JP2005136089A - 半導体装置の製造方法およびそれに使用されるダイボンディング装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 マルチリードフレームの目抜けを防止する。
【解決手段】 ボンディング装置３０のウエハホルダ６０のウエハリングホルダ６３にチップ１０を保管するトレイ７１のホルダ７０を突設する。ダイボンディング工程の実施に際して、不良品のチップ１０をウエハ１６からピックアップしてトレイ７１に予め移載しておく。トレイ７１に詰めた不良品のチップ１０を不良品の単位リードフレーム２２にボンディングすることにより、所謂目抜けのマルチリードフレームが発生するのを防止する。目抜けのマルチリードフレームの発生を防止することにより、トランスファ成形に対して互いに同一の条件のマルチリードフレームをトランスファ成形工程に供給できるので、レジンの流速や流量の変化によるワイヤ流れ不良やレジン充填不良等が発生するのを防止できる。
【選択図】 図３

Description

本発明は半導体装置の製造技術、特に、半導体チップ（chip of semiconductor 。能動素子、受動素子、これらを電気的に接続する回路を含む集積回路が作り込まれたチップ。以下、チップという。）をキャリア（carrier ）に機械的に接続（bond。原子間力が働く程度に密着していない機械的な接続。以下、ボンディングという。）するボンディング技術に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）を製造するのに利用して有効な技術に関する。

表面実装形パッケージとしては、マイクロ・リードフレーム・パッケージ（以下、ＭＬＰという。）が開発されており、このＭＬＰを備えたＩＣ（以下、ＭＬＰ・ＩＣという。）は次のように製造される。半導体素子を含む集積回路が作り込まれた半導体チップ（以下、チップという。）が複数個、多数個の単位リードフレームを連結してなるマルチリードフレームにそれぞれチップボンディングされ、チップと各インナリードとの間がワイヤボンディングによって電気的に接続される。マルチリードフレームには樹脂封止体が複数個のチップを一括して樹脂封止するように成形される。マルチリードフレームおよび樹脂封止体は単位リードフレームすなわちチップ毎にダイシング方法によって分断される。

また、薄型の表面実装形パッケージであるＩＣとしては、リードレス・オン・チップパッケージ（以下、ＬＯＣという。）、がある。ＬＯＣを備えたＩＣ（以下、ＬＯＣ・ＩＣという。）はチップの上にインナリード群が接着されており、各インナリードとチップの各電極パッドとがワイヤによって電気的に接続され、チップ、インナリード群およびワイヤ群が樹脂封止体によって樹脂封止された表面実装形パッケージである。ＬＯＣはワイヤの高さがインナリードの厚さの分だけ低くなることにより全高が薄くなるため、ＤＲＡＭのパッケージとして広く採用されている。なお、ＬＯＣ・ＩＣおよびＭＬＰ・ＩＣを述べてある例としては、特許文献１がある。

特開２００３−６０１５０号公報

ＭＬＰ・ＩＣの製造方法においては、樹脂封止体がマルチリードフレームに複数個のチップを一括して樹脂封止するようにトランスファ成形装置によって成形される際に、マルチリードフレームにチップが搭載されていない所謂目抜けがあると、レジンの流速や流量の変化によるワイヤ流れ不良やレジン充填不良等が発生する。ＭＬＰ・ＩＣの製造方法においては、チップの無い目抜けの製品は電気的特性検査によって確実に排除することができるが、ワイヤ流れ不良やレジン充填不良等が発生した製品は電気的特性検査によって排除することができない不確定な特性の製品が混在する場合がある。

本発明の目的は、所謂目抜けの発生を防止することができる半導体装置の製造技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。

すなわち、複数個のチップをキャリアの複数のボンディングエリアにボンディングするダイボンディング装置において、前記複数個のチップのうち所定のチップをトレイに移載するように構成されていることを特徴とする。

前記手段によれば、例えば、不良のチップをトレイに移載しておき、その後に、トレイに移載されたチップをキャリアの不良のボンディングエリアにボンディングすることにより、所謂目抜けが発生するのを防止することができる。

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。

本実施の形態において、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＬＯＣ・ＩＣの製造方法として構成されており、その特徴工程としてのダイボンディング工程を備えている。図１に示されているように、ダイボンディング工程の一方のワークであるチップ１０は長方形の平盤形状に形成されており、チップ１０のアクティブエリア側の主面には保護膜１１が被着されており、保護膜１１にはアクティブエリアに電気的に接続された電極パッド（以下、パッドという。）１２が多数個、長辺と平行の中心線に沿って一列に配置されて露出されている。

