JP2002217264A - 基板処理装置及びその方法 - Google Patents

基板処理装置及びその方法

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JP2002217264A JP2001006312A JP2001006312A JP2002217264A JP 2002217264 A JP2002217264 A JP 2002217264A JP 2001006312 A JP2001006312 A JP 2001006312A JP 2001006312 A JP2001006312 A JP 2001006312A JP 2002217264 A JP2002217264 A JP 2002217264A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板処理装置内に設けられた基板の搬送手段
において、当該搬送手段の昇降機構の作動時に生じるパ
ーティクルが、搬送中の基板に及ぼす影響を軽減させる
こと。 【解決手段】 昇降機構の外装体をなす筐体内にスリッ
ト状の孔部を有する隔壁を設け、第１の部屋と第２の部
屋に区分けする。ウエハを保持する搬送部本体は棒状の
支持部材に固定されており、当該支持部材は端部をガイ
ド軸に支持されている。第１の部屋にはガイド軸と支持
部材を昇降させる駆動機構とが設けられており、支持部
材はガイド軸に沿って上下に昇降する。第２の部屋には
ファンが設けられており、底面には排気口が形成されて
いる。ファンを稼動させると隔壁の孔部を介して第１の
部屋内の雰囲気が吸引され、前記搬送部本体の昇降時に
生じるパーティクルが第２の部屋を経由して排気口から
排出される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対し
例えばレジスト液の塗布、露光及び現像を行う基板処理
装置及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ（以下ウエハという）や液
晶ディスプレイのＬＣＤ基板の表面上に回路パターンを
形成する工程は多岐に亘り、例えば各工程ごとに用いる
ユニットを組み合わせ、搬送手段により基板が各ユニッ
ト間を移動できるように構成したシステムにより所定パ
ターンのレジスト膜が形成される。
【０００３】図１３はこのようなシステムの従来例を示
す概略平面図であり、ウエハＷを収納した基板カセット
Ｃはカセットステーション１Ａから搬入される。カセッ
トステーション１Ａの奥には図示しないウエハＷの受け
渡し手段を挟んで処理ブロック１Ｂが設けられており、
この処理ブロック１Ｂには進退及び昇降自在で、且つ水
平方向に回転自在なメインアーム等と呼ばれる主搬送手
段１１を中心に、カセットステーション１Ａから見て主
搬送手段１１の手前側、左側、奥側には加熱、冷却を含
む複数のユニットが多段に積み重ねられた棚ユニット１
２が配置され、右側には塗布ユニットや現像ユニット等
で構成される液処理ユニット１３が配置されている。
【０００４】また処理ユニット１Ｂの奥側にはインター
フェイスユニット１Ｃを介して露光装置１Ｄが設けられ
ており、インターフェイスユニット１Ｃに設けられてい
る図示しない受け渡し手段を介して主搬送手段１０と露
光装置１Ｄとの間でウエハＷの受け渡しができるように
なっている。
【０００５】このような構成の装置における主搬送手段
１０の構成について概略を説明すると、θ回転できるよ
うに構成された回転台上に基体の昇降機構が設けられて
おり、ウエハＷはこの基体に設けられた進退自在なアー
ム１１により保持されるようになっている。即ち、上述
のように各ユニットへウエハＷの受け渡しを行う際には
進退及び昇降に関する機構が一体的に前記回転台上でθ
回転することとなる。
【０００６】ところで前記主搬送手段１０の昇降機構に
含まれるアーム１１のガイド軸が含まれているが、この
ガイド軸はアーム１１の昇降により頻繁に擦れる部位で
あるため主搬送手段１０に含まれる部材の中でも発塵の
おそれが高い。従って主搬送手段１０の回転時には、前
記ガイド軸にて生じたパーティクルが周囲に飛散してし
まうおそれがあった。また設置スペースが大きくなって
しまうという問題もあった。
【０００７】このため本発明者は、上記問題の解決を図
るためにウエハＷの搬送手段を例えば図１４に示すよう
な構成を検討している。この構成においてガイド軸を含
む昇降機構１４は、例えば多段に積層した液処理ユニッ
ト１５の開閉部１６を挟むように固定して設けられ、支
持部材１７を介してアーム１１を備える搬送部本体１８
を昇降させるようになっている。また搬送部本体１８に
はθ方向への回転機構と進退機構とが設けられており、
ウエハＷを当該搬送部本体１８の周りを囲む液処理ユニ
