JP2002158554A - 端面反射型表面波装置の周波数調整方法 - Google Patents

端面反射型表面波装置の周波数調整方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 用意された圧電基板による特性のずれにも関
わらず目標とする周波数特性を有し、かつ不要スプリア
スが生じ難い端面反射型表面波装置の周波数調整方法を
提供する。 【解決手段】 圧電基板２上にインターデジタルトラン
スデューサー３を形成し、圧電基板２の対向２端面２
ａ，２ｂを切断により形成するにあたり、最外側の電極
指４ａ，５ｃに隣接する電極指４ａ，４ｂの中心から表
面波伝搬方向外側に向かって、λ／２の位置を基準位置
とし、該基準位置から表面波伝搬方向に沿って＋λ／８
の範囲内または−λ／８の範囲内で圧電基板２を切断し
て端面２ａ，２ｂを形成すると共に、周波数を低める方
向または高める方向に周波数を調整することができる、
端面反射型表面波装置１の周波数調整方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンドパスフィル
タやトラップなどに用いられる端面反射型表面波装置の
周波数調整方法に関し、より詳細には、周波数調整可能
なように端面が形成される工程を備えた端面反射型表面
波装置の周波数調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＢＧＳ波やラブ波などのＳＨタイ
プの表面波を利用した端面反射型表面波装置が種々提案
されている（例えば、特開平５−１８３３７６号公報、
特開平５−１４５３７０号公報など）。
【０００３】端面反射型表面波装置では、対向二端面を
有する圧電基板上にインターデジタルトランスデューサ
ーが形成されている。インターデジタルトランスデュー
サーの複数本の電極指は端面と平行な方向に延ばされて
いる。励振された表面波が対向二端面間で反射され、定
在波が発生し、該定在波に基づく共振特性が利用され
る。
【０００４】端面反射型表面波装置は、反射器を必要と
しないので、表面波装置の小型化を図ることができる。
上記端面反射型表面波装置の製造に際しては、圧電材料
からなるウェハーを用意する。次に、ウェハー上に、複
数のインターデジタルトランスデューサーを形成する。
次にウェハーが切断されて、対向二端面が形成され、か
つ複数の端面反射型表面波装置が１枚のウェハーから切
り出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】端面反射型表面波装置
では、対向二端面が正確に形成されなければ、所望とす
る共振特性やフィルタ特性を得ることができない。従っ
て、従来、端面の形成は、シングル電極型のインターデ
ジタルトランスデューサーを用いた場合には、最外側の
電極指の隣の電極指の中心から表面波伝搬方向外側に向
かってλ／２の位置、あるいはλ／２の整数倍の位置で
切断が行われていた。また、２本の電極指を１つのペア
とするダブル電極型のインターデジタルトランスデュー
サーの場合には、表面波伝搬方向最外側に位置する電極
指の隣りのペアとなる２本の電極指間の中心から表面波
伝搬方向外側に向かってλ／２の整数倍の位置で切断が
行われていた。
【０００６】実際の製造に際しては、ウェハーから複数
の端面反射型表面波装置が切り出されている。また量産
に際しては、複数枚のウェハーに同様にインターデジタ
ルトランスデューサーが形成され、かつ前記切断が行わ
れていた。
【０００７】しかしながら、複数のウェハーを用意し、
同じようにインターデジタルトランスデューサーを複数
形成し、切断により高精度に端面を形成したとしても、
得られた多数の端面反射型表面波装置において周波数特
性がばらつくという問題があった。これは、ウェハーご
との音速ばらつきや電極指の厚みや幅のばらつきに起因
している。
【０００８】本発明の目的は、周波数特性のばらつきが
少なく、かつ所望とする周波数特性を実現し得る端面反
射型表面波装置の周波数調整方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、対
向二端面におけるＳＨタイプの表面波の反射を利用して
おり、シングル電極を用いた端面反射型表面波装置の周
波数調整方法であって、圧電基板上に複数本の電極指を
有するシングル電極型のインターデジタルトランスデュ
ーサーを形成する工程と、前記インターデジタルトラン
ストランスデューサーの最外側の電極指の隣の電極指の
中心から表面波伝搬方向外側に向かってλ／２の位置を
基準として（但し、λは表面波の波長）、＋λ／８の範
囲内の位置で圧電基板を切断し、前記対向二端面を形成
すると共に、周波数が低くなるように周波数を調整する
工程とを備えることを特徴とする。ここで＋とは基準の
位置から基板の外側の方向を意味する。
【００１０】第１の発明において、好ましくは、前記端
面の形成に際し、最外側の電極指の隣の電極指の中心か
ら表面波伝搬方向外側に向かってλ／２の位置を基準と
して＋λ／１６の範囲内の位置で圧電基板が切断され
る。
【００１１】本願の第２の発明は、対向二端面における
ＳＨタイプの表面波の反射を利用しており、シングル電
極を用いた端面反射型表面波装置の周波数調整方法であ
って、圧電基板上に複数本の電極指を有するシングル電
極型のインターデジタルトランスデューサーを形成する
工程と、前記インターデジタルトランストランスデュー
サーの最外側の電極指の隣の電極指の中心から表面波伝
搬方向外側に向かってλ／２の位置を基準として、−λ
／８の範囲内の位置で圧電基板を切断し、前記対向二端
面を形成すると共に、周波数が高くなるように周波数を
調整する工程とを備えることを特徴とする。ここで−と
は基準の位置より基板の内側を意味する。
【００１２】第２の発明においても、好ましくは、上記
端面の形成に際し、最外側の電極指の隣の電極指の中心
から表面波伝搬方向外側に向かってλ／２の位置を基準
として−λ／１６の範囲内の位置で圧電基板が切断され
る。
【００１３】本願の第３の発明は、対向二端面における
ＳＨタイプの表面波の反射を利用しており、複数本の電
極指を有し、２本の電極指でペアをなす電極指部からな
るダブル電極を用いたインターデジタルトランスデュー
サーを有する端面反射型表面波装置の周波数調整方法で
あって、圧電基板上にダブル電極型のインターデジタル
トランスデューサーを形成する工程と、前記インターデ
ジタルトランスデューサーの表面波伝搬方向において最
も外側に配置されている電極指の隣りの２本でペアをな
す電極指部間の中心から表面波伝搬方向外側に向かって
λ／２の位置を基準として＋λ／８の範囲内の位置で圧
電基板を切断して前記端面を形成すると共に、周波数が
低くなるように周波数を調整する工程とを備えることを
特徴とする。
【００１４】第３の発明においては、好ましくは、前記
端面の形成に際し、前記２本でぺアをなす電極指部の中
心から表面波伝搬方向外側に向かってλ／２の位置を基
準として＋λ／１６の範囲内の位置で圧電基板が切断さ
れる。
