在下にＨ
Ｆと反応させる方法（特公昭４２−３００４号公報）、
ヘキサフルオロエタンについて、エタンおよび／または
エチレンを原料とする電解フッ素化法、四フッ化エチレ
ン等を熱分解する熱分解法、アセチレン、エチレン、エ
タン等を金属フッ化物を用いてフッ素化する方法等が知
られている。また、炭化水素あるいはハイドロフルオロ
カーボンをフッ素ガスと接触させる直接フッ素化法とし
て、たとえば、トリフルオロメタンとフッ素ガスとを反
応させる方法（GB-1,116,920）、テトラフルオロエタン
とフッ素ガスとを反応させる方法（特許第２９４７１５
８号公報）、ヘキサフルオロプロピレンとフッ素ガスと
を反応させる方法（特公昭６２−６１５７２号公報）、
ＢｒＦ3あるいはＩＦ3中で炭素（Ｃ）をＦ2とを反応さ
せる方法（特開昭５８−１６２５３６号公報）などが知
られている。また、たとえば、炭素原子数３個のパーフ
ルオロカーボンのオクタフルオロプロパンの場合、フッ
素ガスを用いてプロパンと反応させる直接フッ素化法
（EP-31519）なども知られている。
【０００４】これらの種々の製造方法において、直接フ
ッ素化法は、極めて反応性に富むフッ素ガスを用いるこ
とから、基質である有機化合物とフッ素ガスとの爆発や
腐食等の危険があり、さらに発熱によるＣ−Ｃ結合の切
断、重合、炭素（Ｃ）の生成、体積等による急激な反応
や爆発等の副反応の危険もあった。たとえば、直鎖の炭
化水素化合物とフッ素ガスとを反応させる直接フッ素化
法によるパーフルオロカーボンの合成の場合、次のよう
な非常に大きな反応熱を伴う。
ッ素化法は、極めて反応性に富むフッ素ガスを用いるこ
とから、基質である有機化合物とフッ素ガスとの爆発や
腐食等の危険があり、さらに発熱によるＣ−Ｃ結合の切
断、重合、炭素（Ｃ）の生成、体積等による急激な反応
や爆発等の副反応の危険もあった。たとえば、直鎖の炭
化水素化合物とフッ素ガスとを反応させる直接フッ素化
法によるパーフルオロカーボンの合成の場合、次のよう
な非常に大きな反応熱を伴う。
【０００５】 ＣＨ4＋４Ｆ2 ＣＦ4 ＋４ＨＦ （式１） （△Ｈ＝−４７９kcal／mol) Ｃ2Ｈ6＋６Ｆ2 Ｃ2Ｆ6 ＋６ＨＦ （式２） （△Ｈ＝−６９０kcal／mol) このように、Ｃ−Ｈ結合１個をＣ−Ｆ結合に置換するに
は約−１１０Kcal／molの反応熱が発生する。プロパン
（Ｃ3Ｈ8）とフッ素ガスとを反応させる直接フッ素化法
は△Ｈが約−８８０Kcal／molとなる。
は約−１１０Kcal／molの反応熱が発生する。プロパン
（Ｃ3Ｈ8）とフッ素ガスとを反応させる直接フッ素化法
は△Ｈが約−８８０Kcal／molとなる。
【０００６】メタンを原料とする場合（式１）はメタン
１モルにつき４モルのフッ素ガスが、 エタンを原料と
する場合（式２）はエタン１モルにつき６モルのフッ素
ガスが必要である。このように、反応熱は基質である有
機化合物の水素原子が多いほど、また使用するフッ素量
が多いほど大きくなる。このため、直接フッ素化法にお
ける反応熱の急激な発生を抑える方法として、フッ素ガ
スを他の不活性ガス（窒素やヘリウム等）で希釈する方
法、基質である有機化合物を不活性ガスで希釈する方
法、基質である有機化合物をフッ素に対して不活性な溶
媒に低濃度に溶かしておく方法、反応を低温領域で行う
方法、あるいは反応を気相で行うときは基質である有機
化合物にフッ素ガスが少しずつ接触するようなジェット
リアクター等の装置を工夫する方法等が考えられてい
た。
１モルにつき４モルのフッ素ガスが、 エタンを原料と
する場合（式２）はエタン１モルにつき６モルのフッ素
ガスが必要である。このように、反応熱は基質である有
機化合物の水素原子が多いほど、また使用するフッ素量
が多いほど大きくなる。このため、直接フッ素化法にお
ける反応熱の急激な発生を抑える方法として、フッ素ガ
スを他の不活性ガス（窒素やヘリウム等）で希釈する方
法、基質である有機化合物を不活性ガスで希釈する方
法、基質である有機化合物をフッ素に対して不活性な溶
媒に低濃度に溶かしておく方法、反応を低温領域で行う
方法、あるいは反応を気相で行うときは基質である有機
化合物にフッ素ガスが少しずつ接触するようなジェット
リアクター等の装置を工夫する方法等が考えられてい
た。
【０００７】このような直接フッ素化法における課題を
解決するため、既に本願発明者らは、直接フッ素化法の
反応条件を適切に制御することにより、工業的に安全か
つ効率よく経済的にパーフルオロカーボン類を製造する
ことができることを見出している（特許第３０６７６３
３号公報）。このようにして得られるパーフルオロカー
ボン類を半導体デバイス製造プロセス等のクリーニング
ガスあるいはエッチングガスとして用いる場合には、前
述の通り、各種の不純物が極力含まれない、高純度なパ
ーフルオロカーボン類であることが必要である。不純物
の除去には、通常、蒸留等による分離などが用いられ
る。これまで、直接フッ素化法によって、原料の精製、
生成物の蒸留、精製工程などを組み合わせることによ
り、ある程度の純度で不純物を除去し、一定の純度のパ
ーフルオロカーボン類が製造されていた。
解決するため、既に本願発明者らは、直接フッ素化法の
反応条件を適切に制御することにより、工業的に安全か
つ効率よく経済的にパーフルオロカーボン類を製造する
ことができることを見出している（特許第３０６７６３
３号公報）。このようにして得られるパーフルオロカー
ボン類を半導体デバイス製造プロセス等のクリーニング
ガスあるいはエッチングガスとして用いる場合には、前
述の通り、各種の不純物が極力含まれない、高純度なパ
ーフルオロカーボン類であることが必要である。不純物
の除去には、通常、蒸留等による分離などが用いられ
る。これまで、直接フッ素化法によって、原料の精製、
生成物の蒸留、精製工程などを組み合わせることによ
り、ある程度の純度で不純物を除去し、一定の純度のパ
ーフルオロカーボン類が製造されていた。
【０００８】本願発明者らは、前述の直接フッ素化法に
よりパーフルオロカーボン類を得る方法について研究す
る過程で、高精度の蒸留等によっても、不純物として残
留する成分があり、その残留不純物を有効に除去するこ
とが困難であることを見出していた。このような不純物
について分析したところ、パーフルオロジメチルエーテ
ル、パーフルオロジメチル過酸化物、パーフルオロメチ
ルエチルエーテル等の含酸素化合物が検出された。そし
て、これらの含酸素化合物は、パーフルオロカーボン類
と共沸組成物あるいは共沸様混合物を形成し、たとえ
ば、蒸留によりパーフルオロカーボン類と分離すること
が極めて困難であった。このような、含酸素化合物が高
い濃度で混入したままのパーフルオロカーボン類を、半
導体デバイス製造用のエッチングガスあるいはクリーニ
ングガスとして用いる場合、極めて微細なパターン形成
などの要求に応えるには適切でない場合が生じ得る。
よりパーフルオロカーボン類を得る方法について研究す
る過程で、高精度の蒸留等によっても、不純物として残
留する成分があり、その残留不純物を有効に除去するこ
とが困難であることを見出していた。このような不純物
について分析したところ、パーフルオロジメチルエーテ
ル、パーフルオロジメチル過酸化物、パーフルオロメチ
ルエチルエーテル等の含酸素化合物が検出された。そし
て、これらの含酸素化合物は、パーフルオロカーボン類
と共沸組成物あるいは共沸様混合物を形成し、たとえ
ば、蒸留によりパーフルオロカーボン類と分離すること
が極めて困難であった。このような、含酸素化合物が高
い濃度で混入したままのパーフルオロカーボン類を、半
導体デバイス製造用のエッチングガスあるいはクリーニ
ングガスとして用いる場合、極めて微細なパターン形成
などの要求に応えるには適切でない場合が生じ得る。
【０００９】そこで本願発明者らは、このような含酸素
化合物の生成を抑制するべく鋭意研究したところ、前記
の含酸素化合物は、フッ素ガスあるいはハイドロフルオ
ロカーボン等の反応原料中に微量に含まれる酸素ガスに
由来するものであり、反応温度などの反応条件を一定範
囲に制御しつつ、反応原料中の酸素ガス含有量を特定量
以下に低減することにより、前記含酸素化合物の生成を
有効に抑制することができることを見出し、本願発明を
完成するに至った。なお、本願発明者らが調査した限り
において、原料中の酸素ガスに由来する含酸素化合物の
抑制に係るパーフルオロカーボン類の製造方法は見当た
らなかった。
