JP2002254083A - 水系処理法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微生物障害を引き起こす微生物や水棲生
物を殺滅ないし剥離除去するのに十分な濃度の次亜ハロ
ゲン酸を被処理水中に維持でき、かつ被処理水と接触す
る金属の次亜ハロゲン酸による腐食を同時に防止できる
水系処理法を提供する。 【解決手段】 次亜ハロゲン酸を用いて殺生物処理を実
施している水系において、被処理水中の酸化還元電位を
測定する工程と、該測定結果をもとに次亜ハロゲン酸な
らびに金属の腐食抑制剤の添加量を調整する工程を含む
ことを特徴として構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は冷却水系、温水系、
集塵水系、紙パルプ工程水系、製鉄工程水系、金属加工
工程水系等各種工業用水系においての微生物に起因する
諸障害を抑制し、併せて水と接触する熱交換器、配管、
各種機器類など金属材料の腐食を抑制する水系処理法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】冷却水系、温水系、集塵水系、紙パルプ
工程水系、製鉄工程水系、金属加工工程水系等の各種工
業用水系の水中に生育する微生物や水棲生物は、系内に
スライムを形成し、熱交換器の伝熱効率低下、流路の閉
塞、嫌気性菌による微生物腐食などの微生物障害を引き
起こす原因となる。

【０００３】このような微生物障害の対策として各種の
殺生物処理剤を使用して微生物や水棲生物の殺滅ないし
スライムの剥離除去が行われている。特に次亜塩素酸、
次亜臭素酸などの次亜ハロゲン酸は、殺菌効果が優れ、
かつ環境中で速やかに分解して無害なハロゲン化物イオ
ンになり、安全性が高いことから広く使用されている。

【０００４】しかし、次亜ハロゲン酸を使用するとき、
特に過剰に添加されると、金属、特に銅や銅合金は次亜
ハロゲン酸の濃度に比例して腐食が増加するため、水中
の次亜ハロゲン酸濃度の測定は腐食対策上、重要とな
る。

【０００５】被処理水中の次亜ハロゲン酸濃度の測定方
法には、ジエチル−ｐ−フェニレンジアンモニウム（Ｄ
ＰＤ）比色法、オルトトリジン比色法、ＤＰＤ−硫酸ア
ンモニウム鉄（II）滴定法等が知られている。次亜ハロ
ゲン酸は被処理水中のｐＨの上昇により次亜ハロゲン酸
イオンに解離するが、前述の方法で測定されるのは次亜
ハロゲン酸と次亜ハロゲン酸イオンの合計濃度（遊離残
留ハロゲン濃度）、ないし次亜ハロゲン酸と次亜ハロゲ
ン酸イオンと結合ハロゲンの合計濃度（全残留ハロゲン
濃度）である。ところが、次亜ハロゲン酸イオンや結合
ハロゲンの殺菌効果は、未解離の次亜ハロゲン酸と比較
して著しく劣るため、遊離残留ハロゲン濃度ないし全残
留ハロゲン濃度と殺菌効果は必ずしも相関するとは言え
ない。そのため、前述の被処理水中の次亜ハロゲン酸濃
度測定方法では、適切に殺菌効果を管理することはでき
ない。

【０００６】一方、遊離残留ハロゲン濃度測定法や全残
留ハロゲン濃度測定法に代わって次亜ハロゲン酸の添加
量を制御する方法として、酸化還元電位の測定結果をも
とに、次亜ハロゲン酸の添加量を制御する方法が、「Ｙ
ｏｎｇ Ｈ．Ｋｉｍ、Ｒｏｂｅｒｔ Ｈｅｎｓｌｅｙ著の
Ｗａｔｅｒ Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈ，Ｖｏｌｕｍｅ ６９，Ｎｕｍｂｅｒ５，Ｐａｇｅ １
００８〜１０１４（１９９７年）」や特開２０００−２
５６９９３号公報に示されている。この方法を用いて酸
化還元電位の測定を行い、被処理水の殺菌効果が維持で
きるような次亜ハロゲン酸濃度を設定し、維持するよう
に次亜ハロゲン酸添加量を制御することができる。一
方、殺菌効果が維持できるような次亜ハロゲン酸濃度で
は、金属の腐食が進むことになり、金属の腐食を防ぐた
めには次亜ハロゲン酸濃度が下がるようにしなければな
らなくなる。しかし、次亜ハロゲン酸濃度を低げると目
的とする殺菌効果が得られなくなる。

