JP2002208510A - 高透磁率酸化物磁性材料 - Google Patents
高透磁率酸化物磁性材料Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い初透磁率であり、かつ高インピーダンス
特性を実現する高透磁率酸化物磁性材料を得る。 【解決手段】 主成分組成が、Ｆｅ２Ｏ３が５２.０ｍ
ｏｌ％以上から５３.０ｍｏｌ％以下の範囲、ＺｎＯが
１９.０ｍｏｌ％以上から２３.５ｍｏｌ％以下の範囲、
残部がＭｎＯからなり、副成分としてＳｉＯ２が０.０
０５ｗｔ％以上から０.０２５ｗｔ％以下の範囲、Ｃａ
Ｏが０.０２ｗｔ％以上から０.０７ｗｔ％以下の範囲、
Ｂｉ２Ｏ３が０.０１ｗｔ％以上から０.０３ｗｔ％以下
の範囲からなり、かつ０.０１ｗｔ％以上から１.０ｗｔ
％以下の範囲のＧａ２Ｏ３を含有する高透磁率酸化物磁
性材料である。
特性を実現する高透磁率酸化物磁性材料を得る。 【解決手段】 主成分組成が、Ｆｅ２Ｏ３が５２.０ｍ
ｏｌ％以上から５３.０ｍｏｌ％以下の範囲、ＺｎＯが
１９.０ｍｏｌ％以上から２３.５ｍｏｌ％以下の範囲、
残部がＭｎＯからなり、副成分としてＳｉＯ２が０.０
０５ｗｔ％以上から０.０２５ｗｔ％以下の範囲、Ｃａ
Ｏが０.０２ｗｔ％以上から０.０７ｗｔ％以下の範囲、
Ｂｉ２Ｏ３が０.０１ｗｔ％以上から０.０３ｗｔ％以下
の範囲からなり、かつ０.０１ｗｔ％以上から１.０ｗｔ
％以下の範囲のＧａ２Ｏ３を含有する高透磁率酸化物磁
性材料である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主としてノイズフ
ィルタ用フェライトコアとして使用されるのに好適な高
透磁率酸化物磁性材料に関するものである。
ィルタ用フェライトコアとして使用されるのに好適な高
透磁率酸化物磁性材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高性能化の技
術革新が著しく、それに伴い、使用されるＭｎ−Ｚｎ系
フェライトの高性能化、例えば、高透磁率化、及び低損
失化が求められている。なかでも、ノイズフィルタ用の
フェライトコアは、高い初透磁率とインピーダンスが要
求される。
術革新が著しく、それに伴い、使用されるＭｎ−Ｚｎ系
フェライトの高性能化、例えば、高透磁率化、及び低損
失化が求められている。なかでも、ノイズフィルタ用の
フェライトコアは、高い初透磁率とインピーダンスが要
求される。
【０００３】一般に、高初透磁率を有するＭｎ−Ｚｎ系
フェライトの主成分組成としては、５２.０ｍｏｌ％以
上から５２.５ｍｏｌ％以下の範囲のＦｅ2Ｏ3、２４.０
ｍｏｌ％以上から２８.０ｍｏｌ％以下の範囲のＭｎ
Ｏ、残部ＺｎＯ付近の組成とされており、現在市販され
ているものも、ほぼこの範囲である。
フェライトの主成分組成としては、５２.０ｍｏｌ％以
上から５２.５ｍｏｌ％以下の範囲のＦｅ2Ｏ3、２４.０
ｍｏｌ％以上から２８.０ｍｏｌ％以下の範囲のＭｎ
Ｏ、残部ＺｎＯ付近の組成とされており、現在市販され
ているものも、ほぼこの範囲である。
【０００４】Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトは、副成分として
ＳｉＯ2、ＣａＯ、Ｂｉ2Ｏ3等を含有させる場合があ
る。初透磁率は、可逆的な磁化変化であり、大部分は磁
壁移動によって磁化するものとされる。磁壁移動は、結
晶中の磁区サイズ、結晶磁気異方性に依存し、磁区サイ
ズを大きくする、もしくは結晶磁気異方性を小さくする
ことで初透磁率は高くなる。Ｂｉ2Ｏ3は粒成長を促進す
る事を目的として添加されており、高い初透磁率を得る
ために必要な大きい結晶粒径を得るためである(結晶中
の磁区サイズは、結晶粒径に依存する)。
ＳｉＯ2、ＣａＯ、Ｂｉ2Ｏ3等を含有させる場合があ
る。初透磁率は、可逆的な磁化変化であり、大部分は磁
壁移動によって磁化するものとされる。磁壁移動は、結
晶中の磁区サイズ、結晶磁気異方性に依存し、磁区サイ
ズを大きくする、もしくは結晶磁気異方性を小さくする
ことで初透磁率は高くなる。Ｂｉ2Ｏ3は粒成長を促進す
る事を目的として添加されており、高い初透磁率を得る
ために必要な大きい結晶粒径を得るためである(結晶中
の磁区サイズは、結晶粒径に依存する)。
