JP3472601B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、更に
詳細には、基板面に設けられた導体パターンと、前記基
板上に搭載された半導体チップ及び／又は外部に設けら
れた回路基板等との接続が、前記導体パターンに設けら
れた、表面が低融点金属から成るバンプによってなされ
る半導体装置に関する。
詳細には、基板面に設けられた導体パターンと、前記基
板上に搭載された半導体チップ及び／又は外部に設けら
れた回路基板等との接続が、前記導体パターンに設けら
れた、表面が低融点金属から成るバンプによってなされ
る半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置には、図３に示す如く、樹脂
基板１００の上面に搭載された半導体チップ１０２と、
樹脂基板１００上面に形成された導体パターン１０４、
１０４・・とがワイヤボンディングされ、且つ樹脂基板
１００の裏面に形成された導体パターン１０４、１０４
・・に、半球状のはんだボールから成るはんだバンプ１
１２、１１２・・が設けられた半導体装置がある。図３
に示す半導体装置においては、樹脂基板１００上面に形
成された導体パターン１０４、１０４・・と樹脂基板１
００の裏面に形成された導体パターン１０４、１０４・
・とは、スルーホール１０６の内壁面に形成された導体
層によって接続される。また、導体パターン１０４、１
０４・・のボンディングエリヤ及びバンプ１１２、１１
２・・を除き、導体パターン１０４、１０４・・及びス
ルーホール１０６は、導体パターン１０４、１０４・・
間等の絶縁性を確保すべく、絶縁性レジスト層１１３に
よって覆われ又は充填されている。この様な樹脂基板１
００上に搭載された半導体チップ１０２は、封止樹脂１
１０によって封止されて半導体装置を形成する。
基板１００の上面に搭載された半導体チップ１０２と、
樹脂基板１００上面に形成された導体パターン１０４、
１０４・・とがワイヤボンディングされ、且つ樹脂基板
１００の裏面に形成された導体パターン１０４、１０４
・・に、半球状のはんだボールから成るはんだバンプ１
１２、１１２・・が設けられた半導体装置がある。図３
に示す半導体装置においては、樹脂基板１００上面に形
成された導体パターン１０４、１０４・・と樹脂基板１
００の裏面に形成された導体パターン１０４、１０４・
・とは、スルーホール１０６の内壁面に形成された導体
層によって接続される。また、導体パターン１０４、１
０４・・のボンディングエリヤ及びバンプ１１２、１１
２・・を除き、導体パターン１０４、１０４・・及びス
ルーホール１０６は、導体パターン１０４、１０４・・
間等の絶縁性を確保すべく、絶縁性レジスト層１１３に
よって覆われ又は充填されている。この様な樹脂基板１
００上に搭載された半導体チップ１０２は、封止樹脂１
１０によって封止されて半導体装置を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図３に示す半導体装置
は、この半導体装置を回路基板等に実装する際に、半導
体装置を回路基板等の所定位置に位置決めした後、はん
だバンプ１１２、１１２・・に熱を加えてはんだボール
を溶融してから冷却し固化させることによって、回路基
板等と半導体装置との端子同士をはんだ融着することが
できる。更に、半球状のはんだボールから成るはんだバ
ンプ１１２、１１２・・は、セルフアライメント機能を
有するため、半導体装置の位置決め等に多少の誤差があ
っても位置修正を行うこともできる。しかしながら、は
んだバンプ１１２、１１２・・を形成するはんだボール
の溶融は、半導体チップ１０２等が封止樹脂１１０によ
って封止された後に行われるため、半導体装置に対する
熱履歴に因る熱ストレスが発生する。また、はんだバン
プ１１２は、所定の大きさのはんだボールを所定位置に
載置して形成されるため、はんだバンプ１１２、１１２
・・の各々の高さを揃えることは困難である。このた
め、半導体装置の実装の際に、はんだバンプ１１２、１
１２・・の各先端が実装する回路基板の所定箇所に当接
するように、半導体装置を押圧することに起因するスト
レスが加えられることがある。この様な各種ストレスが