【０００７】次亜ハロゲン酸による金属の腐食作用は、
その酸化作用により金属のカソード反応を促進して腐食
を増大させるだけでなく、次亜ハロゲン酸の分解により
生じるハロゲン化物イオンも金属の不働態化皮膜を破壊
する作用を有する。このような次亜ハロゲン酸による金
属の腐食は、腐食抑制剤を用いて金属に保護皮膜を形成
させることにより抑制できることが知られており、例え
ば、アゾール化合物が銅や銅合金の次亜ハロゲン酸によ
る腐食防止に有効であることが、Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ
Ｏ’Ｎｅａｌ，ＪＲ．，Ｒｉｃｈａｒｄ Ｎ．Ｂｏｒｇ
ｅｒ著のＭａｔｅｒｉａｌ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，
Ｎｕｍｂｅｒ １１，Ｐａｇｅ １２〜１６（１９７７）
に開示されている。このような腐食防止剤は、通常、予
め添加量を設定して被処理水に添加されているため、該
処理水の求められる殺菌効果の要求度に応じて、次亜ハ
ロゲン酸の添加量を調整した場合、特に殺菌効果の低下
で、次亜ハロゲン酸使用量を急増させる場合、腐食防止
剤の効果が不十分となり、十分な防食効果を得ることが
できなかった。一旦、腐食が起こり、配管の漏れ、装置
の欠損になると作業上の事故につながるため、被処理水
中の次亜ハロゲン酸濃度に対応して、常時、腐食抑制剤
量を制御する必要があるが、操業中のこのような管理は
非常に多くの手間を要していたが、有効な方法がなかっ
た。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、微生
物障害を引き起こす微生物や水棲生物を殺滅ないし剥離
除去に十分な濃度の次亜ハロゲン酸を被処理水中に維持
でき、かつ被処理水と接触する金属の次亜ハロゲン酸に
よる腐食を防止できる水系処理法を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決すべ
く、本発明者らは、鋭意、研究を重ねた結果、被処理水
中の酸化還元電位を測定し、その測定結果をもとに次亜
ハロゲン酸量ならびに金属腐食抑制剤量を制御すること
により金属の腐食が抑制されることを見出し、本発明を
完成させるに至った。

【００１０】すなわち、本発明）は、次亜ハロゲン酸を
用いて殺生物処理を実施している水系において、被処理
水中の酸化還元電位を測定する工程と、該測定結果をも
とに次亜ハロゲン酸ならびに金属の腐食抑制剤の添加量
を調整する工程を含むことを特徴とする水系処理法であ
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、次亜ハロゲン酸とは次亜ハロゲン酸お
よびその塩に加えて、水に溶解して次亜ハロゲン酸を生
成する化合物を含む（以下、これらを一括して「次亜ハ
ロゲン酸生成化合物」と記す）。適当な次亜ハロゲン酸
生成化合物を例示すると、次亜塩素酸、次亜臭素酸ある
いはそれらのナトリウム塩、カリウム塩、カルシウム塩
等の金属塩、アンモニウム塩、液化塩素、臭素、ブロモ
クロロジメチルヒダントイン、ジブルモジメチルヒダン
トイン、ジクロロジメチルヒダントイン等のハロゲン化
ジメチルヒダントイン化合物類やトリクロロイソシアヌ
ル酸、ジクロロイソシアヌル酸、クロロイソシアヌル酸
やそれらのナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属
塩、アンモニウム塩、さらには、臭化物、例えば臭化ナ
トリウム、臭化アンモニウム、臭化カリウム、臭化マグ
ネシウム等の水溶液と次亜塩素酸塩水溶液を混合して次
亜臭素酸を得る組み合わせなどがあり、これらを２種以
上組み合わせて使用してもよい。

【００１２】次亜ハロゲン酸は、一般に各種の好気性バ
クテリア、嫌気性バクテリア、黴、酵母、大腸菌などの
微生物や貝類、原生動物、藻類などを殺滅できるだけで
なく、既に系内に付着している微生物や水棲生物を剥離
除去することもできる。また、レジオネラ菌（Ｌｅｇｉ
ｏｎｅｌｌａ ｐｎｅｕｍｏｐｈｉｌａ）に対しても有
効である。