【０００５】ここで、ＳｉＯ2、ＣａＯは、高抵抗の粒
界層を形成することにより、フェライトの損失成分であ
る渦電流損失を低減させる目的として添加されている。
渦電流損失は、周波数の増加に伴って増大し、高周波域
では、その磁界のために磁化変化が抑えられ、初透磁率
は低下する。これを防ぐ有効な手段は、材料を高抵抗化
することであり、それにより初透磁率の高周波域の周波
数特性が良好となる。
界層を形成することにより、フェライトの損失成分であ
る渦電流損失を低減させる目的として添加されている。
渦電流損失は、周波数の増加に伴って増大し、高周波域
では、その磁界のために磁化変化が抑えられ、初透磁率
は低下する。これを防ぐ有効な手段は、材料を高抵抗化
することであり、それにより初透磁率の高周波域の周波
数特性が良好となる。
【０００６】また、初透磁率が高周波域まで高い値を維
持すると、その虚数部分のピーク値は高周波側に現れ、
これによりインピーダンスも大きくなる。高い初透磁率
と高インピーダンスを達成するためには、上記の様な組
成を吟味して最適な組成を選択することが必要である。
持すると、その虚数部分のピーク値は高周波側に現れ、
これによりインピーダンスも大きくなる。高い初透磁率
と高インピーダンスを達成するためには、上記の様な組
成を吟味して最適な組成を選択することが必要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ここで、Ｂｉ2Ｏ3は、
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの粒成長促進には有効である
が、異常粒成長を促進する因子でもあり、結晶粒径を大
きくすることのみで高い初透磁率を得ようとすると、異
常粒が発生しやすくなるという問題点がある。この異常
粒は、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの渦電流損失を増加さ
せ、比抵抗の低減につながり、大幅なインピーダンスの
低減を招く。よって、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトについて
高い初透磁率と高インピーダンス特性を同時に実現する
のは困難である。
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの粒成長促進には有効である
が、異常粒成長を促進する因子でもあり、結晶粒径を大
きくすることのみで高い初透磁率を得ようとすると、異
常粒が発生しやすくなるという問題点がある。この異常
粒は、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの渦電流損失を増加さ
せ、比抵抗の低減につながり、大幅なインピーダンスの
低減を招く。よって、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトについて
高い初透磁率と高インピーダンス特性を同時に実現する
のは困難である。
【０００８】従って、本発明の目的は、高い初透磁率で
あり、かつ高インピーダンス特性を実現する高透磁率酸
化物磁性材料を提供することである。
あり、かつ高インピーダンス特性を実現する高透磁率酸
化物磁性材料を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】種々の検討を行った結
果、主成分組成が５２.０ｍｏｌ％以上から５３.０ｍｏ
ｌ％以下の範囲のＦｅ2Ｏ3、１９.０ｍｏｌ％以上から
２３.５ｍｏｌ％以下の範囲のＺｎＯ、残部ＭｎＯから
なり、副成分として０.００５ｗｔ％以上から０.０２５
ｗｔ％以下の範囲のＳｉＯ2、０.０２ｗｔ％以上から
０.０７ｗｔ％以下の範囲のＣａＯ、０.０１ｗｔ％以上
から０.０３ｗｔ％以下の範囲のＢｉ2Ｏ3、０.０１ｗｔ
％以上から１.０ｗｔ％以下の範囲のＧａ2Ｏ3を含有す
るＭｎ−Ｚｎ系フェライト系の高透磁率酸化物磁性材料
が、高い初透磁率と高インピーダンス特性を持つことを
見出した。また、上記の組成で焼結体の平均結晶粒径を
５μｍ以上から２０μｍ以下の範囲とすることで、より
高い初透磁率と高インピーダンス特性を持つ高透磁率酸
化物磁性材料が得られる事を見出した。
果、主成分組成が５２.０ｍｏｌ％以上から５３.０ｍｏ
ｌ％以下の範囲のＦｅ2Ｏ3、１９.０ｍｏｌ％以上から