化合物の生成を抑制するべく鋭意研究したところ、前記
の含酸素化合物は、フッ素ガスあるいはハイドロフルオ
ロカーボン等の反応原料中に微量に含まれる酸素ガスに
由来するものであり、反応温度などの反応条件を一定範
囲に制御しつつ、反応原料中の酸素ガス含有量を特定量
以下に低減することにより、前記含酸素化合物の生成を
有効に抑制することができることを見出し、本願発明を
完成するに至った。なお、本願発明者らが調査した限り
において、原料中の酸素ガスに由来する含酸素化合物の
抑制に係るパーフルオロカーボン類の製造方法は見当た
らなかった。
【００１０】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に伴う
問題を解決しようとするものであって、含酸素化合物な
どの不純物の生成が抑制された高純度なパーフルオロカ
ーボン類およびその製造方法を提供することを目的とし
ている。また、このような高純度なパーフルオロカーボ
ン類の用途を提供することを目的としている。
問題を解決しようとするものであって、含酸素化合物な
どの不純物の生成が抑制された高純度なパーフルオロカ
ーボン類およびその製造方法を提供することを目的とし
ている。また、このような高純度なパーフルオロカーボ
ン類の用途を提供することを目的としている。
【００１１】
【発明の概要】本発明に係るパーフルオロカーボン類の
製造方法は、有機化合物とフッ素ガスとからなる反応原
料からパーフルオロカーボン類を製造するに当たり、前
記有機化合物と前記フッ素ガスとを２００〜５００℃の
温度範囲で接触させ、反応系内の酸素ガスの含有量を、
前記反応原料中のガス成分に対して２体積％以下の量に
して、不純物の含量が低減されたパーフルオロカーボン
類を得ることを特徴としている。
製造方法は、有機化合物とフッ素ガスとからなる反応原
料からパーフルオロカーボン類を製造するに当たり、前
記有機化合物と前記フッ素ガスとを２００〜５００℃の
温度範囲で接触させ、反応系内の酸素ガスの含有量を、
前記反応原料中のガス成分に対して２体積％以下の量に
して、不純物の含量が低減されたパーフルオロカーボン
類を得ることを特徴としている。
【００１２】前記有機化合物と前記フッ素ガスとの接触
を、希釈ガスの存在下に行うことが好ましい。前記有機
化合物は、炭素原子数６以下の脂肪族飽和化合物および
／または炭素原子数６以下の脂肪族不飽和化合物である
ことが好ましい。前記有機化合物は、炭素原子数６以下
の脂肪族飽和化合物であることが好ましく、さらに、前
記有機化合物は、ハイドロフルオロカーボン、特に、フ
ルオロメタン、ジフルオロメタン、トリフルオロメタ
ン、トリフルオロエタン、テトラフルオロエタン、ペン
タフルオロエタン、ペンタフルオロプロパン、ヘキサフ
ルオロプロパンおよびヘプタフルオロプロパンから選ば
れる少なくとも１種であることが好ましい。
を、希釈ガスの存在下に行うことが好ましい。前記有機
化合物は、炭素原子数６以下の脂肪族飽和化合物および
／または炭素原子数６以下の脂肪族不飽和化合物である
ことが好ましい。前記有機化合物は、炭素原子数６以下
の脂肪族飽和化合物であることが好ましく、さらに、前
記有機化合物は、ハイドロフルオロカーボン、特に、フ
ルオロメタン、ジフルオロメタン、トリフルオロメタ
ン、トリフルオロエタン、テトラフルオロエタン、ペン
タフルオロエタン、ペンタフルオロプロパン、ヘキサフ
ルオロプロパンおよびヘプタフルオロプロパンから選ば
れる少なくとも１種であることが好ましい。
【００１３】前記有機化合物と前記フッ素ガスとを、気
相中で、希釈ガス存在下に無触媒で接触させるパーフル
オロカーボン類の製造方法であって、前記有機化合物と
前記フッ素ガスとの接触前の前記フッ素ガスに含まれる
前記酸素ガスが、前記フッ素ガスに対して１体積％以下
であることが好ましく、この場合、前記有機化合物は、
炭素原子数４以下のハイドロフルオロカーボンであるこ
とが好ましく、さらに、前記有機化合物は、ジフルオロ
メタン、トリフルオロメタン、トリフルオロエタン、テ
トラフルオロエタン、ペンタフルオロエタン、ヘキサフ
ルオロプロパンおよびヘプタフルオロプロパンから選ば
れる少なくとも１種であることが好ましい。
相中で、希釈ガス存在下に無触媒で接触させるパーフル
オロカーボン類の製造方法であって、前記有機化合物と
前記フッ素ガスとの接触前の前記フッ素ガスに含まれる
前記酸素ガスが、前記フッ素ガスに対して１体積％以下
であることが好ましく、この場合、前記有機化合物は、
炭素原子数４以下のハイドロフルオロカーボンであるこ
とが好ましく、さらに、前記有機化合物は、ジフルオロ
メタン、トリフルオロメタン、トリフルオロエタン、テ
トラフルオロエタン、ペンタフルオロエタン、ヘキサフ
ルオロプロパンおよびヘプタフルオロプロパンから選ば
れる少なくとも１種であることが好ましい。
【００１４】前記反応系内に導入するフッ素ガス量は、
反応系内のガス成分の合計量に対して、９体積％以下で
あることが好ましい。前記希釈ガスは、テトラフルオロ
メタン、ヘキサフルオロエタン、オクタフルオロプロパ
ンおよびフッ化水素から選ばれる少なくとも１種である
ことが好ましい。
反応系内のガス成分の合計量に対して、９体積％以下で
あることが好ましい。前記希釈ガスは、テトラフルオロ
メタン、ヘキサフルオロエタン、オクタフルオロプロパ
ンおよびフッ化水素から選ばれる少なくとも１種である
ことが好ましい。
【００１５】前記希釈ガスがフッ化水素を含み、該フッ
化水素の含有量が希釈ガスの全量に対して５０体積％以
上であることが好ましい。前記不純物は、含酸素化合物
であってもよい。前記パーフルオロカーボン類の製造方
法は、さらに、前記含酸素化合物を吸着除去する工程を
含んでもよい。
化水素の含有量が希釈ガスの全量に対して５０体積％以
上であることが好ましい。前記不純物は、含酸素化合物
であってもよい。前記パーフルオロカーボン類の製造方
法は、さらに、前記含酸素化合物を吸着除去する工程を
含んでもよい。
【００１６】前記含酸素化合物は、活性炭により吸着除
去することができる。前記パーフルオロカーボン類は、
テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタンおよびオ
クタフルオロプロパンのうち少なくとも１種であること
が好ましい。前記パーフルオロカーボン類に含まれる含
酸素化合物の総量は、好ましくは５体積ｐｐｍ以下、さ
らに好ましくは２体積ｐｐｍ以下であることが望まし
い。
去することができる。前記パーフルオロカーボン類は、
テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタンおよびオ
クタフルオロプロパンのうち少なくとも１種であること
が好ましい。前記パーフルオロカーボン類に含まれる含
酸素化合物の総量は、好ましくは５体積ｐｐｍ以下、さ
らに好ましくは２体積ｐｐｍ以下であることが望まし
い。
【００１７】本発明に係るパーフルオロカーボン類含有
ガスは、前記パーフルオロカーボン類を含有している。
本発明に係るエッチングガスは、前記パーフルオロカー
ボン類含有ガスからなることを特徴としている。また、
前記パーフルオロカーボン類は、テトラフルオロメタン
であることが好ましい。
ガスは、前記パーフルオロカーボン類を含有している。
本発明に係るエッチングガスは、前記パーフルオロカー
ボン類含有ガスからなることを特徴としている。また、
前記パーフルオロカーボン類は、テトラフルオロメタン
であることが好ましい。
【００１８】本発明に係るクリーニングガスは、前記パ
ーフルオロカーボン類含有ガスからなることを特徴とし
ている。また、前記パーフルオロカーボン類は、ヘキサ
フルオロエタンまたはオクタフルオロプロパンであるこ
とが好ましい。
ーフルオロカーボン類含有ガスからなることを特徴とし
ている。また、前記パーフルオロカーボン類は、ヘキサ
フルオロエタンまたはオクタフルオロプロパンであるこ
とが好ましい。
【００１９】
【発明の具体的説明】以下本発明に係るパーフルオロカ
ーボン類の製造方法、その用途について具体的に説明す
る。 ［パーフルオロカーボン類の製造方法］本発明に係るパ
ーフルオロカーボン類の製造方法は、有機化合物とフッ
素ガス（Ｆ2）を接触させてパーフルオロカーボン類を
製造する方法であって、反応系に含まれる酸素ガスの含
有量を一定量以下に制御した製造方法である。また、本
発明に係るパーフルオロカーボン類の製造方法では、必