【００１３】本発明において用いられる腐食抑制剤は、
金属、特に銅、銅を含む金属及び銅の合金に対する）腐
食抑制剤として公知の化合物が使用できるが、例えば亜
鉛塩、リン酸塩、重合リン酸塩、２−ヒドロキシエチリ
デン−２，２−ジホスホン酸・アミノトリス（メチレン
ホスホン酸）・２−ホスホンブタン−１，２，４−トリ
カルボン酸・ヒドロキシホスホノ酢酸等の有機ホスホン
酸類、有機ホスフィン酸類、クエン酸・グルコン酸・リ
ンゴ酸・酒石酸等のヒドロキシカルボン酸類、モリブデ
ン酸塩、珪酸塩、アクリル酸・マレイン酸・メタクリル
酸等のモノエチレン性不飽和カルボン酸系単量体を含む
重合体や共重合体、１，２，３−ベンゾトリアゾール・
置換−１，２，３−ベンゾトリアゾール（置換基として
アルキル基、カルボキシル基、塩素、臭素、水酸基、ニ
トロ基、スルホン酸基、ホスホン酸基から選択される１
種以上）、メルカプトベンゾチアゾール等のアゾール類
等であり、これらの２種以上組み合わせて使用してもよ
い。

【００１４】被処理水中の酸化還元電位は、次亜ハロゲ
ン酸によって処理された後の処理水及び循環使用されて
いる場合は被処理水の酸化還元電位である。酸化還元電
位と殺菌力の強い次亜ハロゲン酸濃度とは相関性が高
く、逆に酸化還元電位と殺菌力が弱い次亜ハロゲン酸イ
オン濃度や結合ハロゲン濃度とは相関性が低いため、酸
化還元電位で殺菌効果を管理するには好適である。

【００１５】本発明に係る酸化還元電位を測定する工程
は、処理水及び被処理水に浸漬して酸化還元電位を測定
する参照電極と白金電極およびこれらの支持体、参照電
極と白金電極の間の電位差を計る電位差計から構成され
ている。酸化還元電位を測定する時の参照電極には、銀
／塩化銀電極、飽和カロメル電極、硫酸第一水銀電極、
酸化水銀電極などが利用でき、一般に銀／塩化銀電極が
使用される。また、参照電極と白金電極を一体化した複
合電極を使用しても良い。これらの電極は特に限定され
るものではなく、一般に市販されているものが使用でき
る。参照電極と白金電極の間の電位差を計る電位差計
は、電位表示可能なｐＨ計、エレクトロメーター、ポテ
ンシオメーター、デジタルマルチメーター、電圧入力が
可能な記録計等が利用できる。

【００１６】酸化還元電位の測定結果をもとに次亜ハロ
ゲン酸ならびに腐食抑制剤の添加量を調整する工程は、
次亜ハロゲン酸生成化合物ならびに腐食抑制剤の供給装
置と制御部から構成される。ここで制御部は、酸化還元
電位の測定値と設定値を比較して次亜ハロゲン酸生成化
合物ならびに腐食抑制剤の供給装置に出力を与えるもの
である。例えば、 被処理水の殺菌効果が維持される次亜ハロゲン酸濃
度に対応して酸化還元電位の範囲を設定し、設定範囲値
未満の酸化還元電位になったならば、次亜ハロゲン酸生
成化合物の添加装置を作動させ、同時に該次亜ハロゲン
酸生成化合物の添加量に対応する金属の腐食抑制剤量に
なるように添加装置を作動させる。酸化還元電位が設定
範囲内に達したならば、次亜ハロゲン酸生成化合物なら
びに腐食抑制剤の添加装置を停止させて、被処理水の酸
化還元電位を殺菌効果が維持される次亜ハロゲン酸濃度
に対応する酸化還元電位の範囲内に保つ方法 被処理水の殺菌効果が維持される次亜ハロゲン酸濃
度に対応して酸化還元電位の範囲を設定し、設定範囲値
未満の酸化還元電位になったならば、次亜ハロゲン酸生
成化合物の添加装置を作動させ、同時に被処理水の残存
次亜ハロゲン酸濃度に基づく酸化還元電位測定値に対応
して金属の腐食抑制剤添加装置を作動させる。酸化還元
電位が設定範囲内に達したならば、次亜ハロゲン酸生成
化合物の添加装置を停止する一方、被処理水の残存次亜
ハロゲン酸濃度に基づく酸化還元電位測定値に対応して
金属の腐食抑制剤添加装置を作動させて、被処理水の酸
化還元電位を殺菌効果が維持される次亜ハロゲン酸濃度
に対応する酸化還元電位の範囲内に保つ方法等の方法で
ある。