２３.５ｍｏｌ％以下の範囲のＺｎＯ、残部ＭｎＯから
なり、副成分として０.００５ｗｔ％以上から０.０２５
ｗｔ％以下の範囲のＳｉＯ2、０.０２ｗｔ％以上から
０.０７ｗｔ％以下の範囲のＣａＯ、０.０１ｗｔ％以上
から０.０３ｗｔ％以下の範囲のＢｉ2Ｏ3、０.０１ｗｔ
％以上から１.０ｗｔ％以下の範囲のＧａ2Ｏ3を含有す
るＭｎ−Ｚｎ系フェライト系の高透磁率酸化物磁性材料
が、高い初透磁率と高インピーダンス特性を持つことを
見出した。また、上記の組成で焼結体の平均結晶粒径を
５μｍ以上から２０μｍ以下の範囲とすることで、より
高い初透磁率と高インピーダンス特性を持つ高透磁率酸
化物磁性材料が得られる事を見出した。
【００１０】本発明品によれば、Ｇａ2Ｏ3を添加するこ
とにより結晶粒径を大きくすることに頼らず高い初透磁
率が得られる。その結果、インピーダンスを低減させる
ことがなく、高い初透磁率と高インピーダンス特性を同
時に実現している。前項で示したように、初透磁率は結
晶粒径と結晶磁気異方性に大きく依存する。よって、詳
細は不明であるが、結晶粒径が一定でＧａ添加により初
透磁率が高くなったことから、Ｇａ2Ｏ3がフェライトの
スピネル格子中に固溶して結晶磁気異方性を低減させ、
初透磁率が高くなったと推察される。
とにより結晶粒径を大きくすることに頼らず高い初透磁
率が得られる。その結果、インピーダンスを低減させる
ことがなく、高い初透磁率と高インピーダンス特性を同
時に実現している。前項で示したように、初透磁率は結
晶粒径と結晶磁気異方性に大きく依存する。よって、詳
細は不明であるが、結晶粒径が一定でＧａ添加により初
透磁率が高くなったことから、Ｇａ2Ｏ3がフェライトの
スピネル格子中に固溶して結晶磁気異方性を低減させ、
初透磁率が高くなったと推察される。
【００１１】主成分組成を５２.０ｍｏｌ％以上から５
３.０ｍｏｌ％以下の範囲のＦｅ2Ｏ3、１９.０ｍｏｌ％
以上から２３.５ｍｏｌ％以下の範囲のＺｎＯ、残部Ｍ
ｎＯとしたのは、Ｆｅ2Ｏ3が５２.０ｍｏｌ％未満であ
ると、十分な初透磁率が得られず、またＦｅ2Ｏ3が５
３.０ｍｏｌ％を超えると、十分な初透磁率が得られ
ず、かつインピーダンスが低減するためである。また、
ＺｎＯが１９.０ｍｏｌ％未満であると、十分な初透磁
率が得られず、ＺｎＯが２３.５ｍｏｌ％を超えると、
キュリー温度（Ｔｃ）が低下し、実用的ではなくなるた
めである。
３.０ｍｏｌ％以下の範囲のＦｅ2Ｏ3、１９.０ｍｏｌ％
以上から２３.５ｍｏｌ％以下の範囲のＺｎＯ、残部Ｍ
ｎＯとしたのは、Ｆｅ2Ｏ3が５２.０ｍｏｌ％未満であ
ると、十分な初透磁率が得られず、またＦｅ2Ｏ3が５
３.０ｍｏｌ％を超えると、十分な初透磁率が得られ
ず、かつインピーダンスが低減するためである。また、
ＺｎＯが１９.０ｍｏｌ％未満であると、十分な初透磁
率が得られず、ＺｎＯが２３.５ｍｏｌ％を超えると、
キュリー温度（Ｔｃ）が低下し、実用的ではなくなるた
めである。
【００１２】副成分を０.００５ｗｔ％以上から０.０２
５ｗｔ％以下の範囲のＳｉＯ2、０.０２ｗｔ％以上から
０.０７ｗｔ％以下の範囲のＣａＯ、０.０１ｗｔ％以上
から０.０３ｗｔ％以下の範囲のＢｉ2Ｏ3、０.０１ｗｔ
％以上から１.０ｗｔ％以下の範囲のＧａ2Ｏ3としたの
は、ＳｉＯ2が０.００５ｗｔ％未満、またＣａＯが０.
０２ｗｔ％未満であると高抵抗な粒界層が得られず、高
いインピーダンスが得られないためである。また、Ｓｉ
Ｏ2が０.０２５ｗｔ％を超えると、またＣａＯが０.０
７ｗｔ％を超えると十分な初透磁率が得られない。ま
た、Ｂｉ2Ｏ3が０.０１ｗｔ％未満であると結晶粒成長
の効果が得られず、０.０３ｗｔ％を超えると異常粒の
発生により渦電流損失が増加し、比抵抗、インピーダン
スを低減させるためである。Ｇａ2Ｏ3が、０.０１ｗｔ
％未満であると、十分な結晶磁気異方性低減の効果が得
られない。また、１.０ｗｔ％を超えると結晶粒内に不
純物として固溶し、初透磁率を低下させるためである。
５ｗｔ％以下の範囲のＳｉＯ2、０.０２ｗｔ％以上から
０.０７ｗｔ％以下の範囲のＣａＯ、０.０１ｗｔ％以上
から０.０３ｗｔ％以下の範囲のＢｉ2Ｏ3、０.０１ｗｔ
％以上から１.０ｗｔ％以下の範囲のＧａ2Ｏ3としたの
は、ＳｉＯ2が０.００５ｗｔ％未満、またＣａＯが０.