ット１５以外の他のユニットへも搬送できる構成となっ
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図１４に
示した搬送手段では、昇降機構１４が液処理ユニット１
５の開閉部１６近傍に設けられるため、ウエハＷの受け
渡し時に液処理ユニット１５の開閉部１６が開くと、搬
送部本体１８の昇降または進退などにより生じる風圧が
例えば昇降機構１４にて生じるパーティクルを舞い上
げ、この舞い上がったパーティクルが液処理ユニット１
５内へ侵入してしまうおそれがある。
【０００９】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、基板の搬送手段に設けられ
る昇降機構の動作に伴い発生したパーティクルが処理ユ
ニット内へ侵入することを防止できる基板処理装置を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、基板に対して処理を行う処理ユニットと、この処
理ユニットに形成される基板の搬送口に対向するように
設けられ、前記処理ユニットとの間で基板の搬送を行う
ための進退自在なアームを備えた搬送基体と、この搬送
基体の上下方向の移動領域に対応するように、縦長の開
口部が形成された筐体と、この筐体の内側から前記開口
部を介して前記搬送基体を支持する支持部と、前記筐体
内に設けられ、前記支持部を昇降させる昇降機構と、前
記筐体内の雰囲気を、基板が置かれる雰囲気の外へ排気
する排気手段と、を備えることを特徴とする。
【００１１】このような構成によれば、基板の搬送に拘
る部位のうち、発塵のおそれが大きい昇降機構を筐体で
囲むと共に当該筐体内に排気手段を設けたため、搬送基
体の昇降時に昇降機構にて生じたパーティクルについ
て、基板の昇降領域側に向かう量を少なくすることがで
きる。具体的な例としては、前記筐体内を孔部が形成さ
れた垂直な隔壁により２つの部屋に区分し、開口部を有
する第１の部屋に昇降機構を設け、他方の第２の部屋に
は排気手段を設けるようにし、第１の部屋にて生じたパ
ーティクルを前記孔部を介して第２の部屋へと吸引し、
これを外部へ放出するようにしたものを挙げることがで
きる。
【００１２】このとき例えば隔壁を垂直壁とすると共に
孔部を支持部の移動領域に対応する長さに形成した縦長
のスリットとしてもよく、昇降機構に含まれる例えばガ
イド軸のような発塵し易い部位の全体から万遍なくパー
ティクルを排出できる。特に処理ユニットが複数段に重
ねて設けられ、搬送基体の昇降頻度が高くなるときに有
効である。なお筐体は左右一対として設けてもよく、排
気手段は水平に回転する排気ファンを複数段に設けた構
成としてもよい。
【００１３】また本発明に係る他の基板処理装置は、基
板に対して処理を行う処理ユニットと、この処理ユニッ
トに形成される基板の搬送口に対向するように設けら
れ、前記処理ユニットとの間で基板の搬送を行うための
進退自在なアームを備えた搬送基体と、この搬送基体の
上下方向の移動領域に対応するように、縦長の開口部が
形成された筐体と、この筐体の内側から前記開口部を介
して前記搬送基体を支持する支持部と、前記筐体内に設
けられ、前記支持部を昇降させる昇降機構と、前記搬送
口を介してパーティクルが処理ユニット内に侵入するの
を防止するため、搬送口に臨む位置に設けられるガス供
給手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】このような構成によれば、処理ユニットの
搬送口に向けて例えばパージガスの供給を行うことで、
当該ガスがいわば気流カーテンを形成してガス供給領域
の外部雰囲気に対するバリアの役割を果たすため、基板
が処理ユニットへ侵入する際に汚染されるおそれが軽減
する。本発明におけるガス供給手段の具体例としては、
例えば処理ユニットの搬送口から見て左右に夫々設ける
と共にこれらガス供給手段から互に向き合う方向にガス
を吹き出すようにした構成を挙げることができる。処理
ユニットを多段に設けたときには、各処理ユニットの搬
送口に対応するガス吐出孔を形成した垂直なガス供給管
を２本設けたものを用いることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る基板処理装置
の実施の形態を示す平面図であり、図２は同斜視図であ
る。以下、この実施の形態により被処理基板であるウエ
ハＷに対して所定のレジストパターンを形成するパター
ン形成装置を例に説明を行う。
【００１６】図中２１は例えば１３枚のウエハＷが密閉
収納されたカセットＣを搬入出するためのカセットステ
ーションであり、このカセットステーション２１には前
記カセットＣを載置する載置部２２と、この載置部２２
から見て前方の壁面に設けられる開閉部２３と、開閉部
２３を介してカセットＣからウエハＷを取り出すための