要に応じ、希釈ガスの存在下に行うことができる。 （有機化合物）本発明に用いることのできる前記有機化
合物は、特に限定されず、公知のパーフルオロカーボン
の製造において用いられる有機化合物を使うことができ
る。
ーボン類の製造方法、その用途について具体的に説明す
る。 ［パーフルオロカーボン類の製造方法］本発明に係るパ
ーフルオロカーボン類の製造方法は、有機化合物とフッ
素ガス（Ｆ2）を接触させてパーフルオロカーボン類を
製造する方法であって、反応系に含まれる酸素ガスの含
有量を一定量以下に制御した製造方法である。また、本
発明に係るパーフルオロカーボン類の製造方法では、必
要に応じ、希釈ガスの存在下に行うことができる。 （有機化合物）本発明に用いることのできる前記有機化
合物は、特に限定されず、公知のパーフルオロカーボン
の製造において用いられる有機化合物を使うことができ
る。
【００２０】このような有機化合物としては、たとえ
ば、炭素原子数６以下の脂肪族飽和化合物、炭素原子数
６以下の脂肪族不飽和化合物が挙げられ、これらのうち
の少なくとも１種であることが好ましい。このうち、本
発明では、有機化合物は、さらに好ましくは炭素原子数
６以下の脂肪族飽和化合物の少なくとも１種であること
が望ましい。
ば、炭素原子数６以下の脂肪族飽和化合物、炭素原子数
６以下の脂肪族不飽和化合物が挙げられ、これらのうち
の少なくとも１種であることが好ましい。このうち、本
発明では、有機化合物は、さらに好ましくは炭素原子数
６以下の脂肪族飽和化合物の少なくとも１種であること
が望ましい。
【００２１】このような炭素原子数６以下の脂肪族飽和
化合物としては、フルオロメタン、ジフルオロメタン、
トリフルオロメタン、トリフルオロエタン、テトラフル
オロエタン、ペンタフルオロエタン、ペンタフルオロプ
ロパン、ヘキサフルオロプロパン、ヘプタフルオロプロ
パンなどのハイドロフルオロカーボンが挙げられ、これ
らから選ばれる少なくとも１種であることが特に好まし
い。
化合物としては、フルオロメタン、ジフルオロメタン、
トリフルオロメタン、トリフルオロエタン、テトラフル
オロエタン、ペンタフルオロエタン、ペンタフルオロプ
ロパン、ヘキサフルオロプロパン、ヘプタフルオロプロ
パンなどのハイドロフルオロカーボンが挙げられ、これ
らから選ばれる少なくとも１種であることが特に好まし
い。
【００２２】前記有機化合物と前記フッ素ガスの接触
を、気相中、希釈ガスの存在下に無触媒で行う場合は、
前記有機化合物は、好ましくは炭素原子数４以下のハイ
ドロフルオロカーボンであることが好ましい。このよう
なハイドロフルオロカーボンとしては、たとえば、ジフ
ルオロメタン、トリフルオロメタン、テトラフルオロエ
タン、ペンタフルオロエタン、ヘキサフルオロプロパ
ン、ヘプタフルオロプロパンなどが挙げられ、これらか
ら選ばれる少なくとも１種を用いることが望ましい。
を、気相中、希釈ガスの存在下に無触媒で行う場合は、
前記有機化合物は、好ましくは炭素原子数４以下のハイ
ドロフルオロカーボンであることが好ましい。このよう
なハイドロフルオロカーボンとしては、たとえば、ジフ
ルオロメタン、トリフルオロメタン、テトラフルオロエ
タン、ペンタフルオロエタン、ヘキサフルオロプロパ
ン、ヘプタフルオロプロパンなどが挙げられ、これらか
ら選ばれる少なくとも１種を用いることが望ましい。
【００２３】このようなハイドロフルオロカーボン類を
原料として、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエ
タン、オクタフルオロプロパンなどのパーフルオロカー
ボン類を好ましく得ることができる。 （フッ素ガス）本発明で用いることのできるフッ素ガス
は、フッ化水素の電解法など公知の方法で製造すること
ができるとともに、市販のフッ素ガスを用いることがで
きる。 （希釈ガス）本発明で用いることのできる希釈ガスとし
ては、たとえば、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオ
ロエタン、オクタフルオロプロパン、フッ化水素などが
挙げられる。
原料として、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエ
タン、オクタフルオロプロパンなどのパーフルオロカー
ボン類を好ましく得ることができる。 （フッ素ガス）本発明で用いることのできるフッ素ガス
は、フッ化水素の電解法など公知の方法で製造すること
ができるとともに、市販のフッ素ガスを用いることがで
きる。 （希釈ガス）本発明で用いることのできる希釈ガスとし
ては、たとえば、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオ
ロエタン、オクタフルオロプロパン、フッ化水素などが
挙げられる。
【００２４】希釈ガスは、１種単独でまたは２種以上を
混合して用いることができる。これらの希釈ガスのうち
ではフッ化水素が好ましく、フッ化水素と他の希釈ガス
を併用する場合には、フッ化水素に富むガスであること
が好ましく、具体的には、希釈ガス全体に対して、フッ
化水素が好ましくは５０体積％以上、さらに好ましくは
６０体積％以上であることが望ましい。 （パーフルオロカーボン類の製造方法）原料の有機化合
物として、たとえば、テトラフルオロエタン（ＣＦ3Ｃ
Ｈ2Ｆ）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3）を用い、フッ
素ガスと接触させて、テトラフルオロメタン（Ｃ
Ｆ4）、ヘキサフルオロエタン（ＣＦ3ＣＦ3）を製造す
る場合、原料中（有機化合物とフッ素ガス）に酸素ガス
が存在すると、含酸素化合物としてたとえば、ＣＦ3Ｏ
ＣＦ3、ＣＦ3ＯＯＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ2ＯＣＦ3などが生成
する。これらの含酸素化合物は目的物と共沸組成物や共
沸様混合物を形成し、公知の方法、例えば蒸留操作等に
よって目的物と分離することは極めて困難である。
混合して用いることができる。これらの希釈ガスのうち
ではフッ化水素が好ましく、フッ化水素と他の希釈ガス
を併用する場合には、フッ化水素に富むガスであること
が好ましく、具体的には、希釈ガス全体に対して、フッ
化水素が好ましくは５０体積％以上、さらに好ましくは
６０体積％以上であることが望ましい。 （パーフルオロカーボン類の製造方法）原料の有機化合
物として、たとえば、テトラフルオロエタン（ＣＦ3Ｃ
Ｈ2Ｆ）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3）を用い、フッ
素ガスと接触させて、テトラフルオロメタン（Ｃ
Ｆ4）、ヘキサフルオロエタン（ＣＦ3ＣＦ3）を製造す
る場合、原料中（有機化合物とフッ素ガス）に酸素ガス
が存在すると、含酸素化合物としてたとえば、ＣＦ3Ｏ
ＣＦ3、ＣＦ3ＯＯＣＦ3、ＣＦ3ＣＦ2ＯＣＦ3などが生成
する。これらの含酸素化合物は目的物と共沸組成物や共
沸様混合物を形成し、公知の方法、例えば蒸留操作等に
よって目的物と分離することは極めて困難である。
【００２５】本発明に係るパーフルオロカーボン類の製
造方法では、前記有機化合物と前記フッ素ガス（Ｆ2）
を接触させてパーフルオロカーボン類を製造するに際
し、反応系に含まれる酸素ガスの含有量を、前記有機化
合物と前記フッ素ガスとの接触反応を行う反応系内中の
ガス成分に対して２体積％以下、好ましくは１体積％以
下、さらに好ましくは０．５体積％以下にすることが望
ましい。
造方法では、前記有機化合物と前記フッ素ガス（Ｆ2）
を接触させてパーフルオロカーボン類を製造するに際
し、反応系に含まれる酸素ガスの含有量を、前記有機化
合物と前記フッ素ガスとの接触反応を行う反応系内中の
ガス成分に対して２体積％以下、好ましくは１体積％以
下、さらに好ましくは０．５体積％以下にすることが望
ましい。
【００２６】ここで「反応系」とは、現に有機化合物と
フッ素ガスの接触を行う反応容器内の、有機化合物およ
びフッ素ガスからなる反応原料、必要に応じ希釈ガスな
どからなる反応溶液および気相雰囲気を意味する。ま
た、原料装入から反応終了までの間の反応容器内の前記
反応溶液および気相雰囲気であって、反応終了後の抽
出、精製工程等は含まれない。
フッ素ガスの接触を行う反応容器内の、有機化合物およ
びフッ素ガスからなる反応原料、必要に応じ希釈ガスな
