JP3939847B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は配線基板に半導体チップを実装し、その半導体チップを樹脂封止してなるハンダバンプ付き半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子回路の高機能化にともなって、多数の電極端子を有する半導体装置が開発されている。その代表的なものとして表面実装形多端子パッケージであるプラスチック・ボールグリッドアレイ(Plastic Ball Grid Array)(以下、PBGAと記載する。)やフリップチップ・ボールグリッドアレイ(Flip Chip Ball Grid Array)(以下、FCBGAと記載する。)がある。
【0003】
以下、図面を用いて従来の技術を説明する。図35は従来例のPBGAを示す断面図である。図35に記載するように上面側に半導体チップ1とワイヤボンディングするための接続電極3を備え、下面側にハンダバンプ6を設けるためのパット電極4を備え、さらに、樹脂基板2の中心部分の配線15とパット電極4を接続して半導体チップ1の発熱を放散させるためのサーマルビアホール16と、接続電極3とパット電極4を接続するためのスルーホール14と、配線15を保護するためのレジスト5とを備える配線基板18と、配線基板18の中心部分にダイボンド剤7で固定される半導体チップ1と、半導体チップ1上の回路素子を保護するための樹脂膜12と、半導体チップ1の電極と配線基板18の接続電極3を接続するためのボンディングワイヤ8と、半導体チップ1とボンディングワイヤ8を封止するためのトランスファモールド9と、配線基板18のパット電極4上にハンダバンプ6とを有する構造となっている。
【0004】
つぎにPBGAの製造方法を説明する。図36から図39は、従来技術のPBGAの製造工程を示す断面図である。
【0005】
図36に記載するように、樹脂基板2は四角形で板厚が0.2mm程度のガラスエポキシ樹脂からなり、その上下両面に厚さ18μm程度の銅箔17が設けられている。その樹脂基板2には、複数のスルーホール14と半導体チップ1との放熱のためのサーマルビアホール16を切削ドリル加工によって設ける。スルーホール14とサーマルビアホール16の壁面を含む基板面を洗浄した後、樹脂基板2の全表面には、無電解銅メッキ層が設けられる。その銅メッキ層はスルーホール14とサーマルビアホール16の内部にまで形成される。
【0006】
つぎに樹脂基板2の上下両面に、感光性ドライフィルムを張り付け、露光現像してエッチングレジスト膜を形成させる。その後、エッチング液を樹脂基板2の上下両面に吹き付け、エッチングレジスト膜のない露出した銅を除去する。このエッチング後、残ったエッチングレジスト膜を除去する。この工程により図37に記載するように、樹脂基板2の上面側には、ワイヤーボンディング用の接続電極3を、下面側にはハンダバンプ6を形成するためのパット電極4と、両面に配線15が設けられる。なお樹脂基板2の中心部分の配線15とパット電極4は、サーマルビアホール16を介して、またレジストの開口部に当たる接続電極3とパット電極4はスルーホール14を介して接続される。
【0007】
さらに図38に記載するように樹脂基板2の両面にレジストをラミネートし、露光現像を行うことによりレジスト5を設け、接続電極3とパット電極4に当たる部分にはレジスト5に開口部を設ける。
【0008】
つぎに樹脂基板2の上下両面の露出している電極の銅メッキ層の表面に、厚さ2から5μm程度のニッケルメッキ層を設ける。さらに、そのニッケルメッキ層の表面に、コバルト等の不純物を含み、ニッケルメッキ層に食いつきやすい、膜厚が0.05μm程度のフラッシュ金メッキ層を設ける。図示していないが、以上の銅メッキ層とニッケルメッキ層とフラッシュ金メッキ層までの工程が、下地メッキ層を設ける下地メッキ工程である。
【0009】
つぎに下地メッキ層の上に、ボンディングワイヤー8と導通性の優れた厚さ0.3μmから0.7μm程度の金メッキ層を設ける。図示していないが、この工程が金メッキ層を形成する金メッキ工程である。これで配線基板18が完成される。
【0010】
つぎに図39に記載するように配線基板18の上面側の中心部分の上に、ダイボンド剤7を塗布し、その上に半導体チップ1をのせ、ダイボンド剤7が硬化するまで乾燥させることで半導体チップ1は配線基板18上に固定され、半導体チップ1の電極と、配線基板18上の接続電極3をボンディングワイヤ8で電気的に接続する。つぎに半導体チップ1とボンディングワイヤ8は、トランスファモールド9で封止する。
【0011】
この時、半導体チップ1上には回路素子を保護するための樹脂膜12を形成し、ワイヤーボンディングで接続する電極部分は樹脂膜12を露光現像して開口させておく。
【0012】
つぎに配線基板18の下面側のパット電極4に、直径0.6mmから0.8mmのハンダボールを供給し、加熱炉を用いて加熱することによって、ハンダバンプ6が設けられる。これでPBGAが完成する。
【0013】
図40は従来例のFCBGAを示す断面図である。図40に記載するように、上面側に半導体チップ1をフリップチップ実装するための接続電極3を備え、下面側にハンダバンプ6を設けるためのパット電極4を備え、さらに、接続電極3とパット電極4を接続するためのスルーホール14と、配線15を保護するためのレジスト5とを備える配線基板18と、半導体チップ1上の回路素子を保護するための樹脂膜12と、半導体チップ1上に形成した突起電極10と、接続電極3と突起電極10とを接続するための導電接着剤またはハンダ等の接続材料13と、半導体チップ1と配線基板18との間に封止樹脂11とを有し、配線基板18のパット電極4上にハンダバンプ6を有する構造となっている。
【0014】
つぎにFCBGAの製造方法を説明する。図41から図44は、FCBGAの製造工程を示す断面図である。
【0015】
図41に記載するように、樹脂基板2は四角形で板厚が0.2mm程度のガラスエポキシ樹脂からなり、その上下両面に厚さ18μm程度の銅箔17が設けられている。その樹脂基板2には、複数のスルーホール14を切削ドリル加工によって設ける。スルーホール14の壁面を含む基板面を洗浄した後、樹脂基板2の全表面には、無電解銅メッキ層が設けられる。その銅メッキ層はスルーホール14の内部にまで形成される。
【0016】
つぎに樹脂基板2の上下両面に、感光性ドライフィルムを張り付け、露光現像してエッチングレジスト膜を形成させる。その後、エッチング液を樹脂基板2の上下両面に吹き付け、エッチングレジスト膜のない露出した銅を除去する。このエッチング後、残ったエッチングレジスト膜を除去する。この工程により図42に記載するように、樹脂基板2の上面側には、半導体チップ1をフリップチップ実装するための接続電極3を、下面側にはハンダバンプを形成するためのパット電極4と、両面に配線15が設けられる。なお、開口部に当たる接続電極3とパット電極4はスルーホール14を介して接続される。
【0017】
