KR102636251B1 - 횡모드 억제를 위한 표면 탄성파 디바이스 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 표면 탄성파 디바이스는, 압전 기판; 상기 압전 기판 상에 형성된 서로 대향하는 제1 및 제2 버스바; 상기 제1 버스바와 전기적으로 접속되고 상기 제1 버스바로부터 상기 제2 버스바 쪽으로 연장되는 복수의 제1 인터디지털 전극들; 및 상기 제2 버스바와 전기적으로 접속되고 상기 제2 버스바로부터 상기 제1 버스바 쪽으로 연장되는 복수의 제2 인터디지털 전극들-상기 제1 인터디지털 전극들과 상기 제2 인터디지털 전극들은 교번 배열됨-;을 포함하고, 파동 진행 방향을 따라, 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 중앙 영역, 상기 중앙 영역과 상기 제1 버스바 사이의 제1 에지 영역 및 상기 중앙 영역과 상기 제2 버스바 사이의 제2 에지 영역이 정의되고, 상기 제1 및 제2 에지 영역에서의 파동 속도가 상기 중앙 영역에서의 파동 속도보다 작도록, 상기 제1 에지 영역에서 상기 제1 인터디지털 전극들에만 돌출부가 형성되고, 상기 제2 에지 영역에서 상기 제2 인터디지털 전극들에만 돌출부가 형성된다.

Description

횡모드 억제를 위한 표면 탄성파 디바이스{SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE FOR TRANSVERSE MODE SUPPRESSION}
본 발명은 표면 탄성파 디바이스에 관한 것으로, 보다 상세하게는 불필요한 횡모드를 억제하여 스퓨리어스를 제거하고 통과대역에서 발생하는 리플을 감소시키며 삽입손실을 개선하기 위한 표면 탄성파 디바이스에 관한 것이다.
표면 탄성파 디바이스는 IDT(Interdigital Transducer)를 사용하여 전기 에너지를 음향파 에너지로 변환하거나 반대로 음향파 에너지를 전기 에너지로 변환한다. 예컨대 표면 탄성파 디바이스는 도 1에 도시된 바와 같이 압전 기판(10)과, 압전 기판(10) 상에 형성되는 서로 대향하는 버스바(21, 22)와, 각 버스바(21, 22)에 연결되어 교번 배열되는 인터디지털 전극들(31, 32)을 포함한다.
표면 탄성파 디바이스에서 문제가 되는 것 중의 하나가 불필요한 횡모드(transverse mode)이다. 이러한 횡모드는 스퓨리어스(spurious)를 발생시키며 통과대역에서 바람직하지 않은 리플(ripple)을 야기하고, 또한 삽입손실을 증가시킨다. 이러한 현상은 표면 탄성파 디바이스의 특성에 악영향을 미친다.
표면 탄성파 디바이스에서 횡모드를 억제하기 위한 방법 중 하나로, 문헌 "Design Modeling and Visualization for Low Transverse Modes R-SPUDT Devices"는 소위 피스톤 모드를 제안하였는데, 이것은 개구부에서는 일정하고 바깥쪽으로 갈수록 감소하는 모드를 생성하기 위하여 트랜스듀서의 에지에 파동 속도 감소 영역을 추가하는 것이다. 그러나 상기 문헌에 개시된 구조는 패턴의 복잡성으로 인하여 구현이 어렵고 불량이 발생할 가능성이 높은 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 보다 간단한 구조를 통하여 횡모드를 억제할 수 있는 표면 탄성파 디바이스를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 표면 탄성파 디바이스는, 압전 기판; 상기 압전 기판 상에 형성된 서로 대향하는 제1 및 제2 버스바; 상기 제1 버스바와 전기적으로 접속되고 상기 제1 버스바로부터 상기 제2 버스바 쪽으로 연장되는 복수의 제1 인터디지털 전극들; 및 상기 제2 버스바와 전기적으로 접속되고 상기 제2 버스바로부터 상기 제1 버스바 쪽으로 연장되는 복수의 제2 인터디지털 전극들-상기 제1 인터디지털 전극들과 상기 제2 인터디지털 전극들은 교번 배열됨-;을 포함하고, 파동 진행 방향을 따라, 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 중앙 영역, 상기 중앙 영역과 상기 제1 버스바 사이의 제1 에지 영역 및 상기 중앙 영역과 상기 제2 버스바 사이의 제2 에지 영역이 정의되고, 상기 제1 및 제2 에지 영역에서의 파동 속도가 상기 중앙 영역에서의 파동 속도보다 작도록, 상기 제1 에지 영역에서 상기 제1 인터디지털 전극들에만 돌출부가 형성되고, 상기 제2 에지 영역에서 상기 제2 인터디지털 전극들에만 돌출부가 형성된다.