どからなる反応溶液および気相雰囲気を意味する。ま
た、原料装入から反応終了までの間の反応容器内の前記
反応溶液および気相雰囲気であって、反応終了後の抽
出、精製工程等は含まれない。
【００２７】さらに、前記有機化合物と前記フッ素ガス
の接触反応は、気相中、希釈ガスの存在下に無触媒で行
うこともでき、この場合、原料となるフッ素ガスに含ま
れる酸素ガスの含有量を、前記フッ素ガスに対して好ま
しくは１体積％以下、さらに好ましくは０．６体積％以
下、特に好ましくは０．４体積％以下にすることが望ま
しい。
の接触反応は、気相中、希釈ガスの存在下に無触媒で行
うこともでき、この場合、原料となるフッ素ガスに含ま
れる酸素ガスの含有量を、前記フッ素ガスに対して好ま
しくは１体積％以下、さらに好ましくは０．６体積％以
下、特に好ましくは０．４体積％以下にすることが望ま
しい。
【００２８】前記反応系に含まれる酸素ガスが２体積％
よりも小さいと、前記含酸素化合物を実質的に含まない
高純度なパーフルオロカーボン類を製造することができ
る。さらに、前記フッ素ガスに含まれる酸素ガスが１体
積％よりも小さくすることにより、含酸素化合物を実質
的に含まないより高純度なパーフルオロカーボン類を製
造することができる。
よりも小さいと、前記含酸素化合物を実質的に含まない
高純度なパーフルオロカーボン類を製造することができ
る。さらに、前記フッ素ガスに含まれる酸素ガスが１体
積％よりも小さくすることにより、含酸素化合物を実質
的に含まないより高純度なパーフルオロカーボン類を製
造することができる。
【００２９】前記反応系に含まれる酸素ガスが２体積％
よりも大きいと、有為な量の含酸素化合物が生成する。
このような範囲に反応系内およびフッ素ガス中の酸素ガ
スの含有量を制御するには、外部から反応容器に酸素ガ
スが混入しないよう反応を密閉系で行うとともに、有機
化合物、フッ素ガス、あるいは希釈ガスなどの反応原料
中から酸素ガスを除去しておくことが必要である。反応
後のガスの一部を循環させて希釈ガスとして用いる場合
には、外部から酸素が混入する可能性が低くなるので好
ましい。有機化合物、フッ素ガス、希釈ガスに含まれる
酸素ガスの除去は、公知の方法により行うことができ、
たとえば、反応原料の蒸留、活性炭等の吸着剤による吸
着等により原料中の不純物を分離すればよい。
よりも大きいと、有為な量の含酸素化合物が生成する。
このような範囲に反応系内およびフッ素ガス中の酸素ガ
スの含有量を制御するには、外部から反応容器に酸素ガ
スが混入しないよう反応を密閉系で行うとともに、有機
化合物、フッ素ガス、あるいは希釈ガスなどの反応原料
中から酸素ガスを除去しておくことが必要である。反応
後のガスの一部を循環させて希釈ガスとして用いる場合
には、外部から酸素が混入する可能性が低くなるので好
ましい。有機化合物、フッ素ガス、希釈ガスに含まれる
酸素ガスの除去は、公知の方法により行うことができ、
たとえば、反応原料の蒸留、活性炭等の吸着剤による吸
着等により原料中の不純物を分離すればよい。
【００３０】前記有機化合物とフッ素ガスの接触を希釈
ガスの存在下に行う場合、反応容器に有機化合物あるい
はフッ素ガスを装入する前に、該反応基質（有機化合
物）、フッ素ガスのいずれかまたは双方を希釈ガスで希
釈することができる。このうち、フッ素ガスは装入前に
希釈ガスにより希釈されていることが好ましい。
ガスの存在下に行う場合、反応容器に有機化合物あるい
はフッ素ガスを装入する前に、該反応基質（有機化合
物）、フッ素ガスのいずれかまたは双方を希釈ガスで希
釈することができる。このうち、フッ素ガスは装入前に
希釈ガスにより希釈されていることが好ましい。
【００３１】この場合、反応系内へ導入されるフッ素ガ
ス量は、反応系内のガス成分の合計量に対して、好まし
くは９体積％以下、さらに好ましくは８体積％以下であ
ることが望ましい。反応を連続的に行う場合には、反応
系内に導入するフッ素ガス量が、常に前記範囲以下とな
るようにすることが好ましい。なお、前記反応系内のガ
ス成分とは、反応系内のフッ素ガス、有機化合物および
希釈ガスをいう。
ス量は、反応系内のガス成分の合計量に対して、好まし
くは９体積％以下、さらに好ましくは８体積％以下であ
ることが望ましい。反応を連続的に行う場合には、反応
系内に導入するフッ素ガス量が、常に前記範囲以下とな
るようにすることが好ましい。なお、前記反応系内のガ
ス成分とは、反応系内のフッ素ガス、有機化合物および
希釈ガスをいう。
【００３２】前述の通り、フッ素ガスを用いてパーフル
オロカーボン類を製造する直接フッ素化法は、極めて反
応性に富むフッ素ガスを用いるので、基質である有機化
合物、特に水素を含有する化合物は、高濃度でフッ素に
さらされると燃焼あるいは爆発する危険がある。フッ素
ガスの反応容器入り口での濃度が９体積％以下である
と、混合ガスの濃度が爆発範囲とならず、フッ素ガスと
有機化合物とを工業的にも安全に反応させることができ
る。
オロカーボン類を製造する直接フッ素化法は、極めて反
応性に富むフッ素ガスを用いるので、基質である有機化
合物、特に水素を含有する化合物は、高濃度でフッ素に
さらされると燃焼あるいは爆発する危険がある。フッ素
ガスの反応容器入り口での濃度が９体積％以下である
と、混合ガスの濃度が爆発範囲とならず、フッ素ガスと
有機化合物とを工業的にも安全に反応させることができ
る。
【００３３】本発明では、前記有機化合物とフッ素ガス
の接触の際の反応温度は、２００〜５００℃、好ましく
は３００〜４５０℃の範囲にあることが望ましい。反応
温度が前記範囲にあると、酸素ガスに由来して生成する
不純物である含酸素化合物の生成を著しく低減させるこ
とができる。反応温度が５００℃を超えると、反応系内
の酸素ガス（濃度）を２体積％以下、あるいはフッ素ガ
ス中の酸素ガス濃度を１体積％以下に制御しても、有為
な量の含酸素化合物が生成することがある。このため、
本発明では、前記範囲内で反応温度を制御することが好
ましい。このような、反応温度の制御は、反応容器内の
反応ゾーンは勿論、有機化合物、フッ素ガスが存在する
部分においても、５００℃を超えないよう、例えば熱電
対等により確実に制御することが望ましい。
の接触の際の反応温度は、２００〜５００℃、好ましく
は３００〜４５０℃の範囲にあることが望ましい。反応
温度が前記範囲にあると、酸素ガスに由来して生成する
不純物である含酸素化合物の生成を著しく低減させるこ
とができる。反応温度が５００℃を超えると、反応系内
の酸素ガス（濃度）を２体積％以下、あるいはフッ素ガ
ス中の酸素ガス濃度を１体積％以下に制御しても、有為
な量の含酸素化合物が生成することがある。このため、
本発明では、前記範囲内で反応温度を制御することが好
ましい。このような、反応温度の制御は、反応容器内の
反応ゾーンは勿論、有機化合物、フッ素ガスが存在する
部分においても、５００℃を超えないよう、例えば熱電
対等により確実に制御することが望ましい。
【００３４】本発明によれば、含酸素化合物の混入が著
しく抑制されるが、前記有機化合物と前記フッ素ガスと
を接触させた後、さらに、得られた精製前の粗パーフル
オロカーボン類に微量に含酸素化合物、あるいは、窒
素、一酸化炭素、二酸化炭素等の不純物が含まれる場合
には、活性炭などによりこれを吸着除去する工程を経る
ことが望ましい。
しく抑制されるが、前記有機化合物と前記フッ素ガスと
を接触させた後、さらに、得られた精製前の粗パーフル
オロカーボン類に微量に含酸素化合物、あるいは、窒
素、一酸化炭素、二酸化炭素等の不純物が含まれる場合
には、活性炭などによりこれを吸着除去する工程を経る
ことが望ましい。
【００３５】活性炭としては、公知の活性炭を用いるこ
とができ、このうちでは、ヤシ殻炭を好ましく用いるこ
とができる。吸着除去操作は液相、気相のどちらでもよ
いが、液相で行うことが好ましい。［パーフルオロカー
ボン類］このようにして得られるパーフルオロカーボン
類中に含まれる含酸素化合物の総量は、前記精製前の粗
パーフルオロカーボン類の場合、好ましくは５体積ｐｐ
ｍ以下、より好ましくは２体積ｐｐｍ以下、さらに好ま
しくは１体積ｐｐｍ以下とすることができ、本発明の製
造方法により、含酸素化合物の含有量が著しく低減され
た高純度なパーフルオロカーボン類を蒸留、吸着等の精
製工程を経ることなく得ることができる。
とができ、このうちでは、ヤシ殻炭を好ましく用いるこ
とができる。吸着除去操作は液相、気相のどちらでもよ
