JP2002171052A - 配線基板およびこれを用いた電子装置 - Google Patents
配線基板およびこれを用いた電子装置Info
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- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品を長期間にわたり繰り返し作動させ
たとしても、半田バンプに破断が発生することがなく、
搭載する電子部品を長期間にわたり正常に作動させるこ
とが可能な信頼性の高い配線基板および電子装置を提供
すること。 【解決手段】 絶縁基板１上に半田接合パッド２ａ・２
ｂを設けるとともにこの半田接合パッド２ａ・２ｂの外
周部を含む絶縁基板１上に半田接合パッド２ａ・２ｂの
中央部を露出させる開口部３ａ・３ｂを有するソルダー
レジスト層３を被着させて成る配線基板であって、ソル
ダーレジスト層３は、その開口部３ａ・３ｂの側面が半
田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して60〜85度の角度
で外側に向かって広がっている。
たとしても、半田バンプに破断が発生することがなく、
搭載する電子部品を長期間にわたり正常に作動させるこ
とが可能な信頼性の高い配線基板および電子装置を提供
すること。 【解決手段】 絶縁基板１上に半田接合パッド２ａ・２
ｂを設けるとともにこの半田接合パッド２ａ・２ｂの外
周部を含む絶縁基板１上に半田接合パッド２ａ・２ｂの
中央部を露出させる開口部３ａ・３ｂを有するソルダー
レジスト層３を被着させて成る配線基板であって、ソル
ダーレジスト層３は、その開口部３ａ・３ｂの側面が半
田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して60〜85度の角度
で外側に向かって広がっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の電
子部品を搭載するために用いられる配線基板およびこの
配線基板上に半導体素子等の電子部品を搭載して成る電
子装置に関するものである。
子部品を搭載するために用いられる配線基板およびこの
配線基板上に半導体素子等の電子部品を搭載して成る電
子装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子等の電子部品を搭載す
るために用いられる配線基板は、例えばガラス−エポキ
シ板等から成る絶縁板やエポキシ樹脂等から成る絶縁層
を複数層積層して成る絶縁基板の内部および上下面に銅
箔等から成る配線導体を設けて成り、絶縁基板の上下面
に設けられた配線導体の一部に半導体素子等の電子部品
の電極が半田バンプを介して接合される略円形の電子部
品接合用の半田接合パッドや外部電気回路基板の配線導
体に半田バンプを介して接合される略円形の外部接合用
の半田接合パッドが形成されている。そして、この配線
基板は、電子部品接合用の半田接合パッドに電子部品の
電極を半田バンプを介して接合して電子部品を搭載固定
することにより電子装置となり、この電子装置は外部接
合用の半田接合パッドを外部電気回路基板の配線導体に
半田バンプを介して接合することにより外部電気回路基
板に実装される。
るために用いられる配線基板は、例えばガラス−エポキ
シ板等から成る絶縁板やエポキシ樹脂等から成る絶縁層
を複数層積層して成る絶縁基板の内部および上下面に銅
箔等から成る配線導体を設けて成り、絶縁基板の上下面
に設けられた配線導体の一部に半導体素子等の電子部品
の電極が半田バンプを介して接合される略円形の電子部
品接合用の半田接合パッドや外部電気回路基板の配線導
体に半田バンプを介して接合される略円形の外部接合用
の半田接合パッドが形成されている。そして、この配線
基板は、電子部品接合用の半田接合パッドに電子部品の
電極を半田バンプを介して接合して電子部品を搭載固定
することにより電子装置となり、この電子装置は外部接
合用の半田接合パッドを外部電気回路基板の配線導体に
半田バンプを介して接合することにより外部電気回路基
板に実装される。
【０００３】なお、この従来の配線基板においては、隣
接する半田接合パッド同士の半田による電気的短絡を防
止するとともに半田接合パッドの絶縁基板に対する接合
強度を大とするために、半田接合パッドの外周部を含む
絶縁基板の上下面に、半田接合パッドの中央部を露出さ
せる開口部を有するエポキシ樹脂等の絶縁樹脂から成る
ソルダーレジスト層を被着させており、半田バンプはこ
のソルダーレジスト層に設けられた開口部内に露出する
半田接合パッド上に接合されるようになっている。そし
て、このようなソルダーレジスト層を有する従来の配線
基板においては、ソルダーレジスト層に設けられた開口
部の側面は、半田接合パッドの主面に対して略垂直にな
っていた。
接する半田接合パッド同士の半田による電気的短絡を防
止するとともに半田接合パッドの絶縁基板に対する接合
強度を大とするために、半田接合パッドの外周部を含む
絶縁基板の上下面に、半田接合パッドの中央部を露出さ
せる開口部を有するエポキシ樹脂等の絶縁樹脂から成る
ソルダーレジスト層を被着させており、半田バンプはこ
のソルダーレジスト層に設けられた開口部内に露出する
半田接合パッド上に接合されるようになっている。そし
て、このようなソルダーレジスト層を有する従来の配線
基板においては、ソルダーレジスト層に設けられた開口
部の側面は、半田接合パッドの主面に対して略垂直にな
っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
は、この従来の配線基板によると、ソルダーレジスト層
に設けられた開口部の側面が半田接合パッドの主面に対
して略垂直になっていることから、次のような問題点を
有していることを見出した。
は、この従来の配線基板によると、ソルダーレジスト層
に設けられた開口部の側面が半田接合パッドの主面に対
して略垂直になっていることから、次のような問題点を
有していることを見出した。
【０００５】すなわち、ソルダーレジスト層に設けられ
た開口部の側面が半田接合パッドの主面に対して略垂直
になっているため、開口部内に露出する半田接合パッド
に半田バンプを介して電子部品の電極や外部電気回路基
板の配線導体を接合させると、半田バンプが溶融したと
きの表面張力により半田バンプの側面がソルダーレジス
ト層の開口部の外側において開口部の側面に対して急角
度で膨らんだ形状となるので、ソルダーレジスト層の外
側主面と開口部側面との間の角部が半田バンプの側面に
強く当接し、その結果、この半田バンプに電子部品が作
動時に発生する熱による熱応力が印加されると、半田バ
ンプの側面でソルダーレジスト層の外側主面と開口部側
面との間の角部が当接する部位にその熱応力が大きく集
中して作用し、そのためそのような熱応力が長期間にわ
たり繰り返し印加されると、半田バンプにソルダーレジ
スト層の外側主面と開口部側面との間の角部に当接する
部位から破断が発生し、ついには搭載する電子部品を正
常に作動させることができなくなってしまうという問題
点を有していた。
た開口部の側面が半田接合パッドの主面に対して略垂直
になっているため、開口部内に露出する半田接合パッド
に半田バンプを介して電子部品の電極や外部電気回路基
板の配線導体を接合させると、半田バンプが溶融したと
きの表面張力により半田バンプの側面がソルダーレジス
ト層の開口部の外側において開口部の側面に対して急角
度で膨らんだ形状となるので、ソルダーレジスト層の外
側主面と開口部側面との間の角部が半田バンプの側面に
強く当接し、その結果、この半田バンプに電子部品が作
動時に発生する熱による熱応力が印加されると、半田バ
ンプの側面でソルダーレジスト層の外側主面と開口部側
面との間の角部が当接する部位にその熱応力が大きく集
中して作用し、そのためそのような熱応力が長期間にわ
たり繰り返し印加されると、半田バンプにソルダーレジ
スト層の外側主面と開口部側面との間の角部に当接する
部位から破断が発生し、ついには搭載する電子部品を正
常に作動させることができなくなってしまうという問題
点を有していた。
【０００６】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
案出されたものであり、その目的は、ソルダーレジスト
層に設けられた開口部内に露出する半田接合パッドに半
田バンプを介して電子部品の電極や外部電気回路基板の
配線導体を接合させた後、電子部品を長期間にわたり繰
り返し作動させたとしても、半田バンプに破断が発生す
ることがなく、搭載する電子部品を長期間にわたり正常
に作動させることが可能な信頼性の高い配線基板および
電子装置を提供することにある。
案出されたものであり、その目的は、ソルダーレジスト
層に設けられた開口部内に露出する半田接合パッドに半
田バンプを介して電子部品の電極や外部電気回路基板の
配線導体を接合させた後、電子部品を長期間にわたり繰
り返し作動させたとしても、半田バンプに破断が発生す
ることがなく、搭載する電子部品を長期間にわたり正常
に作動させることが可能な信頼性の高い配線基板および