ダイボンディング工程の他方のワークであるマルチリードフレーム２１は、図２に示されているように構成されている。マルチリードフレーム２１は鉄−ニッケル合金や燐青銅等の比較的に大きい機械的強度を有するばね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレス加工により一体成形されている。マルチリードフレーム２１の表面には銀（Ａｇ）等を用いためっき被膜（図示せず）が、ワイヤボンディングが適正に実施されるように部分的または全体的に施されている。マルチリードフレーム２１は複数のボンディングエリアとしての複数の単位リードフレーム２２を備えており、本実施の形態において、単位リードフレーム２２はマルチリードフレーム２１に横方向に五列で縦方向に二行に整列されている。単位リードフレーム２２は長方形の枠形状に形成された外枠（フレーム）２３を備えており、外枠２３の一対の長辺部材２３ａ、２３ａの内側端辺にはインナリード２４が複数本ずつ、長手方向に等間隔に配されてそれぞれ直角に突設されており、両側のインナリード２４群列同士は外枠２３の長辺と平行な中心線を挟んで左右対称形に形成されている。両側のインナリード２４群列の先端部間にはワイヤボンディング空間部２５が長方形に設定されており、両側のインナリード２４群列の下面には左右で一対の粘着テープ２６、２６がそれぞれ粘着されている。

図１に示されたチップ１０を図２に示されたマルチリードフレーム２１にボンディングするダイボンディング工程は、図３以降に示されたボンディング装置３０によって実施される。

図３および図５に示されているように、チップ１０は多数個が所謂ＩＣの製造方法の前工程において、ウエハシート１７およびウエハリング１８に装着された状態でボンディング装置３０に供給される。すなわち、チップ１０は多数個がＩＣの製造方法の前工程においてウエハ１６にマトリックス状に配列されて作り込まれる。ウエハ１６のアクティブエリア側主面である第一主面とは反対側の第二主面にはウエハシート１７が貼付され、ウエハシート１７の外周辺部にはウエハリング１８が貼付される。ウエハシート１７が貼付された状態で、ウエハ１６はダイシング工程においてスクライビイングラインに沿って長方形の平板形状に分断され、多数個のチップ１０が製造された状態になる。分断されたチップ１０はウエハ１６にウエハシート１７が貼付されているため、ばらばらになることはない。そして、チップ１０群はウエハシート１７およびウエハリング１８に保持された状態で、ボンディング装置３０に供給される。

図３に示されているように、ボンディング装置３０は機台３１を備えており、機台３１の略中央部にはマルチリードフレーム２１を一方向（以下、右方向とする。）にピッチ送りするフィーダ３２が敷設されている。機台３１のフィーダ３２の上流側端部の位置と下流側端部の位置とには、マルチリードフレーム２１をフィーダ３２に供給するためのローディング装置３３と、ボンディング済みのマルチリードフレーム２１をフィーダ３２から排出するためのアンローディング装置３４とがそれぞれ設備されている。フィーダ３２のローディング装置３３の下流側には、マルチリードフレーム２１の粘着テープ２６の水分を飛ばすためのプリベークユニット３５が設備されている。フィーダ３２におけるプリベークユニット３５の下流側の位置にはボンディングステーション３６が設定されている。機台３１のフィーダ３２の前方における中央よりも左寄りの位置には、ウエハシート１７およびウエハリング１８に装着されたウエハ１６を収納するウエハマガジン３７が載置されており、ウエハマガジン３７の右方にはウエハ１６を保持し、かつ、前後左右に移動させてチップ１０を一個ずつピックアップするためのウエハホルダ６０が設置されている。機台３１のウエハホルダ６０の前方にはウエハローディング・アンローディング装置３８が設置されており、ウエハローディング・アンローディング装置３８はウエハシート１７およびウエハリング１８に装着されたウエハ１６をウエハホルダ６０にローディングし、かつまた、チップ１０がピックアップされたウエハリング１８をウエハホルダ６０からアンローディングするように構成されている。