상기 돌출부의 폭은 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 폭보다 클 수 있다.
상기 돌출부의 두께는 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 두께보다 클 수 있다.
상기 돌출부의 폭 및 두께는 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 폭 및 두께보다 클 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 표면 탄성파 디바이스는, 압전 기판; 상기 압전 기판 상에 형성된 서로 대향하는 제1 및 제2 버스바; 상기 제1 버스바와 전기적으로 접속되고 상기 제1 버스바로부터 상기 제2 버스바 쪽으로 연장되는 복수의 제1 인터디지털 전극들; 및 상기 제2 버스바와 전기적으로 접속되고 상기 제2 버스바로부터 상기 제1 버스바 쪽으로 연장되는 복수의 제2 인터디지털 전극들-상기 제1 인터디지털 전극들과 상기 제2 인터디지털 전극들은 교번 배열됨-;을 포함하고, 파동 진행 방향을 따라, 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 중앙 영역, 상기 중앙 영역과 상기 제1 버스바 사이의 제1 에지 영역 및 상기 중앙 영역과 상기 제2 버스바 사이의 제2 에지 영역이 정의되고, 상기 제1 및 제2 에지 영역에서의 파동 속도가 상기 중앙 영역에서의 파동 속도보다 작도록, 상기 제1 에지 영역에서 상기 제2 인터디지털 전극들에만 돌출부가 형성되고, 상기 제2 에지 영역에서 상기 제1 인터디지털 전극들에만 돌출부가 형성된다.
상기 돌출부의 폭은 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 폭보다 클 수 있다.
상기 돌출부의 두께는 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 두께보다 클 수 있다.
상기 돌출부의 폭 및 두께는 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 폭 및 두께보다 클 수 있다.
본 발명에 의하면, 보다 간단한 구조로 횡모드를 억제할 수 있으며, 따라서 구현이 용이하고 불량 발생 가능성이 낮은 장점이 있다.
도 1은 기존 표면 탄성파 디바이스의 구조의 예를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스의 구조를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스의 구조를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스의 구조를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스의 구조를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스의 구조를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스의 구조를 나타낸다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하 설명 및 첨부된 도면들에서 실질적으로 동일한 구성요소들은 각각 동일한 부호들로 나타냄으로써 중복 설명을 생략하기로 한다. 또한 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스의 구조를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스는, 압전 기판(100), 압전 기판(100) 상에 형성된 서로 대향하는 제1 및 제2 버스바(210, 220), 제1 버스바(210)와 전기적으로 접속되고 제1 버스바(210)로부터 제2 버스바(220) 쪽으로 연장되는 복수의 제1 인터디지털 전극들(310), 제2 버스바(220)와 전기적으로 접속되고 제2 버스바(220)로부터 제1 버스바(210) 쪽으로 연장되는 복수의 제2 인터디지털 전극들(320)을 포함하며, 여기서 제1 인터디지털 전극들(310)과 제2 인터디지털 전극들(320)은 교번 배열된다.
본 발명의 실시예들에서, 파동 진행 방향(제1 및 제2 인터디지털 전극들(310, 320)에 대하여 수직 방향)을 따라 제1 및 제2 인터디지털 전극들(310, 320)의 중앙 영역과, 상기 중앙 영역과 제1 버스바(210) 사이의 제1 에지 영역과, 상기 중앙 영역과 제2 버스바(220) 사이의 제2 에지 영역이 정의된다.