受け渡し手段２４とが設けられている。カセットステー
ション２１の奥側には筐体３０にて周囲を囲まれる処理
部Ｓ１が接続されており、この処理部Ｓ１には手前側か
ら順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニット
３１，３２，３３と、後述する塗布・現像ユニットを含
む各処理ユニット間のウエハＷの受け渡しを行うための
主搬送手段４（４Ａ，４Ｂ）とが交互に配列して設けら
れている。即ち、棚ユニット３１，３２，３３及び主搬
送手段４（４Ａ，４Ｂ）はカセットステーション２１側
から見て前後一列に配列されており、各々の接続部位Ｇ
には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されている
ため、この処理部Ｓ１内においてウエハＷは一端側の棚
ユニット３１から他端側の棚ユニット３３まで自由に移
動することが可能となっている。また、主搬送手段４
（４Ａ，４Ｂ）は、カセットステーション２１から見て
前後方向に配置される棚ユニット３１，３２，３３側の
一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニット５（５
Ａ，５Ｂ）側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで
構成される区画壁４０により囲まれる空間内に置かれて
いる。
【００１７】主搬送主段４（４Ａ，４Ｂ）の棚ユニット
３１，３２，３３が接続していない部位例えば前述の右
側面部には、夫々塗布ユニットや現像ユニット等を多段
化した液処理ユニット５（５Ａ，５Ｂ）が設けられてい
る。３４、３５は例えば温度または湿度の調節装置、ポ
ンプ、ダクト等を備えた温湿度調整ユニットである。
【００１８】液処理ユニット５（５Ａ，５Ｂ）は、例え
ば図２に示すように塗布液や現像液といった薬液供給用
のスペースをなす収納部５１の上に塗布装置または現像
装置が収納される処理容器５２が複数段例えば５段に積
層された構成とされており、この処理容器５２の主搬送
手段４（４Ａ，４Ｂ）側の側面には、ウエハＷの搬入出
時に後述するウエハ搬送アームが侵入できるように搬送
口５３が形成されており、この搬送口５３には図示しな
い開閉自在なシャッターが設けられている。また棚ユニ
ット３１，３２，３３については、加熱ユニットや冷却
ユニットの他、ウエハの受け渡しユニットや疎水化処理
ユニットなどが例えば上下１０段に割り当てられてい
る。
【００１９】この処理部Ｓ１（筐体３０）の上部には図
示しないＦＦＵ（ファンフィルタユニット）が、また底
部には図示しない排気手段が設けられており、清浄な空
気がダウンフローとして流れるようになっている。ま
た、処理部Ｓ１における棚ユニット３３の奥側にはイン
ターフェイス部Ｓ２を介して露光装置Ｓ３が接続されて
いる。インターフェイス部Ｓ２は受け渡し手段３６と、
バッファカセットＣ０とを備えており、前記処理部Ｓ１
と露光装置Ｓ３とバッファカセットＣ０との間でウエハ
Ｗの受け渡しを行うものである。
【００２０】ここで本実施の形態における主要部である
主搬送手段４（４Ａ，４Ｂ）の構成について主搬送手段
４Ａを例に取って説明を行う。詳細説明に先立ち、図
１，２を参照しながら全体の概略について説明すると、
この主搬送手段４Ａは、ウエハＷの保持及び受け渡しを
行う搬送部本体６と、この搬送部本体６の先端を支持し
て一体的に昇降するように構成された水平な支持部材４
１とを備えている。支持部材４１の両側には縦長の筐体
７（７Ａ，７Ｂ）が設けられており、この中に設けられ
た後述の駆動部により支持部材４１が昇降されるように
構成されている。
【００２１】次に図３、図４及び図５を参照しながら筐
体７及び搬送部本体６の説明を行う。図３は主搬送手段
４を説明するための概略斜視図であり、筐体７（７Ａ，
７Ｂ）は同形状で且つ搬送部本体６から見て左右対称に
配置されるため、ここでは筐体７Ａのみを図示してい
る。先ず筐体７Ａから説明すると、この筐体７Ａは図示
しない筐体７Ｂと対向する側面に、支持部材４１の移動
領域即ちウエハＷの上下方向の搬送領域に対応するよう
に縦方向にスリット状の開口部７１が形成されており、
その内部は前記開口部７１が形成される側面を前方とす
ると、隔壁７２により例えば開口部７１を有する前側の
第１の部屋Ｄ１と、後側の第２の部屋Ｄ２とに区画され
ている。
【００２２】第１の部屋Ｄ１には垂直に延びる案内手段
であるガイド軸７３が設けられており、支持部材４１の
端部に形成される横断面凹状の係合部４２と噛み合っ
て、当該支持部材４１を昇降自在にガイドするようにな
っている。また第１の部屋Ｄ１には天井及び底面の近傍
に夫々設けられるプーリ７４ａ，７４ｂと、これに巻き
付けられたベルト７４ｃとからなる駆動機構７４が設け
