JP2002162345A - 分光機能を持った光導波路型ｓｐｒ現象計測チップ及びｓｐｒ現象測定装置 - Google Patents
分光機能を持った光導波路型ｓｐｒ現象計測チップ及びｓｐｒ現象測定装置Info
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- JP2002162345A JP2002162345A JP2000355353A JP2000355353A JP2002162345A JP 2002162345 A JP2002162345 A JP 2002162345A JP 2000355353 A JP2000355353 A JP 2000355353A JP 2000355353 A JP2000355353 A JP 2000355353A JP 2002162345 A JP2002162345 A JP 2002162345A
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- Japan
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- optical waveguide
- spr phenomenon
- light
- core
- phenomenon
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- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】大きな分光器を用いずに、適当な光源さえあれ
ばＳＰＲ現象の波長スペクトル測定が可能である小型な
ＳＰＲ現象計測チップおよびＳＰＲ現象測定装置を提供
する。 【解決手段】光導波路と、光導波路のコアに少なくとも
一部が直接接触する金属薄膜１６とを備えたＳＰＲ現象
計測部分と、前記ＳＰＲ現象計測部分に入射する光ある
いは前記ＳＰＲ現象計測チップより出射した光を分光す
る機能を有する分光機能部分１９，２０，２１とを備
え、前記ＳＰＲ現象計測チップあるいは分光機能部分よ
り出射した光を測定する光計測器２２を備えた計測チッ
プおよびこれに光測定装置を設けたＳＰＲ現象測定装置
であることを特徴とする。 【効果】ＳＰＲ現象計測チップに光導波路を適応し、光
導波路に分光機能を持たせることにより、特別な分光器
を必要としない小型なＳＰＲ現象計測チップおよびＳＰ
Ｒ現象測定装置を提供できる。
ばＳＰＲ現象の波長スペクトル測定が可能である小型な
ＳＰＲ現象計測チップおよびＳＰＲ現象測定装置を提供
する。 【解決手段】光導波路と、光導波路のコアに少なくとも
一部が直接接触する金属薄膜１６とを備えたＳＰＲ現象
計測部分と、前記ＳＰＲ現象計測部分に入射する光ある
いは前記ＳＰＲ現象計測チップより出射した光を分光す
る機能を有する分光機能部分１９，２０，２１とを備
え、前記ＳＰＲ現象計測チップあるいは分光機能部分よ
り出射した光を測定する光計測器２２を備えた計測チッ
プおよびこれに光測定装置を設けたＳＰＲ現象測定装置
であることを特徴とする。 【効果】ＳＰＲ現象計測チップに光導波路を適応し、光
導波路に分光機能を持たせることにより、特別な分光器
を必要としない小型なＳＰＲ現象計測チップおよびＳＰ
Ｒ現象測定装置を提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は分光機能を持った光導波
路型ＳＰＲ現象計測チップ及びＳＰＲ現象測定装置、さ
らに詳細には導波路作製技術を用いて光を計測表面に導
光できる光導波路型ＳＰＲ現象計測チップ及び光学系を
用いて金属薄膜上の屈折率を測定することにより、特定
物質の定量・定性を行うことができる表面プラズモン共
鳴現象測定装置表に関するものである。
路型ＳＰＲ現象計測チップ及びＳＰＲ現象測定装置、さ
らに詳細には導波路作製技術を用いて光を計測表面に導
光できる光導波路型ＳＰＲ現象計測チップ及び光学系を
用いて金属薄膜上の屈折率を測定することにより、特定
物質の定量・定性を行うことができる表面プラズモン共
鳴現象測定装置表に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来化学プロセス計測、環境計測や臨床
検査等で呈色反応や免疫反応を利用した測定が行われて
いる。しかしこの測定方法では被測定物をサンプル抽出
する必要があるほか、煩雑な操作や標識物質を必要とす
るなどの問題があり、標識物質を必要とすることなく、
高感度で被測定物中の化学物質の定性・定量測定の可能
なセンサとして光励起表面プラズモン共鳴現象を利用し
たセンサが提案・実用化されている。以下表面プラズモ
ン共鳴（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｌａｓｍｏｎ Ｒｅｓｏｎ
ａｎｃｅ）をＳＰＲと略して用いる。
検査等で呈色反応や免疫反応を利用した測定が行われて
いる。しかしこの測定方法では被測定物をサンプル抽出
する必要があるほか、煩雑な操作や標識物質を必要とす
るなどの問題があり、標識物質を必要とすることなく、
高感度で被測定物中の化学物質の定性・定量測定の可能
なセンサとして光励起表面プラズモン共鳴現象を利用し
たセンサが提案・実用化されている。以下表面プラズモ
ン共鳴（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｌａｓｍｏｎ Ｒｅｓｏｎ
ａｎｃｅ）をＳＰＲと略して用いる。
【０００３】ＳＰＲ現象測定装置は図１２に示すよう
に、光源１から発した光をｐ偏光光のみを通す偏光板２
を通しレンズ３である入射角範囲を持たせて高屈折率プ
リズム４に入射させ、被測定物６に接したセンサ膜を有
した金属薄膜５を照射し、金属薄膜からの反射光の強度
変化を、プリズム４を通して光電子検出器７で検出する
システムが一般的である。
に、光源１から発した光をｐ偏光光のみを通す偏光板２
を通しレンズ３である入射角範囲を持たせて高屈折率プ
リズム４に入射させ、被測定物６に接したセンサ膜を有
した金属薄膜５を照射し、金属薄膜からの反射光の強度
変化を、プリズム４を通して光電子検出器７で検出する
システムが一般的である。
【０００４】光源１から発した光は、プリズムと金属の
界面でエバネッセント波となり、その波数は次式により
求められる。
界面でエバネッセント波となり、その波数は次式により
求められる。