図３および図４に示されているように、ボンディングステーション３６における機台３１の上にはＹ軸ロボット４１が前後方向（以下、Ｙ方向という。）に敷設されており、Ｙ軸ロボット４１はＸ軸ロボット４２をＹ方向に往復移動させるように構成されている。Ｘ軸ロボット４２はその上に設置されたＺ軸ロボット４３をフィーダ３２の送り方向である左右方向（以下、Ｘ方向という。）に往復移動させるように構成されており、Ｚ軸ロボット４３はその上に設置された第一ボンディングヘッド４４を垂直方向（以下、Ｚ方向という。）に往復移動させるように構成されている。第一ボンディングヘッド４４はチップ１０の第二主面を真空吸着して保持するとともに、内蔵されたヒータ（図示せず）によって加熱するように構成されている。

ボンディングステーション３６のフィーダ３２の後脇には、第二のＹ軸ロボット５１がＹ方向に敷設されており、第二のＹ軸ロボット５１は第二のＸ軸ロボット５２をＹ方向に往復移動させるように構成されている。第二のＸ軸ロボット５２はその前端に設置された第二のＺ軸ロボット５３をＸ方向に往復移動させるように構成されており、第二のＺ軸ロボット５３はその前端に設置された昇降台５４をＺ方向に往復移動させるように構成されている。昇降台５４にはヒートブロック５５が設置されており、ヒートブロック５５には第二ボンディングヘッド５６が下向きに設置されている。第二ボンディングヘッド５６はインナリード２４群列をヒートブロック５５によって加熱するように構成されている。

図３〜図５に示されているように、ウエハホルダ６０は機台３１の上に敷設された第三のＹ軸ロボット６１を備えており、第三のＹ軸ロボット６１は第三のＸ軸ロボット６２をＹ方向に往復移動させるように構成されている。第三のＸ軸ロボット６２はその上に立脚されたウエハリングホルダ６３をＸ方向に往復移動させるように構成されている。ウエハリングホルダ６３はウエハ１６を保持したウエハリング１８を保持するように構成されている。ウエハリングホルダ６３の内部にはチップエジェクタ６４が設置されており、チップエジェクタ６４はウエハ１６のチップ１０を一個ずつウエハシート１７の下から突き上げるように構成されている。ウエハリングホルダ６３の上方には搬送ロボット６５がボンディングステーション３６に渡って斜めに架設されており、搬送ロボット６５はＺ軸ロボット６６を往復移動させるように構成されている。Ｚ軸ロボット６６はΘ軸ロボット６７をＺ方向に往復移動させるように構成されており、Θ軸ロボット６７はピックアップヘッド６８を垂直面内において３６０度往復回動させるように構成されている。ピックアップヘッド６８はチップエジェクタ６４によって突き上げられたウエハ１６のチップ１０を一個ずつ真空吸着保持してピックアップするように構成されている。

本実施の形態においては、ウエハホルダ６０のウエハリングホルダ６３の外周の一部にはトレイホルダ７０が水平に突設されており、トレイホルダ７０は複数個のチップ１０を整列して載置するトレイ７１を水平に保持するように構成されている。

次に、前記構成に係るボンディング装置による本発明の一実施の形態であるＬＯＣ・ＩＣのダイボンディング工程を説明する。

本実施の形態においては、良品のチップ１０がマルチリードフレーム２１にボンディングされて行く前に、ウエハホルダ６０において不良品のチップ１０がトレイ７１に移載される。まず、ウエハ１６の不良品のチップ１０がボンディング装置３０のコントローラ（図示せず）に予め記憶されたウエハプローバ電気特性試験結果のデータに基づいて選定される。選定された不良品のチップ１０はピックアップヘッド６８の真下に第三のＹ軸ロボット６１および第三のＸ軸ロボット６２の操作によって相対的に対向される。この不良品のチップ１０がチップエジェクタ６４によって突き上げられると、このチップ１０の真上において待機したピックアップヘッド６８が突き上げられたチップ１０を真空吸着保持する。ピックアップヘッド６８が不良品のチップ１０を保持すると、ウエハホルダ６０の搬送ロボット６５がＺ軸ロボット６６を移動させることによって、図５に想像線で示されているように、不良品のチップ１０をトレイホルダ７０に搬送する。続いて、ピックアップヘッド６８がＺ軸ロボット６６によって下降されることにより、不良品のチップ１０をトレイ７１のポケットの一つに移載する。この際、第三のＹ軸ロボット６１および第三のＸ軸ロボット６２や搬送ロボット６５およびΘ軸ロボット６７によって、不良品のチップ１０とトレイ７１の空のポケットとが互いに位置合わせされる。