加えられた半導体装置には、内部歪みが蓄積されること
によって、半導体装置又は構成部材の破損等を惹起する
おそれがある。
は、この半導体装置を回路基板等に実装する際に、半導
体装置を回路基板等の所定位置に位置決めした後、はん
だバンプ１１２、１１２・・に熱を加えてはんだボール
を溶融してから冷却し固化させることによって、回路基
板等と半導体装置との端子同士をはんだ融着することが
できる。更に、半球状のはんだボールから成るはんだバ
ンプ１１２、１１２・・は、セルフアライメント機能を
有するため、半導体装置の位置決め等に多少の誤差があ
っても位置修正を行うこともできる。しかしながら、は
んだバンプ１１２、１１２・・を形成するはんだボール
の溶融は、半導体チップ１０２等が封止樹脂１１０によ
って封止された後に行われるため、半導体装置に対する
熱履歴に因る熱ストレスが発生する。また、はんだバン
プ１１２は、所定の大きさのはんだボールを所定位置に
載置して形成されるため、はんだバンプ１１２、１１２
・・の各々の高さを揃えることは困難である。このた
め、半導体装置の実装の際に、はんだバンプ１１２、１
１２・・の各先端が実装する回路基板の所定箇所に当接
するように、半導体装置を押圧することに起因するスト
レスが加えられることがある。この様な各種ストレスが
加えられた半導体装置には、内部歪みが蓄積されること
によって、半導体装置又は構成部材の破損等を惹起する
おそれがある。
【０００４】一方、バンプによる半導体装置の実装は、
実装効率を向上することができるため、半導体装置に加
えられる各種ストレスを可及的に減少し得るバンプ形成
が望まれている。また、半導体チップの実装効率の向上
のため、半導体チップと基板面に設けられた導体パター
ンとの接続がワイヤボンディング方式からフリップチッ
プ方式に変換されつつある。かかるフリップチップ方式
においても、半導体チップに加えられる各種ストレスを
減少し得るバンプ形成が望まれている。そこで、本発明
の目的は、半導体チップ又は半導体装置の実装の際に、
半導体チップ又は半導体装置に加えられる各種ストレス
を可及的に減少し得るバンプを具備する半導体装置を提
供することにある。
実装効率を向上することができるため、半導体装置に加
えられる各種ストレスを可及的に減少し得るバンプ形成
が望まれている。また、半導体チップの実装効率の向上
のため、半導体チップと基板面に設けられた導体パター
ンとの接続がワイヤボンディング方式からフリップチッ
プ方式に変換されつつある。かかるフリップチップ方式
においても、半導体チップに加えられる各種ストレスを
減少し得るバンプ形成が望まれている。そこで、本発明
の目的は、半導体チップ又は半導体装置の実装の際に、
半導体チップ又は半導体装置に加えられる各種ストレス
を可及的に減少し得るバンプを具備する半導体装置を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記目的を
達成すべく検討した結果、予めバンプの基部を樹脂によ
って基板面に形成しておくことによって、はんだボール
から成るはんだバンプの如く、はんだボールを溶融して
融着する融着工程を省略できること、及びバンプ高さを
揃えることができることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、基板面に設けられた導体パターン
と、前記基板上に搭載された半導体チップ及び／又は外
部に設けられた回路基板等との接続が、前記導体パター
ンに設けられた、表面が低融点金属から成るバンプによ
ってなされる半導体装置において、該基板が樹脂基板で
あって、前記基板面から直接柱状に突出した、樹脂から
成るバンプ基部の表面の少なくとも一部が、前記導体パ
ターンから延出された導体層によって覆われ、且つ前記
導体層の表面が、前記バンプ基部を形成する樹脂の融点
又は分解温度よりも低温で溶融する低融点金属から成る
金属層によって覆われて成るバンプが、前記基板面に形
成されていることを特徴とする半導体装置にある。かか
る構成の本発明において、バンプ基部を感光性樹脂によ
って形成することにより、樹脂製のバンプ基部を基板面
に容易に形成できる。或いは、バンプ基部を形成する樹