【００１７】本発明において次亜ハロゲン酸生成化合物
の被処理水中における添加濃度は、酸化還元電位の測定
結果をもとに調整されるが、通常は有効ハロゲンとして
０．１〜１０００ｐｐｍの範囲である。同様に腐食抑制
剤の被処理水中における添加濃度は、酸化還元電位の測
定結果をもとに調整されるが、通常は０．１〜１０００
ｐｐｍの範囲である。

【００１８】維持すべき酸化還元電位は、システム条
件、生物汚染に対する許容度、問題となる微生物や水棲
生物の種類等によって異なるが、通常は銀／塩化銀電極
基準で４００〜７００ｍＶの範囲である。４００ｍＶ未
満では、次亜ハロゲン酸濃度が低く、十分な殺菌効果を
得られないときがある。また、７００ｍＶを超えると次
亜ハロゲン酸濃度が非常に高くなり、これを維持するた
めに必要な次亜ハロゲン酸添加量では、添加量の増加に
見合うだけの効果の向上が小さく、経済的なメリットが
小さくなることがある。

【００１９】前記の方法における腐食抑制剤の使用量
は、対象とする処理水への次亜ハロゲン酸必要量や対象
処理水の酸化還元電位量の状況により適時決定されるも
のであり一律に決められないが、通常、次亜ハロゲン酸
及び次亜ハロゲン酸生成化合物により得られる次亜ハロ
ゲン酸（有効ハロゲン量に換算して）に対して、０．１
重量比〜３重量比であり、好ましくは０．２５重量比〜
２重量比である。

【００２０】前記の方法における次亜ハロゲン酸生成
化合物に対する腐食抑制剤の添加比率は、金属の腐食が
抑制できる十分な量であるが、対象とする処理水への次
亜ハロゲン酸必要量や対象処理水の酸化還元電位量の状
況により適時決定されるものであり一律に決められない
が、通常、次亜ハロゲン酸及び次亜ハロゲン酸生成化合
物により得られる次亜ハロゲン酸（有効ハロゲン量に換
算して）に対して１重量比から１００重量比の範囲であ
る。

【００２１】次亜ハロゲン酸生成化合物と腐食抑制剤は
別々の供給装置を用いて別個にそれぞれ添加してもよ
く、次亜ハロゲン酸生成化合物と腐食抑制剤を混合した
組成物として添加することもできる。

【００２２】次亜ハロゲン酸生成化合物と腐食抑制剤を
水溶性の一液タイプの混合物とする場合は、次亜ハロゲ
ン酸生成化合物と腐食抑制剤が直接反応して殺菌効果や
腐食抑制効果が失活しない物質を選択する必要がある。
次亜ハロゲン酸生成化合物と混合して水溶性の一液タイ
プの混合物とすることができる腐食抑制剤としては、
１，２，３−ベンゾトリアゾール、置換−１，２，３−
ベンゾトリアゾール、リン酸塩、重合リン酸塩、モリブ
デン酸塩、珪酸塩、ホスホノ基ないしホスフィノ基を有
するモノエチレン性不飽和カルボン酸重合体、末端にス
ルホン酸基を有するモノエチレン性不飽和カルボン酸重
合体等が挙げられる。ここでホスフィン酸基を有する重
合体を具体的に挙げると、式(１)〔ここでＭ_１、Ｍ_２、
Ｍ_３はそれぞれ独立に水素、アルカリ金属塩を表わし、
ｍは１〜３０、ｎは１〜３０の整数である〕で示される
ビス−ポリ（２−カルボキシエチル）ホスフィン酸（あ
るいはそのアルカリ金属塩）、ビス−ポリ（１−カルボ
キシエチル）ホスフィン酸（あるいはそのアルカリ金属
塩）、式(２)〔ここでＭ_４、Ｍ_５、Ｍ_６、Ｍ_７、Ｍ_８は
それぞれ独立に水素、アルカリ金属塩を表わし、ｍは１
〜３０、ｎは１〜３０の整数である〕で示されるビス−
ポリ（１，２−ジカルボキシエチル）ホスフィン酸（あ
るいはそのアルカリ金属塩）、ポリ（２−カルボキシエ
チル）（１，２−ジカルボキシエチル）ホスフィン酸
（あるいはそのアルカリ金属塩）、ビス−ポリ（２−カ
ルボキシエチル）（１，２−ジカルボキシエチル）ホス
フィン酸（あるいはそのアルカリ金属塩）、ポリ（１−
カルボキシエチル）（１，２−ジカルボキシエチル）ホ
スフィン酸（あるいはそのアルカリ金属塩）、ビス−ポ
リ（１−カルボキシエチル）（１，２−ジカルボキシエ
チル）ホスフィン酸（あるいはそのアルカリ金属塩）等
が挙げられる。