以上のようにして、ウエハホルダ６０において不良品のチップ１０がトレイ７１に移載された後に、これから良品のチップ１０をボンディングされるマルチリードフレーム２１がローディング装置３３からフィーダ３２に供給される。フィーダ３２に供給されたマルチリードフレーム２１は一ピッチずつ歩進送りされてボンディングステーション３６に送られる。マルチリードフレーム２１がボンディングステーション３６に達し、最初のボンディングエリアとしての単位リードフレーム２２がボンディングステーション３６の第二ボンディングヘッド５６に対向すると、マルチリードフレーム２１は間欠停止される。

他方、図５に示されているように、ウエハホルダ６０においてはウエハ１６の良品のチップ１０が選定され、ピックアップヘッド６８の真下に第三のＹ軸ロボット６１および第三のＸ軸ロボット６２によって相対的に対向される。このチップ１０がチップエジェクタ６４によって突き上げられると、このチップ１０の真上で待機したピックアップヘッド６８が突き上げられたチップ１０を真空吸着保持する。ピックアップヘッド６８が良品のチップ１０を保持すると、図４および図５に想像線で示されているように、ウエハホルダ６０の搬送ロボット６５がＺ軸ロボット６６を前進させることにより、チップ１０がボンディングステーション３６に搬送される。続いて、Ｚ軸ロボット６６が下降されることにより、ピックアップヘッド６８に保持されたチップ１０が第一ボンディングヘッド４４に受け渡される。この際、チップ１０はΘ軸ロボット６７によって第一ボンディングヘッド４４に対するΘ方向の姿勢を調整されるとともに、第一ボンディングヘッド４４にパッド１２の側が上向きになった状態で受け渡される。

次いで、図６に示されているように、チップ１０を受け取って真空吸着保持した第一ボンディングヘッド４４は第一のＹ軸ロボット４１によって、フィーダ３２の真下位置であるボンディングステーション３６に移動される。第一ボンディングヘッド４４のチップ１０が単位リードフレーム２２に対向すると、第一ボンディングヘッド４４が第一のＺ軸ロボット４３によって上昇されるとともに、第二ボンディングヘッド５６が第二のＺ軸ロボット５３によって下降されることにより、第一ボンディングヘッド４４のチップ１０が単位リードフレーム２２の粘着テープ２６に加熱されながら押接される。これにより、チップ１０は単位リードフレーム２２のインナリード２４群に粘着テープ２６によってボンディングされた状態になる。

以降、前記作動が繰り返されることにより、良品のチップ１０がマルチリードフレーム２１の複数の単位リードフレーム２２に順次にボンディングされて行く。合計十個のチップ１０が一枚のマルチリードフレーム２１にボンディングされると、ボンディング済みのマルチリードフレーム２１がボンディングステーション３６から排出され、次のマルチリードフレーム２１がボンディングステーション３６に自動的に供給されて来る状態になる。

ところで、樹脂封止体がマルチリードフレームに複数個のチップを一括して樹脂封止するようにトランスファ成形装置によって成形されるＭＬＰ・ＩＣの製造方法においては、マルチリードフレームにチップが搭載されていない所謂目抜けがあると、レジンの流速や流量の変化によるワイヤ流れ不良やレジン充填不良等が発生するので、所謂目抜けの発生を防止する必要がある。

そこで、本実施の形態においては、マルチリードフレーム２１に不良品の単位リードフレーム２２が発見された場合には、トレイホルダ７０のトレイ７１に予め移載した不良品のチップ１０を不良品の単位リードフレーム２２にボンディングすることにより、所謂目抜けの発生を防止する。すなわち、不良品の単位リードフレーム２２がボンディングステーション３６において間欠停止すると、図５の想像線で参照されるように、ウエハホルダ６０のピックアップヘッド６８がトレイ７１に搬送ロボット６５により移動された後に、Ｚ軸ロボット６６によって下降されることにより、不良品のチップ１０を真空吸着保持する。ピックアップヘッド６８が不良品のチップ１０を保持すると、図４および図５に想像線で参照されるように、不良品のチップ１０がボンディングステーション３６へ搬送ロボット６５によって搬送され、Ｚ軸ロボット６６が下降されることにより、ピックアップヘッド６８に保持された不良品のチップ１０が第一ボンディングヘッド４４に受け渡される。その後、良品のチップ１０の場合と同様にして、不良品のチップ１０は不良品の単位リードフレーム２２にボンディングされる。