【００１５】第４の発明は、対向二端面におけるＳＨタ
イプの表面波の反射を利用しており、複数本の電極指を
有し、２本の電極指でペアをなす電極指部からなるダブ
ル電極を用いたインターデジタルトランスデューサーを
有する端面反射型表面波装置の周波数調整方法であっ
て、圧電基板上にダブル電極型のインターデジタルトラ
ンスデューサーを形成する工程と、前記インターデジタ
ルトランスデューサーの表面波伝搬方向において最も外
側に配置されている電極指の隣りのペアをなす２本の電
極指間の中心から表面波伝搬方向外側に向かってλ／２
の位置を基準として−λ／８の範囲内の位置で圧電基板
を切断して前記端面を形成すると共に、周波数が高くな
るように周波数を調整する工程とを備えることを特徴と
する。
【００１６】第４の発明においては、好ましくは、前記
端面の形成に際し、前記ペアをなす２本の電極指部の中
心から表面波伝搬方向と外側に向かってλ／２の位置を
基準として−λ／１６の範囲内の位置で圧電基板が切断
される。
【００１７】第５の発明は、対向二端面におけるＳＨタ
イプの表面波の反射を利用した端面反射型表面波装置の
周波数調整方法であって、複数本の電極指を有する少な
くとも１個のインターデジタルトランスデューサーを有
する複数個の端面反射型表面波装置を構成するために圧
電基板上に複数のインターデジタルトランスデューサー
を形成する工程と、前記圧電基板上に形成した少なくと
も１個のインターデジタルトランスデューサーの設けら
れている領域の表面波伝搬方向両外側に一対の端面を形
成することにより少なくとも１個の端面反射型表面波装
置の対向二端面を形成し、該対向二端面が形成された端
面反射型表面波装置の周波数特性を測定する工程と、該
周波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、
当該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型
表面波装置の対向二端面を、先の対向二端面形成位置と
は対応していない位置に形成する工程とを備えることを
特徴とする。
【００１８】第５の発明の特定の局面では、前記インタ
ーデジタルトランスデューサーがシングル電極型のイン
ターデジタルトランスデューサーであり、周波数特性の
所望特性に対するずれを補正するように、当該圧電基板
の残りの部分に構成されている端面反射型表面波装置の
対向二端面を形成するに際し、前記インターデジタルト
ランスデューサーの最外側電極指の隣の電極指の中心か
ら表面波伝搬方向外側に向かってλ／２の位置を基準と
して、＋λ／８の範囲内の位置で前記対向二端面を形成
すると共に、周波数が低くなるように周波数を調整す
る。
【００１９】第５の発明の他の特定の局面では、前記イ
ンターデジタルトランスデューサーがシングル電極型の
インターデジタルトランスデューサーであり、周波数特
性の所望特性に対するずれを補正するように、当該圧電
基板の残りの部分に構成されている端面反射型表面波装
置の対向二端面を形成するに際し、前記インターデジタ
ルトランスデューサーの最外側の電極指の隣の電極指の
中心から表面波伝搬方向外側に向かってλ／２の位置を
基準として、＋λ／１６の範囲内の位置で前記対向二端
面を形成すると共に、周波数が低くなるように周波数を
調整する。
【００２０】第５の発明のさらに他の特定の局面では、
前記インターデジタルトランスデューサーがシングル電
極型のインターデジタルトランスデューサーであり、周
波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、当
該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型表
面波装置の対向二端面を形成するに際し、前記インター
デジタルトランスデューサーの最外側の電極指の隣の電
極指の中心から表面波伝搬方向外側に向かってλ／２の
位置を基準として、−λ／８の範囲内の位置で前記対向
二端面を形成すると共に、周波数が高くなるように周波
数を調整する。
【００２１】第５の発明の他の特定の局面では、前記イ
ンターデジタルトランスデューサーがシングル電極型の
インターデジタルトランスデューサーであり、周波数特
性の所望特性に対するずれを補正するように、当該圧電
基板の残りの部分に構成されている端面反射型表面波装
置の対向二端面を形成するに際し、前記インターデジタ
ルトランスデューサーの最外側の電極指の隣の電極指の
中心から表面波伝搬方向外側に向かってλ／２の位置を
基準として、−λ／１６の範囲内の位置で前記対向二端
面を形成すると共に、周波数が高くなるように周波数を
調整する。
【００２２】第５の発明の別の特定の局面では、前記イ
ンターデジタルトランスデューサーがダブル電極型のイ
ンターデジタルトランスデューサーであり、周波数特性
の所望特性に対するずれを補正するように、当該圧電基
板の残りの部分に構成されている端面反射型表面波装置
の対向二端面を形成するに際し、前記インターデジタル
トランスデューサーの最外側の電極指の隣のペアをなす
２本の電極指間の中心から表面波伝搬方向外側に向かっ
てλ／２の位置を基準として、＋λ／８の範囲内の位置
で前記対向二端面を形成すると共に、周波数が低くなる
ように周波数を調整する。
【００２３】第５の発明のさらに他の特定の局面では、
前記インターデジタルトランスデューサーがダブル電極
型のインターデジタルトランスデューサーであり、周波
数特性の所望特性に対するずれを補正するように、当該
圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型表面
波装置の対向二端面を形成するに際し、前記インターデ
ジタルトランスデューサーの最外側の電極指の隣のペア
をなす２本の電極指間の中心から表面波伝搬方向外側に
向かってλ／２の位置を基準として、＋λ／１６の範囲
内の位置で前記対向二端面を形成すると共に、周波数が
低くなるように周波数を調整する。
【００２４】第５の発明の他の特定の局面では、前記イ
ンターデジタルトランスデューサーがダブル電極型のイ
ンターデジタルトランスデューサーであり、周波数特性
の所望特性に対するずれを補正するように、当該圧電基
板の残りの部分に構成されている端面反射型表面波装置
の対向二端面を形成するに際し、前記インターデジタル
トランスデューサーの最外側の電極指の隣のペアをなす
２本の電極指間の中心から表面波伝搬方向外側に向かっ
てλ／２の位置を基準として、−λ／８の範囲内の位置
で前記対向二端面を形成すると共に、周波数が高くなる
ように周波数を調整する。
【００２５】第５の発明のさらに他の特定の局面では、
前記インターデジタルトランスデューサーがダブル電極
型のインターデジタルトランスデューサーであり、周波
数特性の所望特性に対するずれを補正するように、当該
圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型表面
波装置の対向二端面を形成するに際し、前記インターデ
ジタルトランスデューサーの最外側の電極指の隣のペア