【０００５】ｋev＝ｋpｎpｓｉｎθ ここで、ｋｐは入射光の波数、ｎｐはプリズムの屈折
率、θは入射角である。
率、θは入射角である。
【０００６】一方、金属薄膜表面では、表面プラズモン
波が生じ、その波数は次式により求められる。
波が生じ、その波数は次式により求められる。
【０００７】 ｋsp＝（Ｃ／ω）・√（εｎ2／（ε＋ｎ2）） ここで、Ｃは光速、ωは角振動数、εは金属薄膜の誘電
率、ｎは被測定物の屈折率である。このエバネッセント
波と表面プラズモン波の波数が一致する入射角θもしく
は入射光の波数の時、エバネッセント波は表面プラズモ
ンの励起に使われ、反射光として観測される光量が減少
する。
率、ｎは被測定物の屈折率である。このエバネッセント
波と表面プラズモン波の波数が一致する入射角θもしく
は入射光の波数の時、エバネッセント波は表面プラズモ
ンの励起に使われ、反射光として観測される光量が減少
する。
【０００８】図１２では、光源１から放射された光はレ
ンズ３を通して常にある入射角度範囲を持った光を入射
するようになっており、さらに広範囲の入射角の光を入
射できるように、光源１と光電子検出器７は一定の反射
角を保ちながら駆動できるタイプが多い。
ンズ３を通して常にある入射角度範囲を持った光を入射
するようになっており、さらに広範囲の入射角の光を入
射できるように、光源１と光電子検出器７は一定の反射
角を保ちながら駆動できるタイプが多い。
【０００９】もしくは、図１３に示すように入射光の角
度は一定とし、入射光の波数が可変であるタイプ、ある
いは反射光を分光できるタイプもある。なお、図１３に
おいて、符号は図１２と同じものを示す。
度は一定とし、入射光の波数が可変であるタイプ、ある
いは反射光を分光できるタイプもある。なお、図１３に
おいて、符号は図１２と同じものを示す。
【００１０】ＳＰＲ現象はプリズム・金属薄膜に接した
被測定物の屈折率に依存するために、例えば試料を水と
して、図１２のような構成のＳＰＲ測定装置で測定した
場合、図１４に示すようにある一定の角度で極小を持つ
曲線として検出することができ、被測定物の濃度変化に
よる屈折率変化等を測定するばかりか、金属薄膜上に抗
体などを固定化することにより、抗原と結合した抗体の
屈折率変化を測定することにより、特定物質の定量を行
うことができる。
被測定物の屈折率に依存するために、例えば試料を水と
して、図１２のような構成のＳＰＲ測定装置で測定した
場合、図１４に示すようにある一定の角度で極小を持つ
曲線として検出することができ、被測定物の濃度変化に
よる屈折率変化等を測定するばかりか、金属薄膜上に抗
体などを固定化することにより、抗原と結合した抗体の
屈折率変化を測定することにより、特定物質の定量を行
うことができる。
【００１１】近年、ＳＰＲ現象測定装置は小型化への要
求が高まってきている。しかし、図１２のような機器構
成では装置が大きくなってしまい、また、計測部分おも
に金属薄膜の交換がとても不便であるという欠点があっ
た。
求が高まってきている。しかし、図１２のような機器構
成では装置が大きくなってしまい、また、計測部分おも
に金属薄膜の交換がとても不便であるという欠点があっ
た。
【００１２】そこで、ビアコア（Ｂｉａｃｏｒｅ）社か
らファイバ型のＳＰＲ現象測定装置（製品名Ｂｉａｃｏ
ｒｅ Ｐｒｏｂｅ）、テキサスインスツルメント（Ｔｅ
ｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ）社からエポキシ樹脂中
に光源、光電子検出器、偏光板、金属薄膜を配した小型
のＳＰＲ現象測定装置（製品名Ｓｐｒｅｅｔａ）が販売
されている。また、その他様々な小型ＳＰＲ現象測定装
置が提案されている。
らファイバ型のＳＰＲ現象測定装置（製品名Ｂｉａｃｏ
ｒｅ Ｐｒｏｂｅ）、テキサスインスツルメント（Ｔｅ
ｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ）社からエポキシ樹脂中
に光源、光電子検出器、偏光板、金属薄膜を配した小型
のＳＰＲ現象測定装置（製品名Ｓｐｒｅｅｔａ）が販売
されている。また、その他様々な小型ＳＰＲ現象測定装
置が提案されている。
【００１３】しかし、ファイバ型のものはその端面に計
測のための金属薄膜を形成しているものが多く、加工が
困難で、ファイバ１本に付き一つの計測表面しか持つこ
とができない。また、光ファイバからの反射光を取り出
すためのスプリッターやカプラなどの光部品、反射光を
計測するための分光器などが必要となり小型化に限度が
ある。エポキシ樹脂などにすべての光学系を配したタイ
プのものは、すべての光学部品を精度よく配置しなけれ
ばならず、しかも、金属薄膜の交換の利便性を失ってい
る。
測のための金属薄膜を形成しているものが多く、加工が
困難で、ファイバ１本に付き一つの計測表面しか持つこ
とができない。また、光ファイバからの反射光を取り出
すためのスプリッターやカプラなどの光部品、反射光を
計測するための分光器などが必要となり小型化に限度が
ある。エポキシ樹脂などにすべての光学系を配したタイ
プのものは、すべての光学部品を精度よく配置しなけれ
ばならず、しかも、金属薄膜の交換の利便性を失ってい
る。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような現
状を鑑みてなされたものであり、その目的は、汎用性・
生産性の高い光導波路作製技術を用いて、小型で交換の
容易なＳＰＲ現象計測チップ及び前記ＳＰＲ現象計測チ
ップを使用したＳＰＲ現象測定装置を提供することであ
り、詳しくは、大きな分光器を用いずに、適当な光源さ
えあればＳＰＲ現象の波長スペクトル測定が可能である
小型なＳＰＲ現象計測チップ及びＳＰＲ現象測定装置を
提供することである。
状を鑑みてなされたものであり、その目的は、汎用性・
生産性の高い光導波路作製技術を用いて、小型で交換の
容易なＳＰＲ現象計測チップ及び前記ＳＰＲ現象計測チ
ップを使用したＳＰＲ現象測定装置を提供することであ
り、詳しくは、大きな分光器を用いずに、適当な光源さ
えあればＳＰＲ現象の波長スペクトル測定が可能である
小型なＳＰＲ現象計測チップ及びＳＰＲ現象測定装置を
提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明による分光機能を持った光導波路型ＳＰＲ現
象計測チップは、コアと前記コアの周囲に設けられたク