このようにしてトレイ７１に予め移載した不良品のチップ１０が不良品の単位リードフレーム２２にボンディングされることによって所謂目抜けのマルチリードフレーム２１の発生を防止することができるので、本実施の形態においては、トランスファ成形に対して互いに同一の条件のマルチリードフレーム２１をトランスファ成形工程に常に供給することができる。

以上のようにしてチップ１０が目抜け無しにボンディングされたマルチリードフレーム２１は、ワイヤボンディング工程に供給される。図示しないが、ワイヤボンディング工程においては、ボンディングワイヤがチップ１０の各パッド１２と各インナリード２４との間に超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のワイヤボンディング装置（図示せず）が使用されることにより、その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される。これにより、チップ１０に作り込まれた集積回路はパッド１２、ボンディングワイヤおよびインナリード２４を介して電気的に外部に引き出された状態になる。このワイヤボンディング作業はマルチリードフレーム２１が横方向にピッチ送りされることにより、各単位リードフレーム２２毎に順次実施される。

ワイヤボンディングされたマルチリードフレーム２１は樹脂封止体成形工程に供給される。図示しないが、樹脂封止体成形工程においては、マルチリードフレーム２１を全体的に樹脂封止する樹脂封止体がトランスファ成形装置が使用されて成形される。このトランスファ成形装置によるトランスファ成形に際して、前述した通り、本実施の形態においては、全てのマルチリードフレーム２１が互いに同一の成形条件に維持されているために、レジンの流速や流量の変化によるワイヤ流れ不良やレジン充填不良等が発生するのを防止することができる。

樹脂封止体が一括して成形されたマルチリードフレーム２１は、マルチリードフレームおよび樹脂封止体切断工程においてダイシング装置のダイヤモンドカッタによってＬＯＣ・ＩＣに切断される。以上のようにして、ＬＯＣ・ＩＣが製造されたことになる。

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。

1) 複数個のチップを保管するトレイをボンディング装置の機台に設置することにより、トレイに予め移載しておいた不良品のチップを不良品の単位リードフレームにボンディングすることができるので、所謂目抜けのマルチリードフレームが発生するのを防止することができる。

2) 所謂目抜けのマルチリードフレームの発生を防止することにより、トランスファ成形に対して互いに同一の条件のマルチリードフレームをトランスファ成形工程に供給することができるので、レジンの流速や流量の変化によるワイヤ流れ不良やレジン充填不良等が発生することができる。

3) 不良品のチップが樹脂封止されたＬＯＣ・ＩＣは電気的特性検査によって排除することができるので、不良品のＬＯＣ・ＩＣが出荷されるのを防止することができる。

4) トレイホルダをウエハリングホルダに突設することにより、トレイホルダが保持したトレイからチップをピックアップするウエハホルダを省略化ないしは簡略化することができるので、ボンディング装置のコストの増加を抑制することができる。

図７は本発明の第二の実施の形態であるＩＣの製造方法におけるダイボンディング工程のフロー図である。

本実施の形態においては、ダミーのチップがトレイに移載される移載ステップＳ１１と、その後に、トレイに移載されたダミーのチップがキャリアの不良のボンディングエリアにボンディングされるボンディングステップＳ１２とを備えている。本実施の形態が前記第一の実施の形態と異なる点は、移載ステップ１１において集積回路が形成されていないミラーチップに分断された所謂ミラーウエハがボンディング装置３０に供給されて、不良品のチップの代わりにミラーチップがダミーのチップとしてトレイ７１に移載される点、である。

図８は本発明の第三の実施の形態であるＩＣの製造方法におけるダイボンディング工程のフロー図である。

本実施の形態に係るダイボンディング工程は、複数個のチップが複数の群に分類される分類ステップＳ２１と、所定の群のチップがキャリアにボンディングされるボンディングステップＳ２２と、残りの群のチップをトレイに移載する移載ステップＳ２３とを備えている。すなわち、分類ステップＳ２１はウエハプローバ電気特性試験において実施され、例えば、一枚のウエハの全チップが複数のグレード（等級）に分類される。分類ステップＳ２１において複数のグレードに分類されたウエハ１６がボンディング装置３０に供給される。ボンディング装置３０はボンディングステップＳ２２において、例えば、最大個数を有したグレードのチップ１０を選択してリードフレーム等のキャリアに順次ボンディングして行く。ボンディング装置３０は移載ステップＳ２３において、残りのチップ１０についてトレイ７１に移載する。この際、各グレード毎に分類してトレイ７１に移載することが望ましい。残りのチップ１０が詰められたトレイ７１は他のボンディング装置３０に供給される。

