JP2002162346A - 光導波路型spr現象測定装置 - Google Patents

光導波路型spr現象測定装置

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JP2002162346A JP2000355354A JP2000355354A JP2002162346A JP 2002162346 A JP2002162346 A JP 2002162346A JP 2000355354 A JP2000355354 A JP 2000355354A JP 2000355354 A JP2000355354 A JP 2000355354A JP 2002162346 A JP2002162346 A JP 2002162346A
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勉 堀内
Tatsuya Hida
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久男 田部井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】光導波路作製技術を用いて、小型で交換の便利
なSPR現象計測チップを提供し、このSPR現象計測
チップに光源、光計測器を簡便な方法により接続したS
PR現象測定装置を提供する。 【解決手段】光導波路と、前記光導波路のコアに少なく
とも一部が直接接触する金属薄膜を光導波路型SPR現
象計測チップ16と、光を入射するための光源21と、
出射された光を計測するための光計測器22とを有す
る。 【効果】光導波路作製技術を用いれば、導波路コアを一
つのチップ上に多数作製したり、途中で分岐したり、回
折格子を設けたりと様々な機能を持たせることができ、
それらのSPR現象計測チップを安価で多量に作製する
ことが可能であるで、種々のSPR現象測定装置を安価
に、容易に製造可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路型SPR現象測
定装置、さらに詳細には光学系を用いて金属薄膜上の屈
折率を測定することにより、特定物質の定量・定性を行
うことができる光導波路型SPR現象測定装置に関する
ものである。すなわち導波路作製技術を用いて光を計測
表面に導光できる計測チップを使用した光導波路型SP
R現象測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来化学プロセス計測、環境計測や臨床
検査等で呈色反応や免疫反応を利用した測定が行われて
いる。しかしこの測定方法では被測定物をサンプル抽出
する必要があるほか、煩雑な操作や標識物質を必要とす
るなどの問題があり、標識物質を必要とすることなく、
高感度で被測定物中の化学物質の定性・定量測定の可能
なセンサとして光励起表面プラズモン共鳴現象を利用し
たセンサが提案・実用化されている。以下表面プラズモ
ン共鳴(Surface Plasmon Reson
ance)をSPRと略して用いる。
【0003】SPR現象測定装置は図16に示すよう
に、光源1から発した光をp偏光光のみを通す偏光板2
を通しレンズ3である入射角範囲を持たせて高屈折率プ
リズム4に入射させ、被測定物6に接したセンサ膜を有
した金属薄膜5を照射し、金属薄膜からの反射光の強度
変化を、プリズム4を通して光電子検出器7で検出する
システムが一般的である。
【0004】光源1から発した光は、プリズムと金属の
界面でエバネッセント波となり、その波数は次式により
求められる。
【0005】kev=kppsinθ ここで、kpは入射光の波数、npはプリズムの屈折率、
θは入射角である。
【0006】一方、金属薄膜表面では、表面プラズモン
波が生じ、その波数は次式により求められる。
【0007】 ksp=(C/ω)・√(εn2/(ε+n2)) ここで、Cは光速、ωは角振動数、εは金属薄膜の誘電
率、nは被測定物の屈折率である。
【0008】この、エバネッセント波と表面プラズモン
波の波数が一致する入射角θもしくは入射光の波数の
時、エバネッセント波は表面プラズモンの励起に使わ
れ、反射光として観測される光量が減少する。
【0009】図16では、光源1から放射された光はレ
ンズ3を通して常にある入射角度範囲を持った光を入射
するようになっており、さらに広範囲の入射角の光を入
射できるように、光源1と光電子検出器7は一定の反射
角を保ちながら駆動できるタイプが多い(図16矢印参
照)。
【0010】もしくは、図17に示すように入射光の角
度は一定とし、入射光の波数が可変であるタイプ、ある
いは反射光を分光できるタイプもある。図17において
符号は、図16と同じ部材を示す。
【0011】SPR現象はプリズム、金属薄膜に接した
被測定物の屈折率に依存するために、例えば試料(被測
定物)を水として、図16のような構成のSPR測定装
置で測定した場合、図18に示すようにある一定の角度
で極小を持つ曲線として検出することができ、被測定物
の濃度変化による屈折率変化等を測定するばかりか、金
属薄膜上に抗体などを固定化することにより、抗原と結
合した抗体の屈折率変化を測定することにより、特定物
質の定量を行うことができる。
【0012】近年、SPR現象測定装置は小型化へ多チ
ャンネル化の要求が高まってきている。しかし、図16
のような機器構成では装置が大きくなってしまうという
欠点があり、また、金属薄膜上に何らかのセンサ膜を形
成し、測定する使用法がほとんどであるために、計測部
分おもに金属薄膜の交換は容易であった方が望ましい。
ビアコア(Biacore)社からファイバ型のSPR
現象測定装置(製品名Biacore Probe)、
テキサスインスツルメント(Texas Instru
ment)社からエポキシ樹脂中に光源、光電子検出
器、偏光板、金属薄膜を配した小型のSPR現象測定装
置(製品名Spreeta)が販売されている。また、
その他様々な小型SPR現象測定装置が提案されてい
る。
【0013】しかし、ファイバ型のものはその端面に計
測のための金属薄膜を形成しているものが多く、加工が
困難で、ファイバ1本に付き一つの計測表面しか持つこ
とができない。また、端面の反射光を取り出すためのス
プリッターやカプラなどの光部品が必要となる。
【0014】エポキシ樹脂などにすべての光学系を配し
たタイプのものは、すべての光学部品を精度よく配置し
なければならず、しかも、金属薄膜の交換の利便性を失
っている。さらに光源や受光部分がエポキシ中に組み込
まれているため、センシング部分を交換する際にすべて
の部分を交換する必要があり、コストが高くなる欠点が
あった。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような現
状を鑑みてなされたものであり、その目的は、汎用性・
生産性の高い光導波路作製技術を用いて、小型で交換の
便利なSPR現象計測チップを提供し、このSPR現象
計測チップに光源、光計測器を簡便な方法により接続し
たSPR現象測定装置を提供することである。さらに、
光源、光計測部分とセンシング部分を繰り返し着脱可能
な構造にし、より低価格のSPR現象測定装置を実現す
るものである。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明によるSPR現象測定装置は、コアと前記コ