をなす電極指間の中心から表面波伝搬方向外側に向かっ
てλ／２の位置を基準として、−λ／１６の範囲内の位
置で前記対向二端面を形成すると共に、周波数が高くな
るように周波数を調整する。
【００２６】第５の発明のさらに別の特定の局面では、
前記インターデジタルトランスデューサーが対数１５対
〜８０対のシングル電極型のインターデジタルトランス
デューサーであり、周波数特性の所望特性に対するずれ
を補正するように、前記圧電基板の残りの部分に構成さ
れている端面反射型表面波装置の対向二端面を形成する
に際し、表面波の波長をλ、前記インターデジタルトラ
ンスデューサーの最外側の電極指の隣の電極指の中心か
ら表面波伝搬方向外側に向かってλ／２の位置と、該位
置に近い側の前記端面との間の距離ｘを表面波の波長λ
で規格化した距離をＸ（Ｘ＝ｘ／λ）、周波数調整量と
しての規格化周波数調整量を△ｆ／ｆ0（但し、△ｆは
周波数調整量、ｆ0は中心周波数）とした場合に、
【００２７】
【数５】
【００２８】と、
【００２９】
【数６】
【００３０】の２つの曲線で囲まれた領域において△ｆ
／ｆ0と距離Ｘとを選択することを特徴とする。第５の
発明のさらに他の特定の局面では、前記インターデジタ
ルトランスデューサーが対数１５対〜８０対のダブル電
極型のインターデジタルトランスデューサーであり、周
波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、当
該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型表
面波装置の対向二端面を形成するに際し、表面波の波長
をλ、前記インターデジタルトランスデューサーの最外
側の電極指の隣の２本でペアをなす電極指間の中心から
表面波伝搬方向外側に向かってλ／２の位置と、該位置
に近い側の端面との間の距離ｘを表面波の波長λで規格
化した距離をＸ（Ｘ＝ｘ／λ）、周波数調整量としての
規格化周波数調整量を△ｆ／ｆ0（但し、△ｆは周波数
調整量、ｆ0は中心周波数）とした場合に、
【００３１】
【数７】
【００３２】と、
【００３３】
【数８】
【００３４】の２つの曲線で囲まれた領域において△ｆ
／ｆ0と距離Ｘとを選択することを特徴とする。
【００３５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施例により
得られる端面反射型表面波装置の一例を示す斜視図であ
る。本実施例で得られる端面反射型表面波装置１は、Ｓ
Ｈタイプの表面波としてＢＧＳ波を利用した端面反射型
表面波共振子である。
【００３６】端面反射型表面波装置１は、矩形板状の圧
電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＮｂＯ3 、Ｌｉ
ＴａＯ3 などの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジルコン
酸鉛系セラミックス（ＰＺＴ）のような圧電セラミック
スにより構成されている。圧電基板２が、圧電セラミッ
クスの場合には、図示の矢印Ｐ方向に沿うように分極処
理されている。
【００３７】圧電基板２の上面には、シングル電極型の
インターデジタルトランスデューサー３が形成されてい
る。インターデジタルトランスデューサー３は、一対の
くし歯電極４，５を有する。各くし歯電極４，５は、複
数本の電極指４ａ，４ｂ，５ａ〜５ｃを有する。インタ
ーデジタルトランスデューサー３においては、表面波伝
搬方向最外側の電極指５ａ，５ｃの幅がλ／８とされて
いる。なお、λは励振される表面波の波長を示す。
【００３８】残りの電極指４ａ，４ｂ，５ｂの幅はλ／
４とされている。また、電極指間のギャップの幅はλ／
４とされている。くし歯電極４，５は、例えば、Ａｌな
どの適宜の金属材料により構成されている。
【００３９】本実施例の端面反射型表面波装置１の製造
方法では、まず、圧電基板２を構成するためのウェハー
を用意する。すなわち、上述した圧電単結晶や圧電セラ
ミックスからなる大きなウェハーを用意し、該ウェハー
上に、複数の端面反射型表面波装置１を構成するために
複数のインターデジタルトランスデューサー３が形成さ
れる。
【００４０】次に、上記ウェハーを厚み方向に切断する
ことにより、端面２ａ，２ｂが形成され、端面反射型表
面波装置１がウェハーから切り出される。しかしなが
ら、前述したように、ウェハーごとに圧電特性がばらつ
くため、複数のウェハーから多数の端面反射型表面波装
置１を得た場合、共振特性がばらつく。
【００４１】そこで、本実施例では、ウェハーからまず
一組の端面を切断により形成して１個の端面反射型表面
波装置１の対向二端面を形成し、該対向二端面が形成さ
れた端面反射型表面波装置１の特性を測定する。そし
て、このようにして測定された周波数特性が所望の周波
数からずれている場合、そのずれを補正するように対向
二端面の形成位置を変更して、当該ウェハーの残りの部
分に構成されている端面反射型表面波装置の対向二端面
を切断により形成する。
【００４２】すなわち、端面の形成位置を調整すること
により周波数の調整が行われる。端面２ａ，２ｂの位置
は、従来、最外側の電極指５ａ，５ｃに隣接する電極指
４ａ，４ｂの中心から表面波伝搬方向外側に向かってλ
／２の位置とされていた。これに対して、本実施例で
は、電極指４ａ，４ｂの中心から表面波伝搬方向外側に
向かってλ／２の位置、すなわち基準位置から表面波伝
搬方向外側または内側で切断を行うことにより端面２
ａ，２ｂが形成され、それによって周波数が調整され
る。
【００４３】図２は、１５対の電極をもつ端面反射型表
面波装置１において、端面２ｂを、電極指４ｂの中心か
ら外側にλ／２の基準位置からずらせて形成した場合の
端面反射型表面波装置１の共振周波数の変化を示す。図
２の結果は、端面反射型表面波装置１として、ＰＺＴか
らなる圧電基板上に、１５対及び８０対の電極指を形成
し、λ＝約５８μｍの場合の実験結果を示す図である。
図中〇が１５対、●が８０対の値を示す。
【００４４】図２の縦軸は、目標とする共振周波数を
ｆ、実測共振周波数をｆ1 とした場合、周波数のずれ量
Δｆ＝ｆ1 −ｆの目標共振周波数ｆに対する割合Δｆ／
ｆである。また、図２の横軸の０は、電極指４ｂの中心
から表面波伝搬方向外側にλ／２である基準位置を示
し、横軸の端面形成位置とは、該基準位置を原点（すな
わち０）とした場合の端面形成位置を示す。なお、基準
位置０から＋の方向は、基準位置よりも表面波伝搬方向
外側において端面を形成したことを意味する。
【００４５】なお、図２の結果は、端面２ａ側において
も同様にして端面を形成した場合の結果を示す。図２か
ら明らかなように、端面２ａ，２ｂの形成位置を、基準
位置からずらすことにより、共振周波数がずれることが
わかる。特に、基準位置から外側において圧電基板を切
断して端面を形成した場合には共振周波数が低くなるよ
うに周波数が調整され、端面の位置が基準位置よりも表
面波伝搬方向内側にある場合には共振周波数が高くなる
ように周波数調整の行われることがわかる。