られており、ベルト７４ｃは支持部材４１を貫通して一
体的に固定されている。従ってベルト７４ｃが図示しな
いモータの駆動力により回転駆動すると、その動きに伴
い支持部材４１がガイド軸７３に沿って昇降する仕組み
となっている。なお筐体７Ａ及び７Ｂの夫々の駆動機構
７４は同期して回転するように構成されており、特許請
求の範囲における「昇降機構」とはこの例では筐体７
Ａ，７Ｂにおける夫々の駆動機構７４及びガイド軸７３
を含むものである。
【００２３】図４は筐体７Ａ内を示す横断面図であり、
図示するように第１の部屋Ｄ１と第２の部屋Ｄ２とを区
画する隔壁７２には例えば前記開口部７１よりも幅狭な
スリット状の通気孔をなす孔部７５が、例えば支持部材
４１がガイド軸７３に沿って移動する上下方向の移動領
域に対応する長さに亘って形成されている。
【００２４】第２の部屋Ｄ２には各々水平に回転するフ
ァン７６が例えば等間隔で多段に配置されている。詳細
は後述するが、このファン７６は前記孔部７５を介して
第１の部屋Ｄ１側の雰囲気を筐体７（７Ａ）外部へ排気
するための排気手段であり、第２の部屋Ｄ２の底面には
この排気を行うための排気口７７が形成されている。
【００２５】次に図３及び図５を参照して搬送部本体６
の説明を行う。この搬送部本体６は、前記支持部材４１
に先端が固定された昇降台６１の上に、回転機構６２を
介して搬送基体６３を鉛直軸周りにθ回転できるように
設けると共に、この搬送基体６３の上に進退自在なアー
ム支持部６４を設け、このアーム支持部６４に支持され
る基板保持受渡し手段である三基のアーム６５（６５
ａ，６５ｂ，６５ｃ）から選択されたものが進退してウ
エハＷの受け渡しを行う構成となっている。また、搬送
基体６３の上方にはアーム６５（６５ａ，６５ｂ，６５
ｃ）及びアーム支持部６４の進退領域を覆い、搬送部本
体６の昇降時におけるウエハＷへの風の影響を軽減させ
るようにカバー体６６が設けられている。
【００２６】次に本実施の形態における作用を説明す
る。先ずカセットＣがカセットステーション２１に搬入
されると、開閉部２３と共にカセットＣの蓋体が外され
て受け渡し手段２４によりウエハＷが取り出される。そ
してウエハＷは受け渡し手段２４から棚ユニット３１中
の受け渡しユニット（載置台が置かれているユニット）
を介して主搬送手段４Ａへと受け渡され、例えば液処理
ユニット５Ａ内の塗布装置でレジスト液の塗布が行われ
た後、主搬送手段４Ａから棚ユニット３２の受け渡しユ
ニット、主搬送手段４Ｂ、棚ユニット３３の受け渡しユ
ニット及びインターフェイス部Ｓ２の受け渡し手段３６
を経て露光装置Ｓ３へと搬送され、露光が行われる。な
おウエハＷにレジストを塗布する前には、棚ユニット３
１，３２，３３に含まれる処理ユニットにて例えば疎水
化処理、冷却処理が行われ、レジストを塗布した後は、
加熱処理及び冷却処理が行われる。露光後、ウエハＷは
逆の経路で主搬送手段４Ａまで搬送され、例えば液処理
ユニット５Ａ内の現像ユニットにて現像され、こうして
所定のレジストパターンが形成される。なお現像の前後
には棚ユニット３１，３２，３３にて加熱及び冷却処理
などの前処理及び後処理が行われる。
【００２７】ここで主搬送手段４Ａを例に取り、ウエハ
Ｗの搬送時における作用について筐体７（７Ａ，７Ｂ）
に着目して説明すると、筐体７（７Ａ，７Ｂ）内のガイ
ド軸７３及び駆動機構７４の働きにより支持部材４１が
昇降するとき、第２の部屋Ｄ２では常時ファン７６が運
転されており、排気口７７に向けて下降流が形成され
る。従って図６に示すように、第１の部屋Ｄ１内の雰囲
気は孔部７５を介して第２の部屋Ｄ２側へ吸い込まれ、
第２の部屋Ｄ２内の前記下降流と共に排気口７７へと流
れ、この排気口７７からウエハＷが置かれる雰囲気の外
である基板処理装置本体の外つまり筐体３０の下方側へ
排気されることとなる。
【００２８】また、ファン７６を回転させている間は第
１の部屋Ｄ１内にも開口部７１から孔部７５に至る気流
が形成されることとなり、例えば第１の部屋Ｄ１内に存
在するパーティクルは開口部７１から外方へほとんど飛
び出すことがない。このような状況下において昇降する
搬送部本体６が目的とするユニットの高さに到達する
と、例えば図示しない制御部により選択された一のアー
ム６５によりウエハＷの受け渡しが行われる。具体的に
は例えば液処理ユニット５Ａを例にとると、搬送口５３
の図示しないシャッターが開き、アーム支持部６４の進
退に伴いアーム６６が例えば塗布ユニットが設けられた
処理容器５２内へと侵入する。
【００２９】上述実施の形態によれば、搬送部本体６の
昇降機構を囲む筐体７（７Ａ，７Ｂ）の内部をスリット
状の孔部７５を形成した隔壁７２にて区分けし、ガイド
軸７３を含む第１の部屋Ｄ１側の雰囲気を前記孔部７５
を介して第２の部屋Ｄ２側にて吸引しているため、支持
部材４１の昇降時に当該支持部材４１の係合部４２とガ