脂として、発泡性樹脂を採用すると、バンプ表面に形成
する金属層を形成する金属が含浸し易く、バンプにフレ
キシブル性を付与できる。更に、バンプ基部の全表面
を、導体パターンから延出された導体層により覆うこと
によって、導体層と金属層との接続を確実に行うことが
でき、半導体装置の実装の際に、金属層を溶融して固化
した金属と導体層との接続を確実に保つことができる。
達成すべく検討した結果、予めバンプの基部を樹脂によ
って基板面に形成しておくことによって、はんだボール
から成るはんだバンプの如く、はんだボールを溶融して
融着する融着工程を省略できること、及びバンプ高さを
揃えることができることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、基板面に設けられた導体パターン
と、前記基板上に搭載された半導体チップ及び／又は外
部に設けられた回路基板等との接続が、前記導体パター
ンに設けられた、表面が低融点金属から成るバンプによ
ってなされる半導体装置において、該基板が樹脂基板で
あって、前記基板面から直接柱状に突出した、樹脂から
成るバンプ基部の表面の少なくとも一部が、前記導体パ
ターンから延出された導体層によって覆われ、且つ前記
導体層の表面が、前記バンプ基部を形成する樹脂の融点
又は分解温度よりも低温で溶融する低融点金属から成る
金属層によって覆われて成るバンプが、前記基板面に形
成されていることを特徴とする半導体装置にある。かか
る構成の本発明において、バンプ基部を感光性樹脂によ
って形成することにより、樹脂製のバンプ基部を基板面
に容易に形成できる。或いは、バンプ基部を形成する樹
脂として、発泡性樹脂を採用すると、バンプ表面に形成
する金属層を形成する金属が含浸し易く、バンプにフレ
キシブル性を付与できる。更に、バンプ基部の全表面
を、導体パターンから延出された導体層により覆うこと
によって、導体層と金属層との接続を確実に行うことが
でき、半導体装置の実装の際に、金属層を溶融して固化
した金属と導体層との接続を確実に保つことができる。
【０００６】
【作用】本発明によれば、半導体チップ搭載前の樹脂基
板にバンプ形成を行うことができ、樹脂基板に搭載され
た半導体チップにバンプ形成のための熱を加えることが
なく、半導体チップに対する熱ストレスを減少すること
ができる。しかも、バンプを形成する樹脂製のバンプ基
部が樹脂基板の基板面から直接突出した柱状体であるた
め、従来の半導体装置のバンプの如く、所定の大きさの
はんだボールを載置することを要せず、得られたバンプ
各々の高さを容易に揃えることができ、半導体装置等の
実装の際に、半導体装置等に加えられる押圧力等に因る
ストレスを低減することができる。更に、バンプ基部が
樹脂製であることから、バンプ基部の位置決めを正確に
行うことができ、バンプを所定位置に正確に形成でき
る。また、樹脂基板の基板面から直接突出するバンプ基
部を覆う金属層を形成する金属量は、従来のはんだボー
ルから成るバンプに比較して、少量とすることができ
る。このため、半導体装置等の実装の際に、金属層を溶
解するために加える熱量を低減でき、半導体装置等に加
えられる熱ストレスも低減できる。
板にバンプ形成を行うことができ、樹脂基板に搭載され
た半導体チップにバンプ形成のための熱を加えることが
なく、半導体チップに対する熱ストレスを減少すること
ができる。しかも、バンプを形成する樹脂製のバンプ基
部が樹脂基板の基板面から直接突出した柱状体であるた
め、従来の半導体装置のバンプの如く、所定の大きさの
はんだボールを載置することを要せず、得られたバンプ
各々の高さを容易に揃えることができ、半導体装置等の
実装の際に、半導体装置等に加えられる押圧力等に因る
ストレスを低減することができる。更に、バンプ基部が
樹脂製であることから、バンプ基部の位置決めを正確に
行うことができ、バンプを所定位置に正確に形成でき
る。また、樹脂基板の基板面から直接突出するバンプ基
部を覆う金属層を形成する金属量は、従来のはんだボー
ルから成るバンプに比較して、少量とすることができ
る。このため、半導体装置等の実装の際に、金属層を溶
解するために加える熱量を低減でき、半導体装置等に加