【００４６】従って、本実施例のように、上記基準位置
から表面波伝搬方向外側または内側にずらして切断を行
うことにより、共振周波数を調整することができ、従っ
て、ウェハーのばらつきに応じて、端面形成位置を調整
することにより、目標とする共振周波数の端面反射型表
面波装置を確実に得ることができる。
【００４７】もっとも、端面２ａ，２ｂの形成位置が、
基準位置からあまりにも外側または内側に大きくはずれ
ている場合には、共振特性のインピーダンス比が小さく
なるだけでなく、所望でないスプリアスが特性上に表れ
る。図４の矢印Ｐ１で示す特性は、端面２ａ，２ｂが、
基準位置から表面波伝搬方向内側にλ／４ずれて形成さ
れている場合の周波数特性を示す。基準位置に対して、
−λ／８を超えて内側に端面を形成した場合には、矢印
Ｘで示す大きなスプリアスが周波数特性上に表れる。外
側にずれた場合、共振周波数は異なるがスプリアスのレ
ベルは同じ値を示す。
【００４８】図４の矢印Ｐ２は、端面の形成位置を、基
準位置±λ／８内に設定した場合、すなわち基準位置−
λ／８とした場合の周波数特性を示す。この場合、図４
のＰ１の矢印Ｘで示されたいたスプリアスが非常に小さ
くなっていることがわかる。
【００４９】従って、基準位置±λ／８内の位置におい
て端面を形成することより、スプリアスを効果的に抑圧
することができ、しかも図２から明らかなように、共振
周波数を容易にかつ確実に調整し得ることがわかる。
【００５０】より好ましくは、基準位置±λ／１６の範
囲において端面２ａ，２ｂが形成される。図４の矢印Ｐ
３で示すように、基準位置−λ／１６の位置に端面２
ａ，２ｂが形成されている場合の周波数特性が示されて
いる。図４の矢印Ｐ３で示す特性を図４の矢印Ｐ２で示
す特性と比較すると明らかなように、上記スプリアスが
より一層効果的に抑圧されていることがわかる。
【００５１】また、インターデジタルトランスデューサ
ーが本実施例のようにシングル電極型のインターデジタ
ルトランスデューサーであり、対数が１５対〜８０対の
場合には、図２に示した１５対の場合の曲線と、８０対
の場合の曲線との間に位置するように、規格化周波数調
整量Δｆ／ｆ0と、対向二端面の基準位置からずらす量
とを選択すれば、上記スプリアスの抑圧を果たしつつ、
規格化周波数調整量に応じて対向二端面の形成位置を決
定することができる。これを、図３を参照して別の表現
で説明する。図３は、図２と同じく、規格化周波数調整
量Δｆ／ｆ0とを、反射端面を構成する端面の位置との
関係を示す。もっとも、図３の横軸は、インターデジタ
ルトランスデューサーの最外側の電極指の隣の電極指の
中心から表面波伝搬方向外側に向かってλ／２の位置
と、該位置に近い側の端面との間の距離をｘとした場
合、Ｘ＝ｘ／λで表される値、すなわち上記距離ｘをλ
で規格化した端面の位置を表す。
【００５２】図３に示されている曲線は、それぞれ下記
の式（１），（２）で表される。すなわち、電極指の対
数が１５対の場合には、
【００５３】
【数９】
【００５４】また、インターデジタルトランスデューサ
ーの対数が８０対の場合には、
【００５５】
【数１０】
【００５６】従って、上記式（１）で表される曲線と式
（２）で表される曲線との間で、上記のようにΔｆ／ｆ
0と端面の位置とを選択すればよい。図１に示した端面
反射型表面波装置１は、シングル電極型のインターデジ
タルトランスデューサー３を用いた表面波共振子につい
ての応用例であるが、本発明は、２本の電極指でペアを
なす電極指部を有するダブル電極型のインターデジタル
トランスデューサーを用いた表面波装置の製造方法にも
適用される。
【００５７】図５は、本発明の第２の実施例により得ら
れるダブル電極型のインターデジタルトランスデューサ
ーを有する端面反射型表面波装置の電極構造を示す模式
的平面図である。
【００５８】インターデジタルトランスデューサー１２
は、複数本の電極指を有する。もっとも、各電極指は、
２本で１つのペアをもつ電極指部を有する、ダブル電極
型の構造とされている。例えば、図４のインターデジタ
ルトランスデューサー１２の電極指１３，１４は、電極
指部１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂがペアをなすよう
に構成されている。
【００５９】本実施例では、表面波伝搬方向最外側に位
置する電極指１４に隣接する電極指１３の中心点すなわ
ち電極指部１３ａ，１３ｂ間の中心から表面波伝搬方向
外側に向かってλ／２の位置を基準とし、該基準位置か
ら±λ／８の範囲内で切断が行われて端面が形成され
る。
【００６０】図６は、図５のインターデジタルトランス
デューサー１２の電極指１３，１４の表面波伝搬方向外
側に端面を形成する部分を模式的に拡大して示す部分切
欠平面図である。
【００６１】すなわち、インターデジタルトランスデュ
ーサー１２では、電極指１３が、ペアの電極指部１３
ａ，１３ｂを有し、最外側の電極指１４が、ペアの電極
指部１４ａ、１４ｂを有するように構成されている。ウ
ェハーから各端面反射型表面波装置１１を形成するため
の切断を行う場合、電極指１３の中心点すなわち電極指
部１３ａ，１３ｂ間の中心から表面波伝搬方向外側に向
かってλ／２の位置（図中Ｃの位置）を基準として外側
または内側において切断が行われ、それによって端面が
形成される。この場合、Ａ〜Ｆで示す各位置で切断した
場合、最外側の電極指１４における電極指部１４ｂは、
欠落する事もあり得る。
【００６２】図７は、端面反射型表面波装置１におい
て、上記のようにして、端面を形成し、該端面の位置を
基準位置からずらした場合の共振周波数の変化を示す図
である。なお、図７の結果は、ＰＺＴからなる圧電基板
上に、１５対、３４対、８０対のインターデジタルトラ
ンスデューサー１２を形成し、λ＝３６μｍの場合の結
果を示す。また、図７の縦軸は、目標とする共振周波数
をｆ0 とし、実測共振周波数をｆ2 とした場合、Δｆ＝
ｆ2 −ｆ0 の目標共振中心周波数ｆ0 に対する割合を示
し、横軸は、端面の位置を示す。横軸の「０」は、端面
が電極指部１３ａ，１３ｂの中心から表面波伝搬方向外
側にλ／２の基準位置（図６中Ｃの位置）にある場合を
示す。
【００６３】図７から明らかなように、ダブル電極型の
インターデジタルトランスデューサー１２を用いた端面
反射型表面波共振子においても、端面の位置をずらすこ
とにより、共振周波数が第１の実施例と同様に変化する
事がわかる。
【００６４】また、第２の実施例においても、端面が基
準位置よりも表面波伝搬方向においてあまりにも外側ま
たは内側に位置した場合、特性上に大きなスプリアスが
表れる。
【００６５】図９の矢印Ｑ１で示す特性は、第２の実施
例において、端面の位置が、それぞれ、表面波伝搬方向
に−λ／４の場合の周波数特性を示す。矢印Ｙで示すよ
うに大きなスプリアスが現れている。
【００６６】これに対して、図９の矢印Ｑ２で示す特性
は、端面の位置が基準位置に対して−λ／８の位置にあ
る場合の周波数特性を示し、上記スプリアスがかなり抑
圧されていることがわかる。
【００６７】また、図９の矢印Ｑ３で示す特性は、端面