제2 인터디지털 전극들(320)은 제1 에지 영역에서의 폭이 중앙 영역에서의 폭보다 크도록 돌출부(321)가 형성되고, 제1 인터디지털 전극들(310)은 제2 에지 영역에서의 폭이 중앙 영역에서의 폭보다 크도록 돌출부(311)가 형성된다. 따라서 제1 에지 영역과 제2 에지 영역에서의 파동 속도는 중앙 영역에서의 파동 속도보다 작아진다.
제1 에지 영역에서 제2 인터디지털 전극들(320) 뿐만 아니라 제1 인터디지털 전극들(310)도 중앙 영역에서의 폭보다 크도록 돌출부를 형성할 수도 있겠으나, 그러면 제2 인터디지털 전극(320)의 돌출부(321)와 인접한 제1 인터디지털 전극(310)의 돌출부 간의 간격이 좁아짐으로 인하여 해당 전극 패턴을 구현하는데 어려움이 있다. 마찬가지로, 제2 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(310) 뿐만 아니라 제2 인터디지털 전극들(320)도 중앙 영역에서의 폭보다 크도록 돌출부를 형성할 수도 있겠으나, 그러면 제1 인터디지털 전극(310)의 돌출부(311)와 인접한 제2 인터디지털 전극(320)의 돌출부 간의 간격이 좁아짐으로 인하여 해당 전극 패턴을 구현하는데 어려움이 있다. 예컨대 전극 패턴은 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 형성할 수 있는데, 전극 간의 간격이 좁으면 포토그래피 공정으로 구현하기 어려우며, 불량이 발생할 가능성도 높아진다.
본 발명의 실시예에서는 제1 에지 영역에서 제2 인터디지털 전극들(320)은 돌출부(321)가 형성되지만 제1 인터디지털 전극들(310)은 돌출부가 형성되지 않고, 마찬가지로 제2 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(310)은 돌출부(311)가 형성되지만 제2 인터디지털 전극들(320)은 돌출부가 형성되지 않으므로, 동일 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(310)과 제2 인터디지털 전극들(320) 모두에 돌출부를 형성하는 경우보다 공정 상의 이점이 있으며 불량률을 낮출 수 있는 장점이 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스의 구조를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스는, 압전 기판(100), 압전 기판(100) 상에 형성된 서로 대향하는 제1 및 제2 버스바(210, 220), 제1 버스바(210)와 전기적으로 접속되고 제1 버스바(210)로부터 제2 버스바(220) 쪽으로 연장되는 복수의 제1 인터디지털 전극들(410), 제2 버스바(220)와 전기적으로 접속되고 제2 버스바(220)로부터 제1 버스바(210) 쪽으로 연장되는 복수의 제2 인터디지털 전극들(420)을 포함하며, 여기서 제1 인터디지털 전극들(410)과 제2 인터디지털 전극들(420)은 교번 배열된다.
제1 인터디지털 전극들(410)은 제1 에지 영역에서의 폭이 중앙 영역에서의 폭보다 크도록 돌출부(411)가 형성되고, 제2 인터디지털 전극들(420)은 제2 에지 영역에서의 폭이 중앙 영역에서의 폭보다 크도록 돌출부(421)가 형성된다. 따라서 제1 에지 영역과 제2 에지 영역에서의 파동 속도는 중앙 영역에서의 파동 속도보다 작아진다.
제1 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(410) 뿐만 아니라 제2 인터디지털 전극들(420)도 중앙 영역에서의 폭보다 크도록 돌출부를 형성할 수도 있겠으나, 그러면 제1 인터디지털 전극(410)의 돌출부(411)와 인접한 제2 인터디지털 전극(420)의 돌출부 간의 간격이 좁아짐으로 인하여 해당 전극 패턴을 구현하는데 어려움이 있다. 마찬가지로, 제2 에지 영역에서 제2 인터디지털 전극들(420) 뿐만 아니라 제1 인터디지털 전극들(410)도 중앙 영역에서의 폭보다 크도록 돌출부를 형성할 수도 있겠으나, 그러면 제2 인터디지털 전극(420)의 돌출부(421)와 인접한 제1 인터디지털 전극(410)의 돌출부 간의 간격이 좁아짐으로 인하여 해당 전극 패턴을 구현하는데 어려움이 있다.