いが、液相で行うことが好ましい。［パーフルオロカー
ボン類］このようにして得られるパーフルオロカーボン
類中に含まれる含酸素化合物の総量は、前記精製前の粗
パーフルオロカーボン類の場合、好ましくは５体積ｐｐ
ｍ以下、より好ましくは２体積ｐｐｍ以下、さらに好ま
しくは１体積ｐｐｍ以下とすることができ、本発明の製
造方法により、含酸素化合物の含有量が著しく低減され
た高純度なパーフルオロカーボン類を蒸留、吸着等の精
製工程を経ることなく得ることができる。
【００３６】また、前記精製工程を経ることにより、好
ましくは１体積ｐｐｍ以下、より好ましくは０．５体積
ｐｐｍ以下、特に好ましくは０．４ｐｐｍ以下とするこ
とができ、本発明の製造方法により、極めて簡便に、含
酸素化合物の含有量が一層低減された高純度なパーフル
オロカーボン類を得ることができる。なお、含酸素化合
物の検出（分析）方法としては、たとえば、ガスクロマ
トグラフィー（ＧＣ）のＴＣＤ法、ＦＩＤ法およびＤＩ
Ｄ法、ガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−Ｍ
Ｓ）等の分析方法を用いて行うことができる。
ましくは１体積ｐｐｍ以下、より好ましくは０．５体積
ｐｐｍ以下、特に好ましくは０．４ｐｐｍ以下とするこ
とができ、本発明の製造方法により、極めて簡便に、含
酸素化合物の含有量が一層低減された高純度なパーフル
オロカーボン類を得ることができる。なお、含酸素化合
物の検出（分析）方法としては、たとえば、ガスクロマ
トグラフィー（ＧＣ）のＴＣＤ法、ＦＩＤ法およびＤＩ
Ｄ法、ガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−Ｍ
Ｓ）等の分析方法を用いて行うことができる。
【００３７】［パーフルオロカーボン類含有ガスおよび
その用途］本発明に係る製造方法により得られたパーフ
ルオロカーボン類は、含酸素化合物などの不純物が十分
低減されているので、常温で気体の化合物は、半導体デ
バイス製造工程の中のエッチング工程におけるエッチン
グガスとして用いることができる。また、常温で液体の
化合物は、冷却溶媒等に用いることができるなど、幅広
い用途に用いることができる。
その用途］本発明に係る製造方法により得られたパーフ
ルオロカーボン類は、含酸素化合物などの不純物が十分
低減されているので、常温で気体の化合物は、半導体デ
バイス製造工程の中のエッチング工程におけるエッチン
グガスとして用いることができる。また、常温で液体の
化合物は、冷却溶媒等に用いることができるなど、幅広
い用途に用いることができる。
【００３８】具体的には、ＬＳＩやＴＦＴ等の半導体デ
バイスの製造プロセスでは、ＣＶＤ法、スパッタリング
法あるいは蒸着法などを用いて薄膜や厚膜を形成し、回
路パターンを形成するためのエッチングガスとして好ま
しく用いることができる。また、半導体デバイス製造工
程の中のクリーニング工程におけるクリーニングガスと
しても用いることができる。
バイスの製造プロセスでは、ＣＶＤ法、スパッタリング
法あるいは蒸着法などを用いて薄膜や厚膜を形成し、回
路パターンを形成するためのエッチングガスとして好ま
しく用いることができる。また、半導体デバイス製造工
程の中のクリーニング工程におけるクリーニングガスと
しても用いることができる。
【００３９】このような本発明において前記パーフルオ
ロカーボン類は、エッチングガスとして用いる場合は、
テトラフルオロメタンを用いることが望ましく、クリー
ニングガスとして用いる場合は、ヘキサフルオロエタン
またはオクタフルオロプロパンを用いることが望まし
い。具体的には、薄膜や厚膜を形成する装置において
は、装置内壁、治具等に堆積した不要な堆積物を除去す
るためのクリーニングが行われる。これは不要な堆積物
が生成するとパーティクル発生の原因となるためであ
り、良質な膜を製造するために随時除去する必要があ
り、そのためのクリーニングガスとして本発明に係るパ
ーフルオロカーボン類を好ましく用いることができる。
ロカーボン類は、エッチングガスとして用いる場合は、
テトラフルオロメタンを用いることが望ましく、クリー
ニングガスとして用いる場合は、ヘキサフルオロエタン
またはオクタフルオロプロパンを用いることが望まし
い。具体的には、薄膜や厚膜を形成する装置において
は、装置内壁、治具等に堆積した不要な堆積物を除去す
るためのクリーニングが行われる。これは不要な堆積物
が生成するとパーティクル発生の原因となるためであ
り、良質な膜を製造するために随時除去する必要があ
り、そのためのクリーニングガスとして本発明に係るパ
ーフルオロカーボン類を好ましく用いることができる。
【００４０】本発明に係る高純度のパーフルオロカーボ
ン類を含有するガスは、常温で気体の該パーフルオロカ
ーボン類を含有するガスである。このようなパーフルオ
ロカーボン類を含有するガスは、パーフルオロカーボン
類を単独で含有していてもよいし、適宜他のガスを含有
していてもよい。このような他のガスとしては、たとえ
ば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒなどの不活性ガスが挙げられる。
このような他のガスの配合量は特に限定されず、たとえ
ば、本発明に係る高純度なパーフルオロカーボン類をエ
ッチングガスあるいはクリーニングガスとして用いる場
合には、エッチングの対象である化合物の種類、厚み等
により異なるとともに、クリーニングの対象となる付着
物の量、厚みなどに対応して決定することができる。
ン類を含有するガスは、常温で気体の該パーフルオロカ
ーボン類を含有するガスである。このようなパーフルオ
ロカーボン類を含有するガスは、パーフルオロカーボン
類を単独で含有していてもよいし、適宜他のガスを含有
していてもよい。このような他のガスとしては、たとえ
ば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒなどの不活性ガスが挙げられる。
このような他のガスの配合量は特に限定されず、たとえ
ば、本発明に係る高純度なパーフルオロカーボン類をエ
ッチングガスあるいはクリーニングガスとして用いる場
合には、エッチングの対象である化合物の種類、厚み等
により異なるとともに、クリーニングの対象となる付着
物の量、厚みなどに対応して決定することができる。
【００４１】
【発明の効果】本発明に係るパーフルオロカーボン類の
製造方法によれば、反応系に含まれる酸素ガス含有量が
特定量以下に制御されているので、含酸素化合物などの
不純物の生成が著しく抑制された高純度なパーフルオロ
カーボン類を得ることができる。また、本発明に係る製
造方法により得られるパーフルオロカーボン類は、含酸
素化合物を実質的に含んでいないので、半導体デバイス
製造プロセス等で用いるエッチングガス、あるいはクリ
ーニングガスとして有効に用いることができる。
製造方法によれば、反応系に含まれる酸素ガス含有量が
特定量以下に制御されているので、含酸素化合物などの
不純物の生成が著しく抑制された高純度なパーフルオロ
カーボン類を得ることができる。また、本発明に係る製
造方法により得られるパーフルオロカーボン類は、含酸
素化合物を実質的に含んでいないので、半導体デバイス
製造プロセス等で用いるエッチングガス、あるいはクリ
ーニングガスとして有効に用いることができる。
【００４２】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００４３】
【調製例１】クロロホルム（ＣＨＣｌ3）とフッ化水素
（ＨＦ）を気相でフッ素化触媒の存在下に接触させてフ
ッ素化反応を行った。さらに、公知の蒸留法により精製
を行い、粗トリフルオロメタン（ＣＨＦ3）を得た。得
られた粗トリフルオロメタンについて、ガスクロマトグ
ラフィ−で分析したところ、次のような組成であった。
（ＨＦ）を気相でフッ素化触媒の存在下に接触させてフ
ッ素化反応を行った。さらに、公知の蒸留法により精製
を行い、粗トリフルオロメタン（ＣＨＦ3）を得た。得
られた粗トリフルオロメタンについて、ガスクロマトグ
ラフィ−で分析したところ、次のような組成であった。
【００４４】 ＣＨＦ3 ９７．２６６７ 他有機不純物 ０．１１２６ 酸素ガス １．２０８１ 窒素ガス １．４１２６ 単位：体積％ なお他不純物としては、ＣＨＣｌＦ2、ＣＣｌＦ3等が含
まれる。
まれる。
【００４５】以上の結果を表１に示す。
【００４６】