アの周囲に設けられたクラッドとを備え、前記コアは前
記クラッドより高い屈折率を有し、前記コアに入射した
光を閉じ込めて伝播する光導波路と、前記コアに少なく
とも一部が直接接触し、かつ表面プラズモン共鳴現象を
起こす金属薄膜であって、前記コアを伝播する光を計測
することによって表面プラズモン共鳴現象を測定される
試料が接触するように設けられる前記金属薄膜とを備え
た光導波路型SPR現象計測チップと、光を入射するた
めの光源と、出射された光を計測するための光計測器
と、前記光源と前記光導波路型SPR現象計測チップの
光導波路と前記光計測器とを光学接続するための光学接
続手段を有することを特徴とする。
【0017】本発明の特徴は、SPR現象計測チップに
光導波路を用い、光源、検出器と簡便な光学系で結合さ
せた点にある。光導波路作製技術を用いれば、導波路コ
アを一つのチップ上に多数作製したり、途中で分岐した
り、回折格子を設けたりと様々な機能を持たせることが
でき、それらのSPR現象計測チップを安価で多量に作
製することが可能である。
【0018】また、様々な光導波路への光の入出力の方
法により、光源、光計測器との接続が容易になる。
【0019】
【発明の実施の形態】本発明によるSPR現象測定の原
理は図17の形式の応用であり、プリズムの代わりに光
導波路を使用し、スペクトルを計測するものである。
【0020】本発明のSPR測定装置のセンシング部分
である光導波路を用いたSPR現象計測チップの概略図
を図1aに示す。光導波路は直線の導波路のコア9と、
前記コア9の周りに、前記コア9よりも屈折率の低いク
ラッド8及びオーバークラッド10を設けた構造になっ
ている。
【0021】コア9の一部には金属薄膜5が直接に接す
る形で形成されており、この部分が計測表面となる。入
射光11はコア9に入射され、計測表面上の試料(被測
定物質)6とSPR現象が生じ、出射光12として出射
される。出射された光の光量変化や、スペクトル変化を
計測することにより、SPR現象を観察することができ
る。
【0022】図1bに示すように、計測表面上に試料を
流すことのできるフローセルを取り付けることも可能で
あるが、そのフローセルを光導波路の作製技術を用いて
作製することもできる。すなわちオーバークラッド10
の形状を試料が計測表面に流れることのできる形状にし
た流路Fを形成し、その上に天板Pを貼り付け、試料の
出入口となる試料を流すための配管であるキャピラリー
C等を取り付ければSPR現象を計測するためのチップ
とフローセルを一体化することができる。なお、図1b
で天板Pはわかりやすいように透明に記載してあるが、
透明でなくともよい。
【0023】図2のように多数のコア9を形成すること
もできる。それぞれのコア上に形成してある金属薄膜5
上に、それぞれ、ある特定の物質A、B、Cに反応して
金属薄膜5上の屈折率を変化させるセンサ膜をそれぞれ
固定化すれば、試料中に物質Aが含まれている場合、そ
のセンサ膜を固定化した光導波路のSPR現象に変化が
生じる。このように複数の特定物質の検出を行うことが
できるマルチチャンネルセンサとして使用することが可
能である。図2に示すSPR現象計測チップでは、11
a、11b、11cと示すように、それぞれに光を入射
し、出射光12a、12b、12cをそれぞれ測定す
る。
【0024】図1のようなSPR現象計測チップを作製
する場合、図3(a)のようにクラッド8にダイシング
ソー等の切削手段、マスクを通したエッチング等の手
段、サンドブラスター等の手段によってコアを形成する
ための溝13を作製し、その溝にコア9を形成し(図3
(b))、その上に金属薄膜5を形成する(図3
(c))。金属薄膜5はコア9の少なくとも一部に形成
していればよく、クラッド8全体に形成してもよい。
【0025】この段階でもSPR現象の計測は行える
が、試料を乗せるための窪みをオーバークラッド10で
作製してもよい(図3(d))。図3(d)におけるオ
ーバークラッド10は光感応性高分子を用い、マスクを
通して必要部分に紫外線を照射し硬化させることによっ
て作製可能である。
【0026】また、図4に示すように、クラッド8の上
に、コア9を形成する(図4(a))。コア9の形成す
る方法は、前述の光感応性樹脂とマスクを使用する方法
やマスクを通したエッチングの方法などが考えられる。
その後、コア9と同じ高さまでクラッド8を形成する
(図4(b))。その後、金属薄膜5を形成し(図4
(c))、試料を乗せるための窪みを作製する。
【0027】さらに、図5のように、平滑な基板14の
上に1μm程度のクロム(犠牲層)15を形成し(図5
(a))、その上にコア9を形成する(図5(b))。
その上に、クラッド8を形成し(図5(c))、犠牲層
のクロム15を溶かして基板14を剥離する(図5
(d))。その上にオーバークラッド10を計測領域を
除いて形成し、その上に金属薄膜5を形成することによ
っても作製できる。
【0028】光導波路のコアの形状は、マスクのパター
ンを変えることによって様々に変えることが可能であ
る。
【0029】以上の方法により作製されたSPR現象計
測チップは、何らかの方法で光源・光計測器と接続する
ことにより、SPR現象の測定が可能となる。
【0030】光源からの光計測器までの光の伝播媒体と
して、光ファイバを使用した場合、光通信の分野で一般
的に使われていた手法を応用することができる。
【0031】図6に示すように、本発明による一具体例
によれば、光コネクタ接続タイプの光源21および光計
測器22を備えており、光源21は光コネクタ20を介
して加工した光ファイバ19に接続し、この光ファイバ
19は光ファイバブロック18を介して、SPR現象計
測チップ16に接続している。このSPR現象計測チッ
プ16は同様に光ファイバブロック18を介して光ファ
イバ19に接続しており、この光ファイバ19はコネク
タ20を介して光計測器22に接続した構成になってい
る。光計測器22はコンピュータ23などの演算処理装
置に接続され、データの表示、蓄積、加工が可能であ
る。
【0032】前記光ファイバブロック18はSPR現象
計測チップ16とUV硬化樹脂で接着固定されている。
光ファイバブロックは、光通信の分野で光導波路とファ
イバの接続に一般的に使用されている。光ファイバブロ
ックは、ガラスなどのブロックに光ファイバが固定でき
るようにV溝が形成されており、その上から押さえのブ
ロックを乗せてUV硬化樹脂で固定してあるものであ
る。光ファイバブロックの端面と、接着するSPR現象
計測チップの光導波路の端面を光学研磨した後、UV硬
化樹脂で接着固定することにより、光ファイバを接続し
たSPR現象計測チップを作製することができる。
【0033】また、図7のように、光ファイバとSPR
現象計測チップの接着・固定をせずに、SPR現象計測
チップのみの交換を可能とした装置も考えられる。これ
は、光ファイバとSPR現象計測チップのコアの位置調
節に一般的に使用されるシステムである。光源21、光
計測器22と接続された光ファイバ19は光ファイバ固
定治具24で固定され、その光ファイバ固定治具24は
6軸(x,y,z,θx,θy,θz)の移動ステージ
25の上に固定されている。すなわち光ファイバ固定治
具24は前記移動ステージ25によって、3次元のx,
y,z軸とそれぞれの軸について回転方向に移動できる