えられる熱ストレスも低減できる。
【０００７】
【実施例】本発明を図面によって更に詳細に説明する。
図１は、本発明に係る半導体装置を構成する基板の一部
を示す部分断面図である。図１において、半導体チップ
（図示せず）が搭載されるポリイミド樹脂フィルムから
成る樹脂基板１０の表面側と裏面側とに形成された導体
パターン１２、１２・・は、樹脂基板１０に穿設された
スルーホール２０の内壁面に形成された導体層を介して
連結されている。かかる導体パターン１２、１２・・に
は、外部の回路基板等の端子と接続するための複数個の
バンプが形成されている。このバンプは、樹脂基板１０
の基板面から直接柱状に突出する樹脂製のバンプ基部１
４、１４と、導体パターン１２、１２から延出され、バ
ンプ基部１４、１４の全表面を被覆する導体層１６と、
導体層１６の表面を被覆するはんだ金属から成る金属層
１８とで形成される。ここで、金属層１８は加熱溶融さ
れ、外部の回路基板等の端子と導体層１６とを融着する
ものであるため、バンプに金属層１８が溶融する加熱処
理が施されても、バンプ基部１４、１４の形態が保持さ
れることを要する。このため、バンプ基部１４、１４を
形成する樹脂の融点又は分解温度が金属層１８を形成す
るはんだ金属の融点よりも高いことが必要である。この
点、本実施例では、バンプ基部１４、１４を形成する樹
脂として、はんだ金属よりも分解温度が高い、熱硬化性
樹脂であるポイミド樹脂に感光剤を配合した感光性樹脂
を使用する。尚、バンプ基部１４、１４を形成する樹脂
として、ポリテトラフロロエチレン等の発泡性樹脂を使
用することによって、金属層１８を形成するはんだ金属
が含浸し易く、バンプにフレキシブル性を持たせること
ができる。また、樹脂基板１０の基板面に形成された導
体パターン１２、１２・・及びスルーホール２０等は、
金属層１８及びワイヤボンディングエリヤ２４等を除
き、絶縁性レジスト層２２によって覆われ又は充填され
ている。
図１は、本発明に係る半導体装置を構成する基板の一部
を示す部分断面図である。図１において、半導体チップ
（図示せず）が搭載されるポリイミド樹脂フィルムから
成る樹脂基板１０の表面側と裏面側とに形成された導体
パターン１２、１２・・は、樹脂基板１０に穿設された
スルーホール２０の内壁面に形成された導体層を介して
連結されている。かかる導体パターン１２、１２・・に
は、外部の回路基板等の端子と接続するための複数個の
バンプが形成されている。このバンプは、樹脂基板１０
の基板面から直接柱状に突出する樹脂製のバンプ基部１
４、１４と、導体パターン１２、１２から延出され、バ
ンプ基部１４、１４の全表面を被覆する導体層１６と、
導体層１６の表面を被覆するはんだ金属から成る金属層
１８とで形成される。ここで、金属層１８は加熱溶融さ
れ、外部の回路基板等の端子と導体層１６とを融着する
ものであるため、バンプに金属層１８が溶融する加熱処
理が施されても、バンプ基部１４、１４の形態が保持さ
れることを要する。このため、バンプ基部１４、１４を
形成する樹脂の融点又は分解温度が金属層１８を形成す
るはんだ金属の融点よりも高いことが必要である。この
点、本実施例では、バンプ基部１４、１４を形成する樹
脂として、はんだ金属よりも分解温度が高い、熱硬化性
樹脂であるポイミド樹脂に感光剤を配合した感光性樹脂
を使用する。尚、バンプ基部１４、１４を形成する樹脂
として、ポリテトラフロロエチレン等の発泡性樹脂を使
用することによって、金属層１８を形成するはんだ金属
が含浸し易く、バンプにフレキシブル性を持たせること
ができる。また、樹脂基板１０の基板面に形成された導
体パターン１２、１２・・及びスルーホール２０等は、
金属層１８及びワイヤボンディングエリヤ２４等を除
き、絶縁性レジスト層２２によって覆われ又は充填され
ている。
【０００８】図１に示す樹脂基板１０を使用して半導体
装置を製造する際には、樹脂基板１０上に搭載された半
導体チップと導体パターン１２、１２・・とがワイヤボ
ンディングされて接続された後、半導体チップ等を樹脂
封止することによって、半導体装置を得ることができ
る。この様にして得られた半導体装置の実装は、実装す
る回路基板上の所定の位置に半導体装置を載置した後、