ラッドとを備え、前記コアは前記クラッドより高い屈折
率を有し、前記コアに入射した光を閉じ込めて伝播する
光導波路と、前記コアに少なくとも一部が直接接触し、
かつ表面プラズモン共鳴現象を起こす金属薄膜であっ
て、前記コアを伝播する光を計測することによって表面
プラズモン共鳴現象を測定される試料が接触するように
設けられる前記金属薄膜とを備えたＳＰＲ現象計測部分
と、前記ＳＰＲ現象計測部分に入射する光あるいは前記
ＳＰＲ現象計測部分より出射した光が通過することによ
って分光する機能を有する分光機能部分とを備えたこと
を特徴とする。
め、本発明による分光機能を持った光導波路型ＳＰＲ現
象計測チップは、コアと前記コアの周囲に設けられたク
ラッドとを備え、前記コアは前記クラッドより高い屈折
率を有し、前記コアに入射した光を閉じ込めて伝播する
光導波路と、前記コアに少なくとも一部が直接接触し、
かつ表面プラズモン共鳴現象を起こす金属薄膜であっ
て、前記コアを伝播する光を計測することによって表面
プラズモン共鳴現象を測定される試料が接触するように
設けられる前記金属薄膜とを備えたＳＰＲ現象計測部分
と、前記ＳＰＲ現象計測部分に入射する光あるいは前記
ＳＰＲ現象計測部分より出射した光が通過することによ
って分光する機能を有する分光機能部分とを備えたこと
を特徴とする。
【００１６】また本発明によるＳＰＲ現象測定装置は、
コアと前記コアの周囲に設けられたクラッドとを備え、
前記コアは前記クラッドより高い屈折率を有し、前記コ
アに入射した光を閉じ込めて伝播する光導波路と、前記
コアに少なくとも一部が直接接触し、かつ表面プラズモ
ン共鳴現象を起こす金属薄膜であって、前記コアを伝播
する光を計測することによって表面プラズモン共鳴現象
を測定される試料が接触するように設けられる前記金属
薄膜とを備えたＳＰＲ現象計測部分と、前記ＳＰＲ現象
計測部分に入射する光あるいは前記ＳＰＲ現象計測部分
より出射した光が通過することによって分光する機能を
有する分光機能部分とを有する導波路型ＳＰＲ現象計測
チップと、前記金属薄膜上の屈折率の影響を受けた表面
プラズモン共鳴現象の波長スペクトルを測定するため、
前記ＳＰＲ現象計測チップより出射した光を測定する光
計測器とを備えたことを特徴とする。
コアと前記コアの周囲に設けられたクラッドとを備え、
前記コアは前記クラッドより高い屈折率を有し、前記コ
アに入射した光を閉じ込めて伝播する光導波路と、前記
コアに少なくとも一部が直接接触し、かつ表面プラズモ
ン共鳴現象を起こす金属薄膜であって、前記コアを伝播
する光を計測することによって表面プラズモン共鳴現象
を測定される試料が接触するように設けられる前記金属
薄膜とを備えたＳＰＲ現象計測部分と、前記ＳＰＲ現象
計測部分に入射する光あるいは前記ＳＰＲ現象計測部分
より出射した光が通過することによって分光する機能を
有する分光機能部分とを有する導波路型ＳＰＲ現象計測
チップと、前記金属薄膜上の屈折率の影響を受けた表面
プラズモン共鳴現象の波長スペクトルを測定するため、
前記ＳＰＲ現象計測チップより出射した光を測定する光
計測器とを備えたことを特徴とする。
【００１７】本発明の特徴は、ＳＰＲ現象計測チップに
光導波路を適応した点にあり、さらに、光導波路に分光
機能を持たせることにより、特別な分光器を必要としな
い点にある。また、本発明によるＳＰＲ現象測定装置
は、上述の分光機能を持つＳＰＲ現象計測チップを使用
することにより、小型で安価なＳＰＲ現象測定装置を提
供できる。
光導波路を適応した点にあり、さらに、光導波路に分光
機能を持たせることにより、特別な分光器を必要としな
い点にある。また、本発明によるＳＰＲ現象測定装置
は、上述の分光機能を持つＳＰＲ現象計測チップを使用
することにより、小型で安価なＳＰＲ現象測定装置を提
供できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明によるＳＰＲ現象測定の原
理は図１３の形式の応用であり、プリズムの代わりに光
導波路を使用し、スペクトルを計測するものである。
理は図１３の形式の応用であり、プリズムの代わりに光
導波路を使用し、スペクトルを計測するものである。
【００１９】光導波路を用いた光導波路型ＳＰＲ現象計
測部分の概略図を図１に示す。光導波路は直線の導波路
のコア９と、前記コア９の周りに、前記コア９よりも屈
折率の低いクラッド８及びオーバークラッド１０を設け
た構造になっている。
測部分の概略図を図１に示す。光導波路は直線の導波路
のコア９と、前記コア９の周りに、前記コア９よりも屈
折率の低いクラッド８及びオーバークラッド１０を設け
た構造になっている。
【００２０】コア９の一部には金属薄膜５が直接に接す
る形で形成されており、この部分が計測表面となる。入
射光１１はコア９に入射され、計測表面上の試料６とＳ
ＰＲ現象が生じ、出射光１２として出射される。出射さ
れた光の光量変化や、スペクトル変化を計測することに
より、ＳＰＲ現象を観察することができる。
る形で形成されており、この部分が計測表面となる。入
射光１１はコア９に入射され、計測表面上の試料６とＳ
ＰＲ現象が生じ、出射光１２として出射される。出射さ
れた光の光量変化や、スペクトル変化を計測することに
より、ＳＰＲ現象を観察することができる。
【００２１】図１のようなＳＰＲ現象計測部分を作製す
る場合、図２（ａ）のようにクラッド８にダイシングソ
ー等の切削手段、マスクを通したエッチング等の手段、
サンドブラスター等の手段によってコアを形成するため
の溝１３を作製し、その溝にコア９を形成し（図２
（ｂ））、その上に金属薄膜５を形成する（図３
（ｃ））。金属薄膜５はコア９の少なくとも一部に形成
していればよく、クラッド８全体に形成してもよい。
る場合、図２（ａ）のようにクラッド８にダイシングソ
ー等の切削手段、マスクを通したエッチング等の手段、
サンドブラスター等の手段によってコアを形成するため
の溝１３を作製し、その溝にコア９を形成し（図２
（ｂ））、その上に金属薄膜５を形成する（図３
（ｃ））。金属薄膜５はコア９の少なくとも一部に形成
していればよく、クラッド８全体に形成してもよい。
【００２２】この段階でもＳＰＲ現象の計測は行える
が、試料を乗せるための窪みをオーバークラッド１０で
作製してもよい（図２（ｄ））。図２（ｄ）におけるオ
ーバークラッド１０は光感応性高分子を用い、マスクを
通して必要部分に紫外線を照射し硬化させることによっ
て作製可能である。