の位置が、基準位置に対して、−λ／１６ずれている場
合の周波数特性を示す。端面の位置が基準位置を中心と
して±λ／１６の範囲内にある場合には、上記スプリア
スがより効果的に抑圧されていることがわかる。
【００６８】従って、第２の実施例においても、端面の
位置を、基準位置に対して±λ／８内、より好ましくは
±λ／１６内の範囲とすることにより、スプリアスの少
ない、良好な周波数特性が得られることがわかる。
【００６９】インターデジタルトランスデューサーの最
外側の電極指に隣接するペアをなす電極指部の中心から
端面までの距離をｘとした場合、Ｘ＝ｘ／λを横軸とす
る規格化周波数調整量Δｆ／ｆ0は、図８のようにな
る。
【００７０】インターデジタルトランスデューサーがダ
ブル電極型であり、電極指の対数が１５対〜８０対の場
合には、図８に示されている１５対の場合の曲線と、８
０対の場合の曲線との間に位置するように、Δｆ／ｆ0
及びＸを選択することにより、スプリアスを抑制しつつ
所望とする量だけ確実に周波数を調整することができ
る。
【００７１】図８に示されている１５対の場合の曲線
は、下記の式（３）で表される。
【００７２】
【数１１】
【００７３】８０対の場合の曲線は、下記の式（４）で
表される。
【００７４】
【数１２】
【００７５】第１，第２の実施例では、それぞれ、シン
グル電極型のインターデジタルトランスデューサーを用
いた表面波共振子及びダブル電極型のインターデジタル
トランスデューサーを用いた表面波共振子についての実
施例を示したが、本発明は、シングル電極型及びダブル
電極型のインターデジタルトランスデューサーを用いた
様々な表面波装置の製造方法に適用することができる。
図１０〜図１６は、本発明が適用される表面波装置の他
の例を示す図である。
【００７６】図１０，１１に示す端面反射型表面波装置
２１，３１は、それぞれシングル電極型の２個のインタ
ーデジタルトランスデューサー２２，２３及びダブル電
極型の２個のインターデジタルトランスデューサー３
２，３３を備える横結合型の端面反射型表面波フィルタ
である。
【００７７】図１１に示すＰＺＴを用いたダブル電極か
らなる横結合型共振子フィルタの特性例を図１２に示
す。この横結合型共振子フィルタは、対数は３４対で４
段のフィルタである。Ｃが基準位置、Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇが
それぞれ外側にλ／３２，λ／１６，λ／８，λ／４ず
らした位置に端面を形成した特性図である。端面形成位
置を変えることにより中心周波数を調整できることがわ
かる。この周波数の変化は図７の値と一致しており、こ
のフィルタにおける値は、共振子の場合と同じ値を示し
ている。λ／４外側へ端面を形成した場合にはフィルタ
特性の挿入損失やスプリアスが極めて悪いことがわか
る。λ／８外側の場合は、そこそこの値を示している
が、λ／１６外側の場合はスプリアス、挿入損失は良好
な値を示している。図１２では外側へ位置をずらした場
合について示したが、内側へ位置をずらすことにより中
心周波数を高い方へ調整できる。この場合、挿入損失や
スプリアスの劣化は外側へずらした場合と同じ値を示
す。次に示す縦結合型共振子フィルタも同じような結果
を示す。
【００７８】また、図１３に斜視図で示す表面波装置４
１は、圧電基板４２上にシングル電極型のインターデジ
タルトランスデューサー４３，４４が表面波伝搬方向に
沿って配置されている、縦結合型の弾性表面波フィルタ
である。
【００７９】図１４に示す電気構造を有する端面反射型
表面波装置５１は、ダブル電極型のインターデジタルト
ランスデューサー５２，５３を有する、縦結合型の弾性
表面波フィルタである。
【００８０】図１５及び図１６が示す端面反射型表面波
装置６１，７１は、それぞれ、シングル電極型のインタ
ーデジタルトランスデューサー及びダブル電極型のイン
ターデジタルトランスデューサーを有するラダー型フィ
ルタである。
【００８１】上記のように、本発明に係る端面反射型表
面波装置の周波数調整方法は、図１０〜図１６に示した
種々の端面反射型表面波装置に限らず、さまざまな端面
反射型表面波装置の製造に一般に適用することができ
る。
【００８２】
【発明の効果】第１，第２，第５の発明に係る端面反射
型表面波装置の周波数調整方法では、ウェハーによる周
波数特性のずれが生じている場合であっても、同一ウェ
ハー内において、最初に形成された端面反射型表面波装
置の特性を測定し、得られた特性と目標とする特性との
ずれに応じて、同じウェハーの残りの端面反射型表面波
装置における端面形成位置を調整することにより、容易
に目的とする周波数特性を有する端面反射型表面波装置
を得ることができる。
【００８３】すなわち、第１の発明では、上記端面形成
位置を、基準位置よりも外側に＋λ／８の範囲内の位置
で圧電基板を切断することにより、対向に端面が形成さ
れ、それによって周波数が低くなるように周波数が調整
され、他方、第２の発明では、基準位置よりも内側に向
かって、すなわち−λ／８の範囲内の位置で圧電基板が
切断され、対向２端面が形成され、周波数は高くなるよ
うに周波数が調整される。
【００８４】特に、第１または第２の発明において、基
準位置＋λ／１６の範囲内または基準位置−λ／１６の
範囲内で切断を行い、端面を形成した場合には、より一
層不要スプリアスを抑圧することができ、良好な共振特
性やフィルタ特性をうることができる。
【００８５】本願の第３，第４の発明においても、圧電
基板上にインターデジタルトランスデューサーを形成し
た後に、最外側の電極指の隣のペアをなす２本の電極指
間の中心から表面波伝搬方向外側にλ／２離れた位置を
基準位置として、該基準位置＋λ／８内または−λ／８
内で切断が行われて対向二端面が形成される。従って、
不要スプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な
共振特性やフィルタ特性などを得ることができる。ま
た、上記基準位置＋λ／８内または−λ／８内で切断を
行って、端面を形成するにあたり、端面の位置を調整す
ることにより共振周波数や中心周波数を低くなる方向ま
たは高くなる方向に容易に調整することができる。
【００８６】ウェハーによる周波数特性のずれが生じて
いる場合であっても、同一ウェハー内において、最初に
形成された端面反射型表面波装置の特性を測定し、得ら
れた特性と目標とする特性とのずれに応じて、同じウェ
ハーの残りの端面反射型表面波装置における端面の形成
位置を調整することにより、容易に目的とする周波数特
性を有する端面反射型表面波装置を得ることができる。
【００８７】第３または第４の発明においても、好まし
くは、上記基準位置＋λ／１６の範囲内または基準位置
−λ／16範囲内で切断を行い、端面を形成すれば、不要
スプリアスをより一層効果的に抑圧することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例で得られる端面反射型表
面波装置を示す斜視図。
【図２】第１の実施例において、切断により形成された