電子装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、絶
縁基板上に半田接合パッドを設けるとともにこの半田接
合パッドの外周部を含む絶縁基板上に半田接合パッドの
中央部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層
を被着させて成る配線基板であって、ソルダーレジスト
層は、その開口部の側面が半田接合パッドの主面に対し
て60〜85度の角度で外側に向かって広がっていることを
特徴とするものである。
縁基板上に半田接合パッドを設けるとともにこの半田接
合パッドの外周部を含む絶縁基板上に半田接合パッドの
中央部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層
を被着させて成る配線基板であって、ソルダーレジスト
層は、その開口部の側面が半田接合パッドの主面に対し
て60〜85度の角度で外側に向かって広がっていることを
特徴とするものである。
【０００８】また、本発明の電子装置は、絶縁基板上に
半田接合パッドを設けるとともにこの半田接合パッドの
外周部を含む絶縁基板上に半田接合パッドの中央部を露
出させる開口部を有するソルダーレジスト層を被着さ
せ、かつソルダーレジスト層の開口部内に露出した半田
接合パッドに半田バンプを介して電子部品を接合して成
る電子装置であって、ソルダーレジスト層は、その開口
部の側面が半田接合パッドの主面に対して60〜85度の角
度で外側に向かって広がっていることを特徴とするもの
である。
半田接合パッドを設けるとともにこの半田接合パッドの
外周部を含む絶縁基板上に半田接合パッドの中央部を露
出させる開口部を有するソルダーレジスト層を被着さ
せ、かつソルダーレジスト層の開口部内に露出した半田
接合パッドに半田バンプを介して電子部品を接合して成
る電子装置であって、ソルダーレジスト層は、その開口
部の側面が半田接合パッドの主面に対して60〜85度の角
度で外側に向かって広がっていることを特徴とするもの
である。
【０００９】本発明の配線基板および電子装置によれ
ば、ソルダーレジスト層の開口部の側面が半田接合パッ
ドの主面に対して60〜85度の角度で外側に向かって広が
っていることから、このソルダーレジスト層の開口部内
に露出する半田接合パッドに半田バンプを接合すると、
半田バンプの側面がソルダーレジスト層の開口部側面に
対して緩い角度で膨れた形状となり、そのためソルダー
レジスト層の外側主面と開口部側面との間の角部が半田
バンプの側面に強く当接することがないので、半田バン
プに電子部品が作動時に発生する熱による熱応力が印加
されてもその角部が当接する部位にその熱応力が大きく
集中して作用するようなことがなく、そのような熱応力
が長期間にわたり繰り返し印加されても半田バンプにソ
ルダーレジスト層の外側主面と開口部側面との間の角部
に当接する部位から破断が発生するようなことがない。
したがって、搭載する電子部品を長期間にわたり正常に
作動させることができる。
ば、ソルダーレジスト層の開口部の側面が半田接合パッ
ドの主面に対して60〜85度の角度で外側に向かって広が
っていることから、このソルダーレジスト層の開口部内
に露出する半田接合パッドに半田バンプを接合すると、
半田バンプの側面がソルダーレジスト層の開口部側面に
対して緩い角度で膨れた形状となり、そのためソルダー
レジスト層の外側主面と開口部側面との間の角部が半田
バンプの側面に強く当接することがないので、半田バン
プに電子部品が作動時に発生する熱による熱応力が印加
されてもその角部が当接する部位にその熱応力が大きく
集中して作用するようなことがなく、そのような熱応力
が長期間にわたり繰り返し印加されても半田バンプにソ
ルダーレジスト層の外側主面と開口部側面との間の角部
に当接する部位から破断が発生するようなことがない。
したがって、搭載する電子部品を長期間にわたり正常に
作動させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面に基づ
き詳細に説明する。図１は、本発明を半導体素子を搭載
するための配線基板およびこれに半導体素子を搭載した
電子装置に適用した場合の実施の形態の一例を示す断面
図であり、１は絶縁基板、２は配線導体、３はソルダー
レジスト層である。この絶縁基板１と配線導体２とソル
ダーレジスト層３とで本発明の配線基板が構成され、こ
れに電子部品としての半導体素子４を搭載することによ
り本発明の電子装置が形成される。
き詳細に説明する。図１は、本発明を半導体素子を搭載
するための配線基板およびこれに半導体素子を搭載した
電子装置に適用した場合の実施の形態の一例を示す断面
図であり、１は絶縁基板、２は配線導体、３はソルダー
レジスト層である。この絶縁基板１と配線導体２とソル
ダーレジスト層３とで本発明の配線基板が構成され、こ
れに電子部品としての半導体素子４を搭載することによ
り本発明の電子装置が形成される。
【００１１】絶縁基板１は、例えばガラス繊維を縦横に
織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミド
トリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状
の芯体１ａの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドト
リアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂをそ
れぞれ複数層ずつ積層して成り、その上面から下面にか
けては銅箔や銅めっき膜等から成る複数の配線導体２が
形成されている。
織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミド
トリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状
の芯体１ａの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドト
リアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂをそ
れぞれ複数層ずつ積層して成り、その上面から下面にか
けては銅箔や銅めっき膜等から成る複数の配線導体２が
形成されている。
【００１２】絶縁基板１を構成する芯体１ａは、厚みが
0.3〜1.5ｍｍ程度であり、その上面から下面にかけて直
径が0.1〜1.0ｍｍ程度の複数の貫通孔５を有している。
そして、その上下面および各貫通孔５の内壁には配線導
体２の一部が被着されており、上下面の配線導体２が貫
通孔５を介して電気的に接続されている。
0.3〜1.5ｍｍ程度であり、その上面から下面にかけて直
径が0.1〜1.0ｍｍ程度の複数の貫通孔５を有している。
そして、その上下面および各貫通孔５の内壁には配線導
体２の一部が被着されており、上下面の配線導体２が貫
通孔５を介して電気的に接続されている。
【００１３】このような芯体１ａは、ガラス織物に未硬
化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱硬化させた
後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すこと
により製作される。なお、芯体１ａ上下面の配線導体２
は、芯体１ａ用のシートの上下全面に厚みが３〜50μｍ
程度の銅箔を貼着しておくとともにこの銅箔をシートの
硬化後にエッチング加工することにより所定のパターン
に形成される。また、貫通孔５内壁の配線導体２は、芯
体１ａに貫通孔５を設けた後に、この貫通孔５内壁に無
電解めっき法および電解めっき法により厚みが３〜50μ
ｍ程度の銅めっき膜を析出させることにより形成され
る。
化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱硬化させた
後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すこと
により製作される。なお、芯体１ａ上下面の配線導体２
は、芯体１ａ用のシートの上下全面に厚みが３〜50μｍ
程度の銅箔を貼着しておくとともにこの銅箔をシートの
硬化後にエッチング加工することにより所定のパターン
に形成される。また、貫通孔５内壁の配線導体２は、芯
体１ａに貫通孔５を設けた後に、この貫通孔５内壁に無
電解めっき法および電解めっき法により厚みが３〜50μ
ｍ程度の銅めっき膜を析出させることにより形成され
る。
【００１４】さらに、芯体１ａは、その貫通孔５の内部
にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱
硬化性樹脂から成る樹脂柱６が充填されている。樹脂柱
６は、貫通孔５を塞ぐことにより貫通孔５の直上および
直下に絶縁層１ｂを形成可能とするためのものであり、
未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔５内にスク
リーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、そ
の上下面を略平坦に研磨することにより形成される。そ
して、この樹脂柱６を含む芯体１ａの上下面に絶縁層１
ｂが積層されている。
にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱
硬化性樹脂から成る樹脂柱６が充填されている。樹脂柱
６は、貫通孔５を塞ぐことにより貫通孔５の直上および
直下に絶縁層１ｂを形成可能とするためのものであり、
未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔５内にスク
リーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、そ
の上下面を略平坦に研磨することにより形成される。そ
して、この樹脂柱６を含む芯体１ａの上下面に絶縁層１
ｂが積層されている。
【００１５】芯体１ａの上下面に積層された絶縁層１ｂ
は、それぞれの厚みが20〜60μｍ程度であり、各層の上
面から下面にかけて直径が30〜100μｍ程度の複数の貫
通孔７を有している。これらの絶縁層１ｂは、配線導体
２を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するための
ものである。そして、上層の配線導体２と下層の配線導
体２とを貫通孔７を介して電気的に接続することにより
高密度配線を立体的に形成可能としている。このような
絶縁層１ｂは、厚みが20〜60μｍ程度の未硬化の熱硬化
性樹脂のフィルムを芯体１ａ上下面に貼着し、これを熱
硬化させるとともにレーザー加工により貫通孔７を穿孔
し、さらにその上に同様にして次の絶縁層１ｂを順次積
み重ねることによって形成される。なお、各絶縁層１ｂ
表面および貫通孔７内に被着された配線導体２は、各絶
縁層１ｂを形成する毎に各絶縁層１ｂの表面および貫通
孔７内に５〜50μｍ程度の厚みの銅めっき膜を公知のセ
ミアディティブ法やサブトラクティブ法等のパターン形
成法により所定のパターンに被着させることによって形
成される。
は、それぞれの厚みが20〜60μｍ程度であり、各層の上
面から下面にかけて直径が30〜100μｍ程度の複数の貫
通孔７を有している。これらの絶縁層１ｂは、配線導体
２を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するための
ものである。そして、上層の配線導体２と下層の配線導
体２とを貫通孔７を介して電気的に接続することにより
高密度配線を立体的に形成可能としている。このような
絶縁層１ｂは、厚みが20〜60μｍ程度の未硬化の熱硬化
性樹脂のフィルムを芯体１ａ上下面に貼着し、これを熱
硬化させるとともにレーザー加工により貫通孔７を穿孔
し、さらにその上に同様にして次の絶縁層１ｂを順次積
み重ねることによって形成される。なお、各絶縁層１ｂ
表面および貫通孔７内に被着された配線導体２は、各絶
縁層１ｂを形成する毎に各絶縁層１ｂの表面および貫通
孔７内に５〜50μｍ程度の厚みの銅めっき膜を公知のセ
ミアディティブ法やサブトラクティブ法等のパターン形
成法により所定のパターンに被着させることによって形
成される。
【００１６】絶縁基板１の上面から下面にかけて形成さ
れた配線導体２は、半導体素子４の各電極を外部電気回
路基板に接続するための導電路として機能し、絶縁基板
１の上面に設けられた部位の一部が半導体素子４の各電
極に例えば鉛−錫共晶合金から成る半田バンプ８を介し
て接合される電子部品接合用の半田接合パッド２ａを、
絶縁基板１の下面に露出した部位の一部が外部電気回路
基板に例えば鉛−錫共晶合金から成る半田バンプ９を介
して接合される外部接合用の半田接合パッド２ｂを形成
している。このような半田接合パッド２ａ・２ｂは、図
２にソルダーレジスト層３を除いた本発明の配線基板の
要部拡大平面図で示すように、配線導体２に接続された
略円形であり、その直径φが電子部品接合用の半田接合
パッド２ａであれば略70〜200μｍ程度であり、外部接
合用の半田接合パッド２ｂであれば略0.5〜１ｍｍ程度
である。
れた配線導体２は、半導体素子４の各電極を外部電気回
路基板に接続するための導電路として機能し、絶縁基板
１の上面に設けられた部位の一部が半導体素子４の各電
極に例えば鉛−錫共晶合金から成る半田バンプ８を介し
て接合される電子部品接合用の半田接合パッド２ａを、
絶縁基板１の下面に露出した部位の一部が外部電気回路
基板に例えば鉛−錫共晶合金から成る半田バンプ９を介
して接合される外部接合用の半田接合パッド２ｂを形成
している。このような半田接合パッド２ａ・２ｂは、図
２にソルダーレジスト層３を除いた本発明の配線基板の
要部拡大平面図で示すように、配線導体２に接続された
略円形であり、その直径φが電子部品接合用の半田接合
パッド２ａであれば略70〜200μｍ程度であり、外部接
合用の半田接合パッド２ｂであれば略0.5〜１ｍｍ程度
である。
【００１７】そして、この配線基板においては、電子部
品接合用の半田接合パッド２ａに半導体素子４の各電極
を半田バンプ８を介して接合して半導体素子４を搭載す
ることによって電子装置となり、この電子装置における
外部接合用の半田接合パッド２ｂを外部電気回路基板の
配線導体に半田バンプ９を介して接合することにより本
発明の電子装置が外部電気回路基板に実装されることと
なる。
品接合用の半田接合パッド２ａに半導体素子４の各電極
を半田バンプ８を介して接合して半導体素子４を搭載す
ることによって電子装置となり、この電子装置における
外部接合用の半田接合パッド２ｂを外部電気回路基板の
配線導体に半田バンプ９を介して接合することにより本
発明の電子装置が外部電気回路基板に実装されることと
なる。
【００１８】さらに、本発明の配線基板および電子装置
においては、半田接合パッド２ａ・２ｂの外周部を含む
絶縁基板１の上下面に半田接合パッド２ａ・２ｂの中央
部を露出させる開口３ａ・３ｂを有するソルダーレジス
ト層３が被着されている。ソルダーレジスト層３は、例
えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無
機物粉末フィラーを30〜70重量％程度分散させた絶縁材
料から成り、半田接合パッド２ａ間・２ｂ間が半田バン
プ８や９により電気的に短絡するのを防止するととも
に、半田接合パッド２ａ・２ｂの絶縁基板１への接合強
度を大きなものとする作用をなす。
においては、半田接合パッド２ａ・２ｂの外周部を含む
絶縁基板１の上下面に半田接合パッド２ａ・２ｂの中央
部を露出させる開口３ａ・３ｂを有するソルダーレジス
ト層３が被着されている。ソルダーレジスト層３は、例
えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無
機物粉末フィラーを30〜70重量％程度分散させた絶縁材
料から成り、半田接合パッド２ａ間・２ｂ間が半田バン
プ８や９により電気的に短絡するのを防止するととも
に、半田接合パッド２ａ・２ｂの絶縁基板１への接合強
度を大きなものとする作用をなす。
【００１９】このようなソルダーレジスト層３は、その
厚みが10〜50μｍ程度であり、ソルダーレジスト層３用
の感光性を有する未硬化樹脂ペーストをロールコーター
法やスクリーン印刷法を採用して絶縁基板１の上下面の
半田接合パッド２ａ・２ｂを含む全面に所定の厚みに塗
布し、これを乾燥させた後、フォトリソグラフィー技術
を採用して露光および現像処理を行なって半田接合パッ
ド２ａ・２ｂの中央部を露出させる開口部３ａ・３ｂを
形成した後、これを熱硬化させることによって形成され
る。あるいは、ソルダーレジスト層３用の未硬化の樹脂
フィルムを絶縁基板１の上下面の半田接合パッド２ａ・
２ｂを含む全面に貼着した後、これを熱硬化させ、しか
る後、半田接合パッド２ａ・２ｂの中央部に対応する位
置にレーザービームを照射し、硬化した樹脂フィルムを
部分的に除去することによって半田接合パッド２ａ・２
ｂの中央部を露出させる開口部３ａ・３ｂを有するよう
に形成される。
厚みが10〜50μｍ程度であり、ソルダーレジスト層３用
の感光性を有する未硬化樹脂ペーストをロールコーター
法やスクリーン印刷法を採用して絶縁基板１の上下面の
半田接合パッド２ａ・２ｂを含む全面に所定の厚みに塗
布し、これを乾燥させた後、フォトリソグラフィー技術
を採用して露光および現像処理を行なって半田接合パッ
ド２ａ・２ｂの中央部を露出させる開口部３ａ・３ｂを
形成した後、これを熱硬化させることによって形成され
る。あるいは、ソルダーレジスト層３用の未硬化の樹脂
フィルムを絶縁基板１の上下面の半田接合パッド２ａ・
２ｂを含む全面に貼着した後、これを熱硬化させ、しか
る後、半田接合パッド２ａ・２ｂの中央部に対応する位
置にレーザービームを照射し、硬化した樹脂フィルムを
部分的に除去することによって半田接合パッド２ａ・２
ｂの中央部を露出させる開口部３ａ・３ｂを有するよう
に形成される。
【００２０】そして、本発明の配線基板および電子装置
においては、このソルダーレジスト層３は、図３に要部