バンプ基部１４の表面上を覆う金属層１８が溶融して、
実装する回路基板側の端子とバンプを形成する導体層１
６とを融着するように、加熱処理を施すことによって行
うことができる。この際の加熱は、金属層１８を溶融す
る程度の熱量でよく、従来のはんだボールから成るバン
プの溶融に要する熱量に比較して少なくできるため、半
導体装置に加えられる加熱処理に因る熱ストレスを可及
的に減少できる。また、形成されたバンプの各々の高さ
を揃えることができ、バンプ高さが異なり易いはんだボ
ールから成るバンプを具備する従来の半導体装置に比較
し、半導体装置の実装の際に、半導体装置を押圧するこ
とに因る半導体装置に加えられるストレスも減少でき
る。更に、本実施例において、バンプ基部１４、１４の
全表面が導体層１６によって被覆されているため、金属
層１８を溶融して固化した金属と導体層１６との接続を
確実に保つことができる。
装置を製造する際には、樹脂基板１０上に搭載された半
導体チップと導体パターン１２、１２・・とがワイヤボ
ンディングされて接続された後、半導体チップ等を樹脂
封止することによって、半導体装置を得ることができ
る。この様にして得られた半導体装置の実装は、実装す
る回路基板上の所定の位置に半導体装置を載置した後、
バンプ基部１４の表面上を覆う金属層１８が溶融して、
実装する回路基板側の端子とバンプを形成する導体層１
６とを融着するように、加熱処理を施すことによって行
うことができる。この際の加熱は、金属層１８を溶融す
る程度の熱量でよく、従来のはんだボールから成るバン
プの溶融に要する熱量に比較して少なくできるため、半
導体装置に加えられる加熱処理に因る熱ストレスを可及
的に減少できる。また、形成されたバンプの各々の高さ
を揃えることができ、バンプ高さが異なり易いはんだボ
ールから成るバンプを具備する従来の半導体装置に比較
し、半導体装置の実装の際に、半導体装置を押圧するこ
とに因る半導体装置に加えられるストレスも減少でき
る。更に、本実施例において、バンプ基部１４、１４の
全表面が導体層１６によって被覆されているため、金属
層１８を溶融して固化した金属と導体層１６との接続を
確実に保つことができる。
【０００９】かかる半導体装置を構成する図１に示す基
板は、図２に示す方法によって製造できる。先ず、ポリ
イミド製の樹脂フィルム等から成る樹脂製基板１０の所
定位置に、エッチング、レーザー加工、又はドリル等に
よってスルーホール２０を穿設した後〔図２（ａ）〕、
樹脂製基板１０の基板面の所定箇所に柱状の樹脂製のバ
ンプ基部１４、１４を形成する〔図２（ｂ）〕。かかる
バンプ基部１４、１４は、バンプ基部１４、１４の高さ
と等しい厚さに形成したポイミド樹脂中に感光剤を配合
した感光性樹脂を基板１０の基板面に塗布し、フォトリ
ソグラフィ等によりパターニングすることによって形成
できる。この様に、フォトリソグラフィ等を使用するこ
とによって、バンプ基部１４、１４を正確な位置に形成
できる。次いで、形成したバンプ基部１４、１４の表面
及びスルーホール２０の内壁面を含む樹脂製基板１０の
表面に、蒸着や無電解めっき等によって形成した銅金属
膜３２に〔図２（ｃ）〕、パターニングして導体パター
ン１２、１２・・を形成する〔図２（ｄ）〕。この際
に、導体パターン１２、１２から延出された導体層１６
によって、バンプ基部１４の全表面が被覆されるよう
に、パターニングする。その後、バンプ基部１４を被覆
する導体層１６及びワイヤボンディングエリヤ２４等を
除き、導体パターン１２、１２・・及びスルーホール２
０を絶縁性レジスト層２２によって覆い且つ充填する
〔図２（ｅ）〕。更に、導体層１６の露出面に、はんだ
金属から成る金属層１８を、はんだ金属めっき、溶融は
んだ浴中へのディップ等により形成することによって、
図１に示す基板を得ることができる。尚、図１に示す基
板上に半導体チップを搭載して半導体装置を製造する工
程については、従来の半導体装置の製造工程と同一であ
るため、ここでは詳細を省略する。
板は、図２に示す方法によって製造できる。先ず、ポリ
イミド製の樹脂フィルム等から成る樹脂製基板１０の所
定位置に、エッチング、レーザー加工、又はドリル等に
よってスルーホール２０を穿設した後〔図２（ａ）〕、
