JP2002164361A - 半導体製造装置および半導体製造方法 - Google Patents

半導体製造装置および半導体製造方法

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JP2002164361A
JP2002164361A JP2000362213A JP2000362213A JP2002164361A JP 2002164361 A JP2002164361 A JP 2002164361A JP 2000362213 A JP2000362213 A JP 2000362213A JP 2000362213 A JP2000362213 A JP 2000362213A JP 2002164361 A JP2002164361 A JP 2002164361A
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JP
Japan
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lead frame
frame
chip
die
die bonding
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JP2000362213A
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English (en)
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Kazuhiro Yoshino
一博 吉野
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数のチップのダイボンドに際して、設備投
資を抑制でき、かつハンドリングやマガジンの詰め替え
が不要な半導体製造装置および半導体製造方法を提供す
る。 【解決手段】 本発明のダイボンド装置30では、ダイ
ボンド材供給部5、ダイボンド材付けヘッド6およびダ
イボンドヘッド7とを含むダイボンド手段によって半導
体チップがダイボンドされたリードフレームが、フレー
ム前送ユニット2、フレーム反転・返送部3およびフレ
ーム後送ユニット4を含むフレーム返送手段によってダ
イボンド手段5、6、7の下流側から上流側へ返送され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置お
よび半導体製造方法に関するものであり、特に、複数の
チップを1個のパッケージに収納した、マルチチップパ
ッケージ(MCP:multi chip package)を製造する際
に基材にチップをダイボンドするための半導体製造装置
および半導体製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来のMCP用ダイボンド装置
の構成を示す平面図である。図2を参照して、従来のダ
イボンド装置130は、フレーム主送り部101と、ダ
イボンド材供給部105と、ダイボンド材付けヘッド1
06と、ダイボンドヘッド107と、チップトランスフ
ァ108とを主に備えている。
【0003】この従来のMCP用ダイボンド装置130
には、ローダ部に配置されたマガジン(ローダマガジ
ン)120aからリードフレーム(図示せず)が供給さ
れる。供給されたリードフレームは、フレーム主送り部
101によりまずダイボンド材供給位置に送られる。そ
の位置にて、ダイボンド材供給部105によって取出さ
れたダイボンド材が、ダイボンド材付けヘッド106に
よりリードフレームに仮付けされる。その後、リードフ
レームはチップダイボンド位置へ送られる。その位置に
て、チップトランスファ108によって取出された半導
体チップ110が、ダイボンドヘッド107によりリー
ドフレームにダイボンド材を介して搭載される(ダイボ
ンドされる)。その後、半導体チップ110がダイボン
ドされたリードフレームはフレーム主送り部101によ
りアンローダ部に配置されたマガジン(アンローダマガ
ジン)120bに送られてその中に収納される。
【0004】次に、MCPにて3チップをリードフレー
ムに搭載する際の製造の流れを図3を用いて、また図3
の各工程を完了したときのリードフレームの状態を図4
に示す。
【0005】まず図3(a)を参照して、ローダマガジ
ン120aからダイボンド装置130Aにリードフレー
ムが供給される。このダイボンド装置130Aは、図2
で説明したダイボンド装置130と同様の構成を有して
いる。このダイボンド装置130Aにより、図4(a)
に示すようにリードフレーム51のアイランド部にダイ
ボンド材52を介して第1の半導体チップ53がダイボ
ンドされる。第1の半導体チップ53がダイボンドされ