【調製例２】調製例１で得られた粗トリフルオロメタン
に対して、さらに蒸留操作を繰り返した。得られたトリ
フルオロメタンをガスクロマトグラフィーで分析したと
ころ、次のような組成であった。 ＣＨＦ3 ９９．８２８８ 他有機不純物 ０．０２０８ 酸素ガス ０．０７２０ 窒素ガス ０．０７８４ 単位：体積％ 以上の結果を表１に示す。
に対して、さらに蒸留操作を繰り返した。得られたトリ
フルオロメタンをガスクロマトグラフィーで分析したと
ころ、次のような組成であった。 ＣＨＦ3 ９９．８２８８ 他有機不純物 ０．０２０８ 酸素ガス ０．０７２０ 窒素ガス ０．０７８４ 単位：体積％ 以上の結果を表１に示す。
【００４７】
【調製例３】トリクロロエチレンとフッ化水素を気相で
フッ素化触媒の存在下で接触させて、フッ素化反応を行
った。さらに、公知の蒸留操作により精製を行い、粗テ
トラフルオロエタン（ＣＦ3ＣＨ2Ｆ）を得た。得られた
粗テトラフルオロエタンをガスクロマトグラフィ−で分
析したところ、次のような組成であった。
フッ素化触媒の存在下で接触させて、フッ素化反応を行
った。さらに、公知の蒸留操作により精製を行い、粗テ
トラフルオロエタン（ＣＦ3ＣＨ2Ｆ）を得た。得られた
粗テトラフルオロエタンをガスクロマトグラフィ−で分
析したところ、次のような組成であった。
【００４８】 ＣＦ3ＣＨ2Ｆ ９７．０３５９ 他有機不純物 ０．５１２４ 酸素ガス １．３３１４ 窒素ガス １．１２０３ 単位：体積％ 他不純物としては、ＣＦ3ＣＨ3、ＣＦ3ＣＨＦ2、ＣＨＦ
2ＣＨＦ2等が含まれる。
2ＣＨＦ2等が含まれる。
【００４９】以上の結果を表１に示す。
【００５０】
【調製例４】調製例３で得られた粗テトラフルオロエタ
ンに対し、さらに蒸留操作を繰り返した。得られたテト
ラフルオロエタンをガスクロマトグラフィ−で分析した
ところ、次のような組成であった。 ＣＦ3ＣＨ2Ｆ ９９．９０１８ 他有機不純物 ０．００８８ 酸素ガス ０．０４０２ 窒素ガス ０．０４９２ 単位：体積％ 以上の結果を表１に示す。
ンに対し、さらに蒸留操作を繰り返した。得られたテト
ラフルオロエタンをガスクロマトグラフィ−で分析した
ところ、次のような組成であった。 ＣＦ3ＣＨ2Ｆ ９９．９０１８ 他有機不純物 ０．００８８ 酸素ガス ０．０４０２ 窒素ガス ０．０４９２ 単位：体積％ 以上の結果を表１に示す。
【００５１】
【調製例５】フッ化水素の電解法により、フッ素ガスを
得た。得られたフッ素ガスをＳＵＳシリンダー（内面を
不動態化処理したもの）を用いてサンプリングし、フッ
素除去後、ガスクロマトグラフィーにより分析したとこ
ろ、フッ素ガス中の酸素ガス濃度は下記に示す値であっ
た。
得た。得られたフッ素ガスをＳＵＳシリンダー（内面を
不動態化処理したもの）を用いてサンプリングし、フッ
素除去後、ガスクロマトグラフィーにより分析したとこ
ろ、フッ素ガス中の酸素ガス濃度は下記に示す値であっ
た。
【００５２】 酸素ガス １．３８２５ 単位：体積％ 他はフッ素が主成分で、窒素ガス、フッ化水素等が含ま
れる。
れる。
【００５３】
【調製例６】原料例５を更に精製操作（冷却操作等）を
行い、原料例５と同様な操作で分析したところ、フッ素
ガス中の酸素ガス濃度は下記に示す値であった。 酸素ガス ０．３０２０ 単位：体積％ 以上の結果を表１に示す。
行い、原料例５と同様な操作で分析したところ、フッ素
ガス中の酸素ガス濃度は下記に示す値であった。 酸素ガス ０．３０２０ 単位：体積％ 以上の結果を表１に示す。
【００５４】
【実施例１】内径２０．６ｍｍφ、長さ５００ｍｍのイ
ンコネル６００製反応器（電気ヒーター加熱方式、反応
器はフッ素ガスで温度６００℃で不動態化処理を実施）
を、窒素ガス３０ＮＬ／ｈｒで供給しながら４２０℃に
昇温し、次にフッ化水素を５０ＮＬ／ｈｒで供給し、さ
らに前記窒素とフッ化水素からなる希釈ガスを分岐した
ガス流の一方へ通しつつ、前記調製例２で得られたトリ
フルオロメタンを３．６ＮＬ／ｈｒで流した。
ンコネル６００製反応器（電気ヒーター加熱方式、反応
器はフッ素ガスで温度６００℃で不動態化処理を実施）
を、窒素ガス３０ＮＬ／ｈｒで供給しながら４２０℃に
昇温し、次にフッ化水素を５０ＮＬ／ｈｒで供給し、さ
らに前記窒素とフッ化水素からなる希釈ガスを分岐した
ガス流の一方へ通しつつ、前記調製例２で得られたトリ
フルオロメタンを３．６ＮＬ／ｈｒで流した。
【００５５】その後、上記と同様の窒素およびフッ化水
素からなる希釈ガスを、分岐したガス流のもう一方へ通
しつつ、調製例６で調製したフッ素ガスを３．９ＮＬ／
ｈｒの流量で供給し反応を行った。３時間後、反応出口
ガスを水酸化カリウム水溶液およびヨウ化カリウム水溶
液でフッ化水素および未反応フッ素ガスを除去し、つい
でガスクロマトグラフィ−で分析した。酸素および窒素
分を除いた有機物組成分析の結果を示す。
素からなる希釈ガスを、分岐したガス流のもう一方へ通
しつつ、調製例６で調製したフッ素ガスを３．９ＮＬ／
ｈｒの流量で供給し反応を行った。３時間後、反応出口
ガスを水酸化カリウム水溶液およびヨウ化カリウム水溶
液でフッ化水素および未反応フッ素ガスを除去し、つい
でガスクロマトグラフィ−で分析した。酸素および窒素
分を除いた有機物組成分析の結果を示す。
【００５６】 ＣＦ4 ９８．７９９２ ＣＦ3ＣＦ3 ０．４８０８ その他 ０．７２００ 単位：体積％ 「その他」はＣ3Ｆ8、ＣＣｌＦ3等であり、含酸素化合
物のＣＦ3ＯＣＦ3、およびＣＦ3ＯＯＣＦ3の総量は２体
積ｐｐｍ以下であった。
物のＣＦ3ＯＣＦ3、およびＣＦ3ＯＯＣＦ3の総量は２体
積ｐｐｍ以下であった。
【００５７】その後、反応出口ガスを水酸化カリウム水
溶液およびヨウ化カリウム水溶液でフッ化水素および未
反応フッ素ガスを除去したガスを脱水剤を通過させ、冷
却しながらＳＵＳシリンダーに捕集し、公知の蒸留操作
により蒸留精製し、テトラフルオロメタンを得た。ガス
クロマトグラフィーおよびガスクロマトグラフィー質量
分析計等で有機物組成分析した結果を下記に示す。
溶液およびヨウ化カリウム水溶液でフッ化水素および未
反応フッ素ガスを除去したガスを脱水剤を通過させ、冷
却しながらＳＵＳシリンダーに捕集し、公知の蒸留操作
により蒸留精製し、テトラフルオロメタンを得た。ガス
クロマトグラフィーおよびガスクロマトグラフィー質量
分析計等で有機物組成分析した結果を下記に示す。
【００５８】 ＣＦ3ＯＣＦ3 ＜０．２体積ｐｐｍ ＣＦ3ＯＯＣＦ3 ＜０．２体積ｐｐｍ その他 ＜２．０体積ｐｐｍ ＣＦ4 ＞９９．９９９７体積％ 含酸素化合物は総量で０．５体積ｐｐｍ以下であった。
【００５９】以上の結果を表２に示す。
【００６０】
【実施例２】実施例１と同様の反応器を使用し、窒素ガ
スを３０ＮＬ／ｈｒで供給しながら３７０℃に昇温し、
次にフッ化水素を５０ＮＬ／ｈｒで供給し、さらに前記
窒素およびフッ化水素からなる希釈ガスを分岐したガス
流の一方へ通しつつ、調製例４で調製したテトラフルオ
ロエタンを主成分とするガスを１．８ＮＬ／ｈｒで流し
た。その後、同様に希釈ガスを分岐したガス流のもう一
方へ通しつつ、前記調製例６で調製したフッ素ガスを
３．９ＮＬ／ｈｒで供給し反応を行った。
スを３０ＮＬ／ｈｒで供給しながら３７０℃に昇温し、
次にフッ化水素を５０ＮＬ／ｈｒで供給し、さらに前記
窒素およびフッ化水素からなる希釈ガスを分岐したガス
流の一方へ通しつつ、調製例４で調製したテトラフルオ
ロエタンを主成分とするガスを１．８ＮＬ／ｈｒで流し
た。その後、同様に希釈ガスを分岐したガス流のもう一
方へ通しつつ、前記調製例６で調製したフッ素ガスを
３．９ＮＬ／ｈｒで供給し反応を行った。
【００６１】３時間後、反応出口ガスを水酸化カリウム
水溶液およびヨウ化カリウム水溶液でフッ化水素および
未反応フッ素ガスを除去し、ついでガスクロマトグラフ
ィ−にて分析した。酸素および窒素分を除いた有機物組
成分析の結果を示す。 ＣＦ3ＣＦ3 ９８．４８７５ ＣＦ3ＣＨＦ2 ０．００２５ ＣＦ4 ０．７２８０ その他 ０．７８２０ 単位：体積％ 「その他」はＣ3Ｆ8が主成分であり、含酸素化合物のＣ
Ｆ3ＣＦ2ＯＣＦ3、ＣＦ3ＯＣＦ3およびＣＦ3ＯＯＣＦ3
の総量は１体積ｐｐｍ以下であった。
水溶液およびヨウ化カリウム水溶液でフッ化水素および
未反応フッ素ガスを除去し、ついでガスクロマトグラフ
ィ−にて分析した。酸素および窒素分を除いた有機物組