さらに図43に記載するように樹脂基板2の両面にレジストをラミネートし、露光現像を行うことによりレジスト5を設け、接続電極3とパット電極4に当たる部分にはレジスト5の開口部を設ける。
【0018】
つぎに樹脂基板2の上下両面の露出している電極の銅メッキ層の表面に、厚さ2から5μm程度のニッケルメッキ層を設ける。さらに、そのニッケルメッキ層の表面に、コバルト等の不純物を含み、ニッケルメッキ層に食いつきやすい、膜厚が0.05μm程度のフラッシュ金メッキ層を設ける。図示していないが、以上の銅メッキ層とニッケルメッキ層とフラッシュ金メッキ層までの工程が下地メッキ層を設ける下地メッキ工程である。
【0019】
つぎに下地メッキ層の上に、厚さ0.3μmから0.7μm程度の金メッキ層を設ける。図示していないが、この工程が金メッキ層を形成する金メッキ工程である。これで配線基板18が完成される。
【0020】
つぎに図44に記載するように、上記に記載した方法で形成した配線基板18の上面側の接続電極3と、半導体チップ1上に形成した突起電極10とをハンダまたは導電接着剤などの接続材料13で接続する。その後、封止樹脂11を半導体チップ1端部より流し込み熱硬化することで、半導体チップ1を保護する。
【0021】
この時、半導体チップ1上には回路素子を保護するための樹脂膜12を形成し、突起電極10を形成する電極部分は樹脂膜12を露光現像して開口させ、突起電極10はハンダや銅や金などの金属をメッキ法やスタッドバンプ法などで形成しておく。
【0022】
つぎに配線基板18の下面側のパット電極4に、直径0.6mmから0.8mmのハンダボールを供給し、加熱炉を用いて加熱することによって、ハンダバンプ6が設けられる。これでFCBGAが完成する。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】
前述した半導体装置には以下に記載するような問題点がある。一般にPBGAやFCBGAは保管中に程度の差はあれ、配線基板18、トランスファモールド9、封止樹脂11より吸湿する。この状態でPBGAやFCBGAをマザーボード基板に実装するために、加熱炉で加熱すると、吸湿した水分が気化膨張し、応力が発生する。この際、PBGAでは最も強度が弱い、配線基板18の中心部分上のレジスト5とダイボンド剤7との界面で剥離が生じ、FCBGAでは半導体チップ1上の回路素子を保護するための樹脂膜12および配線基板18上の配線15を保護するためのレジスト5と封止樹脂11との界面での剥離が発生する。さらには膨れが発生し、これは一般に、パッケージのポップコーン現象と呼ばれている。
【0024】
ポップコーン現象により、隣りあうハンダバンプ6が接触し、電気的に短絡が発生したり、半導体チップ1が動き、ボンディングワイヤ8の切れが発生するなど半導体装置の信頼性を損なう。
【0025】
配線基板18において、半導体チップ1下のサーマルビアホール16は、半導体チップ1の動作時の発熱をハンダバンプ6より通過させて、PBGAの外側に放散するために設けてある。
【0026】
しかしサーマルビアホール16はPBGAが吸湿の際、水分の流入経路となっている。サーマルビアホール16の下面側は、レジスト5で覆われているが、吸湿水分はレジスト5を浸透し、空洞のサーマルビアホール16を通って、半導体チップ1を固定しているダイボンド剤7の下面近傍に溜まる。このためサーマルビアホール16の数が多いほど、PBGAに吸湿水分が溜まる量が多くなり、ポップコーン現象の発生する傾向が大きくなる。
【0027】
これまではポップコーン現象を防ぐために、サーマルビアホール16の数を減らしていた。しかしながらサーマルビアホール16を減らすことは、半導体チップ1の放熱効果を低下させることになる。
【0028】
本発明の目的は、上記課題を解決して、半導体チップの熱放散性を下げることなく、PBGAおよびFCBGAが吸湿した状態で加熱しても、PBGAでは半導体チップが中心部分とダイボンド剤との界面で剥離することがなく、FCBGAでは封止樹脂と半導体チップ上の樹脂膜との界面あるいは封止樹脂と配線基板上のレジストとの界面で剥離することがなく、さらにポップコーン現象が発生しない、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0032】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造方法は、下記(1)または(2)の特徴を備える。
【0033】
(1)上下面に銅箔貼りした樹脂基板に半導体チップの放熱用貫通穴であるサーマルビアホールと前記樹脂基板の上下面を接続するためのスルーホールを形成する穴あけ加工工程と、前記樹脂基板の全表面と前記穴あけ加工工程で設けられた穴の中に銅メッキ層を設ける銅メッキ工程と、前記樹脂基板の上面側には前記半導体チップの電極とボンディングワイヤで接続される接続電極を、下面側にはハンダバンプを形成するためのパッド電極を形成するパターン化工程と、前記樹脂基板上にレジストを配置し、前記接続電極およびパッド電極の位置にレジストの開口部を形成するレジスト形成工程と、パターン化した前記銅メッキ層上に金メッキのための下地メッキを行う下地メッキ工程と、該下地メッキ層上に金メッキ層を形成する金メッキ工程と、前記半導体チップ上に回路素子を保護する樹脂膜を配置しその電極部分を開口する樹脂膜形成工程と、前記配線基板の中心部分に半導体チップをダイボンド剤で固定するダイボンド工程と、固定された前記半導体チップの前記電極と前記配線基板の前記接続電極を前記ボンディングワイヤで接続するワイヤボンド工程と、配線基板上に固定された前記半導体チップと前記ボンディングワイヤを樹脂で封止するトランスファモールド工程と、前記パッド電極上にハンダボールを供給し、加熱炉で加熱することにより前記ハンダバンプが形成されるバンプ工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記レジスト形成工程と前記樹脂膜形成工程とのいずれか一方または双方の工程は、前記レジストまたは前記樹脂膜の前記開口部を露光現像によって形成する際に、前記開口部以外の表面に、露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で露光現像することによって凹凸をも形成する工程であること。
【0034】