０２ｗｔ％未満であると高抵抗な粒界層が得られず、高
いインピーダンスが得られないためである。また、Ｓｉ
Ｏ2が０.０２５ｗｔ％を超えると、またＣａＯが０.０
７ｗｔ％を超えると十分な初透磁率が得られない。ま
た、Ｂｉ2Ｏ3が０.０１ｗｔ％未満であると結晶粒成長
の効果が得られず、０.０３ｗｔ％を超えると異常粒の
発生により渦電流損失が増加し、比抵抗、インピーダン
スを低減させるためである。Ｇａ2Ｏ3が、０.０１ｗｔ
％未満であると、十分な結晶磁気異方性低減の効果が得
られない。また、１.０ｗｔ％を超えると結晶粒内に不
純物として固溶し、初透磁率を低下させるためである。
【００１３】平均結晶粒径が５μｍ以上から２０μｍ以
下の範囲としたのは、平均結晶粒径が５μｍ未満である
と、十分な初透磁率が得られず、２０μｍを超えると渦
電流損失が増加し比抵抗、インピーダンスを低減させる
ためである。
下の範囲としたのは、平均結晶粒径が５μｍ未満である
と、十分な初透磁率が得られず、２０μｍを超えると渦
電流損失が増加し比抵抗、インピーダンスを低減させる
ためである。
【００１４】即ち、本発明は、主成分組成について、Ｆ
ｅ2Ｏ3が５２.０ｍｏｌ％以上から５３.０ｍｏｌ％以下
の範囲、ＺｎＯが１９.０ｍｏｌ％以上から２３.５ｍｏ
ｌ％以下の範囲、残部がＭｎOからなり、副成分として
ＳｉＯ2が０.００５ｗｔ％以上から０.０２５ｗｔ％以
下の範囲、ＣａＯが０.０２ｗｔ％以上から０.０７ｗｔ
％以下の範囲、Ｂｉ2Ｏ3が０.０１ｗｔ％以上から０.０
３ｗｔ％以下の範囲からなり、かつ０.０１ｗｔ％以上
から１.０ｗｔ％以下の範囲のＧａ2Ｏ3を含有する高透
磁率酸化物磁性材料である。
ｅ2Ｏ3が５２.０ｍｏｌ％以上から５３.０ｍｏｌ％以下
の範囲、ＺｎＯが１９.０ｍｏｌ％以上から２３.５ｍｏ
ｌ％以下の範囲、残部がＭｎOからなり、副成分として
ＳｉＯ2が０.００５ｗｔ％以上から０.０２５ｗｔ％以
下の範囲、ＣａＯが０.０２ｗｔ％以上から０.０７ｗｔ
％以下の範囲、Ｂｉ2Ｏ3が０.０１ｗｔ％以上から０.０
３ｗｔ％以下の範囲からなり、かつ０.０１ｗｔ％以上
から１.０ｗｔ％以下の範囲のＧａ2Ｏ3を含有する高透
磁率酸化物磁性材料である。
【００１５】また、本発明は、前記高透磁率酸化物磁性
材料は、焼結体の平均結晶粒径が５μｍ以上から２０μ
ｍ以下の範囲とする高透磁率酸化物磁性材料である。
材料は、焼結体の平均結晶粒径が５μｍ以上から２０μ
ｍ以下の範囲とする高透磁率酸化物磁性材料である。
【００１６】
【実施例】本発明の実施例による高透磁率酸化物磁性材
料について、以下に説明する。
料について、以下に説明する。
【００１７】（実施例１）発明品として、主成分組成と
して５２.５ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.５ｍｏｌ％の
ＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％の
ＳｉＯ２、ＣａＯに換算して０.０３ｗｔ％のＣａ（Ｏ
Ｈ）２、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％
のＧａ２Ｏ３を秤量し、アトライターを用いて２時間混
合した。混合の後、スプレードライヤーで造粒した。そ
の後、各混合粉末を８５０℃の大気中で２時間予焼し
た。得られた粉末をアトライターを用いて粉砕した。粉
砕後、スプレードライヤーにて造粒し、２５ｍｍφ−１
５ｍｍφ−１２ｍｍトロイダル形状にプレスし、１３５
０℃の焼成温度、保持時間２時間で焼成した。また、従
来品として主成分組成５２.５ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、
２２.５ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として
０.０１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、
０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３を含有するＭｎ−Ｚｎフ
ェライトを同様の工程で作製した。
して５２.５ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.５ｍｏｌ％の
ＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％の
ＳｉＯ２、ＣａＯに換算して０.０３ｗｔ％のＣａ（Ｏ
Ｈ）２、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％
のＧａ２Ｏ３を秤量し、アトライターを用いて２時間混
合した。混合の後、スプレードライヤーで造粒した。そ
の後、各混合粉末を８５０℃の大気中で２時間予焼し
た。得られた粉末をアトライターを用いて粉砕した。粉
砕後、スプレードライヤーにて造粒し、２５ｍｍφ−１
５ｍｍφ−１２ｍｍトロイダル形状にプレスし、１３５
０℃の焼成温度、保持時間２時間で焼成した。また、従
来品として主成分組成５２.５ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、
２２.５ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として
０.０１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、
０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３を含有するＭｎ−Ｚｎフ
ェライトを同様の工程で作製した。
【００１８】表１に、従来品と発明品の平均結晶粒径、
比抵抗、キュリー温度（Ｔｃ）、１０ｋＨｚおよび１０
０ｋＨｚにおける初透磁率（μ）、巻線数１０ターンで
のインピーダンスの最大値（Ｚmax）を示す。
比抵抗、キュリー温度（Ｔｃ）、１０ｋＨｚおよび１０
０ｋＨｚにおける初透磁率（μ）、巻線数１０ターンで
のインピーダンスの最大値（Ｚmax）を示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１より、発明品は、従来品に比べ、μ、
Ｚmax及び比抵抗が高いことがわかる。また、焼結保持
時間の短縮を可能にした。
Ｚmax及び比抵抗が高いことがわかる。また、焼結保持
時間の短縮を可能にした。
【００２１】図１は、Ｇａ２Ｏ３を添加した発明品と従
来品の初透磁率の周波数特性を示す図である。発明品
は、高周波まで高い初透磁率を維持していることがわか
る。
来品の初透磁率の周波数特性を示す図である。発明品
は、高周波まで高い初透磁率を維持していることがわか
る。
【００２２】（実施例２）発明品として、主成分組成と
して５２.０ｍｏｌ％以上から５３.０ｍｏｌ％以下のＦ
ｅ２Ｏ３、１９.０ｍｏｌ％以上から２３.５ｍｏｌ％以
下の範囲のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１
５ｗｔ％のＳｉＯ２、ＣａＯに換算して０.０３ｗｔ％
のＣａ（ＯＨ）２、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.