成分析の結果を示す。 ＣＦ3ＣＦ3 ９８．４８７５ ＣＦ3ＣＨＦ2 ０．００２５ ＣＦ4 ０．７２８０ その他 ０．７８２０ 単位：体積％ 「その他」はＣ3Ｆ8が主成分であり、含酸素化合物のＣ
Ｆ3ＣＦ2ＯＣＦ3、ＣＦ3ＯＣＦ3およびＣＦ3ＯＯＣＦ3
の総量は１体積ｐｐｍ以下であった。
【００６２】その後、反応出口ガスを水酸化カリウム水
溶液およびヨウ化カリウム水溶液でフッ化水素および未
反応フッ素ガスを除去したガスを脱水剤を通過させ、冷
却しながらＳＵＳシリンダーに捕集し、公知の蒸留操作
により蒸留精製し、ヘキサフルオロエタン（ＣＦ3Ｃ
Ｆ3）を得た。ガスクロマトグラフィーおよびガスクロ
マトグラフィ−質量分析計等で有機物組成分析した結果
を下記に示す。
溶液およびヨウ化カリウム水溶液でフッ化水素および未
反応フッ素ガスを除去したガスを脱水剤を通過させ、冷
却しながらＳＵＳシリンダーに捕集し、公知の蒸留操作
により蒸留精製し、ヘキサフルオロエタン（ＣＦ3Ｃ
Ｆ3）を得た。ガスクロマトグラフィーおよびガスクロ
マトグラフィ−質量分析計等で有機物組成分析した結果
を下記に示す。
【００６３】 ＣＦ3ＯＣＦ3 ＜０．２体積ｐｐｍ ＣＦ3ＯＯＣＦ3 ＜０．１体積ｐｐｍ ＣＦ3ＣＦ2ＯＣＦ3 ＜０．１体積ｐｐｍ その他 ＜２．０体積ｐｐｍ ＣＦ3ＣＦ3 ＞９９．９９９７体積％ 以上の結果を表２に示す。
【００６４】
【比較例１】実施例１と同様の反応器を使用し、窒素ガ
スを３０ＮＬ／ｈｒで供給しながら４５０℃に昇温し、
次にフッ化水素５０ＮＬ／ｈｒで供給し、さらに前記窒
素およびフッ化水素からなる希釈ガスを分岐したガス流
の一方へ通しつつ、調製例１で示したトリフルオロメタ
ンを主成分とするガスを３．６ＮＬ／ｈｒで流した。そ
の後、同様に希釈ガスを分岐したガス流のもう一方へ通
しつつ、調製例５で調製したフッ素ガスを３．９ＮＬ／
ｈｒで供給し反応を行った。
スを３０ＮＬ／ｈｒで供給しながら４５０℃に昇温し、
次にフッ化水素５０ＮＬ／ｈｒで供給し、さらに前記窒
素およびフッ化水素からなる希釈ガスを分岐したガス流
の一方へ通しつつ、調製例１で示したトリフルオロメタ
ンを主成分とするガスを３．６ＮＬ／ｈｒで流した。そ
の後、同様に希釈ガスを分岐したガス流のもう一方へ通
しつつ、調製例５で調製したフッ素ガスを３．９ＮＬ／
ｈｒで供給し反応を行った。
【００６５】３時間後、反応出口ガスを水酸化カリウム
水溶液およびヨウ化カリウム水溶液でフッ化水素および
未反応フッ素ガスを除去し、ついでガスクロマトグラフ
ィ−にて分析し、酸素および窒素を除いた有機物組成分
析の結果を示す。 ＣＦ4 ９８．３６１８ ＣＦ3ＣＦ3 ０．４９８８ その他 １．１１２３ ＣＦ3ＯＣＦ3 ０．０１４６（146ppm） ＣＦ3ＯＯＣＦ3 ０．０１２５（125ppm） 単位：体積％ 原料中の酸素含有量（濃度）の総量が２％以上では、有
為な量の不純物の含酸素化合物が生成した。
水溶液およびヨウ化カリウム水溶液でフッ化水素および
未反応フッ素ガスを除去し、ついでガスクロマトグラフ
ィ−にて分析し、酸素および窒素を除いた有機物組成分
析の結果を示す。 ＣＦ4 ９８．３６１８ ＣＦ3ＣＦ3 ０．４９８８ その他 １．１１２３ ＣＦ3ＯＣＦ3 ０．０１４６（146ppm） ＣＦ3ＯＯＣＦ3 ０．０１２５（125ppm） 単位：体積％ 原料中の酸素含有量（濃度）の総量が２％以上では、有
為な量の不純物の含酸素化合物が生成した。
【００６６】以上の結果を表２に示す。
【００６７】
【比較例２】実施例１と同様の反応器を使用し、窒素ガ
スを３０ＮＬ／ｈｒで供給しながら４３０℃に昇温し、
次にフッ化水素５０ＮＬ／ｈｒで供給し、さらに前記窒
素ガスおよびフッ化水素からなる希釈ガス分岐したガス
流の一方へ通しつつ、調製例３で調製したテトラフルオ
ロエタンを主成分とするガスを１．８ＮＬ／ｈｒで流し
た。その後、同様に希釈ガスを分岐したガス流のもう一
方へ通しつつ、調製例５で調製したフッ素ガスを３．９
ＮＬ／ｈｒで供給し反応を行った。
スを３０ＮＬ／ｈｒで供給しながら４３０℃に昇温し、
次にフッ化水素５０ＮＬ／ｈｒで供給し、さらに前記窒
素ガスおよびフッ化水素からなる希釈ガス分岐したガス
流の一方へ通しつつ、調製例３で調製したテトラフルオ
ロエタンを主成分とするガスを１．８ＮＬ／ｈｒで流し
た。その後、同様に希釈ガスを分岐したガス流のもう一
方へ通しつつ、調製例５で調製したフッ素ガスを３．９
ＮＬ／ｈｒで供給し反応を行った。
【００６８】３時間後、反応出口ガスを水酸化カリウム
水溶液およびヨウ化カリウム水溶液でフッ化水素および
未反応フッ素ガスを除去し、ついでガスクロマトグラフ
ィ−にて分析し、酸素および窒素分を除いた有機物組成
分析の結果を示す。 ＣＦ3ＣＦ3 ９７．１８４１ ＣＦ4 ０．８９２０ その他 １．８９２０ ＣＦ3ＯＣＦ3 ０．０１３３(133ppm) ＣＦ3ＯＯＣＦ3 ０．００８８(88ppm) ＣＦ3ＣＦ2ＯＣＦ3 ０．００９８(98ppm) 単位：体積％ その後、反応出口ガスを水酸化カリウム水溶液およびヨ
ウ化カリウム水溶液でフッ化水素および未反応フッ素ガ
スを除去したガスを脱水剤を通過させ、冷却しながらＳ
ＵＳシリンダーに捕集し、公知の蒸留操作により蒸留精
製し、ヘキサフルオロエタンを得た。ガスクロマトグラ
フィ−およびガスクロマトグラフィ−質量分析計等で有
機組成分析した結果を示す。
水溶液およびヨウ化カリウム水溶液でフッ化水素および
未反応フッ素ガスを除去し、ついでガスクロマトグラフ
ィ−にて分析し、酸素および窒素分を除いた有機物組成
分析の結果を示す。 ＣＦ3ＣＦ3 ９７．１８４１ ＣＦ4 ０．８９２０ その他 １．８９２０ ＣＦ3ＯＣＦ3 ０．０１３３(133ppm) ＣＦ3ＯＯＣＦ3 ０．００８８(88ppm) ＣＦ3ＣＦ2ＯＣＦ3 ０．００９８(98ppm) 単位：体積％ その後、反応出口ガスを水酸化カリウム水溶液およびヨ
ウ化カリウム水溶液でフッ化水素および未反応フッ素ガ
スを除去したガスを脱水剤を通過させ、冷却しながらＳ
ＵＳシリンダーに捕集し、公知の蒸留操作により蒸留精
製し、ヘキサフルオロエタンを得た。ガスクロマトグラ
フィ−およびガスクロマトグラフィ−質量分析計等で有
機組成分析した結果を示す。
【００６９】 ＣＦ3ＣＦ3 ＞９９．９８６６体積％ ＣＦ4 ＜０．４体積ｐｐｍ その他 ＜２．０体積ｐｐｍ ＣＦ3ＯＣＦ3 １２８体積ｐｐｍ ＣＦ3ＯＯＣＦ3 １体積ｐｐｍ ＣＦ3ＣＦ2ＯＣＦ3 １体積ｐｐｍ ＣＦ3ＯＣＦ3は目的物であるヘキサフルオロエタンと共
沸混合物を形成し、分離しにくいことが明らかである。
沸混合物を形成し、分離しにくいことが明らかである。
【００７０】以上の結果を表２に示す。
【００７１】
【比較例３】実施例１と同様な反応器で、反応温度を５
２０℃とした以外はすべて同じ条件および操作で、ガス
クロマトグラフィ−にて分析し、酸素および窒素分を除
いた有機物組成分析の結果を示す。 ＣＦ4 ９５．３５４８ ＣＦ3ＣＦ3 １．６８７２ その他 ２．８９４５ ＣＦ3ＯＣＦ3 ０．０３６７ ＣＦ3ＯＯＣＦ3 ０．０２６８ 単位：体積％ 以上の結果を表２に示す。
２０℃とした以外はすべて同じ条件および操作で、ガス
クロマトグラフィ−にて分析し、酸素および窒素分を除
いた有機物組成分析の結果を示す。 ＣＦ4 ９５．３５４８ ＣＦ3ＣＦ3 １．６８７２ その他 ２．８９４５ ＣＦ3ＯＣＦ3 ０．０３６７ ＣＦ3ＯＯＣＦ3 ０．０２６８ 単位：体積％ 以上の結果を表２に示す。
【００７２】
【表１】
【００７３】
【表２】
Claims (24)
- 【請求項１】 有機化合物とフッ素ガスとからなる反応
原料からパーフルオロカーボン類を製造するに当たり、
前記有機化合物と前記フッ素ガスとを２００〜５００℃
の温度範囲で接触させ、反応系内の酸素ガスの含有量
を、前記反応原料中のガス成分に対して２体積％以下の
量にして、不純物の含量が低減されたパーフルオロカー
ボン類を得ることを特徴とするパーフルオロカーボン類
の製造方法。 - 【請求項２】 前記有機化合物と前記フッ素ガスとの接
触を、希釈ガスの存在下に行うことを特徴とする請求項
１に記載のパーフルオロカーボン類の製造方法。 - 【請求項３】 前記有機化合物が、炭素原子数６以下の
脂肪族飽和化合物および／または炭素原子数６以下の脂
肪族不飽和化合物であることを特徴とする請求項１また
は２に記載のパーフルオロカーボン類の製造方法。 - 【請求項４】 前記有機化合物が、炭素原子数６以下の
脂肪族飽和化合物であることを特徴とする請求項１〜３