(2)上下面に銅箔貼りした樹脂基板に上下面を接続するためのスルーホールを形成する穴あけ加工工程と、前記樹脂基板の全表面と前記穴あけ加工工程で設けられた穴の中に銅メッキ層を設ける銅メッキ工程と、前記樹脂基板の上面側には前記半導体チップ上に形成した突起電極と接続するための接続電極を、下面側にはハンダバンプを形成するためのパッド電極を形成するパターン化工程と、前記樹脂基板上にレジストを配置し、前記接続電極および前記パッド電極の位置にレジストの開口部分を形成するレジスト形成工程と、パターン化した前記銅メッキ層上に金メッキのための下地メッキを行う下地メッキ工程と、該下地メッキ層上に金メッキ層を形成する金メッキ工程と、前記半導体チップ上の電極部分を開口しかつそれ以外の部分には回路素子を保護するための樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程と、前記配線基板の前記接続電極と前記半導体チップ上に形成した前記突起電極とを導電接着剤またはハンダなどで固定するボンディング工程と、前記半導体チップと前記配線基板との間に封止樹脂を流し込み、加熱炉で加熱硬化させる封止工程と、前記パッド電極上にハンダボールを供給し、加熱炉で加熱することにより前記ハンダバンプが形成されるバンプ工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記レジスト形成工程と前記樹脂膜形成工程とのいずれか一方または双方の工程は、前記レジストまたは前記樹脂膜の前記開口部を露光現像によって形成する際に、前記開口部以外の表面に、露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で露光現像することによって凹凸をも形成する工程であること。
【0042】
[作用]
本発明では、樹脂基板上に形成した配線を保護するためのレジストおよび半導体チップ上の回路素子を保護するための樹脂膜を露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で露光現像することで表面に凹凸を形成している。
【0043】
そのためPBGAにおいては半導体チップを固定させるためのダイボンド剤との接着面積が増加するので接着力が向上し、半導体チップを固定するためのダイボンド剤と樹脂基板上に形成した配線を保護するためのレジストとの界面から進入する水分の経路が長くなるため、従来発生していた半導体チップを固定するためのダイボンド剤の剥離やポップコーン現象などの不良を防ぐことができる。
【0044】
また、FCBGAにおいても半導体チップと配線基板との間に流し込む封止樹脂と、半導体チップ上の回路素子を保護するための樹脂膜および配線基板上の配線を保護するためのレジストとの接着面積が増加するので接着力が向上し、封止樹脂と半導体チップ上の回路素子を保護するための樹脂膜および配線基板上の配線を保護するためのレジストとの界面から進入する水分の経路が長くなるため、従来発生していた封止樹脂の剥離や、ポップコーン現象などの不良を防ぐことができる。
【0045】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて、本発明の実施の形態を実施例により、本発明の半導体装置およびその製造方法について説明する。
【0046】
【実施例】
(実施例1)
図1は本発明の第一の実施例のPBGAを示す断面図である。図1に記載するように、上面側に半導体チップ1とワイヤボンディングするための接続電極3を備え、下面側にハンダバンプ6を設けるためのパット電極4を備え、さらに、樹脂基板2の中心部分の配線15とパット電極4を接続して半導体チップ1の発熱を放散させるためのサーマルビアホール16と、接続電極3とパット電極4を接続するためのスルーホール14と、配線15を保護するための表面に凹凸のあるレジスト5とを備える配線基板18と、配線基板18の中心部分上にダイボンド剤7で固定される半導体チップ1と、半導体チップ1上の回路素子を保護するための樹脂膜12と、半導体チップ1の電極と配線基板18の接続電極3を接続するためのボンディングワイヤ8と、半導体チップ1とボンディングワイヤ8を封止するためのトランスファモールド9と、配線基板18のパット電極4上にハンダバンプ6とを有する構造となっている。
【0047】
つぎに第一の実施例における半導体装置の製造方法を説明する。図2から図5は、第一の実施例の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【0048】
図2に記載するように、樹脂基板2は四角形で板厚が0.2mm程度のガラスエポキシ樹脂からなり、その上下両面に厚さ18μm程度の銅箔17が設けられている。その樹脂基板2には、複数のスルーホール14と半導体チップ1との放熱のためのサーマルビアホール16を切削ドリル加工によって設ける。スルーホール14とサーマルビアホール16の壁面を含む基板面を洗浄した後、樹脂基板2の全表面には、無電解銅メッキ層が設けられる。その銅メッキ層はスルーホール14とサーマルビアホール16の内部にまで形成される。
【0049】
つぎに樹脂基板2の上下両面に、感光性ドライフィルムを張り付け、露光現像してエッチングレジスト膜を形成させる。その後、エッチング液を樹脂基板2の上下両面に吹き付け、エッチングレジスト膜のない露出した銅を除去する。このエッチング後、残ったエッチングレジスト膜を除去する。この工程により図3に記載するように、樹脂基板2の上面側には、ワイヤーボンディング用の接続電極3と、下面側にはハンダバンプ6を形成するためのパット電極4と両面に配線15が設けられる。なお樹脂基板2の中心部分の配線15とパット電極4は、サーマルビアホール14を介して、また、レジストの開口部に当たる接続電極3とパット電極4はスルーホール14を介して接続される。
【0050】
さらに樹脂基板2の両面にレジストをラミネートし、露光現像を行うことによりレジスト5を設け、接続電極3とパット電極4に当たる部分にはレジスト5の開口部を設ける。
【0051】
この時、樹脂基板2の上面側の接続電極3以外の場所にレジスト5の露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で露光現像を行うことで、露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径での部分は完全に開口せず、図4に記載するようにレジスト表面に凹凸を形成することができる。
【0052】
つぎに樹脂基板2の上下両面の露出している電極の銅メッキ層の表面に、厚さ2から5μm程度のニッケルメッキ層を設ける。さらに、そのニッケルメッキ層の表面に、コバルト等の不純物を含み、ニッケルメッキ層に食いつきやすい、膜厚が0.05μm程度のフラッシュ金メッキ層を設ける。図示していないが、以上の銅メッキ層とニッケルメッキ層とフラッシュ金メッキ層までの工程が下地メッキ層を設ける下地メッキ工程である。
【0053】
つぎに下地メッキ層の上に、ボンディングワイヤーと導通性の優れた厚さ0.3μmから0.7μm程度の金メッキ層を設ける。図示していないが、この工程が金メッキ層を形成する金メッキ工程である。これで配線基板18が完成される。
【0054】
つぎに図5に記載するように、上記に記載した方法で形成した配線基板18上面側の中心部分の上に、ダイボンド剤7を塗布し、その上に半導体チップ1をのせ、ダイボンド剤7が硬化するまで乾燥させ、半導体チップ1を配線基板18上に固定し、半導体チップ1の電極と、配線基板18上の接続電極3をボンディングワイヤ8で電気的に接続する。その後、半導体チップ1とボンディングワイヤ8は、トランスファモールド9で封止する。
【0055】
このとき実装する半導体チップ1は図5に記載するように回路素子を保護するための樹脂膜12が形成してあり、ワイヤボンディングで接続する端子部分の樹脂膜12を露光現像により開口させている。