【００２３】

【化１】

【００２４】

【化２】

【００２５】ホスホン酸基を有する重合体を具体的に挙
げると、式(３)〔ここでＭ_９、Ｍ_{１ ０}はそれぞれ独立に
水素、アルカリ金属塩を表わし、ｍは１〜５０の整数で
ある。〕で示されるポリ（２−カルボキシエチル）ホス
ホン酸（あるいはそのアルカリ金属塩）、式(４)〔ここ
でＭ_１１、Ｍ_１２、Ｍ_１３はそれぞれ独立に水素、アル
カリ金属塩を表わし、ｍは１〜５０の整数である。〕で
示されるポリ（１，２−ジカルボキシエチル）ホスホン
酸（あるいはそのアルカリ金属塩）、ポリ（２−カルボ
キシエチル）（１，２−ジカルボキシエチル）ホスホン
酸（あるいはそのアルカリ金属塩）、ポリ（１−カルボ
キシエチル）（１，２−ジカルボキシエチル）ホスホン
酸（あるいはそのアルカリ金属塩）が挙げられる。

【００２６】

【化３】

【００２７】

【化４】

【００２８】末端にスルホン酸基を有するモノエチレン
性不飽和カルボン酸重合体は、例えば亜硫酸塩及び／又
は重亜硫酸塩の存在下でモノエチレン性不飽和カルボン
酸単量体を水溶液重合することにより製造することがで
きる。すなわち適当な重合開始剤、酸素、紫外線等のも
とで亜硫酸塩及び／または重亜硫酸塩とモノエチレン性
不飽和カルボン酸単量体を反応させると式(５)で示す化
学反応

【００２９】

【化５】 で示されるように亜硫酸塩及び／または重亜硫酸塩が連
鎖移動剤として作用して、亜硫酸塩及び／または重亜硫
酸塩が重合体に取り込まれ、重合を停止させて重合体の
重合度を調整するとともに、末端にスルホン酸基を有す
るテロマーが生成する。次亜ハロゲン酸生成化合物と腐
食抑制剤を混合物とする場合、水溶液、エマルジョン、
固形物、ペースト状のいずれの形態あってもよい。また
次亜ハロゲン酸生成化合物、腐食抑制剤以外に次亜ハロ
ゲン酸生成化合物以外の殺生物処理剤、スケール抑制
剤、分散剤、消泡剤を添加してもよい。

【００３０】

【実施例】以下に本発明を具体的に説明するが、本発明
はこれらの実施例に限定されるものではない。

【００３１】（実施例１）本発明の実施形態の例を図１
に示す。開放式循環水系は冷水塔８、循環ポンプ９、熱
交換器１０、循環水ライン１１、補給水ライン１２、強
制ブローライン１３から構成される。循環水ライン１１
に酸化還元電位測定セル３を設置し、酸化還元電位測定
セル３に白金電極１と参照電極（銀／塩化銀電極）２を
挿入して、白金電極１と参照電極（銀／塩化銀電極）２
の間に電位差計４を接続して酸化還元電位を測定した。
電位差計４からの出力信号は制御部５に入力され、制御
部５では酸化還元電位の測定値と設定値を比較して、測
定値が設定値よりも低い場合に処理剤供給ポンプ６に出
力信号を送り、処理剤タンク７に入った次亜塩素酸ナト
リウムと腐食抑制剤の混合液を開放式循環水系に添加し
た。

【００３２】循環水の電気伝導率は１５００±１００μ
Ｓ／ｃｍの範囲に維持されたが、ｐＨは８．０〜９．０
の間で変動した。循環水ライン１１の水温は熱交換器１
０の入り口で３０℃、出口で４０℃であった。