6軸移動可能である。SPR現象計測チップ28は光導
波路固定治具27によって固定されている。光導波路固
定治具27はポンプによる吸引口が開いており、SPR
現象計測チップを吸引固定する。光導波路固定治具27
はx軸を移動可能な移動ステージ26に固定されてお
り、x軸を移動可能になっている。このため光を入射、
出射する両方の光ファイバ19とSPR現象計測チップ
28の光導波路は容易に光軸を一致させることができ
る。
【0034】以上のような構成の装置により、光ファイ
バからSPR現象計測チップへの光の入射、SPR現象
計測チップから光ファイバへの出射光の導入における光
軸調整を、光ファイバ固定治具24の移動ステージ25
を動かすことによって効率的に行うことができる。
【0035】また、コアを複数本設けたSPR現象計測
チップ28であっても、1本のコアの光軸調整を行い、
コア間の距離がわかっていれば、SPR現象計測チップ
の固定治具27のx軸移動ステージ26をコア9間距離
だけ動かすことによって簡単に複数本のコアの計測を行
うことができる。
【0036】材料として高分子有機材料を用いたSPR
現象計測チップ16では、光導波路を45°に切断する
と、その端面で光が90°反射をする。この性質を利用
して、図8a及び図8bのような装置を作製することも
可能である。光源21から光が発せられ45°に切断さ
れた光導波路の光を入射する端面で90°反射して、コ
ア9に入射される。計測表面17にてSPR現象の影響
を受けた光は、45°に切断された光導波路の光を出射
する端面で90°反射して、光計測器22へ向かう。
【0037】端面を45°に加工した光導波路は、ダイ
シングソーのブレードが45°で細くなっている形状の
ものを選択し、切断することにより容易に作製すること
ができる。
【0038】光源21と光計測器22はSPR現象計測
チップ16の台座29に固定されているか、光ファイバ
などを介して、接続しても良い。光導波路は光源21、
光計測器22と光軸が合うように設計され、さらに、台
座29に設置したときにずれないようにガイド30を設
けたほうが良い。
【0039】通信用光導波路技術では、導波路上に直
接、受発光素子を固定する技術が確立されているが、そ
の技術を応用することが可能である。図9に示すよう
に、SPR現象計測チップ16と同じ基板上に、光源2
1、光計測器22を設置するためのステージを予め設け
ておき、SPR現象計測チップ16の光導波路のコア9
に光源21の入射光11が導光できるように、また、コ
ア9からの出射光12を光計測器22で受光できるよう
に、光源21,光計測器22の位置を調節し、固定す
る。この技術により、SPR測定装置が非常に小さく、
ワンチップとすることができる。
【0040】また、図10に示すように、SPR現象計
測チップ16の光導波路中に光を90°に反射するグレ
ーティング31を形成することによって、光の入出力を
することも可能である。光源21から発した光は台座2
9に固定された光ファイバ19に導入され、光導波路の
グレーティング31に照射される。グレーティングによ
って反射した光は、コア9内を伝播し、SPR現象を引
き起こす。SPR現象の影響を受けた光は、再び、グレ
ーティング31によって90°反射し、光ファイバ19
内を伝播し、光計測器22によって測定することができ
る。
【0041】前述した、光ファイバブロック18とSP
R現象計測チップの接続を、コネクタのように、容易に
着脱できるようにすることも考えられ得る。図11aの
ように、光ファイバ固定用のブロック34にガイドピン
用の溝33((a)参照)を作製し、貼り合わせるブロ
ック34にも溝33を作製し、両者を貼り合わせること
によって、ガイドピン用の穴35のついた光ファイバブ
ロック18を作製する((b)参照)。この部分にはM
Tコネクタを使用しても良い。なお図において、32は
ベア光ファイバである。
【0042】一方、図11bに示すように、SPR現象
計測チップ16の方にも、光ファイバブロック(MTコ
ネクタ)18のベア光ファイバ32のコア位置に合うよ
うに、SPR現象計測チップ16にガイドピン用の穴3
5を設けておき、図11(c)のように、ガイドピン3
6を介して両者を接続することが可能である。光ファイ
バ19を光源21、および光計測器22に接続すれば、
SPR現象が測定が可能で、そのシステムは図6と同じ
である。また、測定後にSPR現象計測チップのみを容
易に交換することが可能である。
【0043】また、計測領域を多数持つ光ファイバの測
定において、図12a,図12bのような装置を提案す
る。
【0044】円板状の基板37上に、半径方向に放射状
コア9を形成した光導波路を設け、その一部に金属薄膜
5を形成した円板状のSPR現象計測チップ16を設け
た。円板状のSPR現象計測チップ16の中心には45
°の角度で逆すり鉢状の円板状の皿穴38を彫る。する
と、光源21から光が前記逆すり鉢状の皿穴38の裾野
に入射され、45°の傾斜のついた裾野部分で光が90
°反射し、半径方向に伸長するコア9内を伝播し、金属
薄膜5でのSPR現象の影響を受けた光が、円形基板3
7の外周から出射され、光計測器22で測定することが
できる。さらに、円形の基板37の台を回転駆動が付い
た回転台39にすることにより、複数のコアの連続測定
が可能である。
【0045】多チャンネル測定の方法としては、図13
の方法も考えられる。光源21からの光は光ファイバ1
9を介して、スイッチ光導波路40に入射され、スイッ
チ部分43で適当にスイッチングされ、SPR現象計測
チップ41の目的の光導波路のコア9のみに入射される
ようになっている。SPR現象計測チップ41でSPR
現象の影響を受けた光は、分岐光導波路42に入射さ
れ、一本のコアへと集光される。集光された光は、光フ
ァイバ19を介して光計測器22へと接続されている。
【0046】この装置により、多チャンネルの測定を、
一対の光源、光計測器で行うことができる。スイッチン
グ部分は熱光学スイッチや物理的な光学スイッチなどが
考えられる。また、スイッチ光導波路を光計測器側に配
した装置や、光源側、光計測器側両方ともスイッチ光導
波路をする方法も考えられる。
【0047】測定に際し、光源、光計測器の組み合わせ
にはいろいろ考えられる。光源21が白色光源の場合、
光計測器22は分光器が適当で、SPR現象を波長スペ
クトルで計測することができ、試料に起因する屈折率の
変化をそのスペクトル変化で検知することができる。光
源21が波長可変光源である場合は、光計測器は波長可
変光源の発する波長の光の光量を計測できるものであれ
ば良く、SPR現象を波長スペクトルで検知することが
できる。
【0048】さらに、光源として適当な単色光光源を使
用した場合、光計測器としてその単色光の光量を測定で
きる受光器などで良く、試料に起因する屈折率の変化
を、光量の変化として検知することができる。このシス
テムの場合、光源および受光器を素子タイプのものを選
択することによって、装置を非常に小型化できる点にあ
る。
【0049】効果的にSPR現象を起こさせるために
は、p偏光光を入射する必要があり、次の3つの方法が
考えられる。(1)図6における光ファイバ19を偏波
保持ファイバとする方法、(2)光導波路途中に溝を切
り、その溝に偏光板を固定する方法、(3)図4の光導
波路の入射端に偏光板を貼り付ける方法、(4)光ファ