たリードフレーム51はアンローダマガジン120bに
収納される。
【0006】次に図3(b)を参照して、このマガジン
120bが別のダイボンド装置130Bのローダ部へ移
動され、第1の半導体チップ53がダイボンドされたリ
ードフレーム51をダイボンド装置130Bに供給す
る。このダイボンド装置130Bは、図2に示すダイボ
ンド装置130と同様の構成を有している。このダイボ
ンド装置130Bにより、図4(b)に示すように第1
の半導体チップ53上にダイボンド材54を介して第2
の半導体チップ55がダイボンドされる。第2の半導体
チップ55がダイボンドされたリードフレーム51は、
アンローダマガジン120cに収納される。
【0007】このマガジン120cがアンローダ部から
取出され、反転される。この後、マガジン120c内の
リードフレームが別のマガジン120d内に詰め替えら
れる。
【0008】図3(c)を参照して、マガジン120d
はダイボンド装置130Cのローダ部へ移動され、ロー
ダマガジンとして、第1および第2の半導体チップ5
3、55をダイボンドされたリードフレーム51をダイ
ボンド装置130Cに供給する。このダイボンド装置1
30Cは、図2に示すダイボンド装置130と同様の構
成を有している。このダイボンド装置130Cにより、
図4(c)に示すようにリードフレーム51の背面にダ
イボンド材56を介して第3の半導体チップ57がダイ
ボンドされる。この第3の半導体チップ57のダイボン
ドが完了したリードフレーム51がアンローダマガジン
120eに収納される。これによりMCPの製造が完了
する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来のダイボンド装置
130では、リードフレーム51の1つのアイランド部
に複数の半導体チップをダイボンドする際、搭載する半
導体チップごとにダイボンド装置を準備し、順番にダイ
ボンドを行なう必要がある。このため、設備費用が増大
し、各ダイボンド装置間のハンドリングやマガジンの詰
め替えが必要となり、加工時間の増加やハンドリング・
移し替えミスによる品質低下、歩留まり低下があった。
【0010】それゆえ本発明の目的は、複数のチップの
ダイボンドに際して、設備投資を抑制でき、かつマガジ
ンの詰め替えやハンドリングが不要な半導体製造装置お
よび半導体製造方法を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、ローダマガジンから供給されたリードフレームをア
ンローダマガジン側へ搬送するフレーム主送り手段と、
フレーム主送り手段によって搬送されるリードフレーム
に半導体チップをダイボンドするダイボンド手段と、フ
レーム主送り手段のダイボンド手段よりも下流側から上
流側へリードフレームを返送するフレーム返送手段とを
備えている。
【0012】本発明の半導体製造装置では、ダイボンド
手段により第1チップをダイボンドされたリードフレー
ムを返送手段によりダイボンド手段の下流側から上流側
へ返送することができる。これにより、同一のダイボン
ド手段により第2チップをリードフレームにダイボンド
することが可能となる。これを繰返すことにより、単一
のダイボンド手段で所定数のチップをリードフレームに
ダイボンドすることができる。よって、複数のチップを
リードフレームにダイボンドする場合でも、ダイボンド
装置は1台あれば足り、設備投資を抑制することができ
る。
【0013】また、ローダマガジンとアンローダマガジ
ンとの間で返送手段によりリードフレームを自動的に返
送することができるため、ハンドリングなしで、かつマ
ガジンの詰め替えなしで複数のチップをリードフレーム
にダイボンドすることができる。
【0014】上記の半導体製造装置において好ましく
は、フレーム返送手段がリードフレームの上面と下面と
を反転させる反転機能を有している。
【0015】これにより、自動的にリードフレームを反
転させることができるため、反転のためのマガジンの詰
め替え作業が不要となる。
【0016】上記の半導体製造装置において好ましく
は、半導体チップを載置するチップ選択台と、チップ選
択台上の半導体チップを吸着してリードフレーム側に移
送する移送手段とがさらに備えられており、チップ選択
台における移送手段によるチップ吸着位置を変えるため
に、チップ選択台が移動可能である。
【0017】これにより、チップ選択台を移動させて種
類の異なるチップをダイボンドすることができる。
【0018】上記の半導体製造装置において好ましく
は、リードフレームに対する半導体チップの取付状態を
検知する検知手段がさらに備えられ、検知手段による検
知信号に基づいてチップ選択台の移動および移送手段の
動作が制御される。
【0019】これにより、リードフレームの状態に応じ
てダイボンドするチップの種類を選択することができ