【００３３】次亜塩素酸ナトリウム（有効塩素１２％）
６０重量部、１，２，３−ベンゾトリアゾール２重量
部、水酸化ナトリウム３重量部、水３５重量部を含む組
成物を処理剤タンク７に入れ、酸化還元電位が４００ｍ
Ｖ以下になったとき制御部５から処理剤供給ポンプ６に
出力信号を送り処理剤供給ポンプ６を作動させて処理剤
タンク７の組成物を供給し、酸化還元電位が４２０ｍＶ
以上になったとき出力信号をオフにして処理剤供給ポン
プ６を停止させ、以降この工程を繰り返した。

【００３４】１ヶ月の試験期間中、酸化還元電位は４１
０±１０ｍＶの範囲に維持されたが、循環水中の全菌数
は１×１０^２個／ｍＬ以下であった。試験期間中の腐食
抑制剤の添加濃度は平均２００ｐｐｍであり、循環水ラ
イン１１に設定した銅合金試験片（ＪＩＳ Ｃ １２０１
りん脱酸銅１Ａ種、1×１３×５０ｍｍ）の腐食速度
は０．３ｍｄｄであり、試験片表面に孔食の発生は認め
られなかった。

【００３５】（実施例２）処理剤として次亜塩素酸ナト
リウム（有効塩素１２％）６０重量部、１，２，３−ベ
ンゾトリアゾール２重量部、末端にスルホン酸基を有す
るアクリル酸重合体（重量平均分子量２２００）７重量
部、水酸化ナトリウム３重量部、水２８重量部を含む組
成物を使用した以外は実施例１と同様の方法により試験
した。試験期間中、酸化還元電位は４１０±１０ｍＶの
範囲に維持されたが、循環水中の全菌数は１×１０^２個
／ｍＬ以下であった。また、１ヶ月の試験期間中の腐食
抑制剤の添加濃度は平均２００ｐｐｍであり、循環水ラ
イン１１に設定した銅合金試験片の腐食速度は０．２ｍ
ｄｄであり、孔食の発生は認められなかった。試験終了
後の銅合金製熱交換器チューブにスケールの発生は認め
られなかった。

【００３６】（実施例３）酸化還元電位が２００ｍＶ以
下になったとき制御部５から処理剤供給ポンプ６に出力
信号を送り処理剤供給ポンプ６を作動させて処理剤タン
ク７の組成物を供給し、酸化還元電位が５００ｍＶ以上
になったとき出力信号をオフにして処理剤供給ポンプ６
を停止させた以外は、実施例１と同様の方法により試験
した。

【００３７】１ヶ月の試験期間中、酸化還元電位は２０
０〜５００ｍＶの範囲に維持された。循環水中の酸化還
元電位と全菌数の関係を表−１に示した。また循環水ラ
イン１１に設定した銅合金試験片（ＪＩＳ Ｃ １２０１
りん脱酸銅１Ａ種、１×１３×５０ｍｍ）の腐食速度
は０．２ｍｄｄであり、試験片表面に孔食の発生は認め
られなかった。

【００３８】組成物の添加濃度は０〜３００ｐｐｍの間
で変化したが、平均添加濃度は１５０ｐｐｍであった。

【００３９】

【表１】

【００４０】（実施例４）酸化還元電位が４００ｍＶ以
下になったとき制御部５から処理剤供給ポンプ６に出力
信号を送り処理剤供給ポンプ６を作動させて処理剤タン
ク７の組成物を供給し、酸化還元電位が７００ｍＶ以上
になったとき出力信号をオフにして処理剤供給ポンプ６
を停止させた以外は、実施例１と同様の方法により試験
した。

【００４１】１ヶ月の試験期間中、酸化還元電位は４０
０〜７００ｍＶの範囲に維持されたが、循環水中の全菌
数は１×１０^２個／ｍＬ以下であった。また循環水ライ
ン１１に設定した銅合金試験片（ＪＩＳ Ｃ １２０１
りん脱酸銅１Ａ種、１×１３×５０ｍｍ）の腐食速度は
０．４ｍｄｄであり、試験片表面に孔食の発生は認めら
れなかった。