イバの途中に偏光フィルターを挿入する方法などが挙げ
られる。
【0050】なお、SPR現象計測チップの表面プラズ
モン共鳴現象を起こす金属薄膜としては、従来この種の
SPR現象計測装置に使用される金属薄膜を有効に使用
できる。この金属薄膜は、好ましくは40〜52nmで
あるのがよい。この範囲を外れると、表面プラズモン共
鳴現象を反射光を使って検出するのが困難になると言う
欠点を生じるからである。
【0051】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【0052】
【実施例1】エポキシの基板上にクロムを1μm程度ス
パッタ法により形成した。その上にUV硬化性高分子コ
ア材を塗布し、マスクを通したUV光で必要部分のみを
硬化した。未硬化部分は溶剤で除去した。
【0053】作製したコアの断面形状は62.5μm×
62.5μmとし、コアを4本作製し、コア間距離は
2.5mmとした。その上に、熱硬化性高分子クラッド
材を塗布し加熱硬化させ、100μm形成した。その上
に、接着剤で別のエポキシ基板を接着した。その基板を
クロム溶解液に入れ、クロム層を溶解し、最初のエポキ
シ基板を剥離した。すると、平滑な導波路コアが現れ
た。
【0054】その上にUV硬化性高分子クラッド材を塗
布し、マスクを用いて、コアの一部(SPR現象計測用
金属薄膜形成部分)を除いてクラッドを硬化させ、未硬
化部分は溶剤で除去し、その光導波路の入射端、出射端
には端面研磨、光ファイバ接続用のガラスブロックを接
着し、端面研磨を行った後、チタンを50Å、金を45
0Å、スバッタ法により形成し、図2のような光導波路
型SPR計測チップを作製した。
【0055】また、別工程で、V溝を形成したガラスブ
ロックに光ファイバを配置し、上から別のガラスブロッ
クで押し付けてUV硬化性樹脂で接着した後、その端面
を研磨し、光ファイバブロックを作製した。光ファイバ
の片端には光コネクタを作製した。以上のようにして作
製した、光導波路型SPR計測チップと光ファイバブロ
ックを、通信用光導波路と光ファイバブロックの接続で
使用される、光軸合わせ装置で、光軸を合わせ、UV硬
化性樹脂で接着した。
【0056】そして、光ファイバは一方を白色光源に、
もう一方を分光器へ接続し、光導波路型SPR現象測定
装置とした。その構成は図6のようになっている。その
測定結果を図14、図15に示す。図14は空気と水の
違いを示したものであり、水を金属薄膜上に滴下するこ
とによって、SPR現象が生じ、結果、吸収としてスペ
クトルが得られた。また、図15には、試料を水(aで
示す)、1wt%KCl(bで示す)、10wt%KC
l溶液(cで示す)として測定を行った結果を示す。各
溶液の屈折率の違いからスペクトルに変化が現れている
ことがわかり、SPR現象測定に十分な性能を発揮して
いることがわかる。
【0057】
【実施例2】実施例1の方法では、光導波路を交換する
ためには、光ファイバ、光コネクタ、光ファイバブロッ
クも必然的に交換しなければならないが、SPR現象計
測チップのみを交換できる構成を考える必要がある。
【0058】実施例1と同じ工程で光導波路型SPR現
象計測チップを作製した。図7は光ファイバ固定治具2
4、移動ステージ25、26、SPR現象計測チップの
固定治具27がセットで光学常盤に設置されている。光
源21からの光はSPR現象計測チップ28を通過し、
効率的に光計測器22で受光されるように、光計測器の
受光データはフィードバックされ移動ステージ25を自
動で動かし、最適な位置を探るシステムとなっている。
【0059】以上のようなシステムで、SPR現象計測
チップの固定治具27にSPR現象計測チップを固定
し、はじめの1本の導波路のコア9を光軸合わせを行
い、計測した後、移動ステージ26を2.5mm動か
し、自動的に次の導波路のコアの測定をすることが可能
である。
【0060】また、作製するSPR現象計測チップの寸
法を常に同じにしておけば、SPR現象計測チップを取
り替えた場合にでも、光軸合わせを行うことなく即座に
測定を行うこともできる。その場合には、光ファイバ固
定治具と、SPR現象計測チップの固定治具の位置を固
定しておくことで、移動ステージ26のみで装置を構成
することが可能である。
【0061】
【実施例3】実施例1と同じ手順で光導波路を作製した
後、その両端を45°の角度で切断できるブレードで切
断し、図8a中で示される光導波路型SPR現象計測チ
ップを作製した。このSPR現象計測チップの光導波路
は、その45°に加工した端面に光導波路平面に垂直方
向から光を入射すると、その端面で光が90°反射し、
導波路のコア内を伝播し、再び45°に加工した端面で
光が90°に反射し光導波路平面と垂直方向に出射され
ることを確認した。
【0062】そこで、図8a,図8bに示すように、光
導波路の45°加工した端面の垂直方向に白色LED、
と分光器を設置する。白色光源はコリメートレンズを使
用し、導波路コアに効率的に光を導入でき、出射光もコ
リメートレンズを介して分光器に光を入射している。
【0063】さらに、SPR現象計測チップを交換して
も、常に同じ位置に設置でき、光軸がずれないように、
ガイド30を設けることができる。この装置により、S
PR現象によるスペクトルを測定でき、かつ、SPR現
象計測チップは容易に交換することが可能である。
【0064】
【実施例4】実施例1と同じ手順でSPR現象計測チッ
プを作製した。ただし、導波路のコア作製時に、光を9
0°に反射させるグレーティングを2ヶ所形成し、図1
0中に示されるSPR現象計測チップを作製した。その
結果、光導波路中のグレーティング31部分に光を入射
すると、コア9内を光が伝播し、もう1ヶ所のグレーテ
ィング31から光が出射されることを確認した。
【0065】そこで、図10に示すように、グレーティ
ングの導波路平面に垂直方向にファイバ19を2本固定
した台座29を作製し、その上に、SPR現象計測チッ
プを所定位置に固定するためのガイド30を形成する。
2本の光ファイバは波長可変光源と光量測定器に光コネ
クタで接続した。
【0066】この装置により、SPR現象による影響を
受けた光導波路の透過光を測定することが可能である。
かつ、SPR現象計測チップは容易に交換することが可
能である。
【0067】
【実施例5】実施例1と同じ方法でSPR現象計測チッ
プを作製した後、適切な高さの基板に発光素子21、受
光素子22を取り付け、その基板をSPR現象計測チッ
プに、光軸を合わせながら接着する。作製した図9中に
示すようなSPR現象計測チップをパッケージングしI
Cチップと同じような形状にする。
【0068】以上のようにして作製すると、SPR測定
装置は非常に小型化できる。
【0069】
【実施例6】図13のように、スイッチを設けた多チャ
ンネル測定のできる装置も実現可能である。白色光源2
1から出た光は光ファイバ19を伝送し、熱光学8チャ
ンネルのスイッチ導波路40に入射される。スイッチ導
波路40部分ではコンピュータ23による制御でスイッ
チングされ、目的のSPR現象計測チップ41の導波路
のコア9に光を入射される。SPR計測用の光導波路の
コアから出た光は、y分岐導波路42によって一本に集
光され、光ファイバ19を介して、分光器22へ接続さ
れている。
【0070】スイッチ導波路40とSPR現象計測チッ
プ41とy分岐導波路42は、これまで記述してきた方