拡大断面図で示すように、その開口部３ａ・３ｂの側面
が半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して60〜85度の
角度θ１で外側に広がって形成されている。このように
ソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂの側面が半田
接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して60〜85度の角度θ
１で外側に広がっていることから、開口部３ａ・３ｂ内
に露出する半田接合パッド２ａ・２ｂに電子部品４の各
電極や外部電気回路基板の配線導体を半田バンプ８・９
を介して接合させると、半田バンプ８・９は、その側面
が開口部３ａ・３ｂの側面に対して緩やかな角度で膨ら
んだ形状となり、ソルダーレジスト層３の外側主面と開
口部３ａ・３ｂの側面との間の角部が半田バンプ８・９
の側面に強く当接することがなくなり、その結果、電子
部品４が作動時に発生する熱による熱応力が半田バンプ
８・９に繰り返し印加されたとしても、その応力が半田
バンプ８・９の側面の一部に大きく集中して印加される
ことはなく、半田バンプ８・９がソルダーレジスト層３
の外側主面と開口部３ａ・３ｂ側面との間の角部に接す
る部位から破断するようなことはない。したがって、本
発明の配線基板および電子装置によれば、搭載する電子
部品４を長期間にわたり正常に作動させることができ
る。
においては、このソルダーレジスト層３は、図３に要部
拡大断面図で示すように、その開口部３ａ・３ｂの側面
が半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して60〜85度の
角度θ１で外側に広がって形成されている。このように
ソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂの側面が半田
接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して60〜85度の角度θ
１で外側に広がっていることから、開口部３ａ・３ｂ内
に露出する半田接合パッド２ａ・２ｂに電子部品４の各
電極や外部電気回路基板の配線導体を半田バンプ８・９
を介して接合させると、半田バンプ８・９は、その側面
が開口部３ａ・３ｂの側面に対して緩やかな角度で膨ら
んだ形状となり、ソルダーレジスト層３の外側主面と開
口部３ａ・３ｂの側面との間の角部が半田バンプ８・９
の側面に強く当接することがなくなり、その結果、電子
部品４が作動時に発生する熱による熱応力が半田バンプ
８・９に繰り返し印加されたとしても、その応力が半田
バンプ８・９の側面の一部に大きく集中して印加される
ことはなく、半田バンプ８・９がソルダーレジスト層３
の外側主面と開口部３ａ・３ｂ側面との間の角部に接す
る部位から破断するようなことはない。したがって、本
発明の配線基板および電子装置によれば、搭載する電子
部品４を長期間にわたり正常に作動させることができ
る。
【００２１】このようなソルダーレジスト層３の開口部
３ａ・３ｂの側面を半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に
対して60〜85度の角度θ１で外側に広がる形状とするに
は、例えば、ソルダーレジスト層３用の感光性を有する
未硬化樹脂ペーストに露光および現像処理を行なって開
口部３ａ・３ｂを形成する場合であれば、露光の光の強
さや散乱度あるいは露光時間等を適宜調整することによ
って開口部３ａ・３ｂの側面を所望の角度で外側に広げ
ることができる。
３ａ・３ｂの側面を半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に
対して60〜85度の角度θ１で外側に広がる形状とするに
は、例えば、ソルダーレジスト層３用の感光性を有する
未硬化樹脂ペーストに露光および現像処理を行なって開
口部３ａ・３ｂを形成する場合であれば、露光の光の強
さや散乱度あるいは露光時間等を適宜調整することによ
って開口部３ａ・３ｂの側面を所望の角度で外側に広げ
ることができる。
【００２２】この場合、露光の際の光の強さを強くする
とともに露光時間を短くすると、半田接合パッド２ａ・
２ｂの主面に対する開口部３ａ・３ｂの側面の角度が大
きくなり、逆に露光の際の光の強さを弱くするとともに
露光時間を長くすると、半田接合パッド２ａ・２ｂの主
面に対する開口部３ａ・３ｂの側面の角度が小さくな
る。また、露光の際に散乱度が小さな光により露光する
と、半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対する開口部３
ａ・３ｂの側面の角度が大きくなり、逆に散乱度が大き
な光により露光すると、半田接合パッド２ａ・２ｂの主
面に対する開口部３ａ・３ｂの側面の角度が小さくな
る。
とともに露光時間を短くすると、半田接合パッド２ａ・
２ｂの主面に対する開口部３ａ・３ｂの側面の角度が大
きくなり、逆に露光の際の光の強さを弱くするとともに
露光時間を長くすると、半田接合パッド２ａ・２ｂの主
面に対する開口部３ａ・３ｂの側面の角度が小さくな
る。また、露光の際に散乱度が小さな光により露光する
と、半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対する開口部３
ａ・３ｂの側面の角度が大きくなり、逆に散乱度が大き
な光により露光すると、半田接合パッド２ａ・２ｂの主
面に対する開口部３ａ・３ｂの側面の角度が小さくな
る。
【００２３】また、硬化したソルダーレジスト層３用の
樹脂フィルムにレーザービームを照射して開口部３ａ・
３ｂを形成する場合であれば、レーザービームの強さや
波長分布・照射回数等を適宜調整することによって開口
部３ａ・３ｂの側面を所望の角度で外側に広げることが
できる。この場合、レーザービームの強さを強くしたり
照射回数を増やすと半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に
対する開口部３ａ・３ｂの側面の角度が大きくなり、逆
にレーザービームの強さを弱くしたり照射回数を減らす
と半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対する開口部３ａ
・３ｂの側面の角度が小さくなる。また、レーザービー
ムとして波長分布の狭いものを使用すると、半田接合パ
ッド２ａ・２ｂの主面に対する開口部３ａ・３ｂの側面
の角度が大きくなり、逆に波長分布の広いものを使用す
ると半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対する開口部３
ａ・３ｂの側面の角度が小さくなる。
樹脂フィルムにレーザービームを照射して開口部３ａ・
３ｂを形成する場合であれば、レーザービームの強さや
波長分布・照射回数等を適宜調整することによって開口
部３ａ・３ｂの側面を所望の角度で外側に広げることが
できる。この場合、レーザービームの強さを強くしたり
照射回数を増やすと半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に
対する開口部３ａ・３ｂの側面の角度が大きくなり、逆
にレーザービームの強さを弱くしたり照射回数を減らす
と半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対する開口部３ａ
・３ｂの側面の角度が小さくなる。また、レーザービー
ムとして波長分布の狭いものを使用すると、半田接合パ
ッド２ａ・２ｂの主面に対する開口部３ａ・３ｂの側面
の角度が大きくなり、逆に波長分布の広いものを使用す
ると半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対する開口部３
ａ・３ｂの側面の角度が小さくなる。
【００２４】なお、ソルダーレジスト層３は、その開口
部３ａ・３ｂ側面が半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に
対して60度未満の角度で外側に広がっている場合、半田
接合パッド２ａ・２ｂの絶縁基板１に対する接合強度が
弱いものとなって半田接合パッド２ａ・２ｂが絶縁基板
１から剥離する危険性が大きくなる傾向にあり、他方、
85度を超える角度の場合には、開口部３ａ・３ｂ内に露
出する半田接合パッド２ａ・２ｂに電子部品４の各電極
や外部電気回路基板の配線導体を半田バンプ８・９を介
して接合させた際に、ソルダーレジスト層３の外側主面
と開口部３ａ・３ｂ側面との間の角部が半田バンプ８・
９の側面に強く当接し、そのため、電子部品４が作動時
に発生する熱による熱応力がソルダーレジスト３の外側
主面と開口３ａ・３ｂ側面との間の角部に当接する半田
バンプ８・９の側面に大きく集中して作用し、半田バン
プ８・９にソルダーレジスト層３の外側主面と開口部３
ａ・３ｂ側面との間の角部に当接する部位から破断が発
生しやすくなってしまう。したがって、ソルダーレジス
ト層３の開口部３ａ・３ｂ側面が外側に広がる角度は、