る。
【0020】上記の半導体製造装置において好ましく
は、リードフレームへのすべての半導体チップのダイボ
ンドが完了したのを判断して、リードフレームをアンロ
ーダマガジンへ収納する手段がさらに備えられている。
【0021】これにより、ダイボンドの完了も自動的に
検知することができる。本発明の半導体製造方法は、以
下の工程を備えている。
【0022】まずローダマガジンから供給されたリード
フレームがアンローダマガジン側へフレーム主送り手段
により搬送される。そしてフレーム主送り手段によって
搬送されるリードフレームに半導体チップがダイボンド
手段によってダイボンドされる。そしてフレーム主送り
手段のダイボンド手段よりも下流側から上流側へリード
フレームがフレーム返送手段により返送される。
【0023】本発明の半導体製造方法では、ダイボンド
手段により第1チップをダイボンドされたリードフレー
ムを返送手段によりダイボンド手段の下流側から上流側
へ返送することができる。これにより、同一のダイボン
ド手段により第2チップをリードフレームにダイボンド
することが可能となる。これを繰返すことにより、単一
のダイボンド手段で所定数のチップをリードフレームに
ダイボンドすることができる。よって、複数のチップを
リードフレームにダイボンドする場合でも、ダイボンド
装置は1台あれば足り、設備投資を抑制することができ
る。
【0024】また、ローダマガジンとアンローダマガジ
ンとの間で返送手段により自動的に返送することができ
るため、ハンドリングなしで、かつマガジンの詰め替え
なしで複数のチップをリードフレームにダイボンドする
ことができる。
【0025】上記の半導体製造方法において好ましく
は、フレーム返送手段により、リードフレームの上面と
下面とが反転される。
【0026】これにより、自動的にリードフレームを反
転させることができるため、反転のためのマガジンの詰
め替え作業が不要となる。
【0027】上記の半導体製造方法において好ましく
は、チップ選択台に半導体チップを載置する工程と、移
送手段によりチップ選択台上の半導体チップを吸着して
リードフレーム側に移送する工程とがさらに備えられて
おり、チップ選択台における移送手段によるチップ吸着
位置を変えるためにチップ選択台が移動する。
【0028】これにより、チップ選択台を移動させて種
類の異なるチップをダイボンドすることができる。
【0029】上記の半導体製造方法において好ましく
は、検知手段によりリードフレームに対する半導体チッ
プの取付状態を検知する工程がさらに備えられ、検知手
段による検知信号に基づいてチップ選択台の移動および
移送手段の動作が制御される。
【0030】これにより、リードフレームの状態に応じ
てダイボンドするチップの種類を選択することができ
る。
【0031】上記の半導体製造方法において好ましく
は、リードフレームへのすべての半導体チップのダイボ
ンドが完了したのを判断して、リードフレームをアンロ
ーダマガジンへ収納する工程がさらに備えられている。
【0032】これにより、ダイボンドの完了も自動的に
検知することができる。
【0033】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。
【0034】図1は、本発明の一実施の形態におけるダ
イボンド装置の構成を概略的に示す平面図である。図1
を参照して、本実施の形態のダイボンド装置30は、フ
レーム主送り部1と、フレーム前送ユニット2と、フレ
ーム反転・返送部3と、フレーム後送ユニット4と、ダ
イボンド材供給部5と、ダイボンド材付けヘッド6と、
ダイボンドヘッド7と、チップトランスファ8と、チッ
プ選択台9と、フレーム認識ユニット11とを主に有し
ている。
【0035】フレーム主送り部1は、ローダマガジン2
0a側からアンローダマガジン20b側へリードフレー
ムを搬送するものである。ダイボンド材供給部5は、フ
レーム主送り部1によって搬送されるリードフレームに
ダイボンド材を供給するものであり、ダイボンド材付け
ヘッド6はその供給されたダイボンド材をリードフレー
ムに仮付けするものである。
【0036】チップトランスファ8は、チップ選択台9
上に載せられたたとえば第1、第2および第3の半導体
チップ10a、10b、10cのいずれかから半導体チ
ップを吸着して移送するものである。ダイボンドヘッド
7は、この移送された半導体チップを、ダイボンド材が
取付けられたリードフレームにダイボンドするものであ
る。
【0037】フレーム前送ユニット2とフレーム反転・
返送部3とフレーム後送ユニット4とは、半導体チップ
がダイボンドされたリードフレームをアンローダ側から
ローダ側へ返送するものである。これにより、半導体チ
ップがダイボンドされたリードフレームは、ダイボンド
材供給部5、ダイボンド材付けヘッド6およびダイボン