端面位置の基準位置からのずれ量と、測定された共振周
波数の目標共振周波数からのずれ量Δｆの目標共振周波
数ｆに対する割合との関係を示す図。
【図３】図２に示した関係を、横軸を、インターデジタ
ルトランスデューサーの最外側の電極指に隣接する電極
指の中心から形成される端面までの距離をｘとしたとき
のＸ＝ｘ／λで表した図。
【図４】第１の実施例において、端面の位置が、基準位
置−λ／４の場合、基準位置−λ／８の場合及び基準位
置−λ／１６の場合及び基準位置の場合の各周波数特性
を示す図。
【図５】第２の実施例で製造される端面反射型表面波装
置の電極構造を示す模式的平面図。
【図６】図５に示した第２の実施例の端面反射型表面波
装置において、端面を形成する切断位置を説明するため
の部分拡大平面図。
【図７】第２の実施例において、切断により形成された
端面の位置と、測定された中心周波数の目標中心周波数
ｆ0 からのずれ量Δｆの目標中心周波数ｆ0 に対する割
合との関係を示す図。
【図８】図７に示した関係を、横軸として、インターデ
ジタルトランスデューサーの最外側の電極指に隣接する
電極指の中心から該電極指側の端面までの距離をｘとし
たときのＸ＝ｘ／λで表される値に変更して示す図。
【図９】第２の実施例において、端面の位置が、基準位
置−λ／４及び基準位置−λ／８の場合及び基準位置−
λ／１６の場合及び基準位置の場合の各周波数特性を示
す図。
【図１０】本発明が適用される表面波装置の一例として
のシングル電極型のインターデジタルトランスデューサ
ーを用いた横結合型表面波フィルタを示す斜視図。
【図１１】本発明が適用される表面波装置の一例として
のダブル電極型のインターデジタルトランスデューサー
を用いた横結合型表面波フィルタを示す斜視図及び模式
的平面図。
【図１２】ダブル電極のインターデジタルトランスデュ
ーサーを用いた横結合型共振子フィルタにおいて端面位
置を変えたときの周波数特性の変化を示す図。
【図１３】本発明が適用される表面波装置の他の例とし
て、シングル電極型のインターデジタルトランスデュー
サーを用いた縦結合型弾性表面波フィルタを示す斜視
図。
【図１４】本発明が適用される表面波装置のさらに他の
例としてのダブル電極型のインターデジタルトランスデ
ューサーを用いた縦結合型弾性表面波フィルタの電極構
造を示す模式的平面図。
【図１５】本発明が適用される端面反射型表面波装置の
他の例として、シングル電極型のインターデジタルトラ
ンスデューサーを用いたラダー型フィルタを示す平面
図。
【図１６】本発明が適用される端面反射型表面波装置の
他の例として、ダブル電極型のインターデジタルトラン
スデューサーを用いたラダー型フィルタを示す平面図。
【符号の説明】
１…端面反射型表面波装置 ２…圧電基板 ２ａ，２ｂ…端面 ３…インターデジタルトランスデューサー ４，５…くし電極 ４ａ、４ｂ，５ａ〜５ｃ…電極指 １１…端面反射型表面波装置 １２…インターデジタルトランスデューサー １３…電極指 １３ａ，１３ｂ…電極指部 １４…電極指 １４ａ，１４ｂ…電極指部 ２１…端面反射型表面波装置 ２２，２３…インターデジタルトランスデューサー ３１…端面反射型表面波装置 ３２，３３…インターデジタルトランスデューサー ４１…端面反射型表面波装置 ４２…圧電基板 ４３，４４…インターデジタルトランスデューサー ５１…端面反射型表面波装置 ５２，５３…インターデジタルトランスデューサー ６１…端面反射型表面波装置 ７１…端面反射型表面波装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 誠剛 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 吾郷 純也 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 堀内 秀哉 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 池浦 守 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J097 AA14 DD08 DD13 GG07 HA08 HB03 KK03

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 対向二端面におけるＳＨタイプの表面波
    の反射を利用しており、シングル電極を用いた端面反射
    型表面波装置の周波数調整方法であって、 圧電基板上に複数本の電極指を有するシングル電極型の
    インターデジタルトランスデューサーを形成する工程
    と、 前記インターデジタルトランストランスデューサーの最
    外側の電極指の隣の電極指の中心から表面波伝搬方向外
    側に向かってλ／２の位置を基準として（但し、λは表
    面波の波長）、＋λ／８の範囲内の位置で圧電基板を切
    断し、前記対向二端面を形成すると共に、周波数が低く
    なるように周波数を調整する工程とを備えることを特徴
    とする、端面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  2. 【請求項２】 前記端面の形成に際し、最外側の電極指
    の隣の電極指の中心から表面波伝搬方向外側に向かって
    λ／２の位置を基準として＋λ／１６の範囲内の位置で
    圧電基板を切断することを特徴とする、請求項１に記載
    の端面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  3. 【請求項３】 対向二端面におけるＳＨタイプの表面波
    の反射を利用しており、シングル電極を用いた端面反射
    型表面波装置の周波数調整方法であって、 圧電基板上に複数本の電極指を有するシングル電極型の
    インターデジタルトランスデューサーを形成する工程
    と、 前記インターデジタルトランストランスデューサーの最
    外側の電極指の隣の電極指の中心から表面波伝搬方向外
    側に向かってλ／２の位置を基準として（但し、λは表
    面波の波長）、−λ／８の範囲内の位置で圧電基板を切
    断し、前記対向二端面を形成すると共に、周波数が高く
    なるように周波数を調整する工程とを備えることを特徴
    とする、端面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  4. 【請求項４】 前記端面の形成に際し、最外側の電極指
    の隣の電極指の中心から表面波伝搬方向外側に向かって
    λ／２の位置を基準として−λ／１６の範囲内の位置で
    圧電基板を切断することを特徴とする、請求項３に記載
    の端面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  5. 【請求項５】 対向二端面におけるＳＨタイプの表面波
    の反射を利用しており、複数本の電極指を有し、２本の
    電極指でペアをなす電極指部からなるダブル電極を用い