法で接続可能である。
【0071】
【発明の効果】以上説明したように本発明によるSPR
現象測定装置によれば、光導波路のコアを一つのSPR
現象計測チップ上に多数作製したり、途中で分岐した
り、回折格子を設けたりと様々な機能を持たせることが
できる光導波路型SPR現象計測チップを用い、光源、
検出器と簡便な光学系で結合させるため、種々の種類の
SPR現測定装置を提供できる。また、光導波路作製技
術によって、多くの種類のSPR現象計測チップを安価
に、かつ多量に作製することが可能であるとともに、光
源、光計測器との接続が容易であるため、前記SPR現
象計測チップ、光源、光計測器を容易に交換可能である
という利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図1a】本発明による光導波路型SPR現象計測チッ
プの概略図。
【図1b】流路を設けたSPR現象計測チップの斜視
図。
【図2】多チャンネル型光導波路型SPR現象計測チッ
プの概略図。
【図3】光導波路型SPR現象計測チップの製造方法の
説明図。
【図4】光導波路型SPR現象計測チップの製造方法の
説明図。
【図5】光導波路型SPR現象計測チップの製造方法の
説明図。
【図6】光ファイバで接続したSPR現象測定装置の概
略図。
【図7】光軸合わせ器を使用したSPR現象測定装置の
概略図。
【図8a】45°ミラーを利用したSPR現象測定装置
の概略図。
【図8b】45°ミラーを利用したSPR現象測定装置
の概略図。
【図9】受発光素子をSPR現象測定チップに配置した
SPR現象測定装置の概略図。
【図10】グレーティングを利用したSPR現象測定装
置の概略図。
【図11a】ガイドピン穴のついた光ファイバブロック
の概略図。
【図11b】ガイドピン穴のついたSPR現象計測チッ
プの概略図。
【図11c】ガイドピンを利用した光ファイバブロック
とSPR現象計測チップの接続の概略図。
【図12a】円形SPR現象計測チップと回転台を利用
したSPR現象計測装置の概略図。
【図12b】円形SPR現象計測チップと回転台を利用
したSPR現象計測装置の概略図。
【図13】スイッチを利用したSPR現象測定装置の概
略図。
【図14】図6の構成の装置で空気と水を測定した結果
を示す図。
【図15】図6の構成の装置で様々な試料を測定した結
果を示す図。
【図16】従来の入射角計測タイプにおけるSPR現象
測定装置の概略図。
【図17】従来のスペクトル計測タイプにおけるSPR
現象測定装置の概略図。
【図18】図16でSPR現象を計測した結果を示す
図。
【符号の説明】
1 光源 2 偏光板・偏光子 3 レンズ 4 高屈折率プリズム 5 金属薄膜 6 試料(被測定物) 7 光電子検出器 8 クラッド 9 導波路コア 10 オーバークラッド 11 入射光 12 出射光 13 コアを形成するための溝 14 基板 15 金属膜(犠牲層) 16 SPR現象計測チップ 17 計測表面 18 光ファイバブロック 19 光フアイバ 20 光コネクタ 21 光源 22 光計測器 23 コンピュータ(演算装置) 24 光ファイバ固定治具 25 移動ステージ 26 移動ステージ 27 固定治具 28 SPR現象計測チップ 29 台座 30 ガイド 31 グレーティング 32 ベア光ファイバ 33 ガイドピン用溝 34 ブロック 35 穴 36 ガイドピン 37 円板状の基板 38 逆すり鉢状皿穴 39 回転台 40 スイッチ導波路 41 SPR現象計測チップ 42 Y分岐導波路 43 スイッチ部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丹羽 修 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 堀内 勉 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 飛田 達也 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 田部井 久男 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 今村 三郎 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 Fターム(参考) 2G057 AA12 AC01 BA01 BA05 BC07 CB03 DA11 DB03 DC06 2G059 AA01 BB04 BB13 CC17 DD12 DD13 EE04 EE12 JJ17 JJ19 JJ30 2H047 KA03 KA11 QA07 RA01 2H049 AA06 AA37 AA55 AA62 2K009 BB02 BB11 CC14 DD04 EE00

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コアと前記コアの周囲に設けられたクラ
    ッドとを備え、前記コアは前記クラッドより高い屈折率
    を有し、前記コアに入射した光を閉じ込めて伝播する光
    導波路と、前記コアに少なくとも一部が直接接触し、か
    つ表面プラズモン共鳴現象を起こす金属薄膜であって、
    前記コアを伝播する光を計測することによって表面プラ
    ズモン共鳴現象を測定される試料が接触するように設け
    られる前記金属薄膜とを備えた光導波路型SPR現象計
    測チップと、光を入射するための光源と、出射された光
    を計測するための光計測器と、前記光源と前記光導波路
    型SPR現象計測チップの光導波路と前記光計測器とを
    光学接続するための光学接続手段を有することを特徴と
    する光導波路型SPR現象測定装置。
  2. 【請求項2】 前記光導波路型SPR現象計測チップと
    前記光源と前記光測定器は光ファイバで光学接続されて
    いることを特徴とする請求項1記載の光導波路型SPR
    現象測定装置。
  3. 【請求項3】 前記光導波路型SPR現象計測チップ
    は、クラッド中に複数のコアを有する、複数の光導波路
    を備えていることを特徴とする請求項1または2記載の
    光導波路型SPR現象測定装置。
  4. 【請求項4】 円板状の前記光導波路型SPR現象計測
    チップの半径方向に複数の光導波路と、それぞれの光導
    波路のコアと接触するような前記金属薄膜とを設け、そ
    の中心に45°の角度で逆すり鉢状の皿穴を設けるとと
    もに、前記逆すり鉢状の皿穴の裾野に前記光源よりの光
    を入力し、半径方向に伸びる前記光導波路のコアが光を
    導光し出射するようになっている前記光導波路型SPR
    現象計測チップが回転可能な基板上に設けられており、
    それぞれの光導波路よりの出射光が前記基板の回転によ
    り前記光計測器でそれぞれ計測可能になっていることを
    特徴とする請求項1から3記載のいずれかの光導波路型
    SPR現象測定装置。
  5. 【請求項5】 前記光ファイバは、3次元のx,y,z
    軸とそれぞれの軸について回転方向に移動できる6軸移
    動可能な光ファイバ固定治具によって固定されており、
    前記光導波路型SPR現象計測チップはx軸を移動可能
    な固定治具によって固定されて、前記光ファイバの光軸