が、試料を乗せるための窪みをオーバークラッド１０で
作製してもよい（図２（ｄ））。図２（ｄ）におけるオ
ーバークラッド１０は光感応性高分子を用い、マスクを
通して必要部分に紫外線を照射し硬化させることによっ
て作製可能である。
【００２３】また、図３に示すように、クラッド８の上
に、コア９を形成する（図３（ａ））。コア９の形成す
る方法は、前述の光感応性樹脂とマスクを使用する方法
やマスクを通したエッチングの方法など考えられる。そ
の後、コア９と同じ高さまでクラッド８を形成する（図
３（ｂ））。その後、金属薄膜５を形成し（図３
（ｃ））、試料を乗せるための窪みを作製する。
に、コア９を形成する（図３（ａ））。コア９の形成す
る方法は、前述の光感応性樹脂とマスクを使用する方法
やマスクを通したエッチングの方法など考えられる。そ
の後、コア９と同じ高さまでクラッド８を形成する（図
３（ｂ））。その後、金属薄膜５を形成し（図３
（ｃ））、試料を乗せるための窪みを作製する。
【００２４】さらに、図４のように、平滑な基板１４の
上に１μｍ程度のクロム（犠牲層）１５を形成し（図４
（ａ））、その上にコア９を形成する（図４（ｂ））。
その上に、クラッド８を形成し（図４（ｃ））、クロム
１５を溶かして基板１４を剥離する（図４（ｄ））。そ
の上にオーバークラッド１０を計測領域を除いて形成
し、金属薄膜５を形成することによっても作製できる。
上に１μｍ程度のクロム（犠牲層）１５を形成し（図４
（ａ））、その上にコア９を形成する（図４（ｂ））。
その上に、クラッド８を形成し（図４（ｃ））、クロム
１５を溶かして基板１４を剥離する（図４（ｄ））。そ
の上にオーバークラッド１０を計測領域を除いて形成
し、金属薄膜５を形成することによっても作製できる。
【００２５】作製の方法はこれ以外にもあるが、一部作
製法のみここに記述した。光導波路のコアの形状は、マ
スクのパターンを変えることによって様々に変えること
が可能である。
製法のみここに記述した。光導波路のコアの形状は、マ
スクのパターンを変えることによって様々に変えること
が可能である。
【００２６】図５に、分光機能部分が光カプラ１７であ
る分光機能を持った光導波路型ＳＰＲ現象計測チップを
示す。前記カプラ１７は、光を単に分けるだけでなく、
設計次第では波長（波数）に依存して分岐させることが
できる。波数Ｄ、Ｅの光を１１ｄに入射し、波数Ｄの光
は１２ｄへ、波数Ｅの光は１２ｅに出射されるように設
計することが可能である。その機能を利用し、光カプラ
を複数用いれば、分光機能部分として用いることが可能
である。１６は金属薄膜（透明に記載してある）であ
り、分岐した光導波路とともにＳＰＲ計測部分を構成す
る。このようなＳＰＲ現象計測チップよりの出射光１２
ｄ、１２ｅを光計測器で測定する。
る分光機能を持った光導波路型ＳＰＲ現象計測チップを
示す。前記カプラ１７は、光を単に分けるだけでなく、
設計次第では波長（波数）に依存して分岐させることが
できる。波数Ｄ、Ｅの光を１１ｄに入射し、波数Ｄの光
は１２ｄへ、波数Ｅの光は１２ｅに出射されるように設
計することが可能である。その機能を利用し、光カプラ
を複数用いれば、分光機能部分として用いることが可能
である。１６は金属薄膜（透明に記載してある）であ
り、分岐した光導波路とともにＳＰＲ計測部分を構成す
る。このようなＳＰＲ現象計測チップよりの出射光１２
ｄ、１２ｅを光計測器で測定する。
【００２７】さらに、分光する機能を持つ分光機能部分
として、図６に示すようなアレイ導波路回折格子、図７
に示すようなプリズム、図８に示すような回折格子など
が考えられる。
として、図６に示すようなアレイ導波路回折格子、図７
に示すようなプリズム、図８に示すような回折格子など
が考えられる。
【００２８】図６の分光機能部分であるアレイ導波路格
子は、入力用導波路コア１８、入力側スラブ導波路１
９、アレイ導波路２０、出力側スラブ導波路２１からな
り、入射光１１に適当な広波長光源を用いた時、出力側
スラブ導波路２１から出射される光は波長により検出さ
れる位置が異なる。よって、金属薄膜１６でＳＰＲ現象
を起こした光は、アレイ導波路格子（入力側スラブ導波
路１９、アレイ導波路２０、出力側スラブ導波路２１）
で分光され、前記ＳＰＲ現象計測チップと一体的に形成
されたＰＳＤ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ
Ｄｅｔｅｃｔｏｒ：半導体光位置検出器）、光検出ラ
インセンサ等の光検出器２２上にスペクトル強度として
検出される。
子は、入力用導波路コア１８、入力側スラブ導波路１
９、アレイ導波路２０、出力側スラブ導波路２１からな
り、入射光１１に適当な広波長光源を用いた時、出力側
スラブ導波路２１から出射される光は波長により検出さ
れる位置が異なる。よって、金属薄膜１６でＳＰＲ現象
を起こした光は、アレイ導波路格子（入力側スラブ導波
路１９、アレイ導波路２０、出力側スラブ導波路２１）
で分光され、前記ＳＰＲ現象計測チップと一体的に形成
されたＰＳＤ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ
Ｄｅｔｅｃｔｏｒ：半導体光位置検出器）、光検出ラ
インセンサ等の光検出器２２上にスペクトル強度として
検出される。
【００２９】図７では、分光する手段としてプリズム２
３を用いている。プリズム２３は光導波路のクラッド８
やコア９よりも屈折率の高い材質からなっており、光源
として適当な波長域を持つ光源を用いた時、金属薄膜１
６でＳＰＲ現象を起こした光は、波長による屈折率の違
いによりプリズム２３によって分光され、前記分光され
た出射光１２はＰＳＤ、光検出ラインセンサ（光計測
器）２２上にスペクトル強度として検出される。
３を用いている。プリズム２３は光導波路のクラッド８
やコア９よりも屈折率の高い材質からなっており、光源
として適当な波長域を持つ光源を用いた時、金属薄膜１
６でＳＰＲ現象を起こした光は、波長による屈折率の違
いによりプリズム２３によって分光され、前記分光され
た出射光１２はＰＳＤ、光検出ラインセンサ（光計測
器）２２上にスペクトル強度として検出される。
【００３０】図８に示す回折格子２４は分光機能有する
ものとして広く用いられている。その回折格子２４を光
導波路中に配し、金属薄膜１６でＳＰＲ現象を起こした
光が入射されると分光され、ＰＳＤあるいは光検出ライ
ンセンサ（光計測器）２２でスペクトル強度として検出