    たインターデジタルトランスデューサーを有する端面反
    射型表面波装置の周波数調整方法であって、 圧電基板上にダブル電極型のインターデジタルトランス
    デューサーを形成する工程と、 前記インターデジタルトランスデューサーの表面波伝搬
    方向において最も外側に配置されている電極指の隣の２
    本でペアをなす電極指部間の中心から表面波伝搬方向外
    側に向かってλ／２の位置を基準として（但し、λは表
    面波の波長）＋λ／８の範囲内の位置で圧電基板を切断
    して前記端面を形成すると共に、周波数が低くなるよう
    に周波数を調整する工程とを備えることを特徴とする、
    端面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  6. 【請求項６】 前記端面の形成に際し、前記２本でペア
    をなす電極指部の中心から表面波伝搬方向外側に向かっ
    てλ／２の位置を基準として＋λ／１６の範囲内の位置
    で圧電基板を切断して端面を形成する、請求項５に記載
    の端面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  7. 【請求項７】 対向二端面におけるＳＨタイプの表面波
    の反射を利用しており、複数本の電極指を有し、２本の
    電極指でペアをなす電極指部からなるダブル電極を用い
    たインターデジタルトランスデューサーを有する端面反
    射型表面波装置の周波数調整方法であって、 圧電基板上にダブル電極型のインターデジタルトランス
    デューサーを形成する工程と、 前記インターデジタルトランスデューサーの表面波伝搬
    方向において最も外側に配置されている電極指の隣りの
    ２本でペアをなす電極指部間の中心から表面波伝搬方向
    外側に向かってλ／２の位置を基準として（但し、λは
    表面波の波長）−λ／８の範囲内の位置で圧電基板を切
    断して前記端面を形成すると共に、周波数が高くなるよ
    うに周波数を調整する工程とを備えることを特徴とす
    る、端面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  8. 【請求項８】 前記端面の形成に際し、前記２本でペア
    をなす電極指部の中心から表面波伝搬方向外側に向かっ
    てλ／２の位置を基準として−λ／１６の範囲内の位置
    で圧電基板を切断して端面を形成する、請求項７に記載
    の端面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  9. 【請求項９】 対向二端面におけるＳＨタイプの表面波
    の反射を利用した端面反射型表面波装置の周波数調整方
    法であって、 複数本の電極指を有する少なくとも１個のインターデジ
    タルトランスデューサーを有する複数個の端面反射型表
    面波装置を構成するために圧電基板上に複数のインター
    デジタルトランスデューサーを形成する工程と、 前記圧電基板上に形成した少なくとも１個のインターデ
    ジタルトランスデューサーの設けられている領域の表面
    波伝搬方向両外側に一対の端面を形成することにより少
    なくとも１個の端面反射型表面波装置の対向二端面を形
    成し、該対向二端面が形成された端面反射型表面波装置
    の周波数特性を測定する工程と、 該周波数特性の所望特性に対するずれを補正するよう
    に、当該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反
    射型表面波装置の対向二端面を、先の対向二端面形成位
    置とは対応していない位置に形成する工程とを備える端
    面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  10. 【請求項１０】 前記インターデジタルトランスデュー
    サーがシングル電極型のインターデジタルトランスデュ
    ーサーであり、 周波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、
    当該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型
    表面波装置の対向二端面を形成するに際し、 前記インターデジタルトランスデューサーの最外側電極
    指の隣の電極指の中心から表面波伝搬方向外側に向かっ
    てλ／２の位置を基準として（但し、λは表面波の波
    長）、＋λ／８の範囲内の位置で前記対向二端面を形成
    すると共に、周波数が低くなるように周波数を調整する
    ことを特徴とする、請求項９に記載の端面反射型表面波
    装置の周波数調整方法。
  11. 【請求項１１】 前記インターデジタルトランスデュー
    サーがシングル電極型のインターデジタルトランスデュ
    ーサーであり、 周波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、
    当該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型
    表面波装置の対向二端面を形成するに際し、 前記インターデジタルトランスデューサーの最外側の電
    極指の隣の電極指の中心から表面波伝搬方向外側に向か
    ってλ／２の位置を基準として（但し、λは表面波の波
    長）、＋λ／１６の範囲内の位置で前記対向二端面を形
    成すると共に、周波数が低くなるように周波数を調整す
    ることを特徴とする、請求項９に記載の端面反射型表面
    波装置の周波数調整方法。
  12. 【請求項１２】 前記インターデジタルトランスデュー
    サーがシングル電極型のインターデジタルトランスデュ
    ーサーであり、 周波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、
    当該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型
    表面波装置の対向二端面を形成するに際し、 前記インターデジタルトランスデューサーの最外側の電
    極指の隣の電極指の中心から表面波伝搬方向外側に向か
    ってλ／２の位置を基準として（但し、λは表面波の波
    長）、−λ／８の範囲内の位置で前記対向二端面を形成
    すると共に、周波数が高くなるように周波数を調整する
    ことを特徴とする、請求項９に記載の端面反射型表面波
    装置の周波数調整方法。
  13. 【請求項１３】 前記インターデジタルトランスデュー
    サーがシングル電極型のインターデジタルトランスデュ
    ーサーであり、 周波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、