【0056】
つぎに配線基板18の下面側のパット電極4に、直径0.6mmから0.8mmのハンダボールを供給し、加熱炉を用いて加熱することによって、ハンダバンプ6を設ける。これで本発明の半導体装置が完成する。
【0057】
(実施例2)
図6は本発明の第二の実施例のPBGAを示す断面図である。図6に記載するように、上面側に半導体チップ1とワイヤボンディングするための接続電極3を備え、下面側にハンダバンプ6を設けるためのパット電極4を備え、さらに、樹脂基板2の中心部分の配線15とパット電極4を接続して半導体チップ1の発熱を放散させるためのサーマルビアホール16と、接続電極3とパット電極4を接続するためのスルーホール14と、配線15を保護するためのレジスト5とを備える配線基板18と、配線基板18の中心部分上にダイボンド剤7で固定される半導体チップ1と、半導体チップ1上の回路素子を保護するための表面に凹凸のある樹脂膜12と、半導体チップ1の電極と配線基板18の接続電極3を接続するためのボンディングワイヤ8と、半導体チップ1とボンディングワイヤ8を封止するためのトランスファモールド9と、配線基板18のパット電極4上にハンダバンプ6とを有する構造となっている。
【0058】
つぎに第二の実施例における半導体装置の製造方法を説明する。図7から図10は、第二の実施例の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【0059】
図7に記載するように、樹脂基板2は四角形で板厚が0.2mm程度のガラスエポキシ樹脂からなり、その上下両面に厚さ18μm程度の銅箔17が設けられている。その樹脂基板2には、複数のスルーホール14と半導体チップ1との放熱のためのサーマルビアホール16を切削ドリル加工によって設ける。スルーホール14とサーマルビアホール16の壁面を含む基板面を洗浄した後、樹脂基板2の全表面には、無電解銅メッキ層が設けられる。その銅メッキ層はスルーホール14とサーマルビアホール16の内部にまで形成される。
【0060】
つぎに樹脂基板2の上下両面に、感光性ドライフィルムを張り付け、露光現像してエッチングレジスト膜を形成させる。その後、エッチング液を樹脂基板2の上下両面に吹き付け、エッチングレジスト膜のない露出した銅を除去する。このエッチング後、残ったエッチングレジスト膜を除去する。この工程により図8に記載するように、樹脂基板2の上面側には、ワイヤーボンディング用の接続電極3と、下面側にはハンダバンプ6を形成するためのパット電極4と両面に配線15が設けられる。なお樹脂基板2の中心部分の配線15とパット電極4は、サーマルビアホール14を介して、また、レジストの開口部に当たる接続電極3とパット電極4はスルーホール14を介して接続される。
【0061】
さらに図9に記載するように、樹脂基板2の両面にレジストをラミネートし、露光現像を行うことによりレジスト5を設け、接続電極3とパット電極4に当たる部分にはレジスト5の開口部を設ける。
【0062】
つぎに樹脂基板2の上下両面の露出している電極の銅メッキ層の表面に、厚さ2から5μm程度のニッケルメッキ層を設ける。さらに、そのニッケルメッキ層の表面に、コバルト等の不純物を含み、ニッケルメッキ層に食いつきやすい、膜厚が0.05μm程度のフラッシュ金メッキ層を設ける。図示していないが、以上の銅メッキ層とニッケルメッキ層とフラッシュ金メッキ層までの工程が下地メッキ層を設ける下地メッキ工程である。
【0063】
つぎに下地メッキ層の上に、ボンディングワイヤーと導通性の優れた厚さ0.3μmから0.7μm程度の金メッキ層を設ける。図示していないが、この工程が金メッキ層を形成する金メッキ工程である。これで配線基板18が完成される。
【0064】
つぎに図10に記載するように、上記に記載した方法で形成した配線基板18上面側の中心部分の上に、ダイボンド剤7を塗布し、その上に半導体チップ1をのせ、ダイボンド剤7が硬化するまで乾燥させ、半導体チップ1を配線基板18上に固定し、半導体チップ1の電極と、配線基板18上の接続電極3をボンディングワイヤ8で電気的に接続する。その後、半導体チップ1とボンディングワイヤ8は、トランスファモールド9で封止する。
【0065】
このとき実装する半導体チップ1は図10に記載するように回路素子を保護するための樹脂膜12が形成してあり、ワイヤボンディングで接続する端子部分の樹脂膜12を露光現像により開口させる際、露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で突起電極10を形成する端子以外の部分も露光現像することで半導体チップ1の回路素子を保護している樹脂膜12に凹凸を形成している。
【0066】
つぎに配線基板18の下面側のパット電極4に、直径0.6mmから0.8mmのハンダボールを供給し、加熱炉を用いて加熱することによって、ハンダバンプ6を設ける。これで本発明の半導体装置が完成する。
【0067】
(実施例3)
図11は本発明の第三の実施例のPBGAを示す断面図である。図11に記載するように、上面側に半導体チップ1とワイヤボンディングするための接続電極3を備え、下面側にハンダバンプ6を設けるためのパット電極4を備え、さらに、樹脂基板2の中心部分の配線15とパット電極4を接続して半導体チップ1の発熱を放散させるためのサーマルビアホール16と、接続電極3とパット電極4を接続するためのスルーホール14と、配線15を保護するための表面に凹凸のあるレジスト5とを備える配線基板18と、配線基板18の中心部分上にダイボンド剤7で固定される半導体チップ1と、半導体チップ1上の回路素子を保護するための表面に凹凸のある樹脂膜12と、半導体チップ1の電極と配線基板18の接続電極3を接続するためのボンディングワイヤ8と、半導体チップ1とボンディングワイヤ8を封止するためのトランスファモールド9と、配線基板18のパット電極4上にハンダバンプ6とを有する構造となっている。
【0068】
つぎに第三の実施例における半導体装置の製造方法を説明する。図12から図15は、第三の実施例の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【0069】
図12に記載するように、樹脂基板2は四角形で板厚が0.2mm程度のガラスエポキシ樹脂からなり、その上下両面に厚さ18μm程度の銅箔17が設けられている。その樹脂基板2には、複数のスルーホール14と半導体チップ1との放熱のためのサーマルビアホール16を切削ドリル加工によって設ける。スルーホール14とサーマルビアホール16の壁面を含む基板面を洗浄した後、樹脂基板2の全表面には、無電解銅メッキ層が設けられる。その銅メッキ層はスルーホール14とサーマルビアホール16の内部にまで形成される。
【0070】