    と、前記光導波路型SPR現象計測チップの光導波路の
    光軸が一致可能にしていることを特徴とする請求項1か
    ら3記載のいずれかの光導波路型SPR現象測定装置。
  6. 【請求項6】 複数の光導波路とそれぞれの光導波路に
    接触するように設けられた金属薄膜を有する光導波路型
    SPR現象計測チップの所定の前記光導波路のコアに光
    を入射可能なスイッチング機能を有するスイッチ光導波
    路を、前記光源と光導波路型SPR現象計測チップ間に
    設けたことを特徴とする請求項1から3記載のいずれか
    の光導波路型SPR現象測定装置。
  7. 【請求項7】 複数の光導波路とそれぞれの光導波路に
    接触するように設けられた金属薄膜を有する光導波路型
    SPR現象計測チップよりの出射光を集光し、前記光計
    測器に導光する分岐光導波路を、前記光導波路型SPR
    現象計測チップと光計測器間に設けたことを特徴とする
    請求項6記載の光導波路型SPR現象測定装置。
  8. 【請求項8】 前記光導波路型SPR現象計測チップの
    光導波路のコアは、その伸長方向に対し45°の角度に
    形成された端面を有し、前記光導波路のコアの伸長方向
    から90°の方向より前記45°に形成された前記コア
    の端面に光を入射し、前記コアに光を導光させることを
    特徴とする請求項1から7記載の光導波路型SPR現象
    測定装置。
  9. 【請求項9】 前記コアより出射する端面は、前記コア
    の伸長方向に対し45°の角度に形成された端面であ
    り、前記コアを導光された光を90°方向に出射するこ
    とを特徴とする請求項8記載の光導波路型SPR現象測
    定装置。
  10. 【請求項10】 前記光導波路型SPR現象計測チップ
    の光導波路のコア中に45°方向に光を反射するグレー
    ティングを設け、前記グレーティングに前記光導波路の
    コアの伸長方向から90°の方向より光を入射し、前記
    コアに光を導光させることを特徴とする請求項1から7
    記載の光導波路型SPR現象測定装置。
  11. 【請求項11】 前記コア中に45°方向に光を反射す
    るグレーティングを設け、前記グレーティングにより前
    記光導波路のコアの伸長方向から90°の方向に光を出
    射することを特徴とする請求項10記載の光導波路型S
    PR現象測定装置。
  12. 【請求項12】 前記光源とSPR現象計測チップと光
    計測器は同一基板上に設けられていることを特徴とする
    請求項1から3記載のいずれかの光導波路型SPR現象
    測定装置。
  13. 【請求項13】 前記光ファイバと光導波路型SPR現
    象計測チップのコアは光ファイバ固定ブロックにより光
    学接続されていることを特徴とする請求項2記載の光導
    波路型SPR現象測定装置。
  14. 【請求項14】 前記光ファイバ固定ブロックは、前記
    光ファイバと光学接続されたベア光ファイバと、ガイド
    ピンを挿入するための穴を備えていることを特徴とする
    請求項13記載の光導波路型SPR現象測定装置。
  15. 【請求項15】 前記光導波路型SPR現象計測チップ
    は、前記光ファイバ固定ブロックの穴に対応する位置に
    穴を備え、前記両穴にガイドピンを挿入することによ
    り、前記ベア光ファイバと前記光導波路型SPR現象計
    測チップの光導波路のコアは、相互に光学的に接続され
    ることを特徴とする請求項14記載の光導波路型SPR
    現象測定装置。
  16. 【請求項16】 光源が広波長光源、波長可変光源、単
    色光光源のいずれかであり、光計測器が分光器、光量計
    測器のいずれかである請求項1から15に記載のいずれ
    かの光導波路型SPR現象測定装置。
  17. 【請求項17】 光計測器は演算処理装置に接続され、
    データの表示、蓄積、加工が可能であることを特徴とす
    る請求項1から16記載のいずれかの光導波路型SPR
    現象測定装置。
  18. 【請求項18】 光計測器にて測定される光が、前記金
    属薄膜へp偏光光で入射する光成分であることを特徴と
    する請求項1から17記載のいずれかの光導波路型SP
    R現象測定装置。
  19. 【請求項19】 前記光導波路型SPR現象計測チップ
    と、光源および光計測器は容易に分離することができ、
    前記光導波路型SPR現象計測チップは繰り返し着脱が
    可能であることを特徴とする請求項1から18に記載の
    いずれかの光導波路型SPR現象測定装置。
  20. 【請求項20】 前記光導波路型SPR現象計測チップ
    の金属薄膜上に試料を導入、排出することのできるフロ
    ーセルが形成されているもしくはフローセルが着脱可能
    であることを特徴とする請求項1から19記載のいずれ
    かの光導波路型SPR現象測定装置。
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Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002350335A (ja) * 2001-05-28 2002-12-04 Tama Tlo Kk 屈折率センサー、センサーシステムおよび光ファイバ
WO2004013616A1 (ja) * 2002-08-02 2004-02-12 Nec Corporation マイクロチップ、マイクロチップの製造方法および成分検出方法
JP2004085353A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Toshiba Corp 管状バイオ検知システム
WO2005054826A1 (ja) * 2003-12-08 2005-06-16 Omron Corporation 光分析装置及び光分析デバイス
JP2006317349A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Fujikura Ltd 光センシングシステム
WO2007010951A1 (ja) * 2005-07-20 2007-01-25 National University Corporation Nagoya University キャビティリングダウン分光方法及びそれに用いるプローブ
JP2007508536A (ja) * 2003-10-09 2007-04-05 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 化学種又は生物種用の表面プラズモンマイクロセンサ及びナノセンサ
JP2007093298A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Univ Nagoya 分光方法及びプローブ
JP2007147585A (ja) * 2005-03-17 2007-06-14 Kagoshima Univ 液体屈折率測定装置
JP2007248253A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Omron Corp 光学部品、光学センサ、表面プラズモンセンサ及び指紋認証装置