ドヘッド7などのダイボンド手段の下流側から上流側へ
返送される。
【0038】フレーム認識ユニット11は、上記ダイボ
ンド手段にこれから送られるリードフレームの状態を認
識するものである。
【0039】次に、本実施の形態におけるダイボンドの
動作について説明する。まずローダ部に配置されたマガ
ジン20aからリードフレームがダイボンド装置30に
供給される。このリードフレームは、フレーム主送り部
1によってアンローダ部に配置されたマガジン20bに
向かって輸送される。この輸送においては、まずフレー
ム認識ユニット11により、リードフレームにおける半
導体チップのダイボンド状態が確認される。リードフレ
ームの供給初期においては、リードフレームには半導体
チップはダイボンドされていない。この情報がフレーム
認識ユニット11で検知され、この情報に基づいてチッ
プ選択台9が移動されて、第1の半導体チップ10aが
チップトランスファ8の吸着位置へ移動される。
【0040】フレーム認識ユニット11を通過したリー
ドフレームは、次にダイボンド材供給位置へ移動する。
ここでリードフレームには、ダイボンド材供給部5から
取出されたダイボンド材がダイボンド材付けヘッド6に
より仮付けされる。
【0041】ダイボンド材が仮付けされたリードフレー
ムはダイボンド位置へ移送される。このダイボンド位置
では、チップトランスファ8により吸着・移送された第
1の半導体チップ10aがダイボンドヘッド7によりダ
イボンドされる。第1の半導体チップ10aがダイボン
ドされたリードフレームは、フレーム認識ユニット11
の情報に基づいてフレーム前送ユニット2またはアンロ
ーダマガジン20bのいずれかに送られる。ここでは、
複数の半導体チップをリードフレームに取付けるため、
リードフレームはフレーム前送ユニット2側へ送られ
る。
【0042】フレーム前送ユニット2に送られたリード
フレームは、フレーム反転・返送部3およびフレーム後
送ユニット4を経てフレーム主送り部1のアンローダ側
からローダ側へ返送される。この際、パッケージの構造
により予め設定した情報で、リードフレームはそのまま
ローダ側へ返送される場合や、リードフレームの裏面に
チップをダイボンドする場合にはフレーム反転・返送部
3によりリードフレームの反転動作を行なわしめた後ロ
ーダ側へ返送される。
【0043】ローダ側に返送されたリードフレームは、
再度フレーム主送り部1によりアンローダ側へ移送さ
れ、この移送に際して、上記と同様の動作により第2の
半導体チップ10bがダイボンドされる。
【0044】このような動作を繰返すことにより、第
1、第2および第3の半導体チップ10a、10b、1
0cのダイボンドが完了する。その後にリードフレーム
はフレーム主送り部1によりアンローダ部へ排出されて
マガジン20b内に収納される。
【0045】本実施の形態においては、フレーム前送ユ
ニット2、フレーム反転・返送部3、フレーム後送ユニ
ット4などの返送手段により、リードフレームをダイボ
ンド手段の下流側から上流側へ返送することができる。
これにより、単一のダイボンド装置30により複数の半
導体チップ10a、10b、10cをリードフレームに
ダイボンドすることが可能となる。よって、複数の半導
体チップをリードフレームにダイボンドする場合でも、
ダイボンド装置30は1台あれば足り、従来例よりも設
備投資を大幅に抑制することができる。
【0046】また、ローダマガジン20aとアンローダ
マガジン20bとの間で返送手段2、3、4により自動
的にリードフレームを返送することができるため、ハン
ドリングなしで、かつマガジンの詰め替えなしで複数の
半導体チップ10a、10b、10cをリードフレーム
にダイボンドすることができる。これにより、作業ミス
による品質トラブルや歩留まり低下を防止することがで
きる。
【0047】また、フレーム反転・返送部3により自動
的にリードフレームを反転させることができるため、反
転のためのマガジンの詰め替え作業は不要となる。
【0048】またチップ選択台9をフレーム認識ユニッ
ト11の情報に基づいて移動させることができるため、
リードフレームにダイボンドする適切な半導体チップを
選択することが可能となる。
【0049】なお、本実施の形態においては、リードフ
レームに取付ける半導体チップの数として3つの場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではなく4つ
以上の半導体チップが取付けられてもよい。
【0050】またフレーム反転・返送部3によりリード
フレームを反転させる場合について説明したが、リード
フレームは、フレーム前送ユニット2やフレーム後送ユ
ニット4で反転されてもよい。
【0051】またフレーム認識ユニット11はダイボン
ド手段5、6、7の上流側に配置されているが、これ以