のいずれかに記載のパーフルオロカーボン類の製造方
法。 - 【請求項５】 前記有機化合物が、フルオロメタン、ジ
フルオロメタン、トリフルオロメタン、トリフルオロエ
タン、テトラフルオロエタン、ペンタフルオロエタン、
ペンタフルオロプロパン、ヘキサフルオロプロパンおよ
びヘプタフルオロプロパンから選ばれる少なくとも１種
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載
のパーフルオロカーボン類の製造方法。 - 【請求項６】 前記有機化合物と前記フッ素ガスとを、
気相中で、希釈ガス存在下に無触媒で接触させるパーフ
ルオロカーボン類の製造方法であって、前記有機化合物
と前記フッ素ガスとの接触前の前記フッ素ガスに含まれ
る前記酸素ガスが、前記フッ素ガスに対して１体積％以
下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記
載のパーフルオロカーボン類の製造方法。 - 【請求項７】 前記有機化合物が、炭素原子数４以下の
ハイドロフルオロカーボンであることを特徴とする請求
項６に記載のパーフルオロカーボン類の製造方法。 - 【請求項８】 前記有機化合物が、ジフルオロメタン、
トリフルオロメタン、トリフルオロエタン、テトラフル
オロエタン、ペンタフルオロエタン、ヘキサフルオロプ
ロパンおよびヘプタフルオロプロパンから選ばれる少な
くとも１種であることを特徴とする請求項６または７に
記載のパーフルオロカーボン類の製造方法。 - 【請求項９】 反応系内に導入するフッ素ガス量が、反
応系内のガス成分の合計量に対して、９体積％以下であ
ることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のパ
ーフルオロカーボン類の製造方法。 - 【請求項１０】 前記希釈ガスが、テトラフルオロメタ
ン、ヘキサフルオロエタン、オクタフルオロプロパンお
よびフッ化水素から選ばれる少なくとも１種であること
を特徴とする請求項２〜９のいずれかに記載のパーフル
オロカーボン類の製造方法。 - 【請求項１１】 前記希釈ガスがフッ化水素を含み、該
フッ化水素の含有量が希釈ガスの全量に対して５０体積
％以上であることを特徴とする請求項１０に記載のパー
フルオロカーボン類の製造方法。 - 【請求項１２】 前記不純物が、含酸素化合物であるこ
とを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のパー
フルオロカーボン類の製造方法。 - 【請求項１３】 前記パーフルオロカーボン類の製造方
法が、さらに、前記含酸素化合物を吸着除去する工程を
含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載
のパーフルオロカーボン類の製造方法。 - 【請求項１４】 前記含酸素化合物を、活性炭により吸
着除去することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか
に記載のパーフルオロカーボン類の製造方法。 - 【請求項１５】 前記パーフルオロカーボン類が、テト
ラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタンおよびオクタ
フルオロプロパンのうち少なくとも１種であることを特
徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載のパーフルオ
ロカーボン類の製造方法。 - 【請求項１６】 前記パーフルオロカーボン類に含まれ
る含酸素化合物の総量が、５体積ｐｐｍ以下であること
を特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載のパーフ
ルオロカーボン類の製造方法。 - 【請求項１７】 含酸素化合物の含有量が５体積ｐｐｍ
以下であることを特徴とするパーフルオロカーボン類。 - 【請求項１８】 含酸素化合物の含有量が２体積ｐｐｍ
以下であることを特徴とする請求項１７に記載のパーフ
ルオロカーボン類。 - 【請求項１９】 請求項１７または１８に記載のパーフ
ルオロカーボン類を含有することを特徴とするガス。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載のガスからなること
を特徴とするエッチングガス。 - 【請求項２１】 前記パーフルオロカーボン類がテトラ
フルオロメタンであることを特徴とする請求項２０に記
載のエッチングガス。 - 【請求項２２】 請求項１９に記載のガスからなること
を特徴とするクリーニングガス。 - 【請求項２３】 前記パーフルオロカーボン類がヘキサ
フルオロエタンであることを特徴とする請求項２２に記
載のクリーニングガス。 - 【請求項２４】 前記パーフルオロカーボン類がオクタ
フルオロプロパンであることを特徴とする請求項２２に
記載のクリーニングガス。
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|---|---|---|---|
| JP2001048985A JP4703865B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | パーフルオロカーボン類の製造方法およびその用途 |
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| AU2002233670A AU2002233670A1 (en) | 2001-02-23 | 2002-02-21 | Process for producing perfluorocarbons and use thereof |
| CNB028004043A CN1301947C (zh) | 2001-02-23 | 2002-02-21 | 全氟化碳的生产方法及其用途 |
| PCT/JP2002/001549 WO2002066408A2 (en) | 2001-02-23 | 2002-02-21 | Process for producing perfluorocarbons and use thereof |
| KR10-2002-7014134A KR100519140B1 (ko) | 2001-02-23 | 2002-02-21 | 퍼플루오로탄소의 제조방법 및 그 용도 |
| TW91103190A TWI320035B (en) | 2001-02-23 | 2002-02-22 | Process for producing perfluorocarbons and use thereof |
| US10/778,239 US7176337B2 (en) | 2001-02-23 | 2004-02-17 | Process for producing perfluorocarbons and use thereof |
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|---|---|---|---|
| JP2001048985A JP4703865B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | パーフルオロカーボン類の製造方法およびその用途 |
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|---|---|
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ID=18910157
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2001048985A Expired - Lifetime JP4703865B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | パーフルオロカーボン類の製造方法およびその用途 |
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| TW (1) | TWI320035B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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