본 발명의 실시예에서는 제1 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(410)은 돌출부(411)가 형성되지만 제2 인터디지털 전극들(420)은 돌출부가 형성되지 않고, 마찬가지로 제2 에지 영역에서 제2 인터디지털 전극들(420)은 돌출부(421)가 형성되지만 제1 인터디지털 전극들(410)은 돌출부가 형성되지 않으므로, 동일 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(410)과 제2 인터디지털 전극들(420) 모두에 돌출부를 형성하는 경우보다 공정 상의 이점이 있으며 불량률을 낮출 수 있는 장점이 있다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스의 구조를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스는, 압전 기판(100), 압전 기판(100) 상에 형성된 서로 대향하는 제1 및 제2 버스바(210, 220), 제1 버스바(210)와 전기적으로 접속되고 제1 버스바(210)로부터 제2 버스바(220) 쪽으로 연장되는 복수의 제1 인터디지털 전극들(510), 제2 버스바(220)와 전기적으로 접속되고 제2 버스바(220)로부터 제1 버스바(210) 쪽으로 연장되는 복수의 제2 인터디지털 전극들(520)을 포함하며, 여기서 제1 인터디지털 전극들(510)과 제2 인터디지털 전극들(520)은 교번 배열된다.
제2 인터디지털 전극들(520)은 제1 에지 영역에서의 두께가 중앙 영역에서의 두께보다 크도록 돌출부(521)가 형성되고, 제1 인터디지털 전극들(510)은 제2 에지 영역에서의 두께가 중앙 영역에서의 두께보다 크도록 돌출부(511)가 형성된다. 따라서 제1 에지 영역과 제2 에지 영역에서의 파동 속도는 중앙 영역에서의 파동 속도보다 작아진다.
제1 에지 영역에서 제2 인터디지털 전극들(520) 뿐만 아니라 제1 인터디지털 전극들(510)도 중앙 영역에서의 두께보다 크도록 돌출부를 형성할 수도 있겠으나, 인접한 전극 각각에 두께가 큰 돌출부를 형성하는 것은 어려움이 있다. 마찬가지로, 제2 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(510) 뿐만 아니라 제2 인터디지털 전극들(520)도 중앙 영역에서의 두께보다 크도록 돌출부를 형성할 수도 있겠으나, 인접한 전극 각각에 두께가 큰 돌출부를 형성하는 것은 어려움이 있다.
본 발명의 실시예에서는 제1 에지 영역에서 제2 인터디지털 전극들(520)은 돌출부(521)가 형성되지만 제1 인터디지털 전극들(310)은 돌출부가 형성되지 않고, 마찬가지로 제2 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(510)은 돌출부(511)가 형성되지만 제2 인터디지털 전극들(520)은 돌출부가 형성되지 않으므로, 동일 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(510)과 제2 인터디지털 전극들(520) 모두에 돌출부를 형성하는 경우보다 공정 상의 이점이 있으며 불량률을 낮출 수 있는 장점이 있다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스의 구조를 나타낸다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스는, 압전 기판(100), 압전 기판(100) 상에 형성된 서로 대향하는 제1 및 제2 버스바(210, 220), 제1 버스바(210)와 전기적으로 접속되고 제1 버스바(210)로부터 제2 버스바(220) 쪽으로 연장되는 복수의 제1 인터디지털 전극들(610), 제2 버스바(220)와 전기적으로 접속되고 제2 버스바(220)로부터 제1 버스바(210) 쪽으로 연장되는 복수의 제2 인터디지털 전극들(620)을 포함하며, 여기서 제1 인터디지털 전극들(610)과 제2 인터디지털 전극들(620)은 교번 배열된다.