することができる。
ものとして広く用いられている。その回折格子２４を光
導波路中に配し、金属薄膜１６でＳＰＲ現象を起こした
光が入射されると分光され、ＰＳＤあるいは光検出ライ
ンセンサ（光計測器）２２でスペクトル強度として検出
することができる。
【００３１】同じ、回折格子を使用する方法でも、光導
波路のコアに直接、グレーティングを形成する方法が開
発され、その技術を応用すると、図９に示すような、Ｓ
ＰＲ現象計測チップを作製することができる。光導波路
のコア９にそれぞれ異なる波長の光を散乱させるグレー
ティング２５ａ、２５ｂ、２５ｃ・・・２５ｚを形成
し、その近傍に、金属薄膜１６でＳＰＲ現象を起こし、
かつそれぞれのグレーティングで散乱した光を捉えるよ
うに、光ファイバ２６ａ、２６ｂ、２６ｃ・・・２６ｚ
が固定されている。
波路のコアに直接、グレーティングを形成する方法が開
発され、その技術を応用すると、図９に示すような、Ｓ
ＰＲ現象計測チップを作製することができる。光導波路
のコア９にそれぞれ異なる波長の光を散乱させるグレー
ティング２５ａ、２５ｂ、２５ｃ・・・２５ｚを形成
し、その近傍に、金属薄膜１６でＳＰＲ現象を起こし、
かつそれぞれのグレーティングで散乱した光を捉えるよ
うに、光ファイバ２６ａ、２６ｂ、２６ｃ・・・２６ｚ
が固定されている。
【００３２】光ファイバの先に光検出器を接続すること
により、グレーティングで設定した波長毎のスペクトル
として計測することが可能である。グレーティングの数
を増やし、その近傍に光検出ラインセンサ（光検出器）
を設置することによって、より細かいスペクトル測定が
可能となる。グレーティングは、光導波路のコアに強い
紫外線をあるパターンを持ったマスクを通して照射する
ことによって、コアに周期的に屈折率変化を起こし形成
する方法や、周期的なパターンを持ったコアを直接形成
する方法などがある。
により、グレーティングで設定した波長毎のスペクトル
として計測することが可能である。グレーティングの数
を増やし、その近傍に光検出ラインセンサ（光検出器）
を設置することによって、より細かいスペクトル測定が
可能となる。グレーティングは、光導波路のコアに強い
紫外線をあるパターンを持ったマスクを通して照射する
ことによって、コアに周期的に屈折率変化を起こし形成
する方法や、周期的なパターンを持ったコアを直接形成
する方法などがある。
【００３３】図１０は、ある波長を堺にして、光を反射
光と透過光に分けるフィルタ２７を光導波路の途中に
（コア９の途中に）設けたもので、前記フィルタ２７に
光を入射するコア９ａ，前記フィルタ２７からの反射光
を伝搬するコア９ｂ，前記フィルタを透過する透過光を
伝搬するコア９ｃを有しており、この図１０においては
前記光を入射するコア９ａに直接接するように表面プラ
ズモン共鳴現象を誘発する金属薄膜１６が設けられてい
る。もちろんこの金属薄膜１６は、前記フィルタ２７か
らの反射光を伝搬するコア９ｂ，前記フィルタを透過す
る透過光を伝搬するコア９ｃに直接接するように設けら
れていてもよい。このようにして、反射光、透過光の光
量を光計測器２２によって測定、比較することによっ
て、表面プラズモン共鳴現象を測定できる。
光と透過光に分けるフィルタ２７を光導波路の途中に
（コア９の途中に）設けたもので、前記フィルタ２７に
光を入射するコア９ａ，前記フィルタ２７からの反射光
を伝搬するコア９ｂ，前記フィルタを透過する透過光を
伝搬するコア９ｃを有しており、この図１０においては
前記光を入射するコア９ａに直接接するように表面プラ
ズモン共鳴現象を誘発する金属薄膜１６が設けられてい
る。もちろんこの金属薄膜１６は、前記フィルタ２７か
らの反射光を伝搬するコア９ｂ，前記フィルタを透過す
る透過光を伝搬するコア９ｃに直接接するように設けら
れていてもよい。このようにして、反射光、透過光の光
量を光計測器２２によって測定、比較することによっ
て、表面プラズモン共鳴現象を測定できる。
【００３４】以上の分光機能部分はＳＰＲ現象計測チッ
プ部分と同一基板上に形成してもよいし、別のチップ
（別体）として作製して、ＳＰＲ現象計測チップ部分と
分光機能部分を光ファイバなどで光接続し、相互に光を
伝送できるようにしてもよい。また光計測器２２も別に
形成することが可能で、前述のようにＳＰＲ現象計測チ
ップ部分あるいは分光機能部分と光ファイバなどで接続
してもよい。
プ部分と同一基板上に形成してもよいし、別のチップ
（別体）として作製して、ＳＰＲ現象計測チップ部分と
分光機能部分を光ファイバなどで光接続し、相互に光を
伝送できるようにしてもよい。また光計測器２２も別に
形成することが可能で、前述のようにＳＰＲ現象計測チ
ップ部分あるいは分光機能部分と光ファイバなどで接続
してもよい。
【００３５】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【００３６】
【実施例１】マスクを用いたフォトリソグラフィー技術
を用いれば様々な形状のコアを作製することができ、光
を分岐させる構造を形成することができる。
を用いれば様々な形状のコアを作製することができ、光
を分岐させる構造を形成することができる。
【００３７】エポキシの基板上に、高分子クラッド材を
スピンコート法で塗布し、加熱・硬化させる。その後、
ＵＶ硬化型高分子コア材をスピンコート法で塗布し、所
望の形状のコアを作製するためのパターンのあるマスク
を通してＵＶ光を照射する。未硬化部分を溶剤で除去
し、コアと同じ高さまで高分子クラッド材を作製し、表
面を平滑になるように研磨する。分岐した後のコアには
それぞれ金属薄膜をスパッタ法で形成し、それぞれの金
属薄膜上を除いて、さらにオーバークラッド層を形成す
る。
スピンコート法で塗布し、加熱・硬化させる。その後、
ＵＶ硬化型高分子コア材をスピンコート法で塗布し、所
望の形状のコアを作製するためのパターンのあるマスク
を通してＵＶ光を照射する。未硬化部分を溶剤で除去
し、コアと同じ高さまで高分子クラッド材を作製し、表
面を平滑になるように研磨する。分岐した後のコアには
それぞれ金属薄膜をスパッタ法で形成し、それぞれの金
属薄膜上を除いて、さらにオーバークラッド層を形成す
る。
【００３８】以上の方法により、光導波路のうち分光機
能部分が光カプラ（図５）であるＳＰＲ現象計測チップ
を作製することができる。
能部分が光カプラ（図５）であるＳＰＲ現象計測チップ
を作製することができる。