イド軸７３とが擦れるとき、或いは駆動機構７５の駆動
時に生じるパーティクルは開口部７１から前方側へは殆
ど放出されず、アーム６５は清浄な環境下でウエハＷの
受け渡しを行うことができる。
【００３０】なお、本実施の形態において隔壁７２に形
成した孔部７５はスリット状のものに限定されるもので
はなく、例えば複数設けられる各々のファン７６に対応
する高さ位置に複数の孔部を設けるようにしてもよい
し、全面に多数の微小な孔部を形成するようにしてもよ
い。また、各段のファン７６については下位置にあるも
のほどファンの回転数が速くなるように設定することで
排気流を流れ易くすることができる。
【００３１】また本発明は、以下に示す第２の実施の形
態によっても搬送時におけるウエハＷへのパーティクル
の影響を抑えることができる。本実施の形態は例えば前
述の実施の形態と同様の主搬送手段４Ａを用いるとき、
例えば図７に示すように搬送口５３を挟むようにしてガ
ス供給手段８（８Ａ，８Ｂ）を設けるものである。これ
らガス供給手段８（８Ａ，８Ｂ）には、例えば垂直なガ
ス供給管８０に沿って多数のガス吐出孔８１が形成され
たものが用いられ、各々のガス吐出孔８１が対向するよ
うに配置される。このガス供給手段８（８Ａ，８Ｂ）
は、アーム６５が侵入するために搬送口５３に設けられ
る図示しないシャッターが開くとガス吐出孔８１からパ
ージガス例えば窒素などの不活性ガスを供給する。前記
ガス吐出孔８１は、例えば図８に示すように少なくとも
液処理ユニット５Ａを構成する各処理容器５２の搬送口
５３の高さに対応した位置に複数箇所に形成される。ガ
ス供給管８０の基端側にはガス供給源８２が接続されて
おり、当該ガス供給管８０に介設されるバルブ８３の開
閉を制御部８４にて制御することで上述したガス供給の
ＯＮ，ＯＦＦが制御される。なおパージガスの供給は、
前記シャッターの開閉に拘らず常時行うようにしてもよ
い。
【００３２】このような構成によれば、搬送口５３（シ
ャッター）の開放時に当該開口部位近傍に供給されるパ
ージガスが、いわば気流カーテンを形成して当該パージ
ガス供給領域の外部雰囲気に対するバリアの役割を果た
すため、ウエハＷは液処理ユニット５Ａへの侵入時に汚
染されるおそれが少ないという利点がある。
【００３３】この第２の実施の形態は、例えば図９に示
すように支持部材４１を中空材として構成することで、
ウエハＷを汚染から防ぐ効果を高めることができる。こ
の例において支持部材４１の内部には、図示するように
長手方向に貫通する流路４００が形成され、この流路４
００は処理容器５２の搬送口５３と対向して該支持部材
４１の中央部側面に形成される吸引口４１ａと連通す
る。また流路４００の途中には吸引口４１ａを挟む位置
に、互いに相反する方向即ち流路４００の両端をなす開
口部４１ｂに向けて送風を行う２つのファン４１ｃが介
設されている。
【００３４】このような装置において、ガス供給手段８
（８Ａ，８Ｂ）からパージガスの供給を行うと共にファ
ン４１ｃを駆動させると、図１０に示すように吸引口４
１ａ前方の雰囲気は流路４００を介して筐体７（７Ａ，
７Ｂ）内へと吸引され、パージガスは吸引口４１ａに向
かう気流を形成する。パージガスはウエハＷの搬送領域
の外部に対してバリアの役割を果たすのと同時に、微少
なパーティクルを当該搬送領域から除去する役割も果た
しているため、ウエハＷを一層クリーンな状態で液処理
ユニットへ進入させることができるようになる。
【００３５】ところで、既述のように処理部Ｓ１内は所
定の陽圧に維持されているため、パージガスの吐出量が
多いとウエハ搬送空間の圧力に影響を与えてしまうおそ
れがある。しかし例えば図１１に示すように、液処理ユ
ニット５Ａの各段ごとに別個にガス供給手段９１（９１
Ａ，９１Ｂ），９２（９２Ａ，９２Ｂ），９３（９３
Ａ，９３Ｂ）を設けると共に前述の制御部８４にて各バ
ルブ８３の開閉を制御するように構成し、例えば搬送口
５３を塞ぐ図示しないシャッターが開いた時に、当該搬
送口５３に対応するガス供給手段にのみガスの供給を行
うようにすることで、処理部Ｓ１への圧力の影響を少な
くすることができる。
【００３６】また、最初の実施の形態においては、排気
口７７を開口部７１から離した位置に設けることでアー
ム６６の移動領域が汚染されることを回避しようとした
が、例えば図１２に示すように開口部７１の位置を搬送
口５３から離れた側面に形成し、支持部材４１をＬ字型
に屈曲させる構成とすることもできる。このような実施
の形態は単独で用いてもよいが、最初の実施の形態また
は第２の実施の形態と組み合わせることで効果を高める
ことができる。
【００３７】更に本実施の形態では、半導体ウエハの表
面に所定のレジストパターンを形成する塗布、現像装置
を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されず、