１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３を秤量し、アトライターを用い
て２時間混合した。混合の後、スプレードライヤーで造
粒した。その後、各混合粉末を８５０℃の大気中で２時
間予焼した。得られた粉末をアトライターを用いて粉砕
した。
して５２.０ｍｏｌ％以上から５３.０ｍｏｌ％以下のＦ
ｅ２Ｏ３、１９.０ｍｏｌ％以上から２３.５ｍｏｌ％以
下の範囲のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１
５ｗｔ％のＳｉＯ２、ＣａＯに換算して０.０３ｗｔ％
のＣａ（ＯＨ）２、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.
１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３を秤量し、アトライターを用い
て２時間混合した。混合の後、スプレードライヤーで造
粒した。その後、各混合粉末を８５０℃の大気中で２時
間予焼した。得られた粉末をアトライターを用いて粉砕
した。
【００２３】粉砕後、スプレードライヤーにて造粒し、
２５ｍｍφ−１５ｍｍ、φ−１２ｍｍのトロイダル形状
にプレスし、１３５０℃の焼成温度、保持時間２時間で
焼成した。また、比較品として、主成分組成５１.０ｍ
ｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２０.５ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部
ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.
０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、
０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ ３（比較品１）、主成分組成
５４.０ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２０.５ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％のＳｉ
Ｏ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ
２Ｏ３、０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品２）、主
成分組成５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、１８.０ｍｏｌ
％のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ
％のＳｉＯ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０１５ｗｔ
％のＢｉ２Ｏ３、０.０５ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品
３）、主成分組成５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２５.
０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０
１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０
１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３
（比較品４）を含有するＭｎ−Ｚｎフェライトも同様の
工程で作製した。
２５ｍｍφ−１５ｍｍ、φ−１２ｍｍのトロイダル形状
にプレスし、１３５０℃の焼成温度、保持時間２時間で
焼成した。また、比較品として、主成分組成５１.０ｍ
ｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２０.５ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部
ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.
０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、
０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ ３（比較品１）、主成分組成
５４.０ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２０.５ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％のＳｉ
Ｏ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ
２Ｏ３、０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品２）、主
成分組成５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、１８.０ｍｏｌ
％のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ
％のＳｉＯ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０１５ｗｔ
％のＢｉ２Ｏ３、０.０５ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品
３）、主成分組成５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２５.
０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０
１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０
１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３
（比較品４）を含有するＭｎ−Ｚｎフェライトも同様の
工程で作製した。
【００２４】表２に、比較品と発明品の平均結晶粒径、
比抵抗、キュリー温度(Ｔｃ）、１００ｋＨｚにおける
初透磁率(μ)、巻線数１０ターンのインピーダンスの最
大値(Ｚmax)を示す。
比抵抗、キュリー温度(Ｔｃ）、１００ｋＨｚにおける
初透磁率(μ)、巻線数１０ターンのインピーダンスの最
大値(Ｚmax)を示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】表２より、５２.０ｍｏｌ％以上から５３.
０ｍｏｌ％以下の範囲のＦｅ2Ｏ3とした発明品は、μ、
Ｚ、および比抵抗が高いことがわかる。１９.０ｍｏｌ
％以上から２３.５ｍｏｌ％以下の範囲のＺｎＯとした
発明品は、μ、Ｚ、およびＴｃが高いことがわかる。
０ｍｏｌ％以下の範囲のＦｅ2Ｏ3とした発明品は、μ、
Ｚ、および比抵抗が高いことがわかる。１９.０ｍｏｌ
％以上から２３.５ｍｏｌ％以下の範囲のＺｎＯとした
発明品は、μ、Ｚ、およびＴｃが高いことがわかる。
【００２７】（実施例３）発明品として、主成分組成と
して５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％の
ＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.００５ｗｔ％以
上から０.０２５ｗｔ％以下の範囲のＳｉＯ２、ＣａＯ
に換算して０.０２ｗｔ％以上から０.０７ｗｔ％以下の
範囲のＣａ（ＯＨ）２、０.０１５ｗｔ％のＢｉ
２Ｏ３、０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３を秤量し、アトラ
イターを用いて２時間混合した。混合の後、スプレード
ライヤーで造粒した。その後、各混合粉末を８５０℃の
大気中で２時間予焼した。得られた粉末をアトライター
を用いて粉砕した。粉砕後、スプレードライヤーにて造
粒し、２５ｍｍφ−１５ｍｍφ−１２ｍｍのトロイダル
形状にプレスし、１３５０℃の焼成温度、保持時間２時
間で焼成した。
して５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％の
ＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.００５ｗｔ％以
上から０.０２５ｗｔ％以下の範囲のＳｉＯ２、ＣａＯ
に換算して０.０２ｗｔ％以上から０.０７ｗｔ％以下の
範囲のＣａ（ＯＨ）２、０.０１５ｗｔ％のＢｉ
２Ｏ３、０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３を秤量し、アトラ
イターを用いて２時間混合した。混合の後、スプレード
ライヤーで造粒した。その後、各混合粉末を８５０℃の
大気中で２時間予焼した。得られた粉末をアトライター