樹脂製基板１０の基板面の所定箇所に柱状の樹脂製のバ
ンプ基部１４、１４を形成する〔図２（ｂ）〕。かかる
バンプ基部１４、１４は、バンプ基部１４、１４の高さ
と等しい厚さに形成したポイミド樹脂中に感光剤を配合
した感光性樹脂を基板１０の基板面に塗布し、フォトリ
ソグラフィ等によりパターニングすることによって形成
できる。この様に、フォトリソグラフィ等を使用するこ
とによって、バンプ基部１４、１４を正確な位置に形成
できる。次いで、形成したバンプ基部１４、１４の表面
及びスルーホール２０の内壁面を含む樹脂製基板１０の
表面に、蒸着や無電解めっき等によって形成した銅金属
膜３２に〔図２（ｃ）〕、パターニングして導体パター
ン１２、１２・・を形成する〔図２（ｄ）〕。この際
に、導体パターン１２、１２から延出された導体層１６
によって、バンプ基部１４の全表面が被覆されるよう
に、パターニングする。その後、バンプ基部１４を被覆
する導体層１６及びワイヤボンディングエリヤ２４等を
除き、導体パターン１２、１２・・及びスルーホール２
０を絶縁性レジスト層２２によって覆い且つ充填する
〔図２（ｅ）〕。更に、導体層１６の露出面に、はんだ
金属から成る金属層１８を、はんだ金属めっき、溶融は
んだ浴中へのディップ等により形成することによって、
図１に示す基板を得ることができる。尚、図１に示す基
板上に半導体チップを搭載して半導体装置を製造する工
程については、従来の半導体装置の製造工程と同一であ
るため、ここでは詳細を省略する。
【００１０】本実施例においては、半導体装置の実装に
使用されるバンプについて述べてきたが、半導体チップ
をフリップチップ方式によって基板に搭載する際に使用
されるバンプについても、半導体装置の実装に使用され
るバンプと同様な構造のバンプを使用できる。但し、こ
の場合には、金属層１８は、金めっき層となる。また、
バンプ基部１４の全表面が導体層１６によって被覆され
ているが、金属層１８と導体層１６との接続が確保され
るならば、バンプ基部１４の表面の一部が導体層１６に
よって被覆されているだけであってもよい。この場合に
は、金属層１８を、導体層１６の表面及びバンプ基部１
４、１４の露出面に亘って形成する。
使用されるバンプについて述べてきたが、半導体チップ
をフリップチップ方式によって基板に搭載する際に使用
されるバンプについても、半導体装置の実装に使用され
るバンプと同様な構造のバンプを使用できる。但し、こ
の場合には、金属層１８は、金めっき層となる。また、
バンプ基部１４の全表面が導体層１６によって被覆され
ているが、金属層１８と導体層１６との接続が確保され
るならば、バンプ基部１４の表面の一部が導体層１６に
よって被覆されているだけであってもよい。この場合に
は、金属層１８を、導体層１６の表面及びバンプ基部１
４、１４の露出面に亘って形成する。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置又は半導体
チップの実装を容易に行うことができると共に、半導体
装置又は半導体チップの実装の際に、半導体装置等に加
えられる各種のストレスを可及的に減少できる。このた
め、半導体装置等に蓄積される内部歪みに起因する半導
体装置又は半導体チップを構成する構成部材の破損等の
懸念を解消でき、半導体装置の信頼性を向上できる。
チップの実装を容易に行うことができると共に、半導体
装置又は半導体チップの実装の際に、半導体装置等に加
えられる各種のストレスを可及的に減少できる。このた
め、半導体装置等に蓄積される内部歪みに起因する半導
体装置又は半導体チップを構成する構成部材の破損等の
懸念を解消でき、半導体装置の信頼性を向上できる。
【図１】本発明に係る半導体装置を構成する半導体チッ
プが搭載される基板の一部を示す部分断面図である。
プが搭載される基板の一部を示す部分断面図である。
【図２】図１に示す基板の製造方法を説明するための工
程図である。
程図である。
【図３】従来のバンプを具備する半導体装置を示す断面
図である。
図である。
１０ 樹脂基板
１２ 導体パターン
１４ バンプ基部
１６ 導体層
１８ 金属層
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/12 - 23/15