つぎに樹脂基板2の上下両面に、感光性ドライフィルムを張り付け、露光現像してエッチングレジスト膜を形成させる。その後、エッチング液を樹脂基板2の上下両面に吹き付け、エッチングレジスト膜のない露出した銅を除去する。このエッチング後、残ったエッチングレジスト膜を除去する。この工程により図13に記載するように、樹脂基板2の上面側には、ワイヤーボンディング用の接続電極3と、下面側にはハンダバンプ6を形成するためのパット電極4と両面に配線15が設けられる。なお樹脂基板2の中心部分の配線15とパット電極4は、サーマルビアホール14を介して、また、レジストの開口部に当たる接続電極3とパット電極4はスルーホール14を介して接続される。
【0071】
さらに樹脂基板2の両面にレジストをラミネートし、露光現像を行うことによりレジスト5を設け、接続電極3とパット電極4に当たる部分にはレジスト5の開口部を設ける。
【0072】
この時、樹脂基板2の上面側の接続電極3以外の場所にレジスト5の露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で露光現像を行うことで、露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径での部分は完全に開口せず、図14に記載するようにレジスト表面に凹凸を形成することができる。
【0073】
つぎに樹脂基板2の上下両面の露出している電極の銅メッキ層の表面に、厚さ2から5μm程度のニッケルメッキ層を設ける。さらに、そのニッケルメッキ層の表面に、コバルト等の不純物を含み、ニッケルメッキ層に食いつきやすい、膜厚が0.05μm程度のフラッシュ金メッキ層を設ける。図示していないが、以上の銅メッキ層とニッケルメッキ層とフラッシュ金メッキ層までの工程が下地メッキ層を設ける下地メッキ工程である。
【0074】
つぎに下地メッキ層の上に、ボンディングワイヤーと導通性の優れた厚さ0.3μmから0.7μm程度の金メッキ層を設ける。図示していないが、この工程が金メッキ層を形成する金メッキ工程である。これで配線基板18が完成される。
【0075】
つぎに図15に記載するように、上記に記載した方法で形成した配線基板18上面側の中心部分の上に、ダイボンド剤7を塗布し、その上に半導体チップ1をのせ、ダイボンド剤7が硬化するまで乾燥させ、半導体チップ1を配線基板18上に固定し、半導体チップ1の電極と、配線基板18上の接続電極3をボンディングワイヤ8で電気的に接続する。その後、半導体チップ1とボンディングワイヤ8は、トランスファモールド9で封止する。
【0076】
このとき実装する半導体チップ1は図15に記載するように回路素子を保護するための樹脂膜12が形成してあり、ワイヤボンディングで接続する端子部分の樹脂膜12を露光現像により開口させる際、露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で突起電極10を形成する端子以外の部分も露光現像することで半導体チップ1の回路素子を保護している樹脂膜12に凹凸を形成している。
【0077】
つぎに配線基板18の下面側のパット電極4に、直径0.6mmから0.8mmのハンダボールを供給し、加熱炉を用いて加熱することによって、ハンダバンプ6を設ける。これで本発明の半導体装置が完成する。
【0078】
(実施例4)
図16は本発明の第四の実施例のFCBGAを示す断面図である。図16に記載するように、上面側に半導体チップ1をフリップチップ実装するための接続電極3を備え、下面側にハンダバンプ6を設けるためのパット電極4を備え、さらに、接続電極3とパット電極4を接続するためのスルーホール14と、配線15を保護するための表面に凹凸のあるレジスト5とを備える配線基板18と、半導体チップ1上の回路素子を保護するための樹脂膜12と、半導体チップ1上に形成した突起電極10と、接続電極13と突起電極10を接続するための導電接着剤またはハンダ等の接続材料13と、半導体チップ1と配線基板18の間に封止樹脂11とを有し、配線基板18のパット電極4上にハンダバンプ6を有する構造となっている。
【0079】
つぎに第四の実施例における半導体装置の製造方法を説明する。図17から図20は、第四の実施例における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【0080】
図17に記載するように、樹脂基板2は四角形で板厚が0.2mm程度のガラスエポキシ樹脂からなり、その上下両面に厚さ18μm程度の銅箔17が設けられている。その樹脂基板2には、複数のスルーホール14を切削ドリル加工によって設ける。スルーホール14の壁面を含む基板面を洗浄した後、樹脂基板2の全表面には、無電解銅メッキ層が設けられる。その銅メッキ層はスルーホール14の内部にまで形成される。
【0081】
つぎに樹脂基板2の上下両面に、感光性ドライフィルムを張り付け、露光現像してエッチングレジスト膜を形成させる。その後、エッチング液を樹脂基板2の上下両面に吹き付け、エッチングレジスト膜のない露出した銅を除去する。このエッチング後、残ったエッチングレジスト膜を除去する。この工程により図18に記載するように、樹脂基板2の上面側には、半導体チップ1をフリップチップ実装するための接続電極3と、下面側にはハンダバンプ6を形成するためのパット電極4と、両面に配線15が設けられる。なお、レジストの開口部に当たる接続電極3とパット電極4はスルーホール14を介して接続される。
【0082】
さらに樹脂基板2の両面にレジストをラミネートし、露光現像を行うことによりレジストを設け、接続電極3とパット電極4に当たる部分にはレジスト5の開口部を設ける。
【0083】
この時、樹脂基板2の上面側の接続電極3以外の場所にレジスト5を露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で露光現像を行うことで、露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径での部分は完全に開口せず、図19に記載するようにレジスト5表面に凹凸を形成することができる。
【0084】
つぎに樹脂基板2の上下両面の露出している電極の銅メッキ層の表面に、厚さ2から5μm程度のニッケルメッキ層を設ける。さらに、そのニッケルメッキ層の表面に、コバルト等の不純物を含み、ニッケルメッキ層に食いつきやすい、膜厚が0.05μm程度のフラッシュ金メッキ層を設ける。図示していないが、以上の銅メッキ層とニッケルメッキ層とフラッシュ金メッキ層までの工程が下地メッキ層を設ける下地メッキ工程である。
【0085】
つぎに下地メッキ層の上に、厚さ0.3μmから0.7μm程度の金メッキ層を設ける。図示していないが、この工程が金メッキ層を形成する金メッキ工程である。これで配線基板18が完成される。
【0086】
つぎに図20に記載するように、上記に記載した方法で形成した配線基板18の上面側の接続電極3と、半導体チップ1上に形成した突起電極10とをハンダまたは導電接着剤などの接続材料13でフリップチップ実装を行う。その後、封止樹脂11を半導体チップ1端部より流し込み熱硬化することで、半導体チップ1を保護する。
【0087】
フリップチップ実装する半導体チップ1は回路素子を保護するための樹脂膜12を形成し、突起電極10を形成する電極部分は露光現像により開口させ、突起電極10はハンダや銅や金などの金属をメッキ法やスタッドバンプ法などで形成しておく。