を用いて粉砕した。粉砕後、スプレードライヤーにて造
粒し、２５ｍｍφ−１５ｍｍφ−１２ｍｍのトロイダル
形状にプレスし、１３５０℃の焼成温度、保持時間２時
間で焼成した。
【００２８】また、比較品として、主成分組成５２.２
ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残
部ＭｎＯ、副成分として０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０
１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３
（比較品５）、主成分組成５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ
３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分と
して０.０３ｗｔ％のＳｉＯ２、０.０３ｗｔ％のＣａ
Ｏ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％のＧ
ａ２Ｏ３（比較品６）、５２.２ｍｏｌ％のＦｅ
２Ｏ ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成
分として０.０１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.０１ｗｔ％の
ＣａＯ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％
のＧａ２Ｏ３（比較品７）、５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２
Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分
として０.０１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.０８ｗｔ％のＣ
ａＯ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％の
Ｇａ２Ｏ３（比較品８）を含有するＭｎ−Ｚｎフェライ
トも同様の工程で作製した。
ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残
部ＭｎＯ、副成分として０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０
１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３
（比較品５）、主成分組成５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ
３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分と
して０.０３ｗｔ％のＳｉＯ２、０.０３ｗｔ％のＣａ
Ｏ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％のＧ
ａ２Ｏ３（比較品６）、５２.２ｍｏｌ％のＦｅ
２Ｏ ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成
分として０.０１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.０１ｗｔ％の
ＣａＯ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％
のＧａ２Ｏ３（比較品７）、５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２
Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分
として０.０１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.０８ｗｔ％のＣ
ａＯ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％の
Ｇａ２Ｏ３（比較品８）を含有するＭｎ−Ｚｎフェライ
トも同様の工程で作製した。
【００２９】表３に、比較品と発明品の平均結晶粒径、
比抵抗、キュリー温度（Ｔｃ）、１００ｋＨｚにおける
初透磁率（μ）、巻線数１０ターンのインピーダンスの
最大値（Ｚmax）を示す。
比抵抗、キュリー温度（Ｔｃ）、１００ｋＨｚにおける
初透磁率（μ）、巻線数１０ターンのインピーダンスの
最大値（Ｚmax）を示す。
【００３０】
【表３】
【００３１】表３より、０.００５ｗｔ％以上から０.０
２５ｗｔ％以下の範囲のＳｉＯ２、０.０２ｗｔ％以上
から０.０７ｗｔ％以下の範囲のＣａＯとした発明品
は、μ、Ｚ、および比抵抗が高いことがわかる。
２５ｗｔ％以下の範囲のＳｉＯ２、０.０２ｗｔ％以上
から０.０７ｗｔ％以下の範囲のＣａＯとした発明品
は、μ、Ｚ、および比抵抗が高いことがわかる。
【００３２】（実施例４）発明品として、主成分組成と
して５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％の
ＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％の
ＳｉＯ２、ＣａＯに換算して０.０３ｗｔ％のＣａ（Ｏ
Ｈ）２、０.０１ｗｔ％以上から０.０３ｗｔ％以下の範
囲のＢｉ２Ｏ３、０.０１ｗｔ％以上から１.０ｗｔ％以
下の範囲のＧａ２Ｏ３を秤量し、アトライターを用いて
２時間混合した。混合の後、スプレードライヤーで造粒
した。その後、各混合粉末を８５０℃の大気中で２時間
予焼した。得られた粉末をアトライターを用いて粉砕し
た。粉砕後、スプレードライヤーにて造粒し、２５ｍｍ
φ−１５ｍｍφ−１２ｍｍのトロイダル形状にプレス
し、１３５０℃の焼成温度、保持時間２時間で焼成し
た。
して５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％の
ＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％の
ＳｉＯ２、ＣａＯに換算して０.０３ｗｔ％のＣａ（Ｏ
Ｈ）２、０.０１ｗｔ％以上から０.０３ｗｔ％以下の範
囲のＢｉ２Ｏ３、０.０１ｗｔ％以上から１.０ｗｔ％以
下の範囲のＧａ２Ｏ３を秤量し、アトライターを用いて
２時間混合した。混合の後、スプレードライヤーで造粒
した。その後、各混合粉末を８５０℃の大気中で２時間
予焼した。得られた粉末をアトライターを用いて粉砕し
た。粉砕後、スプレードライヤーにて造粒し、２５ｍｍ
φ−１５ｍｍφ−１２ｍｍのトロイダル形状にプレス
し、１３５０℃の焼成温度、保持時間２時間で焼成し
た。
【００３３】また、比較品として主成分組成５２.２ｍ
ｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部
ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.
０３ｗｔ％のＣａＯ、０.００５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、
０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品９）、主成分組成
５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％のＳｉ
Ｏ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０３５ｗｔ％のＢｉ
２Ｏ３、０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品１０）、
５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％のＳｉ
Ｏ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ
２Ｏ３、０.００５ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品１
１）、５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％
のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％
のＳｉＯ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０１５ｗｔ％
のＢｉ２Ｏ３、１.２ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品１
２）を含有するＭｎ−Ｚｎフェライトも同様の工程で作
製した。
ｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部
ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.