例えば基板表面に有機系シリカを塗布すると共にこれを
加熱してガラス膜を形成する装置に適用して液処理ユニ
ットであるシリカ塗布ユニットに基板を搬送する部位に
上述実施の形態を組み込むようにしてもよいし、基板と
してはウエハに限らずＬＣＤ基板であってもよい。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明に係る基板処理装置
及びその方法によれば、基板の昇降時において発生する
パーティクルにより、基板が汚染されることを軽減する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の実施の形態を示す
平面図である。
【図２】本発明に係る基板処理装置の実施の形態を示す
斜視図である。
【図３】主搬送手段４Ａの全体構造を示した斜視図であ
る。
【図４】筐体７Ａ内部を説明するための横断面図であ
る。
【図５】搬送部本体６を説明するための縦断面図であ
る。
【図６】本実施の形態の作用を説明するための説明図で
ある
【図７】本発明に係る基板処理装置の他の実施の形態を
示す概略説明図である。
【図８】本発明に係る基板処理装置の他の実施の形態を
示す概略説明図である。
【図９】本発明に係る基板処理装置の他の実施の形態を
示す概略説明図である。
【図１０】図９に示した実施の形態における作用を示す
説明図である。
【図１１】本発明に係る基板処理装置の更に他の実施の
形態を示す概略説明図である。
【図１２】本発明に係る基板処理装置の上述以外の実施
の形態を示す概略説明図である。
【図１３】従来発明に係る基板処理装置を説明する平面
図である。
【図１４】従来発明に係る基板処理装置におけるウエハ
の搬送手段を示す平面図である。
【符号の説明】 Ｃ カセット Ｗ ウエハ Ｓ１ 処理部 ２１ カセットステーション ４ 主搬送手段 ４１ 支持部材 ５ 液処理ユニット ５３ 搬送口 ６ 搬送部本体 ７ 筐体 ７１ 開口部 ７２ 隔壁 ７３ ガイド軸 ７４ 駆動機構 ７５ 孔部 ７６ ファン ７７ 排気口 ８ ガス供給手段 ８１ ガス吐出孔
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｆ ５６２

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に対して処理を行う処理ユニット
    と、 この処理ユニットに形成される基板の搬送口に対向する
    ように設けられ、前記処理ユニットとの間で基板の搬送
    を行うための進退自在なアームを備えた搬送基体と、 この搬送基体の上下方向の移動領域に対応するように、
    縦長の開口部が形成された筐体と、 この筐体の内側から前記開口部を介して前記搬送基体を
    支持する支持部と、 前記筐体内に設けられ、前記支持部を昇降させる昇降機
    構と、 前記筐体内の雰囲気を、基板が置かれる雰囲気の外へ排
    気する排気手段と、を備えることを特徴とする基板処理
    装置。
  2. 【請求項２】 筐体は前記開口部側に位置する第１の部
    屋とこの第１の部屋に隣接する第２の部屋とに、通気孔
    を有する隔壁により区画され、第１の部屋には前記昇降
    機構が、第２の部屋には排気手段が夫々設けられること
    を特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 【請求項３】 隔壁は垂直壁であり、孔部は支持部の移
    動領域に対応する長さに形成される縦長のスリットであ
    ることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装
    置。
  4. 【請求項４】 排気手段は水平に回転する排気ファンを
    縦長の通風路に複数段設けてなり、この通風路の下端部
    から装置本体の外へ排気することを特徴とする請求項
    １、２または３記載の基板処理装置。
  5. 【請求項５】 筐体は処理ユニットから見て左右一対と
    して設けられていることを特徴とする請求項１ないし４
    のいずれかに記載の基板処理装置。
  6. 【請求項６】 処理ユニットは複数段に重ねて設けられ
    ていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに
    記載の基板処理装置。
  7. 【請求項７】 処理ユニットには基板の搬送口を開閉す
    るシャッターが設けられていることを特徴とする請求項
    １ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
  8. 【請求項８】 基板に対して処理を行う処理ユニット
    と、 この処理ユニットに形成される基板の搬送口に対向する