【0088】
つぎに配線基板18の下面側のパット電極4に、直径0.6mmから0.8mmのハンダボールを供給し、加熱炉を用いて加熱することによって、ハンダバンプ6が設けられる。これで本発明の半導体装置が完成する。
【0089】
(実施例5)
図21は本発明の第五の実施例のFCBGAを示す断面図である。図21に記載するように、上面側に半導体チップ1をフリップチップ実装するための接続電極3を備え、下面側にハンダバンプ6を設けるためのパット電極4を備え、さらに、接続電極3とパット電極4を接続するためのスルーホール14と、配線15を保護するためのレジスト5とを備える配線基板18と、半導体チップ1上の回路素子を保護するための表面に凹凸のある樹脂膜12と、半導体チップ1上に形成した突起電極10と、接続電極3と突起電極10を接続するための導電接着剤またはハンダ等の接続材料13と、半導体チップ1と配線基板18の間に封止樹脂11とを有し、配線基板18のパット電極4上にハンダバンプ6を有する構造となっている。
【0090】
つぎに第五の実施例における半導体装置の製造方法を説明する。図22から図27は、第五の実施例における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【0091】
図22に記載するように、樹脂基板2は四角形で板厚が0.2mm程度のガラスエポキシ樹脂からなり、その上下両面に厚さ18μm程度の銅箔17が設けられている。その樹脂基板2には、複数のスルーホール14を切削ドリル加工によって設ける。スルーホール14の壁面を含む基板面を洗浄した後、樹脂基板2の全表面には、無電解銅メッキ層が設けられる。その銅メッキ層はスルーホール14の内部にまで形成される。
【0092】
つぎに樹脂基板2の上下両面に、感光性ドライフィルムを張り付け、露光現像してエッチングレジスト膜を形成させる。その後、エッチング液を樹脂基板2の上下両面に吹き付け、エッチングレジスト膜のない露出した銅を除去する。このエッチング後、残ったエッチングレジスト膜を除去する。この工程により図23に記載するように、樹脂基板2の上面側には、半導体チップ1をフリップチップ実装するための接続電極3と、下面側にはハンダバンプ6を形成するためのパット電極4と、両面に配線15が設けられる。なお、レジストの開口部に当たる接続電極3とパット電極4はスルーホール14を介して接続される。
【0093】
さらに図24に記載するように樹脂基板2の両面にレジスト5をラミネートし、露光現像を行うことによりレジスト5を設け、接続電極3とパット電極4に当たる部分にはレジスト5の開口部を設ける。
【0094】
つぎに樹脂基板2の上下両面の露出している電極の銅メッキ層の表面に、厚さ2から5μm程度のニッケルメッキ層を設ける。さらに、そのニッケルメッキ層の表面に、コバルト等の不純物を含み、ニッケルメッキ層に食いつきやすい、膜厚が0.05μm程度のフラッシュ金メッキ層を設ける。以上の銅メッキ層とニッケルメッキ層とフラッシュ金メッキ層までの工程が下地メッキ層を設ける下地メッキ工程である。
【0095】
つぎに下地メッキ層の上に、厚さ0.3μmから0.7μm程度の金メッキ層を設ける。この工程が金メッキ層を形成する金メッキ工程である。これで配線基板18が完成される。
【0096】
つぎに図27に記載するように、上記に記載した方法で形成した配線基板18の上面側の接続電極3と、半導体チップ1上に形成した突起電極10とをハンダまたは導電接着剤などの接続材料13でフリップチップ実装を行う。その後、封止樹脂11を半導体チップ1端部より流し込み熱硬化することで、半導体チップ1を保護する。
【0097】
フリップチップ実装する半導体チップ1は図25に記載するように回路素子を保護するための樹脂膜12が形成してあり、突起電極10を形成する端子部分の樹脂膜12を露光現像により開口させる際、露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で突起電極10を形成する端子以外の部分も露光現像することで半導体チップ1の回路素子を保護している樹脂膜12に凹凸を形成している。
【0098】
その後、図26に記載するように半導体チップ1上に形成する突起電極10はハンダや銅や金などの金属をメッキ法やスタッドバンプ法などで形成しておく。
【0099】
つぎに配線基板18の下面側のパット電極4に、直径0.6mmから0.8mmのハンダボールを供給し、加熱炉を用いて加熱することによって、ハンダバンプ6が設けられる。これで本発明の半導体装置が完成する。
【0100】
(実施例6)
図28は本発明の第六の実施例のFCBGAを示す断面図である。図28に記載するように、上面側に半導体チップ1をフリップチップ実装するための接続電極3を備え、下面側にハンダバンプ6を設けるためのパット電極4を備え、さらに、接続電極3とパット電極4を接続するためのスルーホール14と、配線15を保護するための表面に凹凸のあるレジスト5とを備える配線基板18と、配線基板18上に形成した接続電極3と、半導体チップ1上の回路素子を保護するための表面に凹凸のある樹脂膜12と、半導体チップ1上に形成した突起電極10と、接続電極3と突起電極10を接続するための導電接着剤またはハンダ等の接続材料13と、半導体チップ1と配線基板18の間に封止樹脂11とを有し、配線基板18のパット電極4上にハンダバンプ6を有する構造となっている。
【0101】
つぎに第六の実施例における半導体装置の製造方法を説明する。図29から図34は、第六の実施例における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【0102】
図29に記載するように、樹脂基板2は四角形で板厚が0.2mm程度のガラスエポキシ樹脂からなり、その上下両面に厚さ18μm程度の銅箔17が設けられている。その樹脂基板2には、複数のスルーホール14を切削ドリル加工によって設ける。スルーホール14の壁面を含む基板面を洗浄した後、樹脂基板2の全表面には、無電解銅メッキ層が設けられる。その銅メッキ層はスルーホール14の内部にまで形成される。
【0103】
つぎに樹脂基板2の上下両面に、感光性ドライフィルムを張り付け、露光現像してエッチングレジスト膜を形成させる。その後エッチング液を樹脂基板2の上下両面に吹き付け、エッチングレジスト膜のない露出した銅を除去する。このエッチング後、残ったエッチングレジスト膜を除去する。この工程により図30に記載するように、樹脂基板2の上面側には、半導体チップ1をフリップチップ実装するための接続電極3と、下面側にはハンダバンプ6を形成するためのパット電極4と、両面に配線15が設けられる。なお、レジストの開口部に当たる接続電極3とパット電極4はスルーホール14を介して接続される。
【0104】
さらに樹脂基板2の両面にレジスト5をラミネートし、露光現像を行うことによりレジスト5を設け、接続電極3とパット電極4に当たる部分にはレジスト5の開口部を設ける。
【0105】