０３ｗｔ％のＣａＯ、０.００５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、
０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品９）、主成分組成
５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％のＳｉ
Ｏ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０３５ｗｔ％のＢｉ
２Ｏ３、０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品１０）、
５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎ
Ｏ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％のＳｉ
Ｏ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ
２Ｏ３、０.００５ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品１
１）、５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％
のＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％
のＳｉＯ２、０.０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０１５ｗｔ％
のＢｉ２Ｏ３、１.２ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品１
２）を含有するＭｎ−Ｚｎフェライトも同様の工程で作
製した。
【００３４】表４に、比較品と発明品の平均結晶粒径、
比抵抗、キュリー温度（Ｔｃ）、１００ｋＨｚにおける
初透磁率（μ）、巻線数１０ターンのインピーダンスの
最大値（Ｚmax）を示す。
比抵抗、キュリー温度（Ｔｃ）、１００ｋＨｚにおける
初透磁率（μ）、巻線数１０ターンのインピーダンスの
最大値（Ｚmax）を示す。
【００３５】
【表４】
【００３６】表４より、０.０１ｗｔ％以上から０.０３
ｗｔ％以下の範囲のＢｉ２Ｏ３、０.０１ｗｔ％以上か
ら１.０ｗｔ％以下の範囲のＧａ２Ｏ３とした発明品
は、μ、Ｚ、および比抵抗が高いことがわかる。
ｗｔ％以下の範囲のＢｉ２Ｏ３、０.０１ｗｔ％以上か
ら１.０ｗｔ％以下の範囲のＧａ２Ｏ３とした発明品
は、μ、Ｚ、および比抵抗が高いことがわかる。
【００３７】（実施例５）発明品として、主成分組成と
して５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％の
ＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％の
ＳｉＯ２、ＣａＯに換算して０.０３ｗｔ％のＣａ（Ｏ
Ｈ）２、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％
のＧａ２Ｏ３を秤量し、アトライターを用いて２時間混
合した。混合の後、スプレードライヤーで造粒した。そ
の後、各混合粉末を８５０℃の大気中で２時間予焼し
た。得られた粉末をアトライターを用いて粉砕した。粉
砕後、スプレードライヤーにて造粒し、２５ｍｍφ−１
５ｍｍφ−１２ｍｍのトロイダル形状にプレスし、１３
００℃から１３８０℃の範囲の焼成温度、保持時間２時
間で焼成した。
して５２.２ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％の
ＺｎＯ、残部ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％の
ＳｉＯ２、ＣａＯに換算して０.０３ｗｔ％のＣａ（Ｏ
Ｈ）２、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、０.１０ｗｔ％
のＧａ２Ｏ３を秤量し、アトライターを用いて２時間混
合した。混合の後、スプレードライヤーで造粒した。そ
の後、各混合粉末を８５０℃の大気中で２時間予焼し
た。得られた粉末をアトライターを用いて粉砕した。粉
砕後、スプレードライヤーにて造粒し、２５ｍｍφ−１
５ｍｍφ−１２ｍｍのトロイダル形状にプレスし、１３
００℃から１３８０℃の範囲の焼成温度、保持時間２時
間で焼成した。
【００３８】また、比較品として主成分組成５２.２ｍ
ｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部
ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.
０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ3、
０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品１３、１４）を秤
量し、アトライターを用いて２時間混合した。混合の
後、スプレードライヤーで造粒した。その後、各混合粉
末を８５０℃の大気中で２時間予焼した。得られた粉末
をアトライターを用いて粉砕した。粉砕後、スプレード
ライヤーにて造粒し、２５ｍｍφ−１５ｍｍφ−１２ｍ
ｍのトロイダル形状にプレスし、１２８０℃（比較品１
３）および１４００℃（比較品１４）の焼成温度、保持
時間２時間で焼成した。
ｏｌ％のＦｅ２Ｏ３、２２.０ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部
ＭｎＯ、副成分として０.０１５ｗｔ％のＳｉＯ２、０.
０３ｗｔ％のＣａＯ、０.０１５ｗｔ％のＢｉ２Ｏ3、
０.１０ｗｔ％のＧａ２Ｏ３（比較品１３、１４）を秤
量し、アトライターを用いて２時間混合した。混合の
後、スプレードライヤーで造粒した。その後、各混合粉
末を８５０℃の大気中で２時間予焼した。得られた粉末
をアトライターを用いて粉砕した。粉砕後、スプレード
ライヤーにて造粒し、２５ｍｍφ−１５ｍｍφ−１２ｍ
ｍのトロイダル形状にプレスし、１２８０℃（比較品１
３）および１４００℃（比較品１４）の焼成温度、保持
時間２時間で焼成した。
【００３９】表５に、比較品と発明品の平均結晶粒径、
比抵抗、キュリー温度（Ｔｃ）、１００ｋＨｚにおける
初透磁率（μ）、巻線数１０ターンのインピーダンスの
最大値（Ｚmax）を示す。
比抵抗、キュリー温度（Ｔｃ）、１００ｋＨｚにおける
初透磁率（μ）、巻線数１０ターンのインピーダンスの
最大値（Ｚmax）を示す。
【００４０】
【表５】
【００４１】表５より、平均結晶粒径１０μｍ（５μｍ
〜２０μｍ）とした発明品は、μが高いことがわかる。
〜２０μｍ）とした発明品は、μが高いことがわかる。
【００４２】
【発明の効果】以上述べたごとく、主成分組成が５２.