제1 인터디지털 전극들(610)은 제1 에지 영역에서의 두께가 중앙 영역에서의 두께보다 크도록 돌출부(611)가 형성되고, 제2 인터디지털 전극들(620)은 제2 에지 영역에서의 두께가 중앙 영역에서의 두께보다 크도록 돌출부(621)가 형성된다. 따라서 제1 에지 영역과 제2 에지 영역에서의 파동 속도는 중앙 영역에서의 파동 속도보다 작아진다.
제1 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(610) 뿐만 아니라 제2 인터디지털 전극들(620)도 중앙 영역에서의 두께보다 크도록 돌출부를 형성할 수도 있겠으나, 인접한 전극 각각에 두께가 큰 돌출부를 형성하는 것은 어려움이 있다. 마찬가지로, 제2 에지 영역에서 제2 인터디지털 전극들(620) 뿐만 아니라 제1 인터디지털 전극들(610)도 중앙 영역에서의 두께보다 크도록 돌출부를 형성할 수도 있겠으나, 인접한 전극 각각에 두께가 큰 돌출부를 형성하는 것은 어려움이 있다.
본 발명의 실시예에서는 제1 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(610)은 돌출부(611)가 형성되지만 제2 인터디지털 전극들(620)은 돌출부가 형성되지 않고, 마찬가지로 제2 에지 영역에서 제2 인터디지털 전극들(620)은 돌출부(621)가 형성되지만 제1 인터디지털 전극들(610)은 돌출부가 형성되지 않으므로, 동일 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(610)과 제2 인터디지털 전극들(620) 모두에 돌출부를 형성하는 경우보다 공정 상의 이점이 있으며 불량률을 낮출 수 있는 장점이 있다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스의 구조를 나타낸다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스는, 압전 기판(100), 압전 기판(100) 상에 형성된 서로 대향하는 제1 및 제2 버스바(210, 220), 제1 버스바(210)와 전기적으로 접속되고 제1 버스바(210)로부터 제2 버스바(220) 쪽으로 연장되는 복수의 제1 인터디지털 전극들(710), 제2 버스바(220)와 전기적으로 접속되고 제2 버스바(220)로부터 제1 버스바(210) 쪽으로 연장되는 복수의 제2 인터디지털 전극들(720)을 포함하며, 여기서 제1 인터디지털 전극들(710)과 제2 인터디지털 전극들(720)은 교번 배열된다.
제2 인터디지털 전극들(720)은 제1 에지 영역에서의 폭과 두께가 중앙 영역에서의 폭과 두께보다 크도록 돌출부(721)가 형성되고, 제1 인터디지털 전극들(710)은 제2 에지 영역에서의 폭과 두께가 중앙 영역에서의 폭과 두께보다 크도록 돌출부(711)가 형성된다. 따라서 제1 에지 영역과 제2 에지 영역에서의 파동 속도는 중앙 영역에서의 파동 속도보다 작아진다.
제1 에지 영역에서 제2 인터디지털 전극들(720) 뿐만 아니라 제1 인터디지털 전극들(710)도 중앙 영역에서의 폭과 두께보다 크도록 돌출부를 형성할 수도 있겠으나, 그러면 제2 인터디지털 전극(720)의 돌출부(721)와 인접한 제1 인터디지털 전극(710)의 돌출부 간의 간격이 좁아짐으로 인하여 해당 전극 패턴을 구현하는데 어려움이 있다. 마찬가지로, 제2 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(710) 뿐만 아니라 제2 인터디지털 전극들(720)도 중앙 영역에서의 폭과 두께보다 크도록 돌출부를 형성할 수도 있겠으나, 그러면 제1 인터디지털 전극(710)의 돌출부(711)와 인접한 제2 인터디지털 전극(320)의 돌출부 간의 간격이 좁아짐으로 인하여 해당 전극 패턴을 구현하는데 어려움이 있다.