この時、樹脂基板2の上面側の接続電極3以外の場所にレジスト5の露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で露光現像を行うことで、露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径での部分は完全に開口せず、図31に記載するようにレジスト5表面に凹凸を形成することができる。
【0106】
つぎに樹脂基板2の上下両面の露出している銅メッキ層の表面に、厚さ2から5μm程度のニッケルメッキ層を設ける。さらに、そのニッケルメッキ層の表面に、コバルト等の不純物を含み、ニッケルメッキ層に食いつきやすい、膜厚が0.05μm程度のフラッシュ金メッキ層を設ける。以上の銅メッキ層とニッケルメッキ層とフラッシュ金メッキ層までの工程が下地メッキ層を設ける下地メッキ工程である。
【0107】
つぎに下地メッキ層の上に、厚さ0.3μmから0.7μm程度の金メッキ層を設ける。この工程が金メッキ層を形成する金メッキ工程である。これで配線基板18が完成される。
【0108】
つぎに図34に記載するように、上記に記載した方法で形成した配線基板18の上面側の接続電極3と、半導体チップ1上に形成した突起電極10とをハンダまたは導電接着剤などの接続材料13でフリップチップ実装を行う。その後、封止樹脂11を半導体チップ1端部より流し込み熱硬化することで、半導体チップ1を保護する。
【0109】
図32に記載しているようにフリップチップ実装する半導体チップ1は回路素子を保護するための樹脂膜12が形成してあり、突起電極10を形成する端子部分の樹脂膜を露光現像により開口させる際、露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で突起電極10を形成する端子以外の部分も露光現像することで半導体チップ1の回路素子を保護している樹脂膜12に凹凸を形成している。
【0110】
この時、半導体チップ1上に形成する突起電極10は、図33に記載しているようにハンダや銅や金などの金属をメッキ法やスタッドバンプ法などで形成しておく。
【0111】
つぎに配線基板18の下面側のパット電極4に、直径0.6mmから0.8mmのハンダボールを供給し、加熱炉を用いて加熱することによって、ハンダバンプ6が設けられる。これで本発明の半導体装置が完成する。
【0112】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明における半導体装置および製造方法では、配線基板上に形成した配線を保護するためのレジストまたは半導体チップ上の回路素子を保護するための樹脂膜を露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で露光現像することで表面に凹凸を形成している。
【0113】
そのためPBGAにおいては半導体チップを固定させるためのダイボンド剤との接着面積が増加するので接着力が向上し、半導体チップを固定するためのダイボンド剤と配線基板上に形成した配線を保護するためのレジストとの界面から進入する水分の経路が長くなるため、従来発生していたトランスファモールドまたは半導体チップを固定するためのダイボンド剤の剥離やポップコーン現象などの不良を防ぐことができる。
【0114】
また、FCBGAにおいても半導体チップと配線基板との間に流し込む封止樹脂と、半導体チップ上の回路素子を保護するための樹脂膜および配線基板上の配線を保護するためのレジストとの接着面積が増加するので接着力が向上し、封止樹脂と半導体チップ上の回路素子を保護するための樹脂膜および配線基板上の配線を保護するためのレジストとの界面から進入する水分の経路が長くなるため、従来発生していた封止樹脂の剥離や、ポップコーン現象などの不良を防ぐことができる。
【0115】
すなわち、従来のPBGAやFCBGAの製造工程を変更することなく、従来発生していた水分の進入による半導体チップを固定しているダイボンド剤または半導体チップを保護している封止樹脂の剥離やポップコーン現象などの不良を防ぐことができ、信頼性の高い半導体パッケージが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例における半導体装置を示す断面図である。
【図2】本発明の第一の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図3】本発明の第一の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図4】本発明の第一の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図5】本発明の第一の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図6】本発明の第二の実施例における半導体装置を示す断面図である。
【図7】本発明の第二の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図8】本発明の第二の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図9】本発明の第二の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図10】本発明の第二の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図11】本発明の第三の実施例における半導体装置を示す断面図である。
【図12】本発明の第三の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図13】本発明の第三の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図14】本発明の第三の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図15】本発明の第三の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図16】本発明の第四の実施例における半導体装置を示す断面図である。
【図17】本発明の第四の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図18】本発明の第四の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図19】本発明の第四の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図20】本発明の第四の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図21】本発明の第五の実施例における半導体装置を示す断面図である。