半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して60〜85度の範
囲に特定される。
部３ａ・３ｂ側面が半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に
対して60度未満の角度で外側に広がっている場合、半田
接合パッド２ａ・２ｂの絶縁基板１に対する接合強度が
弱いものとなって半田接合パッド２ａ・２ｂが絶縁基板
１から剥離する危険性が大きくなる傾向にあり、他方、
85度を超える角度の場合には、開口部３ａ・３ｂ内に露
出する半田接合パッド２ａ・２ｂに電子部品４の各電極
や外部電気回路基板の配線導体を半田バンプ８・９を介
して接合させた際に、ソルダーレジスト層３の外側主面
と開口部３ａ・３ｂ側面との間の角部が半田バンプ８・
９の側面に強く当接し、そのため、電子部品４が作動時
に発生する熱による熱応力がソルダーレジスト３の外側
主面と開口３ａ・３ｂ側面との間の角部に当接する半田
バンプ８・９の側面に大きく集中して作用し、半田バン
プ８・９にソルダーレジスト層３の外側主面と開口部３
ａ・３ｂ側面との間の角部に当接する部位から破断が発
生しやすくなってしまう。したがって、ソルダーレジス
ト層３の開口部３ａ・３ｂ側面が外側に広がる角度は、
半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して60〜85度の範
囲に特定される。
【００２５】さらに、この角度を75〜85度の範囲として
おくと、半田バンプ８・９において半田接合パッド２ａ
・２ｂ主面とソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ
側面との間の角部に発生する応力を小さなものとして、
半田バンプ８・９が半田接合パッド２ａ・２ｂ主面とソ
ルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ側面との間の角
部から剥離することを有効に防止することができる。し
たがって、ソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ側
面が外側に広がる角度は、半田接合パッド２ａ・２ｂの
主面に対して75〜85度の範囲であることが特に好まし
い。
おくと、半田バンプ８・９において半田接合パッド２ａ
・２ｂ主面とソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ
側面との間の角部に発生する応力を小さなものとして、
半田バンプ８・９が半田接合パッド２ａ・２ｂ主面とソ
ルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ側面との間の角
部から剥離することを有効に防止することができる。し
たがって、ソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ側
面が外側に広がる角度は、半田接合パッド２ａ・２ｂの
主面に対して75〜85度の範囲であることが特に好まし
い。
【００２６】また、ソルダーレジスト層３は、半田接合
パッド２ａ・２ｂの外周部を被覆する厚みｔが10μｍ未
満の場合、半田接合パッド２ａ・２ｂを絶縁基板１に強
固に接合することが困難となる傾向にあり、他方、半田
接合パッド２ａ・２ｂの外周部を被覆する厚みｔが40μ
ｍを超えると、半田接合パッド２ａ・２ｂを十分な面積
で被覆したままで半田接合パッド２ａ・２ｂの中央部を
十分な面積で露出させることが困難となる傾向にある。
したがって、ソルダーレジスト層３は、半田接合パッド
２ａ・２ｂの外周部を被覆する厚みｔが10〜40μｍの範
囲であることが好ましい。
パッド２ａ・２ｂの外周部を被覆する厚みｔが10μｍ未
満の場合、半田接合パッド２ａ・２ｂを絶縁基板１に強
固に接合することが困難となる傾向にあり、他方、半田
接合パッド２ａ・２ｂの外周部を被覆する厚みｔが40μ
ｍを超えると、半田接合パッド２ａ・２ｂを十分な面積
で被覆したままで半田接合パッド２ａ・２ｂの中央部を
十分な面積で露出させることが困難となる傾向にある。
したがって、ソルダーレジスト層３は、半田接合パッド
２ａ・２ｂの外周部を被覆する厚みｔが10〜40μｍの範
囲であることが好ましい。
【００２７】さらに、ソルダーレジスト層３は、半田接
合パッド２ａ・２ｂの外周部を被覆する幅ｗが10μｍ未
満では、半田接合パッド２ａ・２ｂを絶縁基板１に強固
に接合することが困難となる傾向にあり、他方、半田接
合パッド２ａ・２ｂの外周部を被覆する幅ｗが40μｍを
超えると、隣接する半田接合パッド２ａ間・２ｂ間の距
離を十分に確保したままで半田接合パッド２ａ・２ｂの
中央部を十分な面積で露出させることが困難となる傾向
にある。したがって、ソルダーレジスト層３は、半田接
合パッド２ａ・２ｂの外周部を被覆する幅ｗが10〜40μ
ｍの範囲であることが好ましい。
合パッド２ａ・２ｂの外周部を被覆する幅ｗが10μｍ未
満では、半田接合パッド２ａ・２ｂを絶縁基板１に強固
に接合することが困難となる傾向にあり、他方、半田接
合パッド２ａ・２ｂの外周部を被覆する幅ｗが40μｍを
超えると、隣接する半田接合パッド２ａ間・２ｂ間の距
離を十分に確保したままで半田接合パッド２ａ・２ｂの
中央部を十分な面積で露出させることが困難となる傾向
にある。したがって、ソルダーレジスト層３は、半田接
合パッド２ａ・２ｂの外周部を被覆する幅ｗが10〜40μ
ｍの範囲であることが好ましい。
【００２８】また、ソルダーレジスト層３は、図４に要
部拡大断面図で示すように、その外側主面と開口部３ａ
・３ｂ側面との間の角部に曲率半径が２〜５μｍ程度の
丸みＲ１を形成しておくと、ソルダーレジスト層３の外
側主面と開口部３ａ・３ｂ側面との角部に接触する半田
バンプ８・９の側面に印加される応力の集中をより良好
に防止することができる。したがって、ソルダーレジス
ト層３は、その外側主面と開口部３ａ・３ｂの側面との
間の角部に曲率半径が２〜５μｍ程度の丸みＲ１を形成
しておくことが好ましい。
部拡大断面図で示すように、その外側主面と開口部３ａ
・３ｂ側面との間の角部に曲率半径が２〜５μｍ程度の
丸みＲ１を形成しておくと、ソルダーレジスト層３の外
側主面と開口部３ａ・３ｂ側面との角部に接触する半田
バンプ８・９の側面に印加される応力の集中をより良好
に防止することができる。したがって、ソルダーレジス
ト層３は、その外側主面と開口部３ａ・３ｂの側面との
間の角部に曲率半径が２〜５μｍ程度の丸みＲ１を形成
しておくことが好ましい。
【００２９】なお、丸みＲ１は、その曲率半径が２μｍ
未満では、ソルダーレジスト層３の外側主面と開口部３
ａ・３ｂ側面との間の角部に接触する半田バンプ８・９
の側面に印加される応力の集中を良好に緩和することが
困難となる傾向にあり、他方、その曲率半径が５μｍを
超えると、半田接合パッド２ａ・２ｂの絶縁基板１に対
する接合強度が弱いものとなって半田接合パッド２ａ・
２ｂが絶縁基板１から剥離する危険性が大きくなる傾向
にある。したがって、ソルダーレジスト層３の外側主面
と開口部３ａ・３ｂの側面との間の角部に形成する丸み
Ｒ１の曲率半径は、２〜５μｍの範囲が好ましい。
未満では、ソルダーレジスト層３の外側主面と開口部３
ａ・３ｂ側面との間の角部に接触する半田バンプ８・９
の側面に印加される応力の集中を良好に緩和することが
困難となる傾向にあり、他方、その曲率半径が５μｍを
超えると、半田接合パッド２ａ・２ｂの絶縁基板１に対
する接合強度が弱いものとなって半田接合パッド２ａ・
２ｂが絶縁基板１から剥離する危険性が大きくなる傾向
にある。したがって、ソルダーレジスト層３の外側主面
と開口部３ａ・３ｂの側面との間の角部に形成する丸み
Ｒ１の曲率半径は、２〜５μｍの範囲が好ましい。
【００３０】このような丸みＲ１は、例えば、ソルダー
レジスト層３用の感光性を有する未硬化樹脂ペーストに
露光および現像処理を行なって開口部３ａ・３ｂを形成
する場合であれば、露光の光の強さや現像の際に用いる
現像液の濃度および現像時間等を適宜調整することによ
って２〜５μｍ程度の曲率半径で形成することができ
る。この場合、露光の光の強さを強いものとするととも
に現像液の濃度を高くして短時間で現像すると丸みＲ１
の曲率半径が大きくなり、逆に露光の光の強さを弱いも
のとするとともに現像液の濃度を低くして長時間で現像
すると、丸みＲ１の曲率半径が小さくなる。また、硬化
したソルダーレジスト層３用の樹脂フィルムにレーザー
ビームを照射して開口部３ａ・３ｂを形成する場合であ
れば、照射するレーザービームの強さをビームの中心部
で強く、ビームの外周部で弱くして照射することによっ
て２〜５μｍの曲率半径で形成することができる。この
場合、ビームの中心部と外周部とのビームの強さの差が
少ないと丸みＲ１の曲率半径が小さくなり、逆に差が大
きいと丸みＲ１の曲率半径が大きくなる。
レジスト層３用の感光性を有する未硬化樹脂ペーストに
露光および現像処理を行なって開口部３ａ・３ｂを形成
する場合であれば、露光の光の強さや現像の際に用いる