【００３９】また、設計次第では光カプラには波長に依
存して光を分ける機能を持たせることができる。入射光
１１に６００ｎｍ付近にピークを持つブロードなバンド
を持つ光を入射し、光カプラ１７の機能として５００ｎ
ｍと７００ｎｍを中心として分岐する光カプラを設計し
た場合、５００ｎｍを中心とする波長の光は１２ｄから
出射され、７００ｎｍを中心とする波長の光は１２ｅか
ら出射される。ＳＰＲ現象による吸収のピークが５００
ｎｍよりにあるのか、７００ｎｍよりにあるのかによっ
て、１２ｄ、１２ｅの光量が変化するので、試料の屈折
率の変化を計測することが可能である。
存して光を分ける機能を持たせることができる。入射光
１１に６００ｎｍ付近にピークを持つブロードなバンド
を持つ光を入射し、光カプラ１７の機能として５００ｎ
ｍと７００ｎｍを中心として分岐する光カプラを設計し
た場合、５００ｎｍを中心とする波長の光は１２ｄから
出射され、７００ｎｍを中心とする波長の光は１２ｅか
ら出射される。ＳＰＲ現象による吸収のピークが５００
ｎｍよりにあるのか、７００ｎｍよりにあるのかによっ
て、１２ｄ、１２ｅの光量が変化するので、試料の屈折
率の変化を計測することが可能である。
【００４０】上記の作製方法では、分光機能部分（光カ
プラ部分）とＳＰＲ現象計測チップ部分を同じチップ上
に作製しているが、分岐部分と計測部分を別々に作製し
て、間を光ファイバで接続してもよい。
プラ部分）とＳＰＲ現象計測チップ部分を同じチップ上
に作製しているが、分岐部分と計測部分を別々に作製し
て、間を光ファイバで接続してもよい。
【００４１】
【実施例２】エポキシの基板上に、高分子クラッド材を
スピンコート法で塗布し、加熱・硬化して、クラッド層
を５０μｍ形成する。その後、高分子コア材を同様にス
ピンコート法で塗布し、加熱・硬化し、コア層を５μｍ
作製する。その上にフォトレジストを塗布し、アレイ導
波路が作製できるようなパターンのマスクを用いてＵＶ
光を照射する。未硬化部分を溶剤で除去した後、反応性
イオンエッチング装置でドライエッチングし、コアの導
波路を作製し、不用となったレジストを除去する。
スピンコート法で塗布し、加熱・硬化して、クラッド層
を５０μｍ形成する。その後、高分子コア材を同様にス
ピンコート法で塗布し、加熱・硬化し、コア層を５μｍ
作製する。その上にフォトレジストを塗布し、アレイ導
波路が作製できるようなパターンのマスクを用いてＵＶ
光を照射する。未硬化部分を溶剤で除去した後、反応性
イオンエッチング装置でドライエッチングし、コアの導
波路を作製し、不用となったレジストを除去する。
【００４２】その上にさらに高分子クラッド材をスピン
コー卜法で塗布し、加熱・硬化し、コアと同じ高さまで
クラッド層を作製し、表面を研磨した後、アレイ導波路
入力用コアの上に金属薄膜を作製する。その後、さらに
ＵＶ硬化性高分子クラッドを塗布し、金属薄膜部分を除
いて硬化させる。そして、出力側スラブ導波路の出射端
にＰＳＤもしくは光検出ラインセンサを取り付ける。
コー卜法で塗布し、加熱・硬化し、コアと同じ高さまで
クラッド層を作製し、表面を研磨した後、アレイ導波路
入力用コアの上に金属薄膜を作製する。その後、さらに
ＵＶ硬化性高分子クラッドを塗布し、金属薄膜部分を除
いて硬化させる。そして、出力側スラブ導波路の出射端
にＰＳＤもしくは光検出ラインセンサを取り付ける。
【００４３】以上の方法により、図６のようなＳＰＲ現
象計測部分とアレイ導波路回折格子による分光部分の両
方を備えた光導波路型ＳＰＲ現象計測チップを作製する
ことが可能である。
象計測部分とアレイ導波路回折格子による分光部分の両
方を備えた光導波路型ＳＰＲ現象計測チップを作製する
ことが可能である。
【００４４】この光導波路型ＳＰＲ現象計測チップを使
用すれば、ＳＰＲ現象により金属薄膜を反射した光のう
ち、特定の波長の光が減少し、その連続スペクトルを光
検出ラインセンサ（光測定器）により測定することが可
能である。
用すれば、ＳＰＲ現象により金属薄膜を反射した光のう
ち、特定の波長の光が減少し、その連続スペクトルを光
検出ラインセンサ（光測定器）により測定することが可
能である。
【００４５】
【実施例３】エポキシ基板上に、クロムを１μｍ程度形
成し、ＵＶ硬化性高分子コア材を塗布し、周期的なパタ
ーンを持ったマスクを通して紫外線を照射しコアのグレ
ーティング部分を形成する。未硬化部分を溶剤で除去す
る。その上に、高分子クラッド材を塗布し、過熱・硬化
させる。
成し、ＵＶ硬化性高分子コア材を塗布し、周期的なパタ
ーンを持ったマスクを通して紫外線を照射しコアのグレ
ーティング部分を形成する。未硬化部分を溶剤で除去す
る。その上に、高分子クラッド材を塗布し、過熱・硬化
させる。
【００４６】その上にさらにエポキシ基板を接着し、ク
ロムを溶剤で溶かして、クロムを形成したエポキシ基板
を剥離する。その後、基板を反転し、コアの一部を除い
てクラッドを２０μｍ形成する。その上にチタンを５０
Å、金を４５０Å形成する。グレーティング部分の近傍
には光検出ラインセンサを固定し、グレーティングから
の散乱光を受光できるようにする。
ロムを溶剤で溶かして、クロムを形成したエポキシ基板
を剥離する。その後、基板を反転し、コアの一部を除い
てクラッドを２０μｍ形成する。その上にチタンを５０
Å、金を４５０Å形成する。グレーティング部分の近傍
には光検出ラインセンサを固定し、グレーティングから
の散乱光を受光できるようにする。
【００４７】以上の方法により、光導波路コアに直接形
成したグレーティングにより分光可能なＳＰＲ現象計測
チップを作製することが可能である。
成したグレーティングにより分光可能なＳＰＲ現象計測
チップを作製することが可能である。
【００４８】以上の計測チップを使用すれば、ＳＰＲ現
象のスペクトル変化を、グレーティングにより分光され
た光と透過光の光量比という形で検出することができ
る。
象のスペクトル変化を、グレーティングにより分光され
た光と透過光の光量比という形で検出することができ
る。
【００４９】
【実施例４】実施例１と同じ方法で金属薄膜まで形成し
た後、ＵＶ硬化性高分子クラッドをスピンコート法で塗
布し、流路２８を作製できるようなパターンのマスクを
用いて、ＵＶを照射する（図１１参照）。もちろん流路
２８部分はＳＰＲ現象計測の計測表面に重なっている。
未硬化部分を溶剤で除去した後に、流路２８の入口、出
口にキャピラリー２９を取り付け、ＵＶ接着剤で固定す