以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、トレイホルダはウエハリングホルダに突設するに限らず、ボンディング装置の機台の上に設置してもよい。

キャリアはマルチ（多連多列）リードフレームや多連リードフレームに限らず、マルチタイプの配線基板や多連の配線基板およびキャリアテープ等であってもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるＭＬＰ・ＩＣおよびＬＯＣ・ＩＣの製造技術について説明したが、それに限定されるものではなく、混成集積回路装置等の半導体装置の製造技術全般に適用することができる。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

複数個のチップを保管するトレイをボンディング装置の機台に設置することにより、トレイに予め移載しておいたダミーのチップを不良品のボンディングエリアにボンディングすることができるので、所謂目抜けのキャリアが発生するのを防止することができる。

本発明の一実施の形態であるＬＯＣ・ＩＣの製造方法に使用されるチップを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う拡大した正面断面図である。 同じくマルチリードフレームを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。 本発明の一実施の形態であるボンディング装置を示す平面図である。 図３のIV−IV線に沿う断面図である。 図３のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。 ボンディングステップを示す一部省略側面断面図である。 本発明の第二の実施の形態であるＩＣの製造方法におけるダイボンディング工程のフロー図である。 本発明の第三の実施の形態であるＩＣの製造方法におけるダイボンディング工程のフロー図である。

符号の説明

１０…チップ（半導体チップ）、１１…保護膜、１２…パッド（電極パッド）、１６…ウエハ、１７…ウエハシート、１８…ウエハリング、２１…マルチリードフレーム、２２…単位リードフレーム（ボンディングエリア）、２３…外枠、２４…インナリード、２５…ワイヤボンディング空間部、２６…粘着テープ、３０…ボンディング装置、３１…機台、３２…フィーダ、３３…ローディング装置、３４…アンローディング装置、３５…プリベークユニット、３６…ボンディングステーション、３７…ウエハマガジン、３８…ウエハローディング・アンローディング装置、４１…Ｙ軸ロボット、４２…Ｘ軸ロボット、４３…Ｚ軸ロボット、４４…第一ボンディングヘッド、５１…第二Ｙ軸ロボット、５２…第二Ｘ軸ロボット、５３…第二Ｚ軸ロボット、５４…昇降台、５５…ヒートブロック、５６…第二ボンディングヘッド、６０…ウエハホルダ、６１…第三Ｙ軸ロボット、６２…第三Ｘ軸ロボット、６３…ウエハリングホルダ、６４…チップエジェクタ、６５…搬送ロボット、６６…Ｚ軸ロボット、６７…Θ軸ロボット、６８…ピックアップヘッド、７０…トレイホルダ、７１…トレイ。

Claims (5)

1. 複数個のチップがキャリアの複数のボンディングエリアにボンディングされるダイボンディング工程を備えた半導体装置の製造方法において、
   前記複数個のチップのうち不良のチップがトレイに移載され、その後に、前記トレイに移載されたチップが前記キャリアの不良のボンディングエリアにボンディングされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 複数個のチップがキャリアの複数のボンディングエリアにボンディングされるダイボンディング工程を備えた半導体装置の製造方法において、
   ダミーのチップがトレイに移載され、その後に、前記トレイに移載されたダミーのチップが前記キャリアの不良のボンディングエリアにボンディングされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. チップがキャリアにボンディングされるダイボンディング工程を備えた半導体装置の製造方法において、
   複数個のチップを複数の群に分類しておき、所定の群のチップを前記キャリアにボンディングし、残りの群のチップをトレイに移載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 複数個のチップをキャリアの複数のボンディングエリアにボンディングするダイボンディング装置において、
   前記複数個のチップのうち所定のチップをトレイに移載するように構成されていることを特徴とするダイボンディング装置。
5. 前記トレイが前記複数個のチップを保持したピックアップ装置と連動されていることを特徴とする請求項４に記載のダイボンディング装置。

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