JP2008516257A (ja) * 2004-10-13 2008-05-15 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 表面増強ラマン分光法のためのその場励起
JP2008519254A (ja) * 2004-11-04 2008-06-05 ディー3 テクノロジーズ リミテッド 増強ラマン分光法のための金属ナノ空隙フォトニック結晶
WO2008075578A1 (ja) * 2006-12-19 2008-06-26 Omron Corporation 表面プラズモンセンサ
JP2008527334A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 コーニング インコーポレイテッド 非精製検体のラベルフリー検出
JP2008215845A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Mitsubishi Electric Corp 車両用燃料性状検出装置
JP2009133836A (ja) * 2007-11-06 2009-06-18 Toshiba Corp 光学式センサ
JP2009192953A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Tokyo Keiki Inc 光機能素子
JP2010175454A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Yabegawa Denki Kogyo Kk 流体移送装置、流体移送方法、プログラム、及び、記録媒体
US7864313B2 (en) 2004-11-04 2011-01-04 Renishaw Diagnostics Limited Metal nano-void photonic crystal for enhanced raman spectroscopy
JP2011511292A (ja) * 2008-02-01 2011-04-07 レア ライト インコーポレイテッド 近臨界反射分光測定のための方法、デバイス、及びキット
US7999941B2 (en) 2006-03-15 2011-08-16 Omron Corporation Surface plasmon resonance sensor chip and surface plasmon resonance sensor
WO2012077482A1 (ja) * 2010-12-10 2012-06-14 日東電工株式会社 Sprセンサセルおよびsprセンサ
JP2012200207A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 溶液供給器具および溶液供給方法
US8564781B2 (en) 2008-09-01 2013-10-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. SPR sensor
US20140017125A1 (en) * 2011-03-28 2014-01-16 Nitto Denko Corporation Spr sensor cell and spr sensor
US20140017126A1 (en) * 2011-03-28 2014-01-16 Nitto Denko Corporation Spr sensor cell and spr sensor
CN103797354A (zh) * 2011-09-15 2014-05-14 日东电工株式会社 Spr传感器元件和spr传感器
US8970838B2 (en) 2011-04-29 2015-03-03 Avolonte Health LLC Method and apparatus for evaluating a sample through variable angle Raman spectroscopy
US9041923B2 (en) 2009-04-07 2015-05-26 Rare Light, Inc. Peri-critical reflection spectroscopy devices, systems, and methods
WO2016125696A1 (ja) * 2015-02-05 2016-08-11 日東電工株式会社 計測装置
CN106770032A (zh) * 2016-12-07 2017-05-31 大连理工大学 相位探测型光纤spr生化传感系统
CN107884367A (zh) * 2017-10-12 2018-04-06 重庆三峡学院 一种哑铃光纤spr检测微流芯片
WO2018143474A1 (ja) * 2017-02-06 2018-08-09 Tdk株式会社 光導波型センサーおよび物質検出方法
CN109839365A (zh) * 2019-03-26 2019-06-04 中国计量大学 一种基于硅基中红外亚波长光栅波导的气体传感器

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105092536A (zh) * 2015-08-19 2015-11-25 武汉理工大学 一种多模-单模结构光纤表面等离子体共振传感器及其检测方法

Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002350335A (ja) * 2001-05-28 2002-12-04 Tama Tlo Kk 屈折率センサー、センサーシステムおよび光ファイバ
WO2004013616A1 (ja) * 2002-08-02 2004-02-12 Nec Corporation マイクロチップ、マイクロチップの製造方法および成分検出方法
US7058244B2 (en) 2002-08-02 2006-06-06 Nec Corporation Microchip, method of manufacturing microchip, and method of detecting compositions
JP2004085353A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Toshiba Corp 管状バイオ検知システム
JP2007508536A (ja) * 2003-10-09 2007-04-05 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 化学種又は生物種用の表面プラズモンマイクロセンサ及びナノセンサ
WO2005054826A1 (ja) * 2003-12-08 2005-06-16 Omron Corporation 光分析装置及び光分析デバイス
US7342663B2 (en) 2003-12-08 2008-03-11 Omron Corporation Optical analyzing unit and optical analyzing device
JP2008516257A (ja) * 2004-10-13 2008-05-15 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 表面増強ラマン分光法のためのその場励起