現像液の濃度および現像時間等を適宜調整することによ
って２〜５μｍ程度の曲率半径で形成することができ
る。この場合、露光の光の強さを強いものとするととも
に現像液の濃度を高くして短時間で現像すると丸みＲ１
の曲率半径が大きくなり、逆に露光の光の強さを弱いも
のとするとともに現像液の濃度を低くして長時間で現像
すると、丸みＲ１の曲率半径が小さくなる。また、硬化
したソルダーレジスト層３用の樹脂フィルムにレーザー
ビームを照射して開口部３ａ・３ｂを形成する場合であ
れば、照射するレーザービームの強さをビームの中心部
で強く、ビームの外周部で弱くして照射することによっ
て２〜５μｍの曲率半径で形成することができる。この
場合、ビームの中心部と外周部とのビームの強さの差が
少ないと丸みＲ１の曲率半径が小さくなり、逆に差が大
きいと丸みＲ１の曲率半径が大きくなる。
【００３１】またさらに、ソルダーレジスト層３は、図
５に要部拡大断面図で示すように、その開口部３ａ・３
ｂの側面を曲率半径が20〜50μｍ程度の丸みＲ２を有す
る凹面としておくと、開口部３ａ・３ｂ内に露出する半
田接合パッド２ａ・２ｂに電子部品４の各電極や外部電
気回路基板の配線導体を半田バンプ８・９を介して接合
させると、半田バンプ８・９は、その側面が開口部３ａ
・３ｂの側面の凹面に沿ってなだらかに膨らんだ形状と
なり、開口部３ａ・３ｂの側面が半田バンプ８・９の側
面に強く当接することがなくなり、その結果、電子部品
４が作動時に発生する熱による熱応力が半田バンプ８・
９に繰り返し印加されたとしても、その応力が半田バン
プ８・９の側面の一部に大きく集中して印加されること
を極めて有効に防止することができる。したがって、ソ
ルダーレジスト層３はその開口部３ａ・３ｂ側面を曲率
半径が20〜50μｍ程度の丸みＲ２を有する凹面としてお
くことが好ましい。
５に要部拡大断面図で示すように、その開口部３ａ・３
ｂの側面を曲率半径が20〜50μｍ程度の丸みＲ２を有す
る凹面としておくと、開口部３ａ・３ｂ内に露出する半
田接合パッド２ａ・２ｂに電子部品４の各電極や外部電
気回路基板の配線導体を半田バンプ８・９を介して接合
させると、半田バンプ８・９は、その側面が開口部３ａ
・３ｂの側面の凹面に沿ってなだらかに膨らんだ形状と
なり、開口部３ａ・３ｂの側面が半田バンプ８・９の側
面に強く当接することがなくなり、その結果、電子部品
４が作動時に発生する熱による熱応力が半田バンプ８・
９に繰り返し印加されたとしても、その応力が半田バン
プ８・９の側面の一部に大きく集中して印加されること
を極めて有効に防止することができる。したがって、ソ
ルダーレジスト層３はその開口部３ａ・３ｂ側面を曲率
半径が20〜50μｍ程度の丸みＲ２を有する凹面としてお
くことが好ましい。
【００３２】このように、ソルダーレジスト層３の開口
部３ａ・３ｂ側面を曲率半径が20〜50μｍ程度の丸みＲ
２を有する凹面とするには、例えば、ソルダーレジスト
層３用の感光性を有する未硬化樹脂ペーストに露光およ
び現像処理を行なって開口部３ａ・３ｂを形成する場合
であれば、現像時間を長くすることによって曲率半径が
20〜50μｍ程度の丸みＲ２を有する凹面とすることがで
きる。
部３ａ・３ｂ側面を曲率半径が20〜50μｍ程度の丸みＲ
２を有する凹面とするには、例えば、ソルダーレジスト
層３用の感光性を有する未硬化樹脂ペーストに露光およ
び現像処理を行なって開口部３ａ・３ｂを形成する場合
であれば、現像時間を長くすることによって曲率半径が
20〜50μｍ程度の丸みＲ２を有する凹面とすることがで
きる。
【００３３】なお、硬化したソルダーレジスト層３用の
樹脂フィルムにレーザービームを照射して開口部３ａ・
３ｂを形成する場合には、このような丸みＲ２を形成す
ることは多少困難であるので、このような丸みＲ２を形
成する場合にはソルダーレジスト層３用の感光性を有す
る未硬化樹脂ペーストに露光および現像処理を行なって
開口部３ａ・３ｂを形成する方が好ましい。
樹脂フィルムにレーザービームを照射して開口部３ａ・
３ｂを形成する場合には、このような丸みＲ２を形成す
ることは多少困難であるので、このような丸みＲ２を形
成する場合にはソルダーレジスト層３用の感光性を有す
る未硬化樹脂ペーストに露光および現像処理を行なって
開口部３ａ・３ｂを形成する方が好ましい。
【００３４】さらにまた、ソルダーレジスト層３は、図
６に要部拡大断面図で示すように、開口部３ａ・３ｂ側
面の半田接合パッド２ａ・２ｂの主面近傍を半田接合パ
ッド２ａ・２ｂの主面に対して45〜85度の角度θ２で半
田接合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼまる形状として
おくと、半田バンプ８・９において半田接合パッド２ａ
・２ｂ主面とソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ
側面との間の角部に発生する応力を良好に分散させて、
半田バンプ８・９が半田接合パッド２ａ・２ｂ主面とソ
ルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ側面との間の角
部から剥離することを有効に防止することができる。し
たがって、ソルダーレジスト層３は、開口部３ａ・３ｂ
側面の半田接合パッド２ａ・２ｂの主面近傍が半田接合
パッド２ａ・２ｂの主面に対して45〜85度の角度θ２で
半田接合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼまる形状とし
ておくことが好ましい。
６に要部拡大断面図で示すように、開口部３ａ・３ｂ側
面の半田接合パッド２ａ・２ｂの主面近傍を半田接合パ
ッド２ａ・２ｂの主面に対して45〜85度の角度θ２で半
田接合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼまる形状として
おくと、半田バンプ８・９において半田接合パッド２ａ
・２ｂ主面とソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ
側面との間の角部に発生する応力を良好に分散させて、
半田バンプ８・９が半田接合パッド２ａ・２ｂ主面とソ
ルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ側面との間の角
部から剥離することを有効に防止することができる。し
たがって、ソルダーレジスト層３は、開口部３ａ・３ｂ
側面の半田接合パッド２ａ・２ｂの主面近傍が半田接合
パッド２ａ・２ｂの主面に対して45〜85度の角度θ２で
半田接合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼまる形状とし
ておくことが好ましい。
【００３５】このように、ソルダーレジスト層３の開口
部３ａ・３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂの主面近
傍を半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して45〜85度
の角度θ２で半田接合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼ
まる形状とするには、例えば、ソルダーレジスト層３用
の感光性を有する未硬化樹脂ペーストに露光および現像
処理を行なって開口部３ａ・３ｂを形成する場合であれ
ば、散乱度の大きな強い光で短時間露光することによっ
て開口部３ａ・３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂの
主面近傍を半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して45
〜85度の角度θ２で半田接合パッド２ａ・２ｂに向かっ
てすぼまる形状とすることができる。また、硬化したソ
ルダーレジスト層３用の樹脂フィルムにレーザービーム
を照射して開口部３ａ・３ｂを形成する場合であれば、
レーザービームの照射を複数回に分けて行なうとともに
最後の照射を強いレーザービームで行なうことにより開
口部３ａ・３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂの主面
近傍を半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して45〜85
度の角度θ２で半田接合パッド２ａ・２ｂに向かってす
ぼまる形状とすることができる。なお、この場合、開口
部３ａ・３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂの主面近
傍が半田接合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼまる角度
θ２が半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して45度未
満となると、電子部品４が作動時に発生する熱による熱
応力によりソルダーレジスト層３に剥離が発生する危険