る。その後、チップ全体を天板３０で蓋をする。
た後、ＵＶ硬化性高分子クラッドをスピンコート法で塗
布し、流路２８を作製できるようなパターンのマスクを
用いて、ＵＶを照射する（図１１参照）。もちろん流路
２８部分はＳＰＲ現象計測の計測表面に重なっている。
未硬化部分を溶剤で除去した後に、流路２８の入口、出
口にキャピラリー２９を取り付け、ＵＶ接着剤で固定す
る。その後、チップ全体を天板３０で蓋をする。
【００５０】以上の方法により、フローセルが一体化さ
れたＳＰＲ現象計測チップを作製することが可能であ
る。
れたＳＰＲ現象計測チップを作製することが可能であ
る。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による光導
波路型ＳＰＲ現象計測チップによれば、生産性の高い光
導波路作製技術を用いて、小型で交換の容易なＳＰＲ現
象計測チップを提供できるとともに、大きな分光器を用
いずに、適当な光源さえあればＳＰＲ現象の波長スペク
トル測定が可能である小型なＳＰＲ現象計測チップを提
供することができる。
波路型ＳＰＲ現象計測チップによれば、生産性の高い光
導波路作製技術を用いて、小型で交換の容易なＳＰＲ現
象計測チップを提供できるとともに、大きな分光器を用
いずに、適当な光源さえあればＳＰＲ現象の波長スペク
トル測定が可能である小型なＳＰＲ現象計測チップを提
供することができる。
【図１】本発明で提案する光導波路型ＳＰＲ現象計測部
分の斜視図。
分の斜視図。
【図２】光導波路型ＳＰＲ現象計測チップの製造方法の
説明図。
説明図。
【図３】光導波路型ＳＰＲ現象計測チップの製造方法の
説明図。
説明図。
【図４】光導波路型ＳＰＲ現象計測チップの製造方法の
説明図。
説明図。
【図５】カプラ型光導波路型ＳＰＲ現象計測チップの概
略図。
略図。
【図６】ＡＷＧにより分光できる光導波路型ＳＰＲ現象
計測チップの概略図。
計測チップの概略図。
【図７】プリズムにより分光できる光導波路型ＳＰＲ現
象測定装置の概略図。
象測定装置の概略図。
【図８】回折格子により分光できる光導波路型ＳＰＲ現
象測定装置の概略図。
象測定装置の概略図。
【図９】光導波路コアグレーティングにより分光できる
光導波路型ＳＰＲ現象計測チップの概略図。
光導波路型ＳＰＲ現象計測チップの概略図。
【図１０】フィルタにより分光できる光導波路型ＳＰＲ
現象測定装置の概略図。
現象測定装置の概略図。
【図１１】金属薄膜上に流路を形成した光導波路型ＳＰ
Ｒ現象計測チップの斜視図。
Ｒ現象計測チップの斜視図。
【図１２】従来の入射角計測タイプにおけるＳＰＲ現象
測定装置の概略図。
測定装置の概略図。
【図１３】従来のスペクトル計測タイプにおけるＳＰＲ
現象測定装置の概略図。
現象測定装置の概略図。
【図１４】図１２の構成のＳＰＲ現象測定装置で計測し
た結果を示す図。
た結果を示す図。
１ 光源 ２ 偏光板・偏光子 ３ レンズ ４ 高屈折率プリズム ５ 金属薄膜 ６ 試料（被測定物） ７ 光電子検出器 ８ クラッド ９ コア １０ オーバークラッド １１ 入射光 １２ 出射光 １３ 溝 １４ 基板 １５ 犠牲層 １６ 金属薄膜（透明に表記） １７ カプラ部分 １８ 入力用導波路コア １９ 入力側スラブ導波路 ２０ アレイ導波路 ２１ 出力側スラブ導波路 ２２ 光計測器 ２３ プリズム ２４ 回折格子 ２５ グレーティング ２６ 光フアイバ ２７ フィルタ ２８ 流路 ２９ キャピラリー ３０ 天板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丹羽 修 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 堀内 勉 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 飛田 達也 東京都新宿区西新宿二丁目１番１号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 田部井 久男 東京都新宿区西新宿二丁目１番１号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 今村 三郎 東京都新宿区西新宿二丁目１番１号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 Ｆターム(参考） 2G020 AA04 CA15 CB03 CB43 CC02 CC04 CC13 CC26 CC32 CC63 CD03 CD06 CD15 CD24 2G059 AA05 BB12 CC16 EE01 EE02 EE05 EE12 GG04 HH02 HH06 JJ02 JJ05 JJ06 JJ17 JJ19 JJ22 KK01 KK04 2H047 KA04 KB04 LA01 LA09 LA18 LA19 MA07 RA02 TA01
Claims (11)
- 【請求項１】 コアと前記コアの周囲に設けられたクラ
ッドとを備え、前記コアは前記クラッドより高い屈折率
を有し、前記コアに入射した光を閉じ込めて伝播する光
導波路と、前記コアに少なくとも一部が直接接触し、か
つ表面プラズモン共鳴現象を起こす金属薄膜であって、
前記コアを伝播する光を計測することによって表面プラ
ズモン共鳴現象を測定される試料が接触するように設け
られる前記金属薄膜とを備えたＳＰＲ現象計測部分と、
前記ＳＰＲ現象計測部分に入射する光あるいは前記ＳＰ
Ｒ現象計測部分より出射した光が通過することによって
分光する機能を有する分光機能部分とを備えたことを特
徴とする分光機能を持った光導波路型ＳＰＲ現象計測チ
ップ。 - 【請求項２】 分光機能部分は、前記光導波路内に形成
された、ある波長を境に光を反射光と透過光に分ける機
能を持つフィルターであることを特徴とする請求項１記
載の分光機能を持った光導波路型ＳＰＲ現象計測チッ
プ。 - 【請求項３】 分光機能部分は、前記光導波路内に形成
された、光の波長に依存して分岐させる光カプラである
ことを特徴とする請求項１に記載の分光機能を持った光
導波路型ＳＰＲ現象計測チップ。 - 【請求項４】 分光機能部分は、前記光導波路内に形成
された、入力用光導波路と入力側スラブ導波路とアレイ
導波路と出力側スラブ導波路からなるアレイ導波路回折
格子であることを特徴とする請求項１に記載の分光機能
を持った光導波路型ＳＰＲ現象計測チップ。 - 【請求項５】 分光機能部分は、前記光導波路内に形成