【図22】本発明の第五の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図23】本発明の第五の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図24】本発明の第五の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図25】本発明の第五の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図26】本発明の第五の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図27】本発明の第五の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図28】本発明の第六の実施例における半導体装置を示す断面図である。
【図29】本発明の第六の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図30】本発明の第六の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図31】本発明の第六の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図32】本発明の第六の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図33】本発明の第六の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図34】本発明の第六の実施例における半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図35】従来例の半導体装置を示す断面図である。
【図36】従来例の半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図37】従来例の半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図38】従来例の半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図39】従来例の半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図40】従来例の半導体装置を示す断面図である。
【図41】従来例の半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図42】従来例の半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図43】従来例の半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図44】従来例の半導体装置を形成するための製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ
2 樹脂基板
3 接続電極
4 パット電極
5 レジスト
6 ハンダバンプ
7 ダイボンド剤
8 ボンディングワイヤ
9 トランスファモールド
10 突起電極
11 封止樹脂
12 樹脂膜
13 接続材料
14 スルーホール
15 配線
16 サーマルビアホール
17 銅箔
18 配線基板
Claims (2)
- 上下面に銅箔貼りした樹脂基板に半導体チップの放熱用貫通穴であるサーマルビアホールと前記樹脂基板の上下面を接続するためのスルーホールを形成する穴あけ加工工程と、前記樹脂基板の全表面と前記穴あけ加工工程で設けられた穴の中に銅メッキ層を設ける銅メッキ工程と、前記樹脂基板の上面側には前記半導体チップの電極とボンディングワイヤで接続される接続電極を、下面側にはハンダバンプを形成するためのパッド電極を形成するパターン化工程と、前記樹脂基板上にレジストを配置し、前記接続電極およびパッド電極の位置にレジストの開口部を形成するレジスト形成工程と、パターン化した前記銅メッキ層上に金メッキのための下地メッキを行う下地メッキ工程と、該下地メッキ層上に金メッキ層を形成する金メッキ工程と、前記半導体チップ上に回路素子を保護する樹脂膜を配置しその電極部分を開口する樹脂膜形成工程と、前記配線基板の中心部分に半導体チップをダイボンド剤で固定するダイボンド工程と、固定された前記半導体チップの前記電極と前記配線基板の前記接続電極を前記ボンディングワイヤで接続するワイヤボンド工程と、配線基板上に固定された前記半導体チップと前記ボンディングワイヤを樹脂で封止するトランスファモールド工程と、前記パッド電極上にハンダボールを供給し、加熱炉で加熱することにより前記ハンダバンプが形成されるバンプ工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記レジスト形成工程と前記樹脂膜形成工程とのいずれか一方または双方の工程は、前記レジストまたは前記樹脂膜の前記開口部を露光現像によって形成する際に、前記開口部以外の表面に、露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で露光現像することによって凹凸をも形成する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上下面に銅箔貼りした樹脂基板に上下面を接続するためのスルーホールを形成する穴あけ加工工程と、前記樹脂基板の全表面と前記穴あけ加工工程で設けられた穴の中に銅メッキ層を設ける銅メッキ工程と、前記樹脂基板の上面側には前記半導体チップ上に形成した突起電極と接続するための接続電極を、下面側にはハンダバンプを形成するためのパッド電極を形成するパターン化工程と、前記樹脂基板上にレジストを配置し、前記接続電極および前記パッド電極の位置にレジストの開口部分を形成するレジスト形成工程と、パターン化した前記銅メッキ層上に金メッキのための下地メッキを行う下地メッキ工程と、該下地メッキ層上に金メッキ層を形成する金メッキ工程と、前記半導体チップ上の電極部分を開口しかつそれ以外の部分には回路素子を保護するための樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程と、前記配線基板の前記接続電極と前記半導体チップ上に形成した前記突起電極とを導電接着剤またはハンダなどで固定するボンディング工程と、前記半導体チップと前記配線基板との間に封止樹脂を流し込み、加熱炉で加熱硬化させる封止工程と、前記パッド電極上にハンダボールを供給し、加熱炉で加熱することにより前記ハンダバンプが形成されるバンプ工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記レジスト形成工程と前記樹脂膜形成工程とのいずれか一方または双方の工程は、前記レジストまたは前記樹脂膜の前記開口部を露光現像によって形成する際に、前記開口部以外の表面に、露光現像により開口できる最小の開口径よりも小さい開口径で露光現像することによって凹凸をも形成する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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