【００４２】組成物の添加濃度は０〜４００ｐｐｍの間
で変化したが、平均添加濃度は２００ｐｐｍであった。

【００４３】（比較例１）酸化還元電位測定の替わり
に、ＤＰＤ比色法による残留塩素自動分析装置（ハック
社製ＣＬ−１７型）を設定して遊離残留塩素濃度により
処理剤供給ポンプの制御を行った以外は実施例１と同様
の方法により試験した。ここで遊離残留塩素濃度が０．
１ｐｐｍ以下になったとき制御部５から処理剤供給ポン
プ６に出力信号を送り処理剤供給ポンプ６を作動させて
処理剤タンク７の組成物を供給し、遊離残留塩素濃度が
０．３ｐｐｍ以上になったとき出力信号をオフにして処
理剤供給ポンプ６を停止させた。１ヶ月の試験期間中、
遊離残留塩素濃度は０．２±０．１ｐｐｍの範囲に維持
されたが、循環水中の全菌数は１×１０^２〜１×１０^３
個／ｍＬの間で変動した。循環水ライン１１に設定した
銅合金試験片の腐食速度は１．０ｍｄｄであったが、孔
食の発生は認められなかった。

【００４４】この結果は、遊離残留塩素管理よりも酸化
還元電位管理の方が、殺菌効果と銅合金の腐食抑制の両
面で優れていることを示すものである。

【００４５】（比較例２）処理剤タンクに次亜塩素酸ナ
トリウム（有効塩素１２％）を加えた以外は実施例１と
同様の方法により試験した。

【００４６】1ヶ月の試験期間中、酸化還元電位は４１
０±１０ｍＶの範囲に維持され、循環水中の全菌数は1
×１０^２個／ｍＬ以下であったが、銅合金試験片の腐食
速度は５．４ｍｄｄであり、試験片表面に孔食の発生が
認められた。

【００４７】この結果は、酸化還元電位管理のみを実施
して腐食抑制剤を添加しない場合、銅合金の腐食が著し
いことを示している。

【００４８】（比較例３）処理剤タンクに次亜塩素酸ナ
トリウム（有効塩素１２％）を加え、１，２，３−ベン
ゾトリアゾールを循環水中の濃度が４ｐｐｍとなるよう
に別途に添加した以外は実施例４と同様の方法により試
験した。１ヶ月の試験期間中、酸化還元電位は４００〜
７００ｍＶの範囲に維持され、循環水中の全菌数は１×
１０^２個／ｍＬ以下であったが、銅合金試験片の腐食速
度は３．３ｍｄｄであり、試験片表面に孔食の発生が認
められた。

【００４９】この結果は、酸化還元電位管理のみを実施
して腐食抑制剤を一定濃度で添加した場合、銅合金の腐
食を十分抑制できないことを示している。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、微生物障害を引き起こ
す微生物や水棲生物を殺滅ないし剥離除去するのに十分
な濃度の次亜ハロゲン酸を被処理水中に維持でき、かつ
被処理水と接触する金属の次亜ハロゲン酸による腐食を
有効に防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態の開放式循環水系を示
す。

【符号の説明】

１：白金電極 ２：参照電極 ３：酸化還元電位測定セル ４：電位差計 ５：制御部 ６：処理剤供給ポンプ ７：処理剤タンク ８：冷水塔 ９：循環ポンプ １０：熱交換器 １１：循環水ライン １２：補給水ライン １３：強制ブローライン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０２Ｆ 1/50 ５３１ Ｃ０２Ｆ 1/50 ５３１Ｌ ５３１Ｍ ５３１Ｐ ５３２ ５３２Ｈ ５４０ ５４０Ｂ ５５０ ５５０Ｌ 1/76 1/76 Ａ Ｃ２３Ｆ 11/14 Ｃ２３Ｆ 11/14 11/16 11/16 11/167 11/167 Ｆ２８Ｆ 19/00 ５１１ Ｆ２８Ｆ 19/00 ５１１Ａ Ｆターム(参考） 4D050 AA08 AB06 BB03 BB04 BB06 BC10 BD03 BD08 4K062 AA03 BB18 BB21 BB25 CA10 DA10 EA04 FA04 FA05 GA10

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 次亜ハロゲン酸を用いて殺生物処理を実
   施している水系において、被処理水中の酸化還元電位を
   測定する工程と、該測定結果をもとに次亜ハロゲン酸な
   らびに金属の腐食抑制剤の添加量を調整する工程を含む
   ことを特徴とする水系処理法。