された、入力用光導波路のコアとクラッド部分よりも屈
折率の高い透明体からなるプリズムであることを特徴と
する請求項１に記載の分光機能を持った光導波路型ＳＰ
Ｒ現象計測チップ。 - 【請求項６】 分光機能部分は、前記光導波路内に形成
された回折格子であることを特徴とする請求項１に記載
の分光機能を持った光導波路型ＳＰＲ現象計測チップ。 - 【請求項７】 分光機能部分は、前記光導波路のコアに
形成された、異なる波長の光を散乱させる複数のグレー
ティングであることを特徴とする請求項１に記載の分光
機能を持った光導波路型ＳＰＲ現象計測チップ。 - 【請求項８】 金属薄膜に入射した光のうち、ｐ偏光光
のみの波長スペクトルを計測可能であることを特徴とす
る請求項１から７に記載のいずれかの分光機能を持った
光導波路型ＳＰＲ現象計測チップ。 - 【請求項９】 ＳＰＲ現象計測部分と、分光する機能を
有した分光機能部分は別体で形成されており、前記ＳＰ
Ｒ現象計測部分の光導波路と、分光機能部分の光導波路
は、光接続されていることを特徴とする請求項１から８
記載のいずれかの分光機能を持った光導波路型ＳＰＲ現
象計測チップ。 - 【請求項１０】 コアと前記コアの周囲に設けられたク
ラッドとを備え、前記コアは前記クラッドより高い屈折
率を有し、前記コアに入射した光を閉じ込めて伝播する
光導波路と、前記コアに少なくとも一部が直接接触し、
かつ表面プラズモン共鳴現象を起こす金属薄膜であっ
て、前記コアを伝播する光を計測することによって表面
プラズモン共鳴現象を測定される試料が接触するように
設けられる前記金属薄膜とを備えたＳＰＲ現象計測部分
と、前記ＳＰＲ現象計測部分に入射する光あるいは前記
ＳＰＲ現象計測部分より出射した光が通過することによ
って分光する機能を有する分光機能部分とを有する導波
路型ＳＰＲ現象計測チップと、前記金属薄膜上の屈折率
の影響を受けた表面プラズモン共鳴現象の波長スペクト
ルを測定するため、前記ＳＰＲ現象計測チップより出射
した光を測定する光計測器とを備えたことを特徴とする
ＳＰＲ現象測定装置。 - 【請求項１１】 前記光測定器は前記ＳＰＲ現象計測チ
ップに一体的に設けられていることを特徴とする請求項
１０記載のＳＰＲ現象測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000355353A JP2002162345A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 分光機能を持った光導波路型ｓｐｒ現象計測チップ及びｓｐｒ現象測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000355353A JP2002162345A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 分光機能を持った光導波路型ｓｐｒ現象計測チップ及びｓｐｒ現象測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002162345A true JP2002162345A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18827777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000355353A Pending JP2002162345A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 分光機能を持った光導波路型ｓｐｒ現象計測チップ及びｓｐｒ現象測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002162345A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011501121A (ja) * | 2007-10-12 | 2011-01-06 | エスペ３アッシュ | 流体分析用の分光測定デバイス |
| JP2011521278A (ja) * | 2008-04-18 | 2011-07-21 | ソニー デーアーデーツェー オーストリア アクチェンゲゼルシャフト | 光導波路の製造方法、光導波路及びセンサアレンジメント |
| JP2011242376A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-01 | Ihi Infrastructure Systems Co Ltd | 分光分析装置 |
| CN102495040A (zh) * | 2011-11-11 | 2012-06-13 | 厦门大学 | 一种采用阵列波导光栅的拉曼光谱仪芯片 |
| JP2020159973A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | ウシオ電機株式会社 | 光測定用光源装置、分光測定装置及び分光測定方法 |
| CN115015182A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-09-06 | 合肥工业大学 | 一种基于平面光波导的集成型spr传感器 |
-
2000
- 2000-11-22 JP JP2000355353A patent/JP2002162345A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8811790B2 (en) | 2008-04-18 | 2014-08-19 | Sony Dadc Austria Ag | Method for manufacturing an optical waveguide, optical waveguide, and sensor arrangement |
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| JP2020159973A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | ウシオ電機株式会社 | 光測定用光源装置、分光測定装置及び分光測定方法 |
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