본 발명의 실시예에서는 제1 에지 영역에서 제2 인터디지털 전극들(720)은 돌출부(721)가 형성되지만 제1 인터디지털 전극들(710)은 돌출부가 형성되지 않고, 마찬가지로 제2 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(710)은 돌출부(711)가 형성되지만 제2 인터디지털 전극들(720)은 돌출부가 형성되지 않으므로, 동일 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(710)과 제2 인터디지털 전극들(720) 모두에 돌출부를 형성하는 경우보다 공정 상의 이점이 있으며 불량률을 낮출 수 있는 장점이 있다.
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스의 구조를 나타낸다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 표면 탄성파 디바이스는, 압전 기판(100), 압전 기판(100) 상에 형성된 서로 대향하는 제1 및 제2 버스바(210, 220), 제1 버스바(210)와 전기적으로 접속되고 제1 버스바(210)로부터 제2 버스바(220) 쪽으로 연장되는 복수의 제1 인터디지털 전극들(810), 제2 버스바(220)와 전기적으로 접속되고 제2 버스바(220)로부터 제1 버스바(210) 쪽으로 연장되는 복수의 제2 인터디지털 전극들(820)을 포함하며, 여기서 제1 인터디지털 전극들(810)과 제2 인터디지털 전극들(820)은 교번 배열된다.
제1 인터디지털 전극들(810)은 제1 에지 영역에서의 폭과 두께가 중앙 영역에서의 폭과 두께보다 크도록 돌출부(811)가 형성되고, 제2 인터디지털 전극들(820)은 제2 에지 영역에서의 폭과 두께가 중앙 영역에서의 폭과 두께보다 크도록 돌출부(821)가 형성된다. 따라서 제1 에지 영역과 제2 에지 영역에서의 파동 속도는 중앙 영역에서의 파동 속도보다 작아진다.
제1 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(810) 뿐만 아니라 제2 인터디지털 전극들(820)도 중앙 영역에서의 폭과 두께보다 크도록 돌출부를 형성할 수도 있겠으나, 그러면 제1 인터디지털 전극(810)의 돌출부(811)와 인접한 제2 인터디지털 전극(820)의 돌출부 간의 간격이 좁아짐으로 인하여 해당 전극 패턴을 구현하는데 어려움이 있다. 마찬가지로, 제2 에지 영역에서 제2 인터디지털 전극들(820) 뿐만 아니라 제1 인터디지털 전극들(810)도 중앙 영역에서의 폭과 두께보다 크도록 돌출부를 형성할 수도 있겠으나, 그러면 제2 인터디지털 전극(820)의 돌출부(821)와 인접한 제1 인터디지털 전극(810)의 돌출부 간의 간격이 좁아짐으로 인하여 해당 전극 패턴을 구현하는데 어려움이 있다.
본 발명의 실시예에서는 제1 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(810)은 돌출부(811)가 형성되지만 제2 인터디지털 전극들(820)은 돌출부가 형성되지 않고, 마찬가지로 제2 에지 영역에서 제2 인터디지털 전극들(820)은 돌출부(821)가 형성되지만 제1 인터디지털 전극들(810)은 돌출부가 형성되지 않으므로, 동일 에지 영역에서 제1 인터디지털 전극들(810)과 제2 인터디지털 전극들(820) 모두에 돌출부를 형성하는 경우보다 공정 상의 이점이 있으며 불량률을 낮출 수 있는 장점이 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (8)

  1. 압전 기판;
    상기 압전 기판 상에 형성된 서로 대향하는 제1 및 제2 버스바;
    상기 제1 버스바와 전기적으로 접속되고 상기 제1 버스바로부터 상기 제2 버스바 쪽으로 연장되는 복수의 제1 인터디지털 전극들; 및
    상기 제2 버스바와 전기적으로 접속되고 상기 제2 버스바로부터 상기 제1 버스바 쪽으로 연장되는 복수의 제2 인터디지털 전극들-상기 제1 인터디지털 전극들과 상기 제2 인터디지털 전극들은 교번 배열됨-;을 포함하고,