    ように設けられ、前記処理ユニットとの間で基板の搬送
    を行うための進退自在なアームを備えた搬送基体と、 この搬送基体の上下方向の移動領域に対応するように、
    縦長の開口部が形成された筐体と、 この筐体の内側から前記開口部を介して前記搬送基体を
    支持する支持部と、 前記筐体内に設けられ、前記支持部を昇降させる昇降機
    構と、 前記搬送口を介してパーティクルが処理ユニット内に侵
    入するのを防止するため、搬送口に臨む位置に設けられ
    るガス供給手段と、を備えたことを特徴とする基板処理
    装置。
  9. 【請求項９】 処理ユニットは搬送口を開閉するシャッ
    ターを備え、ガス供給手段は、少なくとも前記アームと
    前記処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行うときに
    ガスの供給を行うことを特徴とする請求項８記載の基板
    処理装置。
  10. 【請求項１０】 ガス供給手段は、処理ユニットの搬送
    口から見て左右に夫々設けられ、これらガス供給手段か
    ら互に向き合う方向にガスを吹き出すことを特徴とする
    請求項８または９記載の基板処理装置。
  11. 【請求項１１】 処理ユニットは複数段に重ねて設けら
    れ、ガス供給手段は、最下段の処理ユニットに対応する
    位置から最上段の処理ユニットに対応する位置まで伸び
    るガス供給管に、複数のガス吐出孔を形成して構成され
    たことを特徴とする請求項８、９または１０記載の基板
    処理装置。
  12. 【請求項１２】 処理ユニットは複数段に重ねて設けら
    れ、ガス供給手段は各処理ユニット毎に独立して設けら
    れていることを特徴とする請求項８、９または１０記載
    の基板処理装置。
  13. 【請求項１３】 処理ユニットは搬送口を開閉するシャ
    ッターを備え、各ガス供給手段は、対応する処理ユニッ
    トのシャッターが開いているときにのみガスを供給する
    ことを特徴とする請求項１２記載の基板処理装置。
  14. 【請求項１４】 筐体の開口部は当該処理ユニットの搬
    送口を臨む位置には形成されないことを特徴とする請求
    項１ないし１３のいずれかに記載の基板処理装置。
  15. 【請求項１５】 昇降機構が収納された縦長の筐体の中
    から外に伸び出した支持部に支持されると共に進退自在
    なアームを備えた搬送基体を、処理ユニットの基板の搬
    送口に対向する領域に沿って昇降させる工程と、 前記アームにより搬送基体と処理ユニットとの間で前記
    搬送口を介して基板を受け渡す工程と、 基板が置かれる雰囲気を、前記支持部が昇降する筐体の
    縦長の開口部を介して筐体内に吸引し、基板が置かれる
    雰囲気の外へ排気する工程と、を含むことを特徴とする
    基板処理方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006351864A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Tokyo Electron Ltd 処理システム及び処理方法
US7383093B2 (en) 2004-03-31 2008-06-03 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101004090B1 (ko) 2008-09-01 2010-12-27 세메스 주식회사 기판 가공 장치
JP2013251432A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Yaskawa Electric Corp 搬送ロボットおよび搬送ロボットを備えた局所クリーン装置
JP2014003181A (ja) * 2012-06-19 2014-01-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送設備
JP2017162978A (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7544277B2 (en) * 2003-06-12 2009-06-09 Bayer Healthcare, Llc Electrochemical test sensors
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
KR100536434B1 (ko) * 2004-12-30 2005-12-16 주식회사 에스에프에이 카세트 보관 시스템