外にリードフレームの状態(半導体チップの有無など)
を検知するためのフレーム認識ユニットがダイボンド手
段5、6、7の下流側に配置されていてもよい。
【0052】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【0053】
【発明の効果】本発明の半導体製造装置では、ダイボン
ド手段により第1チップをダイボンドされたリードフレ
ームを返送手段によりダイボンド手段の下流側から上流
側へ返送することができる。これにより、同一のダイボ
ンド手段により第2チップをリードフレームにダイボン
ドすることが可能となる。これを繰返すことにより、単
一のダイボンド手段で所定数のチップをリードフレーム
にダイボンドすることができる。よって、複数のチップ
をリードフレームにダイボンドする場合でも、ダイボン
ド装置は1台あれば足り、設備投資を抑制することがで
きる。
【0054】また、ローダマガジンとアンローダマガジ
ンとの間で返送手段により自動的に返送することができ
るため、ハンドリングなしで、かつマガジンの詰め替え
なしで複数のチップをリードフレームにダイボンドする
ことができる。
【0055】上記の半導体製造装置において好ましく
は、フレーム返送手段がリードフレームの上面と下面と
を反転させる反転機能を有している。これにより、自動
的にリードフレームを反転させることができるため、反
転のためのマガジンの詰め替え作業が不要となる。
【0056】上記の半導体製造装置において好ましく
は、半導体チップを載置するチップ選択台と、チップ選
択台上の半導体チップを吸着してリードフレーム側に移
送する移送手段とがさらに備えられており、チップ選択
台における移送手段によるチップ吸着位置を変えるため
に、チップ選択台が移動可能である。これにより、チッ
プ選択台を移動させて種類の異なるチップをダイボンド
することができる。
【0057】上記の半導体製造装置において好ましく
は、リードフレームに対する半導体チップの取付状態を
検知する検知手段がさらに備えられ、検知手段による検
知信号に基づいてチップ選択台の移動および移送手段の
動作が制御される。これにより、リードフレームの状態
に応じてダイボンドするチップの種類を選択することが
できる。
【0058】上記の半導体製造装置において好ましく
は、リードフレームへのすべての半導体チップのダイボ
ンドが完了したのを判断して、リードフレームをアンロ
ーダマガジンへ収納する手段がさらに備えられている。
これにより、ダイボンドの完了も自動的に検知すること
ができる。
【0059】本発明の半導体製造方法では、ダイボンド
手段により第1チップをダイボンドされたリードフレー
ムを返送手段によりダイボンド手段の下流側から上流側
へ返送することができる。これにより、同一のダイボン
ド手段により第2チップをリードフレームにダイボンド
することが可能となる。これを繰返すことにより、単一
のダイボンド手段で所定数のチップをリードフレームに
ダイボンドすることができる。よって、複数のチップを
リードフレームにダイボンドする場合でも、ダイボンド
装置は1台あれば足り、設備投資を抑制することができ
る。
【0060】また、ローダマガジンとアンローダマガジ
ンとの間で返送手段により自動的に返送することができ
るため、ハンドリングなしで、かつマガジンの詰め替え
なしで複数のチップをリードフレームにダイボンドする
ことができる。
【0061】上記の半導体製造方法において好ましく
は、フレーム返送手段により、リードフレームの上面と
下面とが反転される。これにより、自動的にリードフレ
ームを反転させることができるため、反転のためのマガ
ジンの詰め替え作業が不要となる。
【0062】上記の半導体製造方法において好ましく
は、チップ選択台に半導体チップを載置する工程と、移
送手段によりチップ選択台上の半導体チップを吸着して
リードフレーム側に移送する工程とがさらに備えられて
おり、チップ選択台における移送手段によるチップ吸着
位置を変えるために、チップ選択台が移動する。これに
より、チップ選択台を移動させて種類の異なるチップを
ダイボンドすることができる。
【0063】上記の半導体製造方法において好ましく
は、検知手段によりリードフレームに対する半導体チッ
プの取付状態を検知する工程がさらに備えられ、検知手
段による検知信号に基づいてチップ選択台の移動および
移送手段の動作が制御される。これにより、リードフレ
ームの状態に応じてダイボンドするチップの種類を選択
することができる。
【0064】上記の半導体製造方法において好ましく
は、リードフレームへのすべての半導体チップのダイボ
ンドが完了したのを判断して、リードフレームをアンロ
ーダマガジンへ収納する工程がさらに備えられている。