    当該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型
    表面波装置の対向二端面を形成するに際し、 前記インターデジタルトランスデューサーの最外側の電
    極指の隣の電極指の中心から表面波伝搬方向外側に向か
    ってλ／２の位置を基準として（但し、λは表面波の波
    長）、−λ／１６の範囲内の位置で前記対向二端面を形
    成すると共に、周波数が高くなるように周波数を調整す
    ることを特徴とする、請求項９に記載の端面反射型表面
    波装置の周波数調整方法。
  14. 【請求項１４】 前記インターデジタルトランスデュー
    サーがダブル電極型のインターデジタルトランスデュー
    サーであり、 周波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、
    当該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型
    表面波装置の対向二端面を形成するに際し、 前記インターデジタルトランスデューサーの最外側の電
    極指の隣の２本でペアをなす電極指間の中心から表面波
    伝搬方向外側に向かってλ／２の位置を基準として（但
    し、λは表面波の波長）、＋λ／８の範囲内の位置で前
    記対向二端面を形成すると共に、周波数が低くなるよう
    に周波数を調整することを特徴とする、請求項９に記載
    の端面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  15. 【請求項１５】 前記インターデジタルトランスデュー
    サーがダブル電極型のインターデジタルトランスデュー
    サーであり、 周波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、
    当該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型
    表面波装置の対向二端面を形成するに際し、 前記インターデジタルトランスデューサーの最外側の電
    極指の隣の２本のペアをなす電極指間の中心から表面波
    伝搬方向外側に向かってλ／２の位置を基準として（但
    し、λは表面波の波長）、＋λ／１６の範囲内の位置で
    前記対向二端面を形成すると共に、周波数が低くなるよ
    うに周波数を調整することを特徴とする、請求項９に記
    載の端面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  16. 【請求項１６】 前記インターデジタルトランスデュー
    サーがダブル電極型のインターデジタルトランスデュー
    サーであり、 周波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、
    当該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型
    表面波装置の対向二端面を形成するに際し、 前記インターデジタルトランスデューサーの最外側の電
    極指の隣の２本でペアをなす電極指間の中心から表面波
    伝搬方向外側に向かってλ／２の位置を基準として（但
    し、λは表面波の波長）、−λ／８の範囲内の位置で前
    記対向二端面を形成すると共に、周波数が高くなるよう
    に周波数を調整することを特徴とする、請求項９に記載
    の端面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  17. 【請求項１７】 前記インターデジタルトランスデュー
    サーがダブル電極型のインターデジタルトランスデュー
    サーであり、 周波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、
    当該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型
    表面波装置の対向二端面を形成するに際し、 前記インターデジタルトランスデューサーの最外側の電
    極指の隣の２本でペアをなす電極指間の中心から表面波
    伝搬方向外側に向かってλ／２の位置を基準として（但
    し、λは表面波の波長）、−λ／１６の範囲内の位置で
    前記対向二端面を形成すると共に、周波数が高くなるよ
    うに周波数を調整することを特徴とする、請求項９に記
    載の端面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  18. 【請求項１８】 前記インターデジタルトランスデュー
    サーが対数１５対〜８０対のシングル電極型のインター
    デジタルトランスデューサーであり、 周波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、
    前記圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型
    表面波装置の対向二端面を形成するに際し、 表面波の波長をλ、前記インターデジタルトランスデュ
    ーサーの最外側の電極指の隣の電極指の中心から表面波
    伝搬方向外側に向かってλ／２の位置と、該位置に近い
    側の前記端面との間の距離ｘを表面波の波長λで規格化
    した距離をＸ（Ｘ＝ｘ／λ）、周波数調整量としての規
    格化周波数調整量を△ｆ／ｆ0（但し、△ｆは周波数調
    整量、ｆ0は中心周波数）とした場合に、 【数１】 と、 【数２】 の２つの曲線で囲まれた領域において△ｆ／ｆ0と距離
    Ｘとを選択することを特徴とする、請求項９に記載の端
    面反射型表面波装置の周波数調整方法。
  19. 【請求項１９】 前記インターデジタルトランスデュー
    サーが対数１５対〜８０対のダブル電極型のインターデ
    ジタルトランスデューサーであり、 周波数特性の所望特性に対するずれを補正するように、
    当該圧電基板の残りの部分に構成されている端面反射型
    表面波装置の対向二端面を形成するに際し、 表面波の波長をλ、前記インターデジタルトランスデュ
    ーサーの最外側の電極指の隣の２本でペアをなす電極指
    間の中心から表面波伝搬方向外側に向かってλ／２の位
    置と、該位置に近い側の端面との間の距離ｘを表面波の
    波長λで規格化した距離をＸ（Ｘ＝ｘ／λ）、周波数調
    整量としての規格化周波数調整量を△ｆ／ｆ0（但し、
    △ｆは周波数調整量、ｆ0は中心周波数）とした場合
    に、 【数３】 と、 【数４】 の２つの曲線で囲まれた領域において△ｆ／ｆ0と距離
    Ｘとを選択することを特徴とする、請求項９に記載の端
    面反射型表面波装置の周波数調整方法。
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