Claims (4)
- 【請求項１】 基板面に設けられた導体パターンと、前
記基板上に搭載された半導体チップ及び／又は外部に設
けられた回路基板等との接続が、前記導体パターンに設
けられた、表面が低融点金属から成るバンプによってな
される半導体装置において、 該基板が樹脂基板であって、前記基板面から直接柱状に
突出した、樹脂から成るバンプ基部の表面の少なくとも
一部が、前記導体パターンから延出された導体層によっ
て覆われ、 且つ前記導体層の表面が、前記バンプ基部を形成する樹
脂の融点又は分解温度よりも低温で溶融する低融点金属
から成る金属層によって覆われて成るバンプが、前記基
板面に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 バンプ基部が、感光性樹脂を用いて形成
されている請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 バンプ基部が、発泡性樹脂を用いて形成
されている請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 バンプ基部の全表面が、導体パターンか
ら延出された導体層によって覆われている請求項１記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21258293A JP3472601B2 (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21258293A JP3472601B2 (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766318A JPH0766318A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3472601B2 true JP3472601B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=16625092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21258293A Expired - Lifetime JP3472601B2 (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3472601B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6351558B1 (en) | 1996-11-13 | 2002-02-26 | Seiko Epson Corporation | Image processing system, image processing method, and medium having an image processing control program recorded thereon |
| JP2001160597A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Nec Corp | 半導体装置、配線基板及び半導体装置の製造方法 |
| JP4619223B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2011-01-26 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| CN108831875B (zh) * | 2018-08-10 | 2024-03-05 | 浙江熔城半导体有限公司 | 滤波器芯片内嵌且电极外设的封装结构及其制作方法 |
-
1993
- 1993-08-27 JP JP21258293A patent/JP3472601B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766318A (ja) | 1995-03-10 |
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