これにより、ダイボンドの完了も自動的に検知すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施の形態におけるダイボンド装
置の構成を概略的に示す平面図である。
【図2】 従来のダイボンド装置の構成を概略的に示す
平面図である。
【図3】 従来のダイボンド装置を用いて3つの半導体
チップをダイボンドする様子を示す図である。
【図4】 従来のダイボンド装置を用いて3つの半導体
チップをダイボンドする際のリードフレームの状態を示
す図である。
【符号の説明】
1 フレーム主送り部、2 フレーム前送ユニット、3
フレーム反転・返送部、4 フレーム後送ユニット、
5 ダイボンド材供給部、6 ダイボンド材付けヘッ
ド、7 ダイボンドヘッド、8 チップトランスファ、
9 チップ選択台、10a,10b,10c 半導体チ
ップ、11 フレーム認識ユニット、20a ローダマ
ガジン、20b アンローダマガジン。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ローダマガジンから供給されたリードフ
    レームをアンローダマガジン側へ搬送するフレーム主送
    り手段と、 前記フレーム主送り手段によって搬送される前記リード
    フレームに前記半導体チップをダイボンドするダイボン
    ド手段と、 前記フレーム主送り手段の前記ダイボンド手段よりも下
    流側から上流側へ前記リードフレームを返送するフレー
    ム返送手段とを備えた、半導体製造装置。
  2. 【請求項2】 前記フレーム返送手段が、前記リードフ
    レームの上面と下面とを反転させる反転機能を有してい
    ることを特徴とする、請求項1に記載の半導体製造装
    置。
  3. 【請求項3】 前記半導体チップを載置するチップ選択
    台と、 前記チップ選択台上の前記半導体チップを吸着して前記
    リードフレーム側に移送する移送手段とをさらに備え、 前記チップ選択台における前記移送手段によるチップ吸
    着位置を変えるために、前記チップ選択台が移動可能で
    あることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導
    体製造装置。
  4. 【請求項4】 前記リードフレームに対する前記半導体
    チップの取付状態を検知する検知手段をさらに備え、 前記検知手段による検知信号に基づいて前記チップ選択
    台の移動および前記移送手段の動作が制御されることを
    特徴とする、請求項3に記載の半導体製造装置。
  5. 【請求項5】 前記リードフレームへのすべての前記半
    導体チップのダイボンドが完了したのを判断して、前記
    リードフレームを前記アンローダマガジンへ収納する手
    段をさらに備えた、請求項1〜4のいずれかに記載の半
    導体製造装置。
  6. 【請求項6】 ローダマガジンから供給されたリードフ
    レームをアンローダマガジン側へフレーム主送り手段に
    より搬送する工程と、 前記フレーム主送り手段によって搬送される前記リード
    フレームに前記半導体チップをダイボンド手段によって
    ダイボンドする工程と、 前記フレーム主送り手段の前記ダイボンド手段よりも下
    流側から上流側へ前記リードフレームをフレーム返送手
    段により返送する工程とを備えた、半導体製造方法。
  7. 【請求項7】 前記フレーム返送手段により、前記リー
    ドフレームの上面と下面とを反転させることを特徴とす
    る、請求項6に記載の半導体製造方法。
  8. 【請求項8】 チップ選択台に前記半導体チップを載置
    する工程と、 移送手段により前記チップ選択台上の前記半導体チップ
    を吸着して前記リードフレーム側に移送する工程とをさ
    らに備え、 前記チップ選択台における前記移送手段によるチップ吸
    着位置を変えるために、前記チップ選択台が移動するこ
    とを特徴とする、請求項6または7に記載の半導体製造
    方法。
  9. 【請求項9】 検知手段により前記リードフレームに対
    する前記半導体チップの取付状態を検知する工程をさら
    に備え、 前記検知手段による検知信号に基づいて前記チップ選択
    台の移動および前記移送手段の動作が制御されることを
    特徴とする、請求項8に記載の半導体製造方法。
  10. 【請求項10】 前記リードフレームへのすべての前記
    半導体チップのダイボンドが完了したのを判断して、前
    記リードフレームを前記アンローダマガジンへ収納する
    工程をさらに備えた、請求項6〜9のいずれかに記載の
    半導体製造方法。
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