性が高くなり、他方85度を超えると、半田バンプ８・９
において半田接合パッド２ａ・２ｂ主面とソルダーレジ
スト層３の開口部３ａ・３ｂ側面との間の角部に発生す
る応力を良好に分散させることが困難となる傾向にあ
る。したがって、ソルダーレジスト層３の開口部３ａ・
３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂ主面近傍が半田接
合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼまる角度θ２は半田
接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して45〜85度の範囲が
好ましい。また、ソルダーレジスト層３の開口部３ａ・
３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂ主面近傍が半田接
合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼまる高さｈが２μｍ
未満では、半田バンプ８・９において半田接合パッド２
ａ・２ｂ主面とソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３
ｂ側面との間の角部に発生する応力を良好に分散させる
ことが困難となる傾向にあり、他方、５μｍを越える
と、電子部品４が作動時に発生する熱による熱応力によ
りソルダーレジスト層３に剥離が発生する危険性が高く
なる。したがって、ソルダーレジスト層３の開口部３ａ
・３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂ主面近傍が半田
接合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼまる高さｈは２〜
５μｍの範囲が好ましい。
部３ａ・３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂの主面近
傍を半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して45〜85度
の角度θ２で半田接合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼ
まる形状とするには、例えば、ソルダーレジスト層３用
の感光性を有する未硬化樹脂ペーストに露光および現像
処理を行なって開口部３ａ・３ｂを形成する場合であれ
ば、散乱度の大きな強い光で短時間露光することによっ
て開口部３ａ・３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂの
主面近傍を半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して45
〜85度の角度θ２で半田接合パッド２ａ・２ｂに向かっ
てすぼまる形状とすることができる。また、硬化したソ
ルダーレジスト層３用の樹脂フィルムにレーザービーム
を照射して開口部３ａ・３ｂを形成する場合であれば、
レーザービームの照射を複数回に分けて行なうとともに
最後の照射を強いレーザービームで行なうことにより開
口部３ａ・３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂの主面
近傍を半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して45〜85
度の角度θ２で半田接合パッド２ａ・２ｂに向かってす
ぼまる形状とすることができる。なお、この場合、開口
部３ａ・３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂの主面近
傍が半田接合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼまる角度
θ２が半田接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して45度未
満となると、電子部品４が作動時に発生する熱による熱
応力によりソルダーレジスト層３に剥離が発生する危険
性が高くなり、他方85度を超えると、半田バンプ８・９
において半田接合パッド２ａ・２ｂ主面とソルダーレジ
スト層３の開口部３ａ・３ｂ側面との間の角部に発生す
る応力を良好に分散させることが困難となる傾向にあ
る。したがって、ソルダーレジスト層３の開口部３ａ・
３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂ主面近傍が半田接
合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼまる角度θ２は半田
接合パッド２ａ・２ｂの主面に対して45〜85度の範囲が
好ましい。また、ソルダーレジスト層３の開口部３ａ・
３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂ主面近傍が半田接
合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼまる高さｈが２μｍ
未満では、半田バンプ８・９において半田接合パッド２
ａ・２ｂ主面とソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３
ｂ側面との間の角部に発生する応力を良好に分散させる
ことが困難となる傾向にあり、他方、５μｍを越える
と、電子部品４が作動時に発生する熱による熱応力によ
りソルダーレジスト層３に剥離が発生する危険性が高く
なる。したがって、ソルダーレジスト層３の開口部３ａ
・３ｂ側面の半田接合パッド２ａ・２ｂ主面近傍が半田
接合パッド２ａ・２ｂに向かってすぼまる高さｈは２〜
５μｍの範囲が好ましい。
【００３６】さらにまた、本発明の電子装置において
は、図７に要部拡大断面図で示すように、ソルダーレジ
スト層３の開口部３ａ・３ｂ側面の上端と半田バンプ８
・９側面との間に１〜10μｍ程度の隙間Ｇを形成してお
くと、電子部品４が作動時に発生する熱により半田バン
プ８・９が大きく熱膨張したとしてもこの隙間Ｇにより
その膨張が良好に許容され、半田バンプ８・９にソルダ
ーレジスト層３の開口３ａ・３ｂ側面から熱応力が印加
されることを良好に防止することができる。したがっ
て、ソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ側面の上
端と半田バンプ８・９の側面との間には１〜10μｍ程度
の隙間Ｇを形成しておくことが好ましい。このような隙
間Ｇは、ソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ側面
の角度および半田バンプ８・９の体積、電子部品４と半
田接合パッド２ａ・２ｂとの間隔等を適宜調整すること
により１〜10μｍ程度に形成することができる。
は、図７に要部拡大断面図で示すように、ソルダーレジ
スト層３の開口部３ａ・３ｂ側面の上端と半田バンプ８
・９側面との間に１〜10μｍ程度の隙間Ｇを形成してお
くと、電子部品４が作動時に発生する熱により半田バン
プ８・９が大きく熱膨張したとしてもこの隙間Ｇにより
その膨張が良好に許容され、半田バンプ８・９にソルダ
ーレジスト層３の開口３ａ・３ｂ側面から熱応力が印加
されることを良好に防止することができる。したがっ
て、ソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ側面の上
端と半田バンプ８・９の側面との間には１〜10μｍ程度
の隙間Ｇを形成しておくことが好ましい。このような隙
間Ｇは、ソルダーレジスト層３の開口部３ａ・３ｂ側面
の角度および半田バンプ８・９の体積、電子部品４と半
田接合パッド２ａ・２ｂとの間隔等を適宜調整すること
により１〜10μｍ程度に形成することができる。
【００３７】かくして、本発明の配線基板および電子装
置によれば、搭載する電子部品を長期間にわたり正常に
作動させることが可能な配線基板および電子装置を提供
することができる。
置によれば、搭載する電子部品を長期間にわたり正常に
作動させることが可能な配線基板および電子装置を提供
することができる。
【００３８】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更が可能であることはいうまでも
ない。
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更が可能であることはいうまでも
ない。
【００３９】
【発明の効果】本発明の配線基板および電子装置によれ
ば、ソルダーレジスト層の開口部の側面が半田接合パッ
ドの主面に対して60〜85度の角度で外側に向かって広が
っていることから、このソルダーレジスト層の開口部内
に露出する半田接合パッドに半田バンプを接合すると、
半田バンプの側面がソルダーレジスト層の開口側面に対
して緩やかな角度で膨れた形状となり、そのためソルダ
ーレジスト層の外側主面と開口側面との間の角部が半田
バンプの側面に強く当接することがなく、その結果、電