KR101541538B1 (ko) * 2008-12-19 2015-08-04 세메스 주식회사 웨이퍼 이송 유닛 및 이를 포함하는 프로브 스테이션
JP2011035199A (ja) * 2009-08-03 2011-02-17 Tokyo Electron Ltd 基板載置機構およびそれを用いた基板処理装置
JP5806811B2 (ja) * 2010-10-01 2015-11-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
US8556566B1 (en) * 2011-09-30 2013-10-15 WD Media, LLC Disk stacking method and apparatus
KR101889498B1 (ko) * 2017-03-22 2018-08-17 (주)닥터스텍 승강식 수소수 제조장치
KR102088748B1 (ko) * 2019-10-18 2020-03-13 주식회사 싸이맥스 진공주행로봇 파티클 차단 챔버

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4836905A (en) * 1987-07-16 1989-06-06 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
US5826129A (en) 1994-06-30 1998-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
TW317644B (ja) 1996-01-26 1997-10-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3225344B2 (ja) * 1996-01-26 2001-11-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH10157847A (ja) * 1996-11-29 1998-06-16 Canon Sales Co Inc 基板搬送ロボット装置およびこれを用いた基板処理装置ならびに半導体製造装置
JP4526136B2 (ja) * 1998-06-08 2010-08-18 株式会社日立国際電気 被処理物搬送装置、半導体製造装置及び被処理物の処理方法
JP2000058619A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US6402401B1 (en) * 1999-10-19 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7383093B2 (en) 2004-03-31 2008-06-03 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2006351864A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Tokyo Electron Ltd 処理システム及び処理方法
KR101004090B1 (ko) 2008-09-01 2010-12-27 세메스 주식회사 기판 가공 장치
JP2013251432A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Yaskawa Electric Corp 搬送ロボットおよび搬送ロボットを備えた局所クリーン装置
US8807911B2 (en) 2012-06-01 2014-08-19 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Transfer robot and equipment front end module including transfer robot with vent part
KR101549292B1 (ko) * 2012-06-01 2015-09-01 가부시키가이샤 야스카와덴키 반송 로봇 및 반송 로봇을 구비한 efem 장치
JP2014003181A (ja) * 2012-06-19 2014-01-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送設備
JP2017162978A (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US11443972B2 (en) 2016-03-09 2022-09-13 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus

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