０ｍｏｌ％以上から５３.０ｍｏｌ％以下の範囲のＦｅ
２Ｏ３、１９.０ｍｏｌ％以上から２３.５ｍｏｌ％以下
の範囲のＺｎＯ、残部ＭｎＯからなり、副成分として
０.００５ｗｔ％以上から０.０２５ｗｔ％以下の範囲の
ＳｉＯ２、０.０２ｗｔ％以上から０.０７ｗｔ％以下の
範囲のＣａＯ、０.０１ｗｔ％以上から０.０３ｗｔ％以
下の範囲のＢｉ２Ｏ３、０.０１ｗｔ％以上から１.０ｗ
ｔ％以下の範囲のＧａ２Ｏ３を含有するＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライトの焼結体の平均結晶粒径を５μｍ以上から２０
μｍ以下の範囲とすることで、高透磁率酸化物磁性材料
が得られる事を見出した。本発明品は、高い初透磁率と
インピーダンス特性を同時に実現した。Ｇａ２Ｏ３を添
加することにより、結晶磁気異方性が低減し、高い初透
磁率が得られたと推察される。また、平均結晶粒径を５
μｍ〜２０μｍとすることで、比抵抗、インピーダンス
を低減させることなく高い初透磁率が得られる。
０ｍｏｌ％以上から５３.０ｍｏｌ％以下の範囲のＦｅ
２Ｏ３、１９.０ｍｏｌ％以上から２３.５ｍｏｌ％以下
の範囲のＺｎＯ、残部ＭｎＯからなり、副成分として
０.００５ｗｔ％以上から０.０２５ｗｔ％以下の範囲の
ＳｉＯ２、０.０２ｗｔ％以上から０.０７ｗｔ％以下の
範囲のＣａＯ、０.０１ｗｔ％以上から０.０３ｗｔ％以
下の範囲のＢｉ２Ｏ３、０.０１ｗｔ％以上から１.０ｗ
ｔ％以下の範囲のＧａ２Ｏ３を含有するＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライトの焼結体の平均結晶粒径を５μｍ以上から２０
μｍ以下の範囲とすることで、高透磁率酸化物磁性材料
が得られる事を見出した。本発明品は、高い初透磁率と
インピーダンス特性を同時に実現した。Ｇａ２Ｏ３を添
加することにより、結晶磁気異方性が低減し、高い初透
磁率が得られたと推察される。また、平均結晶粒径を５
μｍ〜２０μｍとすることで、比抵抗、インピーダンス
を低減させることなく高い初透磁率が得られる。
【図１】Ｇａ２Ｏ３を添加した発明品と従来品の、初透
磁率の周波数特性を示す図。
磁率の周波数特性を示す図。
Claims (2)
- 【請求項１】 主成分組成について、Ｆｅ2Ｏ3が５２.
０ｍｏｌ％以上から５３.０ｍｏｌ％以下の範囲、Ｚｎ
Ｏが１９.０ｍｏｌ％以上から２３.５ｍｏｌ％以下の範
囲、残部がＭｎＯからなり、副成分としてＳｉＯ2が０.
００５ｗｔ％以上から０.０２５ｗｔ％以下の範囲、Ｃ
ａＯが０.０２ｗｔ％以上から０.０７ｗｔ％以下の範
囲、Ｂｉ2Ｏ3が０.０１ｗｔ％以上から０.０３ｗｔ％以
下の範囲からなり、かつ０.０１ｗｔ％以上から１.０ｗ
ｔ％以下の範囲のＧａ2Ｏ3を含有することを特徴とする
高透磁率酸化物磁性材料。 - 【請求項２】 前記高透磁率酸化物磁性材料は、焼結体
の平均結晶粒径が５μｍ以上から２０μｍ以下の範囲で
あることを特徴とする請求項１に記載の高透磁率酸化物
磁性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001001313A JP2002208510A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | 高透磁率酸化物磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001001313A JP2002208510A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | 高透磁率酸化物磁性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208510A true JP2002208510A (ja) | 2002-07-26 |
Family
ID=18869969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001001313A Pending JP2002208510A (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | 高透磁率酸化物磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002208510A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019149405A (ja) * | 2018-02-26 | 2019-09-05 | Tdk株式会社 | フェライト焼結磁石、及び回転機 |
| JP2020132501A (ja) * | 2019-02-25 | 2020-08-31 | 株式会社トーキン | 耐熱性高透磁率ＭｎＺｎフェライト |
-
2001
- 2001-01-09 JP JP2001001313A patent/JP2002208510A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019149405A (ja) * | 2018-02-26 | 2019-09-05 | Tdk株式会社 | フェライト焼結磁石、及び回転機 |
| JP2020132501A (ja) * | 2019-02-25 | 2020-08-31 | 株式会社トーキン | 耐熱性高透磁率ＭｎＺｎフェライト |
| JP7160720B2 (ja) | 2019-02-25 | 2022-10-25 | 株式会社トーキン | 耐熱性高透磁率ＭｎＺｎフェライト |
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