US7864313B2 (en) 2004-11-04 2011-01-04 Renishaw Diagnostics Limited Metal nano-void photonic crystal for enhanced raman spectroscopy
JP2008519254A (ja) * 2004-11-04 2008-06-05 ディー3 テクノロジーズ リミテッド 増強ラマン分光法のための金属ナノ空隙フォトニック結晶
JP4801085B2 (ja) * 2004-11-04 2011-10-26 レニショー ダイアグノスティックス リミテッド 増強ラマン分光法のための金属ナノ空隙フォトニック結晶
JP2008527334A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 コーニング インコーポレイテッド 非精製検体のラベルフリー検出
JP2007147585A (ja) * 2005-03-17 2007-06-14 Kagoshima Univ 液体屈折率測定装置
JP2006317349A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Fujikura Ltd 光センシングシステム
JP4679962B2 (ja) * 2005-05-13 2011-05-11 株式会社フジクラ 光センシングシステム
WO2007010951A1 (ja) * 2005-07-20 2007-01-25 National University Corporation Nagoya University キャビティリングダウン分光方法及びそれに用いるプローブ
JP2007093298A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Univ Nagoya 分光方法及びプローブ
JP2007248253A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Omron Corp 光学部品、光学センサ、表面プラズモンセンサ及び指紋認証装置
US7999941B2 (en) 2006-03-15 2011-08-16 Omron Corporation Surface plasmon resonance sensor chip and surface plasmon resonance sensor
CN101395462B (zh) * 2006-03-15 2011-08-31 欧姆龙株式会社 表面等离子体共振传感器用芯片和表面等离子体共振传感器
WO2008075578A1 (ja) * 2006-12-19 2008-06-26 Omron Corporation 表面プラズモンセンサ
JP2008215845A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Mitsubishi Electric Corp 車両用燃料性状検出装置
JP2009133836A (ja) * 2007-11-06 2009-06-18 Toshiba Corp 光学式センサ
US8730468B2 (en) 2008-02-01 2014-05-20 Rare Light, Inc. Methods, devices and kits for peri-critical reflectance spectroscopy
JP2011511292A (ja) * 2008-02-01 2011-04-07 レア ライト インコーポレイテッド 近臨界反射分光測定のための方法、デバイス、及びキット
JP2009192953A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Tokyo Keiki Inc 光機能素子
US8564781B2 (en) 2008-09-01 2013-10-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. SPR sensor
JP2010175454A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Yabegawa Denki Kogyo Kk 流体移送装置、流体移送方法、プログラム、及び、記録媒体
US9041923B2 (en) 2009-04-07 2015-05-26 Rare Light, Inc. Peri-critical reflection spectroscopy devices, systems, and methods
JP2012122915A (ja) * 2010-12-10 2012-06-28 Nitto Denko Corp Sprセンサセルおよびsprセンサ
CN103261875A (zh) * 2010-12-10 2013-08-21 日东电工株式会社 Spr传感器单元和spr传感器
WO2012077482A1 (ja) * 2010-12-10 2012-06-14 日東電工株式会社 Sprセンサセルおよびsprセンサ
JP2012200207A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 溶液供給器具および溶液供給方法
US20140017125A1 (en) * 2011-03-28 2014-01-16 Nitto Denko Corporation Spr sensor cell and spr sensor
US20140017126A1 (en) * 2011-03-28 2014-01-16 Nitto Denko Corporation Spr sensor cell and spr sensor
US8970838B2 (en) 2011-04-29 2015-03-03 Avolonte Health LLC Method and apparatus for evaluating a sample through variable angle Raman spectroscopy
CN103797354A (zh) * 2011-09-15 2014-05-14 日东电工株式会社 Spr传感器元件和spr传感器
WO2016125696A1 (ja) * 2015-02-05 2016-08-11 日東電工株式会社 計測装置
CN106770032A (zh) * 2016-12-07 2017-05-31 大连理工大学 相位探测型光纤spr生化传感系统
WO2018143474A1 (ja) * 2017-02-06 2018-08-09 Tdk株式会社 光導波型センサーおよび物質検出方法
CN107884367A (zh) * 2017-10-12 2018-04-06 重庆三峡学院 一种哑铃光纤spr检测微流芯片
CN107884367B (zh) * 2017-10-12 2023-09-22 重庆三峡学院 一种哑铃光纤spr检测微流芯片
CN109839365A (zh) * 2019-03-26 2019-06-04 中国计量大学 一种基于硅基中红外亚波长光栅波导的气体传感器

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