子部品が作動時に発生する熱による熱応力が半田バンプ
に繰り返し印加されたとしても、その応力が半田バンプ
の側面の一部に大きく集中して印加されることが有効に
防止される。したがって、半田バンプに熱応力による破
断が発生するようなことはなく、搭載する電子部品を長
期間にわたり正常に作動させることが可能である。
ば、ソルダーレジスト層の開口部の側面が半田接合パッ
ドの主面に対して60〜85度の角度で外側に向かって広が
っていることから、このソルダーレジスト層の開口部内
に露出する半田接合パッドに半田バンプを接合すると、
半田バンプの側面がソルダーレジスト層の開口側面に対
して緩やかな角度で膨れた形状となり、そのためソルダ
ーレジスト層の外側主面と開口側面との間の角部が半田
バンプの側面に強く当接することがなく、その結果、電
子部品が作動時に発生する熱による熱応力が半田バンプ
に繰り返し印加されたとしても、その応力が半田バンプ
の側面の一部に大きく集中して印加されることが有効に
防止される。したがって、半田バンプに熱応力による破
断が発生するようなことはなく、搭載する電子部品を長
期間にわたり正常に作動させることが可能である。
【図１】本発明の配線基板および電子装置の実施の形態
の一例を示す断面図である。
の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の配線基板および電子装置の実施の形態
の一例の要部拡大平面図である。
の一例の要部拡大平面図である。
【図３】本発明の配線基板および電子装置の実施の形態
の一例の要部拡大断面図である。
の一例の要部拡大断面図である。
【図４】本発明の配線基板および電子装置の実施の形態
の他の例の要部拡大断面図である。
の他の例の要部拡大断面図である。
【図５】本発明の配線基板および電子装置の実施の形態
の他の例の要部拡大断面図である。
の他の例の要部拡大断面図である。
【図６】本発明の配線基板および電子装置の実施の形態
の他の例の要部拡大断面図である。
の他の例の要部拡大断面図である。
【図７】本発明の配線基板および電子装置の実施の形態
の他の例の要部拡大断面図である。
の他の例の要部拡大断面図である。
１・・・・・絶縁基体 ２・・・・・配線導体 ２ａ，２ｂ・・・・半田接合パッド ３・・・・・ソルダーレジスト層 ３ａ，３ｂ・・・ソルダーレジスト層３の開口部 ４・・・・・電子部品としての半導体素子 ８，９・・・半田バンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板上に半田接合パッドを設けると
ともに該半田接合パッドの外周部を含む前記絶縁基板上
に前記半田接合パッドの中央部を露出させる開口部を有
するソルダーレジスト層を被着させて成る配線基板であ
って、前記ソルダーレジスト層は、前記開口部の側面が
前記半田接合パッドの主面に対して６０〜８５度の角度
で外側に向かって広がっていることを特徴とする配線基
板。 - 【請求項２】 絶縁基板上に半田接合パッドを設けると
ともに該半田接合パッドの外周部を含む前記絶縁基板上
に前記半田接合パッドの中央部を露出させる開口部を有
するソルダーレジスト層を被着させ、かつ前記開口部内
に露出した前記半田接合パッドに半田バンプを介して電
子部品を接合して成る電子装置であって、前記ソルダー
レジスト層は、前記開口部の側面が前記半田接合パッド
の主面に対して６０〜８５度の角度で外側に向かって広
がっていることを特徴とする電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000368853A JP3860713B2 (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | 配線基板およびこれを用いた電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000368853A JP3860713B2 (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | 配線基板およびこれを用いた電子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002171052A true JP2002171052A (ja) | 2002-06-14 |
| JP3860713B2 JP3860713B2 (ja) | 2006-12-20 |
Family
ID=18838993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000368853A Expired - Fee Related JP3860713B2 (ja) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | 配線基板およびこれを用いた電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3860713B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085308A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 素子搭載用基板、半導体モジュールおよび携帯機器 |
| JP2009117839A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Ibiden Co Ltd | 配線板とその製造方法 |
| JP2011100827A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Nec Corp | 配線基板 |
| JP2013004919A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
| JP2013157628A (ja) * | 2010-07-14 | 2013-08-15 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プリント基板の製造方法 |
| KR101497840B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2015-03-02 | 삼성전기주식회사 | 솔더레지스트 개구 구조 및 회로 기판 |
| JP2020141015A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
| CN112771663A (zh) * | 2018-09-29 | 2021-05-07 | 华为技术有限公司 | 一种焊盘、电子器件及其连接结构、阻焊层的制作方法 |
-
2000
- 2000-12-04 JP JP2000368853A patent/JP3860713B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085308A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 素子搭載用基板、半導体モジュールおよび携帯機器 |
| JP2009117839A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Ibiden Co Ltd | 配線板とその製造方法 |
| US8309856B2 (en) | 2007-11-06 | 2012-11-13 | Ibiden Co., Ltd. | Circuit board and manufacturing method thereof |
| JP2011100827A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Nec Corp | 配線基板 |
| JP2013157628A (ja) * | 2010-07-14 | 2013-08-15 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プリント基板の製造方法 |
| JP2013004919A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
| KR101497840B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2015-03-02 | 삼성전기주식회사 | 솔더레지스트 개구 구조 및 회로 기판 |
| CN112771663A (zh) * | 2018-09-29 | 2021-05-07 | 华为技术有限公司 | 一种焊盘、电子器件及其连接结构、阻焊层的制作方法 |
| JP2020141015A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3860713B2 (ja) | 2006-12-20 |
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