    파동 진행 방향을 따라, 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 중앙 영역, 상기 중앙 영역과 상기 제1 버스바 사이의 제1 에지 영역 및 상기 중앙 영역과 상기 제2 버스바 사이의 제2 에지 영역이 정의되고,
    상기 제1 및 제2 에지 영역에서의 파동 속도가 상기 중앙 영역에서의 파동 속도보다 작도록, 상기 제1 에지 영역에서 상기 제1 인터디지털 전극들에만 돌출부가 형성되고, 상기 제2 에지 영역에서 상기 제2 인터디지털 전극들에만 돌출부가 형성되고,
    상기 제1 인터디지털 전극들은 상기 제1 에지 영역에서의 두께가 상기 중앙 영역에서의 두께보다 크도록 돌출부가 형성되고, 상기 제2 인터디지털 전극들은 상기 제2 에지 영역에서의 두께가 상기 중앙 영역에서의 두께보다 크도록 돌출부가 형성되되,
    상기 제1 에지 영역에서 상기 제1 인터디지털 전극들은 상기 중앙 영역의 두께보다 큰 상기 돌출부가 형성되지만 상기 제2 인터디지털 전극들은 돌출부가 형성되지 않고, 상기 제2 에지 영역에서 상기 제2 인터디지털 전극들은 상기 중앙 영역의 두께보다 큰 상기 돌출부가 형성되지만 상기 제1 인터디지털 전극들은 돌출부가 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 돌출부의 폭은 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 폭보다 큰 표면 탄성파 디바이스.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 돌출부의 폭 및 두께는 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 폭 및 두께보다 큰 표면 탄성파 디바이스.
  5. 압전 기판;
    상기 압전 기판 상에 형성된 서로 대향하는 제1 및 제2 버스바;
    상기 제1 버스바와 전기적으로 접속되고 상기 제1 버스바로부터 상기 제2 버스바 쪽으로 연장되는 복수의 제1 인터디지털 전극들; 및
    상기 제2 버스바와 전기적으로 접속되고 상기 제2 버스바로부터 상기 제1 버스바 쪽으로 연장되는 복수의 제2 인터디지털 전극들-상기 제1 인터디지털 전극들과 상기 제2 인터디지털 전극들은 교번 배열됨-;을 포함하고,
    파동 진행 방향을 따라, 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 중앙 영역, 상기 중앙 영역과 상기 제1 버스바 사이의 제1 에지 영역 및 상기 중앙 영역과 상기 제2 버스바 사이의 제2 에지 영역이 정의되고,
    상기 제1 및 제2 에지 영역에서의 파동 속도가 상기 중앙 영역에서의 파동 속도보다 작도록, 상기 제1 에지 영역에서 상기 제2 인터디지털 전극들에만 돌출부가 형성되고, 상기 제2 에지 영역에서 상기 제1 인터디지털 전극들에만 돌출부가 형성되고,
    상기 제2 인터디지털 전극들은 상기 제1 에지 영역에서의 두께가 상기 중앙 영역에서의 두께보다 크도록 돌출부가 형성되고, 상기 제1 인터디지털 전극들은 상기 제2 에지 영역에서의 두께가 상기 중앙 영역에서의 두께보다 크도록 돌출부가 형성되되,
    상기 제1 에지 영역에서 상기 제2 인터디지털 전극들은 상기 중앙 영역의 두께보다 큰 상기 돌출부가 형성되지만 상기 제1 인터디지털 전극들은 돌출부가 형성되지 않고, 상기 제2 에지 영역에서 상기 상기 제1 인터디지털 전극들은 상기 중앙 영역의 두께보다 큰 상기 돌출부가 형성되지만 상기 제2 인터디지털 전극들은 돌출부가 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 돌출부의 폭은 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 폭보다 큰 표면 탄성파 디바이스.
  7. 삭제
  8. 제5항에 있어서,
    상기 돌출부의 폭 및 두께는 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 및 제2 인터디지털 전극들의 폭 및 두께보다 큰 표면 